JP2010122161A - Inspection probe for electrooptical device and method of manufacturing the same, and inspection device - Google Patents

Inspection probe for electrooptical device and method of manufacturing the same, and inspection device Download PDF

Info

Publication number
JP2010122161A
JP2010122161A JP2008298094A JP2008298094A JP2010122161A JP 2010122161 A JP2010122161 A JP 2010122161A JP 2008298094 A JP2008298094 A JP 2008298094A JP 2008298094 A JP2008298094 A JP 2008298094A JP 2010122161 A JP2010122161 A JP 2010122161A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
substrate
inspection
electro
optical device
inspection probe
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2008298094A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Takeshi Yoda
剛 依田
Kazumi Hara
一巳 原
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Seiko Epson Corp
Original Assignee
Seiko Epson Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Seiko Epson Corp filed Critical Seiko Epson Corp
Priority to JP2008298094A priority Critical patent/JP2010122161A/en
Publication of JP2010122161A publication Critical patent/JP2010122161A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Landscapes

  • Measuring Leads Or Probes (AREA)
  • Testing Electric Properties And Detecting Electric Faults (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an inspection probe of an electrooptical device capable of improving durability while having appropriate contact properties, to provide a method of manufacturing the inspection probe, and to provide an inspection device. <P>SOLUTION: The inspection probe 1 of an electrooptical device includes a substrate 2, and a connection section 3 that is provided on the substrate 2 and is electrically connected to a liquid crystal display. The connection section 3 has a plurality of bump electrodes 11 comprising an undercoat resin 9 disposed in a through-hole 7 of the substrate 2 and a plurality of conductive films 15 for partially covering the undercoat resin 9 projecting to the side of a first surface 2A of the substrate 2. Each of the plurality of bump electrodes 11 is connected to each terminal of the liquid crystal display. <P>COPYRIGHT: (C)2010,JPO&INPIT

Description

本発明は、電気光学装置の検査用プローブ及びその製造方法、検査装置に関するものである。   The present invention relates to an inspection probe for an electro-optical device, a manufacturing method thereof, and an inspection device.

一般に、液晶表示装置の製造工程においては、短絡や断線、あるいは表示特性等に関して検査する検査工程が設けられており、そのような検査工程においては、検査用プローブを有する検査装置が使用される。このような検査用プローブは、検査対象機器である液晶表示装置の外部接続端子や走査線端子、データ線端子に接続する複数のコンタクト端子を含む導電部(接続部)を有しており、その接続端子間の距離に対応している。下記特許文献1では、検査用プローブは、ポリイミド(PI)やポリエチレンテレフタレート(PET)等からなる可撓性基板上に、上記接続端子を含む導電部(接続部)を設けたものである。しかしながら、可撓性基板を使用しているため、狭ピッチ配線化が困難であり、製造コストの上昇が予測される。   In general, in the manufacturing process of a liquid crystal display device, an inspection process for inspecting a short circuit, disconnection, display characteristics, or the like is provided. In such an inspection process, an inspection apparatus having an inspection probe is used. Such a probe for inspection has a conductive portion (connecting portion) including a plurality of contact terminals connected to an external connection terminal, a scanning line terminal, and a data line terminal of a liquid crystal display device which is a device to be inspected. It corresponds to the distance between connection terminals. In the following Patent Document 1, the inspection probe is provided with a conductive portion (connecting portion) including the connecting terminal on a flexible substrate made of polyimide (PI), polyethylene terephthalate (PET), or the like. However, since a flexible substrate is used, it is difficult to make a narrow pitch wiring, and an increase in manufacturing cost is expected.

そこで、特許文献2のような下地樹脂バンプを用いた検査用プローブが提案されている。ここでは、シリコン基板に設けられた樹脂突起上の複数の配線部が電気光学装置の配線とのコンタクト部となっている。
特開2000−56285号公報 特開2006−78319号公報
Therefore, an inspection probe using a base resin bump as in Patent Document 2 has been proposed. Here, a plurality of wiring portions on the resin protrusion provided on the silicon substrate are contact portions with the wiring of the electro-optical device.
JP 2000-56285 A JP 2006-78319 A

特許文献2では、シリコン基板を用いているため狭ピッチ配線化が可能であり、樹脂突起によるコンタクト性も良好となった。しかしながら、シリコン基板の表面上からのみの樹脂突起の変形だけでは、条件によってはコンタクト性が十分ではなく、また耐久性が低いという問題があった。   In Patent Document 2, since a silicon substrate is used, narrow pitch wiring is possible, and the contact property by the resin protrusion is also good. However, the deformation of the resin protrusion only from the surface of the silicon substrate has a problem that the contact property is not sufficient depending on the conditions and the durability is low.

本発明は、上記従来技術の問題点に鑑み成されたものであって、コンタクト性が良好で耐久性を向上させることのできる電気光学装置の検査用プローブおよびその製造方法、検査装置を提供することを目的としている。   The present invention has been made in view of the above-described problems of the prior art, and provides an inspection probe for an electro-optical device that has good contact properties and can improve durability, a method for manufacturing the same, and an inspection device. The purpose is that.

本発明の検査用プローブは、上記課題を解決するために、基板と、前記基板に設けられ電気光学装置に電気的に接続される接続部と、を有してなる電気光学装置の検査用プローブであって、前記接続部が、前記基板の貫通孔内に配置された下地樹脂と、前記基板の第1面から突出した前記下地樹脂を部分的に覆う複数の導電膜とからなる複数のコンタクト端子を有していることを特徴とする。   In order to solve the above problems, an inspection probe according to the present invention includes a substrate and a connection probe provided on the substrate and electrically connected to the electro-optical device. The connection portion includes a plurality of contacts including a base resin disposed in the through-hole of the substrate and a plurality of conductive films partially covering the base resin protruding from the first surface of the substrate. It has a terminal.

本発明では、基板の第1面から複数のコンタクト端子を有した接続部が部分的に突出しており、電気光学装置に接続する場合には、コンタクト端子を構成している導電膜の内側にある下地樹脂の樹脂変形を利用した接続となる。このため、後に接続される電気光学装置側の端子に対するコンタクト端子の接触面積が広がって接続信頼性が良好となる。さらに、本発明の下地樹脂は貫通孔内に配置されたものであり、従来基板上に設けられた樹脂突起を有してなる端子構造よりも電気光学装置側の端子との接続強度がより向上するとともに圧着も樹脂のみで十分可能となる。これにより、接続部分におけるコンタクト性が良好で耐久性を向上させることができる。また、本発明の検査用プローブでは、ハンダなど低融点金属のはみ出しによる基板とのショートや端子間のショートも回避できることになるので、従来に比べて接続信頼性が向上する。   In the present invention, the connecting portion having a plurality of contact terminals partially protrudes from the first surface of the substrate, and when connecting to the electro-optical device, it is inside the conductive film constituting the contact terminals. Connection is made using resin deformation of the base resin. For this reason, the contact area of the contact terminal with respect to the terminal on the electro-optical device side to be connected later is increased, and the connection reliability is improved. Further, the base resin of the present invention is disposed in the through hole, and the connection strength with the terminal on the electro-optical device side is further improved as compared with the terminal structure having a resin protrusion provided on the conventional substrate. At the same time, the pressure bonding can be sufficiently performed only with the resin. Thereby, the contact property in a connection part is favorable and durability can be improved. Further, in the inspection probe of the present invention, it is possible to avoid a short circuit with a substrate and a short circuit between terminals due to protrusion of a low melting point metal such as solder, so that the connection reliability is improved as compared with the conventional case.

また、前記コンタクト端子の先端が、外方に向かって凸になる曲面状になっていることが好ましい。
本発明によれば、電気光学装置側の端子との接続時におけるコンタクト端子の変形が容易になる。
Moreover, it is preferable that the front-end | tip of the said contact terminal is the curved surface shape which becomes convex toward outward.
According to the present invention, the contact terminal can be easily deformed when connected to the terminal on the electro-optical device side.

また、前記コンタクト端子が、先端に向かって細くなっていることが好ましい。
本発明によれば、電気光学装置側の端子との接続時における応力を緩和することができるので、接続信頼性が向上したものとなる。
Moreover, it is preferable that the said contact terminal is thin toward the front-end | tip.
According to the present invention, since the stress at the time of connection with the terminal on the electro-optical device side can be relieved, the connection reliability is improved.

また、前記複数の導電膜間における前記下地樹脂の一部が露出していることが好ましい。
本発明によれば、端子間のショートを回避することができる。
Moreover, it is preferable that a part of the base resin is exposed between the plurality of conductive films.
According to the present invention, a short circuit between terminals can be avoided.

また、前記複数の導電膜間で露出している前記下地樹脂の表面が、前記複数の導電膜の表面よりも低くなるように形成されていることが好ましい。
本発明によれば、接続部における各コンタクト端子が、電気光学装置側の各端子と確実且つ良好に接続されるようになる。
Moreover, it is preferable that the surface of the base resin exposed between the plurality of conductive films is formed to be lower than the surfaces of the plurality of conductive films.
According to the present invention, each contact terminal in the connection portion is reliably and satisfactorily connected to each terminal on the electro-optical device side.

また、前記導電膜が、展延性を有する単体または複数の金属膜により形成されていることが好ましい。
本発明によれば、延展性を有する単体または複数の金属膜により形成された導電膜であれば、下地樹脂とともに変形しやすい。
Moreover, it is preferable that the said electrically conductive film is formed with the single-piece | unit or several metal film which has a malleability.
According to the present invention, a conductive film formed of a single or a plurality of metal films having spreadability is easily deformed together with the base resin.

また、前記貫通孔内に設けられるとともに前記基板の第1面から突出する下地層によって、前記コンタクト端子の基部側の側面が覆われていることが好ましい。
本発明によれば、変形したコンタクト端子と基板との間のショートを回避することができる。
Moreover, it is preferable that the side surface on the base side of the contact terminal is covered with a base layer provided in the through hole and protruding from the first surface of the substrate.
According to the present invention, it is possible to avoid a short circuit between the deformed contact terminal and the substrate.

また、前記基板上に、前記複数のコンタクト端子と電気的に接続される検査用電子部品が実装されていることが好ましい。
本発明によれば、電気光学装置側の端子と接続する複数のコンタクト端子を介して電気光学装置に駆動信号を供給することができるので、電気光学装置の電気特性検査を良好に行える。
Moreover, it is preferable that the inspection electronic component that is electrically connected to the plurality of contact terminals is mounted on the substrate.
According to the present invention, since the drive signal can be supplied to the electro-optical device through the plurality of contact terminals connected to the terminal on the electro-optical device side, the electric characteristic inspection of the electro-optical device can be performed satisfactorily.

また、前記コンタクト端子には、前記基板とは異なる別基板に実装された前記検査用電子部品が接続されていることが好ましい。
本発明によれば、電気光学装置側の端子と接続する複数のコンタクト端子を介して電気光学装置に駆動信号を供給することができるので、電気光学装置の電気特性検査を良好に行える。
Further, it is preferable that the inspection electronic component mounted on a different substrate different from the substrate is connected to the contact terminal.
According to the present invention, since the drive signal can be supplied to the electro-optical device through the plurality of contact terminals connected to the terminal on the electro-optical device side, the electric characteristic inspection of the electro-optical device can be performed satisfactorily.

また、前記基板に配設された配線パターン上には絶縁層が設けられていることが好ましい。
本発明によれば、配線パターンを保護することができるので、断線などが生じにくい。
Moreover, it is preferable that an insulating layer is provided on the wiring pattern provided on the substrate.
According to the present invention, since the wiring pattern can be protected, disconnection or the like hardly occurs.

本発明の検査用プローブの製造方法は、上記課題を解決するために、基板の第2面からビアを形成する工程と、前記ビアの内面に下地層を形成する工程と、前記下地層上に導電膜を形成する工程と、前記導電膜を複数の領域にパターニングする工程と、前記ビア内に樹脂を充填する工程と、前記基板を薄くして前記ビアを貫通させる工程と、前記基板の第1面から突出した前記下地層を除去して複数の前記導電膜を露出させる工程と、
を備えたことを特徴とする。
In order to solve the above problems, a method for manufacturing an inspection probe according to the present invention includes a step of forming a via from the second surface of a substrate, a step of forming a base layer on the inner surface of the via, and a step on the base layer. Forming a conductive film; patterning the conductive film into a plurality of regions; filling a resin in the via; thinning the substrate and penetrating the via; Removing the base layer protruding from one surface to expose a plurality of the conductive films;
It is provided with.

基板の第1面から突出する樹脂コアバンプ構造の検査用プローブを得ることができる。本発明では、貫通孔内に配置した樹脂とその表面を覆う導電膜とによってコンタクト端子が構成されている。半導体装置に接続する際は、接続部におけるコンタクト端子が半導体装置の端子と接触して変形することによって接続される。本発明のコンタクト端子は貫通孔内に配置された樹脂が変形することから、基板上に設けられた樹脂突起とその表面を覆う導電膜とからなる従来のコンタクト端子の変形よりも、十分なコンタクト性を得ることができる。これにより、半導体装置に対して信頼性の高いプローブ検査が可能な検査用プローブを提供することができる。   An inspection probe having a resin core bump structure protruding from the first surface of the substrate can be obtained. In the present invention, the contact terminal is constituted by the resin disposed in the through hole and the conductive film covering the surface thereof. When connecting to a semiconductor device, the contact terminals in the connection portion are connected by being deformed in contact with the terminals of the semiconductor device. Since the resin arranged in the through hole is deformed in the contact terminal according to the present invention, the contact is more sufficient than the deformation of the conventional contact terminal composed of the resin protrusion provided on the substrate and the conductive film covering the surface. Sex can be obtained. Thereby, it is possible to provide an inspection probe capable of performing a highly reliable probe inspection on a semiconductor device.

また、前記ビアを形成する工程において、前記ビアの底面を曲面状に形成することが好ましい。
本発明によれば、コンタクト端子の先端を曲面状に形成することができるので、接続時に変形し且つ接続強度も確実に得られるようになる。
In the step of forming the via, it is preferable that the bottom surface of the via is formed in a curved shape.
According to the present invention, since the tip of the contact terminal can be formed in a curved shape, it is deformed at the time of connection and the connection strength can be obtained with certainty.

また、前記ビアを形成する工程において、前記ビアの内面をテーパ形状に形成することが好ましい。
本発明によれば、先端に向かって細くなるコンタクト端子を形成することができるので、電気光学装置側の端子とのコンタクト性が良好な端子とすることができる。
In the step of forming the via, the inner surface of the via is preferably formed in a tapered shape.
According to the present invention, since the contact terminal that becomes narrower toward the tip can be formed, it is possible to obtain a terminal that has good contact with the terminal on the electro-optical device side.

また、パターニングされた複数の前記導電膜間で露出する前記下地樹脂の表面が、前記複数の前記導電膜の表面よりも低くなるように形成することが好ましい。
本発明によれば、電気光学装置側の端子に対する各コンタクト端子の接続が良好に行える。
Further, it is preferable that the surface of the base resin exposed between the plurality of patterned conductive films is formed to be lower than the surfaces of the plurality of conductive films.
According to the present invention, each contact terminal can be favorably connected to the terminal on the electro-optical device side.

また、前記下地層を除去する工程において、前記コンタクト端子の基部側に前記下地層が部分的に残るようにすることが好ましい。
本発明によれば、コンタクト端子の基部側が下地層によって覆われた状態となるので、電気光学装置側との接続時に変形したコンタクト端子が基板とショートしてしまうのを回避することができる。
In the step of removing the underlayer, it is preferable that the underlayer partially remains on the base side of the contact terminal.
According to the present invention, since the base side of the contact terminal is covered with the base layer, it is possible to avoid the contact terminal deformed when connected to the electro-optical device side from being short-circuited with the substrate.

また、前記基板上に前記複数の導電膜と電気的に接続される検査用電子部品を実装する工程を有することが好ましい。
本発明によれば、検査用プローブと一体にすることで取り扱いが容易になる。
In addition, it is preferable to include a step of mounting inspection electronic components electrically connected to the plurality of conductive films on the substrate.
According to the present invention, handling is facilitated by integrating with an inspection probe.

また、別基板に実装された検査用電子部品を前記複数の導電膜と電気的に接続する工程を有することが好ましい。
本発明によれば、検査用電子部品の交換作業が容易となり、信頼性の高い検査を行える。
Moreover, it is preferable to have the process of electrically connecting the inspection electronic component mounted on another substrate to the plurality of conductive films.
According to the present invention, the inspection electronic component can be easily replaced, and a highly reliable inspection can be performed.

また、前記基板に配設された配線パターン上に絶縁膜を形成する工程を有することが好ましい。
本発明によれば、配線パターンが保護できるので断線などを防止できる。
Moreover, it is preferable to have the process of forming an insulating film on the wiring pattern arrange | positioned at the said board | substrate.
According to the present invention, since the wiring pattern can be protected, disconnection or the like can be prevented.

本発明の検査装置は、上記電気光学装置の検査用プローブを備えていることを特徴とする。
本発明の検査装置によれば、上記した検査用プローブにより電気光学装置との接続不具合が解消されるので、電気光学装置のプローブ検査の検査精度を向上させえることが可能である。
The inspection apparatus according to the present invention includes the inspection probe for the electro-optical device.
According to the inspection apparatus of the present invention, since the above-mentioned inspection probe eliminates the connection failure with the electro-optical device, it is possible to improve the inspection accuracy of the probe inspection of the electro-optical device.

以下、本発明の実施形態につき、図面を参照して説明する。なお、以下の説明に用いる各図面では、各部材を認識可能な大きさとするため、各部材の縮尺を適宜変更している。   Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. In each drawing used for the following description, the scale of each member is appropriately changed to make each member a recognizable size.

(第1実施形態の検査用プローブ)
図1は、本発明の一実施形態に係る検査用プローブの概略構成を示す斜視図であって、(a)は第1面2A側から見た図、(b)は第2面2B側から見た図である。図2は、図1(a)におけるA−A断面図である。図1および図2において符号1は検査用プローブであり、この検査用プローブ1は、各種の電気的特性を検出・測定するテスター(図示せず)に電気的に接続されて、用いられるものである。
(Inspection probe of the first embodiment)
1A and 1B are perspective views showing a schematic configuration of an inspection probe according to an embodiment of the present invention, in which FIG. 1A is a diagram viewed from the first surface 2A side, and FIG. 1B is a second surface 2B side. FIG. FIG. 2 is a cross-sectional view taken along line AA in FIG. 1 and 2, reference numeral 1 denotes an inspection probe. The inspection probe 1 is used by being electrically connected to a tester (not shown) for detecting and measuring various electrical characteristics. is there.

図1(a),(b)に示すように、検査用プローブ1は、基板2と、基板2の第1面2Aから突出する接続部3と、第1面2Aと反対側の第2面2B上に形成された配線パターン4,5と、駆動用IC6(検査用電子部品)と、を備えている。さらに、下地層12、金属層13、導電膜15、下地樹脂9とを有して構成されている。   As shown in FIGS. 1A and 1B, an inspection probe 1 includes a substrate 2, a connection portion 3 protruding from the first surface 2A of the substrate 2, and a second surface opposite to the first surface 2A. Wiring patterns 4 and 5 formed on 2B, and a driving IC 6 (inspection electronic component) are provided. Furthermore, it has a base layer 12, a metal layer 13, a conductive film 15, and a base resin 9.

基板2は、例えば矩形のシリコン基板からなっている。基板2としては、他にもセラミックス基板や樹脂基板などが挙げられる。このような基板2には、その厚さ方向、すなわち第1面2Aと第2面2Bとを貫通する平面視矩形状の貫通孔7が形成されている。貫通孔7は、その横断面が図2に示すように基板2の板厚方向における第1面2A側に向かって先細るテーパ形状となっている。   The substrate 2 is made of, for example, a rectangular silicon substrate. Other examples of the substrate 2 include a ceramic substrate and a resin substrate. Such a substrate 2 is formed with a through hole 7 having a rectangular shape in plan view that penetrates the thickness direction thereof, that is, the first surface 2A and the second surface 2B. As shown in FIG. 2, the through-hole 7 has a tapered shape that tapers toward the first surface 2 </ b> A side in the plate thickness direction of the substrate 2.

接続部3は、基板2の第1面2Aに突出する複数のバンプ電極11(コンタクト端子)を有している。これらバンプ電極11は、上記貫通孔7内に配置された下地樹脂9と、下地樹脂9を部分的に覆う複数の帯状の導電膜15とからなるものである。具体的には、複数の導電膜15と、これら複数の導電膜15によって覆われた下地樹脂9(端部9A)の一部分とによって複数のバンプ電極11が形成されている。すなわち、各導電膜15の露出部分とその内側に位置する下地樹脂9(端部9A)とともにそれぞれが独立してバンプ電極11として機能するようになっている。これらバンプ電極11が、検査対象となる図5に示す液晶表示装置100(電気光学装置)の外部回路実装端子202と電気的に接続されることにより検査が可能となる。   The connecting portion 3 has a plurality of bump electrodes 11 (contact terminals) protruding on the first surface 2A of the substrate 2. These bump electrodes 11 are composed of a base resin 9 disposed in the through hole 7 and a plurality of strip-like conductive films 15 partially covering the base resin 9. Specifically, the plurality of bump electrodes 11 are formed by the plurality of conductive films 15 and a part of the base resin 9 (end portion 9 </ b> A) covered with the plurality of conductive films 15. That is, the exposed portions of each conductive film 15 and the base resin 9 (end portion 9A) located inside thereof are each independently functioning as the bump electrode 11. These bump electrodes 11 can be inspected by being electrically connected to the external circuit mounting terminals 202 of the liquid crystal display device 100 (electro-optical device) shown in FIG. 5 to be inspected.

下地層12は、SiO2(酸化シリコン)からなるもので、これに限らず、窒化膜、エポキシなどの樹脂系材料からからなるものでもよい。下地層12は、金属層13と基板2との電流リークの発生、および酸素や水分などによる基板2の浸食などを防止するために設けられるもので、貫通孔7の内面7aだけでなく第2面2Bの略全体を覆うようにして形成されている。この下地層12の端部12eは、貫通孔7の開口7Aから外方へ所定量突出するように延設されている。この端部12eによって各バンプ電極11の基部の側面が覆われている。   The underlayer 12 is made of SiO2 (silicon oxide), and is not limited to this, and may be made of a resin-based material such as a nitride film or epoxy. The underlayer 12 is provided to prevent the occurrence of current leakage between the metal layer 13 and the substrate 2 and the erosion of the substrate 2 due to oxygen, moisture, and the like. It is formed so as to cover substantially the entire surface 2B. The end portion 12e of the foundation layer 12 is extended so as to project a predetermined amount outward from the opening 7A of the through hole 7. A side surface of the base portion of each bump electrode 11 is covered with the end portion 12e.

金属層13は、TiW(チタンタングステン)などの金属材料からなり、導電膜15や配線パターン4,5と同時にパターン形成されたものである。この金属膜13は、下地層12に対する導電膜15および配線パターン4,5の密着性を確保して各々を良好に接着させるように機能する。このため、金属層13は、下地層12と導電膜15および配線パターン4,5との間に各々介在するようにして、少なくとも下地層12と導電膜15および配線パターン4,5とがそれぞれ平面視で重なる領域を含む大きさで設けられている(図2)。   The metal layer 13 is made of a metal material such as TiW (titanium tungsten), and is patterned simultaneously with the conductive film 15 and the wiring patterns 4 and 5. This metal film 13 functions to ensure adhesion between the conductive film 15 and the wiring patterns 4 and 5 with respect to the base layer 12 and to adhere each of them well. Therefore, the metal layer 13 is interposed between the base layer 12 and the conductive film 15 and the wiring patterns 4 and 5 so that at least the base layer 12, the conductive film 15 and the wiring patterns 4 and 5 are planar. It is provided in a size including a region overlapping in view (FIG. 2).

また、各金属層13の端部13eは、貫通孔7の第1面2A側の開口7Aから突出し、下地層12の端部12eと同じ位置にまで延設されている。   Further, the end portion 13 e of each metal layer 13 protrudes from the opening 7 A on the first surface 2 A side of the through hole 7 and extends to the same position as the end portion 12 e of the base layer 12.

導電膜15および配線パターン4、5は、例えばAu、TiW、Cu、Cr、Ni、Ti、W、NiV、Al、Pd、鉛フリーハンダなどの展延性を有する金属膜の単層あるいは複数種を積層したものからなる。特に導電膜15は、後述する液晶表示装置100側の端子202に接続することで下地樹脂9とともに弾性変形することから、特に展延性に優れたAuを用いるのが好ましい。   The conductive film 15 and the wiring patterns 4 and 5 are made of a single layer or a plurality of types of metal films having malleability such as Au, TiW, Cu, Cr, Ni, Ti, W, NiV, Al, Pd, and lead-free solder. It consists of laminated ones. In particular, since the conductive film 15 is elastically deformed together with the base resin 9 by being connected to a terminal 202 on the liquid crystal display device 100 side, which will be described later, it is preferable to use Au particularly excellent in spreadability.

下地樹脂9は、貫通孔7内を埋め込むようにしてその中央に配置され、ポリイミド樹脂やアクリル樹脂、フェノール樹脂、シリコーン樹脂、シリコーン変性ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂などの感光性絶縁樹脂や熱硬化性絶縁樹脂などで形成されている。下地樹脂9の材質(硬度)や形状については、バンプ電極11の形状などによって適宜選択、設計される。貫通孔7内における金属層13同士の間にはこの下地樹脂9が介在している。   The base resin 9 is disposed in the center so as to be embedded in the through hole 7, and is made of a photosensitive insulating resin such as polyimide resin, acrylic resin, phenol resin, silicone resin, silicone-modified polyimide resin, epoxy resin, or thermosetting insulation. It is made of resin. The material (hardness) and shape of the base resin 9 are appropriately selected and designed according to the shape of the bump electrode 11 and the like. The base resin 9 is interposed between the metal layers 13 in the through hole 7.

配線パターン4および配線パターン5は、基板2の第2面2B側、すなわち接続部3が形成された第1面2Aとは反対側の面に配設されている。これら配線パターン4,5の下層には、各配線4a,5aに対応した複数の配線状の金属層13が形成されている。すなわち本実施形態では、上述したように、配線パターン4,5と下地層12とが平面的に重なる領域、及び上記した導電膜15と下地層12とが平面的に重なる領域を含むようにして設けられた金属層13により、下地層12に対する導電膜15、各配線パターン4、5の密着性がそれぞれ確保されたものとなっている。   The wiring pattern 4 and the wiring pattern 5 are disposed on the second surface 2B side of the substrate 2, that is, on the surface opposite to the first surface 2A on which the connection portion 3 is formed. Under the wiring patterns 4 and 5, a plurality of wiring-like metal layers 13 corresponding to the wirings 4a and 5a are formed. That is, in the present embodiment, as described above, the wiring patterns 4 and 5 and the base layer 12 are provided so as to include a region where the wiring layers 4 and 5 are planarly overlapped and a region where the conductive film 15 and the base layer 12 are planarly overlapped. The metal layer 13 ensures the adhesion of the conductive film 15 and the wiring patterns 4 and 5 to the underlayer 12.

また、これら配線パターン4,5は、基板2上の所定位置において駆動用IC6と電気的に接続されている。配線パターン4,5は、基板2の第2面2B上に設けられた絶縁層17によって部分的に覆われており、開口17aから露出する各配線4a,5aの端部上に駆動用IC6が実装される。この絶縁層17によって配線パターン4,5が保護されている。   The wiring patterns 4 and 5 are electrically connected to the driving IC 6 at predetermined positions on the substrate 2. The wiring patterns 4 and 5 are partially covered with an insulating layer 17 provided on the second surface 2B of the substrate 2, and a driving IC 6 is provided on the end of each wiring 4a and 5a exposed from the opening 17a. Implemented. The wiring patterns 4 and 5 are protected by the insulating layer 17.

配線パターン4は、各配線4aの駆動用IC6と反対側の端部が貫通孔7内の各導電膜15にそれぞれ接続されている。
配線パターン5には、駆動用IC6と反対側の端部にてテスター(不図示)と電気的に接続するためのコネクタ8が接続されている。このコネクタ8は、例えばフレキシブル基板からなるもので、ACFなどを介して基板2に対して機械的に接続されている。
In the wiring pattern 4, the end of each wiring 4 a opposite to the driving IC 6 is connected to each conductive film 15 in the through hole 7.
The wiring pattern 5 is connected to a connector 8 for electrically connecting to a tester (not shown) at the end opposite to the driving IC 6. The connector 8 is made of, for example, a flexible substrate, and is mechanically connected to the substrate 2 via an ACF or the like.

このような構成のもとに、下地樹脂9の表面に設けられた複数の導電膜15が、それぞれ独立して駆動用IC6およびコネクタ8に接続(導通)するものとなっている。
したがって、各導電膜15は、その内側に位置する下地樹脂9とともに、それぞれが独立して本発明に係るバンプ電極11として機能するようになっている。
Under such a configuration, the plurality of conductive films 15 provided on the surface of the base resin 9 are connected (conductive) to the driving IC 6 and the connector 8 independently of each other.
Therefore, each conductive film 15 functions independently as the bump electrode 11 according to the present invention, together with the base resin 9 located inside thereof.

駆動用IC6は、基板2に対してフェースダウン構造で実装されており、その複数の端子のうち、被検査対象物(液晶表示装置100:図5)に対して駆動信号を出力する端子6aは、バンプ電極11に接続する配線パターン4の端部に接続され、テスター等からの信号が入力される端子6bは、配線パターン5の端部に接続されている。なお、駆動用IC6と基板2との間に樹脂を配置して、各端子6a,6bと各配線パターン4,5との接続部分を封止するようにしてもよい。   The driving IC 6 is mounted on the substrate 2 in a face-down structure, and among the plurality of terminals, a terminal 6a that outputs a driving signal to an object to be inspected (the liquid crystal display device 100: FIG. 5) is provided. A terminal 6 b connected to the end of the wiring pattern 4 connected to the bump electrode 11 and receiving a signal from a tester or the like is connected to the end of the wiring pattern 5. Note that a resin may be disposed between the driving IC 6 and the substrate 2 to seal the connection portions between the terminals 6 a and 6 b and the wiring patterns 4 and 5.

基板2の第2面2B上には、配線パターン4の一部、および貫通孔7の開口7Bにおいて露出する下地樹脂9上を覆うようにして補強部材16が設けられている。この補強部材16は、少なくとも貫通孔7の開口7Bよりも大きい面積を有する所定厚さの板状部材からなり、接着材などを介して第2面2B上に貼り付けられている。この補強部材16によって検査用プローブ1の機械的強度が高められている。なお、補強部材16は必要に応じて設ければよく、必須の構成要件ではない。   A reinforcing member 16 is provided on the second surface 2B of the substrate 2 so as to cover a part of the wiring pattern 4 and the base resin 9 exposed at the opening 7B of the through hole 7. The reinforcing member 16 is made of a plate-like member having a predetermined thickness having an area larger than at least the opening 7B of the through hole 7, and is stuck on the second surface 2B with an adhesive or the like. This reinforcing member 16 increases the mechanical strength of the inspection probe 1. The reinforcing member 16 may be provided as necessary, and is not an essential component.

本実施形態の検査用プローブ1では、バンプ電極11の先端が半球状(曲面状)とされており、液晶表示装置100側の端子202と接続する際にバンプ電極11が変形することで液晶表示装置側の端子との電気的な接続が良好に行われる。また、本実施形態では、導電膜15間で露出する下地樹脂9の表面よりも各導電膜15の表面の方が突出しており、液晶表示装置100側の端子202との接続を確実に行える構成となっている。   In the inspection probe 1 of this embodiment, the tip of the bump electrode 11 has a hemispherical shape (curved surface), and the bump electrode 11 is deformed when connected to the terminal 202 on the liquid crystal display device 100 side, thereby causing a liquid crystal display. The electrical connection with the terminal on the apparatus side is performed well. Further, in the present embodiment, the surface of each conductive film 15 protrudes from the surface of the base resin 9 exposed between the conductive films 15, and the connection with the terminal 202 on the liquid crystal display device 100 side can be reliably performed. It has become.

<検査装置>
図3は上述した検査用プローブ1を備えた検査装置70の一例を示す概略図である。
図3において、検査装置70は、検査対象機器である液晶表示装置100を保持するホルダ72と、ホルダ72の位置及び姿勢を調整可能な調整機構71とを備えている。ホルダ72は、液晶表示装置100のうち端子202が設けられた所定領域204以外の領域を保持している。ホルダ72に保持された液晶表示装置100の所定領域204と対向する位置には、検査用プローブ1のうち接続部3が配置されている。また、接続部3と液晶表示装置100を挟んで上方側には弾性体からなる押圧部材73が設けられている。検査装置70においては、液晶表示装置100の各端子202と検査用プローブ1の接続部3における各バンプ電極11とが位置合わせされた状態で、弾性体からなる押圧部材73によって、検査用プローブ1に対して液晶表示装置100が押圧される。これにより、端子202とバンプ電極11とが密着され、電気的な接続が得られる。液晶表示装置100における複数の端子202には、駆動用IC6(図1)によって液晶表示装置100の各端子202部分にCOG実装された場合と同じ駆動信号が供給される状態となる。したがって、この状態における液晶表示をCCD等による画像解析や目視等により判別すれば、画素欠陥等の表示検査を行うことが可能となる。
<Inspection device>
FIG. 3 is a schematic view showing an example of an inspection apparatus 70 provided with the inspection probe 1 described above.
In FIG. 3, the inspection device 70 includes a holder 72 that holds the liquid crystal display device 100 that is an inspection target device, and an adjustment mechanism 71 that can adjust the position and orientation of the holder 72. The holder 72 holds an area other than the predetermined area 204 provided with the terminal 202 in the liquid crystal display device 100. In the position facing the predetermined area 204 of the liquid crystal display device 100 held by the holder 72, the connecting portion 3 of the inspection probe 1 is disposed. A pressing member 73 made of an elastic body is provided on the upper side with the connection portion 3 and the liquid crystal display device 100 interposed therebetween. In the inspection device 70, the inspection probe 1 is pressed by the pressing member 73 made of an elastic body in a state where the terminals 202 of the liquid crystal display device 100 and the bump electrodes 11 in the connection portion 3 of the inspection probe 1 are aligned. The liquid crystal display device 100 is pressed against. Thereby, the terminal 202 and the bump electrode 11 are brought into close contact with each other, and electrical connection is obtained. The plurality of terminals 202 in the liquid crystal display device 100 are supplied with the same drive signal as when the drive IC 6 (FIG. 1) is COG-mounted on each terminal 202 portion of the liquid crystal display device 100. Therefore, if the liquid crystal display in this state is discriminated by image analysis using a CCD or the like, visual inspection, etc., it is possible to perform display inspection for pixel defects and the like.

<電気特性検査方法>
次に、上記検査装置70を用いた液晶表示装置100の電気特性検査方法について述べる。図4(a),(b)は、電気特性検査方法を説明するための側断面図である。
電気特性検査を行うには、まず、図4(a)に示すように検査用プローブ1の接続部3上に、液晶表示装置100の端子(外部回路実装端子)202を対向させてバンプ電極11と端子202との位置合わせを行う。そして、各端子202を接続部3における各バンプ電極11に接触させ、さらにその状態で不図示の押圧手段によって接続部3に端子202を所定圧以上で相対的に押し付ける。
<Electrical property inspection method>
Next, an electrical property inspection method for the liquid crystal display device 100 using the inspection device 70 will be described. 4A and 4B are side sectional views for explaining the electrical property inspection method.
In order to perform the electrical characteristic inspection, first, as shown in FIG. 4A, the terminal (external circuit mounting terminal) 202 of the liquid crystal display device 100 is opposed to the bump electrode 11 on the connection portion 3 of the inspection probe 1. And the terminal 202 are aligned. Then, each terminal 202 is brought into contact with each bump electrode 11 in the connection portion 3, and in this state, the terminal 202 is relatively pressed against the connection portion 3 by a pressing means (not shown) at a predetermined pressure or higher.

すると、図4(b)に示すように、バンプ電極11が液晶表示装置100側の基板に圧迫されて圧縮変形する。ここで、バンプ電極11は、その先端が曲面状とされていることから容易に変形する。また、変形したテーパ形状のバンプ電極11は、端子202に対する接触面積が広がった状態となるので、双方の電気的な接続が確保されて良好な接続が行える。また、下地樹脂9の弾性復元力(反発力)によって、その表面の導電膜15が端子202に対して高い強度で接続されることになる。このような状態で検査を行う。   Then, as shown in FIG. 4B, the bump electrode 11 is compressed by being pressed by the substrate on the liquid crystal display device 100 side. Here, the bump electrode 11 is easily deformed because its tip is curved. Further, since the deformed taper-shaped bump electrode 11 is in a state where the contact area with the terminal 202 is widened, electrical connection between the two is ensured and good connection can be made. Further, the conductive film 15 on the surface is connected to the terminal 202 with high strength by the elastic restoring force (repulsive force) of the base resin 9. Inspection is performed in such a state.

(液晶表示装置)
次に、本発明の検査用プローブ1によって検査される液晶表示装置の一例について説明する。図5(a)は、液晶表示装置の概略構成を示す平面図であり、図5(b)は、(a)のH−H’線に沿う断面図である。
液晶表示装置100は、図5(a)及び(b)に示すように、画素スイッチング素子として薄膜トランジスタ(Thin Film Transistor, 以下、TFTと記す)が備えられたTFTアレイ基板30と、対向基板40とがシール材52によって貼り合わされ、このシール材52の内側に液晶層50が封入されたものである。シール材52の形成領域の内側には、遮光性材料からなる遮光膜(周辺見切り)53が形成されている。シール材52の外側の周辺回路領域には、データ線駆動回路201がTFTアレイ基板30の一辺に沿って形成されており、この一辺に隣接する2辺に沿って走査線駆動回路104が形成されている。
(Liquid crystal display device)
Next, an example of a liquid crystal display device inspected by the inspection probe 1 of the present invention will be described. FIG. 5A is a plan view illustrating a schematic configuration of the liquid crystal display device, and FIG. 5B is a cross-sectional view taken along the line HH ′ in FIG.
As shown in FIGS. 5A and 5B, the liquid crystal display device 100 includes a TFT array substrate 30 provided with a thin film transistor (hereinafter referred to as TFT) as a pixel switching element, a counter substrate 40, Are bonded together by a sealing material 52, and the liquid crystal layer 50 is sealed inside the sealing material 52. A light-shielding film (peripheral parting) 53 made of a light-shielding material is formed inside the formation region of the sealing material 52. A data line driving circuit 201 is formed along one side of the TFT array substrate 30 in the peripheral circuit region outside the sealing material 52, and a scanning line driving circuit 104 is formed along two sides adjacent to the one side. ing.

TFTアレイ基板30の残る一辺には、表示領域の両側に設けられた2つの走査線駆動回路104を相互に接続するための複数の配線105が設けられている。対向基板40の角部においては、TFTアレイ基板30と対向基板40との間で電気的導通をとるための基板間導通材106が配設されている。   On the remaining side of the TFT array substrate 30, a plurality of wirings 105 are provided for connecting the two scanning line driving circuits 104 provided on both sides of the display area to each other. In the corner portion of the counter substrate 40, an inter-substrate conductive material 106 for providing electrical continuity between the TFT array substrate 30 and the counter substrate 40 is disposed.

TFTアレイ基板10上のデータ線駆動回路201の外側に、多数の外部回路実装端子202が一列に配置されている。図5(b)に示すように、TFTアレイ基板30の外形は対向基板40の外形よりも大きく、TFTアレイ基板10の縁部の外部回路実装端子202が設けられた領域は、対向基板40の縁部から外側にはみ出すように配置されている。   A large number of external circuit mounting terminals 202 are arranged in a row outside the data line driving circuit 201 on the TFT array substrate 10. As shown in FIG. 5B, the outer shape of the TFT array substrate 30 is larger than the outer shape of the counter substrate 40, and the region where the external circuit mounting terminal 202 is provided at the edge of the TFT array substrate 10 is the area of the counter substrate 40. It arrange | positions so that it may protrude outside from an edge.

このような構成からなる液晶表示装置100は、例えばTFTアレイ基板30と対向基板40とがシール材52を介して貼り合わされ、空の液晶セルが作製された後、真空注入法によって液晶セル内に液晶が注入される。その後、液晶注入口が封止材で封止されることにより、製造される。   In the liquid crystal display device 100 having such a configuration, for example, after the TFT array substrate 30 and the counter substrate 40 are bonded to each other through a sealing material 52 to form an empty liquid crystal cell, the liquid crystal display device 100 is formed in the liquid crystal cell by vacuum injection. Liquid crystal is injected. Then, it manufactures by sealing a liquid-crystal inlet with a sealing material.

そして、完成した液晶表示装置100に対して、その電気特性が規定を満足しているか否かを調べるために上述したような電気特性検査が行われる。   Then, the electrical property inspection as described above is performed on the completed liquid crystal display device 100 in order to examine whether the electrical property satisfies the regulation.

本実施形態の液晶表示装置100の検査用プローブ1およびこれを備えた検査装置70は、図4(b)に示したように、変形したバンプ電極11が端子202に対して接触面積が広がった状態となるので、双方の電気的な接続が確保されて良好な接続が行える。また、下地樹脂9の弾性復元力(反発力)により、その表面の導電膜15が端子202に対して高い強度で接続されることになる。これにより、接続部分における耐久性や接続信頼性を向上させることができるので、電気的特性検査そのものの信頼性が向上する。   As shown in FIG. 4B, the inspection probe 1 of the liquid crystal display device 100 of the present embodiment and the inspection device 70 including the inspection probe 1 have a contact area of the deformed bump electrode 11 with respect to the terminal 202 increased. Thus, the electrical connection between the two is ensured and a good connection can be made. Further, the conductive film 15 on the surface is connected to the terminal 202 with high strength by the elastic restoring force (repulsive force) of the base resin 9. Thereby, since durability and connection reliability in the connection portion can be improved, the reliability of the electrical characteristic inspection itself is improved.

また、本実施形態におけるバンプ電極11は、貫通孔7内に配置された下地樹脂9と下地樹脂9の表面を部分的に覆う導電膜15とによって構成されているため、液晶表示装置100との接続時にかかる負荷を下地樹脂9全体の変形によって好適に吸収することができるとともに、従来、基板面上に配置される樹脂突起とその表面を覆う導電膜とからなるバンプ電極よりも、接続時における変形が十分なものとなるのでコンタクト性を向上させることができる。   In addition, the bump electrode 11 in the present embodiment is configured by the base resin 9 disposed in the through hole 7 and the conductive film 15 that partially covers the surface of the base resin 9. The load applied at the time of connection can be suitably absorbed by the deformation of the entire base resin 9, and conventionally, the bump electrode made of the resin protrusion disposed on the substrate surface and the conductive film covering the surface thereof is more suitable at the time of connection. Since the deformation becomes sufficient, the contact property can be improved.

また、本実施形態における検査用プローブ1は、ハンダなど低融点金属を用いた接続において問題とされていた、ハンダのはみ出しによる基板2とのショートや端子間のショートも回避できるようになる。これにより、接続時における不具合が解消されて、信頼性の高い検査結果が得られる。   In addition, the inspection probe 1 according to the present embodiment can avoid a short circuit with the substrate 2 and a short circuit between terminals, which are problems in connection using a low melting point metal such as solder. Thereby, the malfunction at the time of a connection is eliminated and a highly reliable test result is obtained.

さらに、本実施形態では、一つの貫通孔7(開口7A)内に複数のバンプ電極11を配列形成することができるので、およそ20μm以下のさらなる狭ピッチ化が可能となる。これによって装置全体の大幅な小型化が見込めるようになる。   Furthermore, in this embodiment, since a plurality of bump electrodes 11 can be arranged in one through hole 7 (opening 7A), a further narrow pitch of about 20 μm or less can be achieved. As a result, the overall apparatus can be significantly reduced in size.

なお、本実施形態では、貫通孔7の開口7Aから突出する下地層12によって、変形したバンプ電極11と基板2との電気的なショートが回避されるようになっている。   In the present embodiment, an electrical short circuit between the deformed bump electrode 11 and the substrate 2 is avoided by the base layer 12 protruding from the opening 7A of the through hole 7.

<検査用プローブの製造方法>
次に、本実施形態の検査用プローブ1の製造方法について述べる。図6は、検査用プローブの製造工程のフローを示す図であって、図7および図8は、検査用プローブの製造工程を示す断面図である。ここで、本実施形態においては、検査用プローブ1を形成するに際して、W−CSP(Wafer level Chip Scale Package)技術を用いることで、シリコンウェハ300上に複数の検査用プローブ1を同時に一括して形成し、再配置配線を形成した後に、検査用プローブ1に個片化する製造方法について説明する。
<Inspection probe manufacturing method>
Next, a method for manufacturing the inspection probe 1 of this embodiment will be described. FIG. 6 is a flowchart showing the manufacturing process of the inspection probe, and FIGS. 7 and 8 are cross-sectional views showing the manufacturing process of the inspection probe. Here, in this embodiment, when the inspection probe 1 is formed, a plurality of inspection probes 1 are simultaneously collected on the silicon wafer 300 by using a W-CSP (Wafer level Chip Scale Package) technique. A manufacturing method for forming and rearranging the rearrangement wiring and then separating the test probe 1 will be described.

なお、検査用プローブ1を製造する途中工程を示す図7および図8においては、図を簡略化し、シリコンウェハ300上に形成した1つの検査用プローブ1を示している。なお、以下の製造工程の説明に用いるシリコンウェハ300と検査用プローブ1とは同じものとする。   7 and 8 showing the intermediate steps of manufacturing the inspection probe 1, the drawings are simplified and one inspection probe 1 formed on the silicon wafer 300 is shown. Note that the silicon wafer 300 and the inspection probe 1 used in the following description of the manufacturing process are the same.

まず、図7(a)に示すように、基板2の第2面2B側からビア7bを形成する(S1)。本実施形態では、板厚が625μmのシリコン基材の所定の位置に、直径50μm、深さ100μmのビア7bをドライエッチングにより形成した。この際、ビア7bの底面が曲面となるように調整した。また、エッチングには、フォトレジストマスクや、ハードマスクとしてSiO2膜を用いても良く、フォトレジストマスク及びハードマスクを併用しても良い。また、エッチング方法としてはドライエッチングに限らず、ウェットエッチング、レーザ加工、あるいはこれらを併用しても良い。   First, as shown in FIG. 7A, vias 7b are formed from the second surface 2B side of the substrate 2 (S1). In the present embodiment, vias 7b having a diameter of 50 μm and a depth of 100 μm are formed by dry etching at predetermined positions on a silicon substrate having a plate thickness of 625 μm. At this time, the bottom surface of the via 7b was adjusted to be a curved surface. Further, for etching, a SiO 2 film may be used as a photoresist mask or a hard mask, or a photoresist mask and a hard mask may be used in combination. Further, the etching method is not limited to dry etching, and wet etching, laser processing, or a combination thereof may be used.

次に、基板2の第2面2Bおよびビア7bの内面を覆う下地層12を形成する(S2)。ここでは、CVD法を用いてSiO2膜を3000Å以上の膜厚となるように成膜する。なお、本実施形態ではSiO2を用いたが、PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition)を用いて形成した正珪酸四エチル(Tetra Ethyl Ortho Silicate:Si(OC2H5)4:以下、TEOSという)、すなわちPE−TEOS、及びオゾンCVDを用いて形成したTEOS(O3−TEOS)を用いることもできる。   Next, the base layer 12 that covers the second surface 2B of the substrate 2 and the inner surface of the via 7b is formed (S2). Here, the SiO2 film is formed to a thickness of 3000 mm or more by using the CVD method. In this embodiment, SiO2 is used, but tetraethyl silicate (Si (OC2H5) 4: hereinafter referred to as TEOS) formed by PECVD (Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition), that is, PE- TEOS and TEOS (O3-TEOS) formed using ozone CVD can also be used.

次に、図7(b)に示すように、下地層12上にTiW膜13Aを形成する(S3)。ここでは、基板2の第2面2Bおよび貫通孔7内に、スパッタ法を用いてTiW膜13Aを1000Åの膜厚で成膜する。
続けて、金属層13上にAu膜15Aを形成する(S4)。ここでは、基板2の第2面2Bおよび貫通孔7内に、スパッタ法を用いてAu膜15Aを5000Åの膜厚で成膜する。
Next, as shown in FIG. 7B, a TiW film 13A is formed on the underlayer 12 (S3). Here, a TiW film 13A having a thickness of 1000 mm is formed in the second surface 2B of the substrate 2 and the through hole 7 by using a sputtering method.
Subsequently, an Au film 15A is formed on the metal layer 13 (S4). Here, an Au film 15A having a thickness of 5000 mm is formed in the second surface 2B of the substrate 2 and the through hole 7 by sputtering.

その後、図7(c)に示すように、周知のフォトリソグラフィおよびエッチング法によりAu膜15AとTiW膜13Aとを同時にパターニングする(S5)。これにより、貫通孔7内を部分的に覆う帯状の複数の導電膜15と、第2面2B上に複数の導電膜15と電気的に接続する配線パターン4と、コネクタと電気的に接続される配線パターン5と、が形成される。また同時に、導電膜15および配線パターン4,5の下層にはこれらと同じ形状の金属層13が複数、パターン形成される。これら金属層13によって、下地層12と導電膜15または配線パターン4,5の密着性が確保されたものとなっている。なお、必要であれば、Auめっきなどで抵抗値を下げる手立てをしても良い。また、後の工程において貫通孔7内に充填される樹脂材料との密着性を確保するためにさらに別の金属層を形成してもよい。   Thereafter, as shown in FIG. 7C, the Au film 15A and the TiW film 13A are simultaneously patterned by known photolithography and etching methods (S5). Thus, the plurality of strip-like conductive films 15 partially covering the inside of the through-hole 7, the wiring pattern 4 electrically connected to the plurality of conductive films 15 on the second surface 2B, and the connector are electrically connected. Wiring pattern 5 is formed. At the same time, a plurality of metal layers 13 having the same shape as those of the conductive film 15 and the wiring patterns 4 and 5 are patterned. These metal layers 13 ensure the adhesion between the underlying layer 12 and the conductive film 15 or the wiring patterns 4 and 5. If necessary, the resistance value may be lowered by Au plating or the like. Further, another metal layer may be formed in order to ensure adhesion with the resin material filled in the through hole 7 in a later step.

次に、図7(d)に示すように、貫通孔7の内部に樹脂材料を充填し、下地樹脂9を形成する(S6)。ここでは、ポリイミドを用いた。本実施形態では、貫通孔7の底面が曲面状になっているので気泡などを樹脂内に混入させることなく充填できる。   Next, as shown in FIG. 7D, the resin material is filled into the through holes 7 to form the base resin 9 (S6). Here, polyimide was used. In the present embodiment, since the bottom surface of the through-hole 7 has a curved surface, it can be filled without causing bubbles or the like to enter the resin.

次に、図7(e)に示すように、基板2の第2面2B上に配線パターン4,5よりも厚い絶縁層17を形成する(S7)。ここでは、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂などの感光性樹脂を第2面2B上に塗布し、露光、現像することで、感光性樹脂層に配線パターン4,5の対向する双方の端部を露出させる開口17aを形成する。また、ドライエッチングなどを用いて開口17aを形成しても良い。このようにして、第2面2B上に絶縁層17を形成する。   Next, as shown in FIG. 7E, an insulating layer 17 thicker than the wiring patterns 4 and 5 is formed on the second surface 2B of the substrate 2 (S7). Here, a photosensitive resin such as an epoxy resin or a polyimide resin is applied on the second surface 2B, exposed, and developed to expose both ends of the wiring patterns 4 and 5 facing the photosensitive resin layer. Opening 17a is formed. Further, the opening 17a may be formed by using dry etching or the like. In this way, the insulating layer 17 is formed on the second surface 2B.

次に、図8(f)に示すように、基板2の第2面2B側を、接着剤121を介して設けたガラス基板などからなる支持部材120によって支持する。そして、支持部材120に基板2を貼り付けた状態で、基板2の第2面2B側から、例えばCMP(化学的機械的研磨)を行うことにより、基板2を所定の厚さになるまで研磨し、基板2の厚みを薄くするする(S8)。具体的には、下地層12が露出する直前まで加工する。支持部材120によって補強しておくことにより、基板2の反りを矯正し、且つ加工またはハンドリング時に発生するクラックを防止することができる。   Next, as shown in FIG. 8F, the second surface 2 </ b> B side of the substrate 2 is supported by a support member 120 made of a glass substrate or the like provided with an adhesive 121. Then, the substrate 2 is polished to a predetermined thickness by performing, for example, CMP (Chemical Mechanical Polishing) from the second surface 2B side of the substrate 2 with the substrate 2 attached to the support member 120. Then, the thickness of the substrate 2 is reduced (S8). Specifically, processing is performed until just before the foundation layer 12 is exposed. By reinforcing the support member 120, it is possible to correct the warp of the substrate 2 and to prevent cracks generated during processing or handling.

次に、ドライエッチングあるいはウェットエッチングなどにより、基板2を選択的に薄くすることでビア7bを貫通させて、第2面2B側から下地層12を所定の突出量で突出させる(S9)。エッチングには、シリコンに対する下地層12のエッチング速度が十分遅いものを使用することが望ましい。ドライエッチングの場合には誘導結合プラズマエッチング(Inductive-Coupling Plasma:ICP)などが利用でき、ウェットエッチングの場合には、エッチャントとしてHF、HNO3やそれらの混合液およびKOHなどを使用することによって下地層12の突出が可能となる。下地層12の突出量L1としては、ポスト長さLの2%〜20%程度とすることが好ましい。なお、この工程により、基板2の厚さ方向を貫通する貫通孔7が形成される。   Next, the substrate 2 is selectively thinned by dry etching or wet etching to penetrate the via 7b, and the base layer 12 protrudes from the second surface 2B side by a predetermined protrusion amount (S9). For the etching, it is desirable to use a material having a sufficiently low etching rate of the underlayer 12 with respect to silicon. In the case of dry etching, inductive coupling plasma etching (ICP) or the like can be used. In the case of wet etching, HF, HNO3, a mixture thereof, KOH, or the like is used as an etchant. 12 protrusions are possible. The protrusion amount L1 of the underlayer 12 is preferably about 2% to 20% of the post length L. In this step, a through hole 7 that penetrates the thickness direction of the substrate 2 is formed.

次に、図8(g)に示すように、下地層12の露出部分を除去して下層の金属層13を露出させる(S10)。下地層12の除去には、ドライエッチングあるいはウェットエッチングなどを用いて行う。ドライエッチングの場合には、リアクティブイオンエッチング(RIE)が利用でき、その場合のガスとしてはCF4、O2などを使用する。ウェットエッチングの場合、TiW層を侵さずに下地層12を除去できるエッチャントを選定する必要がある。下地層12がSiO2の場合には、希フッ酸を使用する。   Next, as shown in FIG. 8G, the exposed portion of the base layer 12 is removed to expose the underlying metal layer 13 (S10). The underlayer 12 is removed using dry etching or wet etching. In the case of dry etching, reactive ion etching (RIE) can be used, and CF4, O2 or the like is used as a gas in that case. In the case of wet etching, it is necessary to select an etchant that can remove the underlying layer 12 without damaging the TiW layer. When the underlayer 12 is SiO2, dilute hydrofluoric acid is used.

また、前工程において下地層12をシリコン基材から突出させる際、ウェットエッチングによって金属層13が露出するまで下地層12を除去してもよい。この場合、一つの工程で、下地層12の除去および金属層13の露出を行うことが可能である。   Further, when the base layer 12 is protruded from the silicon substrate in the previous step, the base layer 12 may be removed until the metal layer 13 is exposed by wet etching. In this case, it is possible to remove the underlayer 12 and expose the metal layer 13 in one step.

次に、図8(h)に示すように、再度シリコンエッチングを行って基板2を選択的に薄くすることにより、下地層12の端部12eを所定量突出させる(S11)。ドライエッチングの場合には、ICP、RIEを用いて行う。この際、下地層12の突出量L2としては、ポスト長さLの2%〜20%程度とした。   Next, as shown in FIG. 8H, silicon etching is performed again to selectively thin the substrate 2, thereby protruding the end 12e of the base layer 12 by a predetermined amount (S11). In the case of dry etching, ICP and RIE are used. At this time, the protrusion amount L2 of the underlayer 12 was set to about 2% to 20% of the post length L.

次に、図8(i)に示すように、金属層13を除去して導電膜15を露出させる(S12)。金属層13がTiWからなることからウェットエッチングを用いて除去し、導電膜15を露出させる。Auは酸化膜が形成されないため、使用時(液晶表示装置に接続する)まで露出させた状態であっても、液晶表示装置100側の端子202との接続信頼性を確保できる。これにより、基板2の第2面2Bに突出する複数のバンプ電極11(接続部3)が形成される。   Next, as shown in FIG. 8I, the metal layer 13 is removed to expose the conductive film 15 (S12). Since the metal layer 13 is made of TiW, it is removed by wet etching to expose the conductive film 15. Since Au is not formed with an oxide film, the connection reliability with the terminal 202 on the liquid crystal display device 100 side can be ensured even when it is exposed until it is used (connected to the liquid crystal display device). As a result, a plurality of bump electrodes 11 (connecting portions 3) protruding on the second surface 2B of the substrate 2 are formed.

次に、図8(j)に示すように、基板2を支持している支持部材120を剥離した後、基板2の第1面2A上に駆動用IC6を実装する。本実施形態では、駆動用IC6を第1面2Aに対してフリップチップボンディングし、その複数の端子のうち、液晶表示装置100に対して駆動用信号を出力する端子6aをバンプ電極11に接続する配線パターン4の端部に接続させ、テスターなどからの信号が入力される端子6bを配線パターン5の端部に接続させる。ここで、各配線パターン4,5と端子6a,6bとの接続部分を保持するためにこれらを樹脂29によってモールドしておく。
なお、駆動用IC6の実装については、ワイヤボンディング構造を採用してもよいが、装置全体の薄型化を図るためには上記したフリップチップボンディング構造を採用する方が好ましい。
Next, as shown in FIG. 8 (j), after the support member 120 supporting the substrate 2 is peeled off, the driving IC 6 is mounted on the first surface 2 </ b> A of the substrate 2. In the present embodiment, the driving IC 6 is flip-chip bonded to the first surface 2 </ b> A, and a terminal 6 a that outputs a driving signal to the liquid crystal display device 100 among the plurality of terminals is connected to the bump electrode 11. A terminal 6 b to which a signal from a tester or the like is input is connected to the end of the wiring pattern 5. Here, in order to hold the connection portions between the wiring patterns 4 and 5 and the terminals 6a and 6b, these are molded with a resin 29.
The mounting of the driving IC 6 may employ a wire bonding structure, but it is preferable to employ the above-described flip chip bonding structure in order to reduce the thickness of the entire apparatus.

次に、その後、ダイシングラインDに沿ってシリコンウェハ300を切断することで、複数の検査用プローブ1に個片化する。
このようにして、本実施形態の検査用プローブ1が得られる。
Next, the silicon wafer 300 is cut along the dicing line D to be separated into a plurality of inspection probes 1.
In this way, the inspection probe 1 of the present embodiment is obtained.

本実施形態の検査用プローブ1の製造方法では、貫通孔7の直上(延長上に)にバンプ電極11を形成することから、バンプ電極11の形成と同時に基板2の表裏導通が得られるため製造工程数を削減でき、コストを抑えることができる。   In the manufacturing method of the inspection probe 1 of the present embodiment, the bump electrode 11 is formed immediately above (through the extension) of the through hole 7, so that the front-back conduction of the substrate 2 can be obtained simultaneously with the formation of the bump electrode 11. The number of processes can be reduced and the cost can be reduced.

(第2実施形態)
次に、本発明の検査用プローブの第2実施形態について図9を用いて説明する。図9(a)は、第2実施形態の検査用プローブの概略構成を示す断面図、(b)は、(a)の要部を拡大して示す斜視図である。以下に示す本実施形態の検査用プローブの基本的な構造は、先の第1実施形態と略同様であるが、バンプ電極11と駆動用IC6とが貫通電極を介して接続されている点において異なる。よって、以下の説明では、先の実施形態と異なる構成について詳しく説明し、共通な箇所の説明は省略する。また、説明に用いる各図面において、図1および図2と共通の構成要素には同一の符号を付すものとする。
(Second Embodiment)
Next, a second embodiment of the inspection probe of the present invention will be described with reference to FIG. FIG. 9A is a cross-sectional view showing a schematic configuration of the inspection probe according to the second embodiment, and FIG. 9B is an enlarged perspective view showing the main part of FIG. The basic structure of the inspection probe of the present embodiment shown below is substantially the same as that of the first embodiment, except that the bump electrode 11 and the driving IC 6 are connected via a through electrode. Different. Therefore, in the following description, a configuration different from the previous embodiment will be described in detail, and description of common parts will be omitted. In each drawing used for the description, the same reference numerals are given to the same components as those in FIGS.

本実施形態の検査用プローブ20は、図9(a)に示すように、基板2の第1面2A側に、接続部3と、駆動用IC6と、配線パターン24,25と、が設けられている。さらに、本実施形態の検査用プローブ20には、基板2の略中央であって接続部3と駆動用IC6との間に、バンプ電極11の各々に対応する複数の貫通電極21を有した電極部22が設けられている。そして、複数のバンプ電極11と駆動用IC6とが配線パターン24及び複数の貫通電極21を介して接続された構成となっている。   As shown in FIG. 9A, the inspection probe 20 of the present embodiment is provided with a connection portion 3, a driving IC 6, and wiring patterns 24 and 25 on the first surface 2 </ b> A side of the substrate 2. ing. Furthermore, the inspection probe 20 of the present embodiment includes an electrode having a plurality of through electrodes 21 corresponding to each of the bump electrodes 11 between the connection portion 3 and the driving IC 6 at the approximate center of the substrate 2. A portion 22 is provided. The plurality of bump electrodes 11 and the driving IC 6 are connected via the wiring pattern 24 and the plurality of through electrodes 21.

貫通電極21は、基板2の第1面2Aおよび第2面2Bを貫通する貫通孔23を利用して形成されている。貫通孔23は貫通孔7と平行に設けられており、貫通孔7の内面がテーパ形状とされているのに対して、貫通孔23の内面はストレート形状とされている。貫通孔23の内側には、内面23a側から下地層12b、金属層13b、導電膜15bが順に設けられており、それぞれが第2面2B上の部分12c,13c,10cを介して、接続部3側の下地層12a、金属層13a、導電膜15aの各々と一体に形成されている。   The through electrode 21 is formed by using a through hole 23 that penetrates the first surface 2A and the second surface 2B of the substrate 2. The through hole 23 is provided in parallel with the through hole 7. The inner surface of the through hole 7 is tapered, whereas the inner surface of the through hole 23 is straight. Inside the through-hole 23, an underlayer 12b, a metal layer 13b, and a conductive film 15b are provided in this order from the inner surface 23a side, and each of them is connected via a portion 12c, 13c, 10c on the second surface 2B. It is formed integrally with each of the base layer 12a, the metal layer 13a, and the conductive film 15a on the third side.

貫通孔23の中央には、貫通電極21のコアとなる樹脂26が埋め込まれている。この樹脂材料には、バンプ電極11側の下地樹脂9と同じ樹脂材料が用いられる。そして、貫通孔23の開口23A側の導電膜15bの一部に、配線24aの駆動用IC6側の端部24bとは反対側の端部24aが接続されている。なお、各貫通電極21は、基板2から突出する下地層12bによって基板2と導通しないようになっている。   A resin 26 serving as a core of the through electrode 21 is embedded in the center of the through hole 23. As this resin material, the same resin material as the base resin 9 on the bump electrode 11 side is used. An end 24a opposite to the end 24b on the driving IC 6 side of the wiring 24a is connected to a part of the conductive film 15b on the opening 23A side of the through hole 23. Each through electrode 21 is not electrically connected to the substrate 2 by the base layer 12 b protruding from the substrate 2.

貫通電極21は、その一端側が、基板2の第1面2A上の配線パターン24を介して駆動用IC6と接続されており、また、その他端側が基板2の第2面2B上に引き廻された配線(図9(b)中の符号15c)を介して第1面2A側のバンプ電極11(導電膜15)と接続されている。これら貫通電極21によって、接続部3における複数の導電膜15aが、それぞれ独立して駆動用IC6に接続(導通)するものとなっている。そして、このような構成のもと、接続部3における複数の導電膜15各々が内部の下地樹脂9とともに本発明に係るバンプ電極11として機能するようになっている。   One end side of the through electrode 21 is connected to the driving IC 6 via the wiring pattern 24 on the first surface 2A of the substrate 2, and the other end side is routed on the second surface 2B of the substrate 2. Further, it is connected to the bump electrode 11 (conductive film 15) on the first surface 2A side via the wiring (reference numeral 15c in FIG. 9B). With the through electrodes 21, the plurality of conductive films 15 a in the connection portion 3 are independently connected (conductive) to the driving IC 6. With such a configuration, each of the plurality of conductive films 15 in the connection portion 3 functions as the bump electrode 11 according to the present invention together with the internal base resin 9.

基板2の第2面2B上には、配線パターン24と同工程で形成された配線パターン25が配設されており、この配線パターン25も駆動用IC6と電気的に接続されている。
さらに、配線パターン25には、駆動用IC6と反対側の端部においてテスター(不図示)と電気的に接続するためのコネクタ(不図示)が接続されている。
On the second surface 2 </ b> B of the substrate 2, a wiring pattern 25 formed in the same process as the wiring pattern 24 is disposed, and this wiring pattern 25 is also electrically connected to the driving IC 6.
Furthermore, a connector (not shown) for electrically connecting to a tester (not shown) is connected to the wiring pattern 25 at the end opposite to the driving IC 6.

基板2の第1面2Aの所定領域には、樹脂などの絶縁材料からなる下地層12dが所定の膜厚で設けられている。下地層12dは、少なくとも配線パターン24,25の形成領域を含んでおり、配線パターン24,25と基板2との絶縁性を確保しているとともに各配線24a,25aを保護している。   In a predetermined region of the first surface 2A of the substrate 2, an underlayer 12d made of an insulating material such as a resin is provided with a predetermined film thickness. The underlayer 12d includes at least the formation regions of the wiring patterns 24 and 25, ensures insulation between the wiring patterns 24 and 25 and the substrate 2, and protects the wirings 24a and 25a.

また、下地層12dと各配線24a,25aとの間には、各配線24a,25aとともにパターン形成された配線状の金属層13dが介在している。これら金属層13dによって下地層12に対する配線24a,25aの密着性が向上したものとなっている。   Further, a wiring-like metal layer 13d patterned together with the wirings 24a and 25a is interposed between the base layer 12d and the wirings 24a and 25a. These metal layers 13d improve the adhesion of the wirings 24a and 25a to the base layer 12.

そして、基板2の第2面2B側には、接着材27を介して補強部材28が設けられている。補強部材28は、貫通孔7,23の開口を含む第2面2Bの略全てを覆う大きさに形成されており、液晶表示装置100側の端子202との接続時に接続部3にかかる負荷によって基板2の破損が生じてしまうのを防止するために設けられる。   A reinforcing member 28 is provided on the second surface 2B side of the substrate 2 with an adhesive 27 interposed therebetween. The reinforcing member 28 is formed in a size that covers substantially all of the second surface 2B including the openings of the through holes 7 and 23, and is caused by a load applied to the connection portion 3 when connected to the terminal 202 on the liquid crystal display device 100 side. It is provided to prevent the substrate 2 from being damaged.

本実施形態の検査用プローブ20によれば、基板2の第1面2A側に、複数のバンプ電極11を有した接続部3と駆動用IC6とが設けられているので、取り扱いが容易になる。また、補強部材28によって基板2の一面側が覆われていることから、検査用プローブ20全体の機械的強度も向上したものとなっている。   According to the inspection probe 20 of the present embodiment, since the connection portion 3 having the plurality of bump electrodes 11 and the driving IC 6 are provided on the first surface 2A side of the substrate 2, handling becomes easy. . Further, since the one surface side of the substrate 2 is covered by the reinforcing member 28, the mechanical strength of the entire inspection probe 20 is also improved.

(第3実施形態)
次に、本発明の検査用プローブの第3実施形態について図10を用いて説明する。図10は、第3実施形態の検査用プローブの概略構成を示す斜視図である。以下に示す本実施形態の検査用プローブは、駆動用IC6がバンプ電極11とは別の基板上に設けられている点において上記第1実施形態と異なる。よって、以下の説明では、第1実施形態と異なる構成について詳しく説明し、共通な箇所の説明は省略する。また、説明に用いる各図面において、図1〜図9と共通の構成要素には同一の符号を付すものとする。
(Third embodiment)
Next, a third embodiment of the inspection probe of the present invention will be described with reference to FIG. FIG. 10 is a perspective view showing a schematic configuration of the inspection probe of the third embodiment. The inspection probe of the present embodiment described below is different from the first embodiment in that the driving IC 6 is provided on a substrate different from the bump electrode 11. Therefore, in the following description, a configuration different from the first embodiment will be described in detail, and description of common parts will be omitted. Moreover, in each drawing used for description, the same code | symbol shall be attached | subjected to the same component as FIGS.

本実施形態の検査用プローブ41は、プローブ部品42と、電子部品43と、これらを接続するフレキシブル基板44と、を有して構成されている。   The inspection probe 41 according to the present embodiment includes a probe component 42, an electronic component 43, and a flexible substrate 44 that connects them.

プローブ部品42は、基板45、接続部3、配線パターン4および補強部材16などを備えており、基板45の大きさが基板2よりも小さいということ以外、その他各構成要素は先の第1実施形態と略共通の構成となっている。   The probe component 42 includes the substrate 45, the connection portion 3, the wiring pattern 4, the reinforcing member 16, and the like, and other components are the same as those in the first embodiment except that the size of the substrate 45 is smaller than that of the substrate 2. The configuration is substantially the same as the form.

電子部品43は、基板46と、基板46の一面上に形成された絶縁層47と、絶縁層47上に整列配置された複数の端子48と、駆動用IC6と、を有している。駆動用IC6は、入力側の複数の端子6bが各端子48と接続され、出力側の複数の端子6aが、基板46上に機械的に接続されたフレキシブル基板44の各配線に接続されている。   The electronic component 43 includes a substrate 46, an insulating layer 47 formed on one surface of the substrate 46, a plurality of terminals 48 aligned on the insulating layer 47, and a driving IC 6. In the driving IC 6, a plurality of terminals 6 b on the input side are connected to the respective terminals 48, and a plurality of terminals 6 a on the output side are connected to each wiring of the flexible substrate 44 mechanically connected on the substrate 46. .

フレキシブル基板44は、電子部品43側とは反対側の端部が、プローブ部品42の基板45上に設けられた配線パターン4の端部と電気的に接続されている。これにより、下地樹脂9を覆っている複数の導電膜15が駆動用IC6と電気的に導通し、各導電膜15とその内側に位置する下地樹脂9とともに、それぞれが独立して本実施形態に係るバンプ電極11として機能するようになっている。   The end portion of the flexible substrate 44 opposite to the electronic component 43 side is electrically connected to the end portion of the wiring pattern 4 provided on the substrate 45 of the probe component 42. As a result, the plurality of conductive films 15 covering the base resin 9 are electrically connected to the driving IC 6, and each of the conductive films 15 and the base resin 9 located inside thereof are independently formed in this embodiment. The bump electrode 11 functions.

本実施形態の構成によれば、プローブ部品42と電子部品43とを別々に製造することが可能となり、製造効率が向上する。   According to the configuration of the present embodiment, the probe component 42 and the electronic component 43 can be manufactured separately, and the manufacturing efficiency is improved.

(第4実施形態)
次に、本発明の検査用プローブの第4実施形態について図11を用いて説明する。図11は、第4実施形態の検査用プローブの概略構成を示す斜視図である。以下に示す本実施形態の検査用プローブは、駆動用IC6がバンプ電極11とは別の基板上に設けられている点において上記第2実施形態と異なる。よって、以下の説明では、第2実施形態と異なる構成について詳しく説明し、共通な箇所の説明は省略する。また、説明に用いる各図面において、図1〜図10と共通の構成要素には同一の符号を付すものとする。
(Fourth embodiment)
Next, a fourth embodiment of the inspection probe of the present invention will be described with reference to FIG. FIG. 11 is a perspective view illustrating a schematic configuration of an inspection probe according to the fourth embodiment. The inspection probe of the present embodiment shown below is different from the second embodiment in that the driving IC 6 is provided on a substrate different from the bump electrode 11. Therefore, in the following description, a configuration different from the second embodiment will be described in detail, and description of common parts will be omitted. Moreover, in each drawing used for description, the same code | symbol shall be attached | subjected to the same component as FIGS. 1-10.

本実施形態の検査用プローブ61は、プローブ部品62と、電子部品43と、これらを接続するフレキシブル基板44と、を有して構成されている。   The inspection probe 61 of the present embodiment includes a probe component 62, an electronic component 43, and a flexible substrate 44 that connects them.

プローブ部品62は、基板65、接続部3、配線パターン24および補強部材16などを備えており、基板65の大きさが基板2よりも小さいということ以外、その他各構成要素は先の第2実施形態と略共通の構成となっている。   The probe component 62 includes the substrate 65, the connection portion 3, the wiring pattern 24, the reinforcing member 16, and the like, and other components are the same as those in the second embodiment except that the size of the substrate 65 is smaller than that of the substrate 2. The configuration is substantially the same as the form.

プローブ部品62と電子部品43とはフレキシブル基板44を介して接続されており、フレキシブル基板44の電子部品43側と反対側の端部が、プローブ部品62の基板65上に設けられている配線パターン24の端部と電気的に接続されている。これにより、下地樹脂9を覆っている複数の導電膜15が対応する複数の貫通電極21を介して駆動用IC6と導通し、各導電膜15とその内側に位置する下地樹脂9とともに、それぞれが独立して本実施形態に係るバンプ電極11として機能するようになっている。   The probe component 62 and the electronic component 43 are connected via a flexible substrate 44, and the end of the flexible substrate 44 opposite to the electronic component 43 side is provided on the substrate 65 of the probe component 62. It is electrically connected to the end of 24. Thereby, the plurality of conductive films 15 covering the base resin 9 are electrically connected to the driving IC 6 through the corresponding plurality of through electrodes 21, and each of the conductive films 15 and the base resin 9 located inside thereof are It functions independently as the bump electrode 11 according to the present embodiment.

本実施形態の構成においても、プローブ部品62と電子部品43とを別々に製造することが可能となるため、製造効率が向上する。   Also in the configuration of the present embodiment, the probe component 62 and the electronic component 43 can be manufactured separately, so that the manufacturing efficiency is improved.

以上、添付図面を参照しながら本発明に係る好適な実施形態について説明したが、本発明は係る例に限定されないことは言うまでもなく、上記各実施形態を組み合わせても良い。当業者であれば、特許請求の範囲に記載された技術的思想の範疇内において、各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり、それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。   The preferred embodiments according to the present invention have been described above with reference to the accompanying drawings. However, it goes without saying that the present invention is not limited to such examples, and the above embodiments may be combined. It is obvious for those skilled in the art that various changes or modifications can be conceived within the scope of the technical idea described in the claims. It is understood that it belongs to.

検査用プローブの第1の実施形態を示す斜視図である。It is a perspective view which shows 1st Embodiment of the probe for a test | inspection. 検査用プローブの断面図である。It is sectional drawing of the probe for a test | inspection. 検査装置の一実施形態を示す模式図である。It is a mimetic diagram showing one embodiment of an inspection device. 検査用プローブを用いた電気特性検査方法を説明するための図である。It is a figure for demonstrating the electrical property inspection method using the probe for a test | inspection. 液晶表示装置の概略構成を示す図である。It is a figure which shows schematic structure of a liquid crystal display device. 検査用プローブの製造工程のフローチャートを示す図である。It is a figure which shows the flowchart of the manufacturing process of the probe for a test | inspection. 検査用プローブの製造工程の一例を説明するための図である。It is a figure for demonstrating an example of the manufacturing process of the probe for a test | inspection. 検査用プローブの製造工程の一例を説明するための図である。It is a figure for demonstrating an example of the manufacturing process of the probe for a test | inspection. 検査用プローブの第2の実施形態を示す概略構成図である。It is a schematic block diagram which shows 2nd Embodiment of the probe for a test | inspection. 検査用プローブの第3の実施形態を示す概略構成図である。It is a schematic block diagram which shows 3rd Embodiment of the probe for a test | inspection. 検査用プローブの第4の実施形態を示す概略構成図である。It is a schematic block diagram which shows 4th Embodiment of the probe for a test | inspection.

符号の説明Explanation of symbols

1…検査用プローブ、2…基板、2A…第1面、2B…第2面、3…接続部、11…バンプ電極(コンタクト端子)、4…配線パターン、5…配線パターン、7…貫通孔、7b…ビア、9…下地樹脂、15…導電膜、6…駆動用IC(検査用電子部品)、17…絶縁層、100…液晶表示装置(検査対象機器)、206…走査線端子、70…検査装置 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Inspection probe, 2 ... Board | substrate, 2A ... 1st surface, 2B ... 2nd surface, 3 ... Connection part, 11 ... Bump electrode (contact terminal), 4 ... Wiring pattern, 5 ... Wiring pattern, 7 ... Through-hole , 7b ... via, 9 ... underlying resin, 15 ... conductive film, 6 ... driving IC (electronic component for inspection), 17 ... insulating layer, 100 ... liquid crystal display device (device to be inspected), 206 ... scanning line terminal, 70 ... Inspection equipment

Claims (19)

基板と、前記基板に設けられ電気光学装置と電気的に接続される接続部と、を有してなる電気光学装置の検査用プローブであって、
前記接続部が、前記基板の貫通孔内に配置された下地樹脂と、前記基板の第1面から突出した前記下地樹脂を部分的に覆う複数の導電膜とからなる複数のコンタクト端子を有している
ことを特徴とする電気光学装置の検査用プローブ。
An inspection probe for an electro-optical device, comprising: a substrate; and a connection portion provided on the substrate and electrically connected to the electro-optical device,
The connection portion has a plurality of contact terminals including a base resin disposed in the through hole of the substrate and a plurality of conductive films partially covering the base resin protruding from the first surface of the substrate. An inspection probe for an electro-optical device.
前記コンタクト端子の先端が、外方に向かって凸になる曲面状になっている
ことを特徴とする請求項1記載の電気光学装置の検査用プローブ。
2. The inspection probe for an electro-optical device according to claim 1, wherein a tip of the contact terminal has a curved surface that is convex outward.
前記コンタクト端子が、先端に向かって細くなっている
ことを特徴とする請求項1または2記載の電気光学装置の検査用プローブ。
3. The inspection probe for an electro-optical device according to claim 1, wherein the contact terminal is tapered toward the tip.
前記複数の導電膜間で前記下地樹脂の一部が露出している
ことを特徴とする請求項1ないし3のいずれか一項に記載の電気光学装置の検査用プローブ。
4. The inspection probe for an electro-optical device according to claim 1, wherein a part of the base resin is exposed between the plurality of conductive films. 5.
前記複数の導電膜間において露出している前記下地樹脂の表面が、前記複数の導電膜の表面よりも低くなるように形成されている
ことを特徴とする請求項1ないし4のいずれか一項に記載の電気光学装置の検査用プローブ。
The surface of the base resin exposed between the plurality of conductive films is formed so as to be lower than the surfaces of the plurality of conductive films. 2. An inspection probe for the electro-optical device according to 1.
前記導電膜が、展延性を有する単体または複数の金属膜により形成されている
ことを特徴とする請求項1ないし5のいずれか一項に記載の電気光学装置の検査用プローブ。
6. The inspection probe for an electro-optical device according to claim 1, wherein the conductive film is formed of a single or a plurality of metal films having spreadability.
前記貫通孔内に設けられるとともに前記基板の前記第1面から突出する下地層によって、前記コンタクト端子の基部側の側面が覆われている
ことを特徴とする請求項1ないし6のいずれか一項に記載の電気光学装置の検査用プローブ。
The side surface on the base side of the contact terminal is covered with a base layer provided in the through hole and protruding from the first surface of the substrate. 2. An inspection probe for the electro-optical device according to 1.
前記基板上に、前記複数のコンタクト端子と電気的に接続される検査用電子部品が実装されている
ことを特徴とする請求項1ないし7のいずれか一項に記載の電気光学装置の検査用プローブ。
8. The electro-optical device inspection device according to claim 1, wherein an inspection electronic component electrically connected to the plurality of contact terminals is mounted on the substrate. probe.
前記コンタクト端子には、前記基板とは異なる別基板に実装された前記検査用電子部品が接続されている
ことを特徴とする請求項1ないし7のいずれか一項に記載の電気光学装置の検査用プローブ。
The inspection of the electro-optical device according to claim 1, wherein the inspection electronic component mounted on a different substrate different from the substrate is connected to the contact terminal. Probe.
前記基板に配設された配線パターン上には絶縁層が設けられている
ことを特徴とする請求項1ないし9のいずれか一項に記載の電気光学装置の検査用プローブ。
The inspection probe for an electro-optical device according to claim 1, wherein an insulating layer is provided on the wiring pattern disposed on the substrate.
基板の第2面側からビアを形成する工程と、
前記ビアの内面に下地層を形成する工程と、
前記下地層上に導電膜を形成する工程と、
前記導電膜を複数の領域にパターニングする工程と、
前記ビア内に樹脂を充填する工程と、
前記基板を薄くして前記ビアを貫通させる工程と、
前記基板の第1面から突出した前記下地層を除去して複数の前記導電膜を露出させる工程と、を備えた
ことを特徴とする電気光学装置の検査用プローブの製造方法。
Forming vias from the second surface side of the substrate;
Forming a base layer on the inner surface of the via;
Forming a conductive film on the underlayer;
Patterning the conductive film into a plurality of regions;
Filling the vias with resin;
Thinning the substrate and penetrating the via;
And a step of removing the base layer protruding from the first surface of the substrate to expose the plurality of conductive films. A method of manufacturing an inspection probe for an electro-optical device, comprising:
前記ビアを形成する工程において、
前記ビアの底面を曲面状に形成する
ことを特徴とする請求項11記載の電気光学装置の検査用プローブの製造方法。
In the step of forming the via,
12. The method of manufacturing an inspection probe for an electro-optical device according to claim 11, wherein the bottom surface of the via is formed in a curved surface shape.
前記ビアを形成する工程において、
前記ビアの内面をテーパ形状に形成する
ことを特徴とする請求項11または12記載の電気光学装置の検査用プローブの製造方法。
In the step of forming the via,
13. The method of manufacturing an inspection probe for an electro-optical device according to claim 11, wherein the inner surface of the via is formed in a tapered shape.
パターニングされた複数の前記導電膜間で露出する前記下地樹脂の表面が、前記複数の前記導電膜の表面よりも低くなるように形成する
ことを特徴とする請求項11ないし13のいずれか一項に記載の電気光学装置の検査用プローブの製造方法。
The surface of the base resin exposed between the plurality of patterned conductive films is formed so as to be lower than the surface of the plurality of conductive films. A method for producing an inspection probe for an electro-optical device according to claim 1.
前記下地層を除去する工程において、
前記コンタクト端子の基部側に前記下地層が部分的に残るようにすることを特徴とする請求項11ないし14のいずれか一項に記載の電気光学装置の検査用プローブの製造方法。
In the step of removing the underlayer,
15. The method of manufacturing an inspection probe for an electro-optical device according to claim 11, wherein the base layer partially remains on a base side of the contact terminal.
前記基板上に、前記複数の導電膜と電気的に接続される検査用電子部品を実装する工程を有する
ことを特徴とする請求項11ないし15のいずれか一項に記載の電気光学装置の検査用プローブの製造方法。
The inspection of the electro-optical device according to claim 11, further comprising a step of mounting an inspection electronic component electrically connected to the plurality of conductive films on the substrate. Manufacturing method for a probe.
別基板に実装された検査用電子部品を前記複数の導電膜と電気的に接続する工程を有することを特徴とする請求項11または15記載の電気光学装置の検査用プローブの製造方法。   16. The method of manufacturing an inspection probe for an electro-optical device according to claim 11, further comprising a step of electrically connecting an inspection electronic component mounted on another substrate to the plurality of conductive films. 前記基板に配設された配線パターン上に絶縁膜を形成する工程を有する
ことを特徴とする請求項11ないし17のいずれか一項に記載の電気光学装置の検査用プローブの製造方法。
18. The method of manufacturing an inspection probe for an electro-optical device according to claim 11, further comprising a step of forming an insulating film on a wiring pattern disposed on the substrate.
請求項1ないし10のいずれか一項に記載の電気光学装置の検査用プローブを備えたことを特徴とする検査装置。   An inspection apparatus comprising the inspection probe for an electro-optical device according to claim 1.
JP2008298094A 2008-11-21 2008-11-21 Inspection probe for electrooptical device and method of manufacturing the same, and inspection device Pending JP2010122161A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2008298094A JP2010122161A (en) 2008-11-21 2008-11-21 Inspection probe for electrooptical device and method of manufacturing the same, and inspection device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2008298094A JP2010122161A (en) 2008-11-21 2008-11-21 Inspection probe for electrooptical device and method of manufacturing the same, and inspection device

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2010122161A true JP2010122161A (en) 2010-06-03

Family

ID=42323626

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2008298094A Pending JP2010122161A (en) 2008-11-21 2008-11-21 Inspection probe for electrooptical device and method of manufacturing the same, and inspection device

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2010122161A (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2015072361A (en) * 2013-10-03 2015-04-16 株式会社ジャパンディスプレイ Display device and manufacturing method of the same

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2015072361A (en) * 2013-10-03 2015-04-16 株式会社ジャパンディスプレイ Display device and manufacturing method of the same

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI272686B (en) Semiconductor device, circuit substrate, electro-optic device and electronic appliance
US7977788B2 (en) Contact structure having a compliant bump and a testing area
JP4328970B2 (en) Semiconductor device
US9257404B2 (en) Semiconductor device, having through electrodes, a manufacturing method thereof, and an electronic apparatus
JP5423020B2 (en) SEMICONDUCTOR DEVICE, SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD, AND ELECTRONIC DEVICE
JP2006210438A (en) Semiconductor device and its manufacturing method
US20080185671A1 (en) Sensor semiconductor package and fabrication
US20080217791A1 (en) Semiconductor device
JP4061506B2 (en) Manufacturing method of semiconductor device
US20080284009A1 (en) Dimple free gold bump for drive IC
JP5262772B2 (en) Electro-optical device inspection probe, method of manufacturing the same, and inspection device
JP2008005471A (en) Piezoelectric oscillator and its manufacturing method
JP2008294127A (en) Semiconductor device and method of manufacturing the same
TWI299572B (en) Inspection device and method for manufacturing the same, method for manufacturing electro-optic device and method for manufacturing semiconductor device
JP2010122161A (en) Inspection probe for electrooptical device and method of manufacturing the same, and inspection device
JP4968424B2 (en) Semiconductor device
JP2011009407A (en) Semiconductor device, electronic component, and method of manufacturing the semiconductor device
JP2010181177A (en) Probe for inspection of semiconductor device, method for manufacturing the same, and apparatus for inspection
TW201027679A (en) Chip packaging structure and lead frame
JP2010127894A (en) Probe for inspecting semiconductor device, and method for manufacturing the same, and inspection apparatus
JP4655052B2 (en) Semiconductor device, circuit board, electro-optical device, and electronic apparatus
JP5970277B2 (en) Semiconductor device
JP2009049154A (en) Semiconductor device, packaging structure, electrooptical device, and electronic equipment
JP2010157770A (en) Semiconductor device, circuit board, electro-optical device, and electronic apparatus
JP2010171190A (en) Semiconductor device and electronic module, manufacturing methods of semiconductor device and electronic module, and inspection method of electronic module