JP2010122139A - High-frequency probe card - Google Patents

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英二 玉谷
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To easily absorb impedance deviations of cantilevers by simply and appropriately matching the impedance of the cantilevers of a high-frequency probe card to that of a coaxial cable. <P>SOLUTION: Impedance matching is made by connecting variable impedance matching circuits 2 to the cantilevers 3, the matching circuits 2 each being a π matching circuit composed of two trimmer capacitors and a multilayer inductor. Coaxial cables 5 are connected to a tester 4, with the coaxial cables 5 joined to coaxial connectors 6 connected to the matching circuits 2. Measurement is carried out with the cantilevers 3 kept in contact with a pad for inspection of an inspected device 7. Impedance deviations of a probe card 1 in a manufacturing stage can be absorbed by individual adjustment, the probe card 1 being of a high-frequency cantilever-type for inspection on the wafer level. Therefore, a low-cost cantilever-type probe card 1 can be used even for high frequencies. <P>COPYRIGHT: (C)2010,JPO&INPIT

Description

本発明は、高周波プローブカードに関し、特に、カンチレバーと同軸ケーブルとの間に可変式インピーダンス整合回路を設けた高周波プローブカードに関する。   The present invention relates to a high-frequency probe card, and more particularly to a high-frequency probe card in which a variable impedance matching circuit is provided between a cantilever and a coaxial cable.

従来、半導体ウエハやICベアチップなどの各回路の電気的特性を、製造工程や受入時にウエハレベルで測定して検査するために、プローブカードが使用されている。プローブカードには、集積回路の電極(ボンディングパッドや検査用パッド)に接続する探針がある。探針を介して各回路との間で信号を送受信する。外部のテスタから被検査デバイスに検査用信号を送り、被検査デバイスの各回路から受信した信号を、外部のテスタに送信する。ハンダ付けしなくても、テスタを比較的確実に被検査デバイスに接続させて検査できる。   Conventionally, a probe card has been used to measure and inspect the electrical characteristics of each circuit such as a semiconductor wafer and an IC bare chip at the wafer level at the manufacturing process or at the time of acceptance. A probe card has a probe connected to an electrode (bonding pad or inspection pad) of an integrated circuit. Signals are transmitted to and received from each circuit via the probe. A test signal is sent from an external tester to the device under test, and signals received from each circuit of the device under test are sent to the external tester. Even without soldering, the tester can be connected to the device under test relatively reliably.

プローブカードの探針には、カンチレバー型や同軸プローブ型やブレード型や垂直プローブ型などがある。カンチレバー型では、斜めに保持した片持ち梁の探針を電極に接触させる。同軸プローブ型では、同軸ケーブル型のプローブ支持部の先端に取り付けた探針を電極に接触させる。ブレード型では、ブレード状の支持板に取り付けた探針を電極に接触させる。垂直プローブ型では、垂直に保持されている探針を垂直に電極に接触させる。カンチレバー型は構造が簡単であり、低コストにできる。同軸プローブ型は、高周波デバイスの検査に適している。高周波デバイスの検査では、できるだけノイズを拾わないようにするとともに、インピーダンス不整合を防ぐ必要がある。例えば、同軸プローブ型の探針を、同軸ケーブルを介してテスタに接続して、RF信号を伝送する。プローブカード上の信号経路を最短にするとともに、必要に応じて、探針と同軸ケーブルの間にインピーダンス整合回路を設ける。以下に、これに関連する従来技術の例をいくつかあげる。   The probe of the probe card includes a cantilever type, a coaxial probe type, a blade type, and a vertical probe type. In the cantilever type, the cantilever probe held obliquely is brought into contact with the electrode. In the coaxial probe type, a probe attached to the tip of a coaxial cable type probe support is brought into contact with the electrode. In the blade type, a probe attached to a blade-like support plate is brought into contact with the electrode. In the vertical probe type, the probe held vertically is brought into contact with the electrode vertically. The cantilever type has a simple structure and can be manufactured at low cost. The coaxial probe type is suitable for inspection of high-frequency devices. In the inspection of a high-frequency device, it is necessary to prevent as much noise as possible and to prevent impedance mismatch. For example, a coaxial probe type probe is connected to a tester via a coaxial cable to transmit an RF signal. The signal path on the probe card is minimized, and an impedance matching circuit is provided between the probe and the coaxial cable as necessary. Below are some examples of prior art related to this.

特許文献1に開示された「高周波・高速用デバイスの検査方法」は、パッケージされた被検査デバイスと検査装置との接続部における不連続の問題を解消し、被検査デバイスの設計事項のみに起因するデータを得ることができるようにした方法である。図6(a)に示すように、金属ブロックの一面側で、被検査デバイスの各電極端子とそれぞれ対応する部分に、RF信号用プローブ(入力用プローブと出力用プローブ)と、電源用プローブと、接地用プローブを、可動ピンの先端部が突出するように設ける。RF信号用プローブの被検査デバイスとの接続部と反対側の端部側に、同軸ケーブルを介してインピーダンス整合器を接続する。被検査デバイスとRF信号用プローブとの接続部の整合をとってから検査をする。   The “method for inspecting a high-frequency / high-speed device” disclosed in Patent Document 1 solves the problem of discontinuity in the connection portion between the packaged device to be inspected and the inspection apparatus, and is caused only by the design matters of the device to be inspected. It is a method that can obtain the data to be. As shown in FIG. 6 (a), on one side of the metal block, RF signal probes (input probes and output probes), power supply probes, and portions corresponding to the electrode terminals of the device to be inspected, The grounding probe is provided so that the tip of the movable pin protrudes. An impedance matching device is connected to the end of the RF signal probe opposite to the connection with the device under test via a coaxial cable. Inspection is performed after the connection between the device under test and the RF signal probe is matched.

特許文献2に開示された「開発テスト用プローブカード」は、アナログICをデジタルIC用のテスタで測定できるようにしたものである。図6(b)に示すように、アナログ信号生成手段で、入力用の入力アナログ信号を生成する。インピーダンス整合手段で、入力アナログ信号の減衰を抑制する。被測定物対向面に配置したアナログ信号入力手段で、入力アナログ信号を被測定物に入力する。被測定物対向面に配置したアナログ信号取得手段で、被測定物が出力する出力アナログ信号を取得する。アナログデジタル変換手段で、出力アナログ信号をデジタルテスタで扱えるデジタル信号に変換する。アナログデジタル変換手段が変換して生成したデジタル信号を、デジタル信号送信手段でデジタルテスタに送信する。   The “development test probe card” disclosed in Patent Document 2 enables an analog IC to be measured by a tester for a digital IC. As shown in FIG. 6B, an analog signal generator generates an input analog signal for input. Impedance matching means suppresses the attenuation of the input analog signal. Input analog signals are input to the object to be measured by analog signal input means arranged on the surface to be measured. The analog signal acquisition means arranged on the surface to be measured opposes the output analog signal output by the device to be measured. The analog-to-digital conversion means converts the output analog signal into a digital signal that can be handled by the digital tester. The digital signal converted and generated by the analog / digital converting means is transmitted to the digital tester by the digital signal transmitting means.

特許文献3に開示された「半導体集積回路装置テストシステム」は、一般的な半導体集積回路装置の検査装置(テスタ)を用いて高精度測定ができるようにしたものである。図6(c)に示すように、プローブカード上のアナログデジタル変換回路の前段に、入力信号変換回路を設ける。入力信号変換回路としては、電圧レベル変換回路や、インピーダンス整合回路や、積分回路や、これらの回路を直列接続したものがある。これにより、測定目的に合致する高精度な測定ができる。   The “semiconductor integrated circuit device test system” disclosed in Patent Document 3 enables high-precision measurement using a general semiconductor integrated circuit device inspection device (tester). As shown in FIG. 6C, an input signal conversion circuit is provided before the analog-digital conversion circuit on the probe card. Examples of the input signal conversion circuit include a voltage level conversion circuit, an impedance matching circuit, an integration circuit, and a circuit in which these circuits are connected in series. As a result, highly accurate measurement that matches the measurement purpose can be performed.

特許文献4に開示された「高帯域受動集積回路テスタのプローブカードアセンブリ」は、信号経路の周波数応答を大幅に改善して、信号経路の長さとインピーダンスを最小限にすることにより、レベル未満に、信号の歪みと減衰を少なくした方法である。図6(d)に示すように、プローブカードアセンブリは、集積回路(IC)のボンディングパッドとICテスタとの間で、高周波数信号を伝達する信号経路である。信号経路が、適切に調整されたButterworthフィルタまたはChebyshevフィルタとなるように、信号経路のインピーダンス整合などを行って、プローブカードアセンブリの周波数応答を最適化する。
特開2003-232834号公報 特開2006-084296号公報 特開2006-138787号公報 特開2007-178440号公報
The “probe card assembly of a high-band passive integrated circuit tester” disclosed in US Pat. No. 6,057,096 is substantially less than level by greatly improving the frequency response of the signal path and minimizing the length and impedance of the signal path. This is a method that reduces the distortion and attenuation of the signal. As shown in FIG. 6D, the probe card assembly is a signal path for transmitting a high frequency signal between a bonding pad of an integrated circuit (IC) and an IC tester. The frequency response of the probe card assembly is optimized, such as by impedance matching of the signal path, so that the signal path is a properly tuned Butterworth filter or Chebyshev filter.
Japanese Patent Laid-Open No. 2003-232834 JP 2006-084296 A JP 2006-138787 A JP 2007-178440 JP

しかし、従来の方法では、次のような問題がある。パッケージIC用の高周波用デバイス測定方法では、同軸プローブを使用し、インピーダンス整合回路でインピーダンスを整合させて測定している。同軸プローブ型プローブカードでは、同軸プローブのインピーダンスと同軸ケーブルのインピーダンスがほぼ同じであり、インピーダンスの偏差も小さいので、固定式のインピーダンス整合器を用いても、ほぼインピーダンス整合をとることができる。可変式のインピーダンス整合器を用いれば、より精密にインピーダンス整合をとることができる。ところが、同軸プローブを用いるものはコストがかかる。   However, the conventional method has the following problems. In the high-frequency device measurement method for package IC, a coaxial probe is used and impedance is matched by an impedance matching circuit. In the coaxial probe type probe card, the impedance of the coaxial probe and the impedance of the coaxial cable are substantially the same, and the deviation of the impedance is small. Therefore, even if a fixed impedance matching device is used, impedance matching can be substantially achieved. If a variable impedance matching device is used, impedance matching can be made more precisely. However, using a coaxial probe is expensive.

低コストのカンチレバー型プローブカードでは、カンチレバーのインピーダンス偏差が大きいので、固定式のインピーダンス整合器を用いたのでは、個々のカンチレバーのインピーダンスと同軸ケーブルのインピーダンスをきめ細かく整合させることはできない。同軸プローブ用の可変式インピーダンス整合器を、ウエハレベルでの検査用の高周波用カンチレバー型プローブカードに単に適用しても、サイズが大きくなりコストもかかってしまう。カンチレバーと同軸ケーブルのインピーダンス整合をとれる小型で低コストの可変式のインピーダンス整合器はないので、ウエハレベルでの検査用の高周波用プローブカードの製造段階におけるインピーダンス偏差を吸収できる適切な方法はない。   In a low-cost cantilever type probe card, since the impedance deviation of the cantilever is large, the impedance of each cantilever and the impedance of the coaxial cable cannot be finely matched by using a fixed impedance matching device. Even if a variable impedance matching unit for a coaxial probe is simply applied to a high frequency cantilever type probe card for inspection at the wafer level, the size and cost are increased. Since there is no small and low-cost variable impedance matching unit capable of matching the impedance between the cantilever and the coaxial cable, there is no suitable method for absorbing the impedance deviation in the manufacturing stage of the high-frequency probe card for inspection at the wafer level.

本発明の目的は、上記従来の問題を解決して、カンチレバーと同軸ケーブルのインピーダンスを簡単かつ適切に整合できて、カンチレバーのインピーダンス偏差を容易に吸収できるようにして、ウエハレベルでの検査用の高周波用プローブカードを低コストで実現することである。   The object of the present invention is to solve the above-mentioned conventional problems, to easily and appropriately match the impedance of the cantilever and the coaxial cable, and to easily absorb the impedance deviation of the cantilever. This is to realize a high-frequency probe card at a low cost.

上記の課題を解決するために、本発明では、高周波プローブカードを、被検査集積回路の検査用パッドに接触させるカンチレバーと、カンチレバーに接続され2個のトリマーコンデンサと1個の積層インダクタからなるπ型マッチング回路の可変式インピーダンス整合回路と、可変式インピーダンス整合回路に接続され計測器につながる同軸ケーブルを結合するためのコネクタとを具備する構成とした。   In order to solve the above-described problems, in the present invention, a high-frequency probe card is composed of a cantilever that makes contact with a test pad of an integrated circuit to be inspected, two trimmer capacitors connected to the cantilever, and one multilayer inductor. A variable impedance matching circuit of a type matching circuit and a connector for connecting a coaxial cable connected to the measuring instrument and connected to the variable impedance matching circuit are provided.

上記のように構成したことにより、ウエハレベルでの検査用の高周波用カンチレバー型プローブカードの製造段階におけるインピーダンス偏差を個別調整により吸収でき、低コストのカンチレバー型プローブカードを高周波でも使用できるようになる。   With the above configuration, the impedance deviation in the manufacturing stage of the high-frequency cantilever type probe card for inspection at the wafer level can be absorbed by individual adjustment, and the low-cost cantilever type probe card can be used even at high frequency. .

以下、本発明を実施するための最良の形態について、図1〜図5を参照しながら詳細に説明する。   Hereinafter, the best mode for carrying out the present invention will be described in detail with reference to FIGS.

本発明の実施例は、2個のトリマーコンデンサと1個の積層インダクタからなるπ型マッチング回路の可変式インピーダンス整合回路をカンチレバーに接続してインピーダンスを整合させ、可変式インピーダンス整合回路に接続されたコネクタに同軸ケーブルを結合させて計測器につなげ、カンチレバーを被検査集積回路の検査用パッドに接触させて測定するプローブカードである。   In the embodiment of the present invention, a variable impedance matching circuit of a π-type matching circuit composed of two trimmer capacitors and one multilayer inductor is connected to a cantilever to match impedance, and is connected to the variable impedance matching circuit. A probe card is a probe card in which a coaxial cable is connected to a connector and connected to a measuring instrument, and a cantilever is brought into contact with a test pad of an integrated circuit to be tested.

図1は、本発明の実施例におけるプローブカードとテスタを接続する様子を示す概念図である。図2は、プローブカードの構成を示す概念図である。図3は、プローブカードに設ける可変式インピーダンス整合回路の回路図である。図4は、プローブカードのコネクタ接続部分の概念図である。図5は、プローブカードのマイクロストリップ線路の断面図である。   FIG. 1 is a conceptual diagram showing how a probe card and a tester are connected in an embodiment of the present invention. FIG. 2 is a conceptual diagram showing the configuration of the probe card. FIG. 3 is a circuit diagram of a variable impedance matching circuit provided in the probe card. FIG. 4 is a conceptual diagram of the connector connecting portion of the probe card. FIG. 5 is a cross-sectional view of the microstrip line of the probe card.

図1〜図5において、プローブカード1は、被検査デバイスとテスタとの間の試験信号の入出力手段である。絶縁基板の厚さが2mmの4層印刷基板である。絶縁基板は両面基板などでもよい。可変式インピーダンス整合回路2は、カンチレバーと同軸ケーブルのインピーダンスを整合させる回路である。カンチレバー3は、被検査デバイスの検査用電極に接続する探針である。テスタ4は、被検査デバイスの特性を検査する計測器である。3GHz以上の信号を測定する能力があるものを用いる。同軸ケーブル5は、プローブカードとテスタを接続する信号ケーブルである。特性インピーダンスは50Ωである。同軸コネクタ6は、同軸ケーブルをプローブカードに接続するコネクタである。被検査デバイス7は、検査対象の被検査デバイスである。トリマーコンデンサ8は、手動操作で容量を調整できる小型の可変容量コンデンサである。厚さは約2mmで直径は約3mmで、最大容量は10〜1pFである。貫通孔9は、トリマーコンデンサを収容するための孔である。積層インダクタ10は、インダクタンスが0.1〜10nHの平面コイルである。これらの容量やインダクタンスなどは、被検査デバイスなどに応じて適切な値を選択する。   1 to 5, a probe card 1 is an input / output unit for a test signal between a device under test and a tester. This is a four-layer printed board with an insulating substrate thickness of 2 mm. The insulating substrate may be a double-sided substrate. The variable impedance matching circuit 2 is a circuit that matches the impedance of the cantilever and the coaxial cable. The cantilever 3 is a probe that is connected to an inspection electrode of a device to be inspected. The tester 4 is a measuring instrument that inspects the characteristics of the device under test. Use one that has the ability to measure signals above 3 GHz. The coaxial cable 5 is a signal cable that connects the probe card and the tester. The characteristic impedance is 50Ω. The coaxial connector 6 is a connector for connecting a coaxial cable to the probe card. The device under test 7 is a device to be inspected. The trimmer capacitor 8 is a small variable capacitor whose capacity can be adjusted manually. The thickness is about 2 mm, the diameter is about 3 mm, and the maximum capacitance is 10-1 pF. The through hole 9 is a hole for accommodating the trimmer capacitor. The multilayer inductor 10 is a planar coil having an inductance of 0.1 to 10 nH. For these capacitances and inductances, appropriate values are selected according to the device to be inspected.

上記のように構成された本発明の実施例におけるプローブカードの機能と動作を説明する。最初に、図1を参照しながら、プローブカードの機能の概要を説明する。2個のトリマーコンデンサ8と積層インダクタ10からなるπ型マッチング回路の可変式インピーダンス整合回路2が、カンチレバー3に接続されている。テスタ4につながる同軸ケーブル5を結合するための同軸コネクタ6が、可変式インピーダンス整合回路2に接続されている。カンチレバー3を、被検査デバイス7の検査用パッドに接触させて、可変式インピーダンス整合回路2を個別調整して、カンチレバー型プローブカード1の製造段階におけるインピーダンス偏差を吸収する。テスタ4で試験信号を発生して、同軸ケーブル5と可変式インピーダンス整合回路2とカンチレバー3を介して被検査デバイス7に試験信号を加え、逆の経路で被検査デバイス7からの応答信号をテスタ4で受信して、被検査デバイス7の特性を測定する。   The function and operation of the probe card in the embodiment of the present invention configured as described above will be described. First, the outline of the function of the probe card will be described with reference to FIG. A variable impedance matching circuit 2 of a π-type matching circuit composed of two trimmer capacitors 8 and a laminated inductor 10 is connected to the cantilever 3. A coaxial connector 6 for coupling a coaxial cable 5 connected to the tester 4 is connected to the variable impedance matching circuit 2. The cantilever 3 is brought into contact with the inspection pad of the device under test 7 and the variable impedance matching circuit 2 is individually adjusted to absorb the impedance deviation in the manufacturing stage of the cantilever type probe card 1. A test signal is generated by the tester 4, the test signal is applied to the device under test 7 via the coaxial cable 5, the variable impedance matching circuit 2, and the cantilever 3, and the response signal from the device under test 7 is tested through the reverse path. 4 to measure the characteristics of the device under test 7.

次に、図2を参照しながら、プローブカードの構成を説明する。プローブカード1の絶縁基板の下側に、探針であるカンチレバー3を設ける。これは、従来のカンチレバー型プローブカードのカンチレバーと同様である。プローブカード1の絶縁基板の両端に、同軸コネクタ用の導体パターンを形成し、同軸コネクタ6を取り付ける。カンチレバー3と同軸コネクタ6の間に、積層インダクタを設ける。積層インダクタ10の両端と接地の間に、2個のトリマーコンデンサ8を設ける。トリマーコンデンサ8は、表側から調整できるように、絶縁基板の貫通孔9に収容する。   Next, the configuration of the probe card will be described with reference to FIG. A cantilever 3 as a probe is provided below the insulating substrate of the probe card 1. This is the same as the cantilever of a conventional cantilever type probe card. A conductor pattern for a coaxial connector is formed on both ends of the insulating substrate of the probe card 1 and the coaxial connector 6 is attached. A laminated inductor is provided between the cantilever 3 and the coaxial connector 6. Two trimmer capacitors 8 are provided between both ends of the multilayer inductor 10 and the ground. The trimmer capacitor 8 is accommodated in the through hole 9 of the insulating substrate so that it can be adjusted from the front side.

次に、図3を参照しながら、可変式インピーダンス整合回路について説明する。可変式インピーダンス整合回路2は、2個のトリマーコンデンサ8と積層インダクタ10からなるπ型マッチング回路である。カンチレバー3側のトリマーコンデンサ8と、同軸コネクタ6側のトリマーコンデンサ8を調整することにより、カンチレバー3と同軸ケーブル5のインピーダンスの差を吸収することができる。カンチレバー3は、1本の導体がむき出しになっている構造のために対接地容量が変化しやすく、特性インピーダンスを一定にできない。また、半田付けを全く一様にできないなど、製造工程における偏差が避けられない。そのため、カンチレバー3の特性インピーダンスを、被検査デバイスの入出力インピーダンスと同軸ケーブルの特性インピーダンスに一致させることができない。そこで、カンチレバー3に接続したπ型マッチング回路のトリマーコンデンサ8を個別に調整して、インピーダンスを整合させる。こうすることにより、すべてのカンチレバー3のインピーダンスを、同軸ケーブル5と被検査デバイスにマッチングさせることができる。   Next, the variable impedance matching circuit will be described with reference to FIG. The variable impedance matching circuit 2 is a π-type matching circuit including two trimmer capacitors 8 and a multilayer inductor 10. By adjusting the trimmer capacitor 8 on the cantilever 3 side and the trimmer capacitor 8 on the coaxial connector 6 side, the difference in impedance between the cantilever 3 and the coaxial cable 5 can be absorbed. Since the cantilever 3 has a structure in which one conductor is exposed, the grounding capacitance easily changes, and the characteristic impedance cannot be made constant. In addition, deviations in the manufacturing process are unavoidable, for example, soldering cannot be made uniform at all. Therefore, the characteristic impedance of the cantilever 3 cannot be matched with the input / output impedance of the device under test and the characteristic impedance of the coaxial cable. Therefore, the trimmer capacitor 8 of the π-type matching circuit connected to the cantilever 3 is individually adjusted to match the impedance. By doing so, the impedance of all the cantilevers 3 can be matched with the coaxial cable 5 and the device under test.

次に、図4を参照しながら、コネクタ接続部分の導体パターンについて説明する。プローブカード1の絶縁基板に同軸コネクタ6を取り付けるために、絶縁基板に導体パターンを形成する。その際、インピーダンス不整合が起きないように、伝送線のインピーダンスが同軸ケーブル5のインピーダンスと一致するように導体パターンを形成する。   Next, the conductor pattern of the connector connecting portion will be described with reference to FIG. In order to attach the coaxial connector 6 to the insulating substrate of the probe card 1, a conductor pattern is formed on the insulating substrate. At this time, the conductor pattern is formed so that the impedance of the transmission line matches the impedance of the coaxial cable 5 so that impedance mismatch does not occur.

次に、図5を参照しながら、マイクロストリップ線路について説明する。カンチレバー3と積層インダクタ10を結ぶ伝送線路と、積層インダクタ10と同軸コネクタ6を結ぶ伝送線路を、マイクロストリップ線路で構成する。マイクロストリップ線路は、プローブカード1の絶縁基板の上に導体パターンを設けて作成する。厚さ18μmの導体パターンの幅は0.7mmであり、誘電率4.5の絶縁基板の接地層までの厚さは0.4mmである。同軸コネクタ6側のマイクロストリップ線路の伝送インピーダンスは、同軸ケーブル5と同じ50Ωになるようにする。カンチレバー3側のマイクロストリップ線路の伝送インピーダンスは、カンチレバー3とほぼ同じになるようにする。マイクロストリップ線路の代わりに、コプレーナ線路を用いてもよい。   Next, the microstrip line will be described with reference to FIG. The transmission line connecting the cantilever 3 and the multilayer inductor 10 and the transmission line connecting the multilayer inductor 10 and the coaxial connector 6 are configured by microstrip lines. The microstrip line is formed by providing a conductor pattern on the insulating substrate of the probe card 1. The width of the conductor pattern having a thickness of 18 μm is 0.7 mm, and the thickness of the insulating substrate having a dielectric constant of 4.5 to the ground layer is 0.4 mm. The transmission impedance of the microstrip line on the coaxial connector 6 side is set to 50 Ω which is the same as that of the coaxial cable 5. The transmission impedance of the microstrip line on the cantilever 3 side is set to be substantially the same as that of the cantilever 3. A coplanar line may be used instead of the microstrip line.

上記のように、本発明の実施例では、プローブカードを、2個のトリマーコンデンサと1個の積層インダクタからなるπ型マッチング回路の可変式インピーダンス整合回路をカンチレバーに接続してインピーダンスを整合させ、可変式インピーダンス整合回路に接続されたコネクタに同軸ケーブルを結合させて計測器につなげ、カンチレバーを被検査集積回路の検査用パッドに接触させて測定する構成としたので、カンチレバー型プローブカードの製造段階におけるインピーダンス偏差を個別調整により吸収できる。   As described above, in the embodiment of the present invention, the probe card is matched to the impedance by connecting the variable impedance matching circuit of the π-type matching circuit composed of two trimmer capacitors and one multilayer inductor to the cantilever, A coaxial cable is connected to a connector connected to a variable impedance matching circuit, connected to a measuring instrument, and the cantilever is in contact with the test pad of the integrated circuit to be inspected. The impedance deviation in can be absorbed by individual adjustment.

本発明の高周波プローブカードは、半導体ウエハの集積回路などを高周波で測定するためのプローブカードとして最適である。   The high-frequency probe card of the present invention is most suitable as a probe card for measuring an integrated circuit of a semiconductor wafer at a high frequency.

本発明の実施例におけるプローブカードとテスタを接続する様子を示す概念図である。It is a conceptual diagram which shows a mode that the probe card and tester in the Example of this invention are connected. 本発明の実施例におけるプローブカードの構成を示す概念図である。It is a conceptual diagram which shows the structure of the probe card in the Example of this invention. 本発明の実施例におけるプローブカードに設ける可変式インピーダンス整合回路の回路図である。It is a circuit diagram of the variable impedance matching circuit provided in the probe card in the Example of this invention. 本発明の実施例におけるプローブカードのコネクタ接続部分の概念図である。It is a conceptual diagram of the connector connection part of the probe card in the Example of this invention. 本発明の実施例におけるプローブカードのマイクロストリップ線路の断面図である。It is sectional drawing of the microstrip line | wire of the probe card in the Example of this invention. 従来のプローブカードの概念図である。It is a conceptual diagram of the conventional probe card.

符号の説明Explanation of symbols

1 プローブカード
2 可変式インピーダンス整合回路
3 カンチレバー
4 テスタ
5 同軸ケーブル
6 同軸コネクタ
7 被検査デバイス
8 トリマーコンデンサ
9 貫通孔
10 積層インダクタ
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Probe card 2 Variable impedance matching circuit 3 Cantilever 4 Tester 5 Coaxial cable 6 Coaxial connector 7 Device under test 8 Trimmer capacitor 9 Through hole
10 multilayer inductors

Claims (1)

被検査集積回路の検査用パッドに接触させるカンチレバーと、前記カンチレバーに接続され2個のトリマーコンデンサと1個の積層インダクタからなるπ型マッチング回路の可変式インピーダンス整合回路と、前記可変式インピーダンス整合回路に接続され計測器につながる同軸ケーブルを結合するためのコネクタとを具備することを特徴とする高周波プローブカード。 A cantilever that is brought into contact with a test pad of an integrated circuit to be inspected; a variable impedance matching circuit of a π-type matching circuit that is connected to the cantilever and includes two trimmer capacitors and one laminated inductor; and the variable impedance matching circuit And a connector for coupling a coaxial cable connected to the measuring instrument.
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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012242196A (en) * 2011-05-18 2012-12-10 Mitsubishi Electric Corp High-frequency characteristics measuring device
KR20140036681A (en) * 2012-09-18 2014-03-26 한국전력공사 Apparatus and method for inductance or capacitance compensation of underground transmission cable joint box
CN103901239A (en) * 2012-12-26 2014-07-02 旺矽科技股份有限公司 High-frequency probe card
CN114217101A (en) * 2021-10-30 2022-03-22 荣耀终端有限公司 Radio frequency test probe structure and radio frequency test system
US11561242B2 (en) 2020-03-26 2023-01-24 Advantest Corporation Test arrangement for testing high-frequency components, particularly silicon photonics devices under test

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012242196A (en) * 2011-05-18 2012-12-10 Mitsubishi Electric Corp High-frequency characteristics measuring device
KR20140036681A (en) * 2012-09-18 2014-03-26 한국전력공사 Apparatus and method for inductance or capacitance compensation of underground transmission cable joint box
KR101953915B1 (en) * 2012-09-18 2019-03-04 한국전력공사 Apparatus and method for inductance or capacitance compensation of underground transmission cable joint box
CN103901239A (en) * 2012-12-26 2014-07-02 旺矽科技股份有限公司 High-frequency probe card
US11561242B2 (en) 2020-03-26 2023-01-24 Advantest Corporation Test arrangement for testing high-frequency components, particularly silicon photonics devices under test
TWI795731B (en) * 2020-03-26 2023-03-11 日商愛德萬測試股份有限公司 Automatic test equipment, probe card, pogo tower and method for testing device under test
US11782072B2 (en) 2020-03-26 2023-10-10 Advantest Corporation Test arrangement for testing high-frequency components, particularly silicon photonics devices under test
CN114217101A (en) * 2021-10-30 2022-03-22 荣耀终端有限公司 Radio frequency test probe structure and radio frequency test system
CN114217101B (en) * 2021-10-30 2023-06-13 荣耀终端有限公司 Radio frequency test probe structure and radio frequency test system

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