JP2010114293A - 熱処理装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】光拡散板53は、光照射部5とチャンバー6との間に設けられており、合成石英や溶融石英等の石英ガラスにより形成されている。光拡散板53を形成する石英ガラスは、閃光による加熱時に基板Wから熱放射される近赤外領域の光を遮断する。近赤外光検出部88aは、導出部80と光学的に接続されており、加熱時に基板Wから熱放射された光を検出する。第1信号保持部は、近赤外光検出部88aから入力された第1検出信号SG1の最大値を保持する。これにより、熱処理装置1は、瞬間的にひらめく閃光に応じて熱放射された光から、この光の光量に応じた第1検出信号SG1を良好に取得することができ、加熱された基板Wの温度を良好に求めることができる。
【選択図】図1
Description
図1および図2は、本発明の実施の形態における熱処理装置1の構成の一例を示す側断面図であり、図1は基板Wの熱処理位置を、図2は基板Wの受け渡し位置を、それぞれ示す。ここで、熱処理装置1は、基板Wに極めて強い閃光を照射することによって、基板Wの表面を加熱する基板処理装置である。また、熱処理装置1の加熱対象となる基板Wは、例えば、イオン注入法により不純物が添加されたものである。添加された不純物は、この熱処理によって活性化される。
図4は、制御部90の機能構成を説明するためのブロック図である。図5は、第1および第2信号保持部31、32の構成の一例を示す回路図である。図4に示すように、制御部90は、主として、第1および第2信号保持部31、32と、RAM91と、ROM92と、CPU93と、を有している。
)に配置されている。これにより、光照射部5から照射された閃光を遮ることなく、チャンバー6内の光を受光することができ、熱放射に応じた第1検出信号SG1を良好に検出することができる。そのため、閃光による基板Wの加熱に影響を与えることなく、加熱された基板Wの温度を良好に演算することができる。
以上のように、本実施の形態の熱処理装置1は、光照射部5と基板保持部7との間に配置されている光拡散板53によって、光照射部5から出射される閃光のうち、加熱時に基板Wから熱放射される近赤外領域の光を遮断することができる。これにより、閃光による加熱時において、熱処理装置1は、近赤外光検出部88aおよび第1信号保持部31によって、加熱時に基板Wから熱放射された光の光量を反映した第1検出信号SG1を良好に取得することができる。そのため、熱処理装置1は、温度演算部93aによって、加熱された基板Wの温度を良好に求めることができる。
以上、本発明の実施の形態について説明してきたが、本発明は上記実施の形態に限定されるものではなく様々な変形が可能である。
5 光照射部
6 チャンバー
7 基板保持部
31 第1信号保持部
32 第2信号保持部
53 遮断部
80、180 導出部
81 導出ロッド
82 貫通孔
84 接続部
86 光ファイバー
86a、86b 分岐ファイバー
88a 近赤外光検出部
88b 可視光検出部
90 制御部
91 RAM
92 ROM
93 CPU
93a 温度演算部
93b 監視部
95、96 信号線
181 光学系
181h 受光窓
SG1 検出信号(第1検出信号)
SG2 検出信号(第2検出信号)
W 基板
Claims (9)
- 基板に閃光を照射することによって、前記基板を加熱する熱処理装置において、
(a) 熱処理室と、
(b) 前記熱処理室内に設けられており、前記基板を保持する基板保持部と、
(c) 複数のフラッシュランプを有しており、前記基板保持部側に前記閃光を出射する光源と、
(d) 前記熱処理室と前記光源との間に設けられており、前記光源から出射される前記閃光のうち、前記閃光による加熱時に前記基板から熱放射される波長領域の光を遮断する遮断部と、
(e) 前記熱処理室内に設けられており、前記熱処理室内の光を導出する導出部と、
(f) 前記導出部により導出された光のうち、前記波長領域の光を検出する第1検出部と、
(g) 前記第1検出部から出力された第1検出信号の最大値を保持する第1信号保持部と、
(h) 前記基板を加熱するために前記光源から前記基板保持部側に向けて前記閃光が出射される場合に、前記第1信号保持部で保持される前記第1検出信号の最大値に基づいて、加熱された前記基板の温度を演算する温度演算部と、
を備えることを特徴とする熱処理装置。 - 請求項1に記載の熱処理装置において、
前記導出部は、
前記基板保持部に保持された前記基板の付近に配置されており、前記熱処理室内の光を受光する受光部、
を有していることを特徴とする熱処理装置。 - 請求項2に記載の熱処理装置において、
前記受光部は、前記基板保持部に保持された前記基板の主面に沿った方向から見て、前記基板の外方側に設けられていることを特徴とする熱処理装置。 - 請求項1に記載の熱処理装置において、
前記導出部は、
前記熱処理室の内壁に設けられた受光窓、
を有することを特徴とする熱処理装置。 - 請求項1ないし請求項4のいずれかに記載の熱処理装置において、
前記遮断部は、合成石英により形成されていることを特徴とする熱処理装置。 - 請求項1ないし請求項5のいずれかに記載の熱処理装置において、
前記第1検出部は、フォトダイオードにより構成されていることを特徴とする熱処理装置。 - 請求項1ないし請求項6のいずれかに記載の熱処理装置において、
前記波長領域は、近赤外領域であることを特徴とする熱処理装置。 - 請求項1ないし請求項7のいずれかに記載の熱処理装置において、
(i) 前記導出部により導出された可視光領域の光を検出する第2検出部と、
(j) 前記第2検出部から出力された第2検出信号の最大値を保持する第2信号保持部と、
(k) 前記光源から前記基板保持部に向けて前記閃光が出射される場合に、前記第2信号保持部で保持される前記第2検出信号の最大値に基づいて、前記光源の発光状況を監視する監視部と、
をさらに備えることを特徴とする熱処理装置。 - 基板に閃光を照射することによって、前記基板を加熱する熱処理装置において、
(a) 熱処理室と、
(b) 前記熱処理室内に設けられており、前記基板を保持する基板保持部と、
(c) 複数のフラッシュランプを有しており、前記基板保持部側に前記閃光を出射する光源と、
(d) 前記熱処理室内に設けられており、前記熱処理室内の光を導出する導出部と、
(e) 前記導出部により導出された光のうち、可視光領域の光を検出する検出部と、
(f) 前記検出部から出力された検出信号の最大値を保持する信号保持部と、
(g) 前記光源から前記基板に向けて前記閃光が出射される場合に、前記信号保持部で保持される前記検出信号の最大値に基づいて、前記光源の発光状況を監視する監視部と、
を備えることを特徴とする熱処理装置。
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012069890A (ja) * | 2010-09-27 | 2012-04-05 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 熱処理装置および熱処理方法 |
US9025943B2 (en) | 2010-09-28 | 2015-05-05 | SCREEN Holdings Co., Ltd. | Heat treatment apparatus and heat treatment method for heating substrate by irradiating substrate with flashes of light |
Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0442025A (ja) * | 1990-06-07 | 1992-02-12 | M Setetsuku Kk | ウェハー温度測定方法とその装置 |
WO2000058700A1 (fr) * | 1999-03-30 | 2000-10-05 | Tokyo Electron Limited | Systeme de mesure de temperature |
JP2004104071A (ja) * | 2002-07-17 | 2004-04-02 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 熱処理装置 |
JP2005500674A (ja) * | 2001-05-23 | 2005-01-06 | マットソン サーマル プロダクツ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | 基板の熱処理方法および熱処理装置 |
JP2005039213A (ja) * | 2003-06-30 | 2005-02-10 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 光エネルギー吸収比率の測定方法、光エネルギー吸収比率の測定装置および熱処理装置 |
JP2005093750A (ja) * | 2003-09-18 | 2005-04-07 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 熱処理装置 |
JP2005207997A (ja) * | 2004-01-26 | 2005-08-04 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置 |
JP2008235858A (ja) * | 2007-02-20 | 2008-10-02 | National Institute Of Advanced Industrial & Technology | 半導体表面温度測定方法及びその装置 |
-
2008
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Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0442025A (ja) * | 1990-06-07 | 1992-02-12 | M Setetsuku Kk | ウェハー温度測定方法とその装置 |
WO2000058700A1 (fr) * | 1999-03-30 | 2000-10-05 | Tokyo Electron Limited | Systeme de mesure de temperature |
JP2005500674A (ja) * | 2001-05-23 | 2005-01-06 | マットソン サーマル プロダクツ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | 基板の熱処理方法および熱処理装置 |
JP2004104071A (ja) * | 2002-07-17 | 2004-04-02 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 熱処理装置 |
JP2005039213A (ja) * | 2003-06-30 | 2005-02-10 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 光エネルギー吸収比率の測定方法、光エネルギー吸収比率の測定装置および熱処理装置 |
JP2005093750A (ja) * | 2003-09-18 | 2005-04-07 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 熱処理装置 |
JP2005207997A (ja) * | 2004-01-26 | 2005-08-04 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置 |
JP2008235858A (ja) * | 2007-02-20 | 2008-10-02 | National Institute Of Advanced Industrial & Technology | 半導体表面温度測定方法及びその装置 |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012069890A (ja) * | 2010-09-27 | 2012-04-05 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 熱処理装置および熱処理方法 |
US8891948B2 (en) | 2010-09-27 | 2014-11-18 | Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. | Heat treatment apparatus and heat treatment method for heating substrate by irradiating substrate with flashes of light |
US9025943B2 (en) | 2010-09-28 | 2015-05-05 | SCREEN Holdings Co., Ltd. | Heat treatment apparatus and heat treatment method for heating substrate by irradiating substrate with flashes of light |
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