以下、本発明の実施の形態について図面を参照しながら詳細に説明する。
図1は本発明の第1の実施の形態におけるLEDバックライト装置の側断面図、図2は本発明の第1の実施の形態におけるLEDの斜視図、図3は本発明の第1の実施の形態における放熱板の斜視図、図4は本発明の第1の実施の形態におけるLEDバックライト装置を用いた液晶表示装置の側断面図である。
図において、100は本実施の形態におけるバックライト装置としてのLEDバックライト装置、200は本実施の形態における液晶パネルであり、全体で液晶表示装置を構成している。前記LEDバックライト装置100は、前記液晶表示装置の表示面に対して液晶パネル200の裏側に配設されて光源として機能する。
そして、前記LEDバックライト装置100は、第1の基板としての平板状の基板10と、該基板10の第1の面(図1における下側の面)、すなわち、表面上に固着された積層薄膜発光素子であるLED積層薄膜としてのLED11とを有する。そして、該LED11は、該LED11の内で赤色に発光するLED11R、LED11の内で緑色に発光するLED11G及びLED11の内で青色に発光するLED11Bを有する。なお、LED11R、LED11G及びLED11Bを統括的に説明する場合には、LED11として説明する。
また、前記基板10上には、LED11を駆動するためのアノードドライバIC31及びカソードドライバIC32が配設されている。そして、アノードドライバIC31には、各LED11のアノード電極14に接続されるアノード配線12の一端が接続され、カソードドライバIC32には、各LED11のカソード電極15に接続されるカソード配線13の一端が接続されている。
さらに、LEDバックライト装置100は、基板10における第1の面と対向する第2の面、すなわち、裏面(図1における上側の面)に配設された第2の基板としての平板状の光拡散板40と、基板10の第1の面に固着されたLED11の全体を覆うように形成された保護膜19と、該保護膜19の表面(図1における下側の面)、すなわち、LED11が固着された面と反対側の面に熱伝導性接着剤50によって固着された放熱板60とを有する。
ここで、前記基板10は、好ましくは、透光性に優れた石英基板若しくはガラス基板、又は、透光性を有するアクリル等の樹脂基板から成る。そして、基板10の表面には、ポリイミド膜等の有機絶縁膜又は無機絶縁膜が形成され、表面精度が数十ナノメートル以下となるように平坦(たん)化されている。そして、赤色に発光するLED11Rと、緑色に発光するLED11Gと、青色に発光するLED11Bとは、それぞれ、積層薄膜で構成された薄膜LEDであり、後述する工程によって別の基板から剥(はく)離され、前記基板10上に水素結合等の分子間力によって固着され、一体化されている。
また、赤色に発光する前記LED11Rは、アルミガリウム砒(ひ)素、インジュウムアルミガリウム砒素等の無機材料をエピタキシャル成長させて形成した、ヘテロ構造又はダブルヘテロ構造を備える積層薄膜である。なお、前記LED11Rの材質は、波長620〜710ナノメートルに発光域を有するものであれば、いかなる種類のものであってもよく、前記材質に限定されるものではない。また、緑色に発光する前記LED11Gは、アルミガリウムインジュウムリン、ガリウムリン等の無機材料をエピタキシャル成長させて形成した、ヘテロ構造又はダブルヘテロ構造を備える積層薄膜である。なお、前記LED11Gの材質は、波長500〜580ナノメートルに発光域を有するものであれば、いかなる種類のものであってもよく、前記材質に限定されるものではない。さらに、青色に発光する前記LED11Bは、窒化ガリウム、窒化インジュウムガリウム等の無機材料をエピタキシャル成長させて形成した、ヘテロ構造又はダブルヘテロ構造を備える積層薄膜である。なお、前記LED11Bの材質は、波長450〜500ナノメートルに発光域を有するものであれば、いかなる種類のものであってもよく、前記材質に限定されるものではない。
さらに、アノード電極14及びカソード電極15は、金若しくはアルミニウム、又は、金若しくはアルミニウムとニッケル、チタン等の金属材料とを薄膜積層して形成された金属電極であり、各LED11のアノード及びカソードにそれぞれ接続されている。
そして、アノード配線12及びカソード配線13は、金若しくはアルミニウム、又は、金若しくはアルミニウムとニッケル、チタン等の金属材料とを薄膜積層して形成された金属配線であり、各LED11のアノード電極14及びカソード電極15にそれぞれ接続されている。なお、アノード配線12は一端がアノードドライバIC31に接続され、カソード配線13は一端がカソードドライバIC32に接続されているので、これにより、各LED11のアノード電極14及びカソード電極15は、アノード配線12及びカソード配線13を介して、アノードドライバIC31及びカソードドライバIC32に接続される。
また、前記光拡散板40は、透光性を有するプラスチック基板から成る。また、入射光を均一に拡散する機能を有しており、例えば、ポリカーボネート、ポリエチレンテレフタレート等のポリマー材料で形成したものである。なお、前記光拡散板40は、基板10のLED11を形成した面と対向する面に、対向して配置されるように位置合わせされて固定される。
そして、前記保護膜19は、基板10に形成したLED11とアノード電極14及びカソード電極15とをすべて覆うように、ポリイミド膜等の有機絶縁膜又は酸化シリコン膜等の無機絶縁膜によって形成される。なお、アノードドライバIC31及びカソードドライバIC32は、基板10上において保護膜19の外側に配設されている。
さらに、前記保護膜19上に、シリコーン樹脂などの熱伝導性を有する熱伝導性接着剤50を塗布したアルミニウム等の金属から成る放熱板60が接着固定される。
前記アノードドライバIC31は、点灯信号に応じてLED11に電流を供給する機能を有し、例えば、定電流回路、増幅回路等の回路が集積されている。そして、LED11のアノード電極14に接続されたアノード配線12は、アノードドライバIC31の駆動素子に接続されている。図に示される例においては、アノードドライバIC31が基板10上に実装されているが、アノードドライバIC31は、必ずしも基板10上に実装される必要はなく、図示されない他の配線基板等の上に配設されていてもよい。
また、前記カソードドライバIC32は、LED11からの電流を吸い込む機能を有し、トランジスタ等のスイッチ回路が集積されている。そして、LED11のカソード電極15に接続されたカソード配線13がカソードドライバIC32に接続されている。図に示される例においては、カソードドライバIC32が基板10上に実装されているが、カソードドライバIC32は、必ずしも基板10上に実装される必要はなく、図示されない他の配線基板等の上に配設されていてもよい。
次に、前記基板10上のLED11を形成する工程について説明する。
図5は本発明の第1の実施の形態におけるLEDの積層薄膜を剥離する工程を示す図、図6は本発明の第1の実施の形態における基板にLEDの積層薄膜を一体化する工程を示す図である。
図において、18はLED積層薄膜であり、細長い帯状又は短冊状の形状を備える。例えば、赤色に発光するLED11R用のLED積層薄膜18Rは、アルミガリウム砒素、インジュウムアルミガリウム砒素等の複数層から成り、ヘテロ構造又はダブルヘテロ構造を備える積層薄膜である。
また、17は犠牲層であり、前記LED積層薄膜18を母材16から剥離させるため、後述される剥離エッチング液にエッチングされやすい膜、例えば、アルミ砒素層の膜であり、母材16とLED積層薄膜18との間に形成される。
さらに、母材16は、例えば、ガリウム砒素若しくは窒化ガリウム、又は、サファイヤ等の材質から成り、前記母材16上に、MOCVD法等の気相成長法によって、LED積層薄膜18を構成する材質をエピタキシャル成長させる。
次に、エピタキシャル成長させた積層薄膜であるLED11を母材16から剥離する工程について説明する。
例えば、前記LEDバックライト装置100のLED11R、11G及び11Bの合算寸法が、一辺の長さが20ミリメートルの正方形であるとすると、各色のLED11を得るために、20ミリメートルよりも大きな長さで、かつ、20ミリメートルの1/3よりも大きな幅の短冊状にLED積層薄膜18を形成する。この場合、半導体プロセスで広く用いられているホトリソエッチング技術を用い、エッチング液としては燐(りん)酸過水等を用いて、LED積層薄膜18を短冊状に形成する。
その後、弗(ふっ)化水素液、塩酸液等の剥離エッチング液に、剥離するLED積層薄膜18が形成された母材16を浸漬(しんし)させる。これにより、犠牲層17がエッチングされ、LED積層薄膜18が母材16から剥離する。
そして、剥離されたLED積層薄膜18を表面が平坦化された基板10上に押し付け、水素結合等の分子間力によって、基板10とLED積層薄膜18とを固着して一体化する。
ここで、前記基板10の最表面は、ポリイミド膜等の有機絶縁膜又は酸化シリコン膜等の無機絶縁膜が形成され、好ましくは、表面精度が数十ナノメートル以下の凹凸のない平坦化された表面となっている。このように、基板10の最表面を凹凸のない平坦化された面とすることによって、前記LED積層薄膜18との水素結合等の分子間力による結合が容易となる。
このような工程を、LED積層薄膜18に対して、繰り返し行う。これにより、図6に示されるように、複数列、例えば、3列のLED積層薄膜18R、18G及び18Bが基板10上に固着されて一体化される。
続いて、基板10上に一体化された各LED積層薄膜18に、例えば、エッチング液として燐酸過水を用いたホトリソエッチング法によって、アノード電極14及びカソード電極15の接合部を形成する。さらに、LED11のアノード電極14及びカソード電極15、並びに、アノード電極14及びカソード電極15に接続されるアノード配線12及びカソード配線13を、蒸着、ホトリソエッチング法又はリフトオフ法によって形成する。さらに、基板10上にアノードドライバIC31及びカソードドライバIC32を実装し、アノード配線12及びカソード配線13をアノードドライバIC31及びカソードドライバIC32に接続する。
また、ここでは、LED積層薄膜18を短冊状に形成し、LED11R、11G及び11Bの合算寸法が一辺の長さが20ミリメートルの正方形となるようにした例について説明したが、合算寸法は20ミリメートルに限定されるものではなく、また、形状も長方形、多角形、円形、楕(だ)円形等いかなる形状であってもよい。さらに、各LED11を同じ寸法の短冊状のLED積層薄膜18で構成した例について説明したが、各色の配色や重み付けに応じて、それぞれ異なる寸法に構成してもよく、また、形状も三角形、正方形、多角形、円形、楕円形等いかなる形状であってもよい。
また、LED11R、11G及び11Bを1個ずつ配設する例について説明したが、必要な輝度やLEDバックライト装置100のサイズに応じて、LED11R、11G及び11Bを複数個ずつ配設してもよいし、それに伴い、アノード配線12及びカソード配線13を必要数だけ配設してもよい。
次に、前記構成のLEDバックライト装置100の動作について説明する。
まず、図示されないパーソナルコンピュータ等の上位装置から送信された点灯信号がアノードドライバIC31に入力されると、各色のLED11の発光の混合色が所望する白色になるように、各色でそれぞれ調整して、前記アノードドライバIC31の増幅回路から異なる電流値に設定された安定電流が各アノード配線12を介して各アノード電極14に供給される。そして、前記点灯信号がカソードドライバIC32に入力されると、スイッチ回路によって前記カソードドライバIC32がカソード配線13を介してLED11のカソード電極15から電流を吸い込み、各色のLED11R、11G及び11Bが点灯信号に応じて発光する。該LED11R、11G及び11Bの発光は、図1における矢印Aで示されるように、光拡散板40に入射し、各色が均一に拡散され、図1における矢印Bで示されるように、所望する白色光が光拡散板40から出射する。
この場合、LED11R、11G及び11Bの発光に伴って発生した熱は、保護膜19、熱伝導性接着剤50及び放熱板60を介して拡散するため、基板10及び光拡散板40の温度は、ほとんど上昇しない。
このように、本実施の形態においては、半導体プロセスによってLED11、アノード配線12及びカソード配線13を形成することができ、また、LED11とアノード配線12及びカソード配線13とを接続することができるので、非常に薄いLEDバックライト装置100を得ることができる。
次に、本発明の第2の実施の形態について説明する。なお、第1の実施の形態と同じ構造を有するものについては、同じ符号を付与することによってその説明を省略する。また、前記第1の実施の形態と同じ動作及び同じ効果についても、その説明を省略する。
図7は本発明の第2の実施の形態におけるLEDバックライト装置の側断面図である。
本実施の形態において、LEDバックライト装置100は、反射膜24を備え、LED11から放射された光を反射する。具体的には、基板10の第1の面に固着されたLED11の全体を覆うように保護膜19上に反射膜24が形成され、さらに、該反射膜24の全体を覆うように第2の保護膜20が形成されている。
この場合、前記第1の実施の形態と同様に、基板10上に形成したLED11、アノード電極14、カソード電極15、アノード配線12及びカソード配線13をすべて覆うように、ポリイミド膜等の有機絶縁膜又は酸化シリコン膜等の無機絶縁膜によって保護膜19を形成する。また、アノードドライバIC31及びカソードドライバIC32は、基板10上において保護膜19の外側に配設されている。なお、図において、アノード電極14、カソード電極15、アノード配線12、カソード配線13及びアノードドライバIC31の図示は省略されている。
前記反射膜24は、LED11の裏面から出射した各色の発光を反射するために設けられており、金若しくはアルミニウム、又は、金若しくはアルミニウムとニッケル、チタン等の金属材料とが薄膜積層された金属膜を、保護膜19の表面に成膜してパターニングすることによって形成される。
また、前記第2の保護膜20は、ポリイミド膜等の有機絶縁膜又は酸化シリコン膜等の無機絶縁膜であり、前記反射膜24の上に形成される。
そして、前記第1の実施の形態と同様に、前記第2の保護膜20上に、シリコーン樹脂などの熱伝導性を有する熱伝導性接着剤50を塗布したアルミニウム等の金属から成る放熱板60が接着固定される。
なお、LEDバックライト装置100のその他の点の構成については、前記第1の実施の形態と同様であるので、その説明を省略する。
次に、本実施の形態におけるLEDバックライト装置100の動作について説明する。
まず、図示されないパーソナルコンピュータ等の上位装置から送信された点灯信号がアノードドライバIC31に入力されると、各色のLED11の発光の混合色が所望する白色になるように、各色でそれぞれ調整して、前記アノードドライバIC31の増幅回路から異なる電流値に設定された安定電流が各アノード配線12を介して各アノード電極14に供給される。そして、前記点灯信号がカソードドライバIC32に入力されると、スイッチ回路によって前記カソードドライバIC32がカソード配線13を介してLED11のカソード電極15から電流を吸い込み、各色のLED11R、11G及び11Bが点灯信号に応じて発光する。該LED11R、11G及び11Bの各裏面から出射した発光は、反射膜24で反射され、該LED11R、11G及び11Bの各表面から出射した発光と一緒に、図7における矢印Aで示されるように、光拡散板40に入射し、各色が均一に拡散され、図7における矢印Bで示されるように、所望する白色光が光拡散板40から出射する。
この場合、LED11R、11G及び11Bの発光に伴って発生した熱は、保護膜19、第2の保護膜20、反射膜24、熱伝導性接着剤50及び放熱板60を介して拡散するため、基板10及び光拡散板40の温度は、ほとんど上昇しない。
このように、本実施の形態においては、LEDバックライト装置100は、LED11を覆う保護膜19の面上に形成された反射膜24を有する。また、半導体プロセスによってLED11、アノード配線12及びカソード配線13を形成することができ、LED11とアノード配線12及びカソード配線13とを接続することができる。したがって、前記第1の実施の形態よりも高輝度な、薄型のLEDバックライト装置100を提供することができる。
次に、本発明の第3の実施の形態について説明する。なお、第1及び第2の実施の形態と同じ構造を有するものについては、同じ符号を付与することによってその説明を省略する。また、前記第1及び第2の実施の形態と同じ動作及び同じ効果についても、その説明を省略する。
図8は本発明の第3の実施の形態におけるLEDを透光性を有する光拡散板に形成したLEDバックライト装置の側断面図である。
本実施の形態において、LEDバックライト装置100は、第1の基板としての平板状の光拡散板40を有する。ここで、該光拡散板40は、透光性と入射光を均一に拡散する機能とを備える、ポリカーボネート、ポリエチレンテレフタレート等のポリマー材料から成るものである。
そして、前記光拡散板40の表面には、前記第1の実施の形態における基板10の表面と同様に、ポリイミド膜等の有機絶縁膜又は無機絶縁膜が形成され、表面精度が数十ナノメートル以下となるように平坦化されている。この場合、赤色に発光するLED11Rと、緑色に発光するLED11Gと、青色に発光するLED11Bとは、それぞれ、積層薄膜で構成された薄膜LEDであり、前記第1の実施の形態で説明した工程と同様の工程によって、別の基板から剥離され、前記光拡散板40上に水素結合等の分子間力によって固着され、一体化されている。
また、前記光拡散板40の表面には、LED11を駆動するためのアノードドライバIC31及びカソードドライバIC32が実装され、さらに、アノード電極14、カソード電極15、アノード配線12及びカソード配線13も、前記第1の実施の形態で説明した工程と同様の工程によって形成される。なお、図において、アノード電極14、カソード電極15、アノード配線12、カソード配線13及びアノードドライバIC31の図示は省略されている。
そして、前記光拡散板40上に形成したLED11、アノード電極14、カソード電極15、アノード配線12及びカソード配線13を覆うように、ポリイミド膜等の有機絶縁膜又は酸化シリコン膜等の無機絶縁膜によって保護膜19を形成する。また、アノードドライバIC31及びカソードドライバIC32は、基板10上において保護膜19の外側に配設されている。
さらに、前記第1の実施の形態と同様に、前記保護膜19上に、シリコーン樹脂などの熱伝導性を有する熱伝導性接着剤50を塗布したアルミニウム等の金属から成る放熱板60が接着固定される。
次に、本実施の形態におけるLEDバックライト装置100の動作について説明する。
まず、図示されないパーソナルコンピュータ等の上位装置から送信された点灯信号がアノードドライバIC31に入力されると、各色のLED11の発光の混合色が所望する白色になるように、各色でそれぞれ調整して、前記アノードドライバIC31の増幅回路から異なる電流値に設定された安定電流が各アノード配線12を介して各アノード電極14に供給される。そして、前記点灯信号がカソードドライバIC32に入力されると、スイッチ回路によって前記カソードドライバIC32がカソード配線13を介してLED11のカソード電極15から電流を吸い込み、各色のLED11R、11G及び11Bが点灯信号に応じて発光する。該LED11R、11G及び11Bの発光は、図8における矢印Aで示されるように、光拡散板40に入射し、各色が均一に拡散され、図8における矢印Bで示されるように、所望する白色光が光拡散板40から出射する。
この場合、LED11R、11G及び11Bの発光に伴って発生した熱は、保護膜19、熱伝導性接着剤50及び放熱板60を介して拡散するため、光拡散板40の温度は、ほとんど上昇しない。
このように、本実施の形態においては、LED11が透光性を有する光拡散板40の面上に直接形成される。また、半導体プロセスによってLED11、アノード配線12及びカソード配線13を形成することができ、LED11とアノード配線12及びカソード配線13とを接続することができる。したがって、前記第1の実施の形態よりも簡単な構成で、より軽く、より薄型のLEDバックライト装置100を提供することができる。
次に、本発明の第4の実施の形態について説明する。なお、第1〜第3の実施の形態と同じ構造を有するものについては、同じ符号を付与することによってその説明を省略する。また、前記第1〜第3の実施の形態と同じ動作及び同じ効果についても、その説明を省略する。
図9は本発明の第4の実施の形態におけるLEDバックライト装置の側断面図、図10は本発明の第4の実施の形態におけるLEDの斜視図、図11は本発明の第4の実施の形態におけるLEDの配置を示す図、図12は本発明の第4の実施の形態におけるLEDの他の配置を示す図である。
本実施の形態において、LEDバックライト装置100は、第1の基板としての平板状の基板10と、該基板10上に固着されたLED積層薄膜としてのLED11とを有する。そして、該LED11は、該LED11の内で赤色に発光するLED11R1、LED11R2及びLED11R3、LED11の内で緑色に発光するLED11G1、LED11G2及びLED11G3、並びに、LED11の内で青色に発光するLED11B1、LED11B2及びLED11B3を有する。
なお、LED11R1、LED11R2、LED11R3、LED11G1、LED11G2、LED11G3、LED11B1、LED11B2及びLED11B3を統括的に説明する場合にはLED11として説明し、LED11R1、LED11R2及びLED11R3を統括的に説明する場合にはLED11Rとして説明し、LED11G1、LED11G2及びLED11G3を統括的に説明する場合にはLED11Gとして説明し、LED11B1、LED11B2及びLED11B3を統括的に説明する場合にはLED11Bとして説明する。
また、前記LED11の数は、任意に設定することができるが、ここでは、図示の都合上、9個であるものとして説明する。また、LED11の配列の仕方も任意に設定することができるが、ここでは、格子状に配列されたアレイとなっているものとして説明する。すなわち、図10及び11に示される例において、LED11は、3列3行の正方格子状に等間隔に配列されている。
そして、各列には赤色に発光するLED11R、緑色に発光するLED11G及び青色に発光するLED11Bが1個ずつ含まれ、かつ、直列に接続されるように結線されている。この場合、アノードドライバIC31には、各列の中で最もアノードドライバIC31に近接したLED11のアノード電極14に接続されるアノード配線12の一端が接続される。また、カソードドライバIC32には、各列の中で最もアノードドライバIC31から離間したLED11のカソード電極15に接続されるカソード配線13の一端が接続されている。さらに、各列において隣接するLED11のアノード電極14とカソード電極15とは連結配線21に接続されている。すなわち、LED11は連結配線21を介して各列毎に直列接続され、各列の両端に位置するLED11のアノード電極14及びカソード電極15はアノード配線12及びカソード配線13を介してアノードドライバIC31及びカソードドライバIC32に接続されている。
さらに、LEDバックライト装置100は、基板10における第1の面と対向する第2の面、すなわち、裏面(図9における上側の面)に配設された第2の基板としての平板状の光拡散板40と、基板10の第1の面に固着されたLED11の全体を覆うように形成された保護膜19と、該保護膜19の表面(図9における下側の面)、すなわち、LED11が固着された面と反対側の面に熱伝導性接着剤50によって固着された放熱板60とを有する。
ここで、前記基板10は、好ましくは、透光性に優れた石英基板若しくはガラス基板、又は、透光性を有するアクリル等の樹脂基板から成る。そして、基板10の表面には、ポリイミド膜等の有機絶縁膜又は無機絶縁膜が形成され、表面精度が数十ナノメートル以下となるように平坦化されている。そして、赤色に発光するLED11Rと、緑色に発光するLED11Gと、青色に発光するLED11Bとは、それぞれ、積層薄膜で構成された薄膜LEDであり、後述する工程によって別の基板から剥離され、前記基板10上に水素結合等の分子間力によって固着され、一体化されている。
また、赤色に発光する前記LED11Rは、アルミガリウム砒素、インジュウムアルミガリウム砒素等の無機材料をエピタキシャル成長させて形成した、ヘテロ構造又はダブルヘテロ構造を備える積層薄膜である。なお、前記LED11Rの材質は、波長620〜710ナノメートルに発光域を有するものであれば、いかなる種類のものであってもよく、前記材質に限定されるものではない。また、緑色に発光する前記LED11Gは、アルミガリウムインジュウムリン、ガリウムリン等の無機材料をエピタキシャル成長させて形成した、ヘテロ構造又はダブルヘテロ構造を備える積層薄膜である。なお、前記LED11Gの材質は、波長500〜580ナノメートルに発光域を有するものであれば、いかなる種類のものであってもよく、前記材質に限定されるものではない。さらに、青色に発光する前記LED11Bは、窒化ガリウム、窒化インジュウムガリウム等の無機材料をエピタキシャル成長させて形成した、ヘテロ構造又はダブルヘテロ構造を備える積層薄膜である。なお、前記LED11Bの材質は、波長450〜500ナノメートルに発光域を有するものであれば、いかなる種類のものであってもよく、前記材質に限定されるものではない。
さらに、アノード電極14及びカソード電極15は、金若しくはアルミニウム、又は、金若しくはアルミニウムとニッケル、チタン等の金属材料とを薄膜積層して形成された金属電極であり、各LED11のアノード及びカソードにそれぞれ接続されている。
そして、アノード配線12及びカソード配線13並びに連結配線21は、金若しくはアルミニウム、又は、金若しくはアルミニウムとニッケル、チタン等の金属材料とを薄膜積層して形成された金属配線であり、赤色に発光するLED11Rと、緑色に発光するLED11Gと、青色に発光するLED11Bとを1個ずつ直列接続するようにアノード電極14及びカソード電極15にそれぞれ接続されている。
例えば、図11に示されるように、ライン状に並んだLED11R1、11G1及び11B1から成るLED11の列では、LED11R1のアノード電極14にアノード配線12が接続され、LED11R1のカソード電極15とLED11G1のアノード電極14とが連結配線21で接続され、LED11G1のカソード電極15とLED11B1のアノード電極14とが連結配線21で接続され、LED11B1のカソード電極15とカソード配線13が接続され、LED11R1、11G1及び11B1が電気的に直列接続されている。同様に、LED11の他の列においても、ライン状に並んだ各色のLED11G2、11B2及び11R2、並びに、LED11B3、11R3及び11G3を1個ずつ電気的に直列接続している。なお、アノード配線12は一端がアノードドライバIC31に接続され、カソード配線13は一端がカソードドライバIC32に接続されている。これにより、各LED11のアノード電極14及びカソード電極15は、アノード配線12及びカソード配線13並びに連結配線21を介して、アノードドライバIC31及びカソードドライバIC32に各々接続される。
図10及び11に示される例では、総計9個のLED11が3列3行の正方格子状に等間隔に配列されているが、LEDバックライト装置100に要求される輝度やLEDバックライト装置100のサイズに応じて、LED11の数や配列を適宜変更することができる。例えば、図12に示されるように、総計12個のLED11を、3個のLED11から成るトライアングル状の島又は群を4つ形成するように配列することもできる。
この場合、トライアングル状に配列されたLED11R1、11G1及び11B1の組み合わせにおいて、LED11R1のアノード電極14にアノード配線12が接続され、LED11R1のカソード電極15とLED11G1のアノード電極14とが連結配線21で接続され、LED11G1のカソード電極15とLED11B1のアノード電極14とが連結配線21で接続され、LED11B1のカソード電極15とカソード配線13が接続され、LED11R1、11G1及び11B1が電気的に直列接続されている。同様に、他の3つの組み合わせにおいても、トライアングル状に配列されたLED11R、11G及び11Bが1個ずつ電気的に直列接続されている。なお、アノード配線12は一端がアノードドライバIC31に接続され、カソード配線13は一端がカソードドライバIC32に接続されている。これにより、各LED11のアノード電極14及びカソード電極15はアノード配線12及びカソード配線13並びに連結配線21を介してアノードドライバIC31及びカソードドライバIC32に各々接続されている。
また、前記LEDバックライト装置100は、平板状の光拡散板40を有する。ここで、該光拡散板40は、透光性を有するプラスチック基板から成る。また、入射光を均一に拡散する機能を有しており、例えば、ポリカーボネート、ポリエチレンテレフタレートなどのポリマー材料によって形成されたものである。
そして、前記保護膜19は、基板10に形成したLED11とアノード電極14及びカソード電極15とをすべて覆うように、ポリイミド膜等の有機絶縁膜又は酸化シリコン膜等の無機絶縁膜によって形成される。なお、アノードドライバIC31及びカソードドライバIC32は、基板10上において保護膜19の外側に配設されている。
さらに、前記保護膜19上に、シリコーン樹脂などの熱伝導性を有する熱伝導性接着剤50を塗布したアルミニウム等の金属から成る放熱板60が接着固定される。
前記アノードドライバIC31は、点灯信号に応じてLED11に電流を供給する機能を有し、例えば、定電流回路、増幅回路等の回路が集積されている。そして、LED11のアノード電極14に接続されたアノード配線12は、アノードドライバIC31の駆動素子に接続されている。図に示される例においては、アノードドライバIC31が基板10上に実装されているが、アノードドライバIC31は、必ずしも基板10上に実装される必要はなく、図示されない他の配線基板等の上に配設されていてもよい。
また、前記カソードドライバIC32は、LED11からの電流を吸い込む機能を有し、トランジスタ等のスイッチ回路が集積されている。そして、LED11のカソード電極15に接続されたカソード配線13がカソードドライバIC32に接続されている。図に示される例においては、カソードドライバIC32が基板10上に実装されているが、カソードドライバIC32は、必ずしも基板10上に実装される必要はなく、図示されない他の配線基板等の上に配設されていてもよい。
次に、前記基板10上のLED11を形成する工程について説明する。
図13は本発明の第4の実施の形態におけるLEDの積層薄膜を剥離する工程を示す図、図14は本発明の第4の実施の形態における基板にLEDの積層薄膜を一体化する工程を示す第1の図、図15は本発明の第4の実施の形態における基板にLEDの積層薄膜を一体化する工程を示す第2の図である。
図において、18はLED積層薄膜であり、矩(く)形の平板状の形状を備える。例えば、赤色に発光するLED11R用のLED積層薄膜18Rは、アルミガリウム砒素、インジュウムアルミガリウム砒素等の複数層から成り、ヘテロ構造又はダブルヘテロ構造を備える積層薄膜である。
また、17は犠牲層であり、前記LED積層薄膜18を母材16から剥離させるため、剥離エッチング液にエッチングされやすい膜、例えば、アルミ砒素層の膜であり、母材16とLED積層薄膜18との間に形成される。
さらに、母材16は、例えば、ガリウム砒素若しくは窒化ガリウム、又は、サファイヤ等の材質から成り、前記母材16上に、MOCVD法等の気相成長法によって、LED積層薄膜18を構成する材質をエピタキシャル成長させる。
次に、エピタキシャル成長させた積層薄膜であるLED11を母材16から剥離する工程について説明する。
例えば、前記LEDバックライト装置100の各LED11の寸法を、一辺の長さが2ミリメートルの正方形であるとすると、それよりも大きなLED積層薄膜18を形成する。この場合、半導体プロセスで広く用いられているホトリソエッチング技術を用い、エッチング液としては燐酸過水等を用いて、LED積層薄膜18を正方形に形成する。
その後、弗化水素液、塩酸液等の剥離エッチング液に、剥離するLED積層薄膜18が形成された母材16を浸漬させる。これにより、犠牲層17がエッチングされ、LED積層薄膜18が母材16から剥離する。
そして、剥離されたLED積層薄膜18を表面が平坦化された基板10上に押し付け、水素結合等の分子間力によって、基板10とLED積層薄膜18とを固着して一体化する。
ここで、前記基板10の最表面は、ポリイミド膜等の有機絶縁膜又は酸化シリコン膜等の無機絶縁膜が形成され、好ましくは、表面精度が数十ナノメートル以下の凹凸のない平坦化された表面となっている。このように、基板10の最表面を凹凸のない平坦化された面とすることによって、前記LED積層薄膜18との水素結合等の分子間力による結合が容易となる。
このような工程を、LED積層薄膜18に対して、繰り返し行う。これにより、図14又は15に示されるように、複数列、例えば、3列3行の正方格子状又はトライアングル状の島を4つ形成するように、LED積層薄膜18R1、18R2、18R3及び18R4と、LED積層薄膜18G1、18G2、18G3及び18G4と、LED積層薄膜18B1、18B2、18B3及び18B4とが基板10上に固着されて一体化される。
続いて、基板10上に一体化された各LED積層薄膜18に、例えば、エッチング液として燐酸過水を用いたホトリソエッチング法によって、アノード電極14及びカソード電極15の接合部を形成する。さらに、LED11のアノード電極14及びカソード電極15、並びに、アノード電極14及びカソード電極15に接続されるアノード配線12及びカソード配線13を、蒸着、ホトリソエッチング法又はリフトオフ法によって形成する。さらに、基板10上にアノードドライバIC31及びカソードドライバIC32を実装し、アノード配線12及びカソード配線13をアノードドライバIC31及びカソードドライバIC32に接続する。
また、ここでは、LED積層薄膜18を一辺の長さが2ミリメートルの正方形となるようにした例について説明したが、寸法は2ミリメートルに限定されるものではなく、各色の配色や重み付けに応じてそれぞれ異なる寸法に構成してもよく、また、形状も三角形、正方形、多角形、円形、楕円形等いかなる形状であってもよい。
次に、前記構成のLEDバックライト装置100の動作について説明する。
まず、赤色に発光するLED11Rと、緑色に発光するLED11Gと、青色に発光するLED11Bとを1個ずつ直列接続するように接続した3個のLED11の組み合わせに対して、図示されないパーソナルコンピュータ等の上位装置から送信された点灯信号がアノードドライバIC31に入力される。すると、該アノードドライバIC31の定電流回路、増幅回路等の回路からアノード配線12を介して、安定電流が各組み合わせの1番目のLED11のアノード電極14に供給される。そして、前記点灯信号がカソードドライバIC32に入力されると、スイッチ回路によって前記カソードドライバIC32がカソード配線13を介して各組み合わせの3番目のLED11のカソード電極15から電流を吸い込む。これにより、それぞれ、各色1個ずつ直列に接続された3個のLED11を介して、アノードドライバIC31からカソードドライバIC32に電流が流れ、各色のLED11が点灯信号に応じて発光する。
この場合、すべての組み合わせにおいて、赤色に発光するLED11Rと、緑色に発光するLED11Gと、青色に発光するLED11Bとを1個ずつ直列接続するように接続しているため、LED11単体のばらつきを無視すれば、3色の異なる基本特性のLED11をすべて同じ供給電圧及び電流条件で動作させることができる。
また、LED11R、11G及び11Bの発光に伴って発生した熱は、保護膜19、熱伝導性接着剤50及び放熱板60を介して拡散するため、基板10及び光拡散板40の温度は、ほとんど上昇しない。
このように、本実施の形態においては、赤色に発光するLED11Rと、緑色に発光するLED11Gと、青色に発光するLED11Bとを1個ずつ直列接続した組み合わせが複数個構成されるように、LED11が配列されている。そして、前記第1の実施の形態と同様に、半導体プロセスによってLED11、アノード配線12及びカソード配線13を形成することができる。したがって、前記第1の実施の形態よりも簡単な回路構成でありながら、大型で高輝度な、薄型のLEDバックライト装置100を提供することができる。
なお、本発明は前記実施の形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨に基づいて種々変形させることが可能であり、それらを本発明の範囲から排除するものではない。