JP2010113800A - 偏光性回折素子 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】半導体レーザ5からの出射光である第1の直線偏光の入射光に対しては3ビームの発生用回折格子として作用し、かつ光ディスク7からの反射戻り光である、第1の直線偏光と直交する偏光方向の第2の直線偏光の入射光に対しては光源から遠ざける回折格子として作用する複屈折性材料からなる偏光性回折素子1を作製して、この偏光性回折素子1を光ヘッド装置の光源5とビームスプリッタ4との間の光路中に設置する。
【選択図】図1
Description
偏光性回折素子:
前記光源からの出射光である第1の直線偏光が前記偏光性回折素子へ入射するときは、前記光記録媒体へ入射して信号検出するための3ビームの発生用回折格子として作用して、前記第1の直線偏光の50%以上を0次回折光として直進透過させ、また前記光記録媒体からの反射光であって前記第1の直線偏光と直交する偏光方向の第2の直線偏光が前記偏光性回折素子へ入射するときは、前記第2の直線偏光を光源から遠ざける回折格子として作用して、前記第2の直線偏光の90%以上を回折させる。
まず、本例の光ヘッド装置に用いられた回折素子について、図4を用いて説明する。一方の面に反射防止膜が形成された透光性平面基板11であるガラス基板の他方の面上に、複屈折性材料13として常光屈折率noが1.55および異常光屈折率neが1.70の高分子液晶層を形成し、フォトリソグラフィとエッチングの技術により直線状の格子ピッチが5μm、凹部の深さが2.6μmの凹凸周期構造を作製した。また、透光性平面基板12の外側の面にSiO2の膜を厚さ0.24μmに成膜した後、フォトリソグラフィとエッチングの技術により格子ピッチが25μm、凹凸段差が0.24μmの回折格子15を作製し、その表面に反射防止膜を形成した。
まず、本例の光ヘッド装置に用いられた回折素子について、図5を用いて説明する。一方の面に反射防止膜が形成された透光性平面基板11であるガラス基板の他方の面上に、複屈折性材料13として常光屈折率noが1.55および異常光屈折率neが1.70の高分子液晶層を形成し、フォトリソグラフィとエッチングの技術により直線状の格子ピッチが25μm、凹部の深さが1.9μmの凹凸周期構造を作製した。透光性平面基板12の片面に反射防止膜を形成した。
10、20、30、40:回折素子
2、16:1/4波長板(位相板)
3:対物レンズ
4:ビ−ムスプリッタ
5:半導体レーザ
6:光検出器
7:光ディスク(光記録媒体)
11、12:透光性平面基板
13:複屈折性材料
14、17:等方性屈折率透明材料(透光性接着材)
15:回折格子
Claims (3)
- 光源と、
前記光源からの出射光を光記録媒体に集光する対物レンズと、
前記光記録媒体からの反射光を検出する光検出器と、
前記光源からの出射光を前記対物レンズ側へ反射しかつ前記光記録媒体からの反射光の一部を前記光検出器側へ透過するとともに反射光の残りの部分を前記光源側へ反射するビームスプリッタとを備え、前記光記録媒体に情報の記録および再生を行う光ヘッド装置であって、前記光源と前記ビームスプリッタとの間の光路中に、複屈折性材料からなる下記の偏光性回折素子が設置されていることを特徴とする光ヘッド装置。
偏光性回折素子:
前記光源からの出射光である第1の直線偏光が前記偏光性回折素子へ入射するときは、前記光記録媒体へ入射して信号検出するための3ビームの発生用回折格子として作用して、前記第1の直線偏光の50%以上を0次回折光として直進透過させ、
また前記光記録媒体からの反射光であって前記第1の直線偏光と直交する偏光方向の第2の直線偏光が前記偏光性回折素子へ入射するときは、前記第2の直線偏光を光源から遠ざける回折格子として作用して、前記第2の直線偏光の90%以上を回折させる。 - 前記偏光性回折素子は、常光屈折率noおよび異常光屈折率ne(no≠ne)を有する複屈折性材料を断面形状が段差dの周期的凹凸状となるよう加工され、その凹部に屈折率nsの等方性屈折率透明材料が充填され、|ne−ns|×dが入射光の波長λの(m+1/2)倍である(mは0を含む正の整数)とともに、|no−ns|×dが入射光の波長λの(k+1/4)倍から(k+1/12)倍まで(kは0を含む正の整数)の範囲にある請求項1に記載の光ヘッド装置。
- 前記偏光性回折素子に、または、前記偏光性回折素子と前記対物レンズとの間の光路中に、前記第1の直線偏光の入射光に対する透過光の位相差がπ/2の奇数倍となる位相板を配設し、前記第1の直線偏光の入射光が前記位相板を往復して透過することにより前記第2の直線偏光に変換される請求項1または請求項2に記載の光ヘッド装置。
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JP2010008593A JP2010113800A (ja) | 2010-01-18 | 2010-01-18 | 偏光性回折素子 |
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2010
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