JP2010109280A - 太陽電池の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】太陽電池の発電性能を安定させるとともに、太陽電池の製造時における歩留まりの向上を図ることができる太陽電池の製造方法を提供する。
【解決手段】メンテナンス等で大気開放された後に閉じられた容器の内部の気体を排気して真空度を上げる排気工程Ｓ２と、不活性ガスに酸素原子を含む混入ガスを所定濃度だけ混合させた混合ガスを排気された容器の内部に満たし、容器の内部に配置されたターゲットと基板との間に電圧を印加して、太陽電池を構成する膜を基板に製膜する本製膜工程Ｓ４と、本製膜工程Ｓ４の前に、混合ガスにおける混入ガスの濃度を、所定濃度よりも低くした混合ガスを容器の内部に供給して、基板に膜を所定期間の間だけ製膜する初期製膜工程Ｓ３と、を有することを特徴とする。
【選択図】図１８

Description

本発明は、太陽電池の製造方法に関し、特に発電層を製膜で作成する薄膜系太陽電池の製造方法に関する。

一般に、薄膜太陽電池の構成膜の一部である透明導電膜となる酸化亜鉛膜（ＧａをドープしたＺｎＯであるＧＺＯ膜など）をスパッタ製膜する際には、アルゴン（Ａｒ）ガスに酸素（Ｏ_２）ガスを若干混合して、透過性に優れた安定した酸化膜を形成するように工夫がなされている（例えば、特許文献１および２参照。）。

例えば、特許文献１には、酸化亜鉛のスパッタ製膜中に酸素流量を変化させて導電率を連続的に変化させることが記載されている。
その一方で、特許文献２には、膜形成時に真空容器の壁面から離れた吸着分子からなる脱ガスが、製膜対象の反射用金属膜に入り、反射率が低下することを防止するため、ベース圧力が４×１０^−４Ｐａの減圧雰囲気下で膜形成を行うことが記載されている。

供給される酸素ガスの流量が少ないと、製膜されたＧＺＯ膜における光の透過率は、波長が６００ｎｍ以上の長波長側で低下するが、一方、供給される酸素ガスの流量が多いと、波長が４００ｎｍ以下の短波長側で低下する。
そのため、ＧＺＯ膜をスパッタ製膜する際には、適切な酸素ガスの流量（濃度）が必要なことが判明している。
特開２００３−２７３１３４号公報 特開２００３−１７４１７７号公報

その一方で、太陽電池を量産する場合には、数十時間の製膜処理を実施した後、言い換えると、数百枚から数千枚程度の太陽電池に対して製膜処理を実施した後、ターゲット交換を行うために、真空チャンバを開放したメンテナンスが行われている。

このように、スパッタリング装置を大気開放してメンテナンスを行った後は、原因が不明瞭のまま、ＧＺＯ膜の特性が安定して製膜されるまで、つまり太陽電池の性能が安定するまで時間を要し、その間に生産された太陽電池モジュールの性能が低い状態にあるという問題があった。

本発明は、上記の課題を解決するためになされたものであって、太陽電池の発電性能を安定させるとともに、太陽電池の製造時における歩留まりの向上を図ることができる太陽電池の製造方法を提供することを目的とする。

上記目的を達成するために、本発明は、以下の手段を提供する。
本発明の太陽電池の製造方法は、大気開放された後に閉じられた容器の内部の気体を排気して真空度を上げる排気工程と、基板を設置し、不活性ガスに酸素原子を含む混入ガスを所定濃度だけ混合させた混合ガスを排気された前記容器の内部に満たし、前記容器の内部に配置されたターゲットと前記基板との間に電圧を印加して、スパッタリング法により太陽電池を構成する膜を前記基板に製膜する本製膜工程と、該本製膜工程の前に、前記混合ガスにおける前記混入ガスの濃度を、前記所定濃度よりも低くした前記混合ガスを前記容器の内部に供給して、前記基板に前記膜を所定期間の間だけ製膜する初期製膜工程と、を有することを特徴とする。

本発明によれば、大気開放時に容器の内面などに吸着した酸素ガスや水蒸気ガスなどが、初期製膜工程において容器の内面から脱着するため、当該工程における容器の内部に満たされた混合ガスに、脱着した酸素ガスや、水蒸気ガスの分解により生じた酸素ガスが混ざる。つまり、初期製膜工程における容器の内部は、本製膜工程における混合ガスに近い比率で混合された不活性ガスと混入ガスの雰囲気となり、これにより容器の内部が満たされる。
そのため、初期製膜工程において製膜された膜と、本製膜工程において製膜された膜との間の特性の差が小さくなる。

さらに、所定の処理基板枚数（所定期間）だけ初期製膜工程を継続した後に、言い換えると、容器の内面から脱着する酸素ガスや水蒸気ガスなどの量が減少するころに本製膜工程に切り替わるため、容器の内部に満たされる混合ガスにおける不活性ガスと混入ガスの酸素原子との混合比率は、初期製膜工程と本製膜工程との間で略一定となる。

上記発明においては、前記初期製膜工程において、前記容器に供給される前記混入ガスの流量を時間の経過とともに増やすことが望ましい。

本発明によれば、初期製膜工程において容器の内面から脱着する酸素ガスや水蒸気ガスなどの量が基板処理枚数（時間の経過）とともに徐々に減少しても、容器に供給される混入ガスの流量が基板処理枚数（時間の経過）とともに増えるため、容器の内部に満たされる混合ガスにおける不活性ガスと混入ガスの酸素原子との混合比率は略一定となる。
さらに、混入ガスの流量を段階的に増やす方法と比較して、混合ガスにおける不活性ガスと混入ガスの酸素原子との混合比率を正確に調節することができる。

上記発明においては、前記初期製膜工程において、前記容器に供給される前記混入ガスの流量を段階的に増やすことが望ましい。

本発明によれば、初期製膜工程において容器の内面から脱着する酸素ガスなどの量が時間の経過とともに徐々に減少しても、容器に供給される混入ガスの流量が基板処理枚数（時間の経過）とともに増えるため、容器の内部に満たされる混合ガスにおける不活性ガスと混入ガスの酸素原子との混合比率は、初期製膜工程と本製膜工程との間で略一定となる。
さらに、混入ガスの流量を時間の経過とともに増やす方法と比較して、混合ガスにおける不活性ガスと混入ガスとの混合比率の調節が容易となる。

上記発明においては、前記混入ガスは酸素ガスであることが望ましい。

本発明によれば、酸素ガス（Ｏ_２）は酸素（Ｏ）のみから構成されているため、ターゲットと基板との間の領域に酸素（Ｏ）を効率的に供給することができる。

上記発明においては、前記混入ガスは二酸化炭素ガスであることが望ましい。

本発明によれば、二酸化炭素ガス（ＣＯ_２）が分解されることにより、ターゲットと基板との間の領域に酸素（Ｏ）を供給することができる。
さらに、酸素（Ｏ）と同時に生成される一酸化炭素（ＣＯ）や、炭素（Ｃ）が、過剰な酸素（Ｏ）と反応して、二酸化炭素（ＣＯ_２）や、一酸化炭素（ＣＯ）を形成するため、膜が製膜される面における酸素（Ｏ）の濃度がより一定に保たれる。

本発明の太陽電池の製造方法によれば、混合ガスにおける酸素原子を含む混入ガスの濃度を低くした混合ガスを容器の内部に供給して、基板に膜を所定の基板処理枚数（所定期間）の間だけ製膜した後に、所定濃度の混入ガスを含む混合ガスを用いて基板に膜を製膜することにより、透明導電膜の特性を安定化させるので、太陽電池の発電性能を安定させるとともに、太陽電池の製造時における歩留まりの向上を図ることができるという効果を奏する。

〔第１の実施形態〕
以下、本発明の第１の実施形態に係る太陽電池の製造方法について図１から図１９を参照して説明する。

図１には、本実施形態の太陽電池の製造方法により製造される太陽電池の構成を説明する模式図が示されている。
本実施形態で説明する太陽電池パネル１は太陽電池モジュール（太陽電池）２が設けられたシリコン系太陽電池パネルであり、太陽電池パネル１には図１に示すように、基板１１と、透明電極層１２と、光電変換層１３と、裏面電極層１４と、が設けられている。

なお、シリコン系とはシリコン（Ｓｉ）やシリコンカーバイト（ＳｉＣ）やシリコンゲルマニウム（ＳｉＧｅ）を含む総称である。
また、結晶質シリコン系とは、アモルファスシリコン系すなわち非晶質シリコン系以外のシリコン系を意味するものであり、微結晶シリコンや多結晶シリコン系も含まれる。

次に、上述の構成を有する太陽電池パネル１の製造工程について説明する。
本実施形態では、基板１１であるガラス基板の上に、光電変換層１３として単層アモルファスシリコン薄膜が製膜された太陽電池パネル１の例について説明する。

つまり、本実施形態では光電変換層１３を、アモルファスｐ層２２Ａ、アモルファスｉ層２３Ａ、およびアモルファスｎ層２４Ａを積層させたものに適用して説明する。
さらに、裏面電極層１４を、第１裏面電極層（層）１４Ａ、および第２裏面電極層１４Ｂを積層させたものに適用して説明する。

図２には、図１の太陽電池の製造工程を説明する模式図が示されている。
まず、図２に示すように、基板１１としてソーダフロートガラス基板が用意され、基板１１の端面には、コーナ面取りやＲ面取り加工が施されていることが望ましい。
基板１１としては、例えば、１辺が１ｍを超えるサイズ（例えば、縦横が１．４ｍ×１．１ｍ）であって、板厚が３．５ｍｍから４．５ｍｍのものを挙げることができる。なお、コーナ面取り等は行ってもよいし、行わなくてもよく、特に限定するものではない。

図３には、図１の太陽電池パネルの製造工程における透明導電層を形成する工程を説明する模式図が示されている。
そして、図３に示すように、基板１１に透明電極層１２が熱ＣＶＤ装置を用いて約５００℃の温度条件下で製膜される。
透明電極層１２は、酸化錫膜（ＳｎＯ_２）を主成分とする透明電極膜であって、約５００ｎｍから約８００ｎｍまでの膜厚を有するものである。この製膜処理の際、酸化錫膜の表面には、適当な凹凸のあるテクスチャーが形成される。

なお、基板１１と透明電極層１２との間にアルカリバリア膜（図示されず）を形成してもよいし、形成しなくてもよく、特に限定するものではない。
アルカリバリア膜は、例えば、熱ＣＶＤ装置にて酸化シリコン膜（ＳｉＯ_２）を約５００℃の温度条件下で製膜することにより形成される。酸化シリコン膜の膜厚は、約５０ｎｍから約１５０ｎｍを例示することができる。

図４には、図１の太陽電池パネルの製造工程における透明導電層溝を形成する工程を説明する模式図が示されている。
透明電極層１２が製膜されると、図４に示すように、透明電極層溝１５が形成される。
具体的には、基板１１がＸ−Ｙテーブルに設置され、ＹＡＧレーザの第１高調波（１０６４ｎｍ）が、図の矢印に示すように、透明電極層１２の膜面側から照射される。透明電極層１２はレーザ光によりレーザエッチングされ、約６ｍｍから１５ｍｍまでの範囲の間隔をあけて透明電極層溝１５が形成される。この透明電極層溝１５により、透明電極層１２は短冊状に区切られる。

入射されるＹＡＧレーザのレーザパワーは、透明電極層溝１５の加工速度が適切な速度になるように調節される。透明電極層１２に対して照射されるレーザ光は、基板１１に対して、発電セル３（図１１など参照。）の直列接続方向と略直交する方向に相対移動される。

図５には、図１の太陽電池パネルの製造工程における光電変換層を積層する工程を説明する模式図が示されている。
透明電極層溝１５が形成されると、図５に示すように、光電変換層１３が透明電極層１２に積層される。
具体的には、光電変換層１３はＳｉＨ_４ガスとＨ_２ガスとを主原料に、プラズマＣＶＤ装置を用いて、約３０Ｐａから約１０００Ｐａまでの範囲の減圧雰囲気下で、基板１１の温度を約２００℃に保った条件の下で製膜される。光電変換層１３は、図１に示すように、光、例えば太陽光が入射する側から、アモルファスｐ層２２Ａ、アモルファスｉ層２３Ａ、アモルファスｎ層２４Ａが、この順に並ぶように積層される。

本実施形態では、アモルファスｐ層２２Ａは、ＢドープしたアモルファスＳｉＣを主とした膜厚が約１０ｎｍから約３０ｎｍの層であり、アモルファスｉ層２３Ａは、アモルファスＳｉを主とした膜厚が約２００ｎｍから約３５０ｎｍの層であり、アモルファスｎ層２４Ａは、微結晶Ｓｉを含有するアモルファスＳｉにｐドープしたＳｉ層を主とした膜厚が約３０ｎｍから約５０ｎｍの層である場合に適用して説明する。
またｐ層膜とｉ層膜の間には界面特性の向上のためにバッファー層を設けても良い。

図６には、図１の太陽電池パネルの製造工程における接続溝を形成する工程を説明する模式図が示されている。
光電変換層１３が積層されると、図６に示すように、接続溝１７が形成される。
具体的には、基板１１がＸ−Ｙテーブルに設置され、レーザダイオード励起ＹＡＧレーザの第２高調波（５３２ｎｍ）が、図の矢印に示すように、光電変換層１３の膜面側から照射される。光電変換層１３は、レーザ光によりレーザエッチングされ、接続溝１７が形成される。

また、レーザ光は光電変換層１３の膜面側から照射してもよいし、反対側の基板１１側から照射しても良く、特に限定するものではない。
基板１１側から照射した場合、レーザ光のエネルギーは、光電変換層１３のアモルファスシリコン層で吸収されて高い蒸気圧が発生する。この高い蒸気圧を利用して光電変換層１３がエッチングされるため、更に安定したレーザエッチング加工を行うことが可能となる。

レーザ光は、約１０ｋＨｚから約２０ｋＨｚまでの範囲でパルス発振され、適切な加工速度になるようにレーザパワーが調節されている。
さらに、接続溝１７の位置は、前工程で加工された透明電極層溝１５と交差しないように位置決め公差を考慮した上で選定される。

図７および図８には、図１の太陽電池パネルの製造工程における裏面電極層を積層する工程を説明する模式図が示されている。
接続溝１７が形成されると、図７に示すように、裏面電極層１４が光電変換層１３に積層される。具体的には、ＧＺＯ膜である第１裏面電極層１４Ａ、および、Ａｇ膜とＴｉ膜、または、Ａｇ膜とＡｌ膜からなる第２裏面電極層１４Ｂが積層される。
このとき、接続溝１７の中にも裏面電極層１４が積層され、透明電極層１２と裏面電極層１４とを接続する接続部１８が形成される。

第１裏面電極層１４Ａは、膜厚が約５０ｎｍから約１００ｎｍまでのＧａをドープしたＺｎＯ膜であり、スパッタリング装置により製膜される層である。
第１裏面電極層１４Ａの製膜方法は、本実施形態の特徴であるため後述する。

第２裏面電極層１４Ｂは、スパッタリング装置を用いて、減圧雰囲気下で、約１５０℃から約２００℃までの範囲の温度条件下で製膜される。
具体的には、約１５０ｎｍから約５００ｎｍまでの範囲の膜厚を有するＡｇ膜を積層し、その後に、約１０ｎｍから約２０ｎｍまでの範囲の膜厚を有するＴｉ膜が積層される。あるいは、約２５ｎｍから１００ｎｍの膜厚を有するＡｇ膜と、約１５ｎｍから５００ｎｍの膜厚を有するＡｌ膜との積層構造としてもよい。

上述のように、光電変換層１３（図１参照）と第２裏面電極層１４ＢのＡｇ膜との間に第１裏面電極層１４Ａが製膜されると、光電変換層１３と第２裏面電極層１４Ｂとの間の接触抵抗が低減されるとともに、光の反射が向上される。

図９には、図１の太陽電池パネルの製造工程における分離溝を加工する工程を説明する模式図が示されている。
裏面電極層１４が積層されると、図９に示すように、分離溝１６が形成される。

具体的には、基板１１がＸ−Ｙテーブルに設置され、レーザダイオード励起ＹＡＧレーザの第２高調波（５３２ｎｍ）が、図の矢印に示すように、基板１１側から照射される。入射されたレーザ光は光電変換層１３で吸収され、光電変換層１３内で高いガス蒸気圧が発生する。このガス蒸気圧により第１裏面電極層１４Ａおよび第２裏面電極層１４Ｂは爆裂して除去される。
レーザ光は、約１ｋＨｚから約１０ｋＨｚまでの範囲でパルス発振され、適切な加工速度になるようにレーザパワーが調節されている。

図１０には、図１の太陽電池パネルの製造工程における絶縁溝を加工する工程を説明する模式図が示されている。図１１には、図１０の絶縁溝の構成を説明する太陽電池パネルを裏面電極層側から見た図が示されている。
光電変換層溝１６が形成されると、図１０および図１１に示すように、絶縁溝１９が形成される。絶縁溝１９は、発電領域を区分することにより、基板１１の端周辺の膜端部において直列接続部分が短絡し易い部分を切り離して、その影響を除去するものである。

なお、図１０では、光電変換層１３が直列に接続された方向に切断したＸ方向断面図となっているため、本来であれば絶縁溝１９位置には裏面電極層１４（第１裏面電極層Ａおよび第２裏面電極層１４Ｂ）／光電変換層１３／透明電極層１２の膜研磨除去をした周囲膜除去領域２０がある状態（図１１参照。）が表れるべきであるが、基板１１の端部への加工の説明の便宜上、この位置にＹ方向断面を表して形成された絶縁溝をＸ方向絶縁溝１９として説明する。

絶縁溝１９を形成する際には、基板１１がＸ−Ｙテーブルに設置され、レーザダイオード励起ＹＡＧレーザの第２高調波（５３２ｎｍ）が、基板１１側から入射される。入射されたレーザ光は透明電極層１２と光電変換層１３において吸収され、高いガス蒸気圧が発生する。このガス蒸気圧により第１裏面電極層１４Ａおよび第２裏面電極層１４Ｂが爆裂して、裏面電極層１４（第１裏面電極層１４Ａおよび第２裏面電極層１４Ｂ）、光電変換層１３および透明電極層１２が除去される。

レーザ光は、約１ｋＨｚから約１０ｋＨｚまでの範囲でパルス発振され、適切な加工速度になるようにレーザパワーが調節されている。照射されるレーザ光は、基板１１の端部から５ｍｍから２０ｍｍまで範囲内の位置をＸ方向（図１１参照。）に移動される。
このとき、Ｙ方向絶縁溝は後工程で基板１１の周囲膜除去領域２０の膜面研磨除去処理を行うので設ける必要がない。

絶縁溝１９は、基板１１の端より５ｍｍから１５ｍｍまでの範囲内の位置まで形成されていることが好ましい。このようにすることで、太陽電池パネル端部から太陽電池モジュール２内部への外部湿分の侵入を抑制することができる。
なお、ここまでに説明した工程においてＹＡＧレーザをレーザ光として用いているが、ＹＡＧレーザに限られることなく、ＹＶＯ４レーザや、ファイバーレーザなども同様にレーザ光として使用してもよい。

図１２には、太陽電池パネルを基板側から見た図が示されている。
絶縁溝１９が形成されると、基板１１周辺（周囲膜除去領域２０）の積層膜、つまり第１裏面電極層１４Ａおよび第２裏面電極層１４Ｂ、光電変換層１３および透明電極層１２が除去されて周囲膜除去領域２０が形成される。この積層膜は段差を有するとともに剥離しやすいため、当該積層膜を除去することにより、後工程において行われるＥＶＡ等を介したバックシート５１の接着が健全に行われ、シール面を確保することができる。
上述の積層膜は、基板１１の端から５ｍｍから２０ｍｍまでの範囲内で、基板１１の全周囲にわたり除去され周囲膜除去領域２０を形成する。

Ｘ方向については、上述の絶縁溝１９から基板端側の積層膜が砥石研磨やブラスト研磨などを用いて除去される。一方、Ｙ方向については、透明電極層溝１５よりも基板端側の積層膜が砥石研磨やブラスト研磨などを用いて除去される。
積層膜を除去する際に発生した研磨屑や砥粒は、基板１１を洗浄処理することにより除去される。

端子箱取付け部分ではバックシート５１に開口貫通窓が設けられ、集電板が取出される。この開口貫通窓部分には複数層の絶縁材が設置され、外部からの湿分などの浸入が抑制される。

直列に配列された発電セル３のうち、一方端の発電セル３と、他方端部の発電セル３とから延びる銅箔端子を用いて発電された電力が太陽電池パネル裏側の端子箱に集電されている。当該端子箱は、集電された電力が取り出されるように構成されている。
なお、上述の銅箔端子には、各部との短絡を防止する絶縁シートが配置されている。例えば、当該絶縁シートは銅箔端子より幅が広く形成されている。

集電に用いられる銅箔端子などが設けられると、ＥＶＡ（エチレン酢酸ビニル共重合体）等による接着充填材シートが配置される。接着充填材シートは、太陽電池モジュール２の全体を覆うものであって、基板１１からはみ出さないように配置されている。
接着充填材シートの上には、防水効果の高いバックシート５１が設置される。本実施形態では、バックシート５１はＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）シート／アルミニウム箔／ＰＥＴシートの３層構造を有するものに適用して説明する。

接着充填材シートおよびバックシート５１を所定の位置に配置した後、ラミネータを用いてバックシート５１内の脱気を行い、約１５０℃から約１６０℃までの範囲の温度を加えながらプレスを行う。これにより、バックシート５１が太陽電池モジュール２に密着され、接着充填材シートのＥＶＡが架橋されることにより、バックシート５１が太陽電池モジュール２に接着される。

図１３には、図１の太陽電池パネルの製造工程における端子箱を取り付ける工程を説明する模式図が示されている。図１４には、図１の太陽電池パネルの製造工程における密封工程を説明する模式図が示されている。
バックシート５１の接着が行われると、図１３に示すように、太陽電池モジュール２の裏側に端子箱５２が接着剤を用いて取付けられる。
その後、端子箱５２の出力ケーブルに銅箔端子がハンダ等を用いて接続され、端子箱５２の内部が封止剤（ポッティング剤）で充填されて密封される。これにより、太陽電池パネル１が完成する。

図１５は、図１の太陽電池パネルの製造工程における性能検査工程を説明する模式図を示している。図１６は、図１の太陽電池パネルの製造工程における外観検査工程を説明する模式図を示している。
上述のようにして製造された太陽電池パネル１に対しては、図１５および図１６に示すように、発電検査、ならびに所定の性能試験が行われる。発電検査は、ＡＭ１．５、全天日射基準太陽光（１０００Ｗ／ｍ^２）のソーラシミュレータを用いて行われる。
一方、上述の発電検査に前後して、太陽電池パネル１の外観検査をはじめ所定の性能検査が行われる。

次に、本実施形態の特徴である第１裏面電極層１４Ａの製膜について説明する。
まず、第１裏面電極層１４Ａを製膜するスパッタリング装置１０１について説明する。
図１７には、図１の第１裏面電極層を製膜するスパッタリング装置の概略構成を説明する模式図が示されている。

スパッタリング装置１０１には、図１７に示すように、真空容器（容器）１０２と、真空ポンプ１０３と、ヒータ１０４と、搬送部１０５と、ターゲット１０６と、電源１０７と、ガス供給部１０８と、が設けられている。

真空容器１０２は、内部で第１裏面電極層１４ＡであるＧＺＯ膜を製膜するスパッタリングが行われる容器である。
真空容器１０２の内部には、ヒータ１０４や、搬送部１０５や、ターゲット１０６が配置されている。その一方で、真空容器１０２には、真空ポンプ１０３や、アルゴンガスなどを供給するガス供給部１０８などが接続されている。

真空ポンプ１０３は、真空容器１０２の内部の気体などを外部に排出し、真空容器１０２の内部を所定圧力まで減圧するポンプである。本実施形態において真空ポンプ１０３は、真空容器１０２を締め切った状態でその内部を、約１０^−６Ｐａから約１０^−５Ｐａの高真空雰囲気とすることができ、ガス供給部１０８からスパッタガスを供給した時には約０．１Ｐａから約０．５Ｐａの減圧雰囲気とすることができるものに適用して説明する。
なお、真空ポンプ１０３としては、ドライポンプ、ターボ分子ポンプ、クライオポンプなど公知のポンプを用いることができ、特に限定するものではない。

ヒータ１０４は、第１裏面電極層１４Ａが製膜される基板１１などを、所定の温度に加熱するものである。本実施形態においてヒータ１０４は、基板１１などを約１５０℃に加熱することができるものに適用して説明する。
なお、ヒータ１０４としては、公知のヒータを用いることができ、特に限定するものではない。

搬送部１０５は、第１裏面電極層１４Ａが製膜される基板１１などを、真空容器１０２の内部で搬送するものである。
なお、搬送部１０５としては、公知のものを用いることができ、特に限定するものではない。

真空容器１０２には、さらに、図１７に示すように、ゲート弁１０９およびゲート弁１１０と、が設けられている。
ゲート弁１０９は、真空状態の隣室（図示せず）から、搬送部１０５により基板１１を搬入する際に開かれ、その他の間は閉じられるものである。
ゲート弁１１０は、基板１１に対する製膜が終了して、基板１１を真空状態の隣室（図示せず）に搬出する際に開かれ、その他の間は閉じられるものである。

本実施形態においては、ターゲット１０６は、第１裏面電極層１４Ａの製膜に用いられるものであり、０．５ｗｔ％のＧａがドープされた酸化亜鉛（ＧＺＯ）からなるものである。ここで、第１裏面電極層１４Ａの材質は、Ｇａがドープされた酸化亜鉛（ＧＺＯ）の他に、Ａｌ_２Ｏ_３がドープされた酸化亜鉛（ＡＺＯ）や、酸化インジュウム化合物（ＩＴＯ）など、スパッタリング法で製膜できる酸化物からなる透明導電性薄膜であり、光学特性と電気的特性が適切となるものを選定しても良い。
ターゲット１０６は、電源１０７から直流高電圧が印加されるように構成されている。

電源１０７は、ターゲット１０６に直流高電圧を印加するものであって、ターゲット１０６と基板１１との間にプラズマを形成するものである。本実施形態においては電源１０７を２５Ａの電流と、２５０Ｖの電圧を印加することができる直流電源（ＤＣ電源）に適用して説明する。
なお、電源１０７としては、公知の電源を用いることができ、特に限定するものではない。

また、電源１０７はＤＣ電源に限ることなく、高周波ＲＦ電源（例えば、周波数が１３．５６ＭＨｚなど）を使用することも可能である。更に、ターゲット裏面に磁石を設けることにより、製膜速度を向上させたＤＣマグネトロン・スパッタリングを用いても良い。

ガス供給部１０８は、第１裏面電極層１４Ａの製膜、つまりスパッタリング時に用いられるスパッタガスを真空容器１０２の内部に供給するものである。具体的には、不活性ガスであるアルゴンガス（Ａｒ）や、アルゴンガスに混入される混入ガスである酸素ガス（Ｏ_２）などを、真空容器１０２の内部に供給するものである。

本実施形態においてガス供給部１０８は、真空容器１０２の内部のスパッタガス、つまり、アルゴンガス（Ａｒ）と酸素ガス（Ｏ_２）との混合ガスにおける混合比率を調節できるものに適用して説明する。

次に、第１裏面電極層１４Ａの製膜方法について説明する。
図１８には、図１の第１裏面電極層の製膜方法を説明するフローチャートが示されている。

一般に、スパッタリング装置１０１において、第１裏面電極層１４Ａの製膜処理を数十時間の実施した後、言い換えると、数百枚から数千枚程度の太陽電池に対して製膜処理を実施した後には、ターゲット１０６の交換などを行うメンテナンスが行われる（ステップＳ１）。
上述のメンテナンスを行う際には、真空容器１０２を大気に開放して行われる。そのため、真空容器１０２に内面などには、空気つまり窒素ガス（Ｎ_２）や酸素ガス（Ｏ_２）や水蒸気ガス（Ｈ_２Ｏ）などが吸着する。

メンテナンスが終了すると真空容器１０２が閉じられ、真空ポンプ１０３により真空容器１０２の内部の気体が排出され、約１０^−６Ｐａから約１０^−５Ｐａの高真空雰囲気まで減圧される（ステップＳ２（排気工程））。このとき、真空容器１０２に内面などに吸着した窒素ガス（Ｎ_２）や酸素ガス（Ｏ_２）や水蒸気ガス（Ｈ_２Ｏ）などの多くは、排出ガスとともに排気される。

その後、ゲート弁１０９を開にして真空状態の隣室（図示せず）より基板１１を真空容器１０２に搬入する。基板１１が真空容器１０２に搬入されると、ゲート弁１０９は閉じられる。ガス供給部１０８から真空容器１０２の内部に１００ｖｏｌ％のアルゴンガス（Ａｒ）が供給されるとともに、基板１１などが搬送部１０５により搬送される。そして、電源１０７からターゲット１０６に直流高電圧が印加され、ターゲット１０６と基板１１などとの間にプラズマが形成される。
言い換えると、第１裏面電極層１４Ａの製膜処理が行われる（ステップＳ３（初期製膜工程））。

このとき、真空容器１０２の内面に吸着していた酸素ガス（Ｏ_２）などが当該内面から脱着し、ガス供給部１０８から供給されたアルゴンガス（Ａｒ）と混合する。
また、真空容器１０２に内面から脱着し水蒸気ガス（Ｈ_２Ｏ）は、アルゴンプラズマ雰囲気中で分解されて酸素原子（Ｏ）が発生し、アルゴンガス（Ａｒ）と混合する。

真空容器１０２の内部におけるプラズマが形成された領域ではアルゴンガス（Ａｒ）がイオン化し、イオン化したアルゴンがターゲット１０６に衝突する。すると、ターゲット１０６を構成する物質つまりＧＺＯがターゲット１０６からはじき飛ばされ、雰囲気中の酸素原子（Ｏ）と適宜な反応を行い、基板１１などの上、具体的には、光電変換層１３の上に付着成長して、第１裏面電極層１４ＡであるＧＺＯ膜が製膜される。

ＧＺＯ膜の製膜が終了すると、真空容器１０２内の高真空排気が行われた後、ゲート弁１１０が開かれ、基板１１は真空状態の隣室（図示せず）へ搬出される。その後、ゲート弁１１０は閉じられる。

図１９には、第１裏面電極層の各波長に対する内部透過率を説明するグラフが示されている。
ここで、ＧＺＯ膜をアルゴンガス雰囲気で減圧スパッタリング法を用いて製膜する場合、図１９に示すように、ＧＺＯ膜における内部透過率（％）は酸素流量つまり酸素添加量に依存している。
図１９においてグラフＡは酸素流量が０．０ｖｏｌ％の場合、グラフＢは０．２ｖｏｌ％の場合、グラフＣは０．４ｖｏｌ％の場合、グラフＤは０．５ｖｏｌ％の場合、グラフＥは１．０ｖｏｌ％の場合、グラフＦは５．０ｖｏｌ％の場合の内部透過率（％）を示している。

図１９に示すように、酸素添加量が０．５ｖｏｌ％から５．０ｖｏｌ％までの場合には、長波長領域での透過率が高くなり、波長が４５０ｎｍから８００ｎｍまでの領域で、９５％以上の透過率を得ることができる。
その一方で、酸素添加量が０．０ｖｏｌ％から０．４ｖｏｌ％までの場合には、波長が長くなるほど透過率が減少し、波長が６００ｎｍ以上では９５％以下の透過率となる。
また、波長が４００ｎｍから４５０ｎｍまでの短波長側の領域では、酸素添加量が１．０ｖｏｌ％以下の場合に透過率を向上することが出来る。

本実施形態の太陽電池パネル１の場合、つまり、単層アモルファスシリコン薄膜を光電変換層１３として用いる場合には、約４００ｎｍから約８００ｎｍの波長の光を用いて発電する。そのため、第１裏面電極層１４ＡであるＧＺＯ膜に対して、上述の波長範囲における透過率が高いことが求められている。

すると、図に示すように、酸素添加量を約１．０ｖｏｌ％として製膜されたＧＺＯ膜が、本実施形態の太陽電池パネル１の第１裏面電極層１４Ａとして好ましいことが分かる。

上述のように、真空容器１０２を開放したメンテナンスの後における第１裏面電極層１４Ａの製膜処理の場合、ガス供給部１０８から１００ｖｏｌ％のアルゴンガス（Ａｒ）を供給しても、真空容器１０２の内面から脱着する酸素ガス（Ｏ_２）や水蒸気ガス（Ｈ_２Ｏ）などがあるため、真空容器１０２の内部では、アルゴンガス（Ａｒ）が９９ｖｏｌ％、酸素ガス（Ｏ_２）が１ｖｏｌ％に近いガス組成の混合ガスとなる。

なお、このときガス供給部１０８から供給されるガスの流量と組成は、真空容器１０２の容量などに応じて変化させてもよく、特に限定するものではない。つまり、真空ポンプ１０３からの真空排気量とのバランスで真空容器１０２の内部において、アルゴンガス（Ａｒ）が９９ｖｏｌ％、酸素ガス（Ｏ_２）が１ｖｏｌ％の比率で混合された混合ガスで、所定の雰囲気圧力（約０．１Ｐａから約０．５Ｐａ）になればよく、特に限定するものではない。

具体的には、真空容器１０２の容積が、上述の実施形態の場合よりも小さい場合には、真空容器１０２の内面から脱着する酸素ガス（Ｏ_２）や水蒸気ガス（Ｈ_２Ｏ）などが少ないため、ガス供給部１０８から、アルゴンガス（Ａｒ）が９９．５ｖｏｌ％、酸素ガス（Ｏ_２）が０．５ｖｏｌ％の比率で混合された混合ガスが供給されていてもよい。

さらに、真空容器１０２の内面から脱着する酸素ガスなどの量は、基板処理枚数（時間の経過）とともに減少するため、ガス供給部１０８から供給される混合ガスにおける酸素ガス（混入ガス）の比率を、基板処理枚数（時間の経過）とともに増やしてもよく、特に限定するものではない。

このようにすることで、ステップＳ３の製膜処理において真空容器１０２の内面から脱着する酸素ガス（Ｏ_２）や水蒸気ガス（Ｈ_２Ｏ）などの量が基板処理枚数（時間の経過）とともに徐々に減少しても、真空容器１０２に供給される酸素ガス（Ｏ_２）の流量が基板処理枚数（時間の経過）とともに増えるため、真空容器１０２の内部に満たされる混合ガスにおけるアルゴンガス（Ａｒ）と酸素原子（Ｏ）との混合比率を略一定にすることができる。
さらに、酸素ガス（Ｏ_２）の流量を段階的に増やす方法と比較して、混合ガスにおけるアルゴンガス（Ａｒ）と酸素ガス（Ｏ_２）との混合比率を正確に調節することができる。

あるいは、ガス供給部１０８から供給される混合ガスにおける酸素ガス（Ｏ_２）の比率を、基板処理枚数（時間の経過）とともに段階的に増やしてよく、特に限定するものではない。

このようにすることで、酸素ガス（Ｏ_２）の流量を基板処理枚数（時間の経過）とともに増やす方法と比較して、混合ガスにおけるアルゴンガス（Ａｒ）と酸素ガス（Ｏ_２）との混合比率の調節が容易となる。

さらに別に、真空容器１０２の内部に満たされる混合ガスにおける酸素ガス（Ｏ_２）や酸素原子（Ｏ）の比率、言い換えると、酸素分圧を質量分析計などで計測しながら、ガス供給部１０８から供給される混合ガスにおける酸素ガス（Ｏ_２）の比率を調節してもよく、特に限定するものではない。

このようにすることで、混合ガスにおけるアルゴンガス（Ａｒ）と酸素ガス（Ｏ_２）との混合比率を正確に調節することができる。

ガス供給部１０８から１００ｖｏｌ％のアルゴンガス（Ａｒ）を供給しつつ行う第１裏面電極層１４Ａの製膜処理が順次搬送される基板１に対して繰り返されて、初期製膜工程（ステップＳ３）が所定の製膜処理枚数（所定期間）だけ継続されると、次に、ガス供給部１０８から９９ｖｏｌ％のアルゴンガス（Ａｒ）と、１ｖｏｌ％の酸素ガス（Ｏ_２）を混合させた混合ガスを供給しつつ第１裏面電極層１４Ａの製膜処理が行われる（ステップＳ４（本製膜工程））。

上述の所定期間としては、真空容器１０２の内面から脱着する酸素ガス（Ｏ_２）や水蒸気ガス（Ｈ_２Ｏ）などの量が減少するころを例示することができる。つまり、真空容器１０２の内部の混合ガスにおける酸素ガス（Ｏ_２）の比率が低下するころを例示することができる。そのため、当該期間は真空容器１０２の容量と真空ポンプの排気能力に依存する。

上記の構成によれば、真空容器１０２の内面から酸素ガス（Ｏ_２）や水蒸気ガス（Ｈ_２Ｏ）などが脱着するため、ステップＳ３の製膜処理における真空容器１０２の内部には、ステップＳ４の製膜処理における混合ガスに近い比率で混合されたアルゴンガス（Ａｒ）と酸素ガス（Ｏ_２）が満たされる。そのためステップＳ３の初期製膜工程の期間の製膜処理において製膜された第１裏面電極層１４Ａと、ステップＳ４の本製膜処理工程の期間の製膜処理において製膜された第１裏面電極層１４Ａとの間の特性の差が小さくなる。
つまり、太陽電池パネル１の発電性能を安定させるとともに、太陽電池パネル１の製造時における歩留まりの向上を図ることができる。

図２１は、ターゲット１０６の交換を行うメンテナンスによる太陽電池パネルの最大出力の変化と短絡電流の影響を示すものであり、メンテナンスによる真空容器１０２の大気開放の前後における太陽電池パネルの性能変化を示すものである。
ここで、図２１のグラフにおける横軸は時間経過を示し、縦軸は太陽電池パネルの各性能を示すものであり、各メンテナンス停止期間の間の製膜処理期間における太陽電池パネルの各性能の平均値を基準値（１．０）として正規化したものである。

図２１に示すグラフの左側では、酸素（Ｏ_２）濃度が一定の混合ガス、つまり９９ｖｏｌ％のアルゴンガス（Ａｒ）と、１ｖｏｌ％の酸素ガス（Ｏ_２）を混合させた混合ガスを供給し続けた場合を示ししている。

この場合においては、メンテナンスを行うためのスパッタリング装置１０１の運転停止（以後「メンテナンス停止」と表記する。）後から製膜処理を再開して約３時間の間に製膜処理された太陽電池パネルの最大出力と短絡電流の値は、メンテナンス停止前に製膜処理された太陽電池パネルの最大出力と短絡電流の値より低い状態にある。
具体的には、製膜処理が再開された直後に製膜処理された太陽電池パネルの最大出力の値は、メンテナンス停止前に製膜処理された太陽電池パネルの最大出力の値より約３％低い状況にあり、そこから時間の経過とともに徐々に最大出力や短絡電流などの性能が回復してゆく状況が示されている。この時、太陽電池パネルの最大出力が低下しているのは短絡電流が低いことが要因となっている。

一方、図２２に示すグラフの右側では、酸素（Ｏ_２）濃度を変化させた混合ガスを供給した場合を示している。
具体的には、初期製膜処理工程では１００ｖｏｌ％のアルゴンガス（Ａｒ）（つまり、酸素ガス（Ｏ_２）なし）を供給し、メンテナンス停止後から製膜処理を再開して約３時間経過した後から、酸素ガス（Ｏ_２）を追加し、９９ｖｏｌ％のアルゴンガス（Ａｒ）と、１ｖｏｌ％の酸素ガス（Ｏ_２）とを混合させた混合ガスを供給した場合を示している。

この場合では、メンテナンス停止後から製膜処理を再開して約３時間の間に製膜処理された太陽電池パネルを含めて、メンテナンス停止後から製膜処理された太陽電池パネルの最大出力と短絡電流の値は安定した状態にあり、製膜処理が再開された直後から歩留りよく太陽電池パネルが生産される状況が示されている。

さらに、所定期間だけステップＳ３の製膜処理を継続した後に、言い換えると、真空容器１０２の内面から脱着する酸素ガス（Ｏ_２）や水蒸気ガス（Ｈ_２Ｏ）などの量が減少し、真空容器１０２の内部のガスにおける酸素ガス（Ｏ_２）の混合比率が低下するころにステップＳ４の製膜処理に切り替わるため、真空容器１０２の内部に満たされる混合ガスにおけるアルゴンガス（Ａｒ）と酸素ガス（Ｏ_２）との混合比率を略一定にすることができる。

〔第２の実施形態〕
次に、本発明の第２の実施形態について図２０および図２２を参照して説明する。
本実施形態における太陽電池パネルの製造方法の基本は、第１の実施形態と同様であるが、第１の実施形態とは、第１裏面電極層の製膜方法が異なっている。よって、本実施形態においては、図２０および図２２を用いて第１裏面電極層の製膜方法のみを説明し、その他の構成要素等の説明を省略する。
図２０は、本実施形態の太陽電池パネルにおける第１裏面電極層の製膜方法を説明するフローチャートが示されている。
なお、第１の実施形態と同一の要素および工程については、同一の符号を付してその説明を省略する。

メンテナンスが行われた（ステップＳ１）後、真空容器１０２の内部の排気がされ、真空容器１０２の内部が所定の圧力まで減圧される（ステップＳ２）と、基板１１が真空容器１０２の内部に搬入されて、１００ｖｏｌ％のアルゴンガスを供給しつつ所定の減圧圧力を維持しながら第１裏面電極層１４Ａの製膜処理が行われる（ステップＳ３）。

１００ｖｏｌ％のアルゴンガスを供給しつつ行う第１裏面電極層１４Ａの製膜処理が所定処理枚数（所定期間）だけ継続されると、次に、ガス供給部１０８から９９ｖｏｌ％のアルゴンガスと、１ｖｏｌ％の二酸化炭素ガスを混合させた混合ガスを供給しつつ第１裏面電極層１４Ａの製膜処理が行われる（ステップＳ１４（本製膜工程））。

二酸化炭素ガス（ＣＯ_２）は、ターゲット１０６と基板１１との間のプラズマが形成された領域において分解され酸素（Ｏ）を放出する。そのため、第１の実施形態のように酸素ガス（Ｏ_２）が供給された場合と同様な作用が奏される。

図２２には、混合ガスにおける二酸化炭素ガスの濃度を変化させた場合の、太陽電池パネルの最大出力および短絡電流の変化を説明するグラフが示されている。
なお、上述のように、ガス供給部１０８から供給される混合ガスに、１ｖｏｌ％の二酸化炭素ガス（ＣＯ_２）を混合させてもよいし、図２２に示すように、２ｖｏｌ％の二酸化炭素ガス（ＣＯ_２）を混合させてもよく、特に限定するものではない。

具体的には、ガス供給部１０８から供給される混合ガスに２ｖｏｌ％の二酸化炭素ガス（ＣＯ_２）を混合させても、この方法により製造された太陽電池パネル１の最大出力（図２２における白抜きの棒グラフ）および短絡電流（図２２におけるハッチングが施されたグラフ）は、１ｖｏｌ％の酸素ガス（Ｏ_２）を混合させた場合と比較して変化が小さい。言い換えると、太陽電池パネル１の性能に与える影響が小さいため、混合される二酸化炭素ガス（ＣＯ_２）の濃度を厳密に管理する必要が無くなるという効果がある。

これは、以下の理由によると考えられる。
つまり、二酸化炭素ガス（ＣＯ_２）を混合する場合には、アルゴンガスのプラズマ中で、二酸化炭素ガス（ＣＯ_２）から酸素（Ｏ）が形成されるとともに、一酸化炭素（ＣＯ）や、炭素（Ｃ）も形成される。この一酸化炭素（ＣＯ）や、炭素（Ｃ）は、過剰に存在する酸素（Ｏ）と結合して、二酸化炭素（ＣＯ_２）や一酸化炭素（ＣＯ）となる。

そのため、過剰な二酸化炭素ガス（ＣＯ_２）が混合された混合ガスが供給されても、第１裏面電極層１４ＡであるＧＺＯ膜における膜の成長面の近傍では、比較的一定の適切な酸素（Ｏ）濃度が保たれやすくなる。その結果、第１裏面電極層１４Ａにおける透過率が適切な値に保たれやすいためと考えられる。

なお、上述の実施形態のように、ステップＳ３に係る製膜処理を所定時間だけ継続下後に、ステップＳ１４に係る製膜処理を行ってもよいし、ステップＳ３に係る製膜処理の継続時間を短縮して、ステップＳ１４に係る製膜処理を行ってもよく、特に限定するものではない。

つまり、上述のように二酸化炭素ガス（ＣＯ_２）を混合する場合には、真空容器１０２の内部に酸素（Ｏ）が過剰に存在していても、第１裏面電極層１４ＡであるＧＺＯ膜における膜の成長面の近傍では、適切な酸素（Ｏ）濃度が保たれやすく、第１裏面電極層１４Ａにおける透過率が適切な値に保たれるためである。

なお、本発明の技術範囲は上記実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の変更を加えることが可能である。
例えば、上記の実施の形態においては、光電変換層として単層アモルファスシリコン薄膜が製膜された太陽電池パネルに適用して説明したが、光電変換層として微結晶シリコンをはじめとする結晶質シリコン太陽電池や、シリコンゲルマニウム太陽電池、また、アモルファスシリコン太陽電池と結晶質シリコン太陽電池やシリコンゲルマニウム太陽電池とを各１層から複数層に積層させた多接合型（タンデム型）太陽電池のような他の種類の薄膜太陽電池にも同様に適用可能である。

更に本発明は、金属基板などのような非透光性基板上に製造された、基板とは反対の側から光が入射するタイプの太陽電池にも同様に適用可能である。

本発明の第１の実施形態の太陽電池の製造方法により製造される太陽電池の構成を説明する模式図である。 図１の太陽電池の製造工程を説明する模式図である。 図１の太陽電池パネルの製造工程における透明導電層を形成する工程を説明する模式図である。 図１の太陽電池パネルの製造工程における透明導電層溝を形成する工程を説明する模式図である。 図１の太陽電池パネルの製造工程における光電変換層を積層する工程を説明する模式図である。 図１の太陽電池パネルの製造工程における接続溝を形成する工程を説明する模式図である。 図１の太陽電池パネルの製造工程における裏面電極層を積層する工程を説明する模式図である。 図１の太陽電池パネルの製造工程における裏面電極層を積層する工程を説明する模式図である。 図１の太陽電池パネルの製造工程における光電変換層溝を加工する工程を説明する模式図である。 図１の太陽電池パネルの製造工程における絶縁溝を加工する工程を説明する模式図である。 図１０の絶縁溝の構成を説明する太陽電池パネルを裏面電極層側から見た図である。 太陽電池パネルを基板側から見た図である。 図１の太陽電池パネルの製造工程における端子箱を取り付ける工程を説明する模式図である。 図１の太陽電池パネルの製造工程における密封工程を説明する模式図である。 図１の太陽電池パネルの製造工程における性能検査工程を説明する模式図を示している。 図１の太陽電池パネルの製造工程における外観検査工程を説明する模式図である。 図１の第１裏面電極層を製膜するスパッタリング装置の概略構成を説明する模式図である。 図１の第１裏面電極層の製膜方法を説明するフローチャートである。 第１裏面電極層の各波長に対する内部透過率を説明するグラフである。 本発明の第２の実施形態に係る太陽電池パネルにおける第１裏面電極層の製膜方法を説明するフローチャートである。 本発明の第１の実施形態に係るメンテナンス後の混合ガスにおける酸素ガスの濃度を変化させた場合の、太陽電池パネルの最大出力および短絡電流の変化を説明するグラフである。 本発明の第２の実施形態に係る混合ガスにおける二酸化炭素ガスの濃度を変化させた場合の、太陽電池パネルの最大出力および短絡電流の変化を説明するグラフである。

符号の説明

２ 太陽電池モジュール（太陽電池）
１１ 基板
１４Ａ 第１裏面電極層（層）
１０２ 真空容器（容器）
Ｓ２ 排気工程
Ｓ３ 初期製膜工程
Ｓ４，Ｓ１４ 本製膜工程

Claims (5)

1. 大気開放された後に閉じられた容器の内部の気体を排気して真空度を上げる排気工程と、
   基板を設置し、不活性ガスに酸素原子を含む混入ガスを所定濃度だけ混合させた混合ガスを排気された前記容器の内部に満たし、前記容器の内部に配置されたターゲットと前記基板との間に電圧を印加して、スパッタリング法により太陽電池を構成する膜を前記基板に製膜する本製膜工程と、
   該本製膜工程の前に、前記混合ガスにおける前記混入ガスの濃度を、前記所定濃度よりも低くした前記混合ガスを前記容器の内部に供給して、前記基板に前記膜を所定期間の間だけ製膜する初期製膜工程と、
   を有することを特徴とする太陽電池の製造方法。
2. 前記初期製膜工程において、前記容器に供給される前記混入ガスの流量を時間の経過とともに増やすことを特徴とする請求項１記載の太陽電池の製造方法。
3. 前記初期製膜工程において、前記容器に供給される前記混入ガスの流量を段階的に増やすことを特徴とする請求項１記載の太陽電池の製造方法。
4. 前記混入ガスは酸素ガスであることを特徴とする請求項１から３のいずれかに記載の太陽電池の製造方法。
5. 前記混入ガスは二酸化炭素ガスであることを特徴とする請求項１から３のいずれかに記載の太陽電池の製造方法。

Images