JP2010109072A - 半導体装置の製造方法、半導体装置の試験方法、半導体装置の試験装置、及び半導体装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】半導体装置の製造方法、半導体装置の試験方法、半導体装置の試験装置、及び半導体装置に関し、半導体装置のパッドと試験装置のプローブとの接触力が変化した要因を推定する方法の提供。
【解決手段】歪の大きさを測る歪センサをシリコン基板20に形成する工程と、シリコン基板20の上方に試験パッド41を形成する工程と、試験装置1の昇降ステージ2によりシリコン基板20を上昇させ、試験装置1の試験プローブ8と試験パッド41とが接触した時刻と、接触後の上記歪の増加率とに基づいて、試験プローブ8の状態を推定する工程とを有する半導体装置の製造方法による。
【選択図】図1
【解決手段】歪の大きさを測る歪センサをシリコン基板20に形成する工程と、シリコン基板20の上方に試験パッド41を形成する工程と、試験装置1の昇降ステージ2によりシリコン基板20を上昇させ、試験装置1の試験プローブ8と試験パッド41とが接触した時刻と、接触後の上記歪の増加率とに基づいて、試験プローブ8の状態を推定する工程とを有する半導体装置の製造方法による。
【選択図】図1
Description
本発明は、半導体装置の製造方法、半導体装置の試験方法、半導体装置の試験装置、及び半導体装置に関する。
LSI等の半導体装置の製造工程では、半導体装置内に配線等のデバイスパターンを形成した後、その半導体装置が正常に動作するかどうかを確認するための電気的な試験が行われる。その試験は、プローブテストとも呼ばれ、試験装置のプローブから半導体装置のパッドに試験信号を供給することにより行われる。
試験が適切に行われるには、プローブとパッドとが設計値通りの接触力で互いに接触し、これらが電気的に安定にコンタクトするのが望ましい。
しかしながら、一本のプローブがその寿命の間に行うプロービング動作は何百万回にも及び、その間に様々な要因によってパッドとの接触力が経時的に変化する。
その接触力の変化の度合いを調べるべく、接触力を測定するためのピエゾ抵抗素子を半導体装置に設ける技術もあるが、この技術では接触力が変化した要因まで推定することはできない。
したがって、接触力変化の要因を特定するには、プローブカードを試験装置から一旦取り外し、プローブの状態を光学顕微鏡や走査型電子顕微鏡で再検査する必要があり、再検査工程という余計な工数が発生してしまう。
特開2007−35856号公報
半導体装置の製造方法、半導体装置の試験方法、半導体装置の試験装置、及び半導体装置に関し、半導体装置のパッドと試験装置のプローブとの接触力が変化した要因を推定することを目的とする。
以下の開示の一観点によれば、歪の大きさを測る歪センサを半導体基板に形成する工程と、前記半導体基板の上方に試験パッドを形成する工程と、試験装置の昇降ステージにより前記半導体基板を上昇させ、前記試験装置の試験プローブと前記試験パッドとが接触した時刻と、接触後の前記歪の増加率とに基づいて、前記試験プローブの状態を推定する工程とを有する半導体装置の製造方法が提供される。
また、その開示の別の観点によれば、試験装置の昇降ステージの上に、歪センサと試験パッドとが設けられた半導体基板を載せるステップと、前記昇降ステージにより前記半導体基板を上昇させ、前記試験装置の試験プローブと前記試験パッドとが接触した時刻と、接触後に前記歪センサで測定された歪の増加率とに基づいて、前記試験プローブの状態を推定するステップとを有する半導体装置の試験方法が提供される。
更に、その開示の他の観点によれば、試験プローブが設けられたプローブカードと、歪センサと試験パッドとが設けられた半導体基板を上昇させる昇降ステージと、前記昇降ステージにより前記半導体基板を上昇させたときに前記試験プローブと前記試験パッドとが接触した時刻と、接触後に前記歪センサで測定された歪の増加率とに基づいて、前記試験プローブの状態を推定する判断部とを有する半導体装置の試験装置が提供される。
そして、その開示の更に他の観点によれば、半導体基板と、前記半導体基板に形成された歪センサと、前記半導体基板に形成されたメモリ領域と、前記半導体基板の上方に形成され、試験工程で使用される試験プローブと接触する試験パッドとを有し、前記試験プローブと前記試験パッドとの接触によって発生した歪の大きさが前記歪センサによって測定され、前記歪の大きさが前記試験工程における試験時間の関数として前記メモリ領域に格納される半導体装置が提供される。
以下の開示では、試験プローブと半導体基板の試験パッドとが接触した時刻と、これらが接触した後に半導体基板の歪センサで測定された歪の増加率とに基づいて、試験プローブの状態を推定する。これによれば、プローブカードから試験プローブを取り外すことなしに試験プローブの状態を推定できるので、試験プローブの状態を確認するための余計な工程が不要となる。
(1)第1実施形態
図1は、本実施形態に係る半導体装置の試験装置の構成図である。
図1は、本実施形態に係る半導体装置の試験装置の構成図である。
この試験装置1は、シリコン(半導体)基板20に対してウエハレベルで電気的な試験を行うものであり、シリコン基板20を上昇させる昇降ステージ2と、その昇降ステージ2を上下方向と水平方向とに駆動するためのステージ駆動部3とを有する。このうち、ステージ駆動部3としては、例えばステッピングモータが使用される。
また、シリコン基板20の上方には、試験プローブ8を備えたプローブカード7が設けられる。試験プローブ8は、例えばタングステン、白金、或いはパラジウム等の金属細線よりなり、プローブカード7と接着剤によって接着される。
試験対象のシリコン基板20には、点線円内のように歪センサ形成領域52とメモリ領域53とが形成されており、その最上層にはメモリ領域53と電気的に接続された試験パッド41が設けられる。
更に、試験装置1は、パーソナルコンピュータ等の補助制御部4を有しており、その補助制御部4はステージ昇降信号記憶部5、メモリ信号書き込み/読み取り部6、グラフ生成部9、判断部10、及び記憶部12を備える。
試験に際しては、昇降ステージ2が上昇することにより試験パッド41が試験プローブ8と接触する。このときの接触力により歪センサ形成領域52には歪が生じる。その歪の大きさは歪センサ形成領域52に形成された後述の歪センサにより測定され、その測定値は昇降ステージ2の上昇量の関数としてメモリ領域53に格納される。
その昇降ステージ2の上昇量は、例えばステージ駆動装置3のステッピングモータのステップ数である。そのステップ数は、ステージ昇降信号記憶部5に格納されており、上記の関数をメモリ領域53に格納するときに、メモリ信号書き込み/読み取り部6を介してメモリ領域53に出力される。
また、グラフ生成部9は、メモリ領域53に格納された上記の関数をグラフ化する機能を有する。
そして、判断部10は、そのグラフに基づいて、後述のように試験プローブ8の状態を推定する。
図2及び図3は、本実施形態に係る試験対象の半導体装置の製造途中の断面図である。
この半導体装置を製造するには、図2に示すように、シリコン基板20に素子分離用の溝を形成し、その溝内に素子分離絶縁膜21としてCVD法により酸化シリコン膜を埋め込む。このような素子分離構造はSTI(Shallow Trench Isolation)と呼ばれる。
素子分離絶縁膜21により、シリコン基板20には、既述の歪センサ形成領域52とメモリ領域53の他に、電源供給領域51も画定される。
なお、歪センサ形成領域52と電源供給領域51の形成部位は特に限定されず、シリコン基板20のチップ領域内又はスクライブ領域内にこれらの領域を形成してよい。
その後に、シリコン基板20にp型不純物をイオン注入し、メモリ領域53にpウェル22を形成する。
更に、シリコン基板20にp型不純物とn型不純物をイオン注入し、第1及び第2のp型不純物拡散領域23、24と、第1〜第3のn型不純物拡散領域25〜27と、第1及び第2の高濃度p型不純物拡散領域28、29とを形成する。
なお、p型不純物とn型不純物の打ち分けは不図示のレジストパターンを用いて行われる。
ここで、電源供給領域51では、上記の第1のp型不純物拡散領域23と第1のn型不純物拡散領域25とが太陽電池45として機能する。そのため、太陽電池45に外光が照射されると、各領域23、25の間のpn接合に電子とホールとが対生成し、第1の高濃度p型不純物拡散領域28と第1のn型不純物拡散領域25との間に起電力が生じる。
一方、歪センサ形成領域52では、第2のp型不純物拡散領域24と第2のn型不純物拡散領域26とが歪センサ46として機能する。
その歪センサ46は、シリコン基板20に加わる歪みの大きさに依存して第2のp型不純物拡散領域24と第2のn型不純物拡散領域26との間のpn接合の抵抗値が変動することを利用し、歪の大きさを測定するものである。
また、メモリ領域53では、第3のn型不純物拡散領域27をソース/ドレイン領域とするMOSトランジスタTRが形成される。そのMOSトランジスタTRは、ゲート絶縁膜30とゲート電極31とを有し、メモリ領域53の回路の一部となる。
メモリ領域53におけるメモリの種類は特に限定されず、DRAM(Dynamic Random Access Memory)、SRAM (Static RAM)、FeRAM (Ferroelectric RAM)等の任意のメモリを形成してよい。
次いで、図3に示すように、各領域51〜53の上に第1の層間絶縁膜35として酸化シリコン膜をCVD法により形成する。
そして、この第1の層間絶縁膜35をパターニングしてコンタクトホールを形成し、当該コンタクトホール内にタングステンを主にしてなる導電性プラグ36を形成する。
続いて、この導電性プラグ36と第1の層間絶縁膜35の上に、アルミニウム膜を含む金属積層膜をスパッタ法で形成し、この金属積層膜をパターニングして一層目金属配線37を形成する。
その後、一層目金属配線37の上に、層間絶縁膜と金属配線とを積層してなる多層配線構造を形成した後、最上層の層間絶縁膜の上に保護絶縁膜40としてCVD法により窒化シリコン膜を形成する。
そして、この保護絶縁膜40の上にスパッタ法で金属積層膜を形成し、それをパターニングして試験パッド41を形成する。その金属積層膜は、例えばアルミニウム膜を主にしてなる。
図示のように歪センサ46の上方に試験パッド41を形成することにより、試験パッド41と試験パッド8との接触力に応じてシリコン基板20に発生した歪を歪センサ46により確実に測定することができる。
以上により、本実施形態に係る半導体装置100の基本構造が完成する。
この半導体装置100では、電源供給領域51に外光を照射することにより太陽電池45に起電力が発生し、その起電力が一層目金属配線37や導電性プラグ36等を介して歪センサ形成領域52とメモリ領域53に供給される。なお、その外光は金属積層膜等の遮光膜よりなる試験パッド41によって遮られるため、外光が原因で歪センサ46に不必要に起電力が発生することはない。
そして、歪センサ形成領域52では、試験時における試験パッド41と試験プローブ8との接触力によってシリコン基板20に発生した歪の大きさが歪センサ46で測定される。
図4は、この半導体装置100の平面レイアウトを説明するための模式図である。なお、図4では、試験時における電力の供給経路と信号の流れとを矢印で示している。
歪センサ形成領域52には、既述の第2の高濃度p型不純物拡散領域29と三つの第2のn型不純物拡散領域26とが十字型に配列される。
このうち、第2の高濃度p型不純物拡散領域29には電源供給領域51から起電力V0が与えられ、第2の高濃度p型不純物拡散領域29に対向する第2のn型不純物拡散領域26は接地電位とされる。
このとき、残りの対向する二つの第2のn型不純物拡散領域26を異なるドープ濃度にしておけば、第2のp型不純物拡散領域24(図2参照)との間のpn接合の抵抗値が、これらのn型不純物拡散領域26の各々について異なった値となる。更に、そのpn接合の抵抗値は、歪センサ形成領域52における歪の大きさによって変動する。
よって、対向する二つのn型不純物拡散領域26の電位V1、V2の電位差ΔVは歪の大きさと同視でき、試験パッド41と試験プローブ8との接触力に応じて変動する。
半導体装置100には、その電位差ΔVを算出するための電位差検出部54が設けられる。その電位差検出部54には、既述の電源供給領域51から起電力V0が供給されており、これにより電位差検出部54が動作可能な状態となる。
図5は、この電位差検出部54の回路構成の一例を示す図である。この例では、オペアンプOPの負入力端と正入力端にそれぞれ抵抗R1、R2を接続すると共に、負入力端と出力端との間に帰還抵抗R3を接続する。また、正入力端にはバイアス用の抵抗R4を接続する。
この場合、各抵抗R1〜R4の抵抗値を全て同一にすることにより、出力端から電位差ΔV(=V1−V2)を得ることができる。
その電位差ΔVは、不図示のAD変換器によりデジタル値に変換された後、電位差ΔVを取得したときのステージ2の上昇量と対応付けられて、当該上昇量の関数として図4のメモリ領域53に格納される。
その関数は、図1のグラフ生成部9によりグラフ化される。
ここで、単位時間当たりのステージ2の上昇量が一定であるなら、当該上昇量を試験における試験時間とみなすこともできる。
図6は、このようにステージ2の上昇量を試験時間とみなした場合における、当該試験時間と電位差(歪の大きさ)ΔVとの関係を示すグラフの一例である。
なお、そのグラフにおける試験時間の原点は、歪センサ形成領域52、メモリ領域53、及び電位差検出部54の全てに電源供給領域51から起電力V0が供給され、これら各部52〜54が動作可能となった時点である。
図6における試験時間の最初の期間Eでは、昇降ステージ2が上昇の途中にあり、試験パッド41と試験プローブ8とが非接触の状態である。したがって、試験パッド41と試験プローブ8との間の接触力に起因した歪が歪センサ46に加わらず、電位差(歪の大きさ)ΔVは一定値となる。
そして、次の期間Fでは、昇降ステージ2が更に上昇を続けることにより試験パッド41と試験プローブ8とが接触する。試験パッド41と試験プローブ8との電気的なコンタクトを確実にするために、接触後も昇降ステージ2は上昇し続ける。接触後のこのような昇降ステージ2の上昇はオーバードライブとも呼ばれる。これにより、試験パッド41と試験プローブ8との接触力は試験時間と共に上昇し、電位差ΔVも上昇する。
次の期間Gでは、昇降ステージ2のオーバードライブが停止し、この状態で半導体装置100に対して電気的な試験が行われる。試験中、昇降ステージ2は停止しているので、この期間では試験パッド41と試験プローブ8との接触力が一定となり、電位差ΔVも一定となる。
試験が終了すると、期間Hに移り、昇降ステージ2が下降を開始する。これにより、試験パッド41と試験プローブ8との間の接触力が時間と共に低下し、電位差ΔVも低下する。
ところで、試験プローブ8がその寿命の間に試験パッド41とコンタクトする回数は何百万回にも及び、その間に様々な要因によって試験パッド41との接触力が経時的に変化する。
図7(a)〜(e)は、そのような接触力の変化の要因を説明するための断面図である。
図7(a)は、正常な試験プローブ8を示す。
図7(b)は、試験プローブ8の先端が磨耗によって短くなり、接触力が正常時よりも低下した場合を示す。
図7(c)は、試験プローブ8のバネ性等の劣化により、接触力が低下した場合を示す。
図7(d)は、試験パッド41のくず等の異物41aが試験プローブ8の先端に付着したことにより、試験プローブ8と試験パッド41との接触力が正常時よりも増加した場合を示す。
図7(e)は、試験プローブ8の変形によって、接触力が正常時よりも増加した場合を示す。
試験に際しては、図7(b)〜(e)のどの要因で試験プローブ8が劣化しているのかを確認することが望まれる。但し、確認のために試験装置1からプローブカード7を取り外したのでは、そのために新たな工数が増えてしまう。
そこで、本実施形態では、試験プローブ8の状態を、図6に示したような電位差(歪の大きさ)ΔVのグラフを用いて以下のようにして推定する。
図8は、その推定方法について説明するための図である。
図8では、上記の図7(a)〜(e)の各状態での歪の大きさのグラフを併記している。
なお、各グラフは、それらの形状を比較するために、昇降ステージ2が上昇を停止した時刻t0を基準にして横軸方向の位置を揃えている。
図8に示されるように、図7(a)〜(e)のそれぞれの状態に応じてグラフの形は異なる形状となる。
例えば、図7(b)のように試験プローブ8が磨耗している場合には、正常な場合(図7(a))のグラフと比較して、グラフが増加し始める時刻t1が遅くなる。この場合、試験プローブ8のバネ性が劣化している訳ではないから、試験プローブ8と試験パッド41との接触力は正常時と同じであり、歪の増加率に相当するグラフの傾きは正常時と同じである。
また、図7(c)のように試験プローブ8のバネ性が劣化している場合には、試験プローブ8の長さは正常時と同じであるから、グラフが増加し始める時刻t2も正常時と同じである。
但し、バネ性の劣化によって試験プローブ8と試験パッド41との接触力が低下するから、歪の増加率を示すグラフの傾きは正常時よりも小さくなる。
一方、図7(d)のように試験プローブ8の先端に異物41aが付着している場合には、異物41aの大きさの分だけ正常な場合よりも早い段階で試験プローブ8が試験パッド41から力を受ける。よって、この場合はグラフが増加し始める時刻t3が正常な場合よりも早くなる。
但し、試験プローブ8自体のバネ性は正常時と同じであるから、グラフの傾きは正常時と同じになる。
また、図7(e)のように試験プローブ8が変形している場合には、変形によって正常時よりも早い段階で試験プローブ8が試験パッド41に接触するので、グラフが増加し始める時刻t3が正常な場合よりも速くなる。
更に、変形によって試験プローブ8のバネ性も正常時より大きくなるので、歪の増加率を示すグラフの傾きが正常時よりも大きくなる。
図9は、上記したグラフの形状と試験プローブ8の状態との関係をまとめた図である。
図9に示されるように、試験パッド41と試験プローブ8とが接触する時刻と、グラフ(関数)の増加率とを利用すれば、どの要因で試験プローブ8が劣化しているのかを推定することができる。
そこで、このようなグラフの形を利用した劣化要因の推定方法について以下に説明する。
図10は、本実施形態に係る半導体装置の試験方法について示すフローチャートである。
最初のステップS1では、昇降ステージ2の上にシリコン基板20を載せる。
次いで、ステップS2に移り、電源供給領域51(図2参照)の太陽電池45に光を照射し、これにより得られた起電力を歪センサ形成領域52、メモリ領域53、及び電位差検出部54に供給し、各部52〜54を作動させる。
そして、ステップS3に移り、昇降ステージ2の上昇を開始する。
その後、ステップS4に移り、所定のオーバードライブ量まで昇降ステージ2を上昇させ、試験パッド41と試験プローブ8とを確実に接触させる。
ここで、ステップS2において各部52〜54を予め動作状態にしてあるので、ステップS3、S4を実行中にメモリ領域53には電位差ΔVが時間の関数として格納されることになる。
次に、ステップS5に移り、試験パッド41と試験プローブ8とが接触した状態で、該試験プローブ8とメモリ信号書き込み/読み取り部6とを介してメモリ領域53から上記の関数を読み出す。
そして、ステップS6に移り、その関数をグラフ生成部9がグラフ化する。
図8を参照して説明したように、そのグラフの形は試験プローブ8の状態を反映しており、正常な試験プローブ8のグラフと比較することにより試験プローブ8の状態を推定することができる。
そこで、次のステップS7では、ステップS6で得たグラフと正常な試験プローブ8のグラフとを的確に比較できるようにするため、これらのグラフの横軸方向の位置を揃える。揃えるときの基準の時刻は、図8を参照して説明したように、昇降ステージ2が上昇を停止した時刻t0である。
本ステップは、図1に示した判断部10が、グラフ生成部9からグラフを取得して行われる。また、基準となる正常な試験プローブ8のグラフは記憶部12に予め格納されている。
そして、ステップS8に移り、このグラフが増加し始める時刻と、その増加率とを利用して、判断部12が試験プローブ8の状態を推定する。推定の仕方は既述の図8及び図9で説明した通りであり、これにより試験プローブ8が磨耗(図7(b))、バネ性の劣化(図7(c))、異物の付着(図7(d))、及び変形(図7(e))のどの状態にあるかを推定できる。
その後、ステップS9に移り、推定された試験プローブ8の状態に応じ、どのように対処するかを決定する。
例えば、磨耗(図7(b))の場合は、正常な場合よりも昇降ステージ2のオーバードライブ量を増やし、試験プローブ8と試験パッド41とを電気的に確実にコンタクトさせる。
また、異物の付着(図7(d))の場合は、試験装置1に付属の研磨機構を用いて試験プローブ8の先端をクリーニングし、試験プローブ8から異物を除去すればよい。
これらの対処に際しては、試験装置1からプローブカード7を取り外す必要がないので、余計な工程が増えることはない。
以上により、本実施形態に係る半導体装置の試験方法の基本ステップを終了する。
上記した本実施形態によれば、図8を参照して説明したように、試験パッド41と試験プローブ8との接触力によって発生した歪の大きさのグラフを利用して、試験プローブ8の状態を推定する。
これによれば、試験プローブ8の状態を確認するために試験装置1からプローブカード7を取り外す必要がなく、確認のための余計な工数が不要となる。そのため、試験プローブ8の状態を確認する場合でも試験工程を速やかに行うことができ、半導体装置の製造工程のスループットを高めるのに寄与することができる。
更に、本実施形態では、試験パッド41と試験プローブ8とが接触する以前から、電源供給領域51で発生した起電力を歪センサ形成領域52とメモリ領域53に供給しておく。そのため、試験パッド41と試験プローブ8とが接触する時刻t1〜t3(図8参照)を確実に確認することができ、当該時刻とグラフの増加率とに基づいて試験プローブ8の状態を推定することができる。
なお、上記した試験プローブ8の状態の推定は、必ずしも一枚のシリコン基板20毎に行う必要はなく、所定枚数のシリコン基板20に対する電気的な試験を行った後に、定期的に行ってもよい。
(2)第2実施形態
上記した第1実施形態では、電源供給領域51に太陽電池45を形成した。
上記した第1実施形態では、電源供給領域51に太陽電池45を形成した。
これに対し、本実施形態では、マイクロ波の照射によって起電力が生じるアンテナを電源供給領域51に形成する。
図11は、本実施形態に係る試験対象の半導体装置200の断面図である。なお、図11において、第1実施形態で説明した要素には第1実施形態と同じ符号を付し、以下ではその説明を省略する。
図11に示されるように、本実施形態では、電源供給領域51における一層目金属配線37をアンテナ37aとする。
図12は、そのアンテナ37aの平面図である。
図12に示されるように、アンテナ37aはループ状の平面形状を有し、マイクロ波の照射による電磁誘導でその両端37b、37cには起電力V0が生じる。その起電力V0は、歪センサ形成領域52、メモリ領域53、及び電位差検出部54のそれぞれに供給され、これにより各部52〜54が動作することになる。
マイクロ波を照射するタイミングは特に限定されないが、既述の図10のステップS2〜S5においてアンテナ37aにマイクロ波を照射し、これらのステップにおいて歪センサ形成領域52、メモリ領域53、及び電位差検出部54を作動させるのが好ましい。
以上説明した本実施形態によれば、一層目金属配線37を利用して形成した簡便なアンテナ37aにより歪センサ形成領域52とメモリ領域53に電力を供給する。アンテナ37aは、一層目金属配線37の形成工程と同一工程で形成され得るので、アンテナ37aを形成するための新たな工程を追加する必要がない。よって、第1実施形態のように電源供給領域51として太陽電池を形成する場合として工程数を減らすことができ、半導体装置の製造工程を簡略化することができる。
なお、上記では、一層目金属配線37を利用してアンテナ37aを形成したが、アンテナ37aの形成部位はこれに限定されず、二層目以上の金属配線にアンテナ37aを形成するようにしてもよい。
(3)第3実施形態
上記した第1及び第2の実施形態では、電源供給領域51として太陽電池やアンテナを形成することにより、半導体装置の内部から歪センサ形成領域52、メモリ領域53、及び電位差検出部54に電力を供給した。
上記した第1及び第2の実施形態では、電源供給領域51として太陽電池やアンテナを形成することにより、半導体装置の内部から歪センサ形成領域52、メモリ領域53、及び電位差検出部54に電力を供給した。
これに対し、本実施形態では、以下のようにして半導体装置の外部から各部52〜54に電力を供給する。
図13は、本実施形態に係る試験対象の半導体装置300の断面図である。なお、図13において、第1実施形態で説明した要素には第1実施形態と同じ符号を付し、以下ではその説明を省略する。
図13に示されるように、本実施形態では、電源供給領域51における保護絶縁膜40の上に電源パッド42を設ける。その電源パッド42は、プローブカード7に設けられた電源供給用の電源プローブ11と接触する位置に形成されると共に、歪センサ形成領域52における試験パッド41よりも厚く形成される。
電源プローブ11と試験パッド8の先端の高さは同じなので、昇降ステージ2によりシリコン基板20を上昇させていくと、試験パッド41が試験プローブ8に接触するよりも前に、電源パッド42が電源プローブ11に接触することになる。
図14は、この半導体装置300の平面レイアウトを説明するための模式図である。
上記のように、電源パッド42と電源プローブ11とが早期に接触するので、図8に示した歪の大きさのグラフが増加し始める前に、電源プローブ11から供給される電力によって各部52〜54に電力を作動させることができる。
これにより、グラフが増加し始める時刻t1〜t3(図8参照)を確認することができ、当該時刻に基づいて図9のようにして試験プローブ8の状態を推定することができる。
そのような高さの異なるパッド41、42の作製方法は特に限定されないが、その一例について以下に説明する。
図15及び図16は、本実施形態に係るパッドの作製方法を工程順に示す断面図である。
最初に、図15(a)に示すように、保護絶縁膜40の上にアルミニウム膜を含む金属積層膜を500〜1000nm程度の厚さに形成し、それをパターニングして島状の複数の試験パッド41を形成する。
次いで、図15(b)に示すように、保護絶縁膜40と試験パッド41の上にポジ型のフォトレジスト43を塗布した後、フォトレジスト43を露光することにより、図15(c)に示すように、一部の試験パッド41の上のフォトレジスト43に感光部43aを形成する。
その後に、図15(d)に示すように、フォトレジスト43を現像して感光部43aを除去して、試験パッド41が露出する窓43bをフォトレジスト43に形成する。
続いて、図16(a)に示すように、フォトレジスト43上と窓43b内に、スパッタ法によりアルミニウム膜等の導電膜44を1000〜2000nm程度の厚さに形成する。
そして、図16(b)に示すように、フォトレジスト43を除去することにより、窓43b内の導電膜44のみを残し、それ以外の部位に形成されていた導電膜44をリフトオフする。
これにより、一部の試験パッド41の上にのみ導電膜44が選択的に形成され、そのパッド41と導電膜44とにより電源パッド42が形成されたことになる。その電源パッド42は、導電膜44の厚みの分だけ試験パッド41よりも厚く、試験時にシリコン基板20を上昇させるときに試験パッド41が試験プローブ8に接触するよりも早いタイミングで電源プローブ11と接触することができる。
1…試験装置、2…昇降ステージ、3…ステージ駆動部、4…補助制御部、5…ステージ昇降信号記憶部、6…メモリ信号書き込み/読み取り部、7…プローブカード、8…試験プローブ、9…グラフ生成部、10…判断部、11…電源プローブ、12…記憶部、20…シリコン基板、21…素子分離絶縁膜、22…pウェル、23、24…第1及び第2のp型不純物拡散領域、25〜27…第1〜第3のn型不純物拡散領域、28、29…第1及び第2の高濃度p型不純物拡散領域、30…ゲート絶縁膜、31…ゲート電極、35…第1の層間絶縁膜、36…導電性プラグ、37…一層目金属配線、40…保護絶縁膜、41…試験パッド、42…電源パッド、43…フォトレジスト、43a…感光部、43b…窓、44…導電膜、45…太陽電池、46…歪センサ、51…電源供給領域、52…歪センサ形成領域、53…メモリ領域、54…電位差検出部、100、200、300…半導体装置、R1〜R4…抵抗、OP…オペアンプ、TR…MOSトランジスタ。
Claims (8)
- 歪の大きさを測る歪センサを半導体基板に形成する工程と、
前記半導体基板の上方に試験パッドを形成する工程と、
試験装置の昇降ステージにより前記半導体基板を上昇させ、前記試験装置の試験プローブと前記試験パッドとが接触した時刻と、接触後の前記歪の増加率とに基づいて、前記試験プローブの状態を推定する工程と、
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記半導体基板はメモリ領域を備え、
前記試験プローブの状態を推定する工程は、
前記メモリ領域に、前記歪の大きさを時間の関数として格納するステップと、
前記試験パッドと前記試験プローブとが接触した状態で、該試験プローブを介して前記メモリ領域から前記関数を読み出すステップと、
前記関数から前記増加率と前記時刻とを求め、前記試験プローブの状態を推定するステップとを有することを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記半導体基板は電源供給領域を備え、
前記試験プローブの状態を推定する工程は、前記電源供給領域から前記メモリ領域と前記歪センサとに電力を供給した状態で行うことを特徴とする請求項2に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記電源供給領域に前記試験パッドよりも厚い電源パッドを形成し、
前記昇降ステージにより前記半導体基板を上昇させるときに、前記試験プローブが前記試験パッドに接触する前に、前記試験装置の電源プローブを前記電源パッドに接触させ、該電源パッドを介して前記電源プローブから前記メモリ領域と前記歪センサとに電力を供給することを特徴とする請求項3に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記電源供給領域における前記半導体基板に太陽電池を形成し、
前記昇降ステージにより前記半導体基板を上昇させるときに、前記太陽電池に光を照射し、これにより前記太陽電池に発生した起電力を前記メモリ領域と前記歪センサとに供給することを特徴とする請求項3に記載の半導体装置の製造方法。 - 試験装置の昇降ステージの上に、歪センサと試験パッドとが設けられた半導体基板を載せるステップと、
前記昇降ステージにより前記半導体基板を上昇させ、前記試験装置の試験プローブと前記試験パッドとが接触した時刻と、接触後に前記歪センサで測定された歪の増加率とに基づいて、前記試験プローブの状態を推定するステップと、
を有することを特徴とする半導体装置の試験方法。 - 試験プローブが設けられたプローブカードと、
歪センサと試験パッドとが設けられた半導体基板を上昇させる昇降ステージと、
前記昇降ステージにより前記半導体基板を上昇させたときに前記試験プローブと前記試験パッドとが接触した時刻と、接触後に前記歪センサで測定された歪の増加率とに基づいて、前記試験プローブの状態を推定する判断部と、
を有することを特徴とする半導体装置の試験装置。 - 半導体基板と、
前記半導体基板に形成された歪センサと、
前記半導体基板に形成されたメモリ領域と、
前記半導体基板の上方に形成され、試験工程で使用される試験プローブと接触する試験パッドとを有し、
前記試験プローブと前記試験パッドとの接触によって発生した歪の大きさが前記歪センサによって測定され、前記歪の大きさが前記試験工程における試験時間の関数として前記メモリ領域に格納されることを特徴とする半導体装置。
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JP2008278357A JP2010109072A (ja) | 2008-10-29 | 2008-10-29 | 半導体装置の製造方法、半導体装置の試験方法、半導体装置の試験装置、及び半導体装置 |
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CN102818980A (zh) * | 2012-08-13 | 2012-12-12 | 安阳市凤凰光伏科技有限公司 | 太阳电池硅衬底的质量检验方法 |
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2008
- 2008-10-29 JP JP2008278357A patent/JP2010109072A/ja not_active Withdrawn
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