JP2010103114A - 画像増強装置および光学装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】画像増強装置等の光学装置のための封止構造に関する。
【解決手段】光学装置は、真空ハウジングおよび真空ハウジング内に設置された陽極を含む。内封止部材が陽極から延在する。外封止部材が画像増強装置の一構成要素から延在し、外封止部材は、内外封止部材間に間隙を形成するように内封止部材に実質的平行に隣接して延在する。シールカップは、真空ハウジング内で真空状態を実質的に維持するために内外両封止部材と封止係合するように設置される。
【選択図】図1
【解決手段】光学装置は、真空ハウジングおよび真空ハウジング内に設置された陽極を含む。内封止部材が陽極から延在する。外封止部材が画像増強装置の一構成要素から延在し、外封止部材は、内外封止部材間に間隙を形成するように内封止部材に実質的平行に隣接して延在する。シールカップは、真空ハウジング内で真空状態を実質的に維持するために内外両封止部材と封止係合するように設置される。
【選択図】図1
Description
画像増強装置は、暗環境から観察者による感知可能な明環境へ転換するために暗視装置に使用される。暗視装置は、工業、商業、軍事産業用途を有する。画像増強装置は、暗環境で、暗環境には存在するが人間の目に感知できないような赤外光スペクトルの低部を含む、少量の光を集める。画像増強装置は、人間の目が画像を感知できるように光を増幅する。画像増強装置からの光出力は、カメラ、外部モニタ、または観察者の目に直接的に供給され得る。
画像増強装置は、概ね、真空ハウジング内に設置した三つの基本構成要素、即ち、光電陰極(通常、陰極(cathode)と呼ばれる)、マイロクチャンネルプレート(MCP)、および陽極(anode)を含む。光電陰極は、光に照射されるときに電子を解放できる感光プレートである。MCPは、ガラス板の一側(入力)と他側(出力)との間に延在する一連のチャンネルを有する薄いガラス板である。MCPは光電陰極と陽極との間に位置決めされる。
MCPの外面は、光電陰極イオンバリアフィルムで被覆されてよい。薄いフィルムによるMCPの外面の被覆は、フィルムを伴わないMCPと比較して、画像増強管の性能および寿命を評価できる程に改善する。フィルム付きMCPを画像増強管に組み込むことは、新規セットの挑戦を生む。かかる挑戦に適した解決策がここで説明される。
作用として、光電陰極から到来する電子は、MCPの入力側へ侵入し、かつチャンネル壁に衝突する。電圧がMCPに加わるときに、到来または初期電子は増幅され、第二電子を生成する。MCPチャンネルを退出する第二電子は負に電荷し、かつ従って、正電荷陽極に引き付けられる。陽極は、蛍光スクリーン、または例えば、相補型金属酸化半導体(CMOS)または電荷結合素子(CCD)等のシリコン撮像装置であってよい。
画像増強装置の三つの基本構成要素は、真空ハウジングまたは真空封筒内に位置決めされる。真空は、光電陰極からMCPを介して陽極への電子の流れを促進する。非蒸発性ゲッターが、気体分子を集めることにより真空状態を維持するために真空ハウジング内に設けられる。非蒸発性ゲッター装置は当分野で周知であり、真空電子管から望ましくないガスを排出するために使用される。ゲッター物質の使用は、当分野で周知のように、吸着、吸引、または閉塞により自由ガスを収集するために一定の固定の能力に基づいている。画像増強装置のハウジング内の真空を増進かつ維持することは、画像増強装置製造業者の目標である。この目標を基に、ここに記載の画像増強装置はゲッター物質の使用を最高にしかつハウジング内の真空状態を維持する関係で封止構造を採用する。
画像増強装置の構成要素の一層の開発および改良、ならびに性能、信頼性、製造可能性、組立コストおよび容易性との関係で画像増強装置を組立てる方法の開発および改良に対する引き続くニーズが存在する。
次の米国特許は、その全体がここに参考として組み込まれる。Wheeler他によるUSP5493111、Suyama他によるUSP6586877、Vrescak他によるUSP6747258、Benz他によるUSP6747258、IsoueによるUSP6331753、WimmerによるUSP4039877、Wodecki他によるUSP5510673、IosueによるUSP6483231、ThomasによるUSP5994824、IosueによるUSP6847027、およびThomasによるUSP5994824。次の米国特許出願はその全体がここに参考として組み込まれる。Costelloによる出願番号第11/193065号、Thomasによる出願番号第11/194865号、Yamauchi他による出願番号第10/482767号、およびShimoi他による出願番号第10/973336号。
上記ニーズに対処することを課題とする。
本発明による画像増強装置は、マイロクチャンネルプレート(MCP)、前記マイロクチャンネルプレート(MCP)に隣接して設置された陽極、前記マイロクチャンネルプレート(MCP)に対面するように位置決めされた上面、および前記陽極に対面するように位置決めされた下面を含む第一スペーサ、上面、および第一スペーサの上面に対面するように位置決めされた下面を有する第二スペーサ、ならびに第二スペーサの上面上に位置決めされた電気端子を含み、前記電気端子は前記マイロクチャンネルプレート(MCP)に電気的バイアスを付与するために前記マイロクチャンネルプレート(MCP)と接触するように位置決めされている、ことを特徴とする。
好適形態によれば、前記電気端子は、第二スペーサの第二面に対面するように位置決めされた導電性コンタクトリング、および前記導電性コンタクトリングおよび前記MCPと導電性により係合するように位置決めされた導電性スナップリングを含む。
好適形態によれば、第二スペーサは、少なくとも一部が第二スペーサの上面と下面間で第二少スペーサの上面に対して所定角度で延在する傾斜面を含む。
好適形態によれば、前記傾斜面の所定角度は約30°から約60°の範囲内である。
好適形態によれば、前記傾斜面は、第二スペーサの上面から延在し、かつ第二スペーサの上面と下面間に形成された中間面と交差し、第二スペーサの中間面、上面および下面は相互に対して実質的平行である。
好適形態によれば、第二スペーサの中間面と下面間での測定による第二スペーサの厚みは、前記MCPの厚みと実質的同一である。
好適形態によれば、前記電気端子は、第二スペーサの上面に対面するように位置決めされた導電性コンタクトリング、および前記導電性コンタクトリング、第二スペーサの中間面、および前記MCPと係合するように位置決めされた導電性スナップリングを含む。
好適形態によれば、第二スペーサは、セラミック材により形成されている。
好適形態によれば、第一スペーサは、前記MCPを接地電位に接続するための導電性領域を含む。
本発明は、更に、光学装置を提供する。本発明による光学装置は、真空ハウジング、前記真空ハウジング内に設置された陽極、前記陽極から延在する内封止部材、光学装置の構成要素から延在する外封止部材、および前記ハウジング内で真空状態を実質的に維持するために前記内封止部材および前記外封止部材に封止係合するシールカップを含み、前記外封止部材は、前記内外封止部材間に間隙が形成されるように前記内封止部材に隣接して延在することを特徴とする。
光学装置の好適形態において、前記真空ハウジングは、実質的筒状である。
光学装置の好適形態において、前記内外封止部材および前記シールカップは、前記真空ハウジングの周辺に環状シールを形成するために実質的筒状である。
光学装置の好適形態において、前記シールカップは、前記内封止部材と封止係合するための内面、および前記外封止部材と封止係合するための外面を形成している。
光学装置の好適形態において、前記外封止部材は、光学装置の陰極から間接的または直接的に延在している。
光学装置の好適形態において、前記内外封止部材および前記シールカップの周りに分配されたべ埋め込み材を更に含む。
光学装置の好適形態において、前記真空ハウジングは、前記埋め込み材を実質的に封入するように設置されている。
光学装置の好適形態において、前記埋め込み材が内部に設置される溝が前記外封止部材内に形成されている。
光学装置の好適形態において、前記陽極は、ヘッダー、相補型金属酸化半導体(CMOS)または前記ヘッダー上に取り付けられた電荷結合装置(CCD)を含む組立体である。
光学装置の好適形態において、前記内封止部材は前記ヘッダーの一面にロウ付けされている。
要約すれば、本発明の一形態によれば、光学装置のための封止構造が提供される。この光学装置は、真空ハウジングおよび真空ハウジング内に設置された陽極を含む。内封止部材は陽極から伸長する。外封止部材は光学装置の構成要素から伸長し、外封止部材は内封止部材に隣接しかつ実質的平行に延在するように位置決めされて、封止部材間に間隙を形成する。封止カップは、光学装置のハウジング内の真空状態を実質的に維持するために、内封止部材および外封止部材と係合封止するように位置決めされる。
本発明の他の形態によれば、画像増強装置が提供される。画像増強装置は、マイロクチャンネルプレート(MCP)、マイロクチャンネルプレート(MCP)に隣接設置された陽極、第一スペーサおよび第二スペーサを含む。第一スペーサはMCPに対面するように位置決めされた上面、および陽極に対面するように位置決めされた底面を含む。第二スペーサは第一スペーサの上面に対面するように位置決めされた底面、即ち、下面を含む。MCPと接触してMCPに電気的バイアスを付与するために電気端子が第二スペーサの上面上に設置されている。
次に、本発明の理解のために添付図面を参照して本発明を詳細に説明する。
添付図面は本発明の実施形態を図解目的で示す。従って、図面は本発明を限定するのではなく理解を容易にするために解説を目的として示されている。本発明は図示された詳細に限定されない。本発明は特定実施形態を参照して解説されるが、種々の変更が特許請求の範囲に記載の本発明と均等の範囲内で本発明から逸脱することなく可能である。
図1は、本発明の一例示実施形態による画像増強管10(以下、管10と言う)の断面図である。管10は後カバー13に取り付けられた前カバー11を含む真空ハウジング12を含む。ハウジング12内には、光電陰極14、マイロクチャンネルプレート(MCP)16および陽極20(もしくは画像センサー20と言う)が設置されている。
光電陰極14は、傾斜部15Aおよび真空ハウジング12の一端で導電性支持リング22上に当接するフラット部24を有する。フェイスプレート15に取り付けられる。金属化層25は、概ねクロムで構成され、導電性支持リング22と導電性により係合するために堆積される。金属化層25は、光電陰極14およびフェイスプレート15の両者に導電性に係合するために傾斜部15Aに沿って連続的に延在する。光電陰極フェイスプレート15の支持リング22に対する当接は真空ハウジング12の一端を閉鎖するシール(seal)を形成する。支持リング22は、光電陰極14のフェイスプレート上の金属化層25と接触する。金属化層25は、光応答性層26に連結される。そのようにして、電気的バイアスは、真空ハウジング12の外部上で支持リング22に電気的バイアスを付与することにより真空環境内で光電陰極14の光応答性層26に付与されてよい。
第一環状セラミックスペーサ28が支持リング22の下方に位置決めされる。第一セラミックスペーサ28は、第一銅ロウ付けリング(図示せず)により支持リング22に連結され、第一銅ロウ付けリングは第一セラミックスペーサ28および支持リング22の両方にロウ付け時に結合される。ロウ付け作業は、支持リング22と第一セラミックスペーサ28間の空気不透過性シールを形成する。上MCP端子32は、金属コンタクトリングの形態で提供され支持リング22と反対の、第一セラミックスペーサ28に結合される。第二ロウ付けリング(図示せず)は、上MCP端子32と第一セラミックスペーサ28との間に介在する。上MCP端子32は、ロウ付け作業時に第一セラミックスペーサ28に結合される。上MCP端子32は、真空ハウジング12へ伸長し、金属スナップリング38と導電性により係合する。金属スナップリング38は、MCP16の導電性上面42と係合する。上MCP端子32と金属スナップリング38との組合わせはここでは電気端子として説明される。金属スナップリング38とMCP16との係合は、図5Aを参照して更に詳細に説明される。電気的バイアスは、真空ハウジング12の外部で上MCP端子32に電気的バイアスを付与することによりMCP16の導電性上面42に付与できる。
第二セラミックスペーサ46は、上MCP端子32の下方に位置決めされ、上MCP端子32を下MCP端子48から隔離する。第二セラミックスペーサ46は、上MCP端子32および下MCP端子48の両方にロウ付けされ、そのようにして第三ロウ付けリング(図示せず)が上MCP端子32と第二セラミックスペーサ46との間に介在し、かつ第四ロウ付けリング(図示せず)は第二セラミックスペーサ46と下MCP端子48との間に介在する。下MCP端子48は、真空ハウジング12へ伸長してMCP16の導電性下面44と係合する。そのようして、MCP16の導電性下面44は下MCP端子48を真空ハウジング12の外部の接地電位に連結することにより接地に接続される。
第三セラミックスペーサ56は、ゲッターサポート58から下MCP端子48を分離する。第三セラミックスペーサ56は下MCP端子48およびゲッターサポート58にロウ付けされる。そのようにして、第五ロウ付けリング(図示せず)が下MCP端子48と第三セラミックスペーサ56との間に介在する。同様に、第六ロウ付けリング(図示せず)が第三セラミックスペーサ56とゲッターサポート58との間に介在する。外封止部材64がゲッターシールド58の下方に設置される。外封止部材64はゲッターシールド58にロウ付けされる。そのようにして、第七ロウ付けリング(図示せず)が外封止部材64上方に設置される。
下MCP端子48のセグメント69は、MCP16とセラミックヘッダー68間に設置される。CMOS撮像装置ダイ43の形態の陽極20は、ヘッダー68の一面に取り付けられる。CMOS撮像装置の動作は当業者に理解されている。選択的に、陽極20は蛍光スクリーンまたは電荷結合装置(CCD)等の他のタイプのシリコン撮像装置であってよい。セラミックヘッダー68上へのCMOSダイ43の取り付けは図2Aおよび2Bを参照して更に詳細に説明する。下MCP端子48のセグメント69は、MCP16の導電性下面44を所定の精確な距離によりCMOSダイ43の上面から分離する。
内封止部材66は、セラミックヘッダー68の下方に設置される。内封止部材66はセラミックヘッダー68にロウ付けされる。そのようにして、八個のロウ付けリング(図示せず)がセラミックヘッダー68と内封止部材66間に介在する。真空ハウジング12の下端は、外封止部材64と内封止部材66の存在により真空封鎖される。封止部材64および66は、シールカップ70に対して封止される。封止部材64および66とシールカップ70との間の封止係合は図5を参照して更に詳細に説明される。上述のロウ付け界面、埋め込み材料63およびシールの組み合わせは真空ハウジング12により形成される気密封筒(包装材料)を形成する。
複数の電気ピン45が、CMOSダイ43から伸長する電線(図示せず)と導電性による電気的接触のためにセラミックヘッダー68の本体へ設置される。動力、接地および/または信号はピン45を介して分配される。後カバー13はピン45を収容するための孔47を含み、そのようにして嵌合コネクタ(図示せず)がピン45に連結されてCMOSダイ43に動力を提供しかつ/またはCMOSダイ43から信号を受信する。
画像増強管10を組立てる方法を説明すると、画像増強管の組立における重要な工程は、管を真空封止する前に画像増強管の内領域から破壊性有機ガスを除去することである。有機ガスは陽極および/または画像増強管の他の構成要素から発生する。画像増強管の真空封止前の有機ガスの除去は、画像増強管の性能および寿命を改良する。フィルム無しMCPを有する画像増強管のために、有機ガスはフィルム無しMCP内に形成される小さいチャンネルから真空吸引されて部分的に組み立てた管の上端から排出される。その後に、光電陰極が画像増強管の上端に取り付けられかつ真空封止される。
伝統的画像増強管と異なり、画像増強管10のMCP16の表面はイオンバリアフィルムで被覆される。イオンバリアフィルムは、フィルム無しのMCPを組み込んだ伝統的画像増強管との比較で、画像増強管10の性能および寿命を改善するために使用される。フィルム付きMCPは、種々の性能利益を提供し、かつ後述のごとく画像増強装置を組立てる上で種々の挑戦を可能にする。CMOSダイ(または管の他の構成要素)から発生する有機ガスは、MCPに適用されるイオンバリアフィルムの結果として、フィルム付きMCPへの通過が制限される。有機ガスはMCPとCMOSダイ間の空間に捕獲される。有機ガスがMCPとCMOSダイ間の空間に捕獲されることにより、管の性能および寿命が潜在的に縮小するので、そのようなガスは排気(即ち、除去)することが望ましい。
図2は、図1の部分的に組立てた管の側断面図を示す。図2は、管組立てコースにおける特別の組立工程を示す。図2に示された組立て工程は、小組立体77を組立てた直後であって構成要素14および環状シールカップ70を小組立体77に組立てる直前に行われる。
本発明の例示実施形態によれば、管10は、図2に矢印により示されたように、CMOSダイ43(および/または管10の他の構成要素)から管10の下端を介して発生する有機ガスの除去のために設けられる。図2に示された組立方法において、光電陰極14は小組立体77の上端から分離され、かつ環状シールカップ70は小組立体77の下端から分離される。
真空源(図示せず)は、図2に矢印で示されたように、光電陰極14と小組立体77の上端間の間隙Hへ真空を引き、MCP16上方に捕獲された有機ガスを排気する。その後に、光電陰極14は小組立体77の上端にロウ付けまたは取り付けられて、管10の上端を封止する。真空源(図示せず)は、更に、環状シールカップ70と小組立体77の下端間の間隙Gへ真空を引く。CMOSダイ43から発生する有機ガスは、ヘッダー68とMCPスペーサ16間の通路80へ吸引され、それによりMCPスペーサ16とCMOSダイ43間の空間に捕らわれた有機ガスを除去する。その後に、環状シールカップ70は、小組立体77の下端に取り付けられて管10の下端を封止する。ヘッダー68とMCPスペーサ16間に形成された通路80への有機ガスの除去は、フィルム付きMCP(例えば、MCP16のような)を有する画像増強管(管10のような)画像増強管にとってユニークである。フィルム無しMCPを利用する画像増強管は、有機ガスがフィルム無しMCP内に形成された小さいチャンネルへ逃げるので、シリコン撮像装置ヘッダーとMCPスペーサ間に必ずしも通路の形成を必要としない。
図3Aは、図1の画像増強装置間の上面図を示し、光電陰極は省略され、かつマイロクチャンネルプレート(MCP)の一部はCMOS撮像装置を暴露するために切断されている。図3Bは3B−3B線に沿って切断した図3Aの部分的画像増強装置間の側断面立面図である。図3Aおよび3Bは、ヘッダー68とMCPスペーサ48間に形成された通路80を示す。通路80は、ヘッダー68とMCPスペーサ48の環状交差点でヘッダー68およびMCPスペーサ48の両方または一方に形成された凹部により形成される。
図3A−3Bに図示された例示実施形態によれば、MCPスペーサ48の下面73はヘッダー68の表面75に対面するように位置決めされる。ロウ付けリング(図示せず)は、MCPスペーサ48をヘッダー68に取り付けるために、MCPスペーサ48とヘッダー68間に挟まれる。通路80は、ヘッダー68に形成された一連の階段面82により形成されかつヘッダー68の周辺に沿って形成された凹部により形成される。各階段面82は、ヘッダー68の上面75からヘッダー68の下面84まで伸長している。図4Bに最良に示されたように、ヘッダー68は八つの階段面を含み、ヘッダー68の周辺に沿って離隔している。各階段面82の寸法、形状および数量は変更可能である。
ゲッター物質はヘッダー68の階段面82上に堆積される。背景技術で説明したように、ゲッター物質は管10の操作および組立て時に生じる破壊性有機ガスを吸収する。管10内のゲッター物質の量を最大にすることは、管10のハウジング2内の真空状態を維持するために有利である。その理由から、階段は他の幾何学形状を凌駕して好適であり、これは直交面を変更することがゲッター物質を堆積するための利用可能領域を最大にするからである。従って、一連の階段面82はゲッター物質を堆積する通路80の表面積を最大にする上で好適である。
図示されていないが、他の実施形態において、通路80はスペーサ48内に形成された一連の階段面により形成される凹部により形成される。他の実施形態において、階段はヘッダー68およびスペーサ48間に通路80を形成するように形成される。更に、階段の形態内の直交面を変形すると共に、階段面82を図示された形態を変更してよい。本発明の一形態によれば、階段面82はヘッダー68の取り付け面75に対して任意所定角度で延在してよい。
本発明の一形態によれば、管10のような画像増強装置を加工する方法が提供される。加工方法は、CMOSダイ43等の画像センサを陽極組立体のヘッダー68上に取り付ける工程を含む。MCPスペーサ48の表面73は、通路80がMCPスペーサ48とヘッダー68間の界面に形成されるように、陽極組立体のヘッダー68の面75上に設置される。フィルム付きMCP16は、スペーサ48がフィルム付きMCP16とCMOSダイ43との間に設置されるように、MCPスペーサ48の上面上に設置され、そしてフィルム付きMCP16とCMOSダイ43との間に空間『S』が形成される。真空は、スペーサ48とヘッダー68間の界面に形成される通路を介して、フィルム付きMCP16とCMOSダイ43間の空間『S』から有機ガスを引くために付与される。ゲッター物質は有機ガスを吸引するために通路80の表面上に堆積される。
図4Aおよび4Bは、CMOSヘッダー68、MCPスペーサ48および内封止部材66を含む図1の画像増強管10の小組立体の、それぞれ斜視図および上面図を示す。これらの構成要素の更に詳細な説明は後述される。MCPスペーサ48の下面73(図3B参照)はヘッダー68の面75に対面するように位置決めされる。ロウ付けリング(図示せず)は、これらの構成要素を一緒に密封するためにMCPスペーサ48とヘッダー68との間に挟まれる。他のロウ付けリング(図示せず)がこれらの構成要素を一緒に密封するためにCMOSヘッダー68と内封止部材66間に挟まれる。
上述のごとく、CMOSダイ43(図1−3B参照)はヘッダー68の表面上に取り付けられる。ヘッダー68はCMOSダイ43の矩形体を収容するために矩形凹面90を含む。当業者に理解されるように、CMOSダイ43の形状および凹面90は図示形態から変更されてよい。CMOSダイ43は、例えば、エポキシ等の接着剤により凹面90内に取り付けられてよい。一連のチャンネル94が、CMOSダイ43の下面に付与される過剰接着剤を採集するために、凹面90のコーナー内に形成される。MCPスペーサ48は各チャンネル94に対応する凹部95を含む。各チャンネル94は、凹面90の立ち上がり部よりも低い上昇部へ伸長し、チャンネル94が凹面90よりも深くなっている。換言すれば、表面75とチャンネル94を分離する距離は、表面75と凹面90を分離する距離よりも大きい。組立て時に、CMOSダイ43の下側に塗布された過剰接着剤はチャンネル94へ集められる。
一連の表面マウントパッド98は、CMOSダイ43から伸長するリード(図示せず)に連結するためにヘッダーの表面75上に設けられる。各表面マウントパッド98は、ヘッダー68の本体へ送られる内部配線によりシリコン撮像装置組立体のピン45(図1参照)に連結される。
図1、4Aおよび4Bを参照すると、シリコン撮像装置のMCP、光電陰極または管ハウジング等の画像増強管の他の構成要素に対する整合は、管の適正機能を確実にするために望ましい。シリコン撮像装置の整合は、しばしば、労力を要しかつ時間の掛かる方法である。照準的画像増強管組立法において、シリコン撮像装置はセラミックヘッダーの表面に取り付けられる。MCP、光電陰極または管ハウジング等の他の管構成要素はシリコン撮像装置に対して整合すべきである。画像増強管の適正機能を確実にするためにシリコン撮像装置の場所に対して管の他の構成要素を空間的に整合させるために組立作業員により特別の注意が払われる。望ましくは、迅速かつ精確な組立てを促進するために画像増強装置へ整合機構を採用することが望ましい。
管10は、シリコン撮像装置20と、例えばハウジング10、MCP16および光電陰極14等の管10の他の構成要素との迅速かつ精確な空間的整合を促進するためにユニークな製造機構を採用する。更に具体的には、本発明の一特徴によれば、図1に最良に示されたように、管10はヘッダー68に対して画像センサ20を整合させる手段100を含む。例示実施形態によれば、画像センサ整合手段100は、画像センサ20のフレームを収容できる寸法のヘッダー68の凹面90の形態で提供され、そのようにして画像センサ20は凹面90内に少なくとも一部が保持される。画像センサ20と凹面90の境界間にほんの小さな間隙が比較的厳密許容差で維持され、ヘッダー68の位置に対する画像センサ20の位置が精確に知られる。そのようにして、ヘッダー68に対する画像センサ20の位置は予め決定される、即ち、知られる。理解されるように、画像センサ20は凹面90内で水平移動および回転が制限される。
図1を再度参照すると、管10は、管10のハウジング12に対してヘッダー68を整合させる手段102を更に含む。例示実施形態によれば、ヘッダー整合手段102は、ハウジング12の後カバー13から伸長した突起51を収容できる寸法のヘッダー68の表面上に形成された凹部49の形態で提供される。突起51は、例えば表面、ピン、ファスナの形態、または当業者に既知の他の整合機構で提供されてよい。突起51と凹部49の境界管の小さな間隙は、比較的厳密な許容差で維持され、ハウジング12の位置に対するヘッダー68の位置が精確に知られる。このようにして、ハウジング12の位置に対するヘッダー68の位置が予め決定される、即ち、知られる。理解されるように、ヘッダー68の凹部49とハウジング12の突起51間の係合は、ハウジング12に対するヘッダー68の水平移動および回転を制限する。
凹面90と凹部49間の距離が予め決定されるので、シリコン撮像装置20とハウジング12間の距離は、同様に、予め決定される。従って、手段100と102を管10の設計に採用することにより、管10を組立てる煩雑さは、ハウジング12に対するシリコン撮像装置20の位置が予め決定されているので減少し、結果としてMCP16および光電陰極14等の管10の他の構成要素に対するシリコン撮像装置20の迅速かつ精確な位置決めができる。
MCP16および光電陰極14は、ハウジング12に間接的または直接的に取り付けられる。MCP16および光電陰極14のハウジング12に対する位置は、同様に、予め決定され得る。従って、ハウジング12に対する画像センサ20の位置は予め決定され、かつハウジング12に対するMCP16および光電陰極14の位置は予め決定されるので、画像センサ20に対するMCP16および光電陰極14の相対的位置は、同様に、予め決定される。
図4Aに最良に示されたように、凹部49および凹面90は、共に、ヘッダー68の表面75から伸長している。凹部49および凹面90をヘッダー68の同一面上に形成することにより、凹部49と凹面90間の相対的距離は、高い精度で維持でき、結果的に凹部49および凹面90をヘッダー68の異なる表面上に形成するよりも寸法許容差は低い。選択的に、図1に示されたように、凹部49および凹面90はヘッダー68の反対面上に形成されてよい。
画像センサ整合手段100は、本発明の範囲および主旨から逸脱しない範囲内でここに図示、解説されたものと相違してよい。非制限例として、画像センサ手段100は、ヘッダー68上に形成された突起を含み、画像センサ20の表面はこの突起に対して位置決めされる。更に、ヘッダー整合手段102は、同様に、本発明の範囲および主旨から逸脱しない範囲内でここに図示、解説されたものと相違してよい。非制限例として、画像センサ手段102は、ヘッダー68から突出した突起を含み、この突起はハウジング12上に形成された凹部内に位置決めできる寸法にされる。
整合手段100および102は、画像増強装置に採用することが必須でなく、例えば、長波または短波赤外線センサ装置等のセンサを採用した任意電子装置に組み込まれてよい。更に、かかるセンサは相補金属酸化半導体(CMOS)または電荷結合装置(CCD)、または任意他のタイプの既知センサ等の画像センサであってよい。
本発明の一形態によれば、画像センサ20を管10のハウジング12に対して整合させる方法が提供される。この方法は、ヘッダー68の凹面90上に画像センサ20を設置する工程を含む。ヘッダー68はハウジング12内に設置される。ヘッダー68の凹部49等の第二整合要素が、ハウジング12の表面上に形成または設置された突起51等の整合要素と整合する。
図5は、図1の管10の環状封止部材64および66の詳細図を示す。真空ハウジングの下端は外封止部材64および内封止部材66の存在により真空封止される。内封止部材66は、ロウ付けリング(図示せず)によりセラミックヘッダー68の下面にロウ付けされかつそこから下方へ伸長する。外封止部材64は、ロウ付けリング110によりゲッターシールド58にロウ付けされかつそこから下方へ伸長する。外封止部材64は内封止部材66に隣接しかつ実質的に平行に延在して、封止部材64と66間に間隙”E”を形成する。
外封止部材64および内封止部材66は、ハウジング12内に真空状態を維持するために環状シールカップ70と封止接触状態で設置される。封止部材64および66は、例えばKovar(登録商標)、または当業者に既知の他の任意適宜材料から形成されてよい。第一シール74は、外封止部材64とシールカップ70間の界面に形成される。第一シール74は、外封止部材64と側面112、かつ/またはシールカップ70の中間面との間に形成される。第二シール76が内封止部材66とシールカップ70の界面に形成される。第二シール76は、内封止部材66と中間面116かつ/またはシールカップ70の中間面114との間に形成される。外封止部材64と内封止部材66との組み合わせはダブルダガー(double-dagger) 封止部材と呼ばれ、これは各封止部材64および66が短剣のような形状をすることによる。
ハウジング12と内構成要素との間に形成された環状空間に埋め込み材63が埋め込まれる。ハウジング2の前後カバー11および13は、埋め込み材63を実質的に封入するように位置決めされる。溝118が外封止部材64の外循環面に沿って形成され、埋め込み材63はその中に設置される。溝118は、間10の性能を最適にするために光電陰極14の内スペーシングのセッティングを助ける。埋め込み材63、シール74、シール76および図1を参照して説明したロウ付け界面の組み合わせは、真空ハウジングにより画定された気密封筒を形成する。
図5に示された構成要素の構成は、図示かつ解説されたものに限定されない。封止部材74および76は、管10の任意構成要素から延在してよい。例えば、外封止部材64は光電陰極14から間接的または直接的に延在してよい。更に、封止部材74および76は、相互に対して異なる高さで、または異なる角度で延在してもよい。封止部材74および76の全体的形状は、直線、環状(図示されたように)、または管10の形状に適合する他の任意形状であってよい。
図6は図1のMCP16の詳細説明図である。上MCP端子32は金属コンタクトリングの形態で提供され、第一セラミックスペーサにロウ付けリングにより結合される。上MCP端子32は、真空ハウジング12へ伸長し、金属スナップリング38と導電性により係合する。金属スナップリング38はMCP16の導電性上面42と係合する。電気的バイアスは、真空ハウジング12の外部上の上MCP端子32に付与することにより、MCP16の導電性上面42に付与できる。
スペーサ46が、MCP上端子32の下方で上昇位置に設置され、MCP上端子32をMCP下端子48から隔離する。スペーサ46はセラミック等の絶縁材料により形成されてよい。スペーサ46はMCP上端子32およびMCP下端子48の両方にロウ付けされる。MCP下端子48は真空ハウジング12へ伸長し、MCP16の導電性下面44と係合する。そのようにして、MCP16の導電性下面44は、MCP下端子48を真空ハウジング12の外部で接地電位に連結することにより接地に接続される。図示されていないが、MCP下端子48は、接地電位にMCP16の導電性下面44を接続するために、導電性領域を含む。MCP下端子48はMCPスペーサとして次に説明される。
スペーサ46は、MCP下端子48の上面に対面するように位置決めされた下面117を含む。スペーサ46の上面119はMCP上端子32の下面に対面するように位置決めされる。スペーサ46の傾斜面120は、少なくとも一部で、スペーサ46の上面119に対して所定角度でスペーサ46の下面117と上面119との間に延在する。傾斜面120の角度は、スペーサ46の構造的一体性に影響を与える。上面119に対する傾斜面120の角度は、例えば約30°から60°の範囲内であってよい。選択的に、上面119に対する傾斜面120の角度は約45°であってよい。
傾斜面120はスペーサ46の上面119から伸長し、かつスペーサ46の上面119と下面117との間の上昇位置に形成された中間面122と交差する。スペーサ46の中間面122、上面119および下面117は、実質的に平面でありかつ相互に対して平行である。スペーサ46の中間面122と下面117間で測定されるスペーサ46の厚みは、図6に示されたように、MCP16の厚み寸法に実質的に等しい。換言すると、中間面122とMCP16の導電性上面42は、実質的同一高さで位置決めされる。中間面122およびMCP16の導電性上面42を同一高さで維持することにより、金属スナップリング38の下面は、単一平面に沿ってMCP16およびスペーサ46の両方の上面と係合するように位置決めされる。
上記説明は、本発明を実施するために最良形態に関し、かつ請求項の要素について例示することにより当業者に本発明の実施および使用を可能にするように説明されている。本発明の範囲は特許請求の範囲に記載され、かつ当業者に想起される他の実施例を含んでよい。
本発明の例示実施形態が図示かつ説明されているが、かかる実施形態は単に例示であることが理解されるであろう。種々変更、変化、代替が本発明の精神を逸脱することなく当業者には想起されるであろう。例えば、本発明の特徴は、画像増強装置に限定されず、他の光学または電子装置に応用できる。従って、各請求項は本発明の精神および範囲内でかかる変化形態を含むことが意図されている。
10 画像増強管
12 真空ハウジング
14 光電陰極
16 マイロクチャンネルプレート(MCP)
20 陽極
64 外封止部材
66 内封止部材
12 真空ハウジング
14 光電陰極
16 マイロクチャンネルプレート(MCP)
20 陽極
64 外封止部材
66 内封止部材
Claims (19)
- マイロクチャンネルプレート(MCP)、
前記マイロクチャンネルプレート(MCP)に隣接して設置された陽極、
前記マイロクチャンネルプレート(MCP)に対面するように位置決めされた上面、および前記陽極に対面するように位置決めされた下面を含む第一スペーサ、
上面、および第一スペーサの上面に対面するように位置決めされた下面を有する第二スペーサ、ならびに
第二スペーサの上面上に位置決めされた電気端子を含み、
前記電気端子は前記マイロクチャンネルプレート(MCP)に電気的バイアスを付与するために前記マイロクチャンネルプレート(MCP)と接触するように位置決めされている、画像増強装置。 - 前記電気端子は、第二スペーサの第二面に対面するように位置決めされた導電性コンタクトリング、および前記導電性コンタクトリングおよび前記MCPと導電性により係合するように位置決めされた導電性スナップリングを含む、請求項1の画像増強装置。
- 第二スペーサは、少なくとも一部が第二スペーサの上面と下面間で第二少スペーサの上面に対して所定角度で延在する傾斜面を含む、請求項1の画像増強装置。
- 前記傾斜面の所定角度は約30°から約60°の範囲内である、請求項3の画像増強装置。
- 前記傾斜面は、第二スペーサの上面から延在し、かつ第二スペーサの上面と下面間に形成された中間面と交差し、第二スペーサの中間面、上面および下面は相互に対して実質的平行である、請求項3の画像増強装置。
- 第二スペーサの中間面と下面間での測定による第二スペーサの厚みは、前記MCPの厚みと実質的同一である、請求項5の画像増強装置。
- 前記電気端子は、第二スペーサの上面に対面するように位置決めされた導電性コンタクトリング、および前記導電性コンタクトリング、第二スペーサの中間面、および前記MCPと係合するように位置決めされた導電性スナップリングを含む、請求項5の画像増強装置。
- 第二スペーサは、セラミック材により形成されている、請求項1の画像増強装置。
- 第一スペーサは、前記MCPを接地電位に接続するための導電性領域を含む、請求項1の画像増強装置。
- 真空ハウジング、
前記真空ハウジング内に設置された陽極、
前記陽極から延在する内封止部材、
光学装置の構成要素から延在する外封止部材、および
前記ハウジング内で真空状態を実質的に維持するために前記内封止部材および前記外封止部材に封止係合するシールカップを含み、
前記外封止部材は、前記内外封止部材間に間隙が形成されるように前記内封止部材に隣接して延在する、光学装置。 - 前記真空ハウジングは、実質的筒状である、請求項10の光学装置。
- 前記内外封止部材、および前記シールカップは、前記真空ハウジングの周辺に環状シールを形成するために実質的筒状である、請求項11の光学装置。
- 前記シールカップは、前記内封止部材と封止係合するための内面、および前記外封止部材と封止係合するための外面を形成している、請求項12の光学装置。
- 前記外封止部材は、光学装置の陰極から間接的または直接的に延在している、請求項10の光学装置。
- 前記内外封止部材および前記シールカップの周りに分配されたべ埋め込み材を更に含む、請求項10の光学装置。
- 前記真空ハウジングは、前記埋め込み材を実質的に封入するように設置されている、請求項15の光学装置。
- 前記埋め込み材が内部に設置される溝が前記外封止部材内に形成されている、請求項15の光学装置。
- 前記陽極は、ヘッダー、相補型金属酸化半導体(CMOS)または前記ヘッダー上に取り付けられた電荷結合装置(CCD)を含む組立体である、請求項10の光学装置。
- 前記内封止部材は前記ヘッダーの表面にロウ付けされている、請求項18の光学装置。
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