JP2010098142A - Supporting device for optical element and exposing device - Google Patents
Supporting device for optical element and exposing device Download PDFInfo
- Publication number
- JP2010098142A JP2010098142A JP2008267995A JP2008267995A JP2010098142A JP 2010098142 A JP2010098142 A JP 2010098142A JP 2008267995 A JP2008267995 A JP 2008267995A JP 2008267995 A JP2008267995 A JP 2008267995A JP 2010098142 A JP2010098142 A JP 2010098142A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- optical element
- liquid
- substrate
- space
- support
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Images
Landscapes
- Lens Barrels (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
Description
本発明は、液体に接する光学素子を支持するための支持装置、この支持装置を備え例えば液浸法を用いて露光を行う露光装置、及びこの露光装置を用いるデバイス製造方法に関する。 The present invention relates to a support device for supporting an optical element in contact with a liquid, an exposure apparatus that includes the support device and performs exposure using, for example, a liquid immersion method, and a device manufacturing method that uses the exposure apparatus.
半導体素子等のデバイス(電子デバイス)を製造するためのリソグラフィ工程で、マスクパターンをレジスト(感光剤)が塗布されたウエハ等の基板上に転写する際に使用される露光装置においては、投影光学系の先端の光学素子と基板との間に露光光を透過する液体を供給する液浸法を用いて露光を行う露光装置が開発されている(例えば、特許文献1及び特許文献2参照)。この液浸法によれば、実質的に露光波長を短くし、かつ空気中に比べて焦点深度を広くすることができる。
上記の如く液浸法を用いて露光を行う場合、例えば投影光学系に対して基板が移動する際に、投影光学系の先端の光学素子と基板との間の液体によってその光学素子が僅かに変形することが分かってきた。今後、例えば投影光学系の先端の光学素子の屈折力が増加すると、そのような光学素子の変形によって投影光学系の所定の収差等の結像特性が影響を受ける恐れがある。 When exposure is performed using the liquid immersion method as described above, for example, when the substrate moves relative to the projection optical system, the optical element slightly changes due to the liquid between the optical element at the tip of the projection optical system and the substrate. It has been found to be deformed. In the future, for example, when the refractive power of the optical element at the tip of the projection optical system increases, there is a possibility that the imaging characteristics such as predetermined aberrations of the projection optical system are affected by such deformation of the optical element.
本発明はこのような事情に鑑み、例えば液浸法で露光を行う際に液体に接する光学素子の変形を抑制できる支持装置、この支持装置を用いる露光装置、及びこの露光装置を用いるデバイス製造方法を提供することを目的とする。 In view of such circumstances, the present invention provides, for example, a support device that can suppress deformation of an optical element that is in contact with a liquid when exposure is performed by a liquid immersion method, an exposure device that uses the support device, and a device manufacturing method that uses the exposure device. The purpose is to provide.
本発明による光学素子の支持装置は、液体に接する光学素子の支持装置であって、その光学素子を複数の支持点を介して支持するベース部材と、その液体の移動に伴うその光学素子の変形を抑制するようにその光学素子を変形させる変形機構と、を備えるものである。
また、本発明による露光装置は、露光光でパターンを照明し、その露光光でそのパターン及び投影光学系を介して基板を露光する露光装置において、その基板を移動するステージ系と、その投影光学系の先端の光学素子とその基板との間に液体を供給する液体供給装置と、本発明の光学素子の支持装置と、を備え、その投影光学系の先端の光学素子をその支持装置で支持するものである。
An optical element support device according to the present invention is a support device for an optical element in contact with a liquid, and includes a base member that supports the optical element via a plurality of support points, and a deformation of the optical element as the liquid moves. And a deformation mechanism for deforming the optical element so as to suppress the above.
An exposure apparatus according to the present invention illuminates a pattern with exposure light, and exposes the substrate with the exposure light through the pattern and the projection optical system. A liquid supply device for supplying a liquid between the optical element at the tip of the system and the substrate, and a support device for the optical element of the present invention, and the optical element at the tip of the projection optical system is supported by the support device To do.
また、本発明によるデバイス製造方法は、本発明の露光装置を用いて基板を露光することと、その露光された基板を処理することと、を含むものである。 The device manufacturing method according to the present invention includes exposing a substrate using the exposure apparatus of the present invention and processing the exposed substrate.
本発明によれば、液体の移動に伴う光学素子の変形を抑制するようにその光学素子を変形させる変形機構を備えているため、例えば液浸法で露光を行う際に液体に接する光学素子の変形を抑制できる。 According to the present invention, since the optical element is provided with a deformation mechanism that deforms the optical element so as to suppress the deformation of the optical element accompanying the movement of the liquid, the optical element that comes into contact with the liquid, for example, when performing exposure by a liquid immersion method. Deformation can be suppressed.
以下、本発明の好ましい実施形態の一例につき図1〜図5を参照して説明する。
図1は本実施形態の露光装置EXを示す概略構成図である。図1において、露光装置EXは、転写用のパターンが形成されたマスクMを露光光ELで照明する照明光学系ILと、マスクMを支持するマスクステージMSTと、露光光ELで照明されたマスクMのパターンの像を基板P上の投影領域AR1に投影する投影光学系PLと、基板Pを支持する基板ステージPSTと、露光装置EX全体の動作を統括制御するコンピュータよりなる制御装置CONTと、液浸法の適用のために基板P上に液体Lqを供給する液体供給機構10と、基板P上に供給された液体Lqを回収する液体回収機構20とを備えている。
Hereinafter, an example of a preferred embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS.
FIG. 1 is a schematic block diagram that shows an exposure apparatus EX of the present embodiment. In FIG. 1, an exposure apparatus EX includes an illumination optical system IL that illuminates a mask M on which a transfer pattern is formed with exposure light EL, a mask stage MST that supports the mask M, and a mask that is illuminated with exposure light EL. A projection optical system PL that projects an image of an M pattern onto a projection area AR1 on the substrate P, a substrate stage PST that supports the substrate P, and a control device CONT that includes a computer that controls the overall operation of the exposure apparatus EX; A
露光装置EXは、少なくともマスクMのパターン像を基板P上に転写している間、液体供給機構10から供給した液体Lqにより、投影光学系PLの像面側終端部の光学素子(本実施形態では底面がほぼ平坦な平凸レンズ)2と、その像面側に配置された基板Pの表面との間の局所的な空間を満たす。液体Lqは、基板P上の投影領域AR1を含む液浸領域AR2に供給されて回収される。
In the exposure apparatus EX, at least during transfer of the pattern image of the mask M onto the substrate P, the optical element (this embodiment) at the image plane side end portion of the projection optical system PL is supplied by the liquid Lq supplied from the
また、本実施形態では、露光装置EXとして、マスクMと基板Pとを所定の走査方向に同期移動しつつマスクMに形成されたパターンを基板Pに露光する走査型露光装置(所謂スキャニングステッパー)を使用する場合を例にして説明する。以下、投影光学系PLの光軸AXに平行にZ軸を取り、Z軸に垂直な平面内でマスクMと基板Pとの同期移動方向(走査方向)に沿ってX軸を、その走査方向に垂直な方向(非走査方向)に沿ってY軸を取って説明する。本実施形態では、XY平面は水平面にほぼ平行である。また、X軸、Y軸、及びZ軸周りの回転(傾斜)方向をそれぞれ、θX、θY、及びθZ方向とする。また、本実施形態の基板Pは、例えば直径が200mmから450mm程度の円板状の半導体ウエハ上に感光剤であるレジストを所定の厚さ(例えば200nm程度)で塗布したものを含み、マスクMは、基板P上に縮小投影されるデバイスパターンが形成されたレチクルを含む。 In the present embodiment, as the exposure apparatus EX, a scanning exposure apparatus (so-called scanning stepper) that exposes a pattern formed on the mask M onto the substrate P while moving the mask M and the substrate P synchronously in a predetermined scanning direction. The case of using is described as an example. Hereinafter, the Z-axis is taken in parallel to the optical axis AX of the projection optical system PL, and the X-axis is taken in the scanning direction along the synchronous movement direction (scanning direction) of the mask M and the substrate P in a plane perpendicular to the Z-axis. A description will be given by taking the Y axis along a direction perpendicular to (non-scanning direction). In the present embodiment, the XY plane is substantially parallel to the horizontal plane. Further, the rotation (inclination) directions around the X axis, the Y axis, and the Z axis are the θX, θY, and θZ directions, respectively. Further, the substrate P of the present embodiment includes, for example, a mask in which a resist, which is a photosensitive agent, is applied with a predetermined thickness (for example, about 200 nm) on a disk-shaped semiconductor wafer having a diameter of about 200 mm to 450 mm. Includes a reticle on which a device pattern to be reduced and projected on the substrate P is formed.
先ず、照明光学系ILは、露光用光源、この露光用光源から射出される露光光ELの照度を均一化するためのオプティカルインテグレータ、このオプティカルインテグレータからの露光光ELを集光するコンデンサレンズ、リレーレンズ系、及び露光光ELによるマスクM上の照明領域をスリット状に設定する可変視野絞り等を有している。マスクM上の所定の照明領域は照明光学系ILにより均一な照度分布の露光光ELで照明される。露光光ELとしては、ArFエキシマレーザ光(波長193nm)が用いられている。その他に露光光ELとして、水銀ランプからの紫外域の輝線、KrFエキシマレーザ光(波長248nm)等の遠紫外光(DUV光)、又は固体レーザ(半導体レーザ等)の高調波等の真空紫外光(VUV光)などが用いられる。 First, the illumination optical system IL includes an exposure light source, an optical integrator for equalizing the illuminance of the exposure light EL emitted from the exposure light source, a condenser lens for condensing the exposure light EL from the optical integrator, and a relay. A lens system and a variable field stop for setting the illumination area on the mask M by the exposure light EL in a slit shape are provided. A predetermined illumination area on the mask M is illuminated with the exposure light EL having a uniform illuminance distribution by the illumination optical system IL. As the exposure light EL, ArF excimer laser light (wavelength 193 nm) is used. In addition, as the exposure light EL, vacuum ultraviolet light such as an ultraviolet line from a mercury lamp, far ultraviolet light (DUV light) such as KrF excimer laser light (wavelength 248 nm), or harmonics of a solid laser (semiconductor laser, etc.) (VUV light) or the like is used.
また、マスクステージMSTは、マスクMを吸着保持して、不図示のマスクベース上のXY平面内で2次元移動可能及びθZ方向に微小回転可能である。マスクステージMSTは、リニアモータ等のマスクステージ駆動装置MSTDにより駆動される。マスクステージMST上の移動鏡55Aに対向して配置されたレーザ干渉計56Aは、実際には3軸以上の計測ビームを有し、レーザ干渉計56AによりマスクステージMST(マスクM)の少なくともX方向、Y方向の位置及びθZ方向の回転角が計測され、計測結果は制御装置CONTに出力される。制御装置CONTはその計測結果に基づいてマスクステージ駆動装置MSTDを駆動することでマスクステージMST(マスクM)の移動又は位置決めを行う。
Further, the mask stage MST can hold the mask M by suction, can move two-dimensionally in an XY plane on a mask base (not shown), and can be slightly rotated in the θZ direction. Mask stage MST is driven by a mask stage driving device MSTD such as a linear motor. The
投影光学系PLは、マスクMのパターンを所定の投影倍率β(βは例えば1/4,1/5等の縮小倍率)で基板P上に投影露光するものであって、基板P側(像面側)の終端部に設けられた光学素子2を含む複数の光学素子から構成され、これらの光学素子は鏡筒PKにより支持されている。なお、投影光学系PLは縮小系のみならず、等倍系及び拡大系のいずれでもよい。また、投影光学系PLの先端部の光学素子2には液浸領域AR2の液体Lqが接触する。
The projection optical system PL projects and exposes the pattern of the mask M onto the substrate P at a predetermined projection magnification β (β is a reduction magnification of, for example, 1/4, 1/5, etc.). It comprises a plurality of optical elements including the
本例において、液体Lqには純水が用いられる。純水はArFエキシマレーザ光のみならず、KrFエキシマレーザ光等の遠紫外光(DUV光)も透過可能である。光学素子2は例えば蛍石(CaF2 )から形成されている。蛍石は水との親和性が高いので、光学素子2の下面2aを含む液体接触面のほぼ全面に液体Lqを密着させることができる。なお、光学素子2は水との親和性が高い石英から形成してもよい。また、基板Pに塗布されるレジストは、一例として液体Lqをはじく撥液性のレジストであり、必要に応じてその上に保護用のトップコートが塗布されている。
In this example, pure water is used as the liquid Lq. Pure water can transmit not only ArF excimer laser light but also far ultraviolet light (DUV light) such as KrF excimer laser light. The
なお、液体Lqとしては、水より高屈折率でArFエキシマレーザ光を透過する液体であるデカリン(Decalin:Decahydronaphthalene)(トランス・デカリン又はシス・デカリン)等を使用してもよい。水のArFエキシマレーザ光に対する屈折率は約1.44であり、デカリンのArFエキシマレーザ光に対する屈折率は約1.60であるため、液体Lqとしてデカリンを使用することで、解像力及び焦点深度をそれぞれほぼ10%程度向上可能である。 Note that as the liquid Lq, Decalin (Decalin: Decahydronaphthalene) (trans-decalin or cis-decalin), which is a liquid that has a higher refractive index than water and transmits ArF excimer laser light, may be used. Since the refractive index of water with respect to ArF excimer laser light is about 1.44, and the refractive index of decalin with respect to ArF excimer laser light is about 1.60, the use of decalin as the liquid Lq reduces the resolving power and the depth of focus. Each can be improved by about 10%.
また、基板ステージPSTの上部には、基板Pを例えば真空吸着で保持する基板ホルダPHが固定されている。そして、基板ステージPSTは、基板ホルダPH(基板P)のZ方向の位置(フォーカス位置)及びθX,θY方向の傾斜角を制御するZステージ部と、このZステージ部を支持して移動するXYステージ部とを備え、このXYステージ部がベース54上のXY平面に平行な面上にX方向、Y方向に移動できるようにエアベリング(気体軸受け)を介して載置されている。基板ステージPST(Zステージ部及びXYステージ部)はリニアモータ等の基板ステージ駆動装置PSTDにより駆動される。
Further, a substrate holder PH for holding the substrate P by, for example, vacuum suction is fixed to the upper part of the substrate stage PST. The substrate stage PST includes a Z stage unit that controls the position (focus position) in the Z direction of the substrate holder PH (substrate P) and the inclination angle in the θX and θY directions, and an XY that moves while supporting the Z stage unit. The XY stage portion is mounted on an air plane (gas bearing) so that the XY stage portion can move in the X direction and the Y direction on a plane parallel to the XY plane on the
基板ステージPSTの側面の反射面(又は移動鏡)に対向する位置にはレーザ干渉計56Bが設けられている。レーザ干渉計56Bも複数軸の計測ビームを有し、レーザ干渉計56Bは、基板ステージPST上の基板ホルダPH(基板P)の少なくともX方向、Y方向の位置、及びθZ方向の回転角が計測され、計測結果は制御装置CONTに出力される。制御装置CONTはその計測結果、及び基板P表面のZ方向の位置を計測するオートフォーカスセンサ(不図示)の計測結果に基づいて基板ステージ駆動装置PSTDを駆動することで基板ステージPSTに支持されている基板Pの移動又は位置決めを行う。
A
また、マスクステージMSTの上方にマスクMのアライメントマークの位置を計測するマスクアライメント系90が配置され、投影光学系PLの側面に基板Pのアライメントマークの位置を計測するアライメント系91が配置され、これらのアライメント系90,91によってマスクM及び基板Pのアライメントが行われる。また、基板ステージPST上には、ベースライン(マスクMのパターンの像とアライメント系91の検出中心との位置関係)を計測するための基準マーク部材(不図示)等が設けられている。なお、基板ステージPSTとは別に、投影光学系PLの結像特性を計測するための計測装置等を搭載した計測ステージを配置してもよい。
A
また、図1の基板ステージPSTの基板ホルダPH上には、基板Pを囲むように環状で平面の撥液性のプレート部97が設けられている。プレート部97の上面は、基板ホルダPHに保持された基板Pの表面とほぼ同じ高さの平坦面である。基板Pのエッジとプレート部97との間には0.1〜1mm程度の隙間があるが、通常、基板Pに塗布されているレジストは撥液性であり、液体Lqには表面張力があるため、その隙間に液体Lqが流れ込むことはほとんどなく、基板Pの周縁近傍を露光する場合にも、プレート部97と投影光学系PLとの間に液体Lqを保持することができる。
Further, on the substrate holder PH of the substrate stage PST in FIG. 1, an annular and flat liquid-
次に、図1の液体供給機構10及び液体回収機構20を含む局所液浸機構の構成につき説明する。液体供給機構10は、液体Lqを送出可能な液体供給部11と、液体供給部11にその一端部を接続する供給管12とを備えている。また、液体回収機構20は、液体Lqを回収可能な液体回収部21と、液体回収部21にその一端部が接続された回収管22とを備えている。そして、投影光学系PLの終端部の光学素子2の近傍にはノズル部材(流路形成部材)30が配置されている。ノズル部材30は、基板P(基板ステージPST)の上方において光学素子2の先端部の周りを囲むように設けられた環状部材であり、投影光学系PLの円筒状の鏡筒PKの下端部に複数のボルト39によって固定されている(図3参照)。ノズル部材30は液体供給機構10及び液体回収機構20の一部を構成している。
Next, the configuration of the local liquid immersion mechanism including the
投影光学系PLの投影領域AR1が基板P上にある状態で、ノズル部材30は、一例として光学素子2の側面に対向するように配置された第1供給口13と第2供給口14とを備えている。供給口13及び14は光学素子2の先端部及び投影領域AR1をX方向(基板Pの走査方向)に挟むように配置されている。ノズル部材30は、その内部に供給流路82A,82Bを有している。供給流路82Aの一端部は第1供給口13に接続し、その供給流路82Aの途中に供給流路82Bを介して第2供給口14が接続され、供給流路82Aの他端部は供給管12を介して液体供給部11に接続している。更に、ノズル部材30は、基板Pの表面に対向するように配置された矩形又は円形の枠状の回収口24を備え、回収口24を覆うように網目状に多数の小さい孔が形成された多孔部材であるメッシュフィルタ25が嵌め込まれている。回収口24は、ノズル部材30内の回収流路84及び回収管22を介して液体回収部21に接続されている。回収口24で囲まれた領域が、ほぼ液体Lqが供給される液浸領域AR2である。なお、回収口24からの液体Lqの回収は、例えば断続的に行われるため、液浸領域AR2は、回収口24の輪郭よりも広がる場合もある。
In a state where the projection area AR1 of the projection optical system PL is on the substrate P, the
図2は、図1の光学素子2及びノズル部材30を示す概略斜視図であり、図3は、図2のIII−III線に沿う断面図である。図2に示すように、ノズル部材30は一例として下部の第1部材31と上部の第2部材32とをシール部材(不図示)を介してボルト(不図示)等によって連結して構成され、ノズル部材30の中央の円形の開口30b内に所定の間隔を隔てて光学素子2の先端部が配置されている。図3に示すように、第1部材31側に回収口24及び回収流路84が形成され、第2部材32側に供給口13,14及び供給流路82A,82Bが形成されている。また、光学素子2は、一例として基板Pに対向する面が平坦で、その反対側の面が凸面に形成されている。
2 is a schematic perspective view showing the
ノズル部材30の第1部材31、第2部材32、及びメッシュフィルタ25はそれぞれ液体Lqになじみ易い親液性の材料、例えばステンレス(SUS)又はチタン等から形成されている。そのため、液体Lqはノズル部材30の内部を円滑に流れる。なお、ノズル部材30の構成は任意であり、例えば供給口13,14をノズル部材30の底面に設けてもよく、供給口13,14の個数を増減してもよい。また、回収口24の形状、個数、及び配置も任意であり、例えば国際公開第2005/122218号パンフレットに開示されているように、回収口を二重に形成してもよい。また、異物が付着する可能性が低いような場合には、メッシュフィルタ25は必ずしも設ける必要はない。また、供給口13,14と回収口24とは別の部材(ノズル)に設けてもよい。さらに、第1部材31と第2部材32とを単一の部材で一体成形して、ノズル部材30を構成してもよい。
The
図1において、液体供給部11及び液体回収部21の動作は制御装置CONTにより制御される。制御装置CONTは、液体供給部11による基板P上に対する単位時間当たりの液体供給量を制御可能であり、液体回収部21による単位時間当たりの液体回収量を制御可能である。液体供給部11から送出された液体Lqは、供給管12及びノズル部材30の供給流路82A,82B及び供給口13,14を介して基板P上の液浸領域AR2に供給される。そして、液浸領域AR2の液体Lqは、ノズル部材30の回収口24からメッシュフィルタ25を介して回収された後、ノズル部材30の回収流路84及び回収管22を介して液体回収部21に回収される。
In FIG. 1, the operations of the
また、図2において、ノズル部材30の上面30cに光軸AXの周りに等角度間隔で小さい円柱状の支持部33A,33B,33Cが形成され、支持部33A〜33C上に光学素子2の周縁部の底面2c(図3参照)が載置されている。支持部33A〜33Cに対向する光学素子2の周縁部の上面は、例えばそれぞれ鏡筒PKに取り付けられた押さえ部材34A(図3参照)によって保持されている。さらに、ノズル部材30の上面30cの支持部33A〜33Cの内側に環状のオーリング35が載置され、上面30cの支持部33A,33B,33Cに対してオーリング35と反対側にそれぞれ小さい楕円の環状のオーリング37A,37B,37Cが載置されている。オーリング35及びオーリング37A〜37C上に光学素子2の周縁部の底面2cが密着するように載置されている。また、ノズル部材30の上面30cのオーリング37A,37B,37Cの中央とノズル部材30の内面30bとは、それぞれノズル部材30の第2部材32中に形成された連通孔30d(図3参照),30e,30fによって連通している。
In FIG. 2,
この場合、図3において、液体Lqと、光学素子2の側面2b及び周縁部の底面2cと、ノズル部材30の内面30bと、オーリング35とによって光学素子2の側面を囲むようにリング状の気密化された第1の気密空間36が形成されている。また、ノズル部材30の上面30cと、光学素子2の周辺部の底面2cと、オーリング37A,37B,37Cとによって、それぞれ気密化された第2の気密空間38A,38B,38Cが形成されている。第1の気密空間36と第2の気密空間38A,38B,38Cとでは、第1の気密空間36の体積が第2の気密空間38A,38B,38Cのそれぞれの体積よりも大きい。そして、第1の気密空間36と、3つの第2の気密空間38A〜3Cとは、それぞれ連通孔30d〜30fによって連通している。オーリング35、37A〜37C、及びノズル部材30(連通孔30d〜30f)を含んで、液体Lqの移動に伴う光学素子2の変形を抑制するように光学素子2を変形させる機構が構成されている。
In this case, in FIG. 3, the liquid Lq, the
図1において、露光装置EXによる基板Pの露光時には、投影光学系PLによる投影領域AR1にマスクMの一部のパターンの像が投影光学系PLを介して投影され、投影光学系PLに対して、マスクMがX方向に速度Vで移動するのに同期して、基板ステージPSTを介して基板PがX方向に速度β・V(βは投影倍率)で移動する。そして、基板P上の1つのショット領域への露光終了後に、基板ステージPSTのステップ移動によって基板P上の次のショット領域が走査開始位置に移動する。このようにして、ステップ・アンド・スキャン方式で基板P上の全部のショット領域に対してマスクMのパターン像が露光される。 In FIG. 1, at the time of exposure of the substrate P by the exposure apparatus EX, an image of a part of the pattern of the mask M is projected through the projection optical system PL onto the projection area AR1 by the projection optical system PL. In synchronism with the movement of the mask M in the X direction at the speed V, the substrate P moves in the X direction at a speed β · V (β is the projection magnification) via the substrate stage PST. Then, after the exposure of one shot area on the substrate P is completed, the next shot area on the substrate P is moved to the scanning start position by the step movement of the substrate stage PST. In this way, the pattern image of the mask M is exposed to all shot regions on the substrate P by the step-and-scan method.
この露光処理を行うに際し、制御装置CONTは液体供給機構10を駆動し、基板P上に対する液体供給動作を開始する。液体供給機構10の液体供給部11から送出された液体Lqは、供給管12を流通した後、ノズル部材30内の供給流路82A,82B及び供給口13,14を介して基板P上に供給される。基板P上に供給された液体Lqは、基板Pの動きに合わせて投影光学系PLの下を流れる。例えば、あるショット領域の露光中に基板Pが+X方向に移動しているときには、液体Lqは基板Pと同じ方向である+X方向に、ほぼ基板Pと同じ速度で、投影光学系PLの下を流れる。この状態で、照明光学系ILより射出されマスクMを通過した露光光ELが投影光学系PLの像面側に照射され、マスクMのパターンの像が投影光学系PL及び液浸領域AR2の液体Lqを介して基板Pに露光される。
When performing this exposure process, the control device CONT drives the
制御装置CONTは、露光光ELが投影光学系PLの像面側に照射されているときに、すなわち基板Pの露光動作中に、液体供給機構10による基板P上への液体Lqの供給を行う。一方、制御装置CONTは、一例として、露光光ELが投影光学系PLの像面側に照射されているときに、すなわち基板Pの露光動作中に、液体回収機構20による基板P上の液体Lqの回収を行わない。露光光ELの照射中に、液体回収機構20による液体Lqの回収を行わないようにすることで、液体Lqの回収動作に起因する音や振動を抑えた状態で露光処理することができる。
The control device CONT supplies the liquid Lq onto the substrate P by the
露光動作中、液体回収機構20による液体Lqの回収動作は行われず、露光完了後、制御装置CONTは液体回収部21によって基板P上の液体Lqを回収する。制御装置CONTは、一例として、基板P上のある1つのショット領域の露光完了後であって、次のショット領域の露光開始までの一部の期間(基板Pのステップ移動期間の少なくとも一部)において、液体回収部21により基板P上の液体Lqの回収を行う。
During the exposure operation, the recovery operation of the liquid Lq by the
制御装置CONTは、液体回収部21による基板P上の液体Lqの回収動作中を含む、ある1つのショット領域の露光完了後であって次のショット領域の露光開始までの期間において、液体供給機構10による液体Lqの供給を継続する。このように液体Lqの供給を継続することで、仮に液体Lqの供給及び供給停止を繰り返したときに、投影光学系PLと基板Pとの間で生じる液体Lqの振動(所謂ウォーターハンマー現象)の発生を防止することができる。このようにして、基板Pの全部のショット領域に液浸法で露光を行うことができる。
The control device CONT includes a liquid supply mechanism in a period after the completion of exposure of one shot area until the start of exposure of the next shot area, including during the recovery operation of the liquid Lq on the substrate P by the
この液浸法による露光時に、図4(A)に示すように、例えば基板Pが投影光学系PLの光学素子2に対して矢印40Aで示す−X方向に移動すると、ノズル部材30の内面30bと、光学素子2の側面2bとの間に存在する液体Lqが矢印40Bで示すように−Z方向に流れるため、液体Lqの移動に伴って光学素子2の先端部が、支持点33A,33B,33Cを支点として、2点鎖線CAで示すように変形しようとする。なお、図4(A)及び(B)では局所液浸機構の図示を省略している。この場合、本実施形態では、液体Lqが−Z方向に流れて第1の気密空間36の気圧が低下すると、連通孔30dを介して支持部33Aの外側の第2の気密空間38A内の気圧も低下して、第2の気密空間38A側でも光学素子2をノズル部材30側に吸引する力が作用する。従って、図4(B)の2点鎖線CBで示すように、光学素子2の変形量が小さくなり、投影光学系PLの波面収差等の劣化が抑制される。このような光学素子2の変形の抑制は、図2の光学素子2の周縁部の底面の他の第2の気密空間38B,38Cでも同様に行われる。
At the time of exposure by this immersion method, as shown in FIG. 4A, for example, when the substrate P moves in the −X direction indicated by the
即ち、図2のオーリング35及び37A〜37Cを設けない状態での液浸法による露光時の光学素子2の変形による露光光の波面収差(又は光学素子の変形量)を、例えば図5(A)の等位相曲線群41Aで表すものとする。このように、波面収差は特に支持部33A〜33Cの近傍で劣化する。これに対して、本実施形態のようにオーリング35及び37A〜37Cを設けた状態での液浸法による露光時の光学素子2の変形による露光光の波面収差は、例えば図5(B)の等位相曲線群41Bで表すように小さくなる。従って、光学素子2の変形量、ひいては投影光学系PLの波面収差が小さくなり、マスクMのパターンの像を高精度に基板P上に露光することができる。
That is, the wavefront aberration (or the deformation amount of the optical element) of the exposure light due to the deformation of the
本実施形態の作用効果等は以下の通りである。
(1)本実施形態の投影光学系PLの先端部の液体Lqに接する光学素子2の支持装置は、光学素子2を3箇所の支持部33A〜33Cを介して支持するノズル部材30と、液体Lqの移動に伴う光学素子2の変形を抑制するように光学素子2を変形させる機構とを備えている。そして、この機構は、支持部33A〜33Cに関し、光学素子2の光軸AX側の第1の気密空間36を気密化するオーリング35と、支持部33A〜33Cに関し、第1の気密空間36とは反対側の第2の気密空間38A〜38Cを気密化するオーリング37A〜37Cと、第1の気密空間36と第2の気密空間38A〜38Cとを連通させる通気孔30d〜30fが形成されたノズル部材30とを含んでいる。
Effects and the like of this embodiment are as follows.
(1) The support device for the
従って、露光装置EXを用いて液浸法で露光を行う際に、第1の気密空間36側で液体Lqによって光学素子2に作用する力と、第2の気密空間38A〜38C側で光学素子2に作用する力(負圧又は陽圧)とがほぼ相殺し合うため、液体Lqに接する光学素子2の変形を抑制できる。従って、投影光学系PLの結像特性を高く維持できる。
さらに、液体Lqとして高屈折率の液体を用いて光学素子2の変形量が大きくなる恐れがある場合にも、光学素子2の変形を抑制できる。
Accordingly, when exposure is performed by the immersion method using the exposure apparatus EX, the force acting on the
Further, even when a high refractive index liquid is used as the liquid Lq and the amount of deformation of the
また、オーリング35,37A〜37Cと連通孔30d〜30fとを設けるのみでよく、電気的に駆動される機構等を設ける必要がないため、制御系に対する負荷がかからない。
(2)また、図2において、支持部33A〜33Cの外側に配置される複数の小さい空間38A〜38Cの大きさ及び個数は光学素子2を含む投影光学系PLの補正対象の収差(波面収差、ディストーション(倍率を含む)、コマ収差、非点収差、像面湾曲、球面収差等)に応じて設定されることが好ましい。第2の気密空間38A〜38Cは、例えば支持部33A〜33Cの間の領域に配置することも可能である。また、第2の気密空間38A〜38Cを2箇所のみ、又は4箇所以上に設けることも可能である。さらに、支持部33A〜33Cを囲むように輪帯状の気密化された1つの空間を設け、この空間と内側の空間36とを連通させてもよい。
Further, it is only necessary to provide the O-
(2) In FIG. 2, the size and number of the plurality of
(3)また、光学素子2はノズル部材30上に3箇所の支持部33A〜33Cを介して光学的に安定に支持されている。従って、光学素子2を変形させる応力が作用しても、光学素子2は安定に支持される。なお、支持部33A〜33Cを4箇所以上に設けることも可能である。
(4)また、光学素子2を支持するノズル部材30内に液体の供給流路82A,82B及び液体の回収流路84が形成されている。従って、ノズル部材30が局所液浸機構の一部を兼用しているため、構成が簡略である。
(3) The
(4)
(5)また、液体Lqは、光学素子2と基板Pとの間に供給され、露光光ELは光学素子2及び液体Lqを介して基板Pに照射される。従って、基板Pが相対移動するのに伴って液体Lqが移動しても、光学素子2の変形が抑制される。
(6)また、本実施形態の露光装置EXは、その光学素子2の支持装置を備えているため、液浸法を用いて高精度にマスクMのパターンの像を基板P上に露光できる。
(5) The liquid Lq is supplied between the
(6) Moreover, since the exposure apparatus EX of this embodiment is provided with the support apparatus of the
次に、上記の実施形態に対しては次の図6及び図7に示すような変形が可能である。図6及び図7において、図1〜図3に対応する部分には同一符号を付してその詳細な説明を省略する。また、以下の説明では、図1の基板P上の液浸領域AR2に液体Lqを供給して回収する局所液浸機構の図示及び説明を省略する。
図6の変形例は、投影光学系PLの鏡筒PKの下端部PKa上に光学素子2を支持している。即ち、図6において、下端部PKa上の3箇所の支持部33A(他の2箇所の支持部は図示省略、以下同様)で光学素子2の周縁部を支持し、下端部PKaと光学素子2との間にオーリング35A(図2のオーリング35に対応する)及び3箇所のオーリング37A等を配置している。この場合、ノズル部材30は例えば鏡筒PKとは別のフレーム(不図示)によって支持されており、鏡筒PKの下端部PKaとノズル部材30の上面との間を密閉するようにオーリング35Bが配置されている。また、液体Lq、光学素子2、ノズル部材30、及びオーリング35A,35Bで囲まれる大きい気密空間36と、光学素子2、下端部PKa、及びオーリング37A等で囲まれる小さい気密空間38A等とを連通するように下端部PKaに連通孔30d等が形成されている。
Next, modifications as shown in FIGS. 6 and 7 can be made to the above embodiment. 6 and 7, parts corresponding to those in FIGS. 1 to 3 are denoted by the same reference numerals, and detailed description thereof is omitted. In the following description, illustration and description of a local liquid immersion mechanism that supplies and recovers the liquid Lq to the liquid immersion area AR2 on the substrate P in FIG. 1 are omitted.
In the modification of FIG. 6, the
また、光学素子2の支持部33A等に対応する上面が、鏡筒PK内に固定された環状の支持部材42に固定された押さえ部材34Aによって保持されている。この他の構成は図1〜図3の実施形態と同様である。
図6の変形例によれば、例えば液浸法による露光時に基板Pの移動によって液体Lqが移動して、気密空間36内の気圧が低下すると、連通孔30dを介して気密空間38A内の気圧も低下するため、光学素子2の変形は抑制される。さらに、光学素子2は鏡筒PKで直接支持されているため、ノズル部材30内を流れる液体Lqに起因する振動が光学素子2に伝わらない。従って、結像特性の安定性が向上する。
Further, the upper surface corresponding to the
According to the modification of FIG. 6, for example, when the liquid Lq is moved by the movement of the substrate P during exposure by the liquid immersion method and the air pressure in the
次に、図7の変形例は、ノズル部材30の上面の3箇所の支持部33A(他の2箇所の支持部は図示省略、以下同様)の内側(投影光学系PLの光軸AXに近い側)に光学素子2を+Z方向に変位させる圧電素子(ピエゾ素子)等の駆動素子43Aを設置したものである。この場合、支持部33Aよりも僅かに外側の位置に対応する光学素子2の上面に位置するように、光学素子2を保持し、かつ光学素子2からの力を検出するためにロードセル等の圧力センサ44Aを鏡筒PKに設けている。圧力センサ44Aの検出結果は制御部45に供給され、図1の制御装置CONTによって制御される制御部45は、その検出結果に基づいて駆動素子43Aの駆動量を制御する。
Next, in the modification of FIG. 7, the three
一例として、液浸法での露光中に液体Lqの移動に伴って、支持部33Aの内側で光学素子2が−Z方向に変形する場合には、圧力センサ44Aで検出される圧力が増加するため、制御部45は、その圧力が低下するように駆動素子43Aで光学素子2を+Z方向に変位させる。これによって、光学素子2の変形が抑制されて、投影光学系PLの結像特性が高く維持される。
As an example, when the
なお、図7の変形例において、駆動素子43Aは、ノズル部材30上の3箇所の支持部33A等の全部の近傍に設けることが好ましいが、その3箇所の支持部33A等のうちの少なくとも1箇所の近傍に設けるだけでもよい。
また、図1の基板ステージPSTのX方向、Y方向の移動速度によって図7の液体Lqの移動の状態を予測し、この予測から光学素子2の変形量を求めることも可能である。この場合には、圧力センサ44Aの代わりに単なる押さえ部材を設けることができる。
In the modification of FIG. 7, the
It is also possible to predict the movement state of the liquid Lq in FIG. 7 based on the movement speeds of the substrate stage PST in FIG. 1 in the X direction and the Y direction, and obtain the deformation amount of the
また、駆動素子43Aは、ノズル部材30の上面で支持部33Aに対して光軸AX(液浸領域)側に設ける代わりに、2点鎖線の位置DAで示すように、支持部33Aに関して光軸AXと反対側で光学素子2の上面を基板P側に付勢する位置に駆動素子43Aを設けてもよい。また、駆動素子43Aは、支持部33Aに関して光軸AX側の光学素子2の底面及び光軸AXと反対側の光学素子2の上面の両方に設けてもよい。
Further, the
また、図3の実施形態においても、図7の位置DAに対応する位置に光学素子2を基板P側に付勢する駆動素子を設け、この駆動素子をも駆動して光学素子2の変形を抑制してもよい。
また、上記の実施形態において、制御装置CONTは、基板Pの露光動作中に、基板P上への液体Lqの供給を行い、液体Lqの回収を行わない場合について説明をしたが、この構成に限らず、基板Pの露光動作中も液体Lqを回収してもよい。
また、上記の実施形態の露光装置を用いて半導体デバイス等のデバイス(電子デバイス、マイクロデバイス)を製造する場合、このデバイスは、図8に示すように、デバイスの機能・性能設計を行うステップ221、この設計ステップに基づいたマスクを製作するステップ222、デバイスの基材である基板(ウエハ等)を製造するステップ223、前述した実施形態の露光装置(投影露光装置)によりマスクのパターンを基板に露光する工程、露光した基板を現像する工程、現像した基板の加熱(キュア)及びエッチング工程などを含む基板処理ステップ224、デバイス組み立てステップ(ダイシング工程、ボンディング工程、パッケージ工程などの加工プロセスを含む)225、並びに検査ステップ226等を経て製造される。
Also in the embodiment of FIG. 3, a drive element that urges the
Further, in the above-described embodiment, the control device CONT has described the case where the liquid Lq is supplied onto the substrate P and the liquid Lq is not collected during the exposure operation of the substrate P. However, the liquid Lq may be recovered during the exposure operation of the substrate P.
When a device (electronic device, microdevice) such as a semiconductor device is manufactured using the exposure apparatus of the above-described embodiment, this device performs function / performance design of the device as shown in FIG. Step 222 for manufacturing a mask based on this design step,
言い換えると、上記のデバイスの製造方法は、上記の実施形態の露光装置を用いて基板を露光する工程と、露光された基板を処理する工程(ステップ224)とを含んでいる。このデバイス製造方法によれば、液浸法で露光する際の投影光学系の先端の光学素子の変形を抑制して、結像特性を良好に維持できるため、微細パターンを含むデバイスを高精度に製造できる。 In other words, the device manufacturing method includes a step of exposing the substrate using the exposure apparatus of the above embodiment, and a step of processing the exposed substrate (step 224). According to this device manufacturing method, it is possible to suppress the deformation of the optical element at the tip of the projection optical system at the time of exposure by the immersion method, and to maintain good imaging characteristics. Can be manufactured.
また、本発明は、走査型露光装置(スキャニングステッパ)の他に、マスクと基板とを静止した状態でマスクのパターンを一括露光し、基板を順次ステップ移動させるステップ・アンド・リピート方式の投影露光装置(ステッパ)にも適用することができる。
また、本発明は、半導体デバイスの製造プロセスへの適用に限定されることなく、例えば、液晶表示素子、プラズマディスプレイ等の製造プロセスや、撮像素子(CMOS型、CCD等)、マイクロマシーン、MEMS(Microelectromechanical Systems:微小電気機械システム)、薄膜磁気ヘッド、及びDNAチップ等の各種デバイス(電子デバイス)の製造プロセス、並びにマスク自体を製造するプロセスにも広く適用できる。
In addition to a scanning exposure apparatus (scanning stepper), the present invention is a step-and-repeat projection exposure in which a mask pattern is collectively exposed while the mask and the substrate are stationary, and the substrate is sequentially moved stepwise. The present invention can also be applied to an apparatus (stepper).
Further, the present invention is not limited to the application to the manufacturing process of a semiconductor device. For example, a manufacturing process such as a liquid crystal display element and a plasma display, an imaging element (CMOS type, CCD, etc.), a micromachine, a MEMS ( (Microelectromechanical Systems), thin film magnetic heads, and manufacturing processes of various devices (electronic devices) such as DNA chips, and a process of manufacturing a mask itself.
このように本発明は上述の実施形態に限定されず、本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々の構成を取り得る。 As described above, the present invention is not limited to the above-described embodiment, and various configurations can be taken without departing from the gist of the present invention.
M…マスク、PL…投影光学系、P…基板、PST…基板ステージ、Lq…液体、AR1…投影領域、AR2…液浸領域、2…光学素子、10…液体供給機構、13,14…供給口、20…液体回収機構、24…回収口、30…ノズル部材、30d〜30f…連通孔、35…オーリング、37A〜37C…オーリング、82A,82B…供給流路、84…回収流路
M ... Mask, PL ... Projection optical system, P ... Substrate, PST ... Substrate stage, Lq ... Liquid, AR1 ... Projection area, AR2 ... Immersion area, 2 ... Optical element, 10 ... Liquid supply mechanism, 13, 14 ...
Claims (12)
前記光学素子を複数の支持点を介して支持するベース部材と、
前記液体の移動に伴う前記光学素子の変形を抑制するように前記光学素子を変形させる変形機構と、
を備えることを特徴とする光学素子の支持装置。 A device for supporting an optical element in contact with a liquid,
A base member that supports the optical element via a plurality of support points;
A deformation mechanism for deforming the optical element so as to suppress deformation of the optical element accompanying the movement of the liquid;
A support device for an optical element, comprising:
前記支持点に関し、前記光学素子の光軸側の第1空間を気密化する第1シール部材と、
前記支持点に関し、前記第1空間とは反対側の第2空間を気密化する第2シール部材と、前記第1空間と前記第2空間とを連通させるために前記ベース部材に設けられた通気孔と、を含むことを特徴とする請求項1に記載の光学素子の支持装置。 The deformation mechanism is:
A first seal member that hermetically seals the first space on the optical axis side of the optical element with respect to the support point;
With respect to the support point, a second seal member that hermetically seals the second space opposite to the first space, and a passage provided in the base member for communicating the first space and the second space. The support device for an optical element according to claim 1, further comprising a pore.
前記第2空間は、前記光学素子と前記ベース部材との間に形成される空間であることを特徴とする請求項2に記載の光学素子の支持装置。 The first space is a space surrounded by a part of the surface of the optical element, a part of the liquid, and a part of the base member,
The optical element support device according to claim 2, wherein the second space is a space formed between the optical element and the base member.
前記第2空間は、前記第1空間に対して複数の前記支持点の外側に配置されるとともに、前記第2空間の大きさ及び個数は前記光学素子を含む光学系の補正対象の収差に応じて設定されることを特徴とする請求項2又は請求項3に記載の光学素子の支持装置。 The first space is formed so as to surround a tip portion of the optical element,
The second space is disposed outside the plurality of support points with respect to the first space, and the size and number of the second spaces depend on the aberration to be corrected by the optical system including the optical element. 4. The optical element supporting device according to claim 2, wherein the optical element supporting device is set.
前記光学素子の表面のうち、前記液体に接する部分と、前記複数の支持点のうち、少なくとも一つの支持点との間で、前記ベース部材側から前記光学素子を付勢する駆動素子を含むことを特徴とする請求項1に記載の光学素子の支持装置。 The deformation mechanism is:
A drive element that urges the optical element from the base member side between a portion of the surface of the optical element that is in contact with the liquid and at least one of the plurality of support points; The apparatus for supporting an optical element according to claim 1.
前記光学素子の表面のうち前記液体に接する部分に対し、前記複数の支持点のうち、少なくとも一つの支持点の外側の部分で、前記光学素子を前記ベース部材側に付勢する駆動素子を含むことを特徴とする請求項1から請求項5のいずれか一項に記載の光学素子の支持装置。 The deformation mechanism is:
A drive element that urges the optical element toward the base member at a portion outside the at least one of the plurality of support points with respect to a portion of the surface of the optical element that contacts the liquid; The optical element supporting device according to claim 1, wherein the optical element supporting device is an optical element supporting device.
前記光学素子の変形情報を検出するセンサと、
前記センサの検出結果に基づいて前記駆動素子を駆動する駆動系と、を含むことを特徴とする請求項5又は請求項6に記載の光学素子の支持装置。 The deformation mechanism is:
A sensor for detecting deformation information of the optical element;
The optical element support device according to claim 5, further comprising: a drive system that drives the drive element based on a detection result of the sensor.
前記液体は、前記光学素子と前記物体との間に供給されることを特徴とする請求項1から請求項9のいずれか一項に記載の光学素子の支持装置。 The optical element is disposed facing an object that is irradiated with a light beam passing through the optical element and is relatively movable with respect to the optical element,
10. The optical element supporting device according to claim 1, wherein the liquid is supplied between the optical element and the object. 11.
前記基板を移動するステージ系と、
前記投影光学系の先端の光学素子と前記基板との間に液体を供給する液体供給装置と、
請求項1から請求項10のいずれか一項に記載の光学素子の支持装置と、を備え、
前記投影光学系の先端の光学素子を前記光学素子の支持装置で支持することを特徴とする露光装置。 In an exposure apparatus that illuminates a pattern with exposure light and exposes the substrate through the pattern and the projection optical system with the exposure light,
A stage system for moving the substrate;
A liquid supply device for supplying a liquid between the optical element at the tip of the projection optical system and the substrate;
A support device for an optical element according to any one of claims 1 to 10,
An exposure apparatus, wherein an optical element at a tip of the projection optical system is supported by a support device for the optical element.
前記露光された基板を処理することと、を含むデバイス製造方法。 Exposing the substrate using the exposure apparatus of claim 11;
Processing the exposed substrate. A device manufacturing method comprising:
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008267995A JP2010098142A (en) | 2008-10-16 | 2008-10-16 | Supporting device for optical element and exposing device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008267995A JP2010098142A (en) | 2008-10-16 | 2008-10-16 | Supporting device for optical element and exposing device |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010098142A true JP2010098142A (en) | 2010-04-30 |
Family
ID=42259618
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008267995A Withdrawn JP2010098142A (en) | 2008-10-16 | 2008-10-16 | Supporting device for optical element and exposing device |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2010098142A (en) |
-
2008
- 2008-10-16 JP JP2008267995A patent/JP2010098142A/en not_active Withdrawn
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6160681B2 (en) | Exposure apparatus and device manufacturing method | |
TWI439813B (en) | A method of manufacturing an exposure apparatus and an element | |
US7924402B2 (en) | Exposure apparatus and device manufacturing method | |
JP5741859B2 (en) | Immersion member, exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method | |
JP4515209B2 (en) | Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method | |
WO2006009064A1 (en) | Support method and support structure for optical member, optical apparatus, exposure apparatus, and device production method | |
US7924416B2 (en) | Measurement apparatus, exposure apparatus, and device manufacturing method | |
JP5018249B2 (en) | Cleaning device, cleaning method, exposure apparatus, and device manufacturing method | |
WO2012011605A1 (en) | Liquid immersion member and cleaning method | |
US20090253083A1 (en) | Exposure Apparatus, Exposure Method, and Method for Producing Device | |
WO2006137440A1 (en) | Measuring apparatus, exposure apparatus, and device manufacturing method | |
WO2006106851A1 (en) | Exposure apparatus, exposure method, and device production method | |
JP2006200562A (en) | Sealing member and sealing method, table and stage device, as well as exposure device | |
JPWO2006134910A1 (en) | Optical element, optical element holding apparatus, exposure apparatus, and device manufacturing method | |
US20090091715A1 (en) | Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method | |
JP4572539B2 (en) | Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method | |
JP5029870B2 (en) | Exposure method and apparatus, immersion member, exposure apparatus maintenance method, and device manufacturing method | |
WO2012011613A2 (en) | Cleaning method, cleaning apparatus, device fabricating method, program, and storage medium | |
JP2010098142A (en) | Supporting device for optical element and exposing device | |
JP2009267401A (en) | Exposure apparatus, cleaning method, and device fabricating method | |
JP5018277B2 (en) | Exposure apparatus, device manufacturing method, and cleaning method | |
JP2014036114A (en) | Exposure device, exposure method, and device manufacturing method | |
JP2006093291A (en) | Aligner and process for fabricating device | |
JP2009021365A (en) | Exposure device, device manufacturing method, maintenance method, and film forming device | |
JP2012174733A (en) | Exposure apparatus, liquid holding method, device manufacturing method, program, and storage medium |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20120110 |