JP2009021365A - Exposure device, device manufacturing method, maintenance method, and film forming device - Google Patents
Exposure device, device manufacturing method, maintenance method, and film forming device Download PDFInfo
- Publication number
- JP2009021365A JP2009021365A JP2007182461A JP2007182461A JP2009021365A JP 2009021365 A JP2009021365 A JP 2009021365A JP 2007182461 A JP2007182461 A JP 2007182461A JP 2007182461 A JP2007182461 A JP 2007182461A JP 2009021365 A JP2009021365 A JP 2009021365A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- liquid
- exposure
- predetermined member
- film
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Images
Abstract
Description
本発明は、液体を介して基板を露光する露光装置、デバイス製造方法、露光装置のメンテナンス方法、及び液浸露光装置で用いられる膜形成装置に関する。 The present invention relates to an exposure apparatus that exposes a substrate through a liquid, a device manufacturing method, a maintenance method for the exposure apparatus, and a film forming apparatus used in an immersion exposure apparatus.
フォトリソグラフィ工程で用いられる露光装置において、下記特許文献に開示されているような、液体を介して基板を露光する液浸露光装置が知られている。
液浸露光装置においては、露光されるウエハ等の基板のみならず、各種の所定部材と液体とが接触する。その所定部材の表面状態が悪化している状態を放置しておくと、露光不良が発生する可能性がある。例えば、液体に対する所定部材の表面の撥液性が低下している状態を放置しておくと、液体が漏出したり、所定部材上に液体(例えば液体の膜、滴等)が残留したりする可能性がある。漏出した液体、あるいは残留した液体の気化に起因して、露光装置が置かれている環境(温度、湿度、クリーン度等)が変化したり、所定部材、あるいは周辺の部材が熱変形したりする可能性がある。そのような不具合が生じると、露光装置の性能が低下し、基板上に形成されるパターンに欠陥が生じる等、露光不良が発生する可能性がある。その結果、製造されるデバイスが不良となる可能性がある。 In an immersion exposure apparatus, not only a substrate such as a wafer to be exposed but also various predetermined members and liquid come into contact. If the surface state of the predetermined member is deteriorated, exposure failure may occur. For example, if the state in which the liquid repellency of the surface of the predetermined member with respect to the liquid is lowered is left, the liquid leaks or the liquid (for example, a liquid film or a droplet) remains on the predetermined member. there is a possibility. The environment (temperature, humidity, cleanliness, etc.) in which the exposure apparatus is placed changes due to vaporization of leaked liquid or residual liquid, and predetermined members or peripheral members are thermally deformed. there is a possibility. If such a problem occurs, the performance of the exposure apparatus may deteriorate, and an exposure failure may occur, such as a defect occurring in a pattern formed on the substrate. As a result, the manufactured device may be defective.
本発明は、露光不良の発生を抑制できる露光装置を提供することを目的とする。また本発明は、不良デバイスの発生を抑制できるデバイス製造方法を提供することを目的とする。また本発明は、露光不良の発生を抑制できる露光装置のメンテナンス方法を提供することを目的とする。また本発明は、露光不良の発生を抑制できる膜形成装置を提供することを目的とする。 An object of this invention is to provide the exposure apparatus which can suppress generation | occurrence | production of exposure defect. Moreover, an object of this invention is to provide the device manufacturing method which can suppress generation | occurrence | production of a defective device. Another object of the present invention is to provide an exposure apparatus maintenance method capable of suppressing the occurrence of exposure failure. Another object of the present invention is to provide a film forming apparatus capable of suppressing the occurrence of exposure failure.
本発明の第1の態様に従えば、露光液体を介して露光光で基板を露光する露光装置であって、露光液体に対して撥液性を有する材料を含む第1液体を所定部材に塗布する塗布装置と、所定部材に形成された第1液体の膜を加熱する加熱装置と、を備えた露光装置が提供される。 According to the first aspect of the present invention, an exposure apparatus that exposes a substrate with exposure light through an exposure liquid, the first liquid containing a material having liquid repellency with respect to the exposure liquid applied to a predetermined member An exposure apparatus is provided that includes a coating apparatus that performs heating, and a heating apparatus that heats a film of a first liquid formed on a predetermined member.
本発明の第2の態様に従えば、上記態様の露光装置を用いて基板を露光することと、露光された基板を現像することと、を含むデバイス製造方法が提供される。 According to a second aspect of the present invention, there is provided a device manufacturing method including exposing a substrate using the exposure apparatus of the above aspect and developing the exposed substrate.
本発明の第3の態様に従えば、露光液体を介して露光光で基板を露光する露光装置のメンテナンス方法であって、露光液体に対して撥液性を有する材料を含む第1液体を露光装置の所定部材に塗布することと、所定部材に形成された第1液体の膜を加熱することと、を含むメンテナンス方法が提供される。 According to a third aspect of the present invention, there is provided an exposure apparatus maintenance method for exposing a substrate with exposure light through an exposure liquid, wherein the first liquid containing a material having liquid repellency with respect to the exposure liquid is exposed. There is provided a maintenance method including applying to a predetermined member of the apparatus and heating a film of the first liquid formed on the predetermined member.
本発明の第4の態様に従えば、露光液体を介して基板を露光光で露光する液浸露光装置で用いられる膜形成装置であって、所定部材の表面の少なくとも一部を形成する膜の少なくとも一部を除去する除去装置と、露光液体に対して撥液性を有する材料を含む第1液体を所定部材に塗布する塗布装置と、所定部材に形成された第1液体の膜を加熱する加熱装置と、を含む膜形成装置が提供される。 According to a fourth aspect of the present invention, there is provided a film forming apparatus used in an immersion exposure apparatus that exposes a substrate with exposure light through an exposure liquid, the film forming apparatus forming at least a part of a surface of a predetermined member. A removing device for removing at least a part, a coating device for applying a first liquid containing a material having liquid repellency to the exposure liquid to a predetermined member, and a film of the first liquid formed on the predetermined member are heated. And a heating device.
本発明によれば、露光不良の発生を抑制できる。また本発明によれば、不良デバイスの発生を抑制できる。 According to the present invention, the occurrence of exposure failure can be suppressed. Moreover, according to the present invention, it is possible to suppress the occurrence of defective devices.
以下、本発明の実施形態について図面を参照しながら説明するが、本発明はこれに限定されない。なお、以下の説明においては、XYZ直交座標系を設定し、このXYZ直交座標系を参照しつつ各部材の位置関係について説明する。そして、水平面内の所定方向をX軸方向、水平面内においてX軸方向と直交する方向をY軸方向、X軸方向及びY軸方向のそれぞれと直交する方向(すなわち鉛直方向)をZ軸方向とする。また、X軸、Y軸、及びZ軸まわりの回転(傾斜)方向をそれぞれ、θX、θY、及びθZ方向とする。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings, but the present invention is not limited thereto. In the following description, an XYZ orthogonal coordinate system is set, and the positional relationship of each member will be described with reference to this XYZ orthogonal coordinate system. The predetermined direction in the horizontal plane is the X-axis direction, the direction orthogonal to the X-axis direction in the horizontal plane is the Y-axis direction, and the direction orthogonal to each of the X-axis direction and the Y-axis direction (that is, the vertical direction) is the Z-axis direction. To do. Further, the rotation (inclination) directions around the X axis, Y axis, and Z axis are the θX, θY, and θZ directions, respectively.
<第1実施形態>
第1実施形態について説明する。図1は、第1実施形態に係る露光装置EXを示す概略構成図である。本実施形態においては、露光装置EXが、例えば米国特許第6,897,963号公報、欧州特許出願公開第1,713,113号公報などに開示されているような、基板Pを保持しながら移動可能な基板ステージ1と、基板Pを保持せずに、露光に関する所定の計測を実行可能な計測器及び計測部材を搭載しながら移動可能な計測ステージ2とを備えた露光装置である場合を例にして説明する。
<First Embodiment>
A first embodiment will be described. FIG. 1 is a schematic block diagram that shows an exposure apparatus EX according to the first embodiment. In the present embodiment, the exposure apparatus EX holds the substrate P as disclosed in, for example, US Pat. No. 6,897,963 and European Patent Application Publication No. 1,713,113. A case in which the exposure apparatus includes a
図1において、露光装置EXは、マスクMを保持しながら移動可能なマスクステージ3と、基板Pを保持しながら移動可能な基板ステージ1と、基板Pを保持せずに、露光に関する計測を実行可能な計測器及び計測部材を搭載し、基板ステージ1とは独立して移動可能な計測ステージ2と、マスクステージ3を移動する第1駆動システム4と、基板ステージ1及び計測ステージ2を移動する第2駆動システム5と、各ステージ1、2、3の位置情報を計測するレーザ干渉計6M、6Pを含む干渉計システム6と、マスクMを露光光ELで照明する照明系ILと、露光光ELで照明されたマスクMのパターンの像を基板Pに投影する投影光学系PLと、露光装置EX全体の動作を制御する制御装置7とを備えている。
In FIG. 1, the exposure apparatus EX executes a
なお、ここでいう基板Pは、デバイスを製造するための基板であって、例えばシリコンウエハのような半導体ウエハ等の基材に感光膜が形成されたものを含む。感光膜は、感光材(フォトレジスト)の膜である。また、基板Pには、感光膜とは別に保護膜(トップコート膜)等の各種の膜が形成されていてもよい。マスクMは、基板Pに投影されるデバイスパターンが形成されたレチクルを含み、例えばガラス板等の透明板部材上にクロム等の遮光膜を用いて所定のパターンが形成されたものである。この透過型マスクは、遮光膜でパターンが形成されるバイナリーマスクに限られず、例えばハーフトーン型、あるいは空間周波数変調型などの位相シフトマスクも含む。また、本実施形態においては、マスクMとして透過型のマスクを用いるが、反射型のマスクを用いてもよい。 In addition, the board | substrate P here is a board | substrate for manufacturing a device, for example, includes what formed the photosensitive film in base materials, such as a semiconductor wafer like a silicon wafer. The photosensitive film is a film of a photosensitive material (photoresist). In addition to the photosensitive film, various films such as a protective film (topcoat film) may be formed on the substrate P. The mask M includes a reticle on which a device pattern projected onto the substrate P is formed. For example, a predetermined pattern is formed on a transparent plate member such as a glass plate using a light shielding film such as chromium. This transmission type mask is not limited to a binary mask in which a pattern is formed by a light shielding film, and includes, for example, a phase shift mask such as a halftone type or a spatial frequency modulation type. In the present embodiment, a transmissive mask is used as the mask M, but a reflective mask may be used.
露光装置EXは、基板ステージ1及び計測ステージ2のそれぞれを移動可能に支持するガイド面GFを有するベース部材(定盤)BPを備えている。基板ステージ1及び計測ステージ2のそれぞれは、ガイド面GF上を移動可能である。本実施形態においては、ガイド面GFは、XY平面とほぼ平行であり、基板ステージ1及び計測ステージ2のそれぞれは、ガイド面GFに沿って、XY方向(二次元方向)に移動可能である。
The exposure apparatus EX includes a base member (surface plate) BP having a guide surface GF that supports the
本実施形態の露光装置EXは、露光液体LQを介して露光光ELで基板Pを露光する液浸露光装置であって、露光光ELの光路空間の少なくとも一部が露光液体LQで満たされるように、露光液体LQで液浸空間を形成する。なお、露光光ELの光路空間は、露光光ELが通過する光路を含む空間である。液浸空間は、液体で満たされた空間である。本実施形態においては、露光液体LQとして、水(純水)を用いる。 The exposure apparatus EX of the present embodiment is an immersion exposure apparatus that exposes the substrate P with the exposure light EL via the exposure liquid LQ, so that at least a part of the optical path space of the exposure light EL is filled with the exposure liquid LQ. Then, an immersion space is formed with the exposure liquid LQ. The optical path space of the exposure light EL is a space including the optical path through which the exposure light EL passes. The immersion space is a space filled with liquid. In the present embodiment, water (pure water) is used as the exposure liquid LQ.
本実施形態においては、投影光学系PLの複数の光学素子のうち、投影光学系PLの像面に最も近い終端光学素子8と、その終端光学素子8と対向する所定部材との間の露光光ELの光路空間が露光液体LQで満たされるように、露光液体LQで液浸空間が形成される。終端光学素子8は、投影光学系PLの像面に向けて露光光ELを射出する下面(射出面)8Aを有し、露光液体LQの液浸空間は、終端光学素子8の下面8Aと、その終端光学素子8の下面8Aと対向する所定部材との間の露光光ELの光路空間を露光液体LQで満たすように形成される。露光装置EXは、露光液体LQを介して基板Pに露光光ELを照射して、その基板Pを露光する。
In the present embodiment, exposure light between the terminal
本実施形態の露光装置EXは、露光光ELの光路空間を露光液体LQで満たすように露光液体LQで液浸空間を形成可能な液浸部材30を備えている。液浸部材30は、終端光学素子8の近傍に配置されている。液浸部材30は、終端光学素子8の下面8Aと対向する位置に配置される所定部材と対向可能な下面(液体接触面)30Aを有する。下面30Aは、露光液体LQと接触可能である。本実施形態においては、終端光学素子8及び液浸部材30と、その終端光学素子8及び液浸部材30と対向する所定部材との間に保持される露光液体LQによって液浸空間が形成される。
The exposure apparatus EX of the present embodiment includes a
終端光学素子8及び液浸部材30と対向可能な所定部材は、終端光学素子8の射出側(投影光学系PLの像面側)で移動可能であり、終端光学素子8の下面8Aから射出される露光光ELが照射される位置に移動可能な部材を含む。
The predetermined member that can face the last
本実施形態においては、終端光学素子8の下面8Aから射出される露光光ELが照射される位置に移動可能な所定部材は、基板ステージ1、基板ステージ1に保持された基板P、及び計測ステージ2の少なくとも1つを含む。また、本実施形態においては、基板ステージ1は、プレート部材Tを含み、計測ステージ2は、基準板50、スリット板60、及び上板70等、各種の光学部材を含む。
In the present embodiment, the predetermined member that can move to the position irradiated with the exposure light EL emitted from the
基板Pの露光時には、基板ステージ1に保持された基板Pが、終端光学素子8及び液浸部材30と対向するように配置される。液浸部材30は、少なくとも基板Pの露光時に、終端光学素子8と基板Pとの間の露光光ELの光路空間を露光液体LQで満たすように、露光液体LQで液浸空間を形成する。
At the time of exposure of the substrate P, the substrate P held on the
また、本実施形態の露光装置EXは、露光液体LQに対して撥液性を有する材料を含む第1液体L1を、上述の所定部材に塗布する塗布装置80と、その所定部材に形成された第1液体L1の膜を加熱する加熱装置90とを備えている。
Further, the exposure apparatus EX of the present embodiment is formed on the above-described predetermined member and the
本実施形態において、塗布装置80及び加熱装置90は、液浸部材30と異なる位置に配置されている。一例として、本実施形態においては、図1に示すように、液浸部材30の+Y側に塗布装置80が配置され、その塗布装置80の+Y側に加熱装置90が配置されている。また、基板ステージ1が終端光学素子8及び液浸部材30と対向する位置に配置されているとき、計測ステージ2が塗布装置80及び加熱装置90の少なくとも一方と対向する位置に配置可能である。
In the present embodiment, the
本実施形態において、塗布装置80は、上述の所定部材との間に第1液体L1で液浸空間を形成可能な液浸部材81を有する。液浸部材81は、第1液体L1と接触可能な下面(液体接触面)81Aを有し、上述の所定部材は、液浸部材81の下面81Aと対向する位置に移動可能である。本実施形態においては、液浸部材81と、その液浸部材81と対向する所定部材との間に保持される第1液体L1によって液浸空間が形成される。塗布装置80は、液浸部材81と所定部材との間に第1液体L1で液浸空間を形成することによって、第1液体L1を所定部材に塗布する。
In the present embodiment, the
本実施形態において、加熱装置90は、第1液体L1の膜に光を照射する。本実施形態において、加熱装置90は、光を射出する光源装置91と、光源装置91からの光を集光する集光光学系92とを有する。集光光学系92は、光を射出する下面(射出面)92Aを有し、上述の所定部材は、集光光学系92の下面92Aと対向する位置に移動可能である。
In the present embodiment, the
また、本実施形態の露光装置EXは、所定部材の表面の少なくとも一部を形成する膜の少なくとも一部を除去する除去装置100を備えている。本実施形態において、除去装置100は、所定部材の表面の少なくとも一部を形成する膜を溶解可能な第2液体L2を用いて、その膜の少なくとも一部を除去する。本実施形態においては、除去装置100は、上述の液浸部材81を含み、液浸部材81の下面81Aは、第2液体L2と接触可能である。除去装置100は、液浸部材81と所定部材との間に第2液体L2で液浸空間を形成することによって、所定部材の表面の少なくとも一部を形成する膜の少なくとも一部を除去する。
Further, the exposure apparatus EX of the present embodiment includes a removing
ここで、以下の説明においては、露光光ELの光路空間を露光液体LQで満たすように露光液体LQで液浸空間を形成可能な液浸部材30を適宜、第1液浸部材30、と称し、第1液体L1及び第2液体L2の少なくとも一方で液浸空間を形成可能な液浸部材81を適宜、第2液浸部材81、と称する。第2液浸部材81は、第1液浸部材30と異なる位置に配置される。
Here, in the following description, the
また、以下の説明においては、第1液体L1で形成される液浸空間を適宜、第1液浸空間LS1、と称し、第2液体L2で形成される液浸空間を適宜、第2液浸空間LS2、と称し、露光液体LQで形成される液浸空間を適宜、第3液浸空間LS3、と称する。第1液浸部材30は、所定部材との間に露光液体LQで第3液浸空間LS3を形成可能である。第2液浸部材81は、所定部材との間に第1液体L1で第1液浸空間LS1を形成可能であり、所定部材との間に第2液体L2で第2液浸空間LS2を形成可能である。
In the following description, the immersion space formed with the first liquid L1 is appropriately referred to as a first immersion space LS1, and the immersion space formed with the second liquid L2 is appropriately referred to as a second immersion space. This is referred to as a space LS2, and an immersion space formed with the exposure liquid LQ is appropriately referred to as a third immersion space LS3. The
本実施形態においては、上述の所定部材の表面の一部の領域(局所的な領域)が露光液体LQで覆われるように、第1液浸部材30によって第3液浸空間LS3が形成され、その所定部材の表面と第1液浸部材30の下面30Aとの間に露光液体LQの気液界面(メニスカス、エッジ)が形成される。基板Pの露光時には、投影光学系PLの投影領域を含む基板P上の一部の領域が露光液体LQで覆われるように露光液体LQで第3液浸空間LS3が形成される。すなわち、本実施形態の液浸露光装置EXは、局所液浸方式を採用する。
In the present embodiment, the third immersion space LS3 is formed by the
また、本実施形態においては、上述の所定部材の表面の一部の領域(局所的な領域)が第1液体L1(又は第2液体L2)で覆われるように、第2液浸部材81によって第1液浸空間LS1(又は第2液浸空間LS2)が形成され、その所定部材の表面と第2液浸部材81の下面81Aとの間に第1液体L1(又は第2液体L2)の気液界面(メニスカス、エッジ)が形成される。
Further, in the present embodiment, the second
照明系ILは、マスクM上の所定の照明領域を均一な照度分布の露光光ELで照明する。照明系ILから射出される露光光ELとしては、例えば水銀ランプから射出される輝線(g線、h線、i線)及びKrFエキシマレーザ光(波長248nm)等の遠紫外光(DUV光)、ArFエキシマレーザ光(波長193nm)及びF2レーザ光(波長157nm)等の真空紫外光(VUV光)等が用いられる。本実施形態においては、露光光ELとして、紫外光(真空紫外光)であるArFエキシマレーザ光が用いられる。 The illumination system IL illuminates a predetermined illumination area on the mask M with exposure light EL having a uniform illuminance distribution. As the exposure light EL emitted from the illumination system IL, for example, far ultraviolet light (DUV light) such as a bright line (g line, h line, i line) and KrF excimer laser light (wavelength 248 nm) emitted from a mercury lamp, Vacuum ultraviolet light (VUV light) such as ArF excimer laser light (wavelength 193 nm) and F 2 laser light (wavelength 157 nm) is used. In the present embodiment, ArF excimer laser light that is ultraviolet light (vacuum ultraviolet light) is used as the exposure light EL.
マスクステージ3は、リニアモータ等のアクチュエータを含む第1駆動システム4により、マスクMを保持した状態で、X軸、Y軸、及びθZ方向の3つの方向に移動可能である。マスクステージ3(マスクM)の位置情報は、干渉計システム6のレーザ干渉計6Mによって計測される。レーザ干渉計6Mは、マスクステージ3に設けられた計測ミラー3Rを用いて、マスクステージ3のX軸、Y軸、及びθZ方向に関する位置情報を計測する。制御装置7は、レーザ干渉計6Mを含む干渉計システム6の計測結果に基づいて第1駆動システム4を駆動し、マスクステージ3に保持されているマスクMの位置制御を実行する。
The
投影光学系PLは、マスクMのパターンの像を所定の投影倍率で基板Pに投影する。投影光学系PLは、複数の光学素子を有しており、それら光学素子は鏡筒PKで保持されている。本実施形態の投影光学系PLは、その投影倍率が例えば1/4、1/5、1/8等の縮小系である。なお、投影光学系PLは等倍系及び拡大系のいずれでもよい。本実施形態においては、投影光学系PLの光軸AXはZ軸方向と平行である。また、投影光学系PLは、反射光学素子を含まない屈折系、屈折光学素子を含まない反射系、反射光学素子と屈折光学素子とを含む反射屈折系のいずれであってもよい。また、投影光学系PLは、倒立像と正立像とのいずれを形成してもよい。 The projection optical system PL projects an image of the pattern of the mask M onto the substrate P at a predetermined projection magnification. The projection optical system PL has a plurality of optical elements, and these optical elements are held by a lens barrel PK. The projection optical system PL of the present embodiment is a reduction system whose projection magnification is, for example, 1/4, 1/5, 1/8 or the like. Note that the projection optical system PL may be either an equal magnification system or an enlargement system. In the present embodiment, the optical axis AX of the projection optical system PL is parallel to the Z-axis direction. The projection optical system PL may be any of a refractive system that does not include a reflective optical element, a reflective system that does not include a refractive optical element, and a catadioptric system that includes a reflective optical element and a refractive optical element. Further, the projection optical system PL may form either an inverted image or an erect image.
基板ステージ1は、ステージ本体11と、ステージ本体11上に搭載され、基板Pを保持可能な基板テーブル12とを有する。基板テーブル12は、終端光学素子8の下面8A、第1液浸部材30の下面30A、第2液浸部材81の下面81A、及び集光光学系92の下面92Aと対向可能な上面1Tを有する。基板テーブル12の上面1Tは、平坦であり、XY平面とほぼ平行である。ステージ本体11は、気体軸受によって、ガイド面GFに非接触で支持されており、ガイド面GF上をXY方向に移動可能である。基板ステージ1は、基板Pを保持した状態で、終端光学素子8の光射出側(投影光学系PLの像面側)において、終端光学素子8及び第1液浸部材30と対向する位置、第2液浸部材81と対向する位置、及び集光光学系92と対向する位置を含むガイド面GF上の所定領域内を移動可能である。
The
計測ステージ2は、ステージ本体21と、ステージ本体21上に搭載され、計測器及び計測部材を搭載可能な計測テーブル22とを有する。計測テーブル22は、終端光学素子8の下面8A、第1液浸部材30の下面30A、第2液浸部材81の下面81A、及び集光光学系92の下面92Aと対向可能な上面2Tを有する。計測テーブル22の上面2Tは、平坦であり、XY平面とほぼ平行である。ステージ本体21は、気体軸受によって、ガイド面GFに非接触で支持されており、ガイド面GF上をXY方向に移動可能である。計測ステージ2は、計測器を搭載した状態で、終端光学素子8の光射出側(投影光学系PLの像面側)において、終端光学素子8及び第1液浸部材30と対向する位置、第2液浸部材81と対向する位置、及び集光光学系92と対向する位置を含むガイド面GF上の所定領域内を、基板ステージ1と独立して移動可能である。
The
第2駆動システム5は、例えばリニアモータ等のアクチュエータを含み、ステージ本体11及びステージ本体21のそれぞれをガイド面GF上でX軸、Y軸、及びθZ方向に移動することによって、ステージ本体11上の基板テーブル12、及びステージ本体21上の計測テーブル22を、X軸、Y軸、及びθZ方向に移動可能な粗動システム5Aと、例えばボイスコイルモータ等のアクチュエータを含み、ステージ本体11に対して基板テーブル12をZ軸、θX、及びθY方向に移動可能な微動システム5Bと、ステージ本体21に対して計測テーブル22をZ軸、θX、及びθY方向に移動可能な微動システム5Cとを備えている。粗動システム5A及び微動システム5B、5Cを含む第2駆動システム5は、基板テーブル12及び計測テーブル22のそれぞれを、X軸、Y軸、Z軸、θX、θY、及びθZ方向の6つの方向に移動可能である。制御装置7は、第2駆動システム5を制御することにより、基板テーブル12(基板P)及び計測テーブル22(計測器)のX軸、Y軸、Z軸、θX、θY、及びθZ方向の6つの方向に関する位置制御を実行可能である。
The
基板テーブル12及び計測テーブル22の位置情報(X軸、Y軸、及びθZ方向に関する位置情報)は、干渉計システム6のレーザ干渉計6Pによって計測される。レーザ干渉計6Pは、基板テーブル12及び計測テーブル22のそれぞれに設けられた計測ミラー12R、22Rを用いて、基板テーブル12及び計測テーブル22それぞれのX軸、Y軸、及びθZ方向に関する位置情報を計測する。
Position information on the substrate table 12 and the measurement table 22 (position information regarding the X-axis, Y-axis, and θZ directions) is measured by the
また、露光装置EXは、斜入射方式のフォーカス・レベリング検出システム(不図示)を備えている。基板テーブル12に保持された基板Pの表面の面位置情報(Z軸、θX、及びθY方向に関する位置情報)、及び計測テーブル22の上面2Tの面位置情報等は、フォーカス・レベリング検出システムによって検出される。干渉計システム6のレーザ干渉計6Pの計測結果及びフォーカス・レベリング検出システムの検出結果は、制御装置7に出力される。制御装置7は、レーザ干渉計6Pの計測結果及びフォーカス・レベリング検出システムの検出結果に基づいて、第2駆動システム5を駆動し、基板テーブル12に保持されている基板P等の位置制御を実行する。
Further, the exposure apparatus EX includes an oblique incidence type focus / leveling detection system (not shown). Surface position information (position information regarding the Z-axis, θX, and θY directions) of the surface of the substrate P held on the substrate table 12, surface position information of the
また、本実施形態の露光装置EXは、マスクM上のアライメントマーク、及び計測ステージ2に設けられた基準板50上の第1基準マークFM1等を検出する、露光波長の光を用いたTTR(Through The Reticle)方式の第1アライメントシステムRAを備えている。第1アライメントシステムRAの少なくとも一部は、マスクステージ3の上方に配置されている。第1アライメントシステムRAは、マスクM上のアライメントマークと、そのアライメントマークに対応するように計測ステージ2に設けられた基準板50上の第1基準マークFM1の投影光学系PLを介した共役像とを同時に観察する。本実施形態の第1アライメントシステムRAは、例えば米国特許5,646,413号等に開示されているような、対象マーク(マスクM上のアライメントマーク、及び基準板50上の第1基準マークFM1等)に対して光を照射し、CCDカメラ等で撮像したマークの画像データを画像処理してマーク位置を検出するVRA(Visual Reticle Alignment)方式を採用する。
In addition, the exposure apparatus EX of the present embodiment detects the alignment mark on the mask M, the first reference mark FM1 on the
また、本実施形態の露光装置EXは、基板P上のアライメントマーク、及び計測ステージ2に設けられた基準板50上の第2基準マークFM2等を検出する、オフアクシス方式の第2アライメントシステムALGを備えている。第2アライメントシステムALGの少なくとも一部は、投影光学系PLの先端の近傍に配置されている。本実施形態の第2アライメントシステムALGは、例えば米国特許5,493,403号等に開示されているような、基板P上の感光材を感光させないブロードバンドな検出光を対象マーク(基板P上のアライメントマーク、及び基準板50上の第2基準マークFM2等)に照射し、その対象マークからの反射光によって受光面に結像された対象マークの像と指標(第2アライメントシステムARG内に設けられた指標板上の指標マーク)の像とをCCD等の撮像素子を用いて撮像し、それらの撮像信号を画像処理することでマークの位置を計測するFIA(Field Image Alignment)方式のアライメントシステムを採用する。
Further, the exposure apparatus EX of the present embodiment detects an alignment mark on the substrate P, a second reference mark FM2 on the
図2は、本実施形態に係る露光装置EXの一部を拡大した側断面図である。図2において、第1液浸部材30は、環状の部材であって、終端光学素子8の周囲に配置されている。第1液浸部材30は、終端光学素子8の下面8Aと対向する位置に配置された開口30Kを有する。また、第1液浸部材30は、露光液体LQを供給可能な第1供給口31と、露光液体LQを回収可能な第1回収口32とを備えている。
FIG. 2 is an enlarged side sectional view of a part of the exposure apparatus EX according to the present embodiment. In FIG. 2, the first
第1供給口31は、第3液浸空間LS3を形成するために、露光光ELの光路空間に露光液体LQを供給可能である。第1供給口31は、露光光ELの光路空間の近傍において、露光光ELの光路空間と対向する第1液浸部材30の所定位置に配置されている。また、露光装置EXは、露光液体供給装置36を備えている。露光液体供給装置36は、清浄で温度調整され、十分に脱気された露光液体LQを送出可能である。第1供給口31と露光液体供給装置36とは、供給流路35を介して接続されている。供給流路35は、第1液浸部材30の内部に形成された流路35A、及びその流路35Aと露光液体供給装置36とを接続する供給管で形成される流路35Bを含む。露光液体供給装置36から送出された露光液体LQは、供給流路35を介して第1供給口31に供給される。第1供給口31は、露光液体供給装置36からの露光液体LQを露光光ELの光路空間に供給する。
The
第1回収口32は、第1液浸部材30の下面30Aと対向する所定部材上の露光液体LQの少なくとも一部を回収可能である。本実施形態においては、第1回収口32は、露光光ELの光路の周囲に配置されている。第1回収口32は、所定部材の表面と対向する第1液浸部材30の所定位置に配置されている。また、露光装置EXは、露光液体LQを回収可能な露光液体回収装置38を備えている。露光液体回収装置38は、真空システムを含み、露光液体LQを吸引して回収可能である。第1回収口32と露光液体回収装置38とは、回収流路37を介して接続されている。回収流路37は、第1液浸部材30の内部に形成された流路37A、及びその流路37Aと露光液体回収装置38とを接続する回収管で形成される流路37Bを含む。第1回収口32から回収された露光液体LQは、流路37を介して、露光液体回収装置38に回収される。
The
本実施形態においては、制御装置7は、第1供給口31を用いる液体供給動作と並行して、第1回収口32を用いる液体回収動作を実行することによって、終端光学素子8及び第1液浸部材30と、終端光学素子8及び第1液浸部材30と対向する所定部材との間に露光液体LQで第3液浸空間LS3を形成可能である。少なくとも基板Pを露光するとき、制御装置7は、露光光ELの光路空間を露光液体LQで満たすように第3液浸空間LS3を形成する。
In the present embodiment, the
次に、基板テーブル12について説明する。基板テーブル12は、基板Pを着脱可能に保持する第1保持部PH1と、第1保持部PH1の周囲の少なくとも一部に配置され、プレート部材Tを着脱可能に保持する第2保持部PH2とを有する。基板テーブル12は、基材13を有し、第1保持部PH1及び第2保持部PH2は、基材13に設けられている。本実施形態においては、第2保持部PH2は、第1保持部PH1の周囲に配置されている。本実施形態において、基板テーブル12(基板ステージ1)の上面1Tは、第2保持部PH2に保持されたプレート部材Tの表面を含む。
Next, the substrate table 12 will be described. The substrate table 12 includes a first holding part PH1 that detachably holds the substrate P, and a second holding part PH2 that is disposed on at least a part of the periphery of the first holding part PH1 and holds the plate member T detachably. Have The substrate table 12 has a
プレート部材Tは、基板テーブル12とは別の部材であって、基板テーブル12の第2保持部PH2に着脱可能に保持される。プレート部材Tの中央には、基板Pを配置可能な略円形状の開口THが形成されている。第2保持部PH2に保持されたプレート部材Tは、第1保持部PH1に保持された基板Pの周囲に配置される。第1保持部PH1に保持された基板Pの外側のエッジ(側面)と、その基板Pの外側に配置され、第2保持部PH2に保持されたプレート部材Tの内側(開口TH側)のエッジ(内側面)との間には所定のギャップが形成される。 The plate member T is a member different from the substrate table 12, and is detachably held by the second holding portion PH2 of the substrate table 12. A substantially circular opening TH in which the substrate P can be placed is formed in the center of the plate member T. The plate member T held by the second holding part PH2 is disposed around the substrate P held by the first holding part PH1. The outer edge (side surface) of the substrate P held by the first holding portion PH1 and the inner edge (opening TH side) of the plate member T arranged outside the substrate P and held by the second holding portion PH2. A predetermined gap is formed between the inner surface and the inner surface.
本実施形態において、第1保持部PH1は、基板Pの表面とXY平面とがほぼ平行となるように、基板Pを保持する。第2保持部PH2は、プレート部材Tの表面とXY平面とがほぼ平行となるように、プレート部材Tを保持する。また、本実施形態においては、基板Pの表面及びプレート部材Tの表面は平坦である。本実施形態においては、第1保持部PH1に保持された基板Pの表面と、第2保持部PH2に保持されたプレート部材Tの表面とは、同一平面内(XY平面内)に配置される(面一である)。プレート部材Tは、基板ステージ1の第1保持部PH1に保持された基板Pの周囲に平坦部を形成する。
In the present embodiment, the first holding unit PH1 holds the substrate P so that the surface of the substrate P and the XY plane are substantially parallel. The second holding portion PH2 holds the plate member T so that the surface of the plate member T and the XY plane are substantially parallel. In the present embodiment, the surface of the substrate P and the surface of the plate member T are flat. In the present embodiment, the surface of the substrate P held by the first holding part PH1 and the surface of the plate member T held by the second holding part PH2 are arranged in the same plane (in the XY plane). (It is the same). The plate member T forms a flat portion around the substrate P held by the first holding portion PH1 of the
基板Pは、半導体ウエハ等の基材Wと、基材W上に形成された感光膜Rgとを含む。 The substrate P includes a base material W such as a semiconductor wafer and a photosensitive film Rg formed on the base material W.
プレート部材Tは、露光液体LQに対して撥液性の表面を有している。本実施形態においては、プレート部材Tの表面は、フッ素を含む材料の膜Tfで形成されている。具体的には、プレート部材Tは、ステンレス鋼等の金属で形成された基材Tbと、その基材Tbの表面に形成されたフッ素を含む材料の膜Tfとを有する。本実施形態においては、膜Tfを形成する材料は、例えばPFA(Tetra fluoro ethylene-perfluoro alkylvinyl ether copolymer)、テフロン(登録商標)を含む。 The plate member T has a liquid repellent surface with respect to the exposure liquid LQ. In the present embodiment, the surface of the plate member T is formed of a film Tf of a material containing fluorine. Specifically, the plate member T has a base material Tb formed of a metal such as stainless steel, and a film Tf of a material containing fluorine formed on the surface of the base material Tb. In this embodiment, the material for forming the film Tf includes, for example, PFA (Tetrafluoroethylene-perfluoroalkylvinylether copolymer) and Teflon (registered trademark).
第1保持部PH1は、所謂ピンチャック機構を含み、基材13上に形成され、基板Pの裏面を支持する複数のピン状の支持部材14と、複数の支持部材14を囲むように基材13上に形成された第1周壁15とを備えている。第1周壁15は、基板Pの外形とほぼ同形状の環状に形成されており、その第1周壁15の上面は、基板Pの裏面の周縁領域(エッジ領域)と対向する。また、第1周壁15の内側の基材13上には、気体を吸引可能な第1吸引口16が複数設けられている。第1吸引口16のそれぞれは、真空システム等を含む吸引装置に接続されている。制御装置7は、吸引装置を使って、基板Pの裏面と第1周壁15と基材13とで囲まれた第1空間の気体を第1吸引口16を介して吸引して、第1空間を負圧にすることによって、基板Pの裏面を支持部材14で吸着保持する。また、第1吸引口16に接続された吸引装置による吸引動作を停止することにより、第1保持部PH1より基板Pを外すことができる。
The first holding portion PH <b> 1 includes a so-called pin chuck mechanism, is formed on the
第2保持部PH2は、所謂ピンチャック機構を含み、第1周壁15を囲むように基材13上に形成された第2周壁17と、第2周壁17を囲むように基材13上に形成された第3周壁18と、第2周壁17と第3周壁18との間の基材13上に形成され、プレート部材Tの裏面を支持する複数のピン状の支持部材19とを備えている。第2周壁17の上面は、開口TH近傍のプレート部材Tの裏面の内縁領域(内側のエッジ領域)と対向する。第3周壁18の上面は、プレート部材Tの裏面の外縁領域(外側のエッジ領域)と対向する。
The second holding portion PH <b> 2 includes a so-called pin chuck mechanism, and is formed on the
また、第2周壁17と第3周壁18との間の基材13上には、気体を吸引可能な第2吸引口20が複数設けられている。第2吸引口20のそれぞれは、真空システム等を含む吸引装置に接続されている。制御装置7は、吸引装置を使って、プレート部材Tの裏面と第2周壁17と第3周壁18と基材13とで囲まれた第2空間の気体を第2吸引口20を介して吸引して、第2空間を負圧にすることによって、プレート部材Tの裏面を支持部材19で吸着保持する。また、第2吸引口20に接続された吸引装置による吸引動作を停止することにより、第2保持部PH2よりプレート部材Tを外すことができる。
Further, a plurality of
なお、図2に示すように、例えば基板Pの表面の周縁領域(エッジショット)に露光光ELが照射されるとき、プレート部材Tの一部が、第3液浸空間LS3の露光液体LQと接触する。この場合、第3液浸空間LS3は、終端光学素子8及び第1液浸部材30と、基板P及びプレート部材Tとの間に保持される露光液体LQによって形成される。
As shown in FIG. 2, for example, when the exposure light EL is irradiated to the peripheral area (edge shot) of the surface of the substrate P, a part of the plate member T is exposed to the exposure liquid LQ in the third immersion space LS3. Contact. In this case, the third immersion space LS3 is formed by the exposure liquid LQ held between the terminal
次に、計測ステージ2について説明する。図3は、基板ステージ1及び計測ステージ2を示す概略斜視図、図4は、基板ステージ1及び計測ステージ2を示す平面図である。計測ステージ2は、露光に関する各種計測を行うための複数の計測器及び計測部材(光学部材)を備えている。計測ステージ2の計測テーブル22の上面2Tの所定位置には、計測部材(光学部材)として、複数の基準マークFM1、FM2が形成された基準板50が設けられている。本実施形態においては、基準板50は、計測テーブル22に設けられた第3保持部PH3に着脱可能に保持される。また、計測テーブル22の上面2Tの所定位置には、計測部材(光学部材)として、スリット部61が形成された光を透過可能なスリット板60が設けられている。本実施形態においては、スリット板60は、計測テーブル22に設けられた第4保持部PH4に着脱可能に保持される。また、計測テーブル22の上面の所定位置には、計測部材(光学部材)として、開口パターン71が形成された光を透過可能な上板70が設けられている。本実施形態においては、上板70は、計測テーブル22に設けられた第5保持部PH5に着脱可能に保持される。
Next, the
本実施形態においては、第3保持部PH3に保持された基準板50の表面と、第4保持部PH4に保持されたスリット板60の表面と、第5保持部PH5に保持された上板70の表面と、計測テーブル12の上面2Tとは、ほぼ同一平面内(XY平面内)に配置される(面一である)。
In the present embodiment, the surface of the
基準板50は、低熱膨張材料からなる基材51と、基材51上に形成され、第1アライメントシステムRAで計測される第1基準マークFM1と、基材51上に形成され、第2アライメントシステムALGで計測される第2基準マークFM2とを備えている。第1、第2基準マークFM1、FM2は、Cr(クロム)等の金属で形成されている。
The
基準板50は、露光液体LQに対して撥液性の表面を有している。本実施形態においては、基準板50の表面は、フッ素を含む材料の膜50fで形成されている。本実施形態においては、基準板50の表面を形成する膜50fは、光(露光光EL)を透過可能なフッ素を含む透明な材料で形成されている。
The
スリット板60は、ガラス板部材64の上面中央に設けられたCr(クロム)等からなる遮光膜62と、その遮光膜62の周囲、すなわちガラス板部材64の上面のうち遮光膜62以外の部分に設けられたアルミニウム等からなる反射膜63と、遮光膜62の一部に形成された開口パターンであるスリット部61とを備えている。スリット部61においては透明部材であるガラス板部材64が露出しており、光はスリット部61を透過可能である。ガラス板部材64の形成材料としては、露光光ELに対する透過性の良い合成石英あるいは螢石等が用いられる。スリット部61は、遮光膜62を例えばエッチング処理することで形成可能である。スリット板60は、例えば米国特許出願公開第2002/0041377号明細書等に開示されているような、空間像計測システム60Sの一部を構成する。スリット板60の下方には、空間像計測システム60Sの一部を構成する受光素子が配置されている。
The
スリット板60は、露光液体LQに対して撥液性の表面を有している。本実施形態においては、スリット板60の表面は、フッ素を含む材料の膜60fで形成されている。
The
上板70は、ガラス板部材74の上面に設けられたCr(クロム)等からなる遮光膜72と、その遮光膜72の一部に形成された開口パターン71とを備えている。開口パターン71においては透明部材であるガラス板部材74が露出しており、光は開口パターン71を透過可能である。ガラス板部材74の形成材料としては、露光光ELに対する透過性の良い合成石英あるいは螢石等が用いられる。開口パターン71は、遮光膜72を例えばエッチング処理することで形成可能である。上板70は、露光光ELの露光エネルギーに関する情報(光量、照度、照度むら等)を計測する、例えば米国特許第4,465,368号等に開示されているように照度むらを計測可能な計測器、例えば特開2001−267239号公報に開示されているような投影光学系PLの露光光ELの透過率の変動量を計測するためのむら計測器、例えば米国特許出願公開第2002/0061469号明細書等に開示されているような照射量計測器(照度計測器)の一部を構成する。あるいは、上板70が、例えば国際公開第99/60361号パンフレット(対応する欧州特許第1,079,223号明細書)等に開示されているような、波面収差計測器の一部を構成していてもよい。上板70の下方には、これら計測器の一部を構成する受光素子が配置されている。
The
上板70は、露光液体LQに対して撥液性の表面を有している。本実施形態においては、上板70の表面は、基準板50、スリット板60と同様、フッ素を含む材料の膜70fで形成されている。
The
なお、膜50f、膜60f、膜70fを形成するためのフッ素を含む透明な材料としては、住友スリーエム社製の「EGC」シリーズ、旭硝子社製「サイトップ」、あるいは東京応化工業社製の「TSP-3A(レジスト保護膜材料)」を用いることができる。
As the transparent material containing fluorine for forming the
また、本実施形態においては、各計測部材50、60、70の表面以外の計測テーブル22の上面2Tは、PFA等、フッ素を含む材料の膜で形成されており、露光液体LQに対して撥液性を有する。
In the present embodiment, the
次に、図5及び図6を参照しながら、第2液浸部材81について説明する。図5は、第2液浸部材81の近傍を示す側断面図、図6は、第2液浸部材81を下方から見た図である。図5及び図6に示すように、第2液浸部材81は、第2液浸部材81の下面81Aと対向する所定部材との間に第1液体L1で第1液浸空間LS1を形成可能である。また、第2液浸部材81は、第2液浸部材81の下面81Aと対向する所定部材との間に第2液体L2で第2液浸空間LS2を形成可能である。なお、図5においては、第2液浸部材81の下面81Aと対向する位置に、所定部材として、基板テーブル12(プレート部材T)が配置されている状態が示されている。
Next, the second
第2液浸部材81は、液体(第1液体L1及び第2液体L2の少なくとも一方)を供給可能な第2供給口82と、液体(第1液体L1及び第2液体L2の少なくとも一方)を回収可能な第2回収口83とを備えている。第2供給口82は、第1液浸空間LS1を形成するために、第1液体L1を供給可能である。また、第2供給口82は、第2液浸空間LS2形成するために、第2液体L2を供給可能である。第2供給口82は、第2液浸部材81の下面81Aのほぼ中央に配置されている。
The second
第2回収口83は、第2液浸部材81の下面81Aと対向する所定部材上の液体(第1液体L1及び第2液体L2の少なくとも一方)の少なくとも一部を回収可能である。本実施形態においては、第2回収口83は、第2液浸部材81の下面81Aにおいて、第2供給口82の周囲に配置されている。
The
露光装置EXは、第1液体L1を発生する第1液体供給装置84と、第2液体L2を発生する第2液体供給装置85と、液体(第1液体L1及び第2液体L2の少なくとも一方を含む)を回収可能な液体回収装置86とを備えている。第1液体供給装置84、第2液体供給装置85、及び液体回収装置86は、制御装置7に制御される。第1液体供給装置84と第2供給口82とは、供給流路87を介して接続されている。供給流路87は、第2液浸部材81の内部に形成された流路87A、及びその流路87Aと第1液体供給装置84とを接続する供給管で形成される流路87Bを含む。第2液体供給装置85は、流路切替機構88を介して、供給流路87と接続されている。流路切替機構88は、制御装置7に制御される。
The exposure apparatus EX includes a first
第1液体供給装置84は、第1液体L1を、第2供給口82に向けて送出可能である。第2液体供給装置85は、第2液体L2を、第2供給口82に向けて送出可能である。
The first
液体回収装置86は、真空システムを含み、第1液体L1及び第2液体L2を回収可能である。液体回収装置86と第2回収口83とは、回収流路89を介して接続されている。回収流路89は、第2液浸部材81の内部に形成された流路89A、及びその流路89Aと液体回収装置86とを接続する回収管で形成される流路89Bを含む。第2回収口83から回収された液体(第1液体L1及び第2液体L2の少なくとも一方を含む)は、回収流路89を介して、液体回収装置86に回収される。
The
本実施形態において、制御装置7は、流路切替機構88、第1液体供給装置84、及び第2液体供給装置85を制御して、第1液体供給装置84から送出された第1液体L1が第2供給口82へ供給されるとき、第2液体供給装置85から第2供給口82への第2液体L2の供給を停止することができる。また、制御装置7は、第2液体供給装置85から送出された第2液体L2が第2供給口82へ供給されるとき、第1液体供給装置84から第2供給口82への第1液体L1の供給を停止することができる。
In the present embodiment, the
例えば、第1液体L1で第1液浸空間LS1を形成するために、制御装置7は、第2液体供給装置85から第2供給口82への第2液体L2の供給を停止し、第1液体供給装置84から第1液体L1を送出する。第1液体供給装置84から送出された第1液体L1は、供給流路87を流れた後、第2供給口82に供給される。第2供給口82は、第1液体L1で第1液浸空間LS1を形成するために、第1液体供給装置84からの第1液体L1を、第2液浸部材81の下面81Aと、下面81Aと対向する所定部材との間に供給する。また、液体回収装置86の作動によって、第2回収口83から回収された第1液体L1は、回収流路89を介して液体回収装置86に回収される。制御装置7は、第2供給口82を用いる第1液体L1の供給動作と並行して、第2回収口83を用いる第1液体L1の回収動作を実行することによって、第1液体L1で第1液浸空間LS1を形成する。
For example, in order to form the first immersion space LS1 with the first liquid L1, the
また、第2液体LCで第2液浸空間LS2を形成するために、制御装置7は、第1液体供給装置84から第2供給口82への第1液体L1の供給を停止し、第2液体供給装置85から第2液体L2を送出する。第2液体供給装置85から送出された第2液体L2は、供給流路87を流れた後、第2供給口82に供給される。第2供給口82は、第2液体L2で第2液浸空間LS2を形成するために、第2液体供給装置85からの第2液体L2を、第2液浸部材81の下面81Aと、下面81Aと対向する所定部材との間に供給する。また、液体回収装置86の作動によって、第2回収口83から回収された第2液体L2は、回収流路89を介して液体回収装置86に回収される。制御装置7は、第2供給口82を用いる第2液体L2の供給動作と並行して、第2回収口83を用いる第2液体L2の回収動作を実行することによって、第2液体L2で第2液浸空間LS2を形成する。
Further, in order to form the second immersion space LS2 with the second liquid LC, the
このように、本実施形態においては、第2供給口82は、第1液体L1及び第2液体L2のそれぞれを供給可能である。また、第2回収口83は、第1液体L1及び第2液体L2のそれぞれを回収可能である。
Thus, in this embodiment, the
以下の説明においては、第1液体供給装置84から第2供給口82に第1液体L1が供給される状態を適宜、第1供給モード、と称し、第2液体供給装置85から第2供給口82に第2液体L2が供給される状態を適宜、第2供給モード、と称する。
In the following description, the state in which the first liquid L1 is supplied from the first
図7は、第4保持部PH4に保持されたスリット板60を示す断面図である。図7に示すように、計測テーブル22の上面2Tの一部には開口が形成されており、計測テーブル22の内部には、開口に接続する内部空間が形成されている。スリット板60は、計測テーブル22の開口近傍に配置された第4保持部PH4に着脱可能に保持される。第4保持部PH4は、所謂ピンチャック機構を含み、スリット部61を透過した露光光ELを遮らないように環状に形成された基材67と、基材67の内縁に沿うように基材67上に形成された内側周壁67Aと、内側周壁67Aを囲むように基材67上に形成された外側周壁67Bと、内側周壁67Aと外側周壁67Bとの間に形成され、スリット板60の裏面を支持する複数のピン状の支持部材68と、内側周壁67Aと外側周壁67Bとの間に配置され、気体を吸引可能な吸引口69とを有する。第4保持部PH4に保持されたスリット板60の表面と、計測テーブル22の上面2Tとは、ほぼ面一である。
FIG. 7 is a cross-sectional view showing the
空間像計測システム60Sの少なくとも一部は、計測テーブル22の内部空間に配置されている。空間像計測システム60Sは、スリット板60と、計測テーブル22の内部空間においてスリット部61の下方に配置された光学系65と、光学系65を介した光(露光光EL)を受光可能な受光素子66とを備えている。
At least a part of the aerial
図7に示すように、制御装置7は、スリット板60を用いた計測処理を実行する際、終端光学素子8の下面8Aと対向する位置にスリット板60を配置し、終端光学素子8とスリット板60との間の露光光ELの光路空間を露光液体LQで満たすように露光液体LQで第3液浸空間LS3を形成した状態で、露光光ELをスリット板60に照射する。スリット板60の表面は、露光液体LQと接触した状態で、露光光ELを照射される。受光素子66は、スリット板60(スリット部61)を透過した露光光ELを、光学系65を介して受光し、空間像の計測を実行する。
As shown in FIG. 7, when executing the measurement process using the
なお、図示は省略するが、計測テーブル22には、基準板50を着脱可能に保持するピンチャック機構を有する第3保持部PH3が設けられている。制御装置7は、基準板50を用いた計測処理を実行する際、終端光学素子8の下面8Aと対向する位置に基準板50を配置し、終端光学素子8と基準板50との間の露光光ELの光路空間を露光液体LQで満たすように露光液体LQで第3液浸空間LS3を形成した状態で、露光光EL又は露光光ELとほぼ同じ波長の光(紫外光)を、基準板50に照射する。基準板50の表面は、露光液体LQと接触した状態で、露光光EL又は露光光ELとほぼ同じ波長の光(紫外光)を照射される。
Although not shown, the measurement table 22 is provided with a third holding portion PH3 having a pin chuck mechanism that detachably holds the
また、図示は省略するが、計測テーブル22には、上板70を着脱可能に保持するピンチャック機構を有する第5保持部PH5が設けられている。制御装置7は、上板70を用いた計測処理を実行する際、終端光学素子8の下面8Aと対向する位置に上板70を配置し、終端光学素子8と上板70との間の露光光ELの光路空間を露光液体LQで満たすように露光液体LQで第3液浸空間LS3を形成した状態で、露光光ELを上板70に照射する。上板70の表面は、露光液体LQと接触した状態で、露光光ELを照射される。上板70の下方に配置されている受光素子は、上板70を透過した露光光ELを受光し、所定の計測を実行する。
Although not shown, the measurement table 22 is provided with a fifth holding portion PH5 having a pin chuck mechanism that detachably holds the
このように、計測テーブル22を用いて計測処理を実行する場合等においては、終端光学素子8及び第1液浸部材30と対向する位置に配置された計測テーブル22と、終端光学素子8及び第1液浸部材30との間に露光液体LQで第3液浸空間LS3が形成される。
As described above, when the measurement process is performed using the measurement table 22, the measurement table 22, the last
また、本実施形態においては、例えば欧州特許出願公開第1,713,113号公報、米国特許公開第2006/0023186号公報等に開示されているように、制御装置7は、基板テーブル12及び計測テーブル22の少なくとも一方が終端光学素子8及び第1液浸部材30との間で露光液体LQを保持可能な空間を形成し続けるように、基板テーブル12の上面1Tと計測テーブル22の上面2Tとを接近又は接触させた状態で、基板テーブル12の上面1T及び計測テーブル22の上面2Tの少なくとも一方と終端光学素子8の下面8A及び第1液浸部材30の下面30Aとを対向させつつ、終端光学素子8及び第1液浸部材30に対して、基板テーブル12と計測テーブル22とをXY方向に同期移動させる。これにより、制御装置7は、露光液体LQの漏出を抑制しつつ、基板テーブル12の上面1Tと計測テーブル22の上面2Tとの間で露光液体LQの第3液浸空間LS3を移動可能である。なお、基板テーブル12の上面1Tと計測テーブル22の上面2Tとの間で露光液体LQの第3液浸空間LS3を移動するときに、基板テーブル12の上面1Tと計測テーブル22の上面2Tとはほぼ同じ高さ(面一)となるように調整される。
In this embodiment, as disclosed in, for example, European Patent Application Publication No. 1,713,113, US Patent Publication No. 2006/0023186, etc., the
同様に、制御装置7は、基板テーブル12及び計測テーブル22の少なくとも一方が第2液浸部材81との間で第1液体L1を保持可能な空間を形成し続けるように、基板テーブル12の上面1Tと計測テーブル22の上面2Tとを接近又は接触させた状態で、基板テーブル12の上面1T及び計測テーブル22の上面2Tの少なくとも一方と第2液浸部材81の下面81Aとを対向させつつ、第2液浸部材81に対して、基板テーブル12と計測テーブル22とをXY方向に同期移動させることができる。これにより、制御装置7は、第1液体L1の漏出を抑制しつつ、基板テーブル12の上面1Tと計測テーブル22の上面2Tとの間で第1液体L1の第1液浸空間LS1を移動可能である。
Similarly, the
同様に、制御装置7は、基板テーブル12及び計測テーブル22の少なくとも一方が第2液浸部材81との間で第2液体L2を保持可能な空間を形成し続けるように、基板テーブル12の上面1Tと計測テーブル22の上面2Tとを接近又は接触させた状態で、基板テーブル12の上面1T及び計測テーブル22の上面2Tの少なくとも一方と第2液浸部材81の下面81Aとを対向させつつ、第2液浸部材81に対して、基板テーブル12と計測テーブル22とをXY方向に同期移動させることができる。これにより、制御装置7は、第2液体L2の漏出を抑制しつつ、基板テーブル12の上面1Tと計測テーブル22の上面2Tとの間で第2液体L2の第2液浸空間LS2を移動可能である。
Similarly, the
次に、上述の構成を有する露光装置EXを用いて基板Pを露光する方法の一例について説明する。 Next, an example of a method for exposing the substrate P using the exposure apparatus EX having the above-described configuration will be described.
まず、制御装置7は、終端光学素子8及び第1液浸部材30と計測ステージ2とを対向させた状態で、露光光ELの光路空間を露光液体LQで満たすように露光液体LQで第3液浸空間LS3を形成する。もちろん、終端光学素子8及び第1液浸部材30と基板ステージ1とを対向させた状態で、露光液体LQで第3液浸空間LS3を形成してもよい。
First, in the state where the last
次に、制御装置7は、基板Pを露光する前に、計測ステージ2に搭載されている計測器、計測部材の少なくとも一つを用いて、各種の計測を実行する。例えば、図7を参照して説明したように、制御装置7は、空間像計測システム60Sを用いて、投影光学系PLの結像特性を計測する。
Next, before exposing the substrate P, the
そして、制御装置7は、その計測結果に基づいて、各種調整(キャリブレーション)を行う。例えば、空間像計測システム60Sの計測結果に基づいて、投影光学系PLの結像特性の調整が行われる。
And the
計測ステージ2を用いた計測が終了した後、制御装置7は、上述したように基板ステージ1と計測ステージ2とを同期移動して、露光液体LQの第3液浸空間LS3を計測ステージ2から基板ステージ1へ移動する。次に、制御装置7は、基板ステージ1上の基板Pに対するアライメント処理を開始する。制御装置7は、基板ステージ1をXY方向に移動し、第2アライメントシステムALGの検出領域に、基板P上の各ショット領域に対応するように設けられている複数のアライメントマークを順次配置する。そして、制御装置7は、レーザ干渉計6Pを含む干渉計システム6を用いて、基板ステージ1の位置情報を計測しつつ、第2アライメントシステムALGを用いて、基板P上の複数のアライメントマークを、露光液体LQを介さずに順次検出する。これにより、制御装置7は、レーザ干渉計6Pを含む干渉計システム6によって規定される座標系内での基板P上のアライメントマークの位置情報を求めることができる。
After the measurement using the
そして、制御装置7は、基板Pのアライメントマークの位置情報に基づいて、基板ステージ1上の基板Pの位置を制御し、基板P上の複数のショット領域に対する露光を開始する。制御装置7は、基板P上のショット領域を露光するために、照明系ILより露光光ELを射出する。照明系ILより射出された露光光ELは、マスクMを照明する。マスクMを介した露光光ELは、投影光学系PL及び第3液浸空間LS3の露光液体LQを介して、基板Pに照射される。これにより、マスクMのパターンの像が基板Pに投影され、基板Pは露光光ELで露光される。制御装置7は、少なくともマスクMのパターンの像を基板Pに投影している間、露光光ELの光路空間を露光液体LQで満たすように露光液体LQで第3液浸空間LS3を形成する。
Then, the
本実施形態の露光装置EXは、マスクMと基板Pとを所定の走査方向に同期移動しつつ、マスクMのパターンの像を基板Pに投影する走査型露光装置(所謂スキャニングステッパ)である。本実施形態においては、基板Pの走査方向(同期移動方向)をY軸方向とし、マスクMの走査方向(同期移動方向)もY軸方向とする。露光装置EXは、基板Pを投影光学系PLの投影領域に対してY軸方向に移動するとともに、その基板PのY軸方向への移動と同期して、照明系ILの照明領域に対してマスクMをY軸方向に移動しつつ、投影光学系PLと露光液体LQとを介して基板Pに露光光ELを照射して、その基板Pを露光する。 The exposure apparatus EX of the present embodiment is a scanning exposure apparatus (so-called scanning stepper) that projects an image of the pattern of the mask M onto the substrate P while synchronously moving the mask M and the substrate P in a predetermined scanning direction. In the present embodiment, the scanning direction (synchronous movement direction) of the substrate P is the Y-axis direction, and the scanning direction (synchronous movement direction) of the mask M is also the Y-axis direction. The exposure apparatus EX moves the substrate P in the Y-axis direction with respect to the projection area of the projection optical system PL, and synchronizes with the movement of the substrate P in the Y-axis direction with respect to the illumination area of the illumination system IL. While moving the mask M in the Y-axis direction, the substrate P is irradiated with the exposure light EL via the projection optical system PL and the exposure liquid LQ to expose the substrate P.
ところで、基準板50、スリット板60、上板70、プレート部材T、基板テーブル12、及び計測テーブル22等を含む所定部材の表面状態が悪化する可能性がある。ここで、以下の説明において、基準板50、スリット板60、上板70、プレート部材T、基板テーブル12、及び計測テーブル22等、終端光学素子8及び第1液浸部材30と対向する位置(露光光ELが照射可能な位置)に移動可能(配置可能)な部材を適宜、所定部材S、と総称する。所定部材Sの表面は、基準板50の表面、スリット板60の表面、上板70の表面、プレート部材Tの表面(基板テーブル12の上面1T)、及び計測テーブル22の上面2Tの少なくとも1つを含む。また、所定部材Sの表面を形成するフッ素を含む材料の撥液性の膜を適宜、膜Sf、と称する。膜Sfは、上述の膜50f、60f、70f、Tfの少なくとも1つを含む。
By the way, there is a possibility that the surface state of predetermined members including the
例えば、所定部材Sの表面に対する露光光EL(紫外光)の照射によって、露光液体LQに対する所定部材Sの表面(所定部材Sの表面を形成する膜Sf)の撥液性が低下する可能性がある。例えば、図8に示すような初期状態の膜Sfに対して、露光光ELが照射されると、図9に示すように、膜Sfの表層の物性(性質、材料特性)が変化し、変質領域Scが形成される可能性がある。なお、初期状態は、露光光ELが照射される前、あるいは露光液体LQと接触する前、あるいは露光液体LQと接触した状態で露光光ELが照射される前の状態を含み、露光液体LQに対して所望レベルの撥液性(例えば、露光液体LQに対する接触角が90度以上)を有する。 For example, the exposure of the exposure light EL (ultraviolet light) to the surface of the predetermined member S may reduce the liquid repellency of the surface of the predetermined member S (film Sf forming the surface of the predetermined member S) with respect to the exposure liquid LQ. is there. For example, when the exposure light EL is irradiated to the film Sf in the initial state as shown in FIG. 8, the physical properties (properties, material characteristics) of the surface layer of the film Sf change as shown in FIG. There is a possibility that the region Sc is formed. The initial state includes a state before irradiation with the exposure light EL, before contact with the exposure liquid LQ, or before exposure with the exposure light EL in contact with the exposure liquid LQ. On the other hand, it has a desired level of liquid repellency (for example, a contact angle with the exposure liquid LQ of 90 degrees or more).
露光液体LQに対する所定部材S(膜Sf)の表面の撥液性が低下した状態を放置しておくと、終端光学素子8の下面8A及び第1液浸部材30の下面30Aと所定部材Sの表面との間で露光液体LQを良好に保持することができず、第3液浸空間LS3を良好に形成できなくなる可能性がある。また、所定部材S上に露光液体LQの滴が残留する可能性が高くなる。
If the state in which the liquid repellency of the surface of the predetermined member S (film Sf) with respect to the exposure liquid LQ is lowered is left as it is, the
例えば、上述のように、スリット板60を用いた計測処理が終了した後、制御装置7は、終端光学素子8及び第1液浸部材30(露光液体LQの第3液浸空間LS3)に対して計測ステージ2を所定の移動条件(速度、加速度、移動方向を含む)で移動して、スリット板60を、終端光学素子8及び第1液浸部材30と対向しない位置に移動する。スリット板60を終端光学素子8及び第1液浸部材30と対向しない位置に移動した場合、露光液体LQに対するスリット板60の表面の撥液性が低下していると、そのスリット板60の表面に露光液体LQ(例えば露光液体LQの滴、膜等)が残留する可能性がある。また、終端光学素子8及び第1液浸部材30(露光液体LQの第3液浸空間LS3)に対して、スリット板60(計測ステージ2)を所定の移動条件でXY方向に移動した場合、露光液体LQに対するスリット板60の表面の撥液性が低下していると、露光液体LQの第3液浸空間LS3(露光液体LQの第3液浸空間LS3の形状等)を所望状態に維持することが困難となり、露光液体LQが漏出する可能性がある。特に、スループットの向上等を目的として、スリット板60(計測ステージ2)の移動速度を高めた場合、露光液体LQが残留したり、露光液体LQが漏出したりする可能性が高くなる。
For example, as described above, after the measurement process using the
同様に、露光液体LQに対する基準板50、上板70の表面の撥液性が低下していると、基準板50、上板70の表面に露光液体LQが残留したり、露光液体LQの第3液浸空間LS3を所望状態に維持できず、露光液体LQが漏出したりする可能性がある。
Similarly, when the liquid repellency of the surfaces of the
また、上述のように、基板Pの表面の周縁領域(エッジショット)に露光光ELが照射されるとき、プレート部材Tの少なくとも一部が、第3液浸空間LS3の露光液体LQと接触する。露光液体LQに対するプレート部材Tの表面の撥液性が低下していると、プレート部材Tの表面に露光液体LQが残留したり、露光液体LQの第3液浸空間LS3を所望状態に維持できず、露光液体LQが漏出する可能性がある。 Further, as described above, when the exposure light EL is irradiated to the peripheral area (edge shot) on the surface of the substrate P, at least a part of the plate member T comes into contact with the exposure liquid LQ in the third immersion space LS3. . If the liquid repellency of the surface of the plate member T with respect to the exposure liquid LQ is lowered, the exposure liquid LQ remains on the surface of the plate member T, or the third immersion space LS3 of the exposure liquid LQ can be maintained in a desired state. Therefore, the exposure liquid LQ may leak out.
また、所定部材Sの表面の撥液性が低下している場合には、第1液浸部材30の第1回収口32を使って露光液体LQを全て回収しようとしても、所定部材Sの表面に露光液体LQが残留してしまう可能性がある。
Further, when the liquid repellency of the surface of the predetermined member S is lowered, the surface of the predetermined member S can be recovered even if all the exposure liquid LQ is recovered using the
そこで、本実施形態においては、所定部材Sの表面状態を所望の状態にするために、具体的には、露光液体LQに対する所定部材Sの表面の撥液性を所望レベルにするために、露光液体LQに対して撥液性を有する材料を含む第1液体L1を塗布装置80を用いて所定部材Sに塗布する処理、及び所定部材Sに形成された第1液体L1の膜を加熱装置90を用いて加熱する処理を含むメンテナンス処理を実行する。
Therefore, in the present embodiment, in order to make the surface state of the predetermined member S a desired state, specifically, in order to make the liquid repellency of the surface of the predetermined member S with respect to the exposure liquid LQ a desired level, exposure is performed. A process of applying the first liquid L1 containing a material having liquid repellency to the liquid LQ to the predetermined member S using the applying
以下、本実施形態に係るメンテナンス方法の一例について、図10のフローチャート、及び図11〜図14の模式図を参照しながら説明する。図10に示すように、本実施形態においては、所定部材Sの表面を形成する、露光液体LQに対して撥液性が低下した膜Sfの少なくとも一部を、除去装置100を用いて除去する処理(ステップS1)と、膜Sfが除去された所定部材Sの少なくとも一部分に、塗布装置80を用いて第1液体L1を塗布する処理(ステップS2)と、所定部材Sに形成された第1液体L1の膜を加熱装置90を用いて加熱する処理(ステップS3)とが実行される。
Hereinafter, an example of the maintenance method according to the present embodiment will be described with reference to the flowchart of FIG. 10 and the schematic diagrams of FIGS. As shown in FIG. 10, in the present embodiment, at least a part of the film Sf that forms the surface of the predetermined member S and has reduced liquid repellency with respect to the exposure liquid LQ is removed using the removing
以下の説明においては、所定部材Sの一例として、スリット板60をメンテナンスする場合を例にして説明する。
In the following description, as an example of the predetermined member S, a case where the
まず、制御装置7は、除去装置100を用いて、膜60f(膜Sf)の少なくとも一部を除去する処理を開始する(ステップS1)。
First, the
図11は、除去装置100が膜60f(膜Sf)の少なくとも一部を除去している状態を示す模式図である。制御装置7は、除去装置100を用いて、露光液体LQに対する撥液性が低下した膜60fの少なくとも一部を除去する。除去装置100は、スリット板60の表面に第2液体L2を供給して、スリット板60上に第2液体L2で第2液浸空間LS2を形成することによって、スリット板60の表面を形成する膜60fを溶解し、除去することができる。
FIG. 11 is a schematic diagram showing a state in which the
制御装置7は、スリット板60の表面を形成する膜60fを溶解するために、流路切替機構88を第2供給モードに設定する。これにより、第2液体供給装置85から送出された第2液体L2は、供給流路87を介して、第2供給口82に供給される。第2供給口82から第2液体L2が供給されることによって、第2液浸部材81とスリット板60との間に、第2液体L2で第2液浸空間LS2が形成される。
The
また、制御装置7は、第2供給口82を用いる第2液体L2の供給動作と並行して、第2回収口83を用いる第2液体L2の回収動作を実行する。
In addition, the
また、制御装置7は、第2液体L2で第2液浸空間LS2を形成した状態で、第2液浸部材82に対して、スリット板60(計測ステージ2)をXY方向に移動する。
Further, the
本実施形態において、第2液体L2は、膜60fを溶解可能な物質を所定液体に溶解させたものである。上述のように、スリット板60の表面は、フッ素を含む材料の膜60fで形成されている。第2液体L2は、フッ素を含有する溶剤を含み、膜60fを溶解可能である。すなわち、本実施形態においては、膜60fを溶解可能な物質として、フッ素を含有する溶剤を用いる。以下の説明においては、フッ素を含有する溶剤を適宜、フッ素系溶剤、と称する。
In the present embodiment, the second liquid L2 is obtained by dissolving a substance capable of dissolving the
フッ素系溶剤としては、例えば、ハイドロフルオロカーボンエーテル(HFE)、ハイドロフルオロカーボン(HFC)等が挙げられる。ハイドロフルオロカーボンとしては、例えば、三井デュポンフロロケミカル社製「バートレルXF」が挙げられる。また、フッ素系溶剤としては、例えば、住友スリーエム社製「フロリナートFC−77」も挙げられる。 Examples of the fluorine-based solvent include hydrofluorocarbon ether (HFE) and hydrofluorocarbon (HFC). Examples of the hydrofluorocarbon include “Bertrel XF” manufactured by Mitsui DuPont Fluorochemical Co., Ltd. Examples of the fluorine-based solvent also include “Fluorinert FC-77” manufactured by Sumitomo 3M Limited.
また、本実施形態の第2液体L2は、上述のフッ素系溶剤をアルコールに溶解させたものである。すなわち、本実施形態においては、膜60fを溶解可能な物質(フッ素系溶剤)を溶解させる所定液体として、アルコールを用いる。換言すれば、本実施形態の第2液体L2は、溶質をフッ素系溶剤とし、溶媒をアルコールとした溶液である。フッ素系溶剤を溶解させるためのアルコールとしては、エタノール、イソプロピルアルコール(IPA)、ペンタノール等が挙げられる。
Further, the second liquid L2 of the present embodiment is obtained by dissolving the above-described fluorine-based solvent in alcohol. That is, in this embodiment, alcohol is used as the predetermined liquid for dissolving the substance (fluorine-based solvent) that can dissolve the
第2液体L2の溶媒としては、露光液体LQ、及び第2液体L2の溶質の両方に対して可溶性を有するものを用いることが望ましい。上述のように、本実施形態においては、第2液体L2の溶媒は、アルコールであり、露光液体LQは、純水であり、第2液体L2の溶質は、フッ素系溶剤であって、純水及びフッ素系溶剤は、それぞれアルコールに可溶である。 As the solvent of the second liquid L2, it is desirable to use a solvent that is soluble in both the exposure liquid LQ and the solute of the second liquid L2. As described above, in the present embodiment, the solvent of the second liquid L2 is alcohol, the exposure liquid LQ is pure water, and the solute of the second liquid L2 is a fluorinated solvent, which is pure water. And the fluorine-based solvent are each soluble in alcohol.
また、本実施形態の第2液体供給装置85は、アルコールにフッ素系溶剤を溶解させて、所定濃度のフッ素系溶剤を含む第2液体L2を送出することができるとともに、アルコール(溶媒)のみを送出することもできる。
Further, the second
なお、第2液体L2が、フッ素系溶剤を含まず、アルコールのみで形成されていてもよい。例えば第2液体L2が、メチルアルコール、エチルアルコール、イソプロピルアルコールであってもよい。また、第2液体L2が、アルコールを含まず、フッ素系溶剤のみで形成されていてもよい。例えば第2液体L2が、ハイドロフルオロカーボンエーテル(HFE)、ハイドロフルオロカーボン(HFC)であってもよい。また、第2液体L2が、過酸化水素水であってもよい。 In addition, the 2nd liquid L2 does not contain a fluorine-type solvent and may be formed only with alcohol. For example, the second liquid L2 may be methyl alcohol, ethyl alcohol, or isopropyl alcohol. Moreover, the 2nd liquid L2 may be formed only with the fluorine-type solvent, without containing alcohol. For example, the second liquid L2 may be hydrofluorocarbon ether (HFE) or hydrofluorocarbon (HFC). Further, the second liquid L2 may be a hydrogen peroxide solution.
図12は、本実施形態に係るメンテナンス方法によって、スリット板60の表面状態が変化する様子を示す模式図である。図12(A)は、スリット板60に対する第2液体L2の供給を開始した直後の状態を示す。第2供給口82より供給された第2液体L2は、スリット板60の表面と接触する。
FIG. 12 is a schematic diagram showing how the surface state of the
図12(B)は、スリット板60に対する第2液体L2の供給を開始してから第1の時間経過した後の状態を示す。図12(B)に示すように、スリット板60(膜60f)と第2液体L2とが接触することによって、膜60fの変質領域Scがスリット板60より徐々に除去される。
FIG. 12B shows a state after the first time has elapsed since the supply of the second liquid L2 to the
本実施形態においては、スリット板60のメンテナンスを実行するとき、制御装置7は、第2供給口82を用いる第2液体L2の供給動作と並行して、第2回収口83を用いる第2液体L2の回収動作を実行し、第2供給口82よりスリット板60上に供給された第2液体L2を第2回収口83より回収する。したがって、第2液体L2によってスリット板60より除去された、変質領域Scを含む膜60fの一部は、第2液体L2とともに第2回収口83より回収される。したがって、スリット板60より除去された膜60fの一部、あるいは溶解した膜60fを含む第2液体L2が、スリット板60に付着(再付着)することを抑制できる。
In the present embodiment, when the maintenance of the
また、制御装置7は、第2液浸部材81とスリット板60との間に第2液体L2で第2液浸空間LS2を形成した状態で、第2液浸部材81とスリット板60とを相対的に移動するので、スリット板60の表面の広い領域に対して均一に第2液体L2を接触させることができ、膜60fを均一に溶解し、除去できる。
Further, the
図12(C)は、スリット板60に対する第2液体L2の供給を開始してから第2の時間が経過した後の状態を示す。図12(C)に示すように、スリット板60(膜60f)と第2液体L2とが接触し続けることによって、物性が変化している膜60fの表層、すなわち変質領域Scが全て除去される。
FIG. 12C shows a state after the second time has elapsed since the supply of the second liquid L2 to the
本実施形態においては、制御装置7は、膜60fが全て除去されるまで、スリット板60と第2液体L2とを接触し続ける。これにより、図12(D)に示すように、膜60fが全て除去され、スリット板60の遮光膜62(又は反射膜63)が露出する。このように、本実施形態においては、制御装置7は、除去装置100を用いて、スリット板60の膜60fを全て除去する。
In the present embodiment, the
膜60fの除去処理が終了した後、制御装置7は、除去装置100で膜60fが除去された部分に、塗布装置80を用いて、第1液体L1を塗布する処理を開始する(ステップS2)。
After the removal process of the
図13は、塗布装置80が第1液体L1をスリット板60に塗布している状態を示す模式図である。制御装置7は、塗布装置80を用いて、第1液体L1をスリット板60に塗布する。
FIG. 13 is a schematic diagram illustrating a state where the
本実施形態において、塗布装置80は、第2液浸部材81を含み、制御装置7は、第2液浸部材81とスリット板60との間に、第1液体L1で第1液浸空間LS1を形成することによって、スリット板60に第1液体L1を塗布する。
In the present embodiment, the
制御装置7は、スリット板60に第1液体L1を塗布するために、流路切替機構88を第1供給モードに設定する。これにより、第1液体供給装置84から送出された第1液体L1は、供給流路87を介して、第2供給口82に供給される。第2供給口82から第1液体L1が供給されることによって、第2液浸部材81とスリット板60との間に、第1液体L1で第1液浸空間LS1が形成される。
In order to apply the first liquid L1 to the
また、制御装置7は、スリット板60に第1液体L1を塗布するとき、第2供給口82を用いる第1液体L1の供給動作と並行して、第2回収口83を用いる第1液体L1の回収動作を実行する。
In addition, when the
また、制御装置7は、第1液体L1で第1液浸空間LS1を形成した状態で、第2液浸部材81に対して、スリット板60(計測ステージ2)をXY方向に移動する。第2液浸部材81とスリット板60との間に第1液体L1で第1液浸空間LS1を形成した状態で、第2液浸部材81とスリット板60とを相対的に移動することによって、スリット板60の表面の広い領域に対して均一に第1液体L1を塗布することができる。
Further, the
本実施形態において、第1液体L1は、フッ素を含む。一例として、第1液体L1は、上述のサイトップを、所定のフッ素系溶剤に溶解させたものである。なお、第1液体L1が、PFAを所定の溶剤に溶解させたものであってもよい。 In the present embodiment, the first liquid L1 contains fluorine. As an example, the first liquid L1 is obtained by dissolving the above-mentioned Cytop in a predetermined fluorine-based solvent. The first liquid L1 may be one in which PFA is dissolved in a predetermined solvent.
なお、第2供給モードを第1供給モードに変更する際、制御装置7は、流路切替機構88、第2液体供給装置85等を制御して、第2供給口82からの第2液体L2の供給を停止する。また、制御装置7は、第2回収口83を用いて、第2液浸空間LS2の第2液体L2を全て回収する。次いで、制御装置7は、流路切替機構88、第1液体供給装置84等を制御して、第1液体供給装置84から第1液体L1を送出する。これにより、第2供給モードが第1供給モードに変更される。なお、第2供給モードを第1供給モードに変更する際、第1液体供給装置84から第1液体L1を送出する前に、第2液体供給装置85より第2供給口82に対して所定時間、アルコールのみを供給して、第2液浸部材81とスリット板60(所定部材S)との間に、アルコールで液浸空間を形成してもよい。こうすることにより、供給流路87、第2液浸部材81の下面81A、及びスリット板60(所定部材S)の表面をアルコールでクリーニングすることができる。そして、アルコールを用いたクリーニングが終了し、液浸空間のアルコールを全て回収した後、第1液体供給装置84から第1液体L1を供給して、スリット板60(所定部材S)に第1液体L1を塗布する処理が開始される。
Note that when the second supply mode is changed to the first supply mode, the
制御装置7は、スリット板60に第1液体L1を塗布する処理を終了した後、第2供給口82からの第1液体L1の供給を停止し、第2回収口83を用いて、第1液浸空間LS1の第1液体L1を全て回収する。なお、スリット板60上から第1液体L1の第1液浸空間LS1を取り去るために、第1液浸空間LS1を形成した状態で、第2液浸部材81に対してスリット板60(計測ステージ2)をXY方向に移動するようにしてもよい。
The
次に、制御装置7は、加熱装置90を用いて、スリット板60に形成された第1液体L1の膜を加熱(ベーク)する処理を開始する(ステップS3)。
Next, the
図14は、加熱装置90がスリット板60に形成された第1液体L1の膜を加熱している状態を示す模式図である。本実施形態においては、加熱装置90は、第1液体L1の膜に光を照射することによって、第1液体L1の膜を加熱する。
FIG. 14 is a schematic diagram showing a state in which the
図14に示すように、本実施形態の加熱装置90は、光を射出する光源装置91と、光源装置91からの光を集光する集光光学系92とを有する。光源装置91は、例えばハロゲンランプ、水銀灯を含む。光源装置91から射出された光は、集光光学系92により集光され、集光光学系92の射出面92Aより射出される。本実施形態において、集光光学系92の射出面92Aは、−Z方向を向いており、スリット板60と対向可能である。
As shown in FIG. 14, the
本実施形態においては、第1液体L1の膜を加熱するとき、制御装置7は、集光光学系92の射出面92Aと、スリット板60に形成された第1液体L1の膜とが対向するように、計測ステージ2を移動して、XY方向におけるスリット板60の位置を調整する。これにより、集光光学系92の射出面92Aより射出された光は、スリット板60に形成された第1液体L1の膜に照射可能である。なお、加熱装置90を移動可能な駆動装置を設け、加熱装置90の集光光学系92の射出面92Aがスリット板60に形成された第1液体L1の膜と対向するように加熱装置90を移動してもよいし、加熱装置90とスリット板60との両方を移動してもよい。
In the present embodiment, when the film of the first liquid L1 is heated, the
制御装置7は、集光光学系92の射出面92Aとスリット板60に形成された第1液体L1の膜とを対向させた状態で、光源装置91より光を射出する。光源装置91より射出された光は、集光光学系92を介して、スリット板60に照射される。これにより、そのスリット板60に形成されている第1液体L1の膜が加熱される。第1液体L1の膜は、加熱されることによって、固化し、露光液体LQに対して撥液性を有する膜60fに変換される。これにより、露光液体LQに対して所望レベルの撥液性を有する膜60fがスリット板60に新たに形成される。
The
本実施形態においては、加熱装置90は、光源装置91から射出された光を集光する集光光学系92を備えており、第1液体L1の膜が形成されたスリット板60の一部の領域を局所的な領域に光を照射可能である。したがって、加熱装置90は、スリット板60上の一部の領域を局所的に加熱可能である。
In the present embodiment, the
本実施形態においては、スリット板60上の一部の領域が局所的に加熱されるので、スリット板60の周辺の機器、部材が不要に加熱されることを抑制でき、それら機器、部材への影響を抑えることができる。
In this embodiment, since a part of area | region on the
また、制御装置7は、加熱装置90より光を射出した状態で、加熱装置90に対して、スリット板60(計測ステージ2)をXY方向に移動する。なお、加熱装置90より光を射出した状態で、加熱装置90をXY方向に移動してもよいし、加熱装置90とスリット板60との両方を移動してもよい。加熱装置90より光を射出した状態で、加熱装置90とスリット板60とを相対的に移動することによって、スリット板60(第1液体L1の膜)の広い領域を良好に加熱することができる。
Further, the
なお、本実施形態において、除去装置100、塗布装置80、及び加熱装置90を含む膜形成装置を用いた所定部材Sに対するメンテナンス処理は、定期的に実行される。膜形成装置を用いたメンテナンス処理は、例えば基板Pを所定枚数露光処理した毎、ロット毎、所定時間間隔毎等に実行することができる。
In the present embodiment, the maintenance process for the predetermined member S using the film forming apparatus including the removing
なお、上述の説明では、主に、スリット板60をメンテナンスする場合を例にして説明したが、制御装置7は、スリット板60のみならず、基準板50、上板70、プレート部材T、基板テーブル12、及び計測テーブル22等、終端光学素子8の下面8Aと対向する位置、すなわち終端光学素子8からの露光光ELが照射可能な位置に移動可能(配置可能)であり、終端光学素子8及び第1液浸部材30の間で露光液体LQの第3液浸空間LS3を形成可能な部材をメンテナンスすることができる。
In the above description, the case where the
以上説明したように、本実施形態によれば、所定部材Sの表面の露光液体LQに対する撥液性が、例えば露光光ELの照射等によって低下しても、除去装置100、塗布装置80、及び加熱装置90を含む膜形成装置を用いて所定部材Sをメンテナンスすることによって、その所定部材Sに新たな膜Sfを形成(再形成)して、露光液体LQに対する所定部材Sの表面の撥液性を所望レベルに回復させることができる。したがって、液浸露光処理、あるいは液浸露光処理のための計測処理を実行する際、所定部材S上に露光液体LQが残留することを抑制し、露光液体LQの第3液浸空間LS3を所望状態に維持することができる。したがって、露光装置EXの性能を維持でき、露光不良の発生を抑制しつつ、基板Pを良好に露光して、所望の性能を有するデバイスを製造できる。
As described above, according to the present embodiment, even if the liquid repellency with respect to the exposure liquid LQ on the surface of the predetermined member S is reduced by, for example, irradiation with the exposure light EL, the
本実施形態においては、露光装置EX内で、新たな膜Sfの形成処理(再形成処理)を含む所定部材Sのメンテナンス処理を実行できる。そのため、従来のように、撥液性が低下した所定部材Sを交換したり、その交換のために露光装置EXの稼動を長時間停止したりすることなく、撥液性が低下した所定部材Sの表面の撥液性を回復させることができる。また、撥液性が低下した所定部材Sを交換する必要が生じても、その交換の頻度を抑えることができる。したがって、露光装置EXの稼動率の低下を抑制し、露光不良の発生を抑制しつつ、基板Pを良好に露光できる。 In the present embodiment, maintenance processing for the predetermined member S including processing for forming a new film Sf (re-forming processing) can be performed in the exposure apparatus EX. Therefore, unlike the conventional case, the predetermined member S with reduced liquid repellency can be replaced without replacing the predetermined member S with reduced liquid repellency or without stopping the operation of the exposure apparatus EX for a long time. The surface liquid repellency can be recovered. Moreover, even if it becomes necessary to replace the predetermined member S having lowered liquid repellency, the frequency of replacement can be suppressed. Therefore, it is possible to expose the substrate P satisfactorily while suppressing a decrease in the operating rate of the exposure apparatus EX and suppressing the occurrence of exposure failure.
また、所定部材Sの膜Sfが汚染したり、膜Sfに異物が付着したり、膜Sfの一部が損傷したりする等、膜Sfの表面状態が悪化する可能性がある。例えば、基板Pを露光するとき、第3液浸空間LS3の露光液体LQは、基板Pの表面に接触するとともに、終端光学素子8、第1液浸部材30、及び所定部材Sの表面に接触する。基板Pと接触した露光液体LQに、例えば基板Pの一部の物質(例えば感光材の一部)が混入(溶出)した場合、その物質が所定部材Sの表面に付着し、その所定部材Sの表面が汚染される可能性がある。また、基板Pから発生した物質に限られず、例えば、露光装置EXが置かれている空間中を浮遊する物質(異物)によっても、所定部材Sの表面が汚染される可能性がある。また、所定部材Sの表面は、露光液体LQとの接触が繰り返されるので、膜Sfが損傷し、その一部が剥離する可能性もある。所定部材Sの表面状態が悪化している状態を放置しておくと、露光不良が発生し、露光装置EXの性能が低下する可能性がある。例えば、所定部材Sの表面に汚染物が付着している状態を放置しておくと、その汚染物が基板Pの表面に付着し、例えば基板Pに形成されるパターンに欠陥を引き起こす等、露光不良が発生する可能性がある。また、計測器(光学部材)の表面が汚染している状態を放置しておくと、その計測器を用いた計測精度の低下に起因して、露光不良が発生し、露光装置EXの性能が低下する可能性がある。
Further, there is a possibility that the surface state of the film Sf is deteriorated such that the film Sf of the predetermined member S is contaminated, foreign matter adheres to the film Sf, or a part of the film Sf is damaged. For example, when exposing the substrate P, the exposure liquid LQ in the third immersion space LS3 contacts the surface of the substrate P and contacts the surfaces of the last
本実施形態によれば、表面状態が悪化した膜Sfを除去装置100で除去して、新たな膜Sfを形成するので、膜Sfの表面状態を所望状態に回復させることができる。したがって、露光装置EXの性能の低下を抑制することができる。
According to the present embodiment, since the film Sf whose surface condition has deteriorated is removed by the removing
また、本実施形態においては、加熱装置90は、第1液体L1の膜が形成された所定部材S上の一部の領域を局所的に加熱するので、周辺の機器、部材が不要に加熱されることを抑制し、露光装置EXの性能の低下を抑制することができる。
In the present embodiment, since the
なお、本実施形態においては、除去装置100が、所定部材S(スリット板60)の膜Sfを全て除去する場合を例にして説明したが、膜Sfを全て除去しなくてもよい。例えば、図12(C)を参照して説明したように、変質領域Scのみを除去し、所定部材S上に残っている膜Sf上に第1液体L1を塗布して、第1液体L1の膜を形成してもよい。すなわち、除去装置100を用いて、厚み方向(Z軸方向)に関する膜Sfの一部を除去した後、その除去された部分に第1液体L1を塗布するようにしてもよい。また、除去装置100を用いて、表面と平行な方向(XY方向)に関する膜Sfの一部を除去した後、その除去された部分に第1液体L1を塗布するようにしてもよい。例えば、スリット板60に形成されている膜60fのうち、スリット部61近傍の領域における膜60fの撥液性の低下が顕著であり、スリット部61から離れた領域における膜60fの撥液性が所望レベルに維持されている場合には、スリット部61から離れた領域における膜60fを除去することなく、スリット部61近傍の領域における一部の膜60fのみを除去装置100で除去した後、その除去された部分に第1液体L1を塗布するようにしてもよい。
In the present embodiment, the case where the removing
なお、本実施形態においては、第1液浸部材30が露光液体LQで第3液浸空間LS3を形成し、第2液浸部材81が第1液体L1で第1液浸空間LS1を形成するとともに、第2液体L2で第2液浸空間LS2を形成しているが、例えば、第1液浸部材30が露光液体LQで第3液浸空間LS3を形成するとともに、第1液体L1で第1液浸空間LS1を形成し、第2液浸部材81が第2液体L2で第2液浸空間LS2を形成してもよい。また、第1液浸部材30が露光液体LQで第3液浸空間LS3を形成するとともに、第2液体L2で第2液浸空間LS2を形成し、第2液浸部材81が第1液体L1で第1液浸空間LS1を形成してもよい。また、第2液浸部材81を省略して、第1液浸部材30が、露光液体LQで第3液浸空間LS3を形成し、第1液体L1で第1液浸空間LS1を形成し、第2液体L2で第2液浸空間LS2を形成してもよい。
In the present embodiment, the
<第2実施形態>
次に、第2実施形態について説明する。以下の説明において、上述の実施形態と同一又は同等の構成部分については同一の符号を付し、その説明を簡略若しくは省略する。
Second Embodiment
Next, a second embodiment will be described. In the following description, the same or equivalent components as those of the above-described embodiment are denoted by the same reference numerals, and the description thereof is simplified or omitted.
第2実施形態の特徴的な部分は、所定部材Sとの間に第1液体L1で第1液浸空間LS1を形成するための第2液浸部材81Bと、所定部材Sとの間に第2液体L2で第2液浸空間LS2を形成するための第3液浸部材101Bとが別々に設けられている点にある。
A characteristic part of the second embodiment is that the second
図15に示すように、本実施形態の露光装置EXは、所定部材Sとの間に第1液体L1で第1液浸空間LS1を形成するための第2液浸部材81Bと、所定部材Sとの間に第2液体L2で第2液浸空間LS2を形成するための第3液浸部材101Bとを備えている。なお、図15には示していないが、本実施形態の露光装置EXは、第2液浸部材81B及び第3液浸部材101Bとは別に、露光光ELの光路空間を露光液体LQで満たすように露光液体LQで第3液浸空間LS3を形成可能な第1液浸部材30を備えている。
As shown in FIG. 15, the exposure apparatus EX of the present embodiment includes a second
第2液浸部材81Bは、第1液体L1を供給する第2供給口82Bと、第1液体L1を回収する第2回収口83Bとを有し、第2供給口82Bを用いる第1液体L1の供給動作と並行して、第2回収口83Bを用いる第1液体L1の回収動作を実行することによって、所定部材Sとの間に第1液体L1で第1液浸空間LS1を形成する。これにより、第2液浸部材81Bは、所定部材Sに第1液体L1を塗布することができる。
The second
第3液浸部材101Bは、第2液体L2を供給する第3供給口102Bと、第2液体L2を回収する第3回収口103Bとを有し、第3供給口102Bを用いる第2液体L2の供給動作と並行して、第2回収口103Bを用いる第2液体L2の回収動作を実行することによって、所定部材Sとの間に第2液体L2で第2液浸空間LS2を形成する。これにより、第3液浸部材101Bは、所定部材の膜を除去することができる。
The third
所定部材Sのメンテナンスをするとき、制御装置7は、第3液浸部材101Bと所定部材Sとを対向させ、第3液浸部材101Bと所定部材Sとの間に、第2液体L2で第2液浸空間LS2を形成する。これにより、所定部材Sの表面を形成する膜Sfが除去される。膜Sfが除去された後、制御装置7は、第2液浸部材81Bと所定部材Sとを対向させ、第2液浸部材81Bと所定部材Sとの間に、第1液体L1で第1液浸空間LS1を形成する。これにより、所定部材Sに第1液体L1の膜が形成される。その後、制御装置7は、上述の第1実施形態と同様、加熱装置90を用いて、第1液体L1の膜を加熱する。これにより、所定部材Sに新たな膜Sfが形成される。
When maintenance of the predetermined member S is performed, the
なお、図15においては、所定部材Sの表面上に第1液浸空間LS1と第2液浸空間LS2が同時に形成されているが、膜Sfが除去された後、第2液体L2を全て回収した後に、所定部材Sの表面上に第1液浸空間LS1を形成して、所定部材Sに第1液体L1の膜を形成してもよい。 In FIG. 15, the first immersion space LS1 and the second immersion space LS2 are simultaneously formed on the surface of the predetermined member S. However, after the film Sf is removed, all of the second liquid L2 is recovered. After that, the first liquid immersion space LS1 may be formed on the surface of the predetermined member S, and the film of the first liquid L1 may be formed on the predetermined member S.
<第3実施形態>
次に、第3実施形態について説明する。第3実施形態においては、加熱装置の変形例について説明する。以下の説明において、上述の実施形態と同一又は同等の構成部分については同一の符号を付し、その説明を簡略若しくは省略する。
<Third Embodiment>
Next, a third embodiment will be described. In the third embodiment, a modification of the heating device will be described. In the following description, the same or equivalent components as those of the above-described embodiment are denoted by the same reference numerals, and the description thereof is simplified or omitted.
図16は、第3実施形態に係る加熱装置90Cを示す図である。図16において、加熱装置90Cは、光を射出する光源装置91と、光源装置91からの光が照射される、所定部材S上の領域を規定するための開口93を有する絞り部材94とを備えている。光源装置91から射出された光は、絞り部材94の開口93を通過して、所定部材Sに照射される。
FIG. 16 is a diagram illustrating a
本実施形態によれば、絞り部材94を設けたことにより、所定部材Sの一部の領域を局所的に加熱することができる。したがって、周辺の機器、部材が不要に加熱されることを抑制することができる。
According to this embodiment, by providing the
また、図14を用いて説明したような集光光学系92と、図16を用いて説明したような絞り部材94とを組み合わせてもよい。例えば、光源装置91から射出された光が入射される位置に集光光学系92を配置し、集光光学系92の射出面92Aと所定部材Sとの間に絞り部材94を配置してもよい。
Further, the condensing
なお、光源装置91からの光による、例えば絞り部材94の温度上昇を抑制するために、絞り部材94を所定温度に維持するための温度調整装置(冷却装置)を設けることができる。
In order to suppress, for example, a temperature rise of the
なお、上述の第1、第2実施形態においては、加熱装置90(90C)が、第1液体L1の膜に光を照射する場合を例にして説明したが、例えば赤外光、マイクロ波等、可視光以外の電磁波を第1液体L1の膜に照射してもよい。また、電熱線等を含むヒータ装置を用いて第1液体L1の膜を加熱してもよい。この場合、ヒータ装置は、投影光学系PLと離れた位置に配置されることが望ましい。また、基板ステージ1及び計測ステージ2の少なくとも一方を収容可能なチャンバ機構を設け、そのチャンバ機構に収容された基板ステージ1あるいは計測ステージ2をヒータ装置で加熱することができる。
In the first and second embodiments described above, the case where the heating device 90 (90C) irradiates the film of the first liquid L1 has been described as an example. However, for example, infrared light, microwaves, and the like The film of the first liquid L1 may be irradiated with electromagnetic waves other than visible light. Moreover, you may heat the film | membrane of the 1st liquid L1 using the heater apparatus containing a heating wire etc. In this case, the heater device is desirably arranged at a position away from the projection optical system PL. Further, a chamber mechanism capable of accommodating at least one of the
<第4実施形態>
次に、第4実施形態について説明する。第4実施形態においては、除去装置の変形例について説明する。以下の説明において、上述の実施形態と同一又は同等の構成部分については同一の符号を付し、その説明を簡略若しくは省略する。
<Fourth embodiment>
Next, a fourth embodiment will be described. In the fourth embodiment, a modification of the removing device will be described. In the following description, the same or equivalent components as those of the above-described embodiment are denoted by the same reference numerals, and the description thereof is simplified or omitted.
図17は、第4実施形態に係る除去装置100Dを示す図である。図17において、除去装置100Dは、所定部材Sの表面を研磨する研磨装置110を含む。所定部材Sの表面を研磨することによっても、露光液体LQに対する撥液性が低下した膜Sfを除去することができる。そして、研磨装置110で膜Sfが除去された部分に、第1液体L1が塗布される。
FIG. 17 is a diagram illustrating a removing
図17に示す研磨装置110は、研磨部材112と、研磨部材112を支持可能な支持部材113と、支持部材113を移動可能な駆動装置114とを備えている。本実施形態において、研磨部材112の下面(研磨面)111は、XY平面とほぼ平行である。また、本実施形態においては、研磨部材112の下面111は、XY平面内において円環状である。
A polishing
本実施形態において、研磨部材112は、砥石を含む。砥石は、多孔質部材(例えば、アルミナ(AL2O3)、白セラミックス、アルカンサスストーン、TiO2、ZrO2、ルビー、アルテック等)を材料としている。本実施形態においては、研磨部材112は、円筒状の側板部112Aと、側板部112Aの上端に接続された上板部112Bとを有する。上板部112Bの中央には開口112Cが形成されている。下面(研磨面)111は、側板部112Aの下端に配置されている。
In the present embodiment, the polishing
支持部材113は、Z軸方向に長いロッド部113Aと、ロッド部113Aの下端に接続されたフランジ部113Bとを有する。フランジ部113Bは、研磨部材112の側板部112Aと上板部112Bとで形成される内部空間に配置される。ロット部113Aの一部は、上板部112Bの開口112Cの内側に配置される。XY平面内におけるフランジ部113Bの外形は、開口112Cよりも大きい。また、XY平面内におけるロッド部113Aの外形(ロッド部113Aの直径)は、開口112Cよりも小さい。ロッド部113Aは、開口112Cの内側において、研磨部材112に対してZ軸方向に移動可能(昇降可能)である。
The
駆動装置114は、支持部材113をZ軸方向に移動可能である。本実施形態において、駆動装置114は、シリンダ部114Aを含み、そのシリンダ部114Aの内部に、支持部材113のロッド部113Aが配置される。駆動装置114は、シリンダ部114Aの内部に配置されたロッド部113AをZ軸方向に移動可能である。駆動装置114によって、ロッド部113AがZ軸方向に移動することによって、フランジ部113Bの上面113Tと上板部112Bの下面112Uとが接触したり、離れたりする。駆動装置114は、フランジ部113Bの上面113Tと上板部112Bの下面112Uとを接触させた状態で、ロッド部113Aを+Z方向に移動(上昇)することによって、支持部材113とともに、研磨部材112を+Z方向に移動(上昇)することができる。
The
研磨装置110を用いて所定部材Sの膜Sfを除去する際、図17に示すように、制御装置7は、研磨部材112の下面111と所定部材Sの表面とを接触させた状態で、研磨部材112と所定部材Sの表面とが下面111とほぼ平行なXY方向へ相対的に移動するように、所定部材Sを移動する。これにより、研磨部材112によって、所定部材Sの表面を形成する膜Sfが研磨され、除去される。なお、本実施形態においては、研磨部材112を用いた研磨処理中において、研磨部材112の開口112Cの内側に、支持部材113のロッド部113Aが配置されているので、所定部材SのXY方向への移動に伴って、研磨部材112がXY方向に大きく移動してしまうことを抑制することができる。
When the film Sf of the predetermined member S is removed using the
本実施形態においては、制御装置7は、研磨部材112を用いた研磨処理が終了し、研磨部材112と所定部材Sとを離した後、図18に示すように、所定部材Sと第2液浸部材81Dとを対向させる。そして、制御装置7は、第2液浸部材81Dと所定部材Sとの間に、第4液体L4で第4液浸空間LS4を形成する。第2液浸部材81Dは、第2供給口82Dを用いる第4液体L4の供給動作と並行して、第2回収口83Dを用いる第4液体L4の回収動作を実行する。
In the present embodiment, after the polishing process using the polishing
第2供給口82Dを用いる第4液体L4の供給動作と並行して、第2回収口83Dを用いる第4液体L4の回収動作が実行されることによって、研磨処理によって発生した所定部材S上の異物(研磨かす)は、第4液体L4とともに、第2回収口83Dより回収され、所定部材S上より除去される。所定部材Sの表面の異物は、研磨部材112を用いた研磨処理によって容易に除去可能な状態となっているので、所定部材Sの表面上に第4液浸空間LS4を形成することによって、第4液体L4とともに、第2回収口83Dから容易に回収することができる。また、所定部材S上には、第2供給口82Dより、新たな(清浄な)第4液体L4が供給され続けるので、その第4液体L4によって、所定部材Sの表面をクリーニングすることができる。
In parallel with the supply operation of the fourth liquid L4 using the
膜Sfの少なくとも一部を除去する処理が終了した後、上述の各実施形態と同様、制御装置7は、所定部材Sに第1液体L1を塗布し、所定部材Sに形成された第1液体L1を加熱する。
After the process of removing at least a part of the film Sf is completed, the
なお、膜Sfの少なくとも一部を除去する処理として、紫外線を照射してもよい。 Note that as a process for removing at least part of the film Sf, ultraviolet rays may be irradiated.
<第5実施形態>
次に、第5実施形態について説明する。第5実施形態においては、塗布装置の変形例について説明する。以下の説明において、上述の実施形態と同一又は同等の構成部分については同一の符号を付し、その説明を簡略若しくは省略する。
<Fifth Embodiment>
Next, a fifth embodiment will be described. In the fifth embodiment, a modification of the coating apparatus will be described. In the following description, the same or equivalent components as those of the above-described embodiment are denoted by the same reference numerals, and the description thereof is simplified or omitted.
図19は、第5実施形態に係る塗布装置80Eの一例を示す図である。本実施形態に係る塗布装置80Eは、第1液体L1に圧力をかけて、第1液体L1を霧状に噴射するスプレー装置150を含む。スプレー装置150は、第1液体L1を霧状に噴射可能な噴射口151を有するスプレーヘッド152を備える。噴射口151は、所定部材Sの表面と対向可能であり、塗布装置80Eは、噴射口151から噴射される第1液体L1を所定部材Sの表面に供給可能である。噴射口151から噴射される第1液体L1によって、所定部材Sに第1液体L1が塗布される。
FIG. 19 is a diagram illustrating an example of a
図20は、塗布装置80Fの一例を示す図である。図20に示す塗布装置80Fは、第1液体L1の滴を吐出するインクジェット装置160を含む。インクジェット装置160は、第1液体L1の滴を吐出する吐出口161を有するインクジェットヘッド162を備える。吐出口161は、所定部材Sの表面と対向可能であり、塗布装置80Fは、吐出口161から吐出される第1液体L1の滴を所定部材Sの表面に供給可能である。吐出口161から吐出される第1液体L1によって、所定部材Sに第1液体L1が塗布される。
FIG. 20 is a diagram illustrating an example of a
なお、所定部材Sに第1液体L1を塗布する塗布装置としては、スプレー装置150、インクジェット装置160に限られず、例えば、スリット状の開口より第1液体L1を供給しながら、そのスリット状の開口と所定部材Sとを相対的に移動して、所定部材S上に第1液体L1を塗布する、スリットコート法等、各種の塗布方法を用いて、所定部材Sに第1液体L1を塗布することができる。
The application device that applies the first liquid L1 to the predetermined member S is not limited to the
なお、上述の各実施形態において、例えば塗布装置の近傍に、第1液体L1(第1液体L1の溶剤等)から発生するガスを排気するための排気装置を配置することができる。これにより、第1液体L1を所定部材Sに塗布するときに、その第1液体L1から発生するガスが露光装置EX内に拡散することを抑制することができる。 In each of the above-described embodiments, for example, an exhaust device for exhausting gas generated from the first liquid L1 (a solvent or the like of the first liquid L1) can be disposed in the vicinity of the coating device. Thereby, when apply | coating the 1st liquid L1 to the predetermined member S, it can suppress that the gas emitted from the 1st liquid L1 diffuses in the exposure apparatus EX.
なお、上述の各実施形態においては、スリット板60等の所定部材Sに新たな膜Sfを再形成するためのメンテナンス処理を、定期的に実行するように説明したが、所定部材Sの表面エネルギーが減少しているか否か(所定部材Sの表面の撥液性が低下しているか否か)を検出し、その検出結果に基づいてメンテナンス処理を実行するタイミングを決定することもできる。例えば、第2アライメントシステムALGで所定部材Sの表面の画像(光学像)を取得し、その取得した画像情報に基づいて、膜Sfを再形成するためのメンテナンス処理を実行するか否かを決定するようにしてもよい。上述のように、本実施形態の第2アライメントシステムALGは、CCD等の撮像素子を有しており、所定部材Sの画像を取得可能である。所定部材Sの表面エネルギーが増大しているとき(所定部材Sの表面の撥液性が劣化しているとき)、所定部材Sの表面から露光液体LQを取り去る動作を実行したにもかかわらず、その所定部材Sの表面に露光液体LQ(滴)が残留している可能性が高い。そこで、制御装置7は、第2アライメントシステムALGを用いて取得した所定部材Sの表面の画像情報に基づいて、その所定部材Sの表面に露光液体LQ(滴)が残留していると判断した場合、所定部材Sの表面の撥液性が劣化していると判断(推定)し、所定部材Sに膜Sfを再形成するためのメンテナンス処理を実行する。また露光装置EXに、所定部材Sの表面における露光液体LQの滴の接触角を測定する測定装置を搭載し、その測定結果に基づいてメンテナンス処理を行うか否かを決定してもよい。
In each of the above-described embodiments, the maintenance process for re-forming a new film Sf on the predetermined member S such as the
また、所定部材Sに、その所定部材Sの表面の温度を検出可能な温度センサを設け、その温度センサの検出結果に基づいて、膜Sfを形成するためのメンテナンス処理を実行するか否かを決定するようにしてもよい。所定部材Sの表面エネルギーが増大しているとき(所定部材Sの表面の撥液性が劣化しているとき)には、その所定部材Sの表面に露光液体LQ(滴)が残留する可能性が高く、その残留した露光液体LQの気化によって、所定部材Sの表面の温度が大きく変化(低下)する可能性がある。そこで、制御装置7は、温度センサの検出結果に基づいて、所定部材Sの表面の温度が大きく変化していることを検知した場合、所定部材Sの表面の撥液性が劣化して、その所定部材Sの表面に露光液体LQ(滴)が残留し易くなっていると判断(推定)し、所定部材Sの表面エネルギーを減少させるための表面処理動作を実行する。
In addition, a temperature sensor capable of detecting the temperature of the surface of the predetermined member S is provided in the predetermined member S, and whether or not to perform a maintenance process for forming the film Sf based on the detection result of the temperature sensor. It may be determined. When the surface energy of the predetermined member S is increased (when the liquid repellency of the surface of the predetermined member S is deteriorated), there is a possibility that the exposure liquid LQ (droplet) remains on the surface of the predetermined member S. The temperature of the surface of the predetermined member S may change (decrease) greatly due to vaporization of the remaining exposure liquid LQ. Therefore, when the
なお、上述の各実施形態においては、主に露光光ELが照射されることによって撥液性が低下した膜Sfを再形成するために、所定部材Sに対するメンテナンス処理が実行される場合を例にして説明したが、メンテナンス対象の所定部材Sとしては、露光光ELが照射されない部材であってもよい。露光光ELが照射されない部材であっても、その部材の表面の撥液性が、例えば経時的に劣化する可能性がある。そのような場合でも、その部材の表面に新たな撥液性の膜を形成することによって、所定部材Sの表面の撥液性を回復させることができる。 In each of the above-described embodiments, an example is given in which a maintenance process is performed on the predetermined member S in order to re-form the film Sf whose liquid repellency has been lowered mainly by irradiation with the exposure light EL. However, the predetermined member S to be maintained may be a member that is not irradiated with the exposure light EL. Even in a member that is not irradiated with the exposure light EL, the liquid repellency of the surface of the member may deteriorate over time, for example. Even in such a case, the liquid repellency of the surface of the predetermined member S can be recovered by forming a new liquid repellant film on the surface of the member.
なお、上述の各実施形態においては、所定部材Sの表面はフッ素を含む材料によって形成されているものとしたが、所定部材Sの表面が、例えばシリコン、アクリル等、フッ素以外の材料によって形成されていてもよい。シリコン、アクリル等を含む材料によって所定部材Sの表面を形成することにより、その所定部材Sの表面は撥液性を有する。この場合、使用する第2液体L2としては、所定部材Sの表面を形成する材料に応じて適宜選択される。すなわち、所定部材Sの表面を形成する材料に応じて、所定部材Sの表面(膜)を溶解可能な物質が適宜選択される。 In the above-described embodiments, the surface of the predetermined member S is formed of a material containing fluorine. However, the surface of the predetermined member S is formed of a material other than fluorine, such as silicon or acrylic. It may be. By forming the surface of the predetermined member S with a material containing silicon, acrylic, etc., the surface of the predetermined member S has liquid repellency. In this case, the second liquid L2 to be used is appropriately selected according to the material forming the surface of the predetermined member S. That is, a substance capable of dissolving the surface (film) of the predetermined member S is appropriately selected according to the material forming the surface of the predetermined member S.
また、上述の実施形態においては、終端光学素子8及び第1液浸部材30と対向する位置(露光光ELが照射可能な位置)に移動可能(配置可能)な所定部材Sをメンテナンス対象としているが、投影光学系PLの一部の光学素子(例えば終端光学素子8)の表面の少なくとも一部(側面など)、及び第1液浸部材30の表面の少なくとも一部(終端光学素子8の側面と対向する内側面など)撥液性の膜が形成されている場合には、これらの少なくとも一方をメンテナンス対象としてもよい。この場合も、所定の位置に撥液性が低下した膜を除去する除去装置、新しい膜を塗布する塗布装置、膜を固化するための加熱装置を設ければよい。
Further, in the above-described embodiment, the predetermined member S that can be moved (placed) to a position (position where the exposure light EL can be irradiated) facing the terminal
また、上述の各実施形態において、所定部材Sなどに新しい膜を形成する場合、膜の種類(材料)によっては、膜の除去、及び新しい膜の加熱の少なくとも一方を省略してもよい。 In each of the above-described embodiments, when a new film is formed on the predetermined member S or the like, depending on the type (material) of the film, at least one of removal of the film and heating of the new film may be omitted.
なお、上述の各実施形態の露光液体LQは水であるが、水以外の液体であってもよい、例えば、露光光ELの光源がF2レーザである場合、このF2レーザ光は水を透過しないので、露光液体LQとしてはF2レーザ光を透過可能な例えば、過フッ化ポリエーテル(PFPE)やフッ素系オイル等のフッ素系流体であってもよい。また、露光液体LQとしては、その他にも、露光光ELに対する透過性があってできるだけ屈折率が高く、投影光学系PLや基板P表面に塗布されているフォトレジストに対して安定なもの(例えばセダー油)を用いることも可能である。また、露光液体LQとしては、屈折率が1.6〜1.8程度のものを使用してもよい。更に、石英及び蛍石よりも屈折率が高い(例えば1.6以上)材料で、露光液体LQと接触する投影光学系PLの光学素子(終端光学素子など)を形成してもよい。露光液体LQとして、種々の流体、例えば、超臨界流体を用いることも可能である。 Although exposure liquid LQ of the embodiments discussed above is water, a liquid other than water may be, for example, when the light source of exposure light EL is an F 2 laser, the F 2 laser beam is water Since it does not transmit, the exposure liquid LQ may be, for example, a fluorinated fluid such as perfluorinated polyether (PFPE) or fluorinated oil that can transmit F 2 laser light. In addition, as the exposure liquid LQ, the exposure liquid EL has transparency to the exposure light EL, has a refractive index as high as possible, and is stable with respect to the photoresist applied to the projection optical system PL and the surface of the substrate P (for example, (Cedar oil) can also be used. Further, as the exposure liquid LQ, one having a refractive index of about 1.6 to 1.8 may be used. Further, an optical element (such as a terminal optical element) of the projection optical system PL that is in contact with the exposure liquid LQ may be formed of a material having a refractive index higher than that of quartz and fluorite (for example, 1.6 or more). As the exposure liquid LQ, various fluids such as a supercritical fluid can be used.
なお、上述の各実施形態の投影光学系は、終端光学素子8の像面(射出面)側の光路空間を液体で満たしているが、国際公開第2004/019128号パンフレットに開示されているように、終端光学素子8の物体面(入射面)側の光路空間も液体で満たす投影光学系を採用することもできる。
In the projection optical system of each of the above-described embodiments, the optical path space on the image surface (exit surface) side of the last
なお、上述の各実施形態においては、投影光学系PLと基板Pとの間に局所的に液体を満たす露光装置を採用しているが、米国特許第5,825,043号などに開示されているような、露光対象の基板の表面全体が液体中に浸かっている状態で露光を行う液浸露光装置を採用可能である。 In each of the above-described embodiments, an exposure apparatus that locally fills the liquid between the projection optical system PL and the substrate P is employed. However, this is disclosed in US Pat. No. 5,825,043 and the like. It is possible to employ an immersion exposure apparatus that performs exposure while the entire surface of the substrate to be exposed is immersed in the liquid.
なお、上述の各実施形態の基板Pとしては、半導体デバイス製造用の半導体ウエハのみならず、ディスプレイデバイス用のガラス基板、薄膜磁気ヘッド用のセラミックウエハ、あるいは露光装置で用いられるマスクまたはレチクルの原版(合成石英、シリコンウエハ)等が適用される。 As the substrate P in each of the above embodiments, not only a semiconductor wafer for manufacturing a semiconductor device, but also a glass substrate for a display device, a ceramic wafer for a thin film magnetic head, or an original mask or reticle used in an exposure apparatus. (Synthetic quartz, silicon wafer) or the like is applied.
露光装置EXとしては、マスクMと基板Pとを同期移動してマスクMのパターンを走査露光するステップ・アンド・スキャン方式の走査型露光装置(スキャニングステッパ)の他に、マスクMと基板Pとを静止した状態でマスクMのパターンを一括露光し、基板Pを順次ステップ移動させるステップ・アンド・リピート方式の投影露光装置(ステッパ)を採用することができる。 As the exposure apparatus EX, in addition to the step-and-scan type scanning exposure apparatus (scanning stepper) that scans and exposes the pattern of the mask M by moving the mask M and the substrate P synchronously, the mask M and the substrate P It is possible to employ a step-and-repeat type projection exposure apparatus (stepper) that collectively exposes the pattern of the mask M in a stationary state and moves the substrate P in steps.
さらに、露光装置EXとして、ステップ・アンド・リピート方式の露光において、第1パターンと基板Pとをほぼ静止した状態で、投影光学系を用いて第1パターンの縮小像を基板P上に転写した後、第2パターンと基板Pとをほぼ静止した状態で、投影光学系を用いて第2パターンの縮小像を第1パターンと部分的に重ねて基板P上に一括露光するスティッチ方式の一括露光装置を採用してもよい。また、スティッチ方式の露光装置としては、基板P上で少なくとも2つのパターンを部分的に重ねて転写し、基板Pを順次移動させるステップ・アンド・スティッチ方式の露光装置を採用することもできる。 Further, as exposure apparatus EX, in a step-and-repeat exposure, a reduced image of the first pattern was transferred onto substrate P using the projection optical system while the first pattern and substrate P were substantially stationary. After that, with the second pattern and the substrate P being substantially stationary, a batch-type exposure of the stitch method in which a reduced image of the second pattern is partially overlapped with the first pattern using the projection optical system and is collectively exposed on the substrate P. An apparatus may be employed. Further, as the stitch type exposure apparatus, a step-and-stitch type exposure apparatus in which at least two patterns are partially transferred onto the substrate P and transferred, and the substrate P is sequentially moved can be adopted.
また、露光装置EXとして、例えば米国特許第6,611,316号に開示されているように、2つのマスクのパターンを、投影光学系を介して基板上で合成し、1回の走査露光によって基板上の1つのショット領域をほぼ同時に二重露光する露光装置などを採用することができる。また、露光装置EXとして、プロキシミティ方式の露光装置、ミラープロジェクション・アライナーなどを採用することができる。 Further, as an exposure apparatus EX, for example, as disclosed in US Pat. No. 6,611,316, two mask patterns are synthesized on a substrate via a projection optical system, and a single scanning exposure is performed. An exposure apparatus that double exposes one shot area on the substrate almost simultaneously can be employed. Further, as the exposure apparatus EX, a proximity type exposure apparatus, a mirror projection aligner, or the like can be adopted.
また、露光装置EXとして、米国特許6,341,007号、米国特許6,400,441号、米国特許6,549,269号、及び米国特許6,590,634号、米国特許6,208,407号、米国特許6,262,796号等に開示されているような複数の基板ステージを備えたツインステージ型の露光装置を採用することもできる。 Further, as the exposure apparatus EX, US Pat. No. 6,341,007, US Pat. No. 6,400,441, US Pat. No. 6,549,269, US Pat. No. 6,590,634, US Pat. No. 6,208, It is also possible to employ a twin stage type exposure apparatus provided with a plurality of substrate stages as disclosed in US Pat. No. 407, US Pat. No. 6,262,796, and the like.
更に、米国特許第6,897,963号公報、欧州特許出願公開第1,713,113号公報などに開示されているように、基板を保持する基板ステージと、基準マークが形成された基準部材及び/又は各種の光電センサを搭載した計測ステージとを備えた露光装置にも本発明を適用することができる。また、複数の基板ステージと計測ステージとを備えた露光装置を採用することができる。 Further, as disclosed in US Pat. No. 6,897,963, European Patent Application Publication No. 1,713,113, etc., a substrate stage for holding a substrate and a reference member on which a reference mark is formed The present invention can also be applied to an exposure apparatus including a measurement stage equipped with various photoelectric sensors. An exposure apparatus including a plurality of substrate stages and measurement stages can be employed.
露光装置EXの種類としては、基板Pに半導体素子パターンを露光する半導体素子製造用の露光装置に限られず、液晶表示素子製造用又はディスプレイ製造用の露光装置、薄膜磁気ヘッド、撮像素子(CCD)、マイクロマシン、MEMS、DNAチップ、あるいはレチクル又はマスクなどを製造するための露光装置などにも広く適用できる。 The type of exposure apparatus EX is not limited to an exposure apparatus for manufacturing a semiconductor element that exposes a semiconductor element pattern onto a substrate P, but an exposure apparatus for manufacturing a liquid crystal display element or a display, a thin film magnetic head, an image sensor (CCD). In addition, the present invention can be widely applied to an exposure apparatus for manufacturing a micromachine, MEMS, DNA chip, reticle, mask, or the like.
なお、上述の各実施形態においては、レーザ干渉計を含む干渉計システムを用いてマスクステージ、基板ステージ、及び計測ステージの各位置情報を計測するものとしたが、これに限らず、例えば各ステージに設けられるスケール(回折格子)を検出するエンコーダシステムを用いてもよい。この場合、干渉計システムとエンコーダシステムとの両方を備えるハイブリッドシステムとし、干渉計システムの計測結果を用いてエンコーダシステムの計測結果の較正(キャリブレーション)を行うことが好ましい。また、干渉計システムとエンコーダシステムとを切り換えて用いる、あるいはその両方を用いて、ステージの位置制御を行うようにしてもよい。 In each of the above-described embodiments, the position information of the mask stage, the substrate stage, and the measurement stage is measured using an interferometer system including a laser interferometer. You may use the encoder system which detects the scale (diffraction grating) provided in this. In this case, it is preferable that a hybrid system including both the interferometer system and the encoder system is used, and the measurement result of the encoder system is calibrated using the measurement result of the interferometer system. Further, the position of the stage may be controlled by switching between the interferometer system and the encoder system or using both.
また、上述の各実施形態では、露光光ELとしてArFエキシマレーザ光を発生する光源装置として、ArFエキシマレーザを用いてもよいが、例えば、米国特許7,023,610号に開示されているように、DFB半導体レーザ又はファイバーレーザなどの固体レーザ光源、ファイバーアンプなどを有する光増幅部、及び波長変換部などを含み、波長193nmのパルス光を出力する高調波発生装置を用いてもよい。さらに、上記実施形態では、前述の各照明領域と、投影領域がそれぞれ矩形状であるものとしたが、他の形状、例えば円弧状などでもよい。 In each of the above-described embodiments, an ArF excimer laser may be used as a light source device that generates ArF excimer laser light as exposure light EL. For example, as disclosed in US Pat. No. 7,023,610. In addition, a harmonic generation apparatus that includes a solid-state laser light source such as a DFB semiconductor laser or a fiber laser, an optical amplification unit having a fiber amplifier, a wavelength conversion unit, and the like and outputs pulsed light with a wavelength of 193 nm may be used. Furthermore, in the above-described embodiment, each illumination area and the projection area described above are rectangular, but other shapes such as an arc shape may be used.
なお、上述の実施形態においては、光透過性の基板上に所定の遮光パターン(又は位相パターン・減光パターン)を形成した光透過型マスクを用いたが、このマスクに代えて、例えば米国特許第6,778,257号公報に開示されているように、露光すべきパターンの電子データに基づいて透過パターン又は反射パターン、あるいは発光パターンを形成する可変成形マスク(電子マスク、アクティブマスク、あるいはイメージジェネレータとも呼ばれる)を用いてもよい。可変成形マスクは、例えば非発光型画像表示素子(空間光変調器)の一種であるDMD(Digital Micro-mirror Device)等を含む。また、可変成形マスクとしては、DMDに限られるものでなく、DMDに代えて、以下に説明する非発光型画像表示素子を用いても良い。ここで、非発光型画像表示素子は、所定方向へ進行する光の振幅(強度)、位相あるいは偏光の状態を空間的に変調する素子であり、透過型空間光変調器としては、透過型液晶表示素子(LCD:Liquid Crystal Display)以外に、エレクトロクロミックディスプレイ(ECD)等が例として挙げられる。また、反射型空間光変調器としては、上述のDMDの他に、反射ミラーアレイ、反射型液晶表示素子、電気泳動ディスプレイ(EPD:Electro Phonetic Display)、電子ペーパー(または電子インク)、光回折型ライトバルブ(Grating Light Valve)等が例として挙げられる。 In the above-described embodiment, a light-transmitting mask in which a predetermined light-shielding pattern (or phase pattern / dimming pattern) is formed on a light-transmitting substrate is used. As disclosed in US Pat. No. 6,778,257, a variable shaping mask (an electronic mask, an active mask, or an image) that forms a transmission pattern, a reflection pattern, or a light emission pattern based on electronic data of a pattern to be exposed. (Also called a generator) may be used. The variable shaping mask includes, for example, a DMD (Digital Micro-mirror Device) which is a kind of non-light emitting image display element (spatial light modulator). The variable shaping mask is not limited to DMD, and a non-light emitting image display element described below may be used instead of DMD. Here, the non-light-emitting image display element is an element that spatially modulates the amplitude (intensity), phase, or polarization state of light traveling in a predetermined direction, and a transmissive liquid crystal modulator is a transmissive liquid crystal modulator. An electrochromic display (ECD) etc. are mentioned as an example other than a display element (LCD: Liquid Crystal Display). In addition to the DMD described above, the reflective spatial light modulator includes a reflective mirror array, a reflective liquid crystal display element, an electrophoretic display (EPD), electronic paper (or electronic ink), and a light diffraction type. An example is a light valve (Grating Light Valve).
また、非発光型画像表示素子を備える可変成形マスクに代えて、自発光型画像表示素子を含むパターン形成装置を備えるようにしても良い。この場合、照明光学系は不要となる。ここで自発光型画像表示素子としては、例えば、CRT(Cathode Ray Tube)、無機ELディスプレイ、有機ELディスプレイ(OLED:Organic Light Emitting Diode)、LEDディスプレイ、LDディスプレイ、電界放出ディスプレイ(FED:Field Emission Display)、プラズマディスプレイ(PDP:Plasma Display Panel)等が挙げられる。また、パターン形成装置が備える自発光型画像表示素子として、複数の発光点を有する固体光源チップ、チップを複数個アレイ状に配列した固体光源チップアレイ、または複数の発光点を1枚の基板に作り込んだタイプのもの等を用い、該固体光源チップを電気的に制御してパターンを形成しても良い。なお、固体光源素子は、無機、有機を問わない。 Further, a pattern forming apparatus including a self-luminous image display element may be provided instead of the variable molding mask including the non-luminous image display element. In this case, no illumination optical system is required. Here, as a self-luminous image display element, for example, CRT (Cathode Ray Tube), inorganic EL display, organic EL display (OLED: Organic Light Emitting Diode), LED display, LD display, field emission display (FED: Field Emission) Display), plasma display (PDP: Plasma Display Panel), and the like. Further, as a self-luminous image display element provided in the pattern forming apparatus, a solid light source chip having a plurality of light emitting points, a solid light source chip array in which a plurality of chips are arranged in an array, or a plurality of light emitting points on a single substrate A built-in type or the like may be used to form a pattern by electrically controlling the solid-state light source chip. The solid light source element may be inorganic or organic.
なお、上述の各実施形態においては、投影光学系PLを備えた露光装置を例に挙げて説明してきたが、投影光学系PLを用いない露光装置及び露光方法に採用することができる。このように投影光学系PLを用いない場合であっても、露光光はレンズ等の光学部材を介して基板に照射され、そのような光学部材と基板との間の所定空間に液浸空間が形成される。 In each of the above embodiments, the exposure apparatus provided with the projection optical system PL has been described as an example. However, the exposure apparatus and the exposure method that do not use the projection optical system PL can be employed. Even when the projection optical system PL is not used in this way, the exposure light is irradiated onto the substrate via an optical member such as a lens, and an immersion space is formed in a predetermined space between the optical member and the substrate. It is formed.
また、露光装置EXとして、例えば国際公開第2001/035168号パンフレットに開示されているように、干渉縞を基板P上に形成することによって、基板P上にライン・アンド・スペースパターンを露光する露光装置(リソグラフィシステム)を採用することができる。 Further, as the exposure apparatus EX, for example, as disclosed in International Publication No. 2001/035168 pamphlet, an exposure pattern for exposing a line and space pattern on the substrate P is formed by forming interference fringes on the substrate P. An apparatus (lithography system) can be employed.
本願実施形態の露光装置EXは、本願請求の範囲に挙げられた各構成要素を含む各種サブシステムを、所定の機械的精度、電気的精度、光学的精度を保つように、組み立てることで製造される。これら各種精度を確保するために、この組み立ての前後には、各種光学系については光学的精度を達成するための調整、各種機械系については機械的精度を達成するための調整、各種電気系については電気的精度を達成するための調整が行われる。各種サブシステムから露光装置への組み立て工程は、各種サブシステム相互の、機械的接続、電気回路の配線接続、気圧回路の配管接続等が含まれる。この各種サブシステムから露光装置への組み立て工程の前に、各サブシステム個々の組み立て工程があることはいうまでもない。各種サブシステムの露光装置への組み立て工程が終了したら、総合調整が行われ、露光装置全体としての各種精度が確保される。なお、露光装置の製造は温度およびクリーン度等が管理されたクリーンルームで行うことが望ましい。 The exposure apparatus EX of the present embodiment is manufactured by assembling various subsystems including the respective constituent elements recited in the claims of the present application so as to maintain predetermined mechanical accuracy, electrical accuracy, and optical accuracy. The In order to ensure these various accuracies, before and after assembly, various optical systems are adjusted to achieve optical accuracy, various mechanical systems are adjusted to achieve mechanical accuracy, and various electrical systems are Adjustments are made to achieve electrical accuracy. The assembly process from the various subsystems to the exposure apparatus includes mechanical connection, electrical circuit wiring connection, pneumatic circuit piping connection and the like between the various subsystems. Needless to say, there is an assembly process for each subsystem before the assembly process from the various subsystems to the exposure apparatus. When the assembly process of the various subsystems to the exposure apparatus is completed, comprehensive adjustment is performed to ensure various accuracies as the entire exposure apparatus. The exposure apparatus is preferably manufactured in a clean room where the temperature, cleanliness, etc. are controlled.
半導体デバイス等のマイクロデバイスは、図21に示すように、マイクロデバイスの機能・性能設計を行うステップ201、この設計ステップに基づいたマスク(レチクル)を製作するステップ202、デバイスの基材である基板を製造するステップ203、前述した実施形態に従って、マスクからの露光光で基板を露光すること、及び露光した基板を現像することを含む基板処理ステップ204、デバイス組み立てステップ(ダイシング工程、ボンディング工程、パッケージ工程などの加工プロセスを含む)205、検査ステップ206等を経て製造される。上述の各実施形態で説明した露光装置EXにおけるメンテナンス方法は、基板処理ステップ204に含まれ、そのメンテナンス方法でメンテナンスされた露光装置EXを用いて、基板Pを露光することが行われる。
As shown in FIG. 21, a microdevice such as a semiconductor device includes a
なお、上述のように本発明の実施形態を説明したが、本発明は上述した全ての構成要素を適宜組み合わせて用いることが可能であり、また、一部の構成要素を用いない場合もある。 Although the embodiments of the present invention have been described as described above, the present invention can be used by appropriately combining all the above-described constituent elements, and some constituent elements may not be used.
なお、上述の各実施形態及び変形例で引用した露光装置等に関する全ての公開公報及び米国特許の開示を援用して本文の記載の一部とする。 It should be noted that the disclosure of all published publications and US patents related to the exposure apparatus and the like cited in each of the above embodiments and modifications is incorporated herein by reference.
1…基板ステージ、2…計測ステージ、5…第2駆動システム、8…終端光学素子、30…第1液浸部材、31…第1供給口、32…第1回収口、50…基準板、50f…膜、60…スリット板、60f…膜、70…上板、70f…膜、80…塗布装置、81…第2液浸部材、82…第2供給口、83…第2回収口、90…加熱装置、91…光源装置、92…集光光学系、93…開口、94…絞り部材、100…除去装置、110…研磨装置、EL…露光光、EX…露光装置、IL…照明系、L1…第1液体、L2…第2液体、LQ…露光液体、LS1…第1液浸空間、LS2…第2液浸空間、LS3…第3液浸空間、P…基板、PH1…第1保持部、PH2…第2保持部、S…所定部材、Sf…膜、T…プレート部材、Tf…膜
DESCRIPTION OF
Claims (44)
前記露光液体に対して撥液性を有する材料を含む第1液体を所定部材に塗布する塗布装置と、
前記所定部材に形成された前記第1液体の膜を加熱する加熱装置と、を備えた露光装置。 An exposure apparatus that exposes a substrate with exposure light through an exposure liquid,
An application device that applies a first liquid containing a material having liquid repellency to the exposure liquid to a predetermined member;
An exposure apparatus comprising: a heating device that heats the first liquid film formed on the predetermined member.
前記光源装置からの光を集光する集光光学系とを含む請求項3記載の露光装置。 The heating device includes a light source device that emits the light;
The exposure apparatus according to claim 3, further comprising a condensing optical system that condenses light from the light source device.
前記光源装置からの光が照射される、前記所定部材上の領域を規定するための開口を有する絞り部材とを含む請求項3又は4記載の露光装置。 The heating device includes a light source device that emits the light;
The exposure apparatus according to claim 3, further comprising: a diaphragm member having an opening for defining a region on the predetermined member to which light from the light source device is irradiated.
前記塗布装置は、前記第2液体を使って前記膜が除去された部分に前記第1液体を塗布する請求項7〜9のいずれか一項記載の露光装置。 Forming a second immersion space with a second liquid capable of dissolving at least a part of a film forming at least a part of the surface of the predetermined member between the first liquid immersion member and the predetermined member;
The exposure apparatus according to claim 7, wherein the coating apparatus applies the first liquid to a portion where the film is removed using the second liquid.
前記塗布装置は、前記除去装置で前記膜が除去された部分に前記第1液体を塗布する請求項1〜9のいずれか一項記載の露光装置。 A removing device for removing at least part of the film forming at least part of the surface of the predetermined member;
The exposure apparatus according to claim 1, wherein the coating apparatus applies the first liquid to a portion where the film is removed by the removing apparatus.
前記塗布装置及び前記加熱装置は、前記第3液浸部材と異なる位置に配置されている請求項20記載の露光装置。 A third immersion member capable of forming a third immersion space with the exposure liquid so as to fill an optical path of the exposure light with the exposure liquid;
21. The exposure apparatus according to claim 20, wherein the coating device and the heating device are arranged at positions different from the third liquid immersion member.
前記所定部材は、前記プレート部材を含む請求項22記載の露光装置。 The first movable member includes a first holding part that holds the substrate, and a second holding part that is disposed at least at a part of the periphery of the first holding part and holds the plate member in a removable manner.
The exposure apparatus according to claim 22, wherein the predetermined member includes the plate member.
前記所定部材は、前記光学部材を含む請求項24記載の露光装置。 The measuring instrument has an optical member capable of transmitting light,
The exposure apparatus according to claim 24, wherein the predetermined member includes the optical member.
露光された基板を現像することと、を含むデバイス製造方法。 Exposing the substrate using the exposure apparatus according to any one of claims 1 to 25;
Developing the exposed substrate; and a device manufacturing method.
前記露光液体に対して撥液性を有する材料を含む第1液体を前記露光装置の所定部材に塗布することと、
前記所定部材に形成された前記第1液体の膜を加熱することと、を含むメンテナンス方法。 An exposure apparatus maintenance method for exposing a substrate with exposure light through an exposure liquid,
Applying a first liquid containing a material having liquid repellency to the exposure liquid to a predetermined member of the exposure apparatus;
Heating the first liquid film formed on the predetermined member.
前記膜が除去された部分に、前記第1液体が塗布される請求項27〜30のいずれか一項記載のメンテナンス方法。 Removing at least part of the film forming at least part of the surface of the predetermined member,
The maintenance method according to any one of claims 27 to 30, wherein the first liquid is applied to a portion where the film is removed.
前記所定部材は、前記プレート部材を含む請求項38記載のメンテナンス方法。 The first movable member includes a first holding part that holds the substrate, and a second holding part that is disposed at least at a part of the periphery of the first holding part and holds the plate member in a removable manner.
The maintenance method according to claim 38, wherein the predetermined member includes the plate member.
前記所定部材は、前記光学部材を含む請求項40記載のメンテナンス方法。 The measuring instrument has an optical member capable of transmitting light,
41. The maintenance method according to claim 40, wherein the predetermined member includes the optical member.
所定部材の表面の少なくとも一部を形成する膜の少なくとも一部を除去する除去装置と、
前記露光液体に対して撥液性を有する材料を含む第1液体を前記所定部材に塗布する塗布装置と、
前記所定部材に形成された前記第1液体の膜を加熱する加熱装置と、を含む膜形成装置。 A film forming apparatus used in an immersion exposure apparatus that exposes a substrate with exposure light through an exposure liquid,
A removing device for removing at least a part of a film forming at least a part of the surface of the predetermined member;
An applicator for applying a first liquid containing a material having liquid repellency to the exposure liquid to the predetermined member;
And a heating device that heats the first liquid film formed on the predetermined member.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007182461A JP2009021365A (en) | 2007-07-11 | 2007-07-11 | Exposure device, device manufacturing method, maintenance method, and film forming device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007182461A JP2009021365A (en) | 2007-07-11 | 2007-07-11 | Exposure device, device manufacturing method, maintenance method, and film forming device |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009021365A true JP2009021365A (en) | 2009-01-29 |
Family
ID=40360762
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007182461A Withdrawn JP2009021365A (en) | 2007-07-11 | 2007-07-11 | Exposure device, device manufacturing method, maintenance method, and film forming device |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2009021365A (en) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2011027782A1 (en) * | 2009-09-01 | 2011-03-10 | 旭硝子株式会社 | Coating material composition for liquid immersion exposure apparatus, laminate, method for forming laminate, and liquid immersion exposure apparatus |
-
2007
- 2007-07-11 JP JP2007182461A patent/JP2009021365A/en not_active Withdrawn
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2011027782A1 (en) * | 2009-09-01 | 2011-03-10 | 旭硝子株式会社 | Coating material composition for liquid immersion exposure apparatus, laminate, method for forming laminate, and liquid immersion exposure apparatus |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US8004651B2 (en) | Liquid recovery system, immersion exposure apparatus, immersion exposing method, and device fabricating method | |
TWI598698B (en) | Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method | |
JP2012009906A (en) | Exposure method, exposure device, and device manufacturing method | |
JP5018249B2 (en) | Cleaning device, cleaning method, exposure apparatus, and device manufacturing method | |
US20100002206A1 (en) | Exposure condition determination method, exposure method, exposure apparatus, and device manufacturing method | |
JP2010528449A (en) | Exposure apparatus, immersion system, exposure method, and device manufacturing method | |
JP5055971B2 (en) | Surface treatment method, surface treatment apparatus, exposure method, exposure apparatus, and device manufacturing method | |
JP5655903B2 (en) | Exposure apparatus adjustment method, exposure apparatus, and device manufacturing method | |
JP5369443B2 (en) | Stage apparatus, exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method | |
WO2010050240A1 (en) | Exposure device, exposure method, and device manufacturing method | |
JP5195022B2 (en) | Position measuring apparatus and position measuring method, pattern forming apparatus and pattern forming method, exposure apparatus and exposure method, and device manufacturing method | |
JP2009021498A (en) | Exposure device, liquid immersion system, and device manufacturing method | |
KR20090034736A (en) | Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method | |
JP2009188119A (en) | Cover member, stepper, exposure method, and device manufacturing method | |
JPWO2008075742A1 (en) | Maintenance method, exposure method, exposure apparatus, and device manufacturing method | |
JP2008300771A (en) | Liquid immersion exposure apparatus, device manufacturing method, and determining method of exposure condition | |
JP2009021365A (en) | Exposure device, device manufacturing method, maintenance method, and film forming device | |
TWI603155B (en) | Exposure apparatus, exposure method, exposure apparatus maintenance method, exposure apparatus adjustment method and device manufacturing method | |
JP5018277B2 (en) | Exposure apparatus, device manufacturing method, and cleaning method | |
JP2009060029A (en) | Cleaning device, cleaning method, exposure apparatus, and device manufacturing method | |
JP4992558B2 (en) | Immersion exposure apparatus, device manufacturing method, and evaluation method | |
JP2008205460A (en) | Determination method, evaluation method, exposure method, evaluation apparatus, liquid-immersion exposure apparatus, and device manufacturing method | |
JP2009212234A (en) | Liquid collecting system, exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method | |
JP2011029325A (en) | Aligner, exposure method, and method of manufacturing device | |
JP2009044089A (en) | Exposure method, and device manufacturing method and system |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20100413 |
|
A072 | Dismissal of procedure |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A073 Effective date: 20110823 |
|
A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20110906 |