JP2010095416A - 複合膜 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】(1)メソポーラスシリカ膜のメソ細孔中に金属ナノ粒子が内在する複合膜であって、該メソポーラスシリカ膜が平均細孔周期1.5〜6nmのメソ細孔構造を有し、かつ該メソ細孔が該膜表面に対して75〜90°の方向に配向している複合膜、及び(2)該メソポーラスシリカ膜と金属種を含む溶液又は電解質とを接触させた後に該金属種を還元し、該メソポーラスシリカ膜のメソ細孔中に金属ナノ粒子を析出させる複合膜の製造方法である。
【選択図】図1
Description
例えば、特許文献1には、基板上にナノ構造体の集合体をコーティングした後、フォトン照射、電子線照射、イオンビーム照射、プラズマイオン化等でカッティングして金属ナノロッドを形成する方法が開示されている。しかしながら、この方法は工程が煩雑であり、得られるナノロッドの方向がランダムであり、基板上にナノロッドが整然と並んだものを得るのは困難である。
特許文献2では、フッ化チタン錯体溶液にテンプレートである陽極酸化アルミナを浸漬し、テンプレートの酸化アルミナをTiO2で置換して、チタニアナノロッドを形成する方法が開示されている。しかしながら、この方法で得られるナノロッドの直径はテンプレートである陽極酸化アルミナに依存するため、10nm以下のナノロッド集合体は得られない。
特許文献3には、メソポーラスシリカのテンプレートの細孔内に金属組成物を電着させることによって、メソポーラスシリカ膜中に金属ナノロッドを形成する方法が開示されている。しかしながら、得られる金属ナノロッドはメソ細孔の配向性を保持するため、この方法では、メソポーラスシリカ膜に対して平行に配向したものしか得られない。
非特許文献2には、反応溶液を基板上に滴下し、強磁場をかけて界面活性剤分子を配向させる方法が開示されているが、大掛かりな装置が必要であり、大面積化が困難である上、ナノロッドの配向度合いが不完全なものしか得られない。
このように、メソ細孔が膜に対して略垂直に配向したメソポーラスシリカ膜を大面積で得ることは困難であり、また、該略垂直に配向したメソ細孔中に金属ナノ粒子が内在する複合膜は得られておらず、複合膜としての用途が限定されていた。
(1)メソポーラスシリカ膜のメソ細孔中に金属ナノ粒子が内在する複合膜であって、該メソポーラスシリカ膜が平均細孔周期1.5〜6nmのメソ細孔構造を有し、かつ該メソ細孔が該膜表面に対して75〜90°の方向に配向している複合膜。
(2)下記工程(1)及び(2)を含む、メソポーラスシリカ膜のメソ細孔中に金属ナノ粒子が内在する複合膜の製造方法。
工程(1):平均細孔周期1.5〜6nmのメソ細孔構造を有し、かつ該メソ細孔が膜表面に対して75〜90°の方向に配向しているメソポーラスシリカ膜を製造する工程
工程(2):工程(1)で得られたメソポーラスシリカ膜と、金属種を含む溶液又は電解質とを接触させた後に該金属種を還元し、該メソポーラスシリカ膜のメソ細孔中に金属ナノ粒子を析出させる工程
本発明の複合膜は、メソポーラスシリカ膜のメソ細孔中に金属ナノ粒子が内在する複合膜であって、該メソポーラスシリカ膜が平均細孔周期1.5〜6nmのメソ細孔構造を有し、かつ該メソ細孔が該膜表面に対して75〜90°の方向に配向していることを特徴とする。
なお、本明細書において、「金属ナノ粒子」とは、ナノサイズの粉末状、略球状の金属微粒子(狭義の金属ナノ粒子)、金属ナノロッド(棒状金属微粒子)、金属ナノワイヤー(線状金属微粒子)、金属ナノチューブ等を包含する概念である。
まず、本発明に用いられるメソポーラスシリカ膜について説明する。
本発明に用いられるメソポーラスシリカ膜は、メソ細孔構造に由来した平均細孔周期が1.5〜6nm、好ましくは1.5〜5nm、より好ましくは1.5〜4.5nm、特に好ましくは1.5〜4nmの周期性を有する。ここで、メソ細孔の細孔周期とは、最近接の細孔中心間の距離を意味する。
本発明に用いられるメソポーラスシリカ膜のメソ細孔の細孔周期は、シャープであることが特徴の1つであり、好ましくは膜全体の80%以上、より好ましくは85%以上、更に好ましくは90%以上、特に好ましくは95%以上の部位が平均細孔周期の±30%以内の周期性を有している。
そのメソ細孔の細孔周期は、透過型電子顕微鏡(TEM)を用いて観察することができる。本発明におけるメソ細孔の平均細孔周期は、実施例記載の方法により求めた値である。
本発明のメソポーラスシリカ膜は、メソ細孔が膜表面(基板面)に対して略垂直、すなわち75〜90°、好ましくは75〜90°、より好ましくは80〜90°の方向に配向していることが特徴の1つである。なお、本明細書においてはこの角度を配向度ということもある。
メソポーラスシリカ膜の膜厚は、混合時の撹拌力、試薬の濃度、溶液の温度、焼成条件等によって調整することができる。膜の平均厚みは、透過型電子顕微鏡観察により測定することができる。
前記の基板上に作製されたメソポーラスシリカ膜のメソ細孔中に金属ナノ粒子が内在する本発明の複合膜は、下記工程(1)及び(2)を含む方法によれば、効率的に製造することができる。
工程(1):平均細孔周期1.5〜6nmのメソ細孔構造を有し、かつ該メソ細孔が膜表面に対して75〜90°の方向に配向しているメソポーラスシリカ膜を製造する工程
工程(2):工程(1)で得られたメソポーラスシリカ膜と、金属種を含む溶液又は電解質とを接触させた後に該金属種を還元し、該メソポーラスシリカ膜のメソ細孔中に金属ナノ粒子を析出させる工程
前記工程(1)は、下記工程(I)〜(III)を含むことが好ましい。
工程(I):陽イオン界面活性剤(a)を臨界ミセル濃度の5倍以下の濃度で含有する水溶液を調製する工程
工程(II):工程(I)で得られた水溶液中に基板を浸し、加水分解によりシラノール化合物を生成するシリカ源(b)を0.1〜100ミリモル/Lの濃度になるように加え、10〜100℃の温度で撹拌して、基板表面にメソポーラスシリカ膜を形成する工程
工程(III):得られたメソポーラスシリカ膜から陽イオン界面活性剤(a)を除去する工程
<陽イオン界面活性剤(a)>
(a)成分の陽イオン界面活性剤は、メソ細孔の形成と分散のために用いられる。陽イオン界面活性剤は、臨界ミセル濃度(cmc)を有する化合物である。陽イオン界面活性剤としては、第1〜3級アミン型、第4級アンモニウム塩型が挙げられ、該化合物は、窒素原子に直接結合する基として、エステル結合、アミド結合又はエーテル結合で分断されていてもよい炭素数が4〜22のアルキル基又はアルケニル基を1つ又は2つ有し、かつ残りは水素原子、炭素数1〜3のアルキル基もしくはヒドロキシアルキル基、又はベンジル基を有する化合物が好ましい。
これらの中では、第4級アンモニウム塩型界面活性剤がより好ましく、具体的には下記一般式(1)で表される第4級アンモニウム塩が最も好ましい。
[R1R2R3R4N]+X- (1)
(式中、R1及びR2はそれぞれ独立に炭素数1〜22の直鎖状又は分岐状のアルキル基又はアルケニル基であって、かつR1及びR2の少なくとも一方は炭素数が4以上である。R3及びR4は、炭素数1〜3のアルキル基もしくはヒドロキシアルキル基、又はベンジル基を示し、R3及びR4が同時にベンジル基であることはない。Xは1価の陰イオンを示す。)
R1及びR2の炭素数4〜22のアルキル基としては、各種ブチル基、各種ペンチル基、各種ヘキシル基、各種ヘプチル基、各種オクチル基、各種ノニル基、各種デシル基、各種ドデシル基、各種テトラデシル基、各種ヘキサデシル基、各種オクタデシル基、各種エイコシル基等が挙げられる。これらの中では、R3及びR4は、メチル基が好ましい。
一般式(1)におけるXは、高い結晶性を得るという観点から、好ましくはハロゲンイオン、水酸化物イオン、硝酸化物イオン、硫酸化物イオン等の1価陰イオンから選ばれる1種以上である。Xとしては、より好ましくはハロゲン化物イオンであり、更に好ましくは塩化物イオン又は臭化物イオンであり、特に好ましくは臭化物イオンである。
一般式(1)で表されるジアルキルジメチルアンモニウム塩としては、ジブチルジメチルアンモニウムクロリド、ジヘキシルジメチルアンモニウムクロリド、ジオクチルジメチルアンモニウムクロリド、ジヘキシルジメチルアンモニウムブロミド、ジオクチルジメチルアンモニウムブロミド、ジドデシルジメチルアンモニウムブロミド、ジテトラデシルジメチルアンモニウムブロミド等が挙げられる。
これらの陽イオン界面活性剤(a)の中では、規則的なメソ細孔を形成させる観点から、特にアルキルトリメチルアンモニウム塩が好ましく、アルキルトリメチルアンモニウムブロミド又はアルキルトリメチルアンモニウムクロリドがより好ましく、ドデシルトリメチルアンモニウムブロミド又はドデシルトリメチルアンモニウムクロリドが特に好ましい。
(b)成分は加水分解によりシラノール化合物を生成するシリカ源である。シリカ源(b)としては、アルコキシシランが好ましく、具体的には、下記一般式(2)〜(6)で示される化合物を挙げることができる。
SiY4 (2)
R5SiY3 (3)
R5 2SiY2 (4)
R5 3SiY (5)
Y3Si−R6−SiY3 (6)
(式中、R5はそれぞれ独立して、ケイ素原子に直接炭素原子が結合している有機基を示し、R6は炭素原子を1〜4個有する炭化水素基又はフェニレン基を示し、Yは加水分解によりヒドロキシ基になる1価の加水分解性基を示す。)
より好ましくは、一般式(2)〜(6)において、R5がそれぞれ独立して、水素原子の一部がフッ素原子に置換していてもよい炭素数1〜22の炭化水素基であり、具体的には炭素数1〜22、好ましくは炭素数4〜18、より好ましくは炭素数6〜18、特に好ましくは炭素数8〜16のアルキル基、フェニル基、又はベンジル基であり、R6が炭素数1〜4のアルカンジイル基(メチレン基、エチレン基、トリメチレン基、プロパン−1,2−ジイル基、テトラメチレン基等)又はフェニレン基であり、Yが炭素数1〜22、より好ましくは炭素数1〜8、特に好ましくは炭素数1〜4のアルコキシ基、又はフッ素を除くハロゲン基である。
・一般式(2)において、Yが炭素数1〜3のアルコキシ基であるか、又はフッ素を除くハロゲン基であるシラン化合物。
・一般式(3)又は(4)において、R5がフェニル基、ベンジル基、又は水素原子の一部がフッ素原子に置換されている炭素数1〜20、好ましくは炭素数1〜10、より好ましくは炭素数1〜5の炭化水素基であるトリアルコキシシラン又はジアルコキシシラン。
・一般式(6)において、Yがメトキシ基であって、R6がメチレン基、エチレン基又はフェニレン基である化合物。
これらの中では、テトラメトキシシラン、テトラエトキシシラン、フェニルトリエトキシシラン、1,1,1−トリフルオロプロピルトリエトキシシランが特に好ましい。
工程(I)における水溶液中の陽イオン界面活性剤(a)、シリカ源(b)の含有量は次のとおりである。
(a)成分の含有量は、高い垂直配向性を発現する観点から、すなわち、形成したミセルが基板に水平吸着するのを防ぎ、垂直配向させるために、20℃の水中における臨界ミセル濃度の5倍以下の濃度が好ましく、3倍以下がより好ましく、2倍以下が特に好ましい。また、その下限値は、該臨界ミセル濃度の0.01倍以上が好ましく、0.05倍以上がより好ましい。
(b)成分の含有量は、好ましくは0.1〜100ミリモル/L、より好ましくは1〜100ミリモル/L、特に好ましくは5〜80ミリモル/Lである。
工程(I)における水溶液中のpHは、アルカリ性が好ましく、より好ましくはpH9〜12、更に好ましくはpH10〜12、特に好ましくはpH11〜12である。
(a)及び(b)成分を含有する水溶液には、本発明のメソポーラスシリカ膜の形成を阻害しない限り、その他の成分として、メタノール等の有機化合物や、無機化合物等の他の成分を添加してもよく、前記のように、シリカや有機基以外の他の元素を担持したい場合は、それらの金属を含有するアルコキシ塩やハロゲン化塩等の金属原料を製造時又は製造後に添加することもできる。
工程(II)はメソポーラスシリカ膜を形成する工程である。工程(I)で得られた水溶液中に基板を浸し、加水分解によりシラノール化合物を生成するシリカ源(b)を0.1〜100ミリモル/Lの濃度になるように加え、10〜100℃、好ましくは10〜80℃の温度で所定時間撹拌した後、静置することで、基板の表面に、陽イオン性界面活性剤(a)とシリカ源(b)によりメソ細孔を有するメソポーラスシリカ膜を得ることができる。
工程(I)で得られた水溶液の撹拌時間は、温度により異なるが、通常10〜80℃で0.1〜24時間であり、この間にメソポーラスシリカ膜が基板上に形成される。
本発明におけるメソポーラスシリカ膜を形成させるための基板の材質は、メソポーラスシリカ膜の合成条件下で溶解したり、変形したりするものでなければ特に制限はない。基板としては、例えば、金属、金属酸化物、ガラス等の無機材料、半導体材料、セラミックス、水不溶性ポリマー等が挙げられる。
金属としては、Si、Sn、Pb、Bi、Ta、Nb、Al、Ti、Zr、Hf、V、Cr、Mo、W、Mn、Fe、Re、Os、Co、Rh、Ir、Ni、Pd、Pt、Cu、Ag、Au、Zn、Cd、La、Gd、In、Ru等の1以上の金属及びそれらの合金が挙げられる。
金属酸化物としては、上記の金属の酸化物の他、錫や亜鉛等の金属酸化物に、他の金属元素を微量ドープしたインジウム錫酸化物(ITO(In2O3:Sn))、フッ素ドープ錫酸化物(FTO(SnO2:F))、アルミニウムドープ亜鉛酸化物(AZO(ZnO:Al))等が挙げられる。
ガラス等の無機材料としては、ソーダライムガラス、パイレックス(登録商標)ガラス、高透過率ガラス、合成石英や溶融石英、アルミナ、ジルコニア、グラファイト、非晶質炭素等の無機材料が挙げられる。
半導体材料としては、金属元素を微量ドープしたドープシリコン、ドープゲルマニウム等が挙げられる。
上記の基板の中では、電気伝導度が10-5S・cm-1以上で、表面が平滑であるものが好ましい。基板自体に導電性がない場合には、基板に導電性を付与するために、基板表面を、例えば金、銀、クロム、銅、タングステン、チタン、アルミニウム、ニッケル、モリブデン、ステンレス等の金属、金属酸化物等からなる導電材料を被覆することもできる。
基板の好適例としては、ドープシリコン、金、金被覆Si、ITO、グラファイト等が挙げられる。
工程(III)では、工程(II)で得られたメソポーラスシリカ膜を水溶液中から取り出し、必要に応じて、水洗、乾燥した後、該膜から陽イオン界面活性剤(a)を除去する。
工程(II)で得られたメソポーラスシリカ膜のメソ細孔の内部には、陽イオン界面活性剤(a)が詰まっているので、これを除去することによりメソ細孔内を中空とし、高機能性材料として使用しうるメソポーラスシリカ膜を作製することができる。
陽イオン界面活性剤(a)の除去方法としては、焼成、抽出等が挙げられる。
焼成による場合は、焼成温度が低すぎるとメソ細孔形成剤である陽イオン界面活性剤(a)が残存する可能性があり、また焼成温度が高すぎると細孔構造が破壊するおそれがある。このため、電気炉等で好ましくは350〜650℃、より好ましくは450〜650℃、特に好ましくは480〜650℃で、1〜10時間かけて焼成することによって、メソ構造を殆ど破壊することなく、メソ構造体から陽イオン界面活性剤(a)を除去することができる。
また、抽出法を採用する場合は、陽イオン界面活性剤(a)の完全な除去は困難であるものの、焼成に耐えられない材質の基板の上にメソポーラスシリカ膜を調製することができる。例えば、pH1〜4で室温〜80℃の水溶液にメソポーラスシリカ膜を入れ、長時間撹拌することによって、陽イオン界面活性剤(a)を抽出し、メソポーラスシリカ膜を得ることができる。また、超臨界状態の流体による抽出法等を採用することもできる。
なお、基板が曲面部を有する形状である場合は、シリカ膜のメソ細孔の配向度75〜90°は、該曲面部の接線に対しての角度である。
なお、メソポーラスシリカ膜の製造工程において、陽イオン界面活性剤(a)を使用する場合は、陽イオン界面活性剤(a)がメソポーラスシリカ膜内部、メソ細孔内、又は膜表面に残留する可能性がある。陽イオン界面活性剤(a)が残留しても問題ない場合は除去する必要はないが、残留する陽イオン界面活性剤(a)の除去を望む場合は、水や酸性水溶液で洗浄して陽イオン界面活性剤(a)を除去することができる。
メソポーラスシリカ膜において、理論上、膜としての仮の面積、すなわち細孔を考慮しないマクロな膜として捕らえた場合の面積の大きさに特に制限はない。極めて狭い面積から連続的に製造することにより、極めて大きい面積のものまで任意に調製することができる。例えば、細孔を考慮しない面積として1mm2以上のものが製造可能であり、実際に1000mm2の膜を得ており、10000mm2程度の膜を得ることも可能である。
<工程(2)>
工程(2)は、工程(1)で得られたメソポーラスシリカ膜と、金属種を含む溶液又は電解質とを接触させて該金属種を還元し、該メソポーラスシリカ膜のメソ細孔中に金属ナノ粒子を析出させる工程である。
本発明における還元方法としては、還元剤等を用いる化学的還元法、電気化学的還元法等が挙げられるが、還元できる方法であれば特に制限されない。化学的還元法では、主としてメソポーラスシリカ膜のメソ細孔中に粉末状、略球状の金属ナノ粒子が析出し、電気化学的還元法では、主としてメソポーラスシリカ膜のメソ細孔中に金属ナノロッド、金属ナノワイヤーが析出する。
金属種としては、化学的又は電気化学的な還元法により金属が析出可能なものであれば特に制限されない。例えばAl、Ti、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Ru、Rh、Pd、Ag、In、Sn、Ir、Pt、Au、Pb、Bi等が挙げられる。これらの中では、Fe、Co、Ni、Cu、Pd、Ag、Pt、Au、Biから選ばれる1種以上が好ましく、鉄(Fe)、コバルト(Co)、白金(Pt)、金(Au)から選ばれる1種以上がより好ましく、白金(Pt)、金(Au)が更に好ましい。
化学的還元法としては、還元剤による還元法、熱還元法、光還元法、水素還元法等が挙げられるが、還元剤による化学的還元法が好ましい。
還元剤による化学的還元法においては、金属種を含む金属イオン溶液を工程(1)で得られたメソポーラスシリカ膜構造体に接触させ、還元剤を添加して該金属種を還元する。
金属種としては溶媒中に溶解可能なものであればよく、その他については特に制限されない。金属種を含む金属イオン溶液としては、前記の金属種の酸、ハロゲン化物、硝酸塩、硫酸塩、酢酸塩、アセチルアセトネート塩等の塩類を好ましく用いることができる。化学的還元法に用いる好ましい金属種としては、Co、Ni、Cu、Pt、Au等が挙げられる。具体的には例えば、金属種が白金の場合は、H2[PtCl6](ヘキサクロロ白金(IV)酸)、[Pt(NH3)4]Cl2(テトラアンミン白金(II)塩化物)、K2[PtCl4](テトラクロロ白金(II)酸カリウム)、[Pt(NH3)4](NO3)2(テトラアンミン白金(II)硝酸塩)等が挙げられる。
金属イオン溶液中の前記前記の酸及び塩の濃度は、通常0.001〜80質量%、好ましくは0.01〜60質量%、より好ましくは0.1〜40質量%、更に好ましくは1〜30質量%である。
還元剤の添加量は、金属イオンの還元を十分に行い、金属ナノ粒子を生成させる観点から、水素化ホウ素化合物を用いる場合は、金属、例えば白金又は金に対して通常20〜10000mol%であり、50〜500mol%が好ましい。ジメチルアミンボランまたはヒドラジンを用いる場合は、金属、例えば白金又は金に対して通常1000mol%以上であればよい。
化学的還元法によれば、メソポーラスシリカ膜のメソ細孔中に直径1〜5nmの金属ナノ粒子(群)が内在する複合膜を効率的に得ることができる。
電気化学的還元法は、金属イオン溶液を含む電解液中に含浸した一対の電極間に電圧を印加することにより、金属を電解析出させる方法である。
電解析出法においては、電解質を工程(1)で得られたメソポーラスシリカ膜に接触させ、電圧を印加して該金属種を還元する。
電解質としては、金属種を含む金属イオン溶液、固体電解質、ゲル電解質等が挙げられるが、金属種を含む金属イオン溶液が好ましい。
金属種としては電解析出により析出可能なものであればよく、その他については特に制限されない。金属種を含む金属イオン溶液としては、前記の金属種の酸、ハロゲン化物、硝酸塩、硫酸塩、酢酸塩、過塩素酸塩、テトラフルオロほう酸塩、ヘキサフルオロ燐酸塩等の塩類を好ましく用いることができる。それらの中では、標準電極電位が−1V(標準水素電極基準)以上であるものがより好ましい。ただし非水系での電解析出の場合は上記条件に限らない。電気化学的還元法に用いる好ましい金属種としては、Fe、Co、Ni、Cu、Ru、Rh、Pd、Ag、In、Ir、Pt、Au、Pb、Bi等が挙げられる。具体的には例えば、白金の場合は、H2[PtCl6](ヘキサクロロ白金酸)やH2[PtCl4]テトラクロロ白金酸、[cis−Pt(NO2)2(NH3)2](シス−ジニトロジアミノ白金等が挙げられる。
電解液中の前記の酸及び塩の濃度は、通常0.001〜80質量%、好ましくは0.01〜60質量%、より好ましくは0.1〜40質量%、更に好ましくは1〜30質量%である。
電解析出の温度は、溶液が安定であり、金属種が拡散可能な温度であればよく、電解液として水溶液を用いる場合には、0〜80℃が好ましい。
金属析出量は電流値と通電時間により制御可能である。
電解析出の際には、助剤としてpH緩衝剤、補助電解質、レベリング剤等を加えることもできる。また、電解析出反応を促進させるために、電解液中に気泡を対流させながら電解液の撹拌を行ったり、電解液中で基板を、適宜回転、振動、スイング等をさせてもよい。
電解析出反応において、金属、金属酸化物、ITO(インジウム錫酸化物)等で形成された基板は陰極(作用極)として機能し、基板上に作製されたメソポーラスシリカ膜のメソ細孔中に金属が析出し、該メソ細孔中に金属ナノロッドが内在する複合膜が形成される。
電気化学的還元法によれば、メソポーラスシリカ膜のメソ細孔中に直径が1〜5nm、アスペクト比(長さ/直径)が通常1〜300、好ましくは10〜100の金属ナノロッドが内在する複合膜を効率的に得ることができる。
本発明の基板上に形成された複合膜は、用途によっては基板とともに使用してもよく、基板から剥離して用いてもよい。剥離の方法としては、(i)鋭利な金属薄片により物理的に基板と切り離す方法、(ii)基板のみを化学的に溶解し除去する方法、(iii)基板上に溶解可能な物質を被覆し、その上に複合膜を形成し、前述の溶解可能物質を除去する方法等が挙げられる。
本発明の複合膜は、例えば、メソ細孔中に、Co等の鉄系金属やFe−Pt合金等の磁性金属ナノ粒子を導入することで、メソポーラスシリカ垂直膜中に各々のナノ粒子が規則的に配列した磁気記録ドメインとみなすことができることから、テラビット/in2を超える超高密度磁気記録媒体としての用途に用いることができる。また、他の金属ナノ粒子として、Pt、Pd、Rh、Co等を導入した場合は、膜表面方向からのアクセシビリティーが高く、またナノ粒子同士がシリカ壁により隔絶されていることから、シンタリングの起きにくい高活性の触媒としての用途に用いることができる。
水平方向に配向した金属ナノロッド集合体では、シリカを除去すると重力により崩壊し易いが、略垂直方向に配向した金属ナノロッド集合体ではロッド間の配列規則性が保持されることから、高選択性/高感度センサーとしての用途が考えられる。また、金属ナノロッドが略垂直方向に配向していることから、基板に対して垂直方向に高効率で電子を放出可能な電界放出素子として利用できる等の用途展開が考えられる。
<膜厚、メソ細孔の平均細孔周期、及び配向度>
日本電子株式会社製の透過型電子顕微鏡(TEM)JEM−2100を用いて加速電圧160kVで測定を行い、1サンプルに付きそれぞれ2箇所の観察を行い、膜厚、平均細孔周期、及び配向度を求めた。観察に用いた試料は、メソポーラス膜を膜に対して垂直に割断し、透過型電子顕微鏡にてその透過像が得られる程度まで、薄く研磨してサンプルを作成した。そのサンプルを高分解能用カーボン支持膜付きCuメッシュ(200−Aメッシュ、応研商事株式会社製)に付着させ、観察を行った。
(1)平均細孔周期は、電子顕微鏡透過像において、基板に対してほぼ垂直に伸びている細孔の管を少なくとも3本以上含まれるように幅を任意に選び、両末端の管の真ん中と思われる部分の間の長さを測定し、その長さを挟まれた管の数で割った値である。平均周期性は2箇所の画像からそれぞれ任意に50回箇所選び出し測定して求め、その平均値とする。
(2)膜厚は、2箇所の画像からそれぞれ任意に50箇所を選んでその膜厚を測定し、その平均値とする。
(3)配向度は、膜を形成している、基板からほぼ垂直に伸びている細孔の管の垂直の程度を、基板面に対する角度として測定した数値である。数値は直角ないし鋭角の数値とする。鈍角の場合は180°から引いた値とする。測定は2箇所の画像からそれぞれ任意に50箇所を選び、その平均値を算出する。
100mlフラスコに水60g、メタノール20g、1M水酸化ナトリウム水溶液0.46g、ドデシルトリメチルアンモニウムブロミド0.35gを入れ撹拌混合して水溶液を得た。幅1.5cm、長さ4cmに切断したITO基板〔日本板硝子株式会社製〕を前記水溶液中に浸し、その後テトラメトキシシラン0.34gをゆっくりと加え、2時間撹拌後、ITO基板を取り出した。得られたITO基板を水洗し、80℃で12時間乾燥後、600℃で2時間空気中で加熱することで、ITO基板上にメソポーラスシリカの垂直配向膜を得た。
ITO基板上に形成されたメソポーラスシリカ膜の膜厚は50nm、メソ細孔の平均細孔周期は2.7nm、基板とメソ細孔の形成する角度(配向度)は89°であった。
製造例1において、ITO基板の代わりに、シリコンウェーハ〔株式会社ニラコ製、p型低抵抗タイプ(111)〕を用いた以外は、製造例1と同様にしてシリコンウェーハ上にメソポーラスシリカの垂直配向膜を得た。
シリコンウェーハ上に形成されたメソポーラスシリカ膜の膜厚は50nm、メソ細孔の平均細孔周期は2.7nm、基板とメソ細孔の形成する角度(配向度)は89°であった。
ガラスセル〔アズワン株式会社製、10mm×45mm×40mm〕にヘキサクロロ白金酸0.15g、蒸留水15gを入れ、混合撹拌することにより水溶液を得た。水溶液中に製造例1により得られたメソポーラスシリカ垂直配向膜が基板上に形成されたITO基板、及び白金板〔株式会社ニラコ製、0.1mm×30mm×30mm〕を10mm離して向かい合わせに固定し、更に各基板と接触しないように飽和カロメル電極を挿入した。ITO基板を負極(作用極)、白金板を陽極、飽和カロメル電極を参照電極とし、ポテンショスタット/ガルバノスタットを用いて0.5mA・cm-2の定電流による白金の電解析出を1分行った。得られたITO基板を水洗し、乾燥することでメソポーラスシリカ垂直配向膜中のメソ細孔に白金ナノロッドが内在する複合膜を得た。得られた白金ナノロッドの平均直径は1.5nmであり、平均長さは10nmであった。
ビーカーにヘキサクロロ白金酸0.1g、蒸留水10gを入れ、混合撹拌することにより水溶液を得た。製造例2により得られたシリコンウェーハ上のメソポーラスシリカ垂直配向膜全面が覆われるように水溶液を滴下した。その後、シリコンウェーハを50℃で一晩減圧乾燥させた。1L−セパラブルフラスコにジメチルアミンボラン0.5gを入れたガラスシャーレを置き、更に上記により乾燥されたシリコンウェーハを入れたガラスシャーレを置き、密閉した。室温で8時間反応後、シリコンウェーハを取り出して水洗、乾燥することでメソポーラスシリカ垂直配向膜中のメソ細孔に白金ナノ粒子が内在する複合膜を得た。得られた白金ナノ粒子の平均直径は1.8nmであった。
Claims (4)
- メソポーラスシリカ膜のメソ細孔中に金属ナノ粒子が内在する複合膜であって、該メソポーラスシリカ膜が平均細孔周期1.5〜6nmのメソ細孔構造を有し、かつ該メソ細孔が該膜表面に対して75〜90°の方向に配向している複合膜。
- 金属ナノ粒子の直径が1〜5nmである請求項1に記載の複合膜。
- 下記工程(1)及び(2)を含む、メソポーラスシリカ膜のメソ細孔中に金属ナノ粒子が内在する複合膜の製造方法。
工程(1):平均細孔周期1.5〜6nmのメソ細孔構造を有し、かつ該メソ細孔が膜表面に対して75〜90°の方向に配向しているメソポーラスシリカ膜を製造する工程
工程(2):工程(1)で得られたメソポーラスシリカ膜と、金属種を含む溶液又は電解質とを接触させた後に該金属種を還元し、該メソポーラスシリカ膜のメソ細孔中に金属ナノ粒子を析出させる工程 - 工程(1)のメソポーラスシリカ膜が下記工程(I)〜(III)を含む方法により製造されたものである請求項3に記載の複合膜の製造方法。
工程(I):陽イオン界面活性剤(a)を臨界ミセル濃度の5倍以下の濃度で含有する水溶液を調製する工程
工程(II):工程(I)で得られた水溶液中に基板を浸し、加水分解によりシラノール化合物を生成するシリカ源(b)を0.1〜100ミリモル/Lの濃度になるように加え、10〜100℃の温度で撹拌して、基板表面にメソポーラスシリカ膜を形成する工程
工程(III):得られたメソポーラスシリカ膜から陽イオン界面活性剤(a)を除去する工程
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