JP2010093246A - カーボン・ナノチューブを使用する受動モード同期ファイバ・レーザ - Google Patents

カーボン・ナノチューブを使用する受動モード同期ファイバ・レーザ Download PDF

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Abstract

【課題】本発明は、受動モード同期ファイバ・レーザ、特に、ファイバ統合カーボン・ナノチューブ可飽和吸収体を利用して、パルス幅の短い、高繰返し周波数のファイバ・レーザを生成するファイバ・レーザを提供する。
【解決手段】受動モード同期ファイバ・レーザは、利得媒質として希土類ドープ・ファイバ区間を利用し、これは、相対的に高い吸収(たとえば、ピーク・ポンプ吸収>50dB/m)および相対的に低い分散(たとえば、−20ps/km−nm<D<0)を示す。一定区間の非ドープ・ファイバの端面部分上に形成された単層カーボン・ナノチューブ(SWNT)可飽和吸収体によって、受動モード同期が実現する。残りの構成部品(入力/出力カプラ、アイソレータ)は、単一の構成部品に統合され、非ドープ光ファイバに結合されることが好ましい。
【選択図】図1

Description

関連出願の相互参照
本出願は、2008年9月25日出願の米国仮出願第61/099,978号の利益を主張し、これを参照によって本明細書に組み込む。
本発明は、受動モード同期ファイバ・レーザに関し、より詳細には、ファイバ統合カーボン・ナノチューブ可飽和吸収体を利用して、パルス幅の短い、高繰返し周波数のファイバ・レーザを生成するファイバ・レーザに関する。
受動モード同期ファイバ・レーザは、超短パルス(たとえば、ピコ秒よりも短い幅のパルス)の信頼性の高いレーザ源であることが分かってきている。超短パルス幅に加えて、高パルス繰返し周波数(たとえば、数百MHz)を有するレーザでは、周波数計測および高速光サンプリングなどの用途での使用法が見つかっている。実用的なものにするには、これらのレーザ源は、コンパクトで、信頼性が高く、必要とする消費電力が最小でなければならない。モード同期したErドープファイバ・レーザは、広い光学帯域幅、高い強度およびパワー、短いコヒーレンス長、ならびに大幅なタイミング安定性などの、変調された連続波(CW)源を上回るいくつかのキーとなる利点を有する、潜在的に魅力的なショート・パルス・レーザ源を実現する。
高繰返し周波数の要件が提示する1つの難しさは、きわめて短い空胴長を必要とすることである。しかし、空胴長が短いと、分散補償が実行できなくなり、その結果、生成されるパルス幅は相対的に長くなる(およそ数ピコ秒程度)。したがって、相対的に高いパルス繰返し周波数(100MHz以上)を達成することと、超短パルス幅(およそ1ピコ秒未満程度)との間には必然的な対立が存在する。
高繰返し周波数レーザにおいては、1方向リング空胴には、基本パルス繰返し周波数が、同じファイバ長での線形空胴の周波数の2倍になるという利点がある。一例として、200MHzの繰返し周波数を達成することができるファイバ・リング・レーザがある。しかし、このレーザはファイバの非線形性を利用して受動モード同期を生成し、高繰返し周波数レーザのより低いパルス・エネルギーにより、不可能ではないにしても、こうしたレーザがより高い周波数に移行できにくくなる。
一般には、ファイバ・レーザ空胴が示す総合的な分散を管理することにより、生成されるパルス幅をある程度にまで圧縮することが可能になる。エルビウムドープ・ファイバ(ファイバ・レーザ内で利得媒質として使用される)は、通常の正常分散(たとえば、波長1550nmでのエルビウムドープ・ファイバにおいて−17ps/nm−km)を示すが、レーザ空胴の残りの部分を形成するのに使用される標準の単一モード・ファイバは、この同じ波長において異常分散特性(たとえば、+17ps/nm−km)を有する。これらの分散値は例示的なものに過ぎない。確かに、利得ファイバ・ドーパントとしてイッテルビウム(Yb)を使用するとき、1030〜1100nmの波長範囲内で増幅が生じ、利得ファイバおよび単一モード・ファイバの両方が、正常(負の)分散を示す。次いで、正の分散を示す他の構成部品/ファイバは、異常分散を生成することが必要である。どんな場合でも、レーザ空胴を形成する様々なファイバの相対的な長さは、「短い」総合的な空胴長(高パルス繰返し周波数向け)と「長い」空胴長(分散管理および/またはレージング帯域幅向け)との要求のバランスをとることによって決定される。
高速可飽和吸収体に基づく受動モード同期ファイバ・レーザは、原則として、高繰返し周波数で構築することができる。しかし、こうしたモード同期機構に基づくレーザでのパルス幅では、100fsの動作有効期間でのパルス幅を生成することができない。
パルス幅がサブピコ秒で繰返し周波数が少なくとも100MHzである光学出力パルスを生成することのできる受動モード同期ファイバ・レーザを提供することが、依然として望ましい。
本発明により、従来技術に残されている必要な課題に取り組む。本発明は、受動モード同期ファイバ・レーザに関し、より具体的には、ファイバ統合カーボン・ナノチューブ可飽和吸収体を利用して、パルス幅が短い、高繰返し周波数のファイバ・レーザを生成するファイバ・レーザに関する。
本発明によれば、サブピコ秒のパルス幅を維持しながら、ほぼ100MHz以上の繰返し周波数を生成する能力は、(1)伝送モードで動作し、リング空胴設計が可能になるファイバベースの可飽和吸収体を利用すること、ならびに(2)利得ファイバおよび残りの空胴ファイバの長さを制御することにより空胴分散を管理することによって得られてきた。さらに、他のいくつかの必要な構成部品(アイソレータ、カプラ)を一体構造のユニットに統合することにより、構成部品間の接続の全長を低減し、それにより、パルス幅に悪影響を及ぼすことなく、さらに空胴長を低減し、繰返し周波数を増大させる。
一実施形態では、本発明のファイバ・レーザは、相対的に高いポンプ吸収、たとえば、ほぼ50dB/mよりも大きいピーク吸収、および相対的に低い分散、たとえば、ほぼ−20ps/nm−kmよりも大きく、ただし対象となるレージング波長範囲で0よりも小さい利得ファイバの分散を示すエルビウムドープ・ファイバ区間などの、希土類ドープ・ファイバ区間を利得媒質として利用する。イッテルビウム(Yb)は、別の適切な希土類ドーパントである。ファイバ・レーザの可飽和吸収体は、希土類ドープ・ファイバの端面に接続された一定区間の非ドープ・ファイバの端面部分上に配置されることが好ましい単層カーボン・ナノチューブ(SWNT)構成として形成される。あるいは、SWNT構成は、希土類ドープ・ファイバの端面に配置することができる。入力/出力カプラおよびアイソレータなど他のファイバ・レーザ構成部品は、単一の構成部品に統合でき、非ドープ・ファイバに結合できることが好ましい。この組合せは、ほぼ+1ps/nm−kmからほぼ+10ps/nm−kmの範囲の、わずかに異常な総合分散を有するレーザ空胴をもたらし、この空胴は、ソリトン発生、および高繰返し周波数におけるサブピコ秒幅のパルスの生成にとって好ましい。
有利には、ファイバ統合SWNT吸収体を使用することにより、光ファイバに入出力結合するためのバルク光学レンズなどの個別の構成部品を、レーザ構造体の内部に組み込む必要がなくなり、このことにより、結合損失および反射の可能性が低減し、重要なことには、レーザ空胴長が著しく低減し、それによりサブピコ秒のパルス幅を実現することができる。さらに、SWNT吸収体は、(反射と比較して)伝送においては容易に動作し、リング空胴設計と互換性がある。このことは、高繰返し周波数の用途にとっては好ましい。しかし、本発明の実施形態は、線形空胴レーザとして形成されてもよい。
本発明の他の実施形態および利点は、以下の議論の過程で、また添付図面を参照することによって明らかになるであろう。
次に各図を参照する。
本発明に従って形成される例示的なファイバ・リング・レーザの図である。 それぞれの実施形態が互いに長さの異なる単一モード・ファイバを有する(したがって、互いに異なる総合的な空胴分散値および繰返し周波数を有する)、図1のレーザの3つの異なる実施形態に対する、モード同期したスペクトルをプロットした図である。 繰返し周波数200MHzでの、本発明のファイバ・リング・レーザからの124fsのパルス出力の自己相関を示す図である。 この場合にはマルチコンポーネント装置を使用して結合機能および隔離機能を実行し、したがって個別のファイバ構成部品の数を低減させ、レーザ空胴をさらに一層短くすることができる、本発明の一代替実施形態を示す図である。 それぞれの実施形態が、互いに長さの異なる単一モード・ファイバまたはドープ利得ファイバ(したがって、互いに異なる総合的な空胴分散値および繰返し周波数)を有する、図4のレーザの3つの異なる実施形態に対する、モード同期したスペクトルをプロットした図である。 415MHzの繰返し周波数に関連する、単一パルス生成を示すパルス列のグラフである。 レーザが繰返し周波数447MHzで動作したときの、測定された自己相関パルス(270fs)を示す図である。 この場合には偏波保持ファイバを備える、本発明のさらに別の実施形態の図である。 様々な長さのエルビウムドープ・ファイバおよび単一モード・ファイバを使用することによって得ることのできる性能の様々な範囲を示し、所望の性能が図中の影のない領域で示してある図である。 利得媒質としてイッテルビウムドープ・ファイバを使用し、また別個のファイバベースの分散補償要素を備える、本発明の別の実施形態を含む図である。 線形空胴レーザ構造体として構成された、本発明のファイバ・レーザを示す図である。
図1は、本発明に従って形成された、例示的な高繰返し超短パルス幅のファイバ・リング・レーザ10を示す。ファイバ・リング・レーザ10は、一定区間の希土類ドープ・ファイバ12を備え、これは、レーザ構造体の増幅素子(この文書内では「利得媒質」または「利得ファイバ」とも呼ばれている)として使用される。利得ファイバ12はドープされて、50dB/mよりも大きいピーク・ポンプ信号吸収を示しているが、許容できる増幅を達成するのに必要となるファイバ長を最小限に抑えるために、80dB/m、150dB/m、またはさらに一層高い値が必要となる。
ポンプ・レーザ14で示した入力ポンプ光の光源は、波長分割多重化装置(WDM)16を介して、利得ファイバ12に結合されている。ポンプ・レーザ14は、利得ファイバ12内で増幅するのに適した波長で、入力光ポンプ信号を供給する。ファイバ・リング・レーザ10の残りの部分は、残りの構成部品との信号経路の入出力接続を提供するのに利用される様々な区間の非ドープ光ファイバ18を備える。一実施形態では、光ファイバ18は、単一モード・ファイバを備えてもよいが、他のタイプのファイバを利用してもよい。この具体的な実施形態では、図に示すように、ファイバ12と18はリング構成で結合されて、環状のレーザ空胴を形成する。
アイソレータ20は、レーザ10に沿って配置されて、反射信号が逆向きに伝搬し、おそらくはポンプ源14に入り、レーザ空胴内に不安定性をもたらすことがないように防止する。アイソレータ20は、直列(すなわち、ファイバベース)のアイソレータ構成を含むことが好ましい。ファイバ・リング・レーザ10とともに偏波制御装置22を使用して、信号伝搬中の偏波回転を防止することにより、生成されるスペクトルバンド幅を最適化してもよい。10%の光タップなどの出力カプラ24を使用して、ファイバ・リング・レーザ10の出力パルス列として循環信号の一部分を取り出す。他の値の出力カプラを使用してもよく、たとえば5%の光タップを使用することができる。
本発明によれば、受動モード同期は、ファイバベースの単層カーボン・ナノチューブ(SWNT)吸収体30をレーザ空胴内に組み込むことによって実現される。図1の具体的な実施形態では、SWNT吸収体30は、単層カーボン・ナノチューブを一定区間の角度のついたファイバ・コネクタの端面に析出することによって形成され、リング・レーザ10のレーザ空胴に容易に接続できる構成で、ファイバ統合されたSWNT吸収体30を生成する。図1の具体的な実施形態では、SWNT吸収体30は、光ファイバ18の各区間の間に形成される。レーザ10へのSWNT吸収体30の接続が、接合点32および34によって示してある。あるいは、SWNT吸収体30は、利得ファイバ12の終端部で形成してもよい。ファイバベースのSWNT吸収体を形成する例示的な方法は、2006年10月27日出願の筆者の同時係属出願「Selective Deposition of Carbon Nanotubes on Optical Fibers」に記載されており、その全体を参照により本明細書に組み込む。高分子薄膜中またはファイバ・テーパの外側にSWNTを埋め込むことなど、ファイバベースのカーボン・ナノチューブ可飽和吸収体を製造する他の方法が実証されてきた。任意の適切な方法を使用して、本発明の構成で使用されるファイバベースのSWNT吸収体を生成してもよいことを理解されたい。
図1を参照すると、吸収体30は、一対の融着接続終端部32および34を備えるものとして示してある。重要なことには、ファイバ統合された構成部品としてSWNT吸収体30を形成することができると、ファイバ・リング・レーザにおいて個別の可飽和吸収体を使用する必要がなくなる。レーザ構造体に反射および損失をもたらす個別の装置が知られているので、これらの装置を排除することにより、多くの用途で必要とされる達成可能な繰返し周波数および最小パルス幅が向上する。
当技術分野で知られているように、多くのエルビウムドープ・ファイバ設計は、正常分散(たとえば、1550nmでほぼ−17ps/nm−kmの値)を示すように構成することができるが、SMFは、この同じ波長で異常分散(ほぼ+17ps/nm−km)を示す。したがって、これらのファイバの長さは、本発明に従って制御されて、所望の量の分散を実現する(すなわち「分散管理」)。具体的には、光ファイバ18の合計の物理長は、様々な要素(たとえば、アイソレータ、カプラ)をともに結合するのに使用される接続の数によって規定される。図1でのクロスハッチのマークは、様々な要素間の接続の位置を示す。各ファイバ接続を生成するには、最小長のファイバが必要とされるので(およそ4〜5cm程度)、複数の接続が必要になることで、結果として光ファイバ18の合計の物理長は相対的に長くならざるを得ず(約1メートル)、そのことは、相対的に短い空胴長を生成する所望の目的に反する。さらに、利得ファイバ12の長さは、まず第1にレージング出力を生成するのに必要となる長さよりも短くすることはできず、やはり広い利得ピーク(すなわち1550nm)で、かつ狭い利得ピーク(すなわち1530nm)ではない状態で確実にレージングが発生するのに十分な長さでなければならない。以下で議論するように、1530nmでの比較的狭い利得ピークが好ましくないのは、利得ピークが狭い結果として、モード同期スペクトルがより狭くなり、したがってパルス幅がより広くなるからである。
図2は、様々な長さの非ドープ光ファイバ18を使用する3つの別々の構成について、図1のファイバ・リング・レーザ10に関連するモード同期スペクトルを示す。これらの測定を実行する際には、利得ファイバ12としてエルビウムドープ・ファイバが使用され、長さが25cmになるように選択された。さらに、ポンプ・レーザ14は、波長が975nmのパルスをエルビウムドープ利得ファイバ12に供給するように構成された。このエルビウム・ファイバは、ピーク・ポンプ吸収がほぼ55dB/mであり、分散が-17ps/nm−kmであった(両方の値とも波長1550nmで測定された)。曲線Iは、長さがもっとも長い光ファイバ18を有する例示的なファイバ・リング・レーザ10に関連する。具体的には、光ファイバ18として長さが25cmの利得ファイバ12および2.3mの単一モード・ファイバを使用して、この構成のレーザは、繰返し周波数81MHzで動作した。光ファイバ18として使用される単一モード・ファイバの長さを短縮することにより、図2の曲線IIで示すように、160MHzの繰返し周波数を達成した。22nmの最大測定スペクトルFWHMは、曲線IIIに示すように、200MHzの繰返し周波数に関連していた。この場合、単一モード光ファイバ18の長さは78cmであった。利得ファイバおよび単一モード・ファイバが示した分散値に照らして、単一モード・ファイバの量が低減されるので、正味の異常分散もまた低減する。図3は、図2の曲線IIIに関連するパルスの自己相関を示し、時間帯域幅積0.34でパルス幅124fsを示す。
構成をさらに簡素化し、発明性のあるファイバ・レーザの空胴長を短縮することができるようになり、さらに高い繰返し周波数を達成した。図4は、本発明に従って形成された例示的なファイバ・リング・レーザ50を示し、これにより、サブピコ秒のパルス幅値を保持しながら400MHzを超える繰返し周波数を達成することができた。図4の構成では、光分離、入力結合および出力結合(以前、図1の実施形態では、それぞれ構成部品20、16および24で示した)の各機能が組み合わされて、これらの機能をすべて実行することのできる、利用可能で多機能な既製の構成部品52になった。単一の多機能構成部品52を使用することにより、必要となるファイバ接続の数が著しく低減し、さらには実現可能な最短空胴長を実現する助けになる。
図1の構成と同様に、ポンプ源54は、この場合には多機能構成部品52を介して、光入力信号をレーザ50に供給する。その後、信号は一定区間の利得ファイバ56、偏波制御装置58、およびSWNT吸収体60を通過する。前述の通り、SWNT吸収体60は、単層カーボン・ナノチューブを光ファイバ18の各区間の対向する端面上に析出することにより形成され、その後、ともに接合されてファイバ統合構成部品を形成する。SWNT吸収体60は、図4に示すように、接続62および64により、ファイバ空胴内で適位置に接合される。
図4の実施形態の一構成では、初期の長さが20cmである、ある長さのエルビウムドープ・ファイバが利得ファイバ56として使用され、空胴の残りの部分は、非ドープ光ファイバ66で形成された。図5は、ファイバ・リング・レーザ50によって生成される、モード同期したスペクトルのプロットを含む。図5に示した別々のトレースは、レーザ空胴内で様々な長さの利得ファイバ56または光ファイバ66を使用することに関連する。図5に曲線Aで示す、この実験においてもっとも長い光ファイバ66は、316MHzのパルス繰返し周波数を生成することが示されたが、これは、複数の構成部品(図1の構成など)を使用することに関連して、200MHzのレベルを超える著しい進歩である。
繰返し周波数を316MHzから415MHzに増大させるために、光ファイバ66の一部分を取り除くことによって空胴長が短縮された。図5の曲線Bは、415MHzの繰返し周波数におけるモード同期したスペクトルを示す。この繰返し周波数における単一のパルス動作は、図6に示す通り、生成されたパルス列によって確認される。
分散管理、さらには、サブピコ秒のパルス幅を維持することにより、このレーザ構造体から光ファイバ66の任意の追加部分を取り除く可能性が本質的に排除される。したがって、繰返し周波数を415MHzから447MHzまでさらに増大させるために、長さが約2cmの一定区間のエルビウムドープ・ファイバ56を取り除いた。この構成におけるモード同期したスペクトルが図5に曲線Cで示してあるが、図5ではまた、この繰返し周波数での10nmの最大FWHM値が示してある。図7は、この繰返し周波数における測定されたパルス自己相関を示しており、パルス幅がおよそ270fs程度であることを示している。
しかし、利得ファイバ56の長さを短縮することにより、図5の曲線C内のスパイクで示すように、エルビウム・ファイバ内の1530nmのピークでレージングを開始することになる。実際には、曲線Dで示すように、利得ファイバ56をさらに2cm除去することで、結果として、モード同期したスペクトルは、1530nmが中心となる(望ましくない、より狭いスペクトル)。したがって、利用可能な出力エネルギーのうちの増加部分は、この比較的低い未使用の波長に存在し、超短パルスの生成を制限することになるので、利得ファイバ56の長さをさらに短縮することは得策ではない。したがって、空胴長をさらに短くするには、現在の市販製品に使用されているドーパント濃度よりも高いドーパント濃度のエルビウム・ファイバを使用することが提案されている。実際には、80dB/m、150dB/m以上のピーク・ポンプ吸収値を生じるより高いドーパント濃度により、大幅に短い空胴長を使用して、(出力パルスをサブピコ秒のパルス幅に保持しながら)400MHzを十分超える繰返し周波数を生成することが可能になる。
図8は、本発明のさらに他の実施形態を示しており、この場合、偏波保持ファイバを使用してレーザ空胴を形成する。実際、空間制限のある用途ではこの実施形態が望ましいことがあり、外部の偏波制御装置(図1および図4の各実施形態で示す)を追加することには問題が多いはずである。図8を参照すると、ポンプ・レーザ源74からのポンプ信号を増幅するための一定区間のエルビウムドープ偏波保持ファイバ72を含む、偏波保持ファイバ・リング・レーザ70が示してある。
マルチコンポーネント要素76(やはり偏波保持用)を使用して、ポンプ信号をファイバ・リング・レーザ70に結合し、分離し、生成パルスを出力結合する。一定区間の偏波保持光ファイバ78を使用して、前述のように、SWNT吸収体80がそれに沿って形成された状態でリング構成を完成する。具体的には、吸収体80は、偏波保持光ファイバ・コネクタ上にSWNTを析出することによって形成され、このように偏波保持吸収体を形成する。この偏波保持ファイバの分散特性は、前述した従来のファイバと同様であり、様々な区間の長さを制御して、所望のわずかに異常な正味分散値を生成する。
エルビウムドープ・ファイバの長さをさらに短縮することで、発振が1530nm(望ましくない出力)まで低減することが分かった。レーザ空胴の分散バランスに悪影響を及ぼすことになるので、長さがより短い非ドープ光ファイバを使用することもできない。450MHzの繰返し周波数では、20cmのエルビウムドープ・ファイバと26cmの非ドープ光ファイバとの組合せにより、ほぼ+2.2ps/nm−kmの総合的な空胴分散が得られる。
ファイバ長に関するこれらの考察は、図9に概略的にまとめてあるが、図9では、本発明のリング・レーザ構造体で使用されているエルビウムドープ・ファイバと非ドープ・ファイバの両方の長さをプロットしている。網掛け領域は、望ましくない動作区域を示す。非ドープ光ファイバの最小長(Lun.minで示す)は、可飽和吸収体、偏波制御装置、アイソレータ、およびカプラといった必要な構成部品を形成するのに必要とされる長さとして定義される。エルビウムドープ・ファイバの最小長(Lg.minで示す)は、長い波長でレージングするための十分な飽和を実現するのに必要とされる長さとして定義される。実現可能なもっとも高い繰返し周波数を実現するために、非ドープ・ファイバの長さとエルビウムドープ・ファイバの長さの総計も、最小限に抑えなければならない。
他の制約条件は、エルビウムドープ・ファイバの分散が、所望の動作平均空胴分散で定義されるラインの傾斜が図9の網掛け領域内に収まるような分散でなければならないということである。具体的には、平均空胴分散Davgは以下の通り定義される。
Figure 2010093246
上式で、DおよびDunは、それぞれ利得ファイバおよび非ドープ・ファイバの分散値であり、LおよびLunは、ファイバのこれら区間の関連する合計物理長である。この状態は、図9の点線で示してある。Dの値が低すぎるまたは高すぎる場合、このラインは、所望の網掛けではない動作領域を横切ることにはならない。モード同期した空胴についての前述の結果から、たとえば+1〜+10ps/nm−kmの領域において、平均空胴分散はわずかに異常でなければならないことが明白である。
前述の通り、エルビウム以外のドーパントを使用して、本発明のファイバ・リング・レーザを生成することが可能である。図10は、具体的な実施形態を示しており、イッテルビウム(Yb)ドープ・ファイバ82は、利得媒質(以下に「Ybドープ利得ファイバ82」と呼ばれている)として使用される。ポンプ源84を使用して、多機能構成部品86を介してYbドープ利得ファイバ82にポンプ信号を導く。イッテルビウム・ドーピングにより、レージング出力における動作波長範囲は、1030〜1100nmになり、入力ポンプ信号は、915nmまたは975nmのいずれかの波長を有することができる。前述のその他の構成のように、各区間の非ドープ光ファイバ88を使用して、ファイバ・リング構造体の残りの要素を形成する。図10を参照すると、SWNT吸収体90が、一定区間の非ドープ光ファイバ88に沿って接続されており(接合部91および93が接続位置を示している)、偏波制御装置92が、非ドープ光ファイバ88の別個の部分に沿って配置されている。
Ybドープ利得ファイバ82および非ドープ光ファイバ88は両方とも、この動作波長範囲で正常分散を示すことになる。したがって、出力のサブピコ秒のパルス幅に対して所望の異常分散をもたらすために、そうでなければ正常分散になるはずの分散を補償するのに十分な異常分散のレベルを示す追加の要素を必要とすることになる(要素94として示す)。たとえば、一定区間の高次モード(HOM)ファイバ、フォトニック結晶ファイバ、またはフォトニック・バンドギャップ・ファイバなどの諸要素が、1μmの波長範囲で異常分散を示すものとして知られている。使用されている具体的な構成部品に応じて、広範囲の異常分散値が利用可能である。たとえば、HOMファイバは、約50ps/nm−kmと高い分散値を示すように構成することができるが、フォトニック・バンドギャップ・ファイバは、ほぼ800ps/nm−km、またはそれよりはるかに高い分散値で形成することができる。
本発明の様々な実装形態はリング・レーザの形態でもよいが、線形レーザ構成が好ましい状況がある。図11は、ファイバ統合SWNT吸収体を利用して受動モード同期を生成するための、本発明に従って形成される例示的な線形ファイバ・レーザ100を示す。図に示すように、ファイバ・レーザ100は、ある長さの非ドープ光ファイバ120に接合された一定区間の希土類ドープ・ファイバ110(「利得ファイバ110」)を備える。入力光ポンプ信号は、ポンプ源130によって供給され、WDM140を介して非ドープ・ファイバ120に結合される。本発明によれば、SWNT吸収体150は、光信号経路に沿って配置され、この場合には非ドープ・ファイバ120の一部分に結合される。前述の各実施形態のように、SWNT吸収体150は、ファイバベースの構成部品であり、SMF120の端面部分に直接融着される。
線形ファイバ・レーザ100は、第1の反射端面160と、対向する第2の反射端面170との間で仕切られた、長さYの空胴によってさらに画定される。第1の端面160は、WDM140を介して伝搬信号を戻して、利得ファイバ110で再度増幅するために、本質的に100%の反射率になるように形成される。第2の端面170は、増幅された出力信号の一部分がレーザ100から抜け出て、残りの部分をレーザ空胴に戻すことを可能にするために、100%をいくぶん下回る反射率(たとえば90%)になるように形成される。前述のリング構成のように、利得ファイバ110および非ドープ・ファイバ120の長さ、ならびに/または利得ファイバ110内でのドーパントの選択および濃度を制御することにより、サブピコ秒のパルス幅に必要とされる所望の異常分散特性が実現する。
要約すれば、本発明に従って形成されるファイバ・レーザは、希土類ドープ利得ファイバおよび非ドープ・ファイバ好ましくは単一モード非ドープ・ファイバとともに使用される、ファイバ統合されたSWNT吸収体および多機能構成部品を備えるように構成された。
当業者なら、本発明の他の様々な修正形態を思いつくであろう。当技術分野がそれらを通して進歩してきた原理およびそれらの均等物を利用する本明細書の具体的な教示および実施形態からのずれはすべて、説明されたまた特許請求の範囲に記載された本発明の範囲内にあると考えられる。

Claims (9)

  1. 長さLと選択された動作波長における知られた分散Dとを有する、一定区間のドープ・ファイバと、
    長さLunと前記動作波長における知られた分散Dunとを有する、一定区間の非ドープ・ファイバとを含み、前記一定区間の非ドープ・ファイバは前記一定区間のドープ・ファイバに結合されてレーザ空胴を形成し、前記一定区間のドープ・ファイバおよび非ドープ・ファイバの前記長さと前記分散とは、前記ファイバ・レーザにおいて約+20ps/nm−km以下の正味の異常分散を生成するように選択され、サブピコ秒のパルス幅および約100MHzを超える繰返し周波数を有する出力パルスを実現するものであり、さらに、
    光ポンプ信号を前記レーザ空胴に導く入力カプラとを含み、前記光ポンプ信号は、前記一定区間のドープ・ファイバにおいて前記選択された動作周波数でレージングを実現し、そして、レージング出力信号を生成するポンプ波長で動作するものであり、さらに、
    前記レーザ空胴に沿って結合されて受動モード同期を生成する、ファイバ統合単層カーボン・ナノチューブ可飽和吸収体と、
    前記ファイバ・レーザから前記レージング出力信号の一部分を取り出す出力カプラと、
    を含む受動モード同期光ファイバ・レーザ。
  2. 前記ファイバ・レーザはファイバ・リング・レーザを含む、請求項1に記載の受動モード同期光ファイバ・レーザ。
  3. 前記ファイバ・リング・レーザは、逆向きに伝搬する反射信号が前記一定区間のドープ・ファイバに再び入らないよう防止する、リング構成に沿って配置された光アイソレータをさらに含む、請求項2に記載の受動モード同期光ファイバ・レーザ。
  4. 前記光アイソレータは、前記入力カプラ内に統合されて単一の多機能構成部品を形成する、請求項3に記載の受動モード同期光ファイバ・リング・レーザ。
  5. 前記レーザは、前記循環するレージング出力信号の偏波モードを維持する、前記リング構成に沿って配置された偏波制御装置をさらに含む、請求項2に記載の受動モード同期光ファイバ・リング・レーザ。
  6. 前記リング・レーザは、サブピコ秒のパルスおよび100MHzを超える繰返し周波数を達成し、前記リング・レーザは、前記入力カプラと、前記出力カプラと、前記光アイソレータとの機能を組み込む多機能構成部品を含むように構成される、請求項3に記載の受動モード同期光ファイバ・リング・レーザ。
  7. 前記一定区間のドープ・ファイバの利得媒質と前記一定区間の非ドープ・ファイバとの前記長さは、ほぼ1550nmの動作波長において約12ps/nm−km未満の、負でない平均分散値を生成するように選択される、請求項1に記載の受動モード同期光ファイバ・レーザ。
  8. 前記一定区間のドープ・ファイバと前記非ドープ・ファイバとの前記長さについての分散の組合せは、約+1ps/nm−kmから約+10ps/nm−kmの範囲内にある、請求項1に記載の受動モード同期光ファイバ・レーザ。
  9. 前記一定区間のドープ・ファイバと前記一定区間の非ドープ・ファイバ、前記入力カプラと出力カプラ、及び前記ファイバ統合単層カーボン・ナノチューブ可飽和吸収体は、すべて偏波保持構成部品として形成される、請求項1に記載の受動モード同期光ファイバ・レーザ。
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