JP2010086826A - 光源装置および表示装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】 より少ないコストおよび回路体積で発光素子群ごとに同じ電流値の電流を制御することができる光源装置および表示装置を提供する。
【解決手段】 光源装置1は、光源駆動回路10および光源素子群17,27,37を含んで構成される。光源駆動回路10は、帰還電圧VFBが基準電圧VREFに等しくなるように出力電圧を制御する電圧変換部11と、第1列目の光源素子群17に直列に接続される抵抗素子15と、第2列目以降の各光源素子群に、第1列目の光源素子群17に流れる電流の電流値と同じ電流値の電流を流すための電流制御部、たとえば電流制御部20,30とを含んで構成される。光源素子群17の電圧降下VF1が、光源素子群27の電圧降下VF2および光源素子群37の電圧降下VF3のうちの最大の電圧降下より大きくなるように、各光源素子群を構成する光源素子16の仕様および数が決定される。
【選択図】 図1
Description
Diode)などによって構成され、印加される電圧が上昇すると、流れる電流が増加し、明るさが増す。
1つの光源素子または直列に接続される複数の光源素子から構成され、前記出力端子に接続される複数の光源素子群と、
前記複数の光源素子群のうちの第1の光源素子群および前記帰還電圧印加端子に接続され、第1の光源素子群から流れ込む電流に応じた第2の基準電圧を生成する電圧生成部と、
前記複数の光源素子群のうち第1の光源素子群を除く残余の第2の光源素子群ごとに設けられ、前記第2の基準電圧に基づいて、各第2の光源素子群の電流を制御する電流制御部とを備え、
第1の光源素子群の電圧降下がいずれの第2の光源素子群の電圧降下より大きいことを特徴とする。
本発明に係る表示装置は、前記光源装置を備えることを特徴とする。
さらに、電圧生成部は、抵抗素子15によって構成されるので、安価で入手が容易な回路素子を用いて電圧生成部を実現することができる。
ので、
さらに、抵抗素子15は、一端が第1列目の光源素子群17に接続され、他端がグランドに接続されるので、電流に応じた電圧を、第1列目の光源素子群17と抵抗素子15との接続点に接続される一端に生じさせることができる。
10,90,101,102 光源駆動回路
11,901 電圧変換部
12,902 入力端子
13,904 出力端子
14,903 帰還電圧印加端子
15,905 抵抗素子(電圧生成部)
16,99 光源素子
17 第1の光源素子群
18 抵抗素子(電圧降下部)
20,30 電流制御部
25,35,151,152 抵抗素子
26,36 NPNトランジスタ
27 第2の光源素子群
28,38 演算増幅器
37 第3の光源素子群
111 制御部
112 スイッチングトランジスタ
113 チョークコイル
114 整流ダイオード
115,116 平滑コンデンサ
311 光源部
312 導光体
313 光拡散体
314 反射体
315 拡散板
316 プリズム
Claims (17)
- 入力端子、出力端子、および帰還電圧印加端子を有し、第1の基準電圧に基づいて前記入力端子から入力される入力電圧を出力電圧に変換し、変換された出力電圧を前記出力端子から出力する電圧変換部と、
1つの光源素子または直列に接続される複数の光源素子から構成され、前記出力端子に接続される複数の光源素子群と、
前記複数の光源素子群のうちの第1の光源素子群および前記帰還電圧印加端子に接続され、前記第1の光源素子群から流れ込む電流に応じた第2の基準電圧を生成する電圧生成部と、
前記複数の光源素子群のうち前記第1の光源素子群を除く残余の第2の光源素子群ごとに設けられ、前記第2の基準電圧に基づいて、各第2の光源素子群の電流を制御する電流制御部とを備え、
前記第1の光源素子群の電圧降下がいずれの第2の光源素子群の電圧降下より大きいことを特徴とする光源装置。 - 前記光源素子は、同じ電流値の電流を流したときの電圧降下の標準値の仕様およびばらつきの範囲の仕様が同じであり、
前記第1の光源素子群に含まれる光源素子の数は、いずれの第2の光源素子群の光源素子の数より多く、かつ各光源素子のばらつきによる第1の光源素子群の電圧降下の最小値が、各光源素子のばらつきによる各第2の光源素子群の電圧降下の最大値のうち最大の電圧降下の値より大きくなる数であることを特徴とする請求項1に記載の光源装置。 - 前記光源素子は、同じ電流値の電流を流したときの電圧降下の標準値の仕様が異なる複数の種類の光源素子を含み、
各光源素子のばらつきによる第1の光源素子群の電圧降下の最小値が、各光源素子のばらつきによる各第2の光源素子群の電圧降下の最大値のうち最大の電圧降下の値より大きくなるように、第1の光源素子群に含める光源素子の種類および第2の光源素子群に含める光源素子の種類が選択されることを特徴とする請求項1に記載の光源装置。 - 前記光源素子は、同じ電流値の電流を流したときの電圧降下が予め実測された光源素子であり、
第1の光源素子群の電圧降下が、各第2の光源素子群の電圧降下のうち最大の電圧降下の値より大きくなるように、前記光源素子の予め実測された電圧降下に基づいて、第1の光源素子群に含める光源素子および第2の光源素子群に含める光源素子が選択されることを特徴とする請求項1に記載の光源装置。 - 前記第1の光源素子群の電圧降下と前記第2の光源素子群の電圧降下のうち最大の電圧降下との差は、最小値であることを特徴とする請求項1から4のいずれか1つに記載の光源装置。
- 前記電流制御部は、コレクタが第2の光源素子群に接続されるNPN型のトランジスタと、
一端が前記トランジスタのエミッタに接続され、他端がグランドに接続される抵抗素子と、
非反転入力が前記第1の光源素子群と前記電圧生成部との接続点に接続され、反転入力が前記トランジスタと前記抵抗素子との接続点に接続され、出力が前記トランジスタのベースに接続される演算増幅器とを含むことを特徴とする請求項1から5のいずれか1つに記載の光源装置。 - 前記電圧変換部は、スイッチング式電圧変換回路からなることを特徴とする請求項1から6のいずれか1つに記載の光源装置。
- 前記電圧生成部は、電流に比例した電圧を生成することを特徴とする請求項1から7のいずれか1つに記載の光源装置。
- 前記電圧生成部は、抵抗素子によって構成されることを特徴とする請求項8に記載の光源装置。
- 前記抵抗素子は、一端が第1の光源素子群に接続され、他端がグランドに接続されることを特徴とする請求項9に記載の光源装置。
- 前記第2の基準電圧は、第1の光源素子群と前記電圧生成部との接続点の電圧であることを特徴とする請求項1から10のいずれか1つに記載の光源装置。
- 前記第1の光源素子群に含まれる光源素子に直列に接続され、その光源素子に流れる電流の電流値に応じた電圧降下を生じる電圧降下部を含むことを特徴とする請求項1から11のいずれか1つに記載の光源装置。
- 前記電圧降下部は、電流に比例して電圧降下することを特徴とする請求項12に記載の光源装置。
- 前記電圧降下部は、抵抗素子によって構成されることを特徴とする請求項13に記載の光源装置。
- 前記電圧生成部は、直列に接続される2つの第2の抵抗素子によって構成され、
前記第2の基準電圧は、前記2つの抵抗素子の接続点の電圧であることを特徴とする請求項1から10のいずれか1つに記載の光源装置。 - 前記光源素子は、発光ダイオードであることを特徴とする請求項1から15のいずれか1つに記載の光源装置。
- 請求項1から16のいずれか1つに記載の光源装置を備えることを特徴とする表示装置。
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