JP2010085675A - Image display device and method for driving the same - Google Patents

Image display device and method for driving the same Download PDF

Info

Publication number
JP2010085675A
JP2010085675A JP2008254191A JP2008254191A JP2010085675A JP 2010085675 A JP2010085675 A JP 2010085675A JP 2008254191 A JP2008254191 A JP 2008254191A JP 2008254191 A JP2008254191 A JP 2008254191A JP 2010085675 A JP2010085675 A JP 2010085675A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
terminal
line
voltage
image signal
electrode
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2008254191A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP5449733B2 (en
Inventor
Kohei Ebino
浩平 戎野
Chikatomo Takasugi
親知 高杉
Ryosuke Tani
領介 谷
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Kyocera Corp
Original Assignee
Kyocera Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Kyocera Corp filed Critical Kyocera Corp
Priority to JP2008254191A priority Critical patent/JP5449733B2/en
Publication of JP2010085675A publication Critical patent/JP2010085675A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP5449733B2 publication Critical patent/JP5449733B2/en
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02BCLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES RELATED TO BUILDINGS, e.g. HOUSING, HOUSE APPLIANCES OR RELATED END-USER APPLICATIONS
    • Y02B20/00Energy efficient lighting technologies, e.g. halogen lamps or gas discharge lamps
    • Y02B20/30Semiconductor lamps, e.g. solid state lamps [SSL] light emitting diodes [LED] or organic LED [OLED]

Landscapes

  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Control Of Indicators Other Than Cathode Ray Tubes (AREA)
  • Control Of El Displays (AREA)

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a common-cathode, sequential light-emitting image display device improving write efficiency, and a method for driving the image display device. <P>SOLUTION: Each pixel circuit includes: a light-emitting element OLED; a driving transistor T<SB>d</SB>for controlling a current flowing between a second terminal t12 and a third terminal t13 according to a potential difference between a first terminal t11 and the third terminal t13 connected to an anode of the light-emitting element OLED; a first capacitor element C<SB>s1</SB>for holding a threshold voltage of the driving transistor T<SB>d</SB>, a V<SB>DD</SB>line connected to the second terminal t12 and connected to a plurality of pixel circuit lines in common; and a second capacitor element C<SB>s2</SB>for holding an image signal voltage. A voltage difference between the first terminal t11 and the third terminal t13 becomes equal to the voltage obtained by combining voltages held in the first capacitor element C<SB>s1</SB>and the second capacitor element C<SB>s2</SB>during the light-emitting period of the light-emitting element OLED, and a current flows from the V<SB>DD</SB>line to the light-emitting element OLED through the driving transistor T<SB>d</SB>. <P>COPYRIGHT: (C)2010,JPO&INPIT

Description

本発明は、有機ELディスプレイ等の画像表示装置及び画像表示装置の駆動方法に関する。   The present invention relates to an image display device such as an organic EL display and a driving method of the image display device.

発光層に注入された正孔と電子とが再結合することにより発光する有機EL(Electro Luminescence)素子を用いた画像表示装置が提案されている。かかる画像表示装置として、例えば、アモルファスシリコンや多結晶シリコン等で形成される薄膜トランジスタ(Thin Film Transistor;以下「TFT」という)を含む画素回路と、有機発光ダイオード(Organic Light Emitting Diode)等で形成される有機EL素子とで1つの画素を構成したものが知られている(例えば、特許文献1参照)。なお、この特許文献1に記載の画像表示装置は、有機EL素子を駆動する駆動トランジスタと、駆動トランジスタの閾値電圧を保持する第1容量素子と、画像信号電圧を保持する第2容量素子と、を備えている。   An image display device using an organic EL (Electro Luminescence) element that emits light by recombination of holes and electrons injected into a light emitting layer has been proposed. As such an image display device, for example, a pixel circuit including a thin film transistor (hereinafter referred to as “TFT”) formed of amorphous silicon, polycrystalline silicon, or the like, an organic light emitting diode, or the like is formed. An organic EL element that forms one pixel is known (for example, see Patent Document 1). The image display device described in Patent Document 1 includes a drive transistor that drives an organic EL element, a first capacitor element that holds a threshold voltage of the drive transistor, a second capacitor element that holds an image signal voltage, It has.

また、特許文献1に記載の画像表示装置は、有機EL素子のアノード電極と駆動トランジスタのソースとが接続され、有機EL素子のカソード電極が複数の画素で共通となるコモンカソード型の構造となっている。また、かかる画像表示装置は、マトリックス状に配列された画素がライン毎に順次発光する順次発光構造となっている。   The image display device described in Patent Document 1 has a common cathode type structure in which an anode electrode of an organic EL element and a source of a driving transistor are connected, and a cathode electrode of the organic EL element is common to a plurality of pixels. ing. Such an image display device has a sequential light emitting structure in which pixels arranged in a matrix form sequentially emit light for each line.

特開2005−99715号公報JP 2005-99715 A

ところで、特許文献1に記載の画像表示装置では、データ書き込み電圧を第2容量素子に蓄積する際に、第1容量素子と第2容量素子とが電気的に直列接続されるため、第1と第2の容量素子に電圧を書き込むための書き込み効率は小さなものとなる。具体的には、第1と第2の容量素子の容量を夫々Cs1、Cs2とすると、書き込み効率はCs1/(Cs1+Cs2)となり非効率的である。 By the way, in the image display device described in Patent Document 1, when the data write voltage is stored in the second capacitor element, the first capacitor element and the second capacitor element are electrically connected in series. Write efficiency for writing voltage to the second capacitor element is small. Specifically, if the capacities of the first and second capacitive elements are C s1 and C s2 , respectively, the write efficiency is C s1 / (C s1 + C s2 ), which is inefficient.

本発明は、上記に鑑みてなされたものであって、書き込み効率を向上させることが可能な、コモンカソード型であって順次発光型の画像表示装置及び駆動方法を提供することを目的とする。   The present invention has been made in view of the above, and it is an object of the present invention to provide a common cathode type and sequentially light emitting type image display apparatus and driving method capable of improving writing efficiency.

本発明の一実施形態に係る画像表示装置は、複数の画素回路を有した画像表示装置であって、前記複数の画素回路のそれぞれは、アノード電極と、前記複数の画素回路にて共通に接続されるカソード電極とを有した発光素子と、第1端子と、第2端子と、前記アノード電極と接続される第3端子とを有し、前記第1端子と前記第3端子との電位差に応じて当該第2端子と前記第3端子との間に流れる電流量を制御するドライバ素子と、第1電極と、前記第1端子に接続される第2電極とを有し、前記ドライバ素子の閾値電圧に対応する電圧を保持する第1容量素子と、前記第2端子と接続され、且つ前記複数の画素回路のライン毎に共通に接続される電源線と、一端が前記第1電極と接続され、他端が前記アノード電極に接続されるとともに、前記発光素子の発光輝度に対応する画像信号電圧を保持する第2容量素子と、を備え、前記発光素子の発光期間中に、前記第1端子と前記第3端子との間の電圧差が、前記第1容量素子が保持する前記電圧と前記第2容量素子が保持する前記画像信号電圧とを合わせた大きさとなり、前記電源線から前記ドライバ素子を介して前記発光素子に電流が流れることを特徴とする。
また、本発明の一実施形態に係る画像表示装置では、前記第2容量素子が、前記発光素子の発光期間中に前記第1容量素子の前記第1電極と、前記ドライバ素子の前記第3端子との間に接続されることを特徴とする。
また、本発明の一実施形態に係る画像表示装置では、前記第2容量素子に画像信号電圧を供給する画像信号線をさらに備え、前記画像信号線は、スイッチング素子を介して電気的に前記第1容量素子の前記第1電極及び前記第2容量素子の前記一端と接続され、前記画像信号線が前記第2容量素子に画像信号電圧を供給している際に、前記第1容量素子が前記ドライバ素子と前記画像信号線との間に接続された状態となることを特徴とする。
また、本発明の一実施形態に係る画像表示装置では、前記電源線と前記第1容量素子の前記第1電極との間に接続される電圧印加素子をさらに備え、前記電圧印加素子は、前記ドライバ素子の前記閾値電圧を検出している際に、前記第1容量素子が前記ドライバ素子と前記電源線との間に接続された状態となることを特徴とする。
An image display device according to an embodiment of the present invention is an image display device having a plurality of pixel circuits, and each of the plurality of pixel circuits is commonly connected to an anode electrode and the plurality of pixel circuits. A light emitting device having a cathode electrode, a first terminal, a second terminal, and a third terminal connected to the anode electrode, wherein the potential difference between the first terminal and the third terminal is And a driver element that controls the amount of current flowing between the second terminal and the third terminal, a first electrode, and a second electrode connected to the first terminal, A first capacitor that holds a voltage corresponding to a threshold voltage; a power supply line connected to the second terminal and commonly connected to each line of the plurality of pixel circuits; and one end connected to the first electrode. And the other end is connected to the anode electrode A second capacitive element that holds an image signal voltage corresponding to the light emission luminance of the light emitting element, and during the light emission period of the light emitting element, the voltage difference between the first terminal and the third terminal is: The voltage held by the first capacitive element and the image signal voltage held by the second capacitive element are combined, and current flows from the power line to the light emitting element through the driver element. Features.
In the image display device according to the embodiment of the invention, the second capacitor element includes the first electrode of the first capacitor element and the third terminal of the driver element during the light emission period of the light emitting element. It is characterized by being connected between.
The image display apparatus according to an embodiment of the present invention further includes an image signal line that supplies an image signal voltage to the second capacitor element, and the image signal line is electrically connected to the second capacitor element via a switching element. When the image signal line is connected to the first electrode of one capacitive element and the one end of the second capacitive element, and the image signal line supplies an image signal voltage to the second capacitive element, the first capacitive element is The driver element is connected to the image signal line.
The image display device according to an embodiment of the present invention further includes a voltage applying element connected between the power supply line and the first electrode of the first capacitive element, and the voltage applying element includes: When the threshold voltage of the driver element is detected, the first capacitor element is connected between the driver element and the power supply line.

また、本発明の一実施形態に係る画像表示装置の駆動方法は、マトリックス状に配列される複数の画素回路を有し、各画素回路に、アノード電極と、前記複数の画素回路にて共通に接続されるカソード電極とを有した発光素子と、第1端子と、第2端子と、前記アノード電極と接続される第3端子とを有し、前記第1端子と前記第3端子との電位差に応じて当該第2端子と前記第3端子との間に流れる電流量を制御するドライバ素子と、第1電極と、前記第1端子に接続される第2電極とを有する第1容量素子と、一端が前記第1電極と接続され、他端が前記アノード電極と接続される第2容量素子と、を備える画像表示装置の駆動方法であって、前記複数の画素回路のライン毎に、前記ドライバ素子の閾値電圧を検出して前記閾値電圧に対応する電圧を前記第1容量素子に保持させる閾値電圧検出工程と、前記発光素子の発光輝度に対応する画像信号電圧を前記第2容量素子に保持させる書き込み工程と、前記第1容量素子と前記第2容量素子とを電気的に直列接続して、前記第1容量素子に保持された前記閾値電圧に対応する電圧と前記第2容量素子に保持された前記画像信号電圧との電圧を加算し、当該加算電圧を前記ドライバ素子の前記第1端子と前記第3端子との間に印加することにより、前記発光素子を発光させる発光工程と、を含むことを特徴とする。
また、本発明の一実施形態に係る画像表示装置の駆動方法では、前記第2端子に接続され、且つ前記複数の画素回路のライン毎に共通接続される電源線を更に備え、前記発光工程では、前記電源線を介して前記複数の画素回路のライン毎に電圧を印加し、該電圧が印加されるライン毎に前記発光素子を発光させることを特徴とする。
また、本発明の一実施形態に係る画像表示装置の駆動方法では、前記発光素子は、前記アノード電極側から前記カソード電極側に電流が流れることで発光し、前記カソード電極側から前記アノード電極側には電流が流れず、電荷が蓄積され、前記閾値電圧検出工程の後で且つ前記書き込み工程の前に、前記発光素子に蓄積された電荷を放電させる発光素子初期化工程をさらに含むことを特徴とする。
In addition, a driving method of an image display device according to an embodiment of the present invention includes a plurality of pixel circuits arranged in a matrix, and each pixel circuit has a common anode electrode and the plurality of pixel circuits. A light emitting element having a cathode electrode to be connected, a first terminal, a second terminal, and a third terminal connected to the anode electrode, wherein the potential difference between the first terminal and the third terminal And a first capacitive element having a driver element that controls the amount of current flowing between the second terminal and the third terminal, a first electrode, and a second electrode connected to the first terminal; A second capacitance element having one end connected to the first electrode and the other end connected to the anode electrode, the driving method for an image display device comprising: The threshold voltage of the driver element is detected and is compared with the threshold voltage. A threshold voltage detecting step of holding the voltage to be held in the first capacitor element, a writing step of holding the image signal voltage corresponding to the light emission luminance of the light emitting element in the second capacitor element, the first capacitor element and the first capacitor element. Two capacitive elements are electrically connected in series, and the voltage corresponding to the threshold voltage held in the first capacitive element and the voltage of the image signal voltage held in the second capacitive element are added, A light emitting step of causing the light emitting element to emit light by applying the added voltage between the first terminal and the third terminal of the driver element.
The image display device driving method according to an embodiment of the present invention further includes a power supply line connected to the second terminal and commonly connected to each line of the plurality of pixel circuits. A voltage is applied to each line of the plurality of pixel circuits through the power line, and the light emitting element is caused to emit light for each line to which the voltage is applied.
In the image display apparatus driving method according to an embodiment of the present invention, the light emitting element emits light when current flows from the anode electrode side to the cathode electrode side, and the cathode electrode side to the anode electrode side. Includes a step of initializing a light emitting element that discharges the charge accumulated in the light emitting element after the threshold voltage detecting step and before the writing step. And

本発明によれば、書き込み効率を向上させることが可能な、コモンカソード型であって順次発光型の画像表示装置及び駆動方法を提供することができる。   According to the present invention, it is possible to provide a common cathode type and sequentially light emitting type image display apparatus and driving method capable of improving writing efficiency.

以下、本発明の好適な実施の形態に係る画像表示装置を図面に基づいて詳細に説明する。なお、以下の各実施形態によって本発明が限定されるものではない。   Hereinafter, an image display device according to a preferred embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. The present invention is not limited to the following embodiments.

まず、以下の各実施形態で用いる用語等について説明する。「電気的に接続される」という文言は、一方の部材と他方の部材とが配線等を介して常に導電可能に接続されている態様、及び一方の部材と他方の部材とが、導電性を有する配線等だけでなく、その他の部材によって間接的に接続されている態様の双方を含む意味で用いる。つまり、「電気的に接続される」という文言は、他の部材の状態(例えば、トランジスタのソースとドレインとの間で電流が流れ得る導電状態)に応じて、一方の部材と他方の部材とが配線及びその他の部材によって導電可能に接続される態様を含む意味で用いる。   First, terms used in the following embodiments will be described. The term “electrically connected” means that one member and the other member are always connected in a conductive manner via wiring or the like, and that one member and the other member are electrically conductive. It is used in the meaning including not only the wiring etc. which have but the aspect indirectly connected by the other member. In other words, the term “electrically connected” means that one member and the other member are different depending on the state of another member (for example, a conductive state in which a current can flow between the source and the drain of the transistor). Is used in the meaning including a mode in which the wiring is conductively connected by wiring and other members.

また、「ゲート・ソース間電圧」とは、トランジスタのソースに対してゲートに印加される電圧のことを言い、適宜「Vgs」と表記する。 The “gate-source voltage” means a voltage applied to the gate with respect to the source of the transistor and is appropriately expressed as “V gs ”.

また、「閾値電圧」とは、トランジスタがオフ状態(所謂ドレイン電流が流れない状態)からオン状態(ドレイン電流が流れる状態)に移り変わるときの、境界となるゲート・ソース間電圧のことを意味する。   The “threshold voltage” means a gate-source voltage that becomes a boundary when a transistor changes from an off state (a state where a drain current does not flow) to an on state (a state where a drain current flows). .

[第1の実施形態]
図1は、第1の実施形態に係る画像表示装置100の構成を模式的に示した図である。同図に示したように、画像表示装置100は、後述する画素回路10がマトリクス状(二次元平面的)に配列された表示パネル20と、制御回路31と、電源制御回路32と、制御線駆動回路33と、画像信号線駆動回路34とを備えている。なお、図2では、m列n行分の画素回路10がマトリクス状に配列された例を示している。
[First Embodiment]
FIG. 1 is a diagram schematically illustrating a configuration of an image display apparatus 100 according to the first embodiment. As shown in the figure, the image display device 100 includes a display panel 20 in which pixel circuits 10 to be described later are arranged in a matrix (two-dimensional plane), a control circuit 31, a power supply control circuit 32, and control lines. A drive circuit 33 and an image signal line drive circuit 34 are provided. FIG. 2 shows an example in which pixel circuits 10 for m columns and n rows are arranged in a matrix.

表示パネル20には、画面水平方向(図中行方向)にVDD線21、Tth制御線23、Trst制御線24、走査線25が配設されている。また、画面垂直方向(図中列方向)には、画像信号線26が配設されている。ここで、VDD線21は、電源制御回路32と電気的に接続されており、Tth制御線23、Trst制御線24及び走査線25は、制御線駆動回路33と電気的に接続されている。また、画像信号線26は、画像信号線駆動回路34と電気的に接続されている。なお、図示していないが表示パネル20のグランドとなるGND線22が、画素回路10の夫々に接続されているものとする。 The display panel 20 is provided with a V DD line 21, a T th control line 23, a T rst control line 24, and a scanning line 25 in the horizontal direction of the screen (the row direction in the figure). An image signal line 26 is arranged in the vertical direction of the screen (column direction in the figure). Here, the V DD line 21 is electrically connected to the power supply control circuit 32, and the T th control line 23, the T rst control line 24, and the scanning line 25 are electrically connected to the control line drive circuit 33. ing. The image signal line 26 is electrically connected to the image signal line driving circuit 34. Although not shown, it is assumed that the GND line 22 serving as the ground of the display panel 20 is connected to each of the pixel circuits 10.

制御回路31は、例えば演算回路、論理回路などを内部に含む駆動用ICやカウンタなどの制御機器を用いて構成することができ、入力された画像データや、当該画像データを表示パネル20に表示させるための電源(VgL、VgH、VDD、−Vp、Vdata等)を、電源制御回路32、制御線駆動回路33及び画像信号線駆動回路34から供給するタイミングを制御する。 The control circuit 31 can be configured using a control device such as a driving IC or counter that includes an arithmetic circuit, a logic circuit, and the like, for example, and displays input image data and the image data on the display panel 20. The timing for supplying power (V gL , V gH , V DD , −V p , V data, etc.) to be supplied from the power control circuit 32, the control line drive circuit 33 and the image signal line drive circuit 34 is controlled.

電源制御回路32は、例えばスイッチング素子などを内部に含む駆動用ICなどを用いて構成することができる。電源制御回路32は、制御回路31から入力されるクロック信号に基づき、自己の内部で生成した電力(電位)をVDD線21に印加するタイミングを制御する。 The power supply control circuit 32 can be configured using, for example, a driving IC that includes a switching element and the like. The power supply control circuit 32 controls the timing of applying the power (potential) generated inside itself to the V DD line 21 based on the clock signal input from the control circuit 31.

制御線駆動回路33は、例えばスイッチング素子などを内部に含む駆動用ICなどを用いて構成することができる。制御線駆動回路33は、制御回路31から入力されるクロック信号に基づき、自己の内部で生成した各種制御信号をTth制御線23、Trst制御線24、走査線25に印加するタイミングを制御する。 The control line drive circuit 33 can be configured using, for example, a drive IC that includes a switching element and the like. The control line drive circuit 33 controls the timing of applying various control signals generated therein to the T th control line 23, the T rst control line 24, and the scanning line 25 based on the clock signal input from the control circuit 31. To do.

画像信号線駆動回路34は、例えば演算回路などを内部に含む駆動用ICなどを用いて構成することができる。画像信号線駆動回路34は、制御回路31から入力される画像信号に基づき、当該画像信号に対応する電圧(以下、画像信号電圧と言う)を生成するとともに、制御回路31から入力されるクロック信号に基づき、生成した画像信号電圧を画像信号線26に供給するタイミングを制御する。   The image signal line driving circuit 34 can be configured by using, for example, a driving IC that includes an arithmetic circuit and the like. The image signal line drive circuit 34 generates a voltage corresponding to the image signal (hereinafter referred to as an image signal voltage) based on the image signal input from the control circuit 31, and a clock signal input from the control circuit 31. Based on the above, the timing for supplying the generated image signal voltage to the image signal line 26 is controlled.

なお、図1の構成において、VDD線21、Tth制御線23、Trst制御線24、走査線25及び画像信号線26、ならびに制御回路31、電源制御回路32、制御線駆動回路33及び画像信号線駆動回路34に関するレイアウトは、その一例を示すものであり、これらのレイアウトに限られるものではない。例えば、図1では、制御回路31、電源制御回路32、制御線駆動回路33及び画像信号線駆動回路34を表示パネル20の外部に配置しているが、これらの回路の何れか又は全てを表示パネル20の内部に配置する形態としてもよい。 1, the V DD line 21, the T th control line 23, the T rst control line 24, the scanning line 25 and the image signal line 26, the control circuit 31, the power supply control circuit 32, the control line drive circuit 33, and The layout relating to the image signal line driving circuit 34 is an example, and is not limited to these layouts. For example, in FIG. 1, the control circuit 31, the power supply control circuit 32, the control line drive circuit 33, and the image signal line drive circuit 34 are arranged outside the display panel 20, but any or all of these circuits are displayed. It is good also as a form arrange | positioned inside the panel 20. FIG.

<画素回路の構成>
図2は、図1に示した画素回路10(1画素)の構成の一例を示した図である。同図に示したように、画素回路10は、発光素子である有機EL素子OLEDと、有機EL素子OLEDを駆動するためのドライバ素子である駆動トランジスタTdと、駆動トランジスタTdの閾値電圧を検出する際に用いられる閾値電圧検出素子である閾値電圧検出用トランジスタTthと、第1容量素子Cs1への電圧印加を制御する電圧印加素子としてのリセット用トランジスタTrstと、スイッチング素子としてのスイッチングトランジスタTsと、第1容量素子として閾値電圧を保持する第1容量素子Cs1と、第2容量素子として画像信号電圧を保持する第2容量素子Cs2とを備える。なお、有機EL素子OLEDは、逆電圧印加時にコンデンサとして機能するため、図2ではこれを有機EL素子容量Coledとして等価的に表している。
<Configuration of pixel circuit>
FIG. 2 is a diagram showing an example of the configuration of the pixel circuit 10 (one pixel) shown in FIG. As shown in the figure, the pixel circuit 10 includes an organic EL element OLED that is a light emitting element, a drive transistor Td that is a driver element for driving the organic EL element OLED, and a threshold voltage of the drive transistor Td. A threshold voltage detection transistor T th that is a threshold voltage detection element used in detection, a reset transistor T rst as a voltage application element that controls voltage application to the first capacitor element C s1 , and a switching element The switching transistor T s includes a first capacitive element C s1 that holds a threshold voltage as a first capacitive element, and a second capacitive element C s2 that holds an image signal voltage as a second capacitive element. Since the organic EL element OLED functions as a capacitor when a reverse voltage is applied, this is equivalently represented as an organic EL element capacitance C oled in FIG.

駆動トランジスタTdは、第1端子t11、第2端子t12及び第3端子t13を有している。第1端子t11は、第1容量素子Cs1の電極1bと電気的に接続されている。また、第2端子t12は、VDD線21と電気的に接続されており第3端子t13は、有機EL素子OLEDのアノード電極と電気的に接続されている。ここで、第1端子t11はゲート電極(ゲート)に対応し、第2端子t12及び第3端子t13のうち何れか一方がドレイン電極(ドレイン)に、他方がソース電極(ソース)に対応する。なお、第2端子t12と第3端子t13との相対的な電位関係は、後述する各制御期間に応じて変動する。また、「ドレイン」及び「ソース」は、トランジスタの導電型及び相対的な電位関係によって定義される。 The drive transistor Td has a first terminal t11, a second terminal t12, and a third terminal t13. The first terminal t11 is electrically connected to the electrode 1b of the first capacitor element C s1 . The second terminal t12 is electrically connected to the V DD line 21, and the third terminal t13 is electrically connected to the anode electrode of the organic EL element OLED. Here, the first terminal t11 corresponds to a gate electrode (gate), one of the second terminal t12 and the third terminal t13 corresponds to a drain electrode (drain), and the other corresponds to a source electrode (source). Note that the relative potential relationship between the second terminal t12 and the third terminal t13 varies according to each control period described later. “Drain” and “source” are defined by the conductivity type and relative potential relationship of the transistor.

本実施形態で使用するn型のトランジスタにおいては、チャネル領域を挟んで配置された2つの端子(すわなち、第2端子t12と第3端子t13)のうち、高電位側の端子が「ドレイン」となり、低電位側の端子が「ソース」となる。また、p型のトランジスタにおいては、チャネル領域を挟んで配置された2つの端子のうち、低電位側の端子が「ドレイン」となり、高電位側の端子が「ソース」となる。   In the n-type transistor used in this embodiment, of the two terminals (that is, the second terminal t12 and the third terminal t13) arranged with the channel region interposed therebetween, the terminal on the high potential side is “drain”. ”And the terminal on the low potential side becomes“ source ”. Further, in a p-type transistor, of two terminals arranged with a channel region interposed therebetween, a low potential side terminal is a “drain” and a high potential side terminal is a “source”.

駆動トランジスタTdでは、第1端子t11に印加される電位、より詳細にはソースに対してゲートに印加される電圧値(ゲート・ソース間電圧)が調整されることで、ドレインとソースとの間に流れる電流量が調整される。そして、この第1端子t11に印加される電位により、ドレインとソースとの間において電流が流れ得る状態(オン状態)と、電流が流れ得ない状態(オフ状態)とが選択的に設定される。 In the driving transistor Td , the potential applied to the first terminal t11, more specifically, the voltage value applied to the gate with respect to the source (gate-source voltage) is adjusted, so that the drain and the source The amount of current flowing between them is adjusted. A state in which current can flow between the drain and source (on state) and a state in which current cannot flow (off state) are selectively set by the potential applied to the first terminal t11. .

有機EL素子OLEDは、アノード電極とカソード電極との間に有機EL素子OLEDの導通電圧以上の電位差が生じることにより、アノード電極とカソード電極との間の発光体層に電流が流れ、該発光体層が発光する。具体的に、アノード電極としては、アルミニウム、銀、銅又は金等の金属或いはこれらの合金等を用いることができる。また、カソード電極としては、インジウム錫酸化膜(ITO)等の光透過性を有する導電材料、マグネシウム、銀、アルミニウム、カルシウム等の材料等を用いることができる。なお、発光体層は、該発光体層に注入された正孔と電子とが再結合することによって光を生じる。   In the organic EL element OLED, when a potential difference equal to or higher than the conduction voltage of the organic EL element OLED is generated between the anode electrode and the cathode electrode, a current flows through the light emitter layer between the anode electrode and the cathode electrode, and the light emitter The layer emits light. Specifically, a metal such as aluminum, silver, copper, or gold, or an alloy thereof can be used as the anode electrode. As the cathode electrode, a light-transmitting conductive material such as indium tin oxide film (ITO), a material such as magnesium, silver, aluminum, or calcium can be used. Note that the light emitter layer generates light by recombination of holes and electrons injected into the light emitter layer.

また、本実施形態においては、コモンカソード型の画像表示装置である。つまり、画素回路上に、アノード電極、発光体層さらにカソード電極を順に形成した構造であって、且つカソード電極は全ての画素にて共通の電極である。カソード電極が共通電極であるコモンカソード型の画像表示装置であっては、コモンアノード型の画像表示装置に比べて、上部電極であるカソード電極を画素ごとに分断するための分断技術を使用せずに済むために、製造工程を単純化することができる。   In the present embodiment, the image display device is a common cathode type. That is, an anode electrode, a light emitting layer, and a cathode electrode are sequentially formed on the pixel circuit, and the cathode electrode is an electrode common to all pixels. The common cathode type image display device in which the cathode electrode is a common electrode does not use a cutting technique for dividing the cathode electrode that is the upper electrode for each pixel as compared with the common anode type image display device. Therefore, the manufacturing process can be simplified.

発光体層としては、例えば、(ポリ)フルオレン誘導体(PF)、(ポリ)パラフェニレンビニレン誘導体(PPV)、ポリフェニレン誘導体(PP)、ポリパラフィニレン誘導体(PPP)、ポリビニルカルバゾール(PVK)、ポリチオフェン誘導体、ポリメチルフェニルシラン(PMPS)等のポリシラン系等を用いることができる。また、発光体層としては、これらの材料に、ペリレン系色素、クマリン系色素又はローダミン系色素等の高分子材料、ルブレン、ペリレン、テトラフェニルブタジエン、キナクリドン又はナイルレッド等の低分子材料が添加されたものを用いることができる。   Examples of the phosphor layer include (poly) fluorene derivative (PF), (poly) paraphenylene vinylene derivative (PPV), polyphenylene derivative (PP), polyparafinylene derivative (PPP), polyvinyl carbazole (PVK), and polythiophene derivative. Polysilanes such as polymethylphenylsilane (PMPS) can be used. For the phosphor layer, a high molecular material such as a perylene dye, a coumarin dye or a rhodamine dye, or a low molecular material such as rubrene, perylene, tetraphenylbutadiene, quinacridone or Nile red is added to these materials. Can be used.

有機EL素子OLEDのアノード電極は、駆動トランジスタTdの第3端子t13と電気的に接続され、カソード電極はGND線22と電気的に接続されている。なお、本実施形態で用いる画素回路10では、有機EL素子OLEDのカソード電極が、画像表示装置を構成する全ての画素で共通となるコモンカソード型となっている。 The anode electrode of the organic EL element OLED is electrically connected to the third terminal t13 of the drive transistor Td , and the cathode electrode is electrically connected to the GND line 22. In the pixel circuit 10 used in the present embodiment, the cathode electrode of the organic EL element OLED is a common cathode type common to all the pixels constituting the image display device.

閾値電圧検出用トランジスタTthは、第1端子t21、第2端子t22及び第3端子t23を有している。第1端子t21は、Tth制御線23と電気的に接続されている。第2端子t22は、駆動トランジスタTdの第1端子t11と第1容量素子Cs1の電極1bとを電気的に接続する配線に対して導電可能に接続されている。また、第3端子t23は、駆動トランジスタTdの第3端子t13と有機EL素子OLEDのアノード電極とを電気的に接続する配線に対して導電可能に接続されている。ここで、第1端子t21がゲート電極に対応し、第2端子t22及び第3端子t23の何れか一方がソース電極に、他方がドレイン電極に夫々対応する。なお、第2端子t22と第3端子t23との相対的な電位関係は、駆動トランジスタTdと同様、後述する各制御期間に応じて変動する。 The threshold voltage detection transistor T th has a first terminal t21, a second terminal t22, and a third terminal t23. The first terminal t21 is electrically connected to the T th control line 23. The second terminal t22 is conductively connected to a wiring that electrically connects the first terminal t11 of the driving transistor Td and the electrode 1b of the first capacitor element Cs1 . The third terminal t23 is electrically connected to a wiring that electrically connects the third terminal t13 of the driving transistor Td and the anode electrode of the organic EL element OLED. Here, the first terminal t21 corresponds to the gate electrode, one of the second terminal t22 and the third terminal t23 corresponds to the source electrode, and the other corresponds to the drain electrode. Note that the relative potential relationship between the second terminal t22 and the third terminal t23 varies according to each control period to be described later, like the drive transistor Td .

閾値電圧検出用トランジスタTthでは、第1端子t21に印加される電位、より詳細にはソースに対してゲートに印加される電圧値(ゲート・ソース間電圧)が調整されることで、ドレインとソースとの間に流れる電流量が調整される。そして、この第1端子t21に印加される電位により、ドレインとソースとの間において電流が流れ得る状態(オン状態)と、電流が流れ得ない状態(オフ状態)とが選択的に設定される。 In the threshold voltage detection transistor T th , the potential applied to the first terminal t21, more specifically, the voltage value (gate-source voltage) applied to the gate with respect to the source is adjusted, so that the drain and The amount of current flowing between the source and the source is adjusted. The potential applied to the first terminal t21 selectively sets a state where current can flow between the drain and source (on state) and a state where current cannot flow (off state). .

また、閾値電圧検出用トランジスタTthは、自身がオン状態となったときに、駆動トランジスタTdのゲートとドレインとを電気的に接続することができる。そして、駆動トランジスタTdのゲート・ソース間電圧が駆動トランジスタTdの閾値電圧Vthとなるまで、駆動トランジスタTdのゲートからドレインに向かって電流が流れる。その結果、駆動トランジスタTdの閾値電圧Vthが検出される。 Further, the threshold voltage detection transistor T th can electrically connect the gate and the drain of the drive transistor T d when it is turned on. Then, until the gate-source voltage of the driving transistor T d is the threshold voltage V th of the driving transistor T d, a current flows to the drain from the gate of the driving transistor T d. As a result, the threshold voltage V th of the drive transistor T d is detected.

つまり、閾値電圧検出用トランジスタTthは、有機EL素子OLEDの発光前において画素毎に駆動トランジスタTdのゲート・ソース間電圧を閾値電圧Vthに基づいて設定することで、駆動トランジスタTdにおける閾値電圧Vthのばらつきを補償するVth補償機能を実現するために設けられている。なお、駆動トランジスタTdのゲート・ソース間電圧が閾値電圧Vthとなったとき、駆動トランジスタTdには電流が流れなくなるので、このときのゲート・ソース間電圧、即ちVthが第1容量素子Cs1に印加される。 That is, the threshold voltage detecting transistor T th, by setting based on a gate-source voltage of the driving transistor T d for each pixel in the previous emission of the organic EL element OLED to the threshold voltage V th, the driving transistor T d It is provided to realize a V th compensation function that compensates for variations in the threshold voltage V th . Note that when the gate-source voltage of the drive transistor T d becomes the threshold voltage V th , no current flows through the drive transistor T d , so that the gate-source voltage at this time, that is, V th is the first capacitance. Applied to element C s1 .

リセット用トランジスタTrstは、第1端子t31、第2端子t32及び第3端子t33を有している。第1端子t31は、Trst制御線24と電気的に接続されており、第2端子t32は、VDD線21と電気的に接続されている。また、第3端子t33は、スイッチングトランジスタTsの第3端子t43と、第1容量素子Cs1の電極1aとを電気的に接続する配線に対して導電可能に接続されている。なお、第1端子t31はゲート電極に対応し、第2端子t32はドレイン電極に対応し、第3端子t33はソース電極に対応する。 Reset transistor T rst has a first terminal t31, and a second terminal t32 and the third terminal t33. The first terminal t31 is T rst control line 24 is electrically connected to the second terminal t32 is electrically connected to the V DD line 21. The third terminal t33 is conductively connected to a wiring that electrically connects the third terminal t43 of the switching transistor T s and the electrode 1a of the first capacitor element C s1 . The first terminal t31 corresponds to the gate electrode, the second terminal t32 corresponds to the drain electrode, and the third terminal t33 corresponds to the source electrode.

リセット用トランジスタTrstでは、第1端子t31に印加される電位、より詳細には第1端子t31と第3端子t33との間に印加される電圧値(ゲート・ソース間電圧)が調整されることで、ドレインとソースとの間に流れる電流量が調整される。そして、この第1端子t31に印加される電位により、ドレインとソースとの間において電流が流れ得る状態(オン状態)と、電流が流れ得ない状態(オフ状態)とが選択的に設定される。 In the reset transistor T rst , the potential applied to the first terminal t31, more specifically, the voltage value (gate-source voltage) applied between the first terminal t31 and the third terminal t33 is adjusted. Thus, the amount of current flowing between the drain and the source is adjusted. Then, a state in which current can flow between the drain and source (on state) and a state in which current cannot flow (off state) are selectively set by the potential applied to the first terminal t31. .

また、リセット用トランジスタTrstは、自身がオン状態のときに、第1容量素子Cs1の電極1aに所定の電位を印加することで、ひいては第1容量素子Cs1に閾値電圧が印加される。 In addition, the reset transistor T rst applies a predetermined potential to the electrode 1a of the first capacitor element C s1 when the transistor T rst is turned on, so that a threshold voltage is applied to the first capacitor element C s1. .

スイッチングトランジスタTsは、第1端子t41、第2端子t42及び第3端子t43を有している。第1端子t41は、走査線25と電気的に接続されており、第2端子t42は、画像信号線26と電気的に接続されている。また、第3端子t43は、リセット用トランジスタTrstの第3端子t33と、第1容量素子Cs1の電極1aとを電気的に接続する配線に対して導電可能に接続されている。なお、第1端子t41はゲート電極に対応し、第2端子t42はドレイン電極に対応し、第3端子t43はソース電極に対応する。 The switching transistor T s has a first terminal t41, a second terminal t42, and a third terminal t43. The first terminal t41 is electrically connected to the scanning line 25, and the second terminal t42 is electrically connected to the image signal line 26. The third terminal t43 is conductively connected to a wiring that electrically connects the third terminal t33 of the reset transistor T rst and the electrode 1a of the first capacitor element C s1 . The first terminal t41 corresponds to the gate electrode, the second terminal t42 corresponds to the drain electrode, and the third terminal t43 corresponds to the source electrode.

スイッチングトランジスタTsでは、第1端子t41に印加される電位、より詳細には第1端子t41と第3端子t43との間に印加される電圧値(ゲート・ソース間電圧)が調整されることで、ドレインとソースとの間に流れる電流量が調整される。そして、この第1端子t41に印加される電位により、ドレインとソースとの間において電流が流れ得る状態(オン状態)と、電流が流れ得ない状態(オフ状態)とが選択的に設定される。 In the switching transistor T s , the potential applied to the first terminal t41, more specifically, the voltage value (gate-source voltage) applied between the first terminal t41 and the third terminal t43 is adjusted. Thus, the amount of current flowing between the drain and the source is adjusted. A state in which current can flow between the drain and source (on state) and a state in which current cannot flow (off state) are selectively set by the potential applied to the first terminal t41. .

また、スイッチングトランジスタTsは、自身がオン状態となるとともに画像信号線26に画像信号電圧が供給されたときに、第2容量素子Cs2に画像信号電圧が印加される。 Further, when the switching transistor T s is turned on and an image signal voltage is supplied to the image signal line 26, the image signal voltage is applied to the second capacitor element C s2 .

第1容量素子Cs1は、後述するVth検出期間時に駆動トランジスタTdの閾値電圧Vthに対応する電荷量を保持する機能を有する。なお、第1容量素子Cs1の一方の電極1aは、スイッチングトランジスタTsの第3端子t43と電気的に接続されている。また、他方の電極1bは、駆動トランジスタTdの第1端子t11(ゲート)と電気的に接続されている。 The first capacitor element C s1 has a function of holding a charge amount corresponding to the threshold voltage V th of the drive transistor T d during a V th detection period described later. Note that one electrode 1a of the first capacitor element C s1 is electrically connected to the third terminal t43 of the switching transistor T s . The other electrode 1b is electrically connected to the first terminal t11 (gate) of the drive transistor Td .

第2容量素子Cs2は、後述する書き込み期間時に画像信号電圧に応じた電荷量を保持する機能を有する。なお、第2容量素子Cs2の一方の電極2aは、スイッチングトランジスタTsの第3端子t43と、第1容量素子Cs1の電極1aとを電気的に接続する配線に対して導電可能に接続されている。また、他方の電極2bは、駆動トランジスタTdの第3端子t13と有機EL素子OLEDのアノード電極とを電気的に接続する配線に対して導電可能に接続されている。 The second capacitor element C s2 has a function of holding a charge amount corresponding to the image signal voltage during a writing period to be described later. Note that one electrode 2a of the second capacitive element C s2 is conductively connected to a wiring that electrically connects the third terminal t43 of the switching transistor T s and the electrode 1a of the first capacitive element C s1. Has been. The other electrode 2b is connected to a wiring that electrically connects the third terminal t13 of the drive transistor Td and the anode electrode of the organic EL element OLED so as to be conductive.

上述した駆動トランジスタTd、閾値電圧検出用トランジスタTth、リセット用トランジスタTrst及びスイッチングトランジスタTsは、例えばTFTによって構成される。なお、以下で参照する各図面においては、TFTのチャネルについて、そのタイプ(n型又はp型)を明示していないが、n型又はp型の何れかであり、本実施形態では、n型のTFTを用いるものとする。 The drive transistor T d , threshold voltage detection transistor T th , reset transistor T rst, and switching transistor T s described above are configured by, for example, TFTs. In each drawing referred to below, the type (n-type or p-type) of the TFT channel is not clearly shown, but it is either n-type or p-type. In this embodiment, the n-type is used. This TFT is used.

<画素回路の動作>
つぎに、図3〜図9を参照して、画素回路10の動作について説明する。なお、以下に説明する画素回路10の動作は、図1に示した駆動制御部(制御回路31、電源制御回路32、制御線駆動回路33及び画像信号線駆動回路34)の制御により実現されるものである。また、図3〜図9において、電流が流れない部分は点線で示している。
<Operation of pixel circuit>
Next, the operation of the pixel circuit 10 will be described with reference to FIGS. Note that the operation of the pixel circuit 10 described below is realized by the control of the drive control unit (the control circuit 31, the power supply control circuit 32, the control line drive circuit 33, and the image signal line drive circuit 34) illustrated in FIG. Is. In FIGS. 3 to 9, portions where no current flows are indicated by dotted lines.

図3は、画素回路10の駆動方法を説明するためのタイミングチャートであって、有機EL素子OLEDを順次発光方式で発光させる際の信号波形(駆動波形)を示している。ここで、順次発光方式とは、各画素回路に対するフレーム毎の画像信号電圧の書き込み制御及び各画素回路の発光制御を、同一の制御線又は電源線に共通に接続された画素回路のグループ毎(例えば一行毎、一列毎等)に順次行う方式である。なお、本実施形態では、図1に示した表示パネル20の一行毎に書き込み制御、発光制御が行われるものとする。   FIG. 3 is a timing chart for explaining a driving method of the pixel circuit 10 and shows a signal waveform (driving waveform) when the organic EL element OLED emits light sequentially by the light emission method. Here, the sequential light emission method refers to writing control of an image signal voltage for each pixel circuit for each frame and light emission control of each pixel circuit for each group of pixel circuits commonly connected to the same control line or power supply line ( (For example, every row, every column, etc.) In the present embodiment, it is assumed that writing control and light emission control are performed for each row of the display panel 20 shown in FIG.

また、図3において“n行目”及び“n+1行目”は、図1に示した表示パネル20での行番号を示している。これら行毎のシーケンスでは、発光停止期間、リセット期間、Vth検出期間、OLED初期化期間、書き込み期間及び発光期間の6つの制御期間を1サイクルとする行毎のサイクルが時間的にずれているが、1サイクルの期間内における各画素回路群の動作は各行で同一である。したがって、以下の説明では、第n行の画素回路群に着目し、その動作を説明する。なお、全画素回路に共通のGND線22は常にゼロ電位(0V)であるため説明を適宜省略する。 In FIG. 3, “nth row” and “n + 1th row” indicate row numbers on the display panel 20 shown in FIG. In the sequence for each row, the cycle for each row in which the six control periods of the light emission stop period, the reset period, the V th detection period, the OLED initialization period, the writing period, and the light emission period are one cycle is shifted in time. However, the operation of each pixel circuit group in the period of one cycle is the same in each row. Therefore, in the following description, the operation will be described focusing on the pixel circuit group in the nth row. Note that the GND line 22 common to all the pixel circuits is always at zero potential (0 V), and thus description thereof is omitted as appropriate.

<発光停止期間>
図4は、発光停止期間時における画素回路10の動作状態を示した図である。発光停止期間では、図3に示したように、VDD線21がゼロ電位(0V)、Tth制御線23が低電位(VgL)、Trst制御線24が低電位(VgL)、走査線25が低電位(VgL)、画像信号線26がゼロ電位(0V)とされる。この制御により、図4に示したように、閾値電圧検出用トランジスタTthがオフ、リセット用トランジスタTrstがオフ、スイッチングトランジスタTsがオフとされる。
<Light emission stop period>
FIG. 4 is a diagram illustrating an operation state of the pixel circuit 10 during the light emission stop period. In the light emission stop period, as shown in FIG. 3, the V DD line 21 is zero potential (0 V), the T th control line 23 is low potential (V gL ), the T rst control line 24 is low potential (V gL ), The scanning line 25 is set to a low potential (V gL ), and the image signal line 26 is set to a zero potential (0 V). By this control, as shown in FIG. 4, the threshold voltage detection transistor T th is turned off, the reset transistor T rst is turned off, and the switching transistor T s is turned off.

DD線21がゼロ電位となると、有機EL素子OLEDのアノード電位は有機EL素子OLEDの導通電圧近傍の正の値をとる。このとき、第1容量素子Cs1には、前フレームについてのVth検出期間により、駆動トランジスタTdの閾値電圧Vth分の電荷が蓄積されている。また、第2容量素子Cs2には、前フレームについての書き込み期間により画像信号電圧Vdata’の電荷が蓄積されている。そのため、駆動トランジスタTdの第1端子t11に印加される電位(ゲート電圧)はVth+Vdata’となる。ここで、0階調時の画像信号電圧が0Vとすると、ゲート・ソース間電圧は閾値電圧Vth以上となるため、駆動トランジスタTdはオンとなる。 When the V DD line 21 becomes zero potential, the anode potential of the organic EL element OLED takes a positive value near the conduction voltage of the organic EL element OLED. At this time, charges corresponding to the threshold voltage V th of the drive transistor T d are accumulated in the first capacitor element C s1 during the V th detection period for the previous frame. In addition, the charge of the image signal voltage V data ′ is accumulated in the second capacitor element C s2 during the writing period for the previous frame. Therefore, the potential (gate voltage) applied to the first terminal t11 of the drive transistor Td is V th + V data ′. Here, if the image signal voltage at the 0th gradation is 0V, the gate-source voltage is equal to or higher than the threshold voltage Vth, and thus the drive transistor Td is turned on.

また、駆動トランジスタTdの第2端子t12は、有機EL素子OLEDのアノードに接続された第3端子t13よりも低電位となるので、第2端子t12がソースとなり、第3端子t13がドレインとなる。このとき、駆動トランジスタTdのゲート・ソース間電圧は、少なくとも閾値電圧Vth以上となるため、有機EL素子容量ColedからVDD線21に向かって電流が流れ、有機EL素子OLEDのアノード電位は略0Vとなる。これにより、有機EL素子OLEDの発光が停止する。 Further, since the second terminal t12 of the driving transistor Td has a lower potential than the third terminal t13 connected to the anode of the organic EL element OLED, the second terminal t12 serves as the source, and the third terminal t13 serves as the drain. Become. At this time, since the gate-source voltage of the drive transistor T d is at least the threshold voltage V th or more, a current flows from the organic EL element capacitance C oled toward the V DD line 21, and the anode potential of the organic EL element OLED Becomes approximately 0V. Thereby, light emission of organic EL element OLED stops.

<リセット期間>
図5は、リセット期間時における画素回路10の動作状態を示した図である。リセット期間では、図3に示したように、Tth制御線23及びTrst制御線24が高電位(VgH)とされ、VDD線21のゼロ電位(VgH)、走査線25の低電位(VgL)、画像信号線26のゼロ電位(0V)が維持される。この制御により、図5に示したように、閾値電圧検出用トランジスタTthがオン、リセット用トランジスタTrstがオンとされる。
<Reset period>
FIG. 5 is a diagram illustrating an operation state of the pixel circuit 10 during the reset period. In the reset period, as shown in FIG. 3, the T th control line 23 and the T rst control line 24 are set to a high potential (V gH ), the zero potential (V gH ) of the V DD line 21, and the low level of the scanning line 25. The potential (V gL ) and the zero potential (0 V) of the image signal line 26 are maintained. By this control, as shown in FIG. 5, the threshold voltage detection transistor T th is turned on and the reset transistor T rst is turned on.

閾値電圧検出用トランジスタTth及びリセット用トランジスタTrstのオンにより、前フレームの発光制御で第1容量素子Cs1に蓄積されていた閾値電圧Vth分の電荷と、第2容量素子Cs2に蓄積されていた画像信号電圧Vdata’分の電荷と、有機EL素子容量Coledに蓄積されていた電荷とが合わさる。このとき、第1容量素子Cs1の容量及び第2容量素子Cs2の容量に比べ、有機EL素子容量Coledの容量が非常に大きいとすると、電荷を合わせた後の電位は、電荷を合わせる前の有機EL素子OLEDのアノード電位である略0Vになる。 By turning on the threshold voltage detection transistor T th and the reset transistor T rst , charges corresponding to the threshold voltage V th accumulated in the first capacitor element C s1 in the light emission control of the previous frame and the second capacitor element C s2 are applied. The charge corresponding to the stored image signal voltage V data ′ and the charge stored in the organic EL element capacitance C oled are combined. At this time, if the capacitance of the organic EL element capacitance C oled is very large compared to the capacitance of the first capacitance element C s1 and the capacitance of the second capacitance element C s2 , the electric potential after the combination of the charges matches the charge. The anode potential of the previous organic EL element OLED becomes approximately 0V.

なお、本実施形態では、VDD線21及びGND線22におけるゼロ電位を0Vとしているが、第1容量素子Cs1に蓄えられる電圧をオフセットする電圧(=電源線の基準電位)であればよく、これに限定されるものではない。また、画像信号線26の電位をゼロ電位としているが、これは画像信号が0階調のときの輝度を規定するための電位、即ち、画像信号線26の基準電位であればよく、これに限定されるものではない。 In the present embodiment, the zero potential in the V DD line 21 and the GND line 22 is set to 0 V, but any voltage that offsets the voltage stored in the first capacitor element C s1 (= the reference potential of the power supply line) may be used. However, the present invention is not limited to this. Further, the potential of the image signal line 26 is set to zero potential, but this may be a potential for defining luminance when the image signal has 0 gradation, that is, a reference potential of the image signal line 26. It is not limited.

<Vth検出期間>
図6は、Vth検出期間時における画素回路10の動作状態を示した図である。Vth検出期間では、図3に示したように、VDD線21が低電位(−Vp)とされ、Tth制御線23の高電位(VgH)、Trst制御線24の高電位(VgH)、走査線25の低電位(VgL)、画像信号線26のゼロ電位(0V)が維持される。
<V th detection period>
FIG. 6 is a diagram illustrating an operation state of the pixel circuit 10 during the V th detection period. In the V th detection period, as shown in FIG. 3, the V DD line 21 is set to a low potential (−V p ), the T th control line 23 has a high potential (V gH ), and the T rst control line 24 has a high potential. (V gH ), the low potential (V gL ) of the scanning line 25, and the zero potential (0 V) of the image signal line 26 are maintained.

DD線21が−Vpとなると、駆動トランジスタTdのゲート電位が“−Vp+Vth”に達するまで、有機EL素子容量Coled、第1容量素子Cs1及び第2容量素子Cs2に蓄積された電荷が放電され、駆動トランジスタTd→VDD線21という経路で電流が流れる。そして、駆動トランジスタTdのゲート電位が“−Vp+Vth”に達すると、駆動トランジスタTdはオフ状態となり、第1容量素子Cs1には、閾値電圧Vthに応じた電荷が蓄積された状態となる。このように、Vth検出期間では、駆動トランジスタTdの閾値電圧Vthに応じた電荷が第1容量素子Cs1に蓄積されることで、画素毎に異なる閾値電圧Vthのばらつきが補償される。 When the V DD line 21 becomes −V p , the organic EL element capacitance C oled , the first capacitance element C s1, and the second capacitance element C s2 until the gate potential of the drive transistor T d reaches “−V p + V th ”. The electric charge accumulated in is discharged, and a current flows through the path of the drive transistor T d → V DD line 21. When the gate potential of the driving transistor T d reaches "-V p + V th", the driving transistor T d is turned off, the first capacitor element C s1, charge corresponding to the threshold voltage V th is accumulated It becomes a state. As described above, in the V th detection period, charges corresponding to the threshold voltage V th of the drive transistor T d are accumulated in the first capacitor element C s1 , thereby compensating for variations in the threshold voltage V th that are different for each pixel. The

また、このVth検出期間において、第1容量素子Cs1の電極1aは、リセット用トランジスタTrstを介してVDD線21に接続されるので、第1容量素子Cs1が駆動トランジスタTdの第1端子とVDD線21との間に接続された状態となる。このとき、駆動トランジスタTdの第1端子t11から見た第1容量素子Cs1は、駆動トランジスタTdの第1端子t11と画像信号線26との間に存在する寄生容量に対して十分大きい。つまり、画像信号線26の寄生容量による電位変動が小さい構成とすることができる。この結果、他のラインの画像信号電圧の書き込みを行っている画像信号線の電位変動が画素回路に与える影響を抑制することが出来、第1容量素子Cs1による閾値電圧Vthの検出動作が安定するため、Vth補償精度をより向上させることができる。 Further, in the V th detection period, the electrodes 1a of the first capacitive element C s1, so are connected to the V DD line 21 through the reset transistor T rst, first capacitive element C s1 is the driving transistor T d The connection is established between the first terminal and the V DD line 21. At this time, the first capacitive element C s1 viewed from first terminal t11 of the driving transistor T d is sufficiently larger than the parasitic capacitance between the first terminal t11 and the image signal line 26 of the driving transistor T d . That is, a configuration in which the potential variation due to the parasitic capacitance of the image signal line 26 is small can be achieved. As a result, the influence of the potential fluctuation of the image signal line on which the image signal voltage of another line is written on the pixel circuit can be suppressed, and the detection operation of the threshold voltage V th by the first capacitor element C s1 can be performed. Therefore, the Vth compensation accuracy can be further improved.

また、駆動トランジスタの閾値電圧Vthの検出時に、VDD線21と駆動トランジスタTdの第1端子t11との間に第1容量素子Cs1が接続された構成となるので、駆動トランジスタTdの寄生容量の影響を低減することができる。つまり、駆動トランジスタTdの寄生容量による電位変動が小さくすることができ、前フレームの画像信号電圧の影響を抑制することができる。 Further, upon detection of the threshold voltage V th of the driving transistor, since a configuration in which the first capacitive element C s1 is connected between the V DD line 21 and the first terminal t11 of the driving transistor T d, the driving transistor T d The influence of parasitic capacitance can be reduced. That is, the potential fluctuation due to the parasitic capacitance of the drive transistor Td can be reduced, and the influence of the image signal voltage of the previous frame can be suppressed.

ところで、駆動トランジスタTdがオフ状態となると、有機EL素子OLEDのアノード電位は、−Vp+Vthとなるが、この電位が有機EL素子OLEDの閾値を超えないようVpを調整することで、Vthが大きくなった場合でもVth検出動作を行うことができる。なお、Vth検出を行うためには、Vth検出開始時における駆動トランジスタTdのゲート・ソース間電圧が閾値電圧Vthよりも大きいことが必要である。つまり、Vth検出開始時の駆動トランジスタTdの第1端子t11の電位と、VDD線21に印加される電位との差が閾値電圧Vthよりも大きくなければならない。リセット期間終了時の有機EL素子OLEDのアノード電位は、上述したように略0Vとなっている。この状態からVDD線21を−Vpにすると、有機EL素子OLEDのアノード電極側に対し、VDD線の方が低電位となるので、OLEDのアノード電極と接続されている駆動トランジスタTdの端子がドレイン、VDD線と接続されている駆動トランジスタTdの端子がソースとなる。この時、駆動トランジスタTdのゲート・ソース間電圧Vgsは、Vgs=0−(−Vp)=Vpとなる。これが閾値電圧Vthよりも大きい値でなければならないので、Vp>Vthであることが必要である。 By the way, when the drive transistor T d is turned off, the anode potential of the organic EL element OLED becomes −V p + V th , but by adjusting V p so that this potential does not exceed the threshold value of the organic EL element OLED. Even when V th increases, the V th detection operation can be performed. In order to perform V th detection, it is necessary that the gate-source voltage of the drive transistor T d at the start of V th detection is greater than the threshold voltage V th . That is, the difference between the potential of the first terminal t11 of the driving transistor Td at the start of Vth detection and the potential applied to the V DD line 21 must be larger than the threshold voltage Vth . The anode potential of the organic EL element OLED at the end of the reset period is substantially 0 V as described above. In this state, when the V DD line 21 is set to −V p , the V DD line has a lower potential than the anode electrode side of the organic EL element OLED. Therefore, the drive transistor T d connected to the anode electrode of the OLED. Is the drain, and the terminal of the drive transistor Td connected to the V DD line is the source. At this time, the gate-source voltage V gs of the drive transistor T d is V gs = 0 − (− V p ) = V p . Since this must be larger than the threshold voltage V th, it is necessary that V p> V th.

<OLED初期化期間>
図7は、OLED初期化期間時における画素回路10の動作状態を示した図である。OLED初期化期間では、図3に示したように、Tth制御線23が低電位(VgL)とされた後、所定のタイミングでVDD線21がゼロ電位(0V)とされる。なお、Trst制御線24の高電位(VgH)、走査線25の低電位(VgL)、画像信号線26のゼロ電位(0V)は維持される。この制御により、図7に示したように、閾値電圧検出用トランジスタTthがオフとされる。
<OLED initialization period>
FIG. 7 is a diagram illustrating an operation state of the pixel circuit 10 during the OLED initialization period. In the OLED initialization period, as shown in FIG. 3, after the T th control line 23 is set to a low potential (V gL ), the V DD line 21 is set to a zero potential (0 V) at a predetermined timing. The high potential (V gH ) of the Trst control line 24, the low potential (V gL ) of the scanning line 25, and the zero potential (0 V) of the image signal line 26 are maintained. By this control, as shown in FIG. 7, the threshold voltage detection transistor T th is turned off.

th制御線23が低電位となり、VDD線21がゼロ電位(0V)となると、駆動トランジスタTdの第1端子t11には、第1容量素子Cs1により閾値電圧Vthが印加され、駆動トランジスタTdはオンとなる。このとき、駆動トランジスタTdの第2端子t12の電位は、第3端子t13の電位よりこ高電位となる。そのため、このOLED初期化期間においては、第2端子t12がドレインは、第3端子t13がソースとなる。これにより、VDD線21から有機EL素子容量Coled及び第2容量素子Cs2に電流が流れるため、有機EL素子容量Coledの両端電位は0Vとなり、第2容量素子Cs2の両端電位も0Vとなる。つまり、有機EL素子OLEDのアノード電位は0Vとなる。 When the T th control line 23 becomes low potential and the V DD line 21 becomes zero potential (0 V), the threshold voltage V th is applied to the first terminal t11 of the drive transistor T d by the first capacitive element C s1 , The drive transistor Td is turned on. At this time, the potential of the second terminal t12 of the driving transistor Td is higher than the potential of the third terminal t13. Therefore, in this OLED initialization period, the second terminal t12 serves as a drain and the third terminal t13 serves as a source. As a result, current flows from the V DD line 21 to the organic EL element capacitance C oled and the second capacitance element C s2 , so that the potential across the organic EL element capacitance C oled becomes 0 V, and the potential across the second capacitance element C s2 is also 0V. That is, the anode potential of the organic EL element OLED is 0V.

<書き込み期間>
図8は、書き込み期間時における画素回路10の動作状態を示した図である。書き込み期間では、図3に示したように、Trst制御線24が低電位(VgL)とされた後、表示対象となるフレームの画像信号に応じた画像信号電圧Vdataが画像信号線26に所定の期間供給される。また、画像信号電圧Vdataの供給タイミングと同期して、走査線25の電位が高電位(VgH)とされる。なお、VDD線21のゼロ電位(0V)、Tth制御線23の低電位(VgL)は維持される。この制御により、図8に示したように、リセット用トランジスタTrstがオフとされ、画像信号電圧Vdataが供給される間、スイッチングトランジスタTsがオンとされる。
<Writing period>
FIG. 8 is a diagram illustrating an operation state of the pixel circuit 10 during the writing period. In the writing period, as shown in FIG. 3, after the T rst control line 24 is set to a low potential (V gL ), the image signal voltage V data corresponding to the image signal of the frame to be displayed is the image signal line 26. Are supplied for a predetermined period. Further, the potential of the scanning line 25 is set to a high potential (V gH ) in synchronization with the supply timing of the image signal voltage V data . Note that the zero potential (0 V) of the V DD line 21 and the low potential (V gL ) of the T th control line 23 are maintained. By this control, as shown in FIG. 8, the reset transistor T rst is turned off, and the switching transistor T s is turned on while the image signal voltage V data is supplied.

rst制御線24がVgL、走査線25がVgHとなると、駆動トランジスタTdの第3端子t13の電位は、第2端子t12の電位よりも高電位となる。そのため、この書き込み期間においては、第2端子t12がソース、第3端子t13がドレインとなる。これにより、画像信号線26から供給されるVdataに応じた電流は、スイッチングトランジスタTs→第2容量素子Cs2→駆動トランジスタTd→VDD線21という経路で流れる。この結果、第2容量素子Cs2には画像信号線26の画像信号電圧Vdataと、有機EL素子OLEDのアノード電位0Vとの差であるVdata分の電荷が蓄積される。 When the Trst control line 24 becomes V gL and the scanning line 25 becomes V gH , the potential of the third terminal t13 of the driving transistor Td becomes higher than the potential of the second terminal t12. Therefore, in this writing period, the second terminal t12 is a source and the third terminal t13 is a drain. A current according to V data supplied from the image signal line 26, flows through a path of the switching transistor T s → second capacitor element C s2 → driving transistor T d → V DD line 21. As a result, the second capacitor element C s2 accumulates charges corresponding to V data that is the difference between the image signal voltage V data of the image signal line 26 and the anode potential 0 V of the organic EL element OLED.

また、このときの駆動トランジスタTdの第1端子t11(ゲート)と、第2端子t12(ソース)との電位差、つまりゲート・ソース間電圧は、第1容量素子Cs1に蓄積されている電位差と、第2容量素子Cs2に蓄積されている電位差との和になる。第1容量素子Cs1に蓄えられている電位差はVthであるので、駆動トランジスタTdのゲート・ソース間電圧Vgsは、Vgs=Vth+Vdataとなる。 Further, the potential difference between the first terminal t11 (gate) and the second terminal t12 (source) of the drive transistor Td at this time, that is, the gate-source voltage is the potential difference accumulated in the first capacitor element Cs1 . And the potential difference accumulated in the second capacitor element C s2 . Since the potential difference stored in the first capacitor element C s1 is V th , the gate-source voltage V gs of the drive transistor T d is V gs = V th + V data .

本実施形態の構成では、前段のOLED初期化期間において、有機EL素子OLEDのアノード電位を0Vに保つことができるため、第2容量素子Cs2に書込まれる画像信号電圧にかかわらず有機EL素子OLEDのアノード電位は変動せず、比較的高い電圧を第2容量素子Cs2に書き込んだ場合であっても、階調特性が非線形となることを抑制することができる。 In the configuration of the present embodiment, since the anode potential of the organic EL element OLED can be kept at 0 V in the preceding OLED initialization period, the organic EL element regardless of the image signal voltage written to the second capacitor element C s2 The anode potential of the OLED does not fluctuate, and even when a relatively high voltage is written in the second capacitor element C s2 , it is possible to suppress the gradation characteristics from becoming nonlinear.

<発光期間>
図9は、発光期間時における画素回路10の動作状態を示した図である。発光期間では、図3に示したように、VDD線21の電位が高電位(VDD)とされ、Tth制御線23の低電位(VgL)、Trst制御線24の低電位(VgL)、走査線25の低電位(VgL)、画像信号線26のゼロ電位(0V)が維持される。
<Light emission period>
FIG. 9 is a diagram illustrating an operation state of the pixel circuit 10 during the light emission period. In the light emission period, as shown in FIG. 3, the potential of the V DD line 21 is set to a high potential (V DD ), the low potential of the T th control line 23 (V gL ), and the low potential of the T rst control line 24 ( V gL), a low potential (V gL scan lines 25), the zero potential of the image signal line 26 (0V) is maintained.

DD線21が高電位となると、駆動トランジスタTdの第2端子t12の電位が、第3端子t13の電位よりも高電位となる。そのため、この発光期間においては、第2端子t12がドレイン、第3端子t13がソースとなる。これにより、閾値電圧Vthを保持する第1容量素子Cs1と、画像信号電圧Vdataを保持する第2容量素子Cs2とが直列に接続され、駆動トランジスタTdのゲート・ソース間電圧Vgsは、Vgs=Vth+Vdataとなる。この結果、駆動トランジスタTdはオン状態となり、VDD線21→駆動トランジスタTd→有機EL素子OLED→GND線22という経路でVdataに応じた電流が流れ、有機EL素子OLEDが発光する。 When the V DD line 21 becomes a high potential, the potential of the second terminal t12 of the drive transistor Td becomes higher than the potential of the third terminal t13. Therefore, in this light emission period, the second terminal t12 serves as a drain and the third terminal t13 serves as a source. As a result, the first capacitor element C s1 that holds the threshold voltage V th and the second capacitor element C s2 that holds the image signal voltage V data are connected in series, and the gate-source voltage V of the drive transistor T d. gs is V gs = V th + V data . As a result, the drive transistor T d is turned on, a current corresponding to V data flows through a path of V DD line 21 → drive transistor T d → organic EL element OLED → GND line 22, and the organic EL element OLED emits light.

このとき、有機EL素子OLEDの発光時、駆動トランジスタTdの第3端子t13(ソース)の電位は、有機EL素子OLEDのアノード電位と同値となるため、データの書き込み期間の電位から変動することになる。その際、駆動トランジスタTdのゲートは、第1容量素子Cs1と第2容量素子Cs2とを介して有機EL素子OLEDのアノード側と接続されているため、ゲート電位は有機EL素子OLEDのアノード側の電位の変動に追従して変動する。従って、ゲート電圧はデータ書き込み期間での値、即ち、Vth+Vdataを保つ。 At this time, when the organic EL element OLED emits light, the potential of the third terminal t13 (source) of the drive transistor Td becomes the same value as the anode potential of the organic EL element OLED, and thus varies from the potential of the data writing period. become. At this time, since the gate of the drive transistor Td is connected to the anode side of the organic EL element OLED via the first capacitor element Cs1 and the second capacitor element Cs2 , the gate potential is the same as that of the organic EL element OLED. It fluctuates following the fluctuation of the potential on the anode side. Therefore, the gate voltage keeps the value in the data writing period, that is, V th + V data .

<書き込み効率について>
上述したように、Vth検出期間では、第1容量素子Cs1に駆動トランジスタTdの閾値電圧Vthに相当する電圧が印加されて保持される。そして、書き込み期間では、画像信号線26から供給される画像信号が第2容量素子Cs2のみに印加されて保持される。また発光期間では、第1容量素子Cs1に保持された閾値電圧と第2容量素子Cs2に保持された画像信号電圧との加算電圧が駆動トランジスタTdに印加されるので、書き込み効率は理論的に“1”となる。つまり、本実施形態に係る画像表示装置であっては、書き込み効率が、理論的に100%となる。
<About writing efficiency>
As described above, in the V th detection period, a voltage corresponding to the threshold voltage V th of the drive transistor T d is applied to and held in the first capacitor element C s1 . In the writing period, the image signal supplied from the image signal line 26 is applied and held only to the second capacitor element C s2 . In addition, during the light emission period, an addition voltage of the threshold voltage held in the first capacitor element C s1 and the image signal voltage held in the second capacitor element C s2 is applied to the drive transistor T d , so that the writing efficiency is theoretically Therefore, it becomes “1”. That is, in the image display device according to the present embodiment, the writing efficiency is theoretically 100%.

以上のように、本実施形態の画像表示装置100によれば、駆動トランジスタTdの閾値電圧Vthが第1容量素子Cs1に保持されるよう制御するとともに、画像信号電圧Vdataが第2容量素子Cs2に保持されるよう制御し、有機EL素子OLEDのカソードを共通電極とするように構成したので、書き込み効率を改善することができるとともに、画像表示装置の製造を容易にすることができるという効果を有する。 As described above, according to the image display device 100 of the present embodiment, the threshold voltage V th of the drive transistor T d is controlled to be held in the first capacitor element C s1 , and the image signal voltage V data is the second value. Since control is performed so as to be held by the capacitive element C s2 and the cathode of the organic EL element OLED is used as a common electrode, writing efficiency can be improved and the manufacture of the image display device can be facilitated. It has the effect of being able to.

また、閾値電圧Vthの検出時に、駆動トランジスタTdのゲートに第1容量素子Cs1が接続される構成としたので、寄生容量に強く、他のラインのデータ書込み動作を行っている画像信号線の電圧変動の影響を受けにくくすることができる。また、有機EL素子OLEDの導通電圧の大きさに関係なく、駆動トランジスタTdの閾値電圧の検出を行うことができる。 Further, since the first capacitor element C s1 is connected to the gate of the drive transistor T d when the threshold voltage V th is detected, the image signal is strong against parasitic capacitance and performs data write operation on other lines. It can be made less susceptible to line voltage fluctuations. Further, the threshold voltage of the drive transistor Td can be detected regardless of the magnitude of the conduction voltage of the organic EL element OLED.

なお、本実施形態では、OLED初期化期間から書き込み期間にかけてのVDD線の電位をゼロ電位(0V)としたが、この期間での電位を調整することで、有機EL素子OLEDの輝度調整を行うことが可能である。以下、この制御方法を本実施形態の変形例として説明する。 In the present embodiment, the potential of the V DD line from the OLED initialization period to the writing period is set to zero potential (0 V), but the luminance adjustment of the organic EL element OLED is adjusted by adjusting the potential in this period. Is possible. Hereinafter, this control method will be described as a modification of the present embodiment.

図10は、第1の実施形態の変形例による画素回路10の駆動方法を説明するためのタイミングチャートである。図10において、“n行目”及び“n+1行目”は、図3と同様に表示パネル20での行番号を示している。以下の説明では、第n行の画素回路群に着目し、その動作を説明する。なお、全画素回路に共通のGND線22は、常にゼロ電位(0V)であるため適宜説明を省略する。また、発光停止期間、リセット期間及びVth検出期間での動作は、上述した第1の実施形態と同様であるため、説明を省略する。 FIG. 10 is a timing chart for explaining a driving method of the pixel circuit 10 according to the modification of the first embodiment. In FIG. 10, “nth row” and “n + 1th row” indicate row numbers on the display panel 20 as in FIG. In the following description, focusing on the pixel circuit group in the nth row, the operation will be described. Note that the GND line 22 common to all the pixel circuits is always at zero potential (0 V), and thus description thereof is omitted as appropriate. The operations in the light emission stop period, the reset period, and the V th detection period are the same as those in the first embodiment described above, and thus the description thereof is omitted.

<OLED初期化期間>
図11は、図10に示したOLED初期化期間時における画素回路10の動作状態を示した図である。このOLED初期化期間では、図10に示したように、Tth制御線23が低電位(VgL)とされた後、所定のタイミングでVDD線21がオフセット電位(Voffset)とされる。なお、Trst制御線24の高電位(VgH)、走査線25の低電位(VgL)、画像信号線26のゼロ電位(0V)は維持される。
<OLED initialization period>
FIG. 11 is a diagram showing an operation state of the pixel circuit 10 during the OLED initialization period shown in FIG. In this OLED initialization period, as shown in FIG. 10, after the T th control line 23 is set to the low potential (V gL ), the V DD line 21 is set to the offset potential (V offset ) at a predetermined timing. . The high potential (V gH ) of the Trst control line 24, the low potential (V gL ) of the scanning line 25, and the zero potential (0 V) of the image signal line 26 are maintained.

th制御線23が低電位、VDD線21がオフセット電位となると、駆動トランジスタTdがオンとなるので、有機EL素子容量Coledがオフセット電位に初期化される。これにより、有機EL素子OLEDのアノード電位(駆動トランジスタTdの第3端子t13の電位)がオフセット電位となるので、後段の書き込み期間において、比較的高い電圧を書き込んだ場合であっても、有機EL素子OLEDのアノード電位をオフセット電位に維持することができる。 When the Tth control line 23 is at a low potential and the V DD line 21 is at an offset potential, the drive transistor Td is turned on, so that the organic EL element capacitance C oled is initialized to the offset potential. As a result, the anode potential of the organic EL element OLED (the potential of the third terminal t13 of the driving transistor Td ) becomes the offset potential, so that even when a relatively high voltage is written in the subsequent writing period, The anode potential of the EL element OLED can be maintained at the offset potential.

<書き込み期間>
図12は、図10に示した書き込み期間時における画素回路10の動作状態を示した図である。この書き込み期間では、図10に示したように、Trst制御線24が低電位(VgL)とされた後、表示対象となるフレームの画像信号に応じた画像信号電圧Vdataが画像信号線26に所定の期間供給される。また、画像信号電圧Vdataの供給タイミングと同期して、走査線25の電位が高電位(VgH)とされ、スイッチングトランジスタTsがオンとされる。なお、VDD線21のオフセット電位(Voffset)、Tth制御線23の低電位(VgL)は維持される。
<Writing period>
FIG. 12 is a diagram showing an operation state of the pixel circuit 10 during the writing period shown in FIG. In this writing period, as shown in FIG. 10, after the Trst control line 24 is set to a low potential (V gL ), the image signal voltage V data corresponding to the image signal of the frame to be displayed is displayed on the image signal line. 26 is supplied for a predetermined period. Further, in synchronization with the supply timing of the image signal voltage V data , the potential of the scanning line 25 is set to a high potential (V gH ), and the switching transistor T s is turned on. The offset potential (V offset ) of the V DD line 21 and the low potential (V gL ) of the T th control line 23 are maintained.

rst制御線24がVgLとされ、走査線25がVgHとされると、駆動トランジスタTdの第3端子t13の電位は、第2端子t12の電位よりも高電位となる。そのため、この書き込み期間においては、第2端子t12がソース、第3端子t13がドレインとなる。これにより、画像信号線26から供給されるVdataに応じた電流は、図8に示した経路でVDD線21に流れ、結果として、第2容量素子Cs2には画像信号線26の画像信号電圧Vdataと、有機EL素子OLEDのアノード電位Voffsetとの差となる、Vdata−(Voffset)分の電荷が蓄積される。例えば、Voffsetが0.5Vであるとすると、Vdata−(0.5)=Vdata−0.5V分の電荷が蓄積されることになる。なお、VoffsetとしてVDD線21印加する電位は、有機EL素子OLEDの導通電圧を超えると当該有機EL素子OLEDが発光してしまうため、有機EL素子OLEDの導通電圧以下の範囲であることが好ましい。 When the T rst control line 24 is set to V gL and the scanning line 25 is set to V gH , the potential of the third terminal t13 of the driving transistor Td becomes higher than the potential of the second terminal t12. Therefore, in this writing period, the second terminal t12 is a source and the third terminal t13 is a drain. As a result, a current corresponding to V data supplied from the image signal line 26 flows to the V DD line 21 through the path shown in FIG. 8, and as a result, the image of the image signal line 26 is supplied to the second capacitor element C s2. Charge corresponding to V data − (V offset ), which is the difference between the signal voltage V data and the anode potential V offset of the organic EL element OLED, is accumulated. For example, assuming that V offset is 0.5V, charges corresponding to V data − (0.5) = V data −0.5V are accumulated. In addition, since the organic EL element OLED emits light when the potential applied to the V DD line 21 as V offset exceeds the conduction voltage of the organic EL element OLED, the potential may be within the range of the conduction voltage of the organic EL element OLED. preferable.

このとき、駆動トランジスタTdのゲート電位は、第1容量素子Cs1に蓄えられている電位差と、第2容量素子Cs2に蓄えられている電位差の和となる。第1容量素子Cs1に蓄えられている電位差はVthであるので、駆動トランジスタTdのゲート・ソース間電圧Vgsは、Vgs=Vth+Vdata−Voffsetとなる。すなわち、上述した第1実施形態の書き込み期間と比べて、VgsがVoffsetに応じた値だけオフセットされることになる。 At this time, the gate potential of the drive transistor Td is the sum of the potential difference stored in the first capacitor element C s1 and the potential difference stored in the second capacitor element C s2 . Since the potential difference stored in the first capacitor element C s1 is V th , the gate-source voltage V gs of the drive transistor T d is V gs = V th + V data −V offset . That is, V gs is offset by a value corresponding to V offset as compared with the writing period of the first embodiment described above.

以上のように、本変形例によれば、OLED初期化期間と書き込み期間時のVDD線21の電位をVoffsetとすることで、発光時の駆動トランジスタTdのゲート・ソース間電圧を、−Voffset分だけオフセットさせることができる。これにより、発光期間時に駆動トランジスタTdを通過する電流量を調整することができるため、輝度調節を行うことが可能となる。例えば、表示パネル20の大画面化による電圧降下等の影響により表示部内の輝度分布に変化が生じた場合、Voffsetの値を調節することで輝度分布を改善することが出来る。 As described above, according to this modification, by setting the potential of the V DD line 21 during the OLED initialization period and the writing period to V offset , the gate-source voltage of the drive transistor T d during light emission is It can be offset by -V offset . As a result, the amount of current passing through the drive transistor Td during the light emission period can be adjusted, so that the brightness can be adjusted. For example, when a change occurs in the luminance distribution in the display unit due to the influence of a voltage drop or the like due to the large screen of the display panel 20, the luminance distribution can be improved by adjusting the value of V offset .

[第2の実施形態]
次に、本発明に係る画像表示装置の第2の実施形態について説明する。なお、上述した第1の実施形態と同様の構成要素については同じ符号を付与し、説明を省略する。
[Second Embodiment]
Next, a second embodiment of the image display device according to the present invention will be described. In addition, the same code | symbol is provided about the component similar to 1st Embodiment mentioned above, and description is abbreviate | omitted.

図13は、第2の実施形態に係る画像表示装置200の構成を模式的に示した図である。同図に示したように、画像表示装置200は、後述する画素回路11がマトリクス状(二次元平面的)に配列された表示パネル40と、制御回路35と、昇圧回路36と、電源制御回路32と、制御線駆動回路33と、画像信号線駆動回路34とを備えている。なお、図13では、m列n行分の画素回路11がマトリクス状に配列された例を示している。   FIG. 13 is a diagram schematically illustrating a configuration of an image display apparatus 200 according to the second embodiment. As shown in the figure, the image display device 200 includes a display panel 40 in which pixel circuits 11 described later are arranged in a matrix (two-dimensional plane), a control circuit 35, a booster circuit 36, and a power supply control circuit. 32, a control line drive circuit 33, and an image signal line drive circuit 34. FIG. 13 shows an example in which pixel circuits 11 for m columns and n rows are arranged in a matrix.

表示パネル40には、画面水平方向(図中行方向)にVDD線21、Tth制御線23、Trst制御線24、走査線25、Voffset線27が配設されている。また、画面垂直方向(図中列方向)には、画像信号線26が配設されている。ここで、Voffset線27は、昇圧回路36と電気的に接続されている。なお、図示していないが表示パネル40のグランドとなるGND線22が、画素回路11の夫々に接続されているものとする。 The display panel 40 is provided with a V DD line 21, a T th control line 23, a T rst control line 24, a scanning line 25, and a V offset line 27 in the horizontal direction of the screen (the row direction in the figure). An image signal line 26 is arranged in the vertical direction of the screen (column direction in the figure). Here, the V offset line 27 is electrically connected to the booster circuit 36. Although not shown, it is assumed that the GND line 22 serving as the ground of the display panel 40 is connected to each pixel circuit 11.

制御回路35は、制御回路31と同様、例えば演算回路、論理回路などを内部に含む駆動用ICやカウンタなどの制御機器を用いて構成することができ、入力された画像データや、当該画像データを表示パネル20に表示させるための電源(VgL、VgH、VDD、−Vp、Vdata、Vf等)を、電源制御回路32、制御線駆動回路33、画像信号線駆動回路34及び昇圧回路36から供給するタイミングを制御する。 Similar to the control circuit 31, the control circuit 35 can be configured using a control device such as a driving IC or a counter that includes an arithmetic circuit, a logic circuit, and the like. The input image data and the image data Are displayed on the display panel 20 (V gL , V gH , V DD , −V p , V data , V f, etc.), power supply control circuit 32, control line drive circuit 33, image signal line drive circuit 34. And the timing supplied from the booster circuit 36 is controlled.

昇圧回路36は、DC/DCコンバータ等を用いて構成することができ、制御回路35から入力された信号を所定の電位(Vf)に昇圧し、Voffset線27に印加する。 The booster circuit 36 can be configured using a DC / DC converter or the like, boosts the signal input from the control circuit 35 to a predetermined potential (V f ), and applies it to the V offset line 27.

なお、図13の構成において、VDD線21、GND線22、Tth制御線23、Trst制御線24、走査線25、画像信号線26及びVoffset線27、ならびに制御回路35、電源制御回路32、制御線駆動回路33、画像信号線駆動回路34及び昇圧回路36に関するレイアウトは、その一例を示すものであり、これらのレイアウトに限られるものではない。 In the configuration of FIG. 13, the V DD line 21, GND line 22, T th control line 23, T rst control line 24, scanning line 25, image signal line 26 and V offset line 27, control circuit 35, power supply control The layout relating to the circuit 32, the control line drive circuit 33, the image signal line drive circuit 34, and the booster circuit 36 is an example, and is not limited to these layouts.

<画素回路の構成>
図14は、図13に示した画素回路11(1画素)の構成の一例を示した図である。同図に示したように、画素回路11は、発光素子である有機EL素子OLEDと、有機EL素子OLEDを駆動するためのドライバ素子である駆動トランジスタTdと、閾値電圧検出素子である閾値電圧検出用トランジスタTthと、第1容量素子Cs1への電圧印加を制御する電圧印加素子としてのリセット用トランジスタTrstと、スイッチング素子としてのスイッチングトランジスタTsと、第1容量素子として閾値電圧を保持する第1容量素子Cs1と、第2容量素子として画像信号電圧を保持する第2容量素子Cs2とを備える。なお、有機EL素子OLEDは、逆電圧印加時にコンデンサとして機能する。そのため、図14ではこれを有機EL素子容量Coledとして等価的に表している。
<Configuration of pixel circuit>
FIG. 14 is a diagram illustrating an example of the configuration of the pixel circuit 11 (one pixel) illustrated in FIG. 13. As shown in the figure, the pixel circuit 11 includes an organic EL element OLED that is a light emitting element, a drive transistor Td that is a driver element for driving the organic EL element OLED, and a threshold voltage that is a threshold voltage detection element. A detection transistor T th , a reset transistor T rst as a voltage application element that controls voltage application to the first capacitor element C s1 , a switching transistor T s as a switching element, and a threshold voltage as a first capacitor element A first capacitive element C s1 to be held and a second capacitive element C s2 to hold an image signal voltage as a second capacitive element are provided. The organic EL element OLED functions as a capacitor when a reverse voltage is applied. Therefore, in FIG. 14, this is equivalently expressed as the organic EL element capacitance C oled .

図14に示したように、画素回路11の構成は、図2に示した画素回路10でのリセット用トランジスタTrstの第2端子t32の接続先を、VDD線21から定電位線であるVoffset線27に変更したものとなっている。 As shown in FIG. 14, the configuration of the pixel circuit 11, the connection of the second terminal t32 of the reset transistor T rst of the pixel circuit 10 shown in FIG. 2, is a constant potential line from V DD line 21 The V offset line 27 is changed.

<画素回路の動作>
次に、図15、図16を参照して、画素回路11の動作について説明する。なお、画素回路11の駆動は、図1に示した駆動制御部(制御回路35、電源制御回路32、制御線駆動回路33、画像信号線駆動回路34及び昇圧回路36)の制御により実現されるものである。
<Operation of pixel circuit>
Next, the operation of the pixel circuit 11 will be described with reference to FIGS. 15 and 16. The driving of the pixel circuit 11 is realized by the control of the drive control unit (control circuit 35, power supply control circuit 32, control line drive circuit 33, image signal line drive circuit 34, and booster circuit 36) shown in FIG. Is.

図15は、画素回路11の駆動方法を説明するためのタイミングチャートである。ここで、図15に示す制御シーケンスは、図13に示した画素回路群を順次発光方式(一行毎)で発光制御する場合を示したものである。なお、発光停止期間、リセット期間、書き込み期間の動作については、上述した第1の実施形態と同様であるため説明は省略する。また、全画素回路に共通のGND線22は常にゼロ電位(0V)であり、Voffset線27は常にVf(例えば、−Vp+1V)であるため、説明を適宜省略する。 FIG. 15 is a timing chart for explaining a driving method of the pixel circuit 11. Here, the control sequence shown in FIG. 15 shows a case where the pixel circuit groups shown in FIG. 13 are sequentially controlled to emit light by the light emission method (for each row). Note that the operations during the light emission stop period, the reset period, and the writing period are the same as those in the first embodiment described above, and thus the description thereof is omitted. Further, since the GND line 22 common to all the pixel circuits is always zero potential (0 V) and the V offset line 27 is always V f (for example, −V p +1 V), description thereof will be omitted as appropriate.

図16は、図15に示したVth検出期間時における画素回路11の動作状態を示した図である。Vth検出期間では、図15に示したように、VDD線21が低電位(−Vp)とされ、Tth制御線23の高電位(VgH)、Trst制御線24の高電位(VgH)、走査線25の低電位(VgL)、画像信号線26のゼロ電位(0V)が維持される。 FIG. 16 is a diagram showing an operation state of the pixel circuit 11 during the V th detection period shown in FIG. In the V th detection period, as shown in FIG. 15, the V DD line 21 is set to a low potential (−V p ), the T th control line 23 has a high potential (V gH ), and the T rst control line 24 has a high potential. (V gH ), the low potential (V gL ) of the scanning line 25, and the zero potential (0 V) of the image signal line 26 are maintained.

ここで、Voffset線27がVf=−Vp+1Vの電位であったとすると、駆動トランジスタTdのゲート電位が、−Vp+Vthに達するまで、有機EL素子容量Coled、第1容量素子Cs1及び第2容量素子Cs2に蓄積された電荷が放電され、駆動トランジスタTd→VDD線21という経路で電流が流れる。そして、駆動トランジスタTdのゲート電位が−Vp+Vthに達すると、駆動トランジスタTdはオフ状態となる。このとき、第1容量素子Cs1には、Voffset線27の作用により、−Vp+Vth−Vf=Vth−1に応じた電荷が蓄積される、つまり、上述した第1の実施形態でのVth検出期間と比べて、Voffset線27の電位分オフセットされた電荷が蓄積されることになる。 Here, assuming that the V offset line 27 has a potential of V f = −V p + 1V, the organic EL element capacitance C oled and the first capacitance until the gate potential of the drive transistor T d reaches −V p + V th. The charges accumulated in the element C s1 and the second capacitor element C s2 are discharged, and a current flows through the path of the drive transistor T d → V DD line 21. When the gate potential of the driving transistor T d reaches -V p + V th, the driving transistor T d is turned off. At this time, the electric charge corresponding to −V p + V th −V f = V th −1 is accumulated in the first capacitive element C s1 by the action of the V offset line 27. That is, the first implementation described above. Compared with the V th detection period in the embodiment, charges offset by the potential of the V offset line 27 are accumulated.

ところで、上述した第1の実施形態の変形例では、VDD線21にてVoffsetとする電位が有機EL素子OLEDの導通電圧を超えると、有機EL素子OLEDが発光してしまうため、有機EL素子OLEDの導通電圧以下の範囲でのみでしか輝度を調整することができない。しかし、本実施形態の構成では、VDD線21とは独立したVoffset線27を用いて第1容量素子Cs1に蓄積される電荷量を調整することができるため、輝度を調整する範囲に制限はない。したがって、第1の実施形態の変形例と比較し、より大きな範囲で輝度を調節することが可能となる。 By the way, in the modified example of the first embodiment described above, the organic EL element OLED emits light when the potential V offset at the V DD line 21 exceeds the conduction voltage of the organic EL element OLED. The brightness can be adjusted only within the range of the conduction voltage of the element OLED or less. However, in the configuration of the present embodiment, the amount of charge accumulated in the first capacitor element C s1 can be adjusted using the V offset line 27 independent of the V DD line 21, so that the luminance can be adjusted. There is no limit. Therefore, it is possible to adjust the luminance within a larger range as compared with the modification of the first embodiment.

以上、本発明に係る実施形態について説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、本発明の主旨を逸脱しない範囲での種々の変更、置換、追加等が可能である。   The embodiment according to the present invention has been described above, but the present invention is not limited to this, and various modifications, substitutions, additions, and the like are possible without departing from the spirit of the present invention.

第1の実施形態に係る画像表示装置の構成を模式的に示した図である。It is the figure which showed typically the structure of the image display apparatus which concerns on 1st Embodiment. 図1に示した画素回路の構成の一例を示した図である。FIG. 2 is a diagram illustrating an example of a configuration of a pixel circuit illustrated in FIG. 1. 図2に示した画素回路の駆動方法を説明するためのタイミングチャートである。3 is a timing chart for explaining a method of driving the pixel circuit shown in FIG. 2. 図3に示した発光停止期間時における画素回路の動作状態を示した図である。FIG. 4 is a diagram illustrating an operation state of the pixel circuit during the light emission stop period illustrated in FIG. 3. 図3に示したリセット期間時における画素回路の動作状態を示した図である。FIG. 4 is a diagram illustrating an operation state of the pixel circuit during the reset period illustrated in FIG. 3. 図3に示したVth検出期間時における画素回路の動作状態を示した図である。FIG. 4 is a diagram illustrating an operation state of the pixel circuit during the V th detection period illustrated in FIG. 3. 図3に示したOLED初期化期間時における画素回路の動作状態を示した図である。FIG. 4 is a diagram illustrating an operation state of the pixel circuit during the OLED initialization period illustrated in FIG. 3. 図3に示した書き込み期間時における画素回路の動作状態を示した図である。FIG. 4 is a diagram illustrating an operation state of the pixel circuit during the writing period illustrated in FIG. 3. 図3に示した発光期間時における画素回路の動作状態を示した図である。It is the figure which showed the operation state of the pixel circuit at the time of the light emission period shown in FIG. 第1の実施形態の変形例による画素回路の駆動方法を説明するためのシーケンス図である。FIG. 10 is a sequence diagram for explaining a driving method of a pixel circuit according to a modified example of the first embodiment. 図10に示したOLED初期化期間時における画素回路の動作状態を示した図である。It is the figure which showed the operation state of the pixel circuit at the time of the OLED initialization period shown in FIG. 図10に示した書き込み期間時における画素回路の動作状態を示した図である。FIG. 11 is a diagram illustrating an operation state of the pixel circuit during the writing period illustrated in FIG. 10. 第2の実施形態に係る画像表示装置の構成を模式的に示した図である。It is the figure which showed typically the structure of the image display apparatus which concerns on 2nd Embodiment. 図13に示した画素回路の構成の一例を示した図である。It is the figure which showed an example of the structure of the pixel circuit shown in FIG. 図14に示した画素回路の駆動方法を説明するためのタイミングチャートである。15 is a timing chart for explaining a method of driving the pixel circuit shown in FIG. 図15に示したVth検出期間時における画素回路の動作状態を示した図である。FIG. 16 is a diagram illustrating an operation state of the pixel circuit during the V th detection period illustrated in FIG. 15.

符号の説明Explanation of symbols

100 画像表示装置
200 画像表示装置
10 画素回路
11 画素回路
20 表示パネル
21 VDD
22 GND線
23 Tth制御線
24 Trst制御線
25 走査線
26 画像信号線
27 Voffset
31 制御回路
32 電源制御回路
33 制御線駆動回路
34 画像信号線駆動回路
35 制御回路
36 昇圧回路
40 表示パネル
oled 有機EL素子容量
s1 第1容量素子
s2 第2容量素子
OLED 有機EL素子
d 駆動トランジスタ
rst リセット用トランジスタ
s スイッチングトランジスタ
th 閾値電圧検出用トランジスタ
DESCRIPTION OF SYMBOLS 100 Image display apparatus 200 Image display apparatus 10 Pixel circuit 11 Pixel circuit 20 Display panel 21 V DD line 22 GND line 23 T th control line 24 T rst control line 25 Scan line 26 Image signal line 27 V offset line 31 Control circuit 32 Power supply Control circuit 33 Control line drive circuit 34 Image signal line drive circuit 35 Control circuit 36 Booster circuit 40 Display panel C oled organic EL element capacitance C s1 first capacitance element C s2 second capacitance element OLED organic EL element T d drive transistor T rst Reset transistor T s Switching transistor T th Threshold voltage detection transistor

Claims (7)

複数の画素回路を有した画像表示装置であって、
前記複数の画素回路のそれぞれは、
アノード電極と、前記複数の画素回路にて共通に接続されるカソード電極とを有した発光素子と、
第1端子と、第2端子と、前記アノード電極と接続される第3端子とを有し、前記第1端子と前記第3端子との電位差に応じて当該第2端子と前記第3端子との間に流れる電流量を制御するドライバ素子と、
第1電極と、前記第1端子に接続される第2電極とを有し、前記ドライバ素子の閾値電圧に対応する電圧を保持する第1容量素子と、
前記第2端子と接続され、且つ前記複数の画素回路のライン毎に共通に接続される電源線と、
一端が前記第1電極と接続され、他端が前記アノード電極に接続されるとともに、前記発光素子の発光輝度に対応する画像信号電圧を保持する第2容量素子と、
を備え、
前記発光素子の発光期間中に、前記第1端子と前記第3端子との間の電圧差が、前記第1容量素子が保持する前記電圧と前記第2容量素子が保持する前記画像信号電圧とを合わせた大きさとなり、前記電源線から前記ドライバ素子を介して前記発光素子に電流が流れることを特徴とする画像表示装置。
An image display device having a plurality of pixel circuits,
Each of the plurality of pixel circuits is
A light emitting element having an anode electrode and a cathode electrode commonly connected in the plurality of pixel circuits;
A first terminal; a second terminal; a third terminal connected to the anode electrode; and the second terminal and the third terminal according to a potential difference between the first terminal and the third terminal. A driver element that controls the amount of current flowing between
A first capacitive element having a first electrode and a second electrode connected to the first terminal and holding a voltage corresponding to a threshold voltage of the driver element;
A power line connected to the second terminal and commonly connected to each line of the plurality of pixel circuits;
A second capacitive element having one end connected to the first electrode and the other end connected to the anode electrode and holding an image signal voltage corresponding to the light emission luminance of the light emitting element;
With
During the light emission period of the light emitting element, the voltage difference between the first terminal and the third terminal is such that the voltage held by the first capacitive element and the image signal voltage held by the second capacitive element are And an electric current flows from the power supply line to the light emitting element through the driver element.
請求項1に記載の画像表示装置において、
前記第2容量素子は、前記発光素子の発光期間中に前記第1容量素子の前記第1電極と、前記ドライバ素子の前記第3端子との間に接続されることを特徴とする画像表示装置。
The image display device according to claim 1,
The second capacitive element is connected between the first electrode of the first capacitive element and the third terminal of the driver element during a light emission period of the light emitting element. .
請求項1に記載の画像表示装置において、
前記第2容量素子に画像信号電圧を供給する画像信号線をさらに備え、
前記画像信号線は、スイッチング素子を介して電気的に前記第1容量素子の前記第1電極及び前記第2容量素子の前記一端と接続され、
前記画像信号線が前記第2容量素子に画像信号電圧を供給している際に、前記第1容量素子が前記ドライバ素子と前記画像信号線との間に接続された状態となることを特徴とする画像表示装置。
The image display device according to claim 1,
An image signal line for supplying an image signal voltage to the second capacitive element;
The image signal line is electrically connected to the first electrode of the first capacitive element and the one end of the second capacitive element via a switching element,
When the image signal line supplies an image signal voltage to the second capacitor element, the first capacitor element is connected between the driver element and the image signal line. An image display device.
請求項1に記載の画像表示装置において、
前記電源線と前記第1容量素子の前記第1電極との間に接続される電圧印加素子をさらに備え、
前記電圧印加素子は、前記ドライバ素子の前記閾値電圧を検出している際に、前記第1容量素子が前記ドライバ素子と前記電源線との間に接続された状態となることを特徴とする画像表示装置。
The image display device according to claim 1,
A voltage applying element connected between the power line and the first electrode of the first capacitor;
The voltage applying element is in a state where the first capacitor element is connected between the driver element and the power supply line when detecting the threshold voltage of the driver element. Display device.
マトリックス状に配列される複数の画素回路を有し、各画素回路に、
アノード電極と、前記複数の画素回路にて共通に接続されるカソード電極とを有した発光素子と、
第1端子と、第2端子と、前記アノード電極と接続される第3端子とを有し、前記第1端子と前記第3端子との電位差に応じて当該第2端子と前記第3端子との間に流れる電流量を制御するドライバ素子と、
第1電極と、前記第1端子に接続される第2電極とを有する第1容量素子と、
一端が前記第1電極と接続され、他端が前記アノード電極と接続される第2容量素子と、
を備える画像表示装置の駆動方法であって、
前記複数の画素回路のライン毎に、
前記ドライバ素子の閾値電圧を検出して前記閾値電圧に対応する電圧を前記第1容量素子に保持させる閾値電圧検出工程と、
前記発光素子の発光輝度に対応する画像信号電圧を前記第2容量素子に保持させる書き込み工程と、
前記第1容量素子と前記第2容量素子とを電気的に直列接続して、前記第1容量素子に保持された前記閾値電圧に対応する電圧と前記第2容量素子に保持された前記画像信号電圧との電圧を加算し、当該加算電圧を前記ドライバ素子の前記第1端子と前記第3端子との間に印加することにより、前記発光素子を発光させる発光工程と、を含むことを特徴とする画像表示装置の駆動方法。
It has a plurality of pixel circuits arranged in a matrix, and each pixel circuit has
A light emitting element having an anode electrode and a cathode electrode commonly connected in the plurality of pixel circuits;
A first terminal; a second terminal; a third terminal connected to the anode electrode; and the second terminal and the third terminal according to a potential difference between the first terminal and the third terminal. A driver element that controls the amount of current flowing between
A first capacitive element having a first electrode and a second electrode connected to the first terminal;
A second capacitive element having one end connected to the first electrode and the other end connected to the anode electrode;
A method of driving an image display device comprising:
For each line of the plurality of pixel circuits,
A threshold voltage detection step of detecting a threshold voltage of the driver element and holding the voltage corresponding to the threshold voltage in the first capacitor element;
A writing step of causing the second capacitor element to hold an image signal voltage corresponding to the light emission luminance of the light emitting element;
The first capacitive element and the second capacitive element are electrically connected in series, and a voltage corresponding to the threshold voltage held in the first capacitive element and the image signal held in the second capacitive element A light emitting step of causing the light emitting element to emit light by adding a voltage to the voltage and applying the added voltage between the first terminal and the third terminal of the driver element. Method for driving an image display device.
請求項5に記載の画像表示装置の駆動方法において、
前記第2端子に接続され、且つ前記複数の画素回路のライン毎に共通接続される電源線を更に備え、
前記発光工程では、前記電源線を介して前記複数の画素回路のライン毎に電圧を印加し、該電圧が印加されるライン毎に前記発光素子を発光させることを特徴とする画像表示装置の駆動方法。
In the driving method of the image display device according to claim 5,
A power line connected to the second terminal and commonly connected to each line of the plurality of pixel circuits;
In the light emitting step, a voltage is applied to each line of the plurality of pixel circuits through the power line, and the light emitting element is caused to emit light for each line to which the voltage is applied. Method.
請求項5に記載の画像表示装置の駆動方法において、
前記発光素子は、前記アノード電極側から前記カソード電極側に電流が流れることで発光し、前記カソード電極側から前記アノード電極側には電流が流れず、電荷が蓄積され、
前記閾値電圧検出工程の後で且つ前記書き込み工程の前に、前記発光素子に蓄積された電荷を放電させる発光素子初期化工程をさらに含むことを特徴とする画像表示装置の駆動方法。
In the driving method of the image display device according to claim 5,
The light emitting element emits light when current flows from the anode electrode side to the cathode electrode side, current does not flow from the cathode electrode side to the anode electrode side, and charges are accumulated,
A driving method of an image display device, further comprising: a light emitting element initializing step of discharging charges accumulated in the light emitting element after the threshold voltage detecting step and before the writing step.
JP2008254191A 2008-09-30 2008-09-30 Image display device and driving method of image display device Active JP5449733B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2008254191A JP5449733B2 (en) 2008-09-30 2008-09-30 Image display device and driving method of image display device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2008254191A JP5449733B2 (en) 2008-09-30 2008-09-30 Image display device and driving method of image display device

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2010085675A true JP2010085675A (en) 2010-04-15
JP5449733B2 JP5449733B2 (en) 2014-03-19

Family

ID=42249695

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2008254191A Active JP5449733B2 (en) 2008-09-30 2008-09-30 Image display device and driving method of image display device

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP5449733B2 (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011248037A (en) * 2010-05-26 2011-12-08 Seiko Epson Corp Electronic device and driving method thereof

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003223138A (en) * 2001-10-26 2003-08-08 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Light emitting device and its driving method
JP2004246204A (en) * 2003-02-14 2004-09-02 Sony Corp Pixel circuit, display device, and driving method of pixel circuit
JP2005164891A (en) * 2003-12-02 2005-06-23 Sony Corp Pixel circuit and its driving method, active matrix system, and display arrangement
JP2005258407A (en) * 2004-03-10 2005-09-22 Samsung Sdi Co Ltd Light emitting display device, display panel therefor and driving method for light emitting display panel
JP2006011435A (en) * 2004-06-22 2006-01-12 Samsung Electronics Co Ltd Display device and driving method thereof
JP2006516745A (en) * 2003-01-24 2006-07-06 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ Active matrix display device
JP2007206273A (en) * 2006-01-31 2007-08-16 Kyocera Corp Image display device and driving method thereof
JP2009086253A (en) * 2007-09-28 2009-04-23 Kyocera Corp Image display apparatus and method of driving image display apparatus

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003223138A (en) * 2001-10-26 2003-08-08 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Light emitting device and its driving method
JP2006516745A (en) * 2003-01-24 2006-07-06 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ Active matrix display device
JP2004246204A (en) * 2003-02-14 2004-09-02 Sony Corp Pixel circuit, display device, and driving method of pixel circuit
JP2005164891A (en) * 2003-12-02 2005-06-23 Sony Corp Pixel circuit and its driving method, active matrix system, and display arrangement
JP2005258407A (en) * 2004-03-10 2005-09-22 Samsung Sdi Co Ltd Light emitting display device, display panel therefor and driving method for light emitting display panel
JP2006011435A (en) * 2004-06-22 2006-01-12 Samsung Electronics Co Ltd Display device and driving method thereof
JP2007206273A (en) * 2006-01-31 2007-08-16 Kyocera Corp Image display device and driving method thereof
JP2009086253A (en) * 2007-09-28 2009-04-23 Kyocera Corp Image display apparatus and method of driving image display apparatus

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011248037A (en) * 2010-05-26 2011-12-08 Seiko Epson Corp Electronic device and driving method thereof

Also Published As

Publication number Publication date
JP5449733B2 (en) 2014-03-19

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5627175B2 (en) Image display device
JP5562327B2 (en) Display device and driving method thereof
US10019941B2 (en) Compensation technique for luminance degradation in electro-luminance devices
US10504440B2 (en) Pixel circuit, driving method thereof, display panel and display apparatus
JP5230806B2 (en) Image display device and driving method thereof
TWI406227B (en) Display apparatus and driving method for display apparatus
US9972241B2 (en) Display device
JP6175718B2 (en) Driving method and display device
JP5414808B2 (en) Display device and driving method thereof
JP2005141195A (en) Image display device and driving method thereof
WO2015118599A1 (en) Display device and method for driving display device
JP6721328B2 (en) Display device
JP6288710B2 (en) Display device driving method and display device
US8674912B2 (en) Image display device
JP5028207B2 (en) Image display device and driving method of image display device
JP5650374B2 (en) Image display device and driving method of image display device
JP5399521B2 (en) Display device and driving method thereof
KR20160033616A (en) Display device and driving method thereof
WO2006054189A1 (en) Active matrix display devices
JP6041455B2 (en) Image display device and driving method of image display device
JP5449733B2 (en) Image display device and driving method of image display device
JP2010237262A (en) Image display apparatus
JP5473318B2 (en) Image display device
JP2009216950A (en) Active matrix display device

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20110926

A711 Notification of change in applicant

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711

Effective date: 20111020

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20111125

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20121022

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20121101

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20130201

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20130702

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20131002

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20131203

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20131225

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 5449733

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250