JP2010085545A - Liquid crystal device, method for manufacturing the same and electronic apparatus - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、液晶装置、液晶装置の製造方法および電子機器に関するものである。 The present invention relates to a liquid crystal device, a method for manufacturing the liquid crystal device, and an electronic apparatus.
液晶装置の視野角を広げる手段として、基板に対して面内方向(横方向)の電界を発生
させ、この横方向の電界で液晶分子を基板に並行な面内で回転させることで透過光を制御
する、いわゆる横電界方式のIPS(In-Plane Switching)方式が実用化されている。更
に、このIPS方式を改良したFFS(Fringe-Field Switching)方式が提案されている
。
As a means to widen the viewing angle of the liquid crystal device, an electric field in the in-plane direction (transverse direction) is generated with respect to the substrate, and the liquid crystal molecules are rotated in a plane parallel to the substrate by the electric field in the lateral direction to transmit the transmitted light. A so-called lateral electric field type IPS (In-Plane Switching) system for control is put into practical use. Furthermore, an FFS (Fringe-Field Switching) system that improves the IPS system has been proposed.
このような横電界方式の液晶装置は、TFT等の駆動素子が形成された素子基板に共通
電極、画素電極といった電極、または配線といった導電性の部材を配置し、表示面側であ
る対向基板には導電部材を設けない構成を有する。そのため、静電気などに代表される対
向基板側の外部からの外部電界の影響を受けやすく、液晶表示に乱れが生じやすいという
問題がある。これを解決するために、対向基板側に透明導電膜を形成し、透明導電膜で静
電気を捕捉することで表示乱れを防ぐ方法が提案されている(例えば、特許文献1参照)
。
In such a horizontal electric field type liquid crystal device, a conductive member such as a common electrode, an electrode such as a pixel electrode, or a wiring is disposed on an element substrate on which a driving element such as a TFT is formed, and the electrode is disposed on a counter substrate on the display surface side. Has a configuration in which a conductive member is not provided. Therefore, there is a problem that the liquid crystal display is likely to be disturbed because it is easily affected by an external electric field on the counter substrate side represented by static electricity. In order to solve this, a method has been proposed in which a transparent conductive film is formed on the counter substrate side and static electricity is captured by the transparent conductive film to prevent display disturbance (for example, see Patent Document 1).
.
特許文献1には、対向基板が備えるガラス基板の外側(液晶層とは反対側)に透明導電
膜を備える構成と、ガラス基板の内側(液晶層側)に透明導電膜を備える構成と、が挙げ
られている。これらを比較すると、内側に透明導電膜を備える対向基板は、同じく内側に
設けられる配向膜などの部材と積層して形成することで、ガラス基板の上下反転操作等が
不要となるため製造が容易であるという利点を有する。
ところで、上記特許文献1では、上側ガラス基板(対向基板)の内側に設けられた透明
導電膜と、ガラス基板(素子基板)に設けられた共通電極と、をシール部で貼り合わせる
ことで両基板を貼り合わせ、更にシール部の周辺に銀ペーストを配置して上下導通させる
構成が示されている。このような構成により、共通電極を介して透明導電膜が捕捉した静
電気を放出することができ、対向基板に蓄電することがなくなる。しかし、銀ペーストを
用いて導通させる場合には、基板貼り合わせの前に銀ペーストを配置する工程が必要とな
り、製造工程数が増加してしまう。
By the way, in the said
また、通常銀ペーストは、貼り合わせ時の応力によって押し広げられ、配置時の平面視
面積以上に広がってしまうため、銀ペーストを配置する位置の周囲には、銀ペーストが押
し広げられるだけの余剰領域を確保しておく必要がある。一般には、銀ペーストをシール
部の外側(液晶層とは反対側)に配置し、シール部から基板端部までの間の領域を利用し
て余剰領域を確保している。ところが、液晶装置などを用いる表示装置では、機能性や意
匠性の問題から、「額縁部」と呼ばれる表示に寄与しない周辺部をなるべく狭くし、表示
領域を広げる構成とすることが一般的となっており、銀ペーストのための余剰領域をシー
ル部の周辺に確保すると、狭額縁化を阻害してしまう。
In addition, the silver paste is usually spread by the stress at the time of bonding and spreads beyond the plan view area at the time of placement, so there is a surplus that the silver paste is spread around the position where the silver paste is placed. It is necessary to reserve the area. In general, a silver paste is disposed outside the seal portion (on the side opposite to the liquid crystal layer), and an excess region is secured using a region between the seal portion and the substrate end. However, in a display device using a liquid crystal device or the like, it is common to have a configuration in which a peripheral portion that does not contribute to display called a “frame portion” is made as narrow as possible to widen a display area because of problems in functionality and design. Therefore, if a surplus area for the silver paste is secured around the seal portion, narrowing of the frame is hindered.
本発明はこのような事情に鑑みてなされたものであって、狭額縁化を実現して表示領域
を広げると共に、外部からの静電気に起因する画像乱れを抑制した液晶装置を提供するこ
とを目的とする。また、工程負荷を低減した液晶装置の製造方法を提供することを目的と
する。更に、このような液晶装置を備えた電子機器を提供することを目的とする。
The present invention has been made in view of such circumstances, and an object thereof is to provide a liquid crystal device that realizes a narrow frame to widen a display area and suppress image disturbance caused by external static electricity. And It is another object of the present invention to provide a method for manufacturing a liquid crystal device with reduced process load. Furthermore, it aims at providing the electronic device provided with such a liquid crystal device.
上記の課題を解決するため、本発明の液晶装置は、第1基板と第2基板との間に液晶層
が挟持され、前記第1基板上に画素電極と共通電極とが形成され、前記画素電極と前記共
通電極との間に発生する電界によって液晶を駆動する横電界方式の液晶装置であって、前
記第1基板の前記液晶層側の面に、駆動回路と、前記駆動回路と電気的に接続された導電
部と、が設けられ、前記第2基板の前記液晶層側の面には、着色層を備えるカラーフィル
タ層と、前記着色層の形成材料を用いて形成された突起部と、が設けられ、前記カラーフ
ィルタ層の前記液晶層側の面、前記突起部の側面および頂面を覆って静電遮蔽層が形成さ
れており、前記突起部を覆う前記静電遮蔽層と前記導電部とが接することで前記静電遮蔽
層と前記駆動回路とが電気的に接続され、前記静電遮蔽層の電位が前記駆動回路によって
所定電位に制御されていることを特徴とする。
この構成によれば、突起部の表面を覆う静電遮蔽層を、第1基板と第2基板とを導通さ
せるための導通用部材として用いることができる。着色層の形成材料で設けられた突起部
は、第1基板と第2基板とを貼り合わせる時に、銀ペーストなどの導通材のように押し広
げられることがないため、導通材の広がりを考慮した余剰部分が不要となり、狭額縁化を
図ることができる液晶装置とすることができる。
In order to solve the above problems, in the liquid crystal device of the present invention, a liquid crystal layer is sandwiched between a first substrate and a second substrate, a pixel electrode and a common electrode are formed on the first substrate, and the pixel A lateral electric field type liquid crystal device for driving a liquid crystal by an electric field generated between an electrode and the common electrode, wherein a driving circuit is electrically connected to the surface of the first substrate on the liquid crystal layer side. A conductive portion connected to the liquid crystal layer of the second substrate, a color filter layer provided with a colored layer on the surface of the second substrate, and a protrusion formed using a material for forming the colored layer; And an electrostatic shielding layer is formed to cover the surface of the color filter layer on the liquid crystal layer side, the side surface and the top surface of the projection, and the electrostatic shielding layer covering the projection and the The electrostatic shielding layer and the drive circuit are electrically connected by contacting the conductive part. Is continued, characterized in that the potential of the electrostatic shielding layer is controlled to a predetermined potential by the drive circuit.
According to this configuration, the electrostatic shielding layer that covers the surface of the protruding portion can be used as a conduction member for conducting the first substrate and the second substrate. Since the protrusion provided by the coloring layer forming material is not spread like a conductive material such as silver paste when the first substrate and the second substrate are bonded together, the spreading of the conductive material is considered. A surplus portion is unnecessary, and a liquid crystal device capable of narrowing the frame can be obtained.
本発明においては、前記カラーフィルタ層は、複数の色の前記着色層を有し、前記突起
部は、前記複数の色の着色層の形成材料を各々積層して形成されていることが望ましい。
この構成によれば、突起部は複数層を積層させて形成するため、第1基板と第2基板と
の離間距離に応じた突起部の高さ調節が容易となり、良好に導通させることができる。
In the present invention, it is preferable that the color filter layer includes the colored layers of a plurality of colors, and the protrusions are formed by laminating the forming materials of the colored layers of the plurality of colors.
According to this configuration, since the protruding portion is formed by laminating a plurality of layers, the height of the protruding portion can be easily adjusted according to the separation distance between the first substrate and the second substrate, and can be conducted well. .
本発明においては、前記液晶層の周囲には、液晶分子を封止するシール材が設けられ、
前記シール材によって囲まれた領域の内側には、複数の前記画素電極によって形成された
表示領域が設けられており、前記突起部は、前記シール材によって囲まれた領域の内側で
あって、前記表示領域と前記シール材との間の非表示領域に設けられていることが望まし
い。
この構成によれば、表示に影響を与えない非表示領域で静電遮蔽層と第1基板側の導電
部との導通を取ることができるため、液晶層を封止するシール材から基板端部までの幅を
狭くすることができ、表示に影響なく狭額縁化が可能な液晶装置とすることができる。
In the present invention, a sealing material for sealing liquid crystal molecules is provided around the liquid crystal layer,
A display area formed by a plurality of the pixel electrodes is provided inside the area surrounded by the sealing material, and the protrusion is inside the area surrounded by the sealing material, It is desirable to be provided in a non-display area between the display area and the sealing material.
According to this configuration, since the electrostatic shielding layer and the conductive portion on the first substrate side can be electrically connected in the non-display region that does not affect the display, the substrate edge portion is removed from the sealing material that seals the liquid crystal layer. Thus, a liquid crystal device capable of narrowing the frame without affecting the display can be obtained.
本発明においては、前記静電遮蔽層の前記液晶層側の面に配向膜が形成され、前記静電
遮蔽層と前記配向膜との間に絶縁層を有することが望ましい。
この構成によれば、静電遮蔽層と液晶層とが、絶縁層の厚み分だけ更に離間するため電
圧降下が生じ、静電遮蔽層で捕捉した静電気が液晶層に作用する力(クーロン力)が弱ま
る。そのため、絶縁層が無いものと比べて静電気に起因する表示乱れをより防ぐことがで
きるため、狭額縁化を実現すると共に、高品質な画像表示が可能な液晶装置とすることが
できる。
In the present invention, it is desirable that an alignment film is formed on the surface of the electrostatic shielding layer on the liquid crystal layer side, and an insulating layer is provided between the electrostatic shielding layer and the alignment film.
According to this configuration, since the electrostatic shielding layer and the liquid crystal layer are further separated by the thickness of the insulating layer, a voltage drop occurs, and the force that the static electricity captured by the electrostatic shielding layer acts on the liquid crystal layer (Coulomb force) Is weakened. Therefore, display disturbance due to static electricity can be further prevented as compared with a case without an insulating layer, and thus a liquid crystal device capable of realizing a narrow frame and displaying a high-quality image can be obtained.
前記導電部として前記共通電極を用い、前記静電遮蔽層の電位が前記共通電極の電位と
同じ電位に制御されることが望ましい。
この構成によれば、静電遮蔽層と共通電極との間に電位差がなくなるため、第1基板と
第2基板との間に縦方向の電界が発生し難くなり、画像乱れを抑制した液晶装置とするこ
とができる。
Preferably, the common electrode is used as the conductive portion, and the potential of the electrostatic shielding layer is controlled to the same potential as the potential of the common electrode.
According to this configuration, since there is no potential difference between the electrostatic shielding layer and the common electrode, it is difficult to generate a vertical electric field between the first substrate and the second substrate, and the liquid crystal device suppresses image disturbance. It can be.
本発明においては、前記第1基板の前記液晶層側には、前記画素電極と前記共通電極と
が絶縁膜を介して積層され、前記共通電極が前記画素電極よりも前記液晶層側に設けられ
ていることが望ましい。
この構成によれば、静電気を捕捉する静電遮蔽層と画素電極との間がより離れたものと
なる。そのため、画素電極と静電遮蔽層との間に発生する縦方向の電界を微弱に抑えるこ
とができ、狭額縁化を実現すると共に、画像乱れを抑制した液晶装置とすることができる
。
In the present invention, the pixel electrode and the common electrode are stacked via an insulating film on the liquid crystal layer side of the first substrate, and the common electrode is provided closer to the liquid crystal layer than the pixel electrode. It is desirable that
According to this configuration, the electrostatic shielding layer that captures static electricity and the pixel electrode are further apart. Therefore, the vertical electric field generated between the pixel electrode and the electrostatic shielding layer can be suppressed to be weak, and a liquid crystal device that realizes a narrow frame and suppresses image disturbance can be obtained.
また、本発明の液晶装置の製造方法は、第1基板と第2基板との間に液晶層が挟持され
、前記第1基板上に画素電極と共通電極とが形成され、前記画素電極と前記共通電極との
間に発生する電界によって液晶を駆動する横電界方式の液晶装置の製造方法であって、前
記第2基板の前記液晶層側の面に、カラーフィルタ層が備える着色層と、前記着色層の形
成材料が積層した突起部とを同時に形成する工程と、前記カラーフィルタ層および前記突
起部を覆って、前記静電遮蔽層を形成する工程と、前記第1基板上に設けられた駆動回路
と接続され所定電位に制御された導電部と、第2基板上の前記突起部を覆う前記静電遮蔽
層と、を接触させ、前記第1基板と前記第2基板とを貼り合わせる工程と、を有すること
を特徴とする。
この方法によれば、着色層の形成時に、着色層の形成と同時に突起部を形成することが
できる。そのため、上下動通のための導通材を配置するための工程を新たに設けることな
く、突起部の表面を覆う静電遮蔽層を用いて導通させることができる。したがって、製造
工程を簡略化し、工程負荷を低減することが可能な液晶装置の製造方法とすることができ
る。
In the liquid crystal device manufacturing method of the present invention, a liquid crystal layer is sandwiched between a first substrate and a second substrate, and a pixel electrode and a common electrode are formed on the first substrate. A method of manufacturing a lateral electric field type liquid crystal device that drives a liquid crystal by an electric field generated between a common electrode, a colored layer provided in a color filter layer on a surface of the second substrate on the liquid crystal layer side, and A step of simultaneously forming a protrusion layered with a coloring layer forming material; a step of covering the color filter layer and the protrusion portion; and forming the electrostatic shielding layer; and provided on the first substrate. A step of bringing the conductive portion connected to the driving circuit and controlled to a predetermined potential into contact with the electrostatic shielding layer covering the protrusion on the second substrate, and bonding the first substrate and the second substrate together It is characterized by having.
According to this method, the protrusion can be formed simultaneously with the formation of the colored layer when the colored layer is formed. Therefore, it is possible to conduct by using the electrostatic shielding layer that covers the surface of the protruding portion without newly providing a step for arranging a conductive material for vertical movement. Therefore, a manufacturing method of a liquid crystal device that can simplify the manufacturing process and reduce the process load can be obtained.
本発明の電子機器は、上述の液晶装置を備えることを特徴とする。
この構成によれば、外部環境からの静電気による表示乱れが無く、且つ狭額縁化を実現
可能な液晶装置を備え、高品質な画像表示が可能な電子機器を提供することができる。
An electronic apparatus according to the present invention includes the above-described liquid crystal device.
According to this configuration, it is possible to provide an electronic device that includes the liquid crystal device that is free from disturbance of display due to static electricity from the external environment and that can realize a narrow frame and can display a high-quality image.
以下、図1〜図6を参照しながら、本発明の実施形態に係る液晶装置について説明する
。なお、以下の全ての図面においては、図面を見やすくするため、各構成要素の膜厚や寸
法の比率などは適宜異ならせてある。
Hereinafter, a liquid crystal device according to an embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. In all the drawings below, the film thicknesses and dimensional ratios of the constituent elements are appropriately changed in order to make the drawings easy to see.
本実施形態の液晶装置は、光の進行方向と直交する横電界によって液晶分子の方位角を
制御して画像表示を行うものである。このような方式としては、FFS方式や、IPS方
式等が知られている。以下、FFS方式の駆動方式を採用した液晶装置のうちフルカラー
表示が可能なものに基づいて説明するが、本発明はIPS方式の液晶装置にも適用可能で
ある。
The liquid crystal device according to the present embodiment performs image display by controlling the azimuth angle of liquid crystal molecules by a lateral electric field orthogonal to the traveling direction of light. As such a method, an FFS method, an IPS method, or the like is known. Hereinafter, the liquid crystal device adopting the FFS driving method will be described based on a liquid crystal device capable of full color display, but the present invention is also applicable to an IPS liquid crystal device.
図1は、本実施形態の液晶装置1の等価回路図である。液晶装置1の表示領域を構成す
るマトリクス状に形成された複数のサブ画素領域には、画素電極9と画素電極9をスイッ
チング制御するためのTFT30とが形成されている。画素電極9と共通電極19との間
には液晶層50が介在している。共通電極19は走査線駆動回路204から延びる共通線
3bと電気的に接続されており、複数のサブ画素において共通の電位に保持されるように
なっている。
FIG. 1 is an equivalent circuit diagram of the
データ線駆動回路201から延びるデータ線6aがTFT30のソースと電気的に接続
されている。データ線駆動回路201は、画像信号S1、S2、…、Snを、データ線6
aを介して各サブ画素に供給する。画像信号S1〜Snはこの順に線順次に供給しても構
わないし、相隣接する複数のデータ線6a同士に対して、グループ毎に供給するようにし
てもよい。
A
A is supplied to each sub-pixel via a. The image signals S1 to Sn may be supplied line-sequentially in this order, or may be supplied for each group to a plurality of
TFT30のゲートには、走査線駆動回路204から延びる走査線3aが電気的に接続
されている。走査線駆動回路204から所定のタイミングで走査線3aにパルス的に供給
される走査信号G1、G2、…、Gmが、この順に線順次でTFT30のゲートに印加さ
れるようになっている。
A
画素電極9は、TFT30のドレインに電気的に接続されている。スイッチング素子で
あるTFT30が走査信号G1、G2、…、Gmの入力により一定期間だけオン状態とさ
れることで、データ線6aから供給される画像信号S1、S2、…、Snが所定のタイミ
ングで画素電極9に書き込まれるようになっている。画素電極9を介して液晶層50に書
き込まれた所定レベルの画像信号S1、S2、…、Snは、画素電極9と液晶層50を介
して対向する共通電極19との間で一定期間保持される。
The
図2は、本実施形態の液晶装置1について、対向基板(第2基板)側から見た平面図で
ある。
FIG. 2 is a plan view of the
図2に示すように、本実施形態の液晶装置1は、素子基板(第1基板)10と対向基板
20とが平面的に重なる部分の周縁部においてシール材52によって貼り合わされ、この
シール材52によって区画された領域(表示領域A)内に液晶分子が封入、保持されてい
る。シール材52には、製造時において素子基板10と対向基板20とを貼り合わせた後
に液晶分子を注入するための液晶注入口55が形成されており、液晶注入口55は液晶注
入後に封止材54により封止されている。
As shown in FIG. 2, the
素子基板10の一端側の、素子基板10と対向基板20との重なり部分から張り出した
部分(基板張出部10a)には、液晶装置1を駆動する駆動信号を処理し適宜供給するた
めの駆動用IC201が実装されており、端部には入力用端子202が設けられている。
入力用端子202には、例えば異方性導電膜203を介して、配線が形成されたFPC(
Flexible Printed Circuit)基板等が実装されており、外部電源や種々の外部機器と接続
している。
Drive for processing and appropriately supplying a drive signal for driving the
For example, an FPC (wiring line) formed on the
Flexible Printed Circuit) board is mounted and connected to external power supply and various external devices.
素子基板10の内面側(液晶層側)であって表示領域Aと平面的に重なる領域には、図
示略の画素電極および共通電極が形成されており、サブ画素Pを構成している。複数のサ
ブ画素Pは縦横にマトリクス状に配置され、表示領域Aを構成している。また、素子基板
10の内面側であってシール材52と平面的に重なる領域には、引き回し配線18が設け
られている。
A pixel electrode and a common electrode (not shown) are formed in a region overlapping with the display region A on the inner surface side (liquid crystal layer side) of the
また、対向基板20の内面側には、後述の静電シールド層(静電遮蔽層)40が設けら
れており、後述のように素子基板10の引き回し配線18と電気的に導通している。液晶
装置1においては、その他必要応じて位相差板、偏光板等が所定の向きに配置されるが、
ここでは図示を省略する。
Further, an electrostatic shield layer (electrostatic shielding layer) 40 described later is provided on the inner surface side of the
Illustration is omitted here.
図3は、図2において二点鎖線で囲んだ領域AR1の拡大図である。 FIG. 3 is an enlarged view of a region AR1 surrounded by a two-dot chain line in FIG.
図に示す様に、非表示領域Mには、サブ画素Pの周辺に配置された複数のダミー画素D
Pを有するダミー領域DAと、ダミー領域DAとシール材52との間の領域に配置された
ショートリング211や抵抗素子212を有する静電保護領域SAと、が設けられている
。静電保護領域SAのショートリング211および抵抗素子212は、製造工程中に発生
する静電気からサブ画素Pごとに配置されたTFTを保護するために設けられる。また、
後述のように、対向基板に設けられた静電シールド層は、ダミー領域DAにおいて素子基
板側と導通している。
As shown in the figure, the non-display area M includes a plurality of dummy pixels D arranged around the sub-pixel P.
A dummy area DA having P, and an electrostatic protection area SA having a
As will be described later, the electrostatic shield layer provided on the counter substrate is electrically connected to the element substrate side in the dummy area DA.
非表示領域Mには、引き回し配線18から浸入する静電気を放電し、表示領域Aに配置
されたサブ画素Pを保護するための静電保護領域SAと、静電保護領域SAで放電仕切れ
なかった静電気によるサブ画素Pの破壊を自ら破壊されることで代行するダミー画素(静
電保護部材)DPが配置されたダミー領域DAが設けられている。
In the non-display area M, static electricity entering from the lead-
製造工程中に発生する静電気は、表示領域Aの周辺からサブ画素Pに侵入する。そのた
め、発生する静電気を静電保護領域SAの機能にて放電すると共に、放電仕切れなかった
静電気をダミー領域DAに配置されたダミー画素DPが破壊されることで、サブ画素Pが
破壊されることを防いでいる。
Static electricity generated during the manufacturing process enters the sub-pixel P from the periphery of the display area A. Therefore, the generated static electricity is discharged by the function of the electrostatic protection area SA, and the sub-pixel P is destroyed by destroying the static electricity that has not been discharged and the dummy pixels DP arranged in the dummy area DA. Is preventing.
抵抗素子212は、サブ画素Pおよびダミー画素DPが配列する行列に対応して、各行
列の端部に設けられている。図では、サブ画素Pおよびダミー画素DPの行に対して1行
おき(上端の行から数えて偶数行)に設けられ、各々の行の走査線3aと接続している。
また、図示は省略するが、図に示す右辺と対向する側の左辺には、残る行(奇数行)に対
応する抵抗素子212が設けられている。また、サブ画素Pおよびダミー画素DPの列の
上端部にも、列毎に抵抗素子212が設けられている。
The
Although not shown in the figure,
また、共通電極19は、サブ画素Pおよびダミー画素DPを覆って形成されており、抵
抗素子212が設けられた側の端部には、ショートリング211と接続するための張出部
213が設けられている。張出部213は、抵抗素子212と重ならない位置に設けられ
ており、張出部213を介して共通電極19とショートリング211とが接続している。
これらの構成は、図に示す右辺と対向する側の左辺にも同様に設けられている。
The
These configurations are similarly provided on the left side opposite to the right side shown in the figure.
また、共通電極19の上端の角部分に設けられた張出部213には、引き回し配線18
と接続するために平面視略矩形の接続部19aが設けられており、複数のコンタクトホー
ル214を介して違いに接続している。引き回し配線18からは、共通電極19へ共通電
位が供給されている。また、接続部19aは、複数のコンタクトホール215を介して、
ショートリング211とも接続している。これら静電保護領域SAに設けられた部材によ
り、サブ画素Pに設けられたTFTの静電破壊を防止している。これらの構成も、左辺側
にも同様に設けられている。
In addition, the overhanging
Are connected to each other through a plurality of contact holes 214. A common potential is supplied to the
The
不図示の対向基板の液晶層側の面には、非表示領域Mに配置されている共通電極19と
重なって、後述の突起部42が設けられている。本実施形態では、接続部19aと平面的
に重なる位置に、平面視略矩形の突起部42が設けられている。詳しくは後述するが、突
起部42には、表面を覆って外部静電気を捕捉する静電シールド層40が設けられており
、接続部19aにおいて共通電極19と静電シールド層40とが接触し、電気的に導通し
ている。したがって、静電シールド層40の電位は、共通電位と同電位に保たれている。
On the surface of the counter substrate (not shown) on the liquid crystal layer side, a
突起部42を覆う静電シールド層40は、ダミー領域DAや静電保護領域SAの各構成
と平面的に重なって設けられている。静電シールド層40は、後述するように外部からの
静電気を捕捉する機能を有しており、静電気によりダミー領域DAや静電保護領域SAの
各構成が破壊されることを防いでいる。そのため、ダミー領域DAや静電保護領域SAで
は、良好にサブ画素Pが破壊されることを防ぐことができる。また、静電シールド層40
とダミー領域DAや静電保護領域SAの各構成とは電気的に接続されているため、互いに
協働して静電気を拡散させることができる。
The
Since the dummy area DA and the electrostatic protection area SA are electrically connected to each other, the static electricity can be diffused in cooperation with each other.
本実施形態においては、突起部42を、非表示領域Mに配置され共通電極19の一部と
成す接続部19aと重なる位置に設けることとしたが、これに限らない。突起部42は、
共通電極19または引き回し配線18と平面的に重なり、且つ着色層22aと重ならない
位置に設けられていれば、上下導通を取ることが可能である。例えば、ダミー領域DAに
おいてダミー画素DPと重なる位置や、表示領域A内のブラックマトリクス22bと平面
的に重なる位置に設けることができる。
In the present embodiment, the projecting
If the
更に、本実施形態では、突起部42は平面視略矩形であることとしたがこれに限らず、
円形、楕円形、正方形、多角形などの任意の平面視形状を採用することができる。また、
図では接続部19aと重なる位置に配置された1つの突起部42のみ示しているが、複数
設けることとしても良い。このような構成を採用すると、複数箇所で静電シールド層40
と共通電極19との導通を得ることができ、静電シールド層40で捕捉する静電気を良好
に放出することができ好ましい。
Furthermore, in this embodiment, although the
Any plan view shape such as a circle, an ellipse, a square, or a polygon can be employed. Also,
In the figure, only one
And the
図4は、本実施形態の液晶装置1の周辺部における概略断面図である。ここでは、図を
見やすくするために、非表示領域における構成を一部省略して図示している。
FIG. 4 is a schematic cross-sectional view of the periphery of the
図に示すように、液晶装置1は、素子基板10と、素子基板10と対向配置された対向
基板20と、素子基板10と対向基板20との間に挟持された液晶層50と、を備えて構
成されている。また、液晶装置1には、素子基板10と対向基板20とが対向する領域の
縁端に沿ってシール材52が設けられ、液晶層50を構成する液晶分子が封止されている
。
As shown in the figure, the
また、シール材52の内側(液晶層50側)であって、素子基板10に設けられた共通
電極19と重なる部分には、突起部42が形成されており、突起部42の表面を覆う静電
シールド層40が共通電極19と接している。この液晶装置1は、素子基板10側から照
明光が照射され、表示される画像を対向基板20側から観察する構成となっている。以下
、各構成について詳細に説明する。
In addition, a
素子基板10は、透光性を備えた基板本体11を備えている。基板本体11を形成する
材料には、例えばガラス、石英ガラス、窒化ケイ素等の無機物や、アクリル樹脂、ポリカ
ーボネート樹脂等の有機高分子化合物(樹脂)を用いることができる。また、透光性を備
えるならば、これらの材料を積層または混合して形成された複合材料を用いることもでき
る。
The
基板本体11の液晶層50側の面上には、アルミニウムや銅等の導電性材料からなる走
査線3aと不図示のデータ線が形成されている。また、シール材52と平面的に重なる領
域には、同様の導電性材料からなる引き回し配線18が形成されている。これらは同じ材
料を用いることとしてもよく、また異なる材料を用いて形成しても良い。これらは、例え
ば導電性材料の薄膜を成膜した後に、パターニングされることにより得られる。本実施形
態では形成材料としてアルミニウムを用いる。
On the surface of the
また基板本体11上には、走査線3a、データ線、引き回し配線18を覆うようにゲー
ト絶縁膜12が形成されている。ゲート絶縁膜12は、窒化シリコンや酸化シリコンなど
のような絶縁性を有する透光性材料で構成されている。
A
ゲート絶縁膜12上には、半導体層32、半導体層32の一端に接続されているソース
電極33、半導体層32の他端に接続されているドレイン電極34が形成されており、こ
れら半導体層32、ソース電極33、ドレイン電極34および走査線3aによってボトム
ゲート型のTFT30を構成している。また、TFT30を覆うように層間絶縁膜13が
形成されている。層間絶縁膜13は、ゲート絶縁膜12と同様に、窒化シリコンや酸化シ
リコンなどの絶縁性を有する透光性材料で構成されている。
On the
層間絶縁膜13上の表示領域Aと重なる位置には、画素電極9が形成されており、コン
タクトホール16を介してTFT30のドレイン電極34と電気的に接続している。画素
電極9は、ITO(Indium Tin Oxide:インジウム錫酸化物)や錫酸化物(SnO2)等
の透光性を備えた導電性材料にて形成されている。本実施形態ではITOを用いている。
A
また、層間絶縁膜13上には、画素電極9を覆って電極間絶縁膜14が形成されている
。電極間絶縁膜14は、ゲート絶縁膜12や層間絶縁膜13と同様に、窒化シリコンや酸
化シリコンなどの絶縁性を有する透光性材料で構成されており、層間絶縁膜13上に形成
された画素電極9を被覆している。
An interelectrode insulating
電極間絶縁膜14上には、梯子状の共通電極19が形成されている。画素電極9と共通
電極19とは、電極間絶縁膜14を介して配置されており、FFS方式の電極構造を構成
している。また共通電極19は、ゲート絶縁膜12、層間絶縁膜13、電極間絶縁膜14
を連通するコンタクトホール17を介して引き回し配線18と接続されている。共通電極
19は、ITO等の透光性の導電性材料にて形成されており、本実施形態では共通電極1
9の材料にITOを用いている。
A ladder-like
Is connected to the
9 is made of ITO.
また、電極間絶縁膜14上には、共通電極19を覆って配向膜15が形成されている。
配向膜15は、例えばポリイミドなどの有機材料やシリコン酸化物などの無機材料で構成
されている。本実施形態の配向膜15は、ポリイミドの形成材料を塗布してこれを乾燥・
硬化させた後、その上面にラビング処理を施すことによって得られる。
An alignment film 15 is formed on the interelectrode insulating
The alignment film 15 is made of, for example, an organic material such as polyimide or an inorganic material such as silicon oxide. The alignment film 15 of this embodiment is coated with a polyimide forming material and dried.
After curing, it is obtained by subjecting the upper surface to a rubbing treatment.
一方、対向基板20は透光性を備えた基板本体21を備えている。基板本体21を形成
する材料には基板本体11と同様の材料を用いることができる。
On the other hand, the
基板本体21の液晶層50側の面上には、着色層22aおよびブラックマトリクス(遮
光層)22bを備えたカラーフィルタ層22が形成されている。カラーフィルタ層22は
、例えば、まず黒色顔料を混合したアクリル樹脂や低反射クロムなどを用い、通常知られ
た方法を用いて格子状にパターニングしたブラックマトリクス22bを形成し、次いで、
パターニングにより表示領域Aに設けられた開口部22cに着色層22aの形成材料を配
置して形成する。着色層22aの形成材料としては、顔料や染料を含むネガ型感光性樹脂
を用いる。
On the surface of the
The material for forming the
本実施形態では各層の膜厚を、着色層22aは2μm、ブラックマトリクス22bは1
.5μmとした。カラーフィルタ層22で、素子基板10側から入射して対向基板20側
に出射する光を赤色、緑色、青色に変調し、各色の光を混色することでフルカラー表示が
可能となる。
In the present embodiment, the thickness of each layer is 2 μm for the
. The thickness was 5 μm. The
ダミー領域DAに配置されたブラックマトリクス22b上には、着色層22aの形成材
料を用いて突起部42が設けられている。突起部42は、着色層22aと同一材料からな
る材料層を3層重ねて形成したものである。各材料層の層厚は、対応する色の着色層22
aと同じ厚みであっても良いし、異なる厚みであっても良い。材料層の厚みを対応する着
色層22aと異ならせる事で、突起部42全体の高さを調節することができる。本実施形
態の突起部42は、6μmの高さに形成されている。
On the
It may be the same thickness as a or a different thickness. By making the thickness of the material layer different from the corresponding
カラーフィルタ層22および突起部42の側面42aと頂面42bとを覆って全面に、
静電シールド層40が形成されている。静電シールド層40は、外部からの静電気を捕捉
し層内に拡散させることで、対向基板20と素子基板10との間に不測の縦電界を生じる
ことを防止するために設けられる。静電シールド層40は、ITOやSnO2等の透光性
を有する導電材料を用いて形成されており、本実施形態ではITOを形成材料としている
。素子基板10側の突起部42と重なる領域には、共通電極19が露出しており、突起部
42の表面を覆う静電シールド層40が接触して導通している。
Covering the
An
静電シールド層40上には、オーバーコート層(絶縁層)24が形成されている。オー
バーコート(OVC)層24は、カラーフィルタ層22を物理的または化学的に保護する
機能を備える。また、形成された着色層22aやブラックマトリクス22bから、各々の
形成材料に含まれる硬化剤の反応残渣などの低分子量物質やイオン性の不純物が液晶層5
0へ溶出し、表示乱れを起こすことを防ぐ。図では、突起部42の側面42aには形成し
ていないものとしているが、OVC層24が延在して突起部42の側面42aに形成され
ている静電シールド層40を覆っているとなお良い。OVC層24は、例えばアクリル樹
脂やエポキシ樹脂などの透光性を備えた硬化性樹脂を用いて形成する。本実施形態ではア
クリル樹脂を用い、膜厚2μmに形成している。
An overcoat layer (insulating layer) 24 is formed on the
It elutes to 0 and prevents display disturbance. In the drawing, it is assumed that the
OVC層24上には、配向膜15と同様の材料を用いて配向膜25が形成されている。
本実施形態の配向膜25は、ポリイミドの形成材料を塗布してこれを乾燥・硬化させた後
、その上面に一定方向にラビング処理を施すことによって得られる。ラビングによる配向
膜25の配向方向は、配向膜15の配向方向と同方向となるように設定されている。
An
The
また、液晶層50と重なる領域のOVC層24上には、ブラックマトリクス22bと重
なる領域に、スペーサ56が形成されている。スペーサ56は、素子基板10と対向基板
20との離間距離を一定以下にならないように保持するためのものである。例えば、対向
基板20側から応力が加わった場合に、液晶層50の厚さがスペーサ56の高さ未満とな
らないため、表示乱れを防ぐことができる。本実施形態では、液晶層50の厚みが3μm
となるようにスペーサ56の高さを設定している。
本実施形態の液晶装置1は、以上のような構成となっている。
In addition, on the
The height of the
The
図5,6は、本実施形態の液晶装置の製造方法を示す工程図である。 5 and 6 are process diagrams showing the method of manufacturing the liquid crystal device of this embodiment.
まず、図5(a)に示すように、基板本体21上に、通常知られたパターニング方法を
用いてブラックマトリクス22bを形成する。
First, as shown in FIG. 5A, a
次いで、図5(b)に示すように、ブラックマトリクス22bの開口部22cに赤色の
着色層22arを形成し、同時にブラックマトリクス22b上にも着色層22arの形成
材料を用いて突起部42xを形成する。着色層の形成材料にはネガ型の感光性樹脂を用い
、フォトリソグラフィ法を用いてパターニングすることにより着色層22arと突起部4
2xとを形成する。
Next, as shown in FIG. 5B, a red colored layer 22ar is formed in the
2x.
次いで、図5(c),(d)に示すように、ブラックマトリクス22bの開口部22c
に緑色の着色層22ag、青色の着色層22abを順次形成し、同時に突起部42x上に
も着色層22ag,22abの形成材料を用いて順次積層し、突起部42を形成する。着
色層の形成材料を用いて着色層と同時に突起部42を形成するため、着色層22aの形成
が完了すると同時に、着色層22ar,22ag,22abと同一材料からなる層が積層
した突起部42の形成が完了する。
Next, as shown in FIGS. 5C and 5D, the
The green colored layer 22ag and the blue colored layer 22ab are sequentially formed, and at the same time, the
次いで、図6(a)に示すように、カラーフィルタ層22、突起部42の側面および頂
面を覆って静電シールド層40を形成する。静電シールド層40は、ITO等の形成材料
を、真空蒸着法、スパッタリング法や、プラズマCVD法等の公知の技術を用いて成膜す
ることで形成する。
Next, as shown in FIG. 6A, the
次いで、図6(b)に示すように、従来知られた方法によって静電シールド層40上に
OVC層24、配向膜25を設け、対向基板20を形成する。
Next, as shown in FIG. 6B, the
次いで、図6(c)に示すように、別途形成した素子基板10の表面に露出する共通電
極19と、突起部42を覆う静電シールド層40とを平面的に重ね合わせて接触させ、シ
ール材52を介して両基板を貼り合わせる。シール材52内に液晶分子を封入して液晶層
50とする。
以上のようにして、液晶装置1を製造することができる。
Next, as shown in FIG. 6C, the
The
以上のような構成の液晶装置1によれば、突起部42の表面を覆う静電シールド層40
を、素子基板10と対向基板20とを導通させるための導通用部材として用いることがで
きる。着色層22aの形成材料で設けられた突起部42は、銀ペーストなどの導通材のよ
うに押し広げられることがないため、導通材の広がりを考慮した余剰部分が不要となり、
狭額縁化が可能な液晶装置1とすることができる。
According to the
Can be used as a conducting member for conducting the
The
また、本実施形態では、突起部42は複数の着色層22aが積層して形成されているた
め、素子基板10と対向基板20との離間距離に応じた高さを有する突起部42を形成し
やすい。
In the present embodiment, the
また、本実施形態では、突起部42が液晶層50と平面的に重なる領域に設けられ、上
下導通させているため、シール材52から基板の端部までの幅を狭くすることができ、狭
額縁化が可能な液晶装置1とすることができる。
Further, in the present embodiment, since the
また、本実施形態では、静電シールド層40の表面にOVC層24が設けられており、
これらの層の厚み分、静電シールド層40と液晶層50とが離間している。そのため、O
VC層24で電圧降下が起こり、静電シールド層40で捕捉した静電気によるクーロン力
が弱まり、液晶層50に影響を与えにくくなる。したがって、狭額縁化を実現すると共に
、静電気に起因する表示乱れを防ぎ、高品質な画像表示が可能な液晶装置1とすることが
できる。
In the present embodiment, the
The
A voltage drop occurs in the
また、本実施形態では、静電シールド層40の電位が共通電極19の電位と同じ共通電
位に制御されるため、静電シールド層40と共通電極19との間に電位差がなくなり、縦
方向の電界が発生し難くなる。したがって、画像乱れを抑制した液晶装置1とすることが
できる。
In this embodiment, since the potential of the
また、本実施形態では、画素電極9は、共通電極19を挟んで液晶層50と反対側に設
けられることとしている。そのため、静電気を捕捉する静電シールド層40と画素電極9
との間がより離れたものとなって、画素電極9と静電シールド層40との間に発生する電
界をより微弱に抑えることができる。したがって、狭額縁化を実現すると共に、画像乱れ
を抑制した液晶装置1とすることができる。
In the present embodiment, the
Thus, the electric field generated between the
以上のような液晶装置1の製造方法によれば、突起部42は、着色層22aの形成材料
を用い着色層22aと同時に形成されるため、製造工程を簡略化することができる。
According to the manufacturing method of the
なお、本実施形態においては、画素電極9は、共通電極19よりも液晶層50側に配置
することもできる。その場合には、液晶層50に近い側に配置される画素電極9を、梯子
状電極とする。
In the present embodiment, the
また、本実施形態においては、静電シールド層40を共通電極19と接続し、共通電位
に制御することとしたが、これに限らない。例えば、GND電位に保たれた配線を別途形
成し、当該配線と静電シールド層40とを接続することで、静電シールド層40をGND
電位に保つ事としても良い。
In the present embodiment, the
It may be kept at a potential.
[電子機器]
次に、本発明の電子機器の実施形態について説明する。図7は、本発明に係る電子機器
の一例を示す斜視図である。図7に示す携帯電話(電子機器)1300は、本発明の液晶
装置を小サイズの表示部1301として備え、複数の操作ボタン1302、受話口130
3、及び送話口1304を備えて構成されている。これにより、外部環境からの静電気に
よる表示乱れが無く、且つ、狭額縁化を実現可能な本発明の液晶装置を表示部として具備
した携帯電話1300を提供することができる。
[Electronics]
Next, an embodiment of the electronic device of the present invention will be described. FIG. 7 is a perspective view showing an example of an electronic apparatus according to the present invention. A mobile phone (electronic device) 1300 illustrated in FIG. 7 includes the liquid crystal device of the present invention as a small-
3 and a
上記各実施形態の液晶装置は、上記携帯電話に限らず、電子ブック、プロジェクタ、パ
ーソナルコンピュータ、ディジタルスチルカメラ、テレビジョン受像機、ビューファイン
ダ型あるいはモニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ
、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、POS端末、
タッチパネルを備えた機器等々の画像表示手段として好適に用いることができ、かかる構
成とすることで、静電気による画像乱れが少なく、表示品質が高い表示部を備えた電子機
器を提供できる。
The liquid crystal device of each of the embodiments is not limited to the mobile phone, but is an electronic book, a projector, a personal computer, a digital still camera, a television receiver, a viewfinder type or a monitor direct view type video tape recorder, a car navigation device, a pager. , Electronic notebook, calculator, word processor, workstation, video phone, POS terminal,
It can be suitably used as an image display means for a device equipped with a touch panel, and such a configuration can provide an electronic device including a display portion with little image disturbance due to static electricity and high display quality.
以上、添付図面を参照しながら本発明に係る好適な実施の形態例について説明したが、
本発明は係る例に限定されないことは言うまでもない。上述した例において示した各構成
部材の諸形状や組み合わせ等は一例であって、本発明の主旨から逸脱しない範囲において
設計要求等に基づき種々変更可能である。
The preferred embodiment of the present invention has been described above with reference to the accompanying drawings.
It goes without saying that the present invention is not limited to such examples. Various shapes, combinations, and the like of the constituent members shown in the above-described examples are examples, and various modifications can be made based on design requirements and the like without departing from the gist of the present invention.
1…液晶装置、9…画素電極、10…素子基板(第1基板)、12…ゲート絶縁膜(絶
縁膜)、13…層間絶縁膜(絶縁膜)、14…電極間絶縁膜(絶縁膜)、18…引き回し
配線、19…共通電極、20…対向基板(第2基板)、22…カラーフィルタ層、22a
,22ar,22ag,22ab…着色層、22b…ブラックマトリクス(遮光層)、2
2c…開口部、24…オーバーコート層(絶縁層)、40…静電シールド層(静電遮蔽層
)、42…突起部、50…液晶層、1300…携帯電話(電子機器)、A…表示領域
DESCRIPTION OF
, 22ar, 22ag, 22ab ... colored layer, 22b ... black matrix (light shielding layer), 2
2c ... opening, 24 ... overcoat layer (insulating layer), 40 ... electrostatic shielding layer (electrostatic shielding layer), 42 ... projection, 50 ... liquid crystal layer, 1300 ... mobile phone (electronic device), A ... display region
Claims (8)
とが形成され、前記画素電極と前記共通電極との間に発生する電界によって液晶を駆動す
る横電界方式の液晶装置であって、
前記第1基板の前記液晶層側の面に、駆動回路と、前記駆動回路と電気的に接続された
導電部と、が設けられ、
前記第2基板の前記液晶層側の面には、着色層を備えるカラーフィルタ層と、前記着色
層の形成材料を用いて形成された突起部と、が設けられ、
前記カラーフィルタ層の前記液晶層側の面、前記突起部の側面および頂面を覆って静電
遮蔽層が形成されており、
前記突起部を覆う前記静電遮蔽層と前記導電部とが接することで前記静電遮蔽層と前記
駆動回路とが電気的に接続され、前記静電遮蔽層の電位が前記駆動回路によって所定電位
に制御されていることを特徴とする液晶装置。 A liquid crystal layer is sandwiched between the first substrate and the second substrate, a pixel electrode and a common electrode are formed on the first substrate, and the liquid crystal is generated by an electric field generated between the pixel electrode and the common electrode. A lateral electric field type liquid crystal device to be driven,
A drive circuit and a conductive portion electrically connected to the drive circuit are provided on the surface of the first substrate on the liquid crystal layer side,
A surface of the second substrate on the liquid crystal layer side is provided with a color filter layer including a colored layer, and a protrusion formed using a material for forming the colored layer,
An electrostatic shielding layer is formed to cover the surface of the color filter layer on the liquid crystal layer side, the side surface and the top surface of the protrusion,
The electrostatic shielding layer and the drive circuit are electrically connected by contacting the electrostatic shielding layer covering the protrusion and the conductive portion, and the potential of the electrostatic shielding layer is set to a predetermined potential by the drive circuit. A liquid crystal device characterized by being controlled.
前記突起部は、前記複数の色の着色層の形成材料を各々積層して形成されていることを
特徴とする請求項1に記載の液晶装置。 The color filter layer has the colored layer of a plurality of colors,
The liquid crystal device according to claim 1, wherein the protrusion is formed by laminating a plurality of color layer forming materials.
前記シール材によって囲まれた領域の内側には、複数の前記画素電極によって形成され
た表示領域が設けられており、
前記突起部は、前記シール材によって囲まれた領域の内側であって、前記表示領域と前
記シール材との間の非表示領域に設けられていることを特徴とする請求項1または2に記
載の液晶装置。 Around the liquid crystal layer, a sealing material for sealing liquid crystal molecules is provided,
Inside the region surrounded by the sealing material, a display region formed by a plurality of the pixel electrodes is provided,
The said protrusion part is an inner side of the area | region enclosed by the said sealing material, Comprising: It is provided in the non-display area | region between the said display area and the said sealing material. LCD device.
前記静電遮蔽層と前記配向膜との間に絶縁層を有することを特徴とする請求項1から3
のいずれか1項に記載の液晶装置。 An alignment film is formed on the surface of the electrostatic shielding layer on the liquid crystal layer side,
4. An insulating layer is provided between the electrostatic shielding layer and the alignment film.
The liquid crystal device according to any one of the above.
と同じ電位に制御されることを特徴とする請求項1から4のいずれか1項に記載の液晶装
置。 5. The liquid crystal according to claim 1, wherein the common electrode is used as the conductive portion, and the potential of the electrostatic shielding layer is controlled to the same potential as the potential of the common electrode. apparatus.
層され、
前記共通電極が前記画素電極よりも前記液晶層側に設けられていることを特徴とする請
求項1から5のいずれか1項に記載の液晶装置。 The pixel electrode and the common electrode are stacked via an insulating film on the liquid crystal layer side of the first substrate,
6. The liquid crystal device according to claim 1, wherein the common electrode is provided closer to the liquid crystal layer than the pixel electrode.
とが形成され、前記画素電極と前記共通電極との間に発生する電界によって液晶を駆動す
る横電界方式の液晶装置の製造方法であって、
前記第2基板の前記液晶層側の面に、カラーフィルタ層が備える着色層と、前記着色層
の形成材料が積層した突起部とを同時に形成する工程と、
前記カラーフィルタ層および前記突起部を覆って、前記静電遮蔽層を形成する工程と、
前記第1基板上に設けられた駆動回路と接続され所定電位に制御された導電部と、第2
基板上の前記突起部を覆う前記静電遮蔽層と、を接触させ、前記第1基板と前記第2基板
とを貼り合わせる工程と、を有することを特徴とする液晶装置の製造方法。 A liquid crystal layer is sandwiched between the first substrate and the second substrate, a pixel electrode and a common electrode are formed on the first substrate, and the liquid crystal is generated by an electric field generated between the pixel electrode and the common electrode. A method of manufacturing a lateral electric field liquid crystal device to be driven,
Simultaneously forming a colored layer provided in a color filter layer on the surface of the second substrate on the liquid crystal layer side, and a protrusion layered with a material for forming the colored layer;
Covering the color filter layer and the protrusion, and forming the electrostatic shielding layer;
A conductive portion connected to a driving circuit provided on the first substrate and controlled at a predetermined potential;
A method of manufacturing a liquid crystal device, comprising: contacting the electrostatic shielding layer covering the protrusion on the substrate, and bonding the first substrate and the second substrate together.
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Cited By (2)
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---|---|---|---|---|
JP2011033918A (en) * | 2009-08-04 | 2011-02-17 | Toppan Printing Co Ltd | Color filter and method of manufacturing the same |
JP2012018970A (en) * | 2010-07-06 | 2012-01-26 | Mitsubishi Electric Corp | Thin film transistor array substrate, manufacturing method of the same and liquid crystal display device |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN103645576A (en) * | 2013-10-29 | 2014-03-19 | 华映视讯(吴江)有限公司 | Display panel |
CN105116584B (en) * | 2015-09-16 | 2017-02-22 | 深圳市华星光电技术有限公司 | Liquid crystal display panel and device |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO1997010530A1 (en) * | 1995-09-14 | 1997-03-20 | Hitachi, Ltd. | Active matrix liquid crystal display |
JP2006031022A (en) * | 2004-07-19 | 2006-02-02 | Quanta Display Inc | Liquid crystal display unit |
JP2008058792A (en) * | 2006-09-01 | 2008-03-13 | Sharp Corp | Electro-optical device |
-
2008
- 2008-09-30 JP JP2008252589A patent/JP5213616B2/en active Active
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO1997010530A1 (en) * | 1995-09-14 | 1997-03-20 | Hitachi, Ltd. | Active matrix liquid crystal display |
JP2006031022A (en) * | 2004-07-19 | 2006-02-02 | Quanta Display Inc | Liquid crystal display unit |
JP2008058792A (en) * | 2006-09-01 | 2008-03-13 | Sharp Corp | Electro-optical device |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011033918A (en) * | 2009-08-04 | 2011-02-17 | Toppan Printing Co Ltd | Color filter and method of manufacturing the same |
JP2012018970A (en) * | 2010-07-06 | 2012-01-26 | Mitsubishi Electric Corp | Thin film transistor array substrate, manufacturing method of the same and liquid crystal display device |
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