JP5610710B2 - Liquid crystal devices and electronic devices - Google Patents

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Description

本発明は、液晶装置および電子機器に関するものである。   The present invention relates to a liquid crystal device and an electronic apparatus.

液晶装置の視野角を広げる手段として、基板に対して面内方向(横方向)の電界を発生させ、この横方向の電界で液晶分子を基板とほぼ平行な面内で回転させることで透過光を制御する、いわゆる横電界方式のIPS(In-Plane Switching)方式が実用化されている。更に、このIPS方式を改良したFFS(Fringe-Field Switching)方式が提案されている。   As a means to widen the viewing angle of the liquid crystal device, an electric field in the in-plane direction (transverse direction) is generated with respect to the substrate, and the liquid crystal molecules are rotated in a plane substantially parallel to the substrate by the electric field in the lateral direction. A so-called lateral electric field type IPS (In-Plane Switching) system for controlling the above-mentioned has been put into practical use. Furthermore, an FFS (Fringe-Field Switching) system that improves the IPS system has been proposed.

このような横電界方式の液晶装置は、TFT等の駆動素子が形成された素子基板に、共通電極や画素電極といった電極、または配線といった導電性の部材を配置し、表示面側である対向基板には導電部材を設けない構成を有する。そのため、静電気などに代表される対向基板側の外部からの外部電界の影響を受けやすく、液晶表示に乱れが生じやすいという問題がある。これを解決するために、対向基板側に導電膜を形成し、導電膜で静電気を捕捉することで表示乱れを防ぐ方法が提案されている(例えば、特許文献1参照)。   In such a lateral electric field type liquid crystal device, a conductive substrate such as an electrode such as a common electrode or a pixel electrode or a wiring is arranged on an element substrate on which a driving element such as a TFT is formed, and a counter substrate on the display surface side. Has a configuration in which no conductive member is provided. Therefore, there is a problem that the liquid crystal display is likely to be disturbed because it is easily affected by an external electric field on the counter substrate side represented by static electricity. In order to solve this, there has been proposed a method of preventing display disturbance by forming a conductive film on the counter substrate side and capturing static electricity with the conductive film (see, for example, Patent Document 1).

特許文献1には、対向基板が備えるガラス基板の外側(液晶層とは反対側)に透明導電膜を備える構成と、ガラス基板の内側(液晶層側)に透明導電膜を備える構成と、が挙げられている。これらを比較すると、内側に透明導電膜を備える対向基板は、同じく内側に設けられる配向膜などの部材と積層して形成するので、これらの膜を形成する際、ガラス基板の上下反転操作等が不要となることから製造が容易であるという利点を有する。   Patent Document 1 includes a configuration in which a transparent conductive film is provided on the outer side (the side opposite to the liquid crystal layer) of the glass substrate included in the counter substrate, and a configuration in which a transparent conductive film is provided on the inner side (the liquid crystal layer side) of the glass substrate. Are listed. Comparing these, the counter substrate having a transparent conductive film on the inner side is formed by laminating with a member such as an alignment film similarly provided on the inner side, so when these films are formed, the glass substrate is turned upside down. Since it becomes unnecessary, there is an advantage that manufacture is easy.

特開2001−51263号公報JP 2001-51263 A

上記特許文献1では、クロムを形成材料として画素間領域に格子状に設けられた金属遮光層を、上記導電膜として用いる構成が示されている。しかし、このような構成では、平面視で導電膜がない部分が各格子内において存在するため、静電気を捕捉できる箇所が限られる。そのため、静電気からの保護が十分ではない。特に表示領域面積が大きな大型の液晶装置の場合、表示領域面積が小さな小型の液晶装置と比べて1つの画素の領域面積が大きくなる確率が高くなる。従って、静電気に直接曝される領域も増え、表示に与える影響も増大する。   Patent Document 1 discloses a configuration in which a metal light-shielding layer provided in a grid pattern in an inter-pixel region using chromium as a forming material is used as the conductive film. However, in such a configuration, a portion where there is no conductive film in a plan view exists in each lattice, and therefore, places where static electricity can be captured are limited. Therefore, protection from static electricity is not sufficient. In particular, in the case of a large-sized liquid crystal device having a large display area area, the probability that the area area of one pixel is increased is higher than that of a small-sized liquid crystal device having a small display area area. Therefore, the area directly exposed to static electricity increases and the influence on the display also increases.

また、上記特許文献1において、液晶装置が、例えば画像の表示領域面積が広い大型の表示装置(例えば表示領域が凡そ対角20インチ以上のTV画像表示装置)として用いられる場合、画素間の領域に格子状に設けられた金属遮光層において、例えば表示領域の中央と周辺との間の距離が遠くなる。このため、金属遮光層において少なからず存在する抵抗成分に起因して、表示領域の中央と周辺との間では例えば補足した静電気によって電位差が生じることになる。この結果、静電気などに代表される外部電界の影響が表示領域の位置によって異なるため、この外部電界による液晶表示に対する影響が一様でなく、画像の表示乱れが生ずるという問題がある。   In Patent Document 1, when the liquid crystal device is used as, for example, a large display device having a large image display area area (for example, a TV image display device having a display area of approximately 20 inches diagonal or more), an area between pixels is used. For example, the distance between the center and the periphery of the display area is increased in the metal light-shielding layer provided in a grid pattern. For this reason, due to resistance components present in the metal light shielding layer, there is a potential difference between the center and the periphery of the display area due to, for example, supplemented static electricity. As a result, the influence of an external electric field typified by static electricity varies depending on the position of the display region, so that the influence of the external electric field on the liquid crystal display is not uniform, and there is a problem in that image display is disturbed.

本発明はこのような事情に鑑みてなされたものであって、良好な静電防止機能を備え、外部からの静電気に起因する画像乱れを抑制した液晶装置を提供することを目的とする。また、このような液晶装置を備えた電子機器を提供することを目的とする。   The present invention has been made in view of such circumstances, and an object thereof is to provide a liquid crystal device having a good antistatic function and suppressing image disturbance caused by external static electricity. It is another object of the present invention to provide an electronic apparatus including such a liquid crystal device.

上記の課題を解決するため、本発明の液晶装置は、第1基板と第2基板との間に液晶層が挟持され、前記第1基板上に画素電極と共通電極とが形成され、前記画素電極と前記共通電極との間に発生する電界によって液晶を駆動する横電界方式の液晶装置であって、前記第2基板の前記液晶層側の面に、前記画素電極間に対応して金属遮光層が形成され、前記金属遮光層と接して前記画素電極と対向する位置及び前記画素電極間の位置に静電遮蔽層が形成されていることを特徴とする。   In order to solve the above problems, in the liquid crystal device of the present invention, a liquid crystal layer is sandwiched between a first substrate and a second substrate, a pixel electrode and a common electrode are formed on the first substrate, and the pixel A horizontal electric field type liquid crystal device that drives a liquid crystal by an electric field generated between an electrode and the common electrode, wherein a light shielding metal corresponding to the space between the pixel electrodes is provided on the surface of the second substrate on the liquid crystal layer side. A layer is formed, and an electrostatic shielding layer is formed at a position facing the pixel electrode in contact with the metal light shielding layer and a position between the pixel electrodes.

この構成によれば、画素電極と平面的に重なる領域、つまり金属遮光層が形成されない領域は、静電遮蔽層に覆われ静電気が捕捉される。そして、金属遮光層と静電遮蔽層とが協働して装置外部からの静電気を捕捉し、金属遮光層および静電遮蔽層の全体に電荷を拡散させる。そのため、金属遮光層のみで静電気を捕捉する場合と比べ、液晶層に影響ないまま捕捉可能な静電気の容量が増え、シールド効果が高い静電遮蔽層となる。従って、静電気の影響による画像の表示乱れを抑制した液晶装置とすることができる。   According to this configuration, a region overlapping the pixel electrode in a planar manner, that is, a region where the metal light shielding layer is not formed is covered with the electrostatic shielding layer and static electricity is captured. Then, the metal light shielding layer and the electrostatic shielding layer cooperate to capture static electricity from the outside of the apparatus, and the electric charges are diffused throughout the metal light shielding layer and the electrostatic shielding layer. Therefore, compared with the case where static electricity is captured only by the metal light shielding layer, the capacity of static electricity that can be captured without affecting the liquid crystal layer is increased, and the electrostatic shielding layer has a high shielding effect. Therefore, a liquid crystal device in which image display disturbance due to the influence of static electricity is suppressed can be obtained.

本発明においては、前記静電遮蔽層の前記液晶層側の面に配向膜が形成され、前記静電遮蔽層と前記配向膜との間に絶縁層を有することが望ましい。   In the present invention, it is desirable that an alignment film is formed on the surface of the electrostatic shielding layer on the liquid crystal layer side, and an insulating layer is provided between the electrostatic shielding layer and the alignment film.

この構成によれば、金属遮光層および静電遮蔽層と液晶層とが、絶縁層の厚み分だけ更に離間するため電圧降下が生じ、捕捉した静電気が液晶層に作用する力(クーロン力)が弱まる。そのため、絶縁層が無いものと比べて静電気に起因する画像の表示乱れを防ぎ、高品質な画像表示が可能な液晶装置とすることができる。   According to this configuration, the metal light shielding layer and the electrostatic shielding layer are further separated from the liquid crystal layer by the thickness of the insulating layer, so that a voltage drop occurs and the force (Coulomb force) that the captured static electricity acts on the liquid crystal layer is generated. Weaken. Therefore, it is possible to provide a liquid crystal device capable of preventing image disturbance due to static electricity and capable of displaying a high-quality image as compared with a device without an insulating layer.

本発明においては、前記絶縁層は、カラーフィルター層の形成材料である着色層又はオーバーコート層であることが望ましい。   In the present invention, the insulating layer is preferably a colored layer or an overcoat layer which is a material for forming a color filter layer.

この構成においては、フルカラー表示が可能な液晶装置であれば有している部材を絶縁層として用いるため、離間距離を稼ぐために新たに絶縁層を設ける必要が無く、良好に静電気に起因する画像の表示乱れを防ぐことができる。   In this configuration, since a member having a liquid crystal device capable of full-color display is used as an insulating layer, there is no need to newly provide an insulating layer in order to increase a separation distance, and a good image due to static electricity can be obtained. Display disturbance can be prevented.

本発明においては、前記第1基板の前記液晶層側の面に、駆動回路と、前記駆動回路と電気的に接続された引き回し配線とが設けられ、前記引き回し配線と前記静電遮蔽層または金属遮光層とが、前記第1基板と前記第2基板との間に挟持された導通材を介して、互いに平面的に重なる位置で電気的に接続され、前記静電遮蔽層の電位が前記駆動回路によって所定電位に制御されることが望ましい。   In the present invention, a driving circuit and a routing wiring electrically connected to the driving circuit are provided on the surface of the first substrate on the liquid crystal layer side, and the routing wiring and the electrostatic shielding layer or metal A light shielding layer is electrically connected at a position where they overlap each other through a conductive material sandwiched between the first substrate and the second substrate, and the potential of the electrostatic shielding layer is driven by the drive It is desirable to control to a predetermined potential by a circuit.

この構成によれば、静電遮蔽層に捕捉される静電気の電荷が所定電位に保たれるため、長時間使用しても静電気が蓄積・増加することなく、静電気の影響による画像の表示乱れを抑制した液晶装置とすることができる。また、静電遮蔽層は、駆動回路と接続された引き回し配線と直接または金属遮光層を介して接続されるため、新たに導電性の構成部材を形成することなく静電遮蔽層に蓄積する電荷を放出することができ、静電気の影響による画像の表示乱れを抑制した液晶装置とすることができる。   According to this configuration, since the electrostatic charge trapped in the electrostatic shielding layer is kept at a predetermined potential, the static electricity does not accumulate and increase even when used for a long time, and image display disturbance due to the influence of static electricity is prevented. A suppressed liquid crystal device can be obtained. In addition, since the electrostatic shielding layer is connected to the lead wiring connected to the driving circuit directly or via the metal light shielding layer, the charge accumulated in the electrostatic shielding layer without forming a new conductive component. Thus, a liquid crystal device in which image display disturbance due to the influence of static electricity is suppressed can be obtained.

本発明においては、前記静電遮蔽層の電位が、前記共通電極の電位と同じ電位に制御されることが望ましい。   In the present invention, it is desirable that the potential of the electrostatic shielding layer is controlled to the same potential as the potential of the common electrode.

この構成によれば、静電遮蔽層と共通電極との間に電位差がなくなるため、第1基板と第2基板との間に縦方向の電界が発生し難くなり、画像の表示乱れを抑制した液晶装置とすることができる。   According to this configuration, since there is no potential difference between the electrostatic shielding layer and the common electrode, it is difficult to generate a vertical electric field between the first substrate and the second substrate, and image display disturbance is suppressed. A liquid crystal device can be obtained.

ここで、前記引き回し配線と前記静電遮蔽層または金属遮光層とを電気的に接続する前記導通材が、複数箇所配置されていることが望ましい。   Here, it is desirable that a plurality of the conductive materials for electrically connecting the routing wiring and the electrostatic shielding layer or the metal shielding layer are disposed at a plurality of locations.

この構成によれば、例えば表示領域の中央と周辺との間の距離が遠い大きな表示領域を有する場合であっても、静電遮蔽層において表示領域の位置による電位差が少なく抑制される。従って、静電気などに代表される外部電界の影響が表示領域の位置によって異なることがないように抑制される。この結果、液晶表示への影響が一様となり、画像の表示乱れを抑制した液晶装置とすることができる。   According to this configuration, for example, even when the display area has a large display area with a large distance between the center and the periphery of the display area, the potential difference due to the position of the display area in the electrostatic shielding layer is reduced. Therefore, the influence of an external electric field typified by static electricity is suppressed so as not to vary depending on the position of the display area. As a result, the liquid crystal display has a uniform influence on the liquid crystal display, and a liquid crystal device in which image display disturbance is suppressed can be obtained.

本発明においては、前記第1基板は、前記引き回し配線を覆う絶縁膜を有し、前記絶縁膜には、前記引き回し配線の一部が底部に露出するコンタクトホールが設けられ、前記コンタクトホールの内部には、底部に露出する前記引き回し配線を覆う導電膜が形成され、前記静電遮蔽層または金属遮光層は、前記導通材と前記導電膜とを介して前記引き回し配線と導通していることが望ましい。   In the present invention, the first substrate has an insulating film that covers the routing wiring, and the insulating film is provided with a contact hole in which a part of the routing wiring is exposed to the bottom, and the inside of the contact hole A conductive film that covers the routing wiring exposed at the bottom is formed, and the electrostatic shielding layer or the metal light shielding layer is electrically connected to the routing wiring through the conductive material and the conductive film. desirable.

この構成によれば、引き回し配線の酸化を防ぎ、且つ良好な導通が得られるため、効果的に静電遮蔽層に蓄積する電荷を放出し、良好な表示が可能な液晶装置とすることができる。特に、引き回し配線の形成材料がアルミニウム等の卑金属である場合には、良好に表面酸化を防ぎ、導通を確保することができるため好適である。   According to this configuration, since the lead wiring is prevented from being oxidized and good conduction is obtained, it is possible to effectively discharge the charges accumulated in the electrostatic shielding layer and to obtain a liquid crystal device capable of good display. . In particular, when the material for forming the routing wiring is a base metal such as aluminum, it is preferable because surface oxidation can be satisfactorily prevented and conduction can be ensured.

本発明においては、前記導電膜は導電性金属酸化物を形成材料とすることが望ましい。   In the present invention, the conductive film is preferably made of a conductive metal oxide.

この構成によれば、コンタクトホールの底部に露出する引き回し配線の酸化を良好に防ぐことができる。   According to this configuration, the lead wiring exposed at the bottom of the contact hole can be satisfactorily prevented from being oxidized.

本発明においては、前記第1基板の前記液晶層側には、前記画素電極と前記共通電極とが絶縁膜を介して積層され、前記共通電極が前記画素電極よりも前記液晶層側に設けられていることが望ましい。   In the present invention, the pixel electrode and the common electrode are stacked via an insulating film on the liquid crystal layer side of the first substrate, and the common electrode is provided closer to the liquid crystal layer than the pixel electrode. It is desirable that

この構成によれば、静電気を捕捉する静電遮蔽層と画素電極との間がより離れたものとなる。そのため、画素電極と静電遮蔽層との間に発生する縦方向の電界を微弱に抑えることができ、画像の表示乱れを抑制した液晶装置とすることができる。   According to this configuration, the electrostatic shielding layer that captures static electricity and the pixel electrode are further apart. Therefore, the vertical electric field generated between the pixel electrode and the electrostatic shielding layer can be suppressed to be weak, and a liquid crystal device in which image display disturbance is suppressed can be obtained.

本発明においては、前記液晶層の周囲には、液晶分子を封止するシール材が設けられ、前記シール材によって囲まれた領域の内側には、複数の前記画素電極によって形成された表示領域が設けられていると共に、前記シール材によって囲まれた領域の内側であって、前記表示領域と前記シール材との間には非表示領域が設けられ、前記第1基板の前記非表示領域には、前記表示領域へ侵入する静電気を放電させる静電保護部材が配置されており、前記静電遮蔽層は、前記静電保護部材と平面的に重なって設けられていることが望ましい。   In the present invention, a sealing material that seals liquid crystal molecules is provided around the liquid crystal layer, and a display area formed by the plurality of pixel electrodes is disposed inside the area surrounded by the sealing material. And a non-display area is provided between the display area and the seal material inside the area surrounded by the seal material, and the non-display area of the first substrate is provided in the non-display area of the first substrate. It is preferable that an electrostatic protection member for discharging static electricity entering the display area is disposed, and the electrostatic shielding layer is provided so as to overlap the electrostatic protection member in a planar manner.

この構成によれば、静電遮蔽層が非表示領域に配置された静電保護部材を合わせて保護するため、良好に表示領域を保護することができ、画像の表示乱れの抑制と静電破壊の防止とを良好に実現した液晶装置とすることができる。   According to this configuration, since the electrostatic shielding layer protects the electrostatic protection member disposed in the non-display area together, the display area can be well protected, and the display disturbance of the image is suppressed and the electrostatic breakdown is achieved. It is possible to provide a liquid crystal device that achieves good prevention of the above.

本発明の電子機器は、上述の液晶装置を備えることを特徴とする。   An electronic apparatus according to the present invention includes the above-described liquid crystal device.

この構成によれば、外部環境からの静電気による画像の表示乱れが無い液晶装置を備え、高品質な画像表示が可能な電子機器を提供することができる。   According to this configuration, it is possible to provide an electronic apparatus that includes a liquid crystal device that is free from image display disturbance due to static electricity from the external environment and that can display a high-quality image.

本発明の第1実施形態に係る液晶装置の等価回路図である。1 is an equivalent circuit diagram of a liquid crystal device according to a first embodiment of the present invention. 本発明の第1実施形態に係る液晶装置の概略平面図である。1 is a schematic plan view of a liquid crystal device according to a first embodiment of the present invention. 本発明の第1実施形態に係る液晶装置の概略平面図である。1 is a schematic plan view of a liquid crystal device according to a first embodiment of the present invention. 本発明の第1実施形態に係る液晶装置の概略平面図である。1 is a schematic plan view of a liquid crystal device according to a first embodiment of the present invention. 本発明の第1実施形態に係る液晶装置の概略断面図である。1 is a schematic cross-sectional view of a liquid crystal device according to a first embodiment of the present invention. 第1実施形態に係る液晶装置の共通電極の電位を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows the electric potential of the common electrode of the liquid crystal device which concerns on 1st Embodiment. 第1実施形態に係る液晶装置が大型パネルである場合の概略図で、(a)は平面図、(b)は部分断面図である。BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS It is the schematic when the liquid crystal device which concerns on 1st Embodiment is a large sized panel, (a) is a top view, (b) is a fragmentary sectional view. 本発明の変形例に係る液晶装置の概略断面図である。It is a schematic sectional drawing of the liquid crystal device which concerns on the modification of this invention. 本発明の変形例に係る液晶装置の概略断面図である。It is a schematic sectional drawing of the liquid crystal device which concerns on the modification of this invention. 本発明に係る電子機器の一例を示す斜視図である。It is a perspective view which shows an example of the electronic device which concerns on this invention.

[第1実施形態]
以下、図1〜図4を参照しながら、本発明の第1実施形態に係る液晶装置について説明する。なお、以下の全ての図面においては、図面を見やすくするため、各構成要素の膜厚や寸法の比率などは適宜異ならせてある。
[First Embodiment]
The liquid crystal device according to the first embodiment of the present invention will be described below with reference to FIGS. In all the drawings below, the film thicknesses and dimensional ratios of the constituent elements are appropriately changed in order to make the drawings easy to see.

本実施形態の液晶装置は、光の進行方向と直交する横電界によって液晶分子の方位角を制御して画像表示を行うものである。このような方式としては、FFS方式や、IPS方式等が知られている。以下、FFS方式の駆動方式を採用した液晶装置のうちフルカラー表示が可能なものに基づいて説明するが、本発明はIPS方式の液晶装置にも適用可能である。   The liquid crystal device according to the present embodiment performs image display by controlling the azimuth angle of liquid crystal molecules by a lateral electric field orthogonal to the traveling direction of light. As such a method, an FFS method, an IPS method, or the like is known. Hereinafter, the liquid crystal device adopting the FFS driving method will be described based on a liquid crystal device capable of full color display, but the present invention is also applicable to an IPS liquid crystal device.

図1は、本実施形態の液晶装置1の等価回路図である。液晶装置1の画像表示領域を構成するマトリクス状に形成された複数のサブ画素領域には、画素電極9と画素電極9をスイッチング制御するためのTFT30とが形成されている。画素電極9と共通電極19との間には液晶層50が介在している。共通電極19は走査線駆動回路204から延びる共通線3bと電気的に接続されており、複数のサブ画素において共通の電位に保持されるようになっている。   FIG. 1 is an equivalent circuit diagram of the liquid crystal device 1 of the present embodiment. In a plurality of sub-pixel areas formed in a matrix that constitutes an image display area of the liquid crystal device 1, a pixel electrode 9 and a TFT 30 for switching control of the pixel electrode 9 are formed. A liquid crystal layer 50 is interposed between the pixel electrode 9 and the common electrode 19. The common electrode 19 is electrically connected to the common line 3b extending from the scanning line driving circuit 204, and is held at a common potential in a plurality of subpixels.

データ線駆動回路201から延びるデータ線6aがTFT30のソースと電気的に接続されている。データ線駆動回路201は、画像信号S1、S2、…、Snを、データ線6aを介して各サブ画素に供給する。前記画像信号S1〜Snはこの順に線順次に供給しても構わないし、相隣接する複数のデータ線6a同士に対して、グループ毎に供給するようにしてもよい。   A data line 6 a extending from the data line driving circuit 201 is electrically connected to the source of the TFT 30. The data line driving circuit 201 supplies the image signals S1, S2,..., Sn to each subpixel via the data line 6a. The image signals S1 to Sn may be supplied line-sequentially in this order, or may be supplied for each group to a plurality of adjacent data lines 6a.

TFT30のゲートには、走査線駆動回路204から延びる走査線3aが電気的に接続されている。走査線駆動回路204から所定のタイミングで走査線3aにパルス的に供給される走査信号G1、G2、…、Gmが、この順に線順次でTFT30のゲートに印加されるようになっている。   A scanning line 3 a extending from the scanning line driving circuit 204 is electrically connected to the gate of the TFT 30. Scan signals G1, G2,..., Gm supplied from the scanning line driving circuit 204 to the scanning line 3a in a pulsed manner at a predetermined timing are applied to the gate of the TFT 30 in this order.

画素電極9は、TFT30のドレインに電気的に接続されている。スイッチング素子であるTFT30が走査信号G1、G2、…、Gmの入力により一定期間だけオン状態とされることで、データ線6aから供給される画像信号S1、S2、…、Snが所定のタイミングで画素電極9に書き込まれるようになっている。画素電極9を介して液晶層50に書き込まれた所定レベルの画像信号S1、S2、…、Snは、画素電極9と液晶層50を介して対向する共通電極19との間で一定期間保持される。   The pixel electrode 9 is electrically connected to the drain of the TFT 30. The TFT 30 serving as a switching element is turned on for a certain period by the input of scanning signals G1, G2,..., Gm, so that the image signals S1, S2,. Writing is performed on the pixel electrode 9. Image signals S1, S2,..., Sn written to the liquid crystal layer 50 through the pixel electrode 9 are held for a certain period between the pixel electrode 9 and the common electrode 19 facing through the liquid crystal layer 50. The

図2〜図4は、本実施形態の液晶装置1について、対向基板(第2基板)側から見た平面図であり、図3は図2の一部を拡大した図、図4は図3の一部を拡大した図である。   2 to 4 are plan views of the liquid crystal device 1 of the present embodiment as viewed from the counter substrate (second substrate) side, FIG. 3 is an enlarged view of a part of FIG. 2, and FIG. It is the figure which expanded a part of.

図2に示すように、本実施形態の液晶装置1は、素子基板(第1基板)10と対向基板20とが平面的に重なる部分の周縁部においてシール材52によって貼り合わされ、このシール材52によって区画された領域(表示領域A)内に液晶分子が封入、保持されている。シール材52には、製造時において素子基板10と対向基板20とを貼り合わせた後に液晶分子を注入するための液晶注入口55が形成されており、液晶注入口55は液晶注入後に封止材54により封止されている。素子基板10の内面側であって表示領域Aと平面的に重なる領域には、図示略の画素電極および共通電極が形成されており、素子基板10の内面側であってシール材52と平面的に重なる領域には、引き回し配線18が設けられている。   As shown in FIG. 2, the liquid crystal device 1 of the present embodiment is bonded by a sealing material 52 at a peripheral portion of a portion where the element substrate (first substrate) 10 and the counter substrate 20 overlap in a plane, and this sealing material 52. The liquid crystal molecules are enclosed and held in the area (display area A) partitioned by. The sealing material 52 is formed with a liquid crystal injection port 55 for injecting liquid crystal molecules after the element substrate 10 and the counter substrate 20 are bonded to each other at the time of manufacture. 54 is sealed. A pixel electrode and a common electrode (not shown) are formed in a region overlapping the display region A on the inner surface side of the element substrate 10. The pixel electrode and the common electrode (not shown) are formed on the inner surface side of the element substrate 10 and planar with the sealing material 52. A wiring 18 is provided in a region overlapping with.

素子基板10の一端側の、素子基板10と対向基板20との重なり部分から張り出した部分(基板張出部10a)には、液晶装置1を駆動する駆動信号(例えば、画像信号や走査信号)を処理し適宜供給するための駆動用IC208が実装されており、端部には入力用端子202が設けられている。入力用端子202には、例えば異方性導電膜203を介して、配線が形成されたFPC(Flexible Printed Circuit)基板等が実装されており、外部電源や種々の外部機器と接続している。   A driving signal (for example, an image signal or a scanning signal) for driving the liquid crystal device 1 is provided on a portion (substrate protruding portion 10a) protruding from the overlapping portion of the element substrate 10 and the counter substrate 20 on one end side of the element substrate 10. A driving IC 208 is mounted for processing and supplying as appropriate, and an input terminal 202 is provided at the end. For example, an FPC (Flexible Printed Circuit) substrate on which wiring is formed is mounted on the input terminal 202 via an anisotropic conductive film 203, and is connected to an external power source and various external devices.

また、対向基板20の内面側には、後述の静電シールド層(静電遮蔽層)40が設けられており、対向基板20のコーナー部の少なくとも1箇所に配設された導通材(導電接続部)43を介して、素子基板10の引き回し配線18と電気的に導通している。本実施形態の液晶装置1では、素子基板10の他端側(駆動用IC208側の辺と対向する側)の辺の両端部に2箇所、導通材43が設けられている。液晶装置1においては、その他必要応じて位相差板、偏光板等が所定の向きに配置されるが、ここでは図示を省略する。   Further, an electrostatic shield layer (electrostatic shielding layer) 40 described later is provided on the inner surface side of the counter substrate 20, and a conductive material (conductive connection) disposed at at least one corner of the counter substrate 20. Part) 43 and is electrically connected to the routing wiring 18 of the element substrate 10. In the liquid crystal device 1 according to the present embodiment, two conductive members 43 are provided at both ends of the side of the element substrate 10 on the other end side (side facing the side on the driving IC 208 side). In the liquid crystal device 1, a retardation plate, a polarizing plate, and the like are arranged in a predetermined direction as necessary, but the illustration is omitted here.

図3は、図2において二点鎖線で囲んだ領域AR1の拡大図である。ここでは、主として素子基板側の構成を示している。   FIG. 3 is an enlarged view of a region AR1 surrounded by a two-dot chain line in FIG. Here, the configuration on the element substrate side is mainly shown.

図に示すように、表示領域Aには、平面視略矩形の複数のサブ画素Pがマトリクス状に縦横に配置している。また、シール材52の内側であって表示領域Aの周辺は、非表示領域Mとなっている。非表示領域Mには、引き回し配線18から浸入する静電気を放電し、表示領域Aに配置されたサブ画素Pを保護するための静電保護領域SAと、静電保護領域SAで放電仕切れなかった静電気によるサブ画素Pの破壊を自ら破壊されることで代行するダミー画素(静電保護部材)DPが配置されたダミー領域DAが設けられている。   As shown in the drawing, in the display area A, a plurality of sub-pixels P having a substantially rectangular shape in a plan view are arranged vertically and horizontally in a matrix. Further, the inside of the sealing material 52 and the periphery of the display area A is a non-display area M. In the non-display area M, static electricity entering from the lead-out wiring 18 was discharged, and the electrostatic protection area SA for protecting the sub-pixels P arranged in the display area A was not partitioned by the electrostatic protection area SA. There is provided a dummy area DA in which a dummy pixel (electrostatic protection member) DP that substitutes by destroying the sub-pixel P by static electricity is disposed.

素子基板10における表示領域Aの周囲には、シール材52と重なって、共通電極19に共通電位を供給する引き回し配線18が形成されており、引き回し配線18が折れ曲がる角には外側(液晶層50とは反対側)に突出する接続部18aが形成されている。   Around the display area A of the element substrate 10, a routing wire 18 is formed so as to overlap with the sealing material 52 and supply a common potential to the common electrode 19, and an outer side (liquid crystal layer 50) is formed at a corner where the routing wire 18 is bent. A connecting portion 18a is formed to protrude on the opposite side.

一方、不図示の対向基板が備える静電シールド層40の角部にも外側に突出する接続部40aが形成されている。接続部40aと接続部18aとは平面的に重なっていると共に、いずれもシール材52の外側にまで延在して形成されており、各々の端部において導通材43を介して電気的に接続されている。したがって、静電シールド層40の電位は、共通電位と同電位に保たれている。   On the other hand, a connecting portion 40a protruding outward is also formed at a corner portion of the electrostatic shield layer 40 included in the counter substrate (not shown). The connecting portion 40a and the connecting portion 18a overlap each other in a planar manner, and both are formed to extend to the outside of the sealing material 52, and are electrically connected via the conductive material 43 at each end. Has been. Therefore, the potential of the electrostatic shield layer 40 is kept at the same potential as the common potential.

次に非表示領域Mについて図4を用いて詳しく説明する。図4は、図3において二点鎖線で囲んだ領域AR2の拡大図である。   Next, the non-display area M will be described in detail with reference to FIG. FIG. 4 is an enlarged view of a region AR2 surrounded by a two-dot chain line in FIG.

図に示す様に、非表示領域Mには、サブ画素Pの周辺に配置された複数のダミー画素DPを有するダミー領域DAと、ダミー領域DAとシール材52との間の領域に配置されたショートリング(静電保護部材)211や抵抗素子(静電保護部材)212を有する静電保護領域SAと、が設けられている。静電保護領域SAのショートリング211および抵抗素子212は、主に製造工程中に発生する静電気からサブ画素Pごとに配置されたTFT30を保護するために設けられる。   As shown in the figure, in the non-display area M, a dummy area DA having a plurality of dummy pixels DP arranged around the sub-pixel P, and an area between the dummy area DA and the sealing material 52 are arranged. An electrostatic protection region SA having a short ring (electrostatic protection member) 211 and a resistance element (electrostatic protection member) 212 is provided. The short ring 211 and the resistance element 212 in the electrostatic protection area SA are provided to protect the TFTs 30 arranged for each sub-pixel P mainly from static electricity generated during the manufacturing process.

製造工程中に発生する静電気は、表示領域Aの周辺からサブ画素Pに侵入する。そのため、発生する静電気を静電保護領域SAの機能にて放電すると共に、放電仕切れなかった静電気をダミー領域DAに配置されたダミー画素DPが破壊されることで、サブ画素Pが破壊されることを防いでいる。   Static electricity generated during the manufacturing process enters the sub-pixel P from the periphery of the display area A. For this reason, the generated static electricity is discharged by the function of the electrostatic protection area SA, and the sub-pixel P is destroyed by destroying the dummy pixel DP arranged in the dummy area DA with the static electricity that has not been discharged. Is preventing.

抵抗素子212は、サブ画素Pおよびダミー画素DPが配列する行列に対応して、各行列の端部に設けられている。図では、サブ画素Pおよびダミー画素DPの行に対して1行おき(上端の行から数えて偶数行)に設けられ、各々の行の走査線3aと接続している。また、図示は省略するが、図に示す右辺と対向する側の左辺には、残る行(奇数行)に対応する抵抗素子212が設けられている。また、サブ画素Pおよびダミー画素DPの列の上端部にも、列毎に抵抗素子212が設けられている。   The resistance element 212 is provided at the end of each matrix corresponding to the matrix in which the sub-pixels P and the dummy pixels DP are arranged. In the figure, every other row (even rows counted from the top row) is provided for each row of subpixels P and dummy pixels DP, and is connected to the scanning line 3a of each row. Although not shown in the figure, resistance elements 212 corresponding to the remaining rows (odd rows) are provided on the left side opposite to the right side shown in the drawing. A resistance element 212 is also provided for each column at the upper end of the column of subpixels P and dummy pixels DP.

また、共通電極19は、サブ画素Pおよびダミー画素DPを覆って形成されており、抵抗素子212が設けられた側の端部には、ショートリング211と接続するための張出部213が設けられている。張出部213は、抵抗素子212と重ならない位置に設けられており、張出部213を介して共通電極19とショートリング211とが接続している。   The common electrode 19 is formed so as to cover the sub-pixel P and the dummy pixel DP, and an overhanging portion 213 for connecting to the short ring 211 is provided at the end portion on the side where the resistance element 212 is provided. It has been. The overhang portion 213 is provided at a position that does not overlap the resistance element 212, and the common electrode 19 and the short ring 211 are connected via the overhang portion 213.

また、共通電極19の上端の角部分に設けられた張出部213には、引き回し配線18と接続するために平面視略矩形の接続部19aが設けられており、複数のコンタクトホール214を介して違いに接続している。また、接続部19aは、複数のコンタクトホール215を介して、ショートリング211とも接続している。これら静電保護領域SAに設けられた部材により、サブ画素Pに設けられたTFT30の静電破壊を防止している。   In addition, a connection portion 19 a having a substantially rectangular shape in plan view is provided on the overhang portion 213 provided at the upper corner portion of the common electrode 19 in order to connect to the lead-out wiring 18. Connected to the difference. Further, the connecting portion 19a is also connected to the short ring 211 via a plurality of contact holes 215. Electrostatic breakdown of the TFT 30 provided in the sub-pixel P is prevented by the members provided in the electrostatic protection area SA.

また、静電シールド層40は、これらダミー領域DAや静電保護領域SAの各構成と平面的に重なって設けられている。静電シールド層40は、後述するように外部からの静電気を捕捉する機能を有しており、静電気によりダミー領域DAや静電保護領域SAの各構成が破壊されることを防いでいる。そのため、ダミー領域DAや静電保護領域SAでは、良好にサブ画素Pが破壊されることを防ぐことができる。また、静電シールド層40とダミー領域DAや静電保護領域SAの各構成とは電気的に接続されているため、互いに協働して静電気を拡散させることができる。   Further, the electrostatic shield layer 40 is provided so as to overlap in plan with each configuration of the dummy area DA and the electrostatic protection area SA. As will be described later, the electrostatic shield layer 40 has a function of capturing static electricity from the outside, and prevents each component of the dummy area DA and the electrostatic protection area SA from being destroyed by static electricity. Therefore, in the dummy area DA and the electrostatic protection area SA, it is possible to prevent the subpixel P from being destroyed well. Further, since the electrostatic shield layer 40 and each component of the dummy area DA and the electrostatic protection area SA are electrically connected, it is possible to diffuse static electricity in cooperation with each other.

次に、液晶装置1の断面構成について説明する。図5は、本実施形態の液晶装置1のシール材52及び導通材43周辺の概略断面図である。ここでは、図を見やすくするために、非表示領域における構成を省略して図示している。   Next, a cross-sectional configuration of the liquid crystal device 1 will be described. FIG. 5 is a schematic cross-sectional view around the sealing material 52 and the conductive material 43 of the liquid crystal device 1 of the present embodiment. Here, in order to make the figure easy to see, the configuration in the non-display area is omitted.

図に示すように、液晶装置1は、素子基板10と、素子基板10と対向配置された対向基板20と、素子基板10と対向基板20との間に挟持された液晶層50と、を備えて構成されている。また、液晶装置1には、素子基板10と対向基板20とが対向する領域の縁端に沿ってシール材52が設けられ、液晶層50を構成する液晶分子が封止されている。この液晶装置1は、素子基板10側から照明光が照射され、表示される画像を対向基板20側から観察する構成となっている。   As shown in the figure, the liquid crystal device 1 includes an element substrate 10, a counter substrate 20 disposed to face the element substrate 10, and a liquid crystal layer 50 sandwiched between the element substrate 10 and the counter substrate 20. Configured. Further, the liquid crystal device 1 is provided with a sealing material 52 along the edge of the region where the element substrate 10 and the counter substrate 20 face each other, and the liquid crystal molecules constituting the liquid crystal layer 50 are sealed. The liquid crystal device 1 is configured such that illumination light is irradiated from the element substrate 10 side, and a displayed image is observed from the counter substrate 20 side.

素子基板10は、透光性を備えた基板本体11を備えている。基板本体11を形成する材料には、例えばガラス、石英ガラス、窒化ケイ素等の無機物や、アクリル樹脂、ポリカーボネート樹脂等の有機高分子化合物(樹脂)を用いることができる。また、透光性を備えるならば、これらの材料を積層または混合して形成された複合材料を用いることもできる。   The element substrate 10 includes a substrate body 11 having translucency. As a material for forming the substrate body 11, for example, an inorganic substance such as glass, quartz glass, or silicon nitride, or an organic polymer compound (resin) such as an acrylic resin or a polycarbonate resin can be used. In addition, a composite material formed by laminating or mixing these materials may be used as long as it has translucency.

基板本体11の液晶層50側の面上には、アルミニウムや銅等の導電性材料からなる走査線3aと不図示のデータ線が形成されている。また、シール材52と平面的に重なる領域には、同様の導電性材料からなる引き回し配線18が形成されている。これらは同じ材料を用いることとしてもよく、また異なる材料を用いて形成しても良い。これらは、例えば導電性材料の薄膜を成膜した後に、パターニングされることにより得られる。本実施形態では形成材料としてアルミニウムを用いる。   On the surface of the substrate body 11 on the liquid crystal layer 50 side, scanning lines 3a made of a conductive material such as aluminum or copper and data lines (not shown) are formed. In addition, in the region overlapping the sealing material 52 in a plan view, the lead wiring 18 made of the same conductive material is formed. These may be formed using the same material or may be formed using different materials. These are obtained, for example, by patterning after forming a thin film of a conductive material. In this embodiment, aluminum is used as a forming material.

また基板本体11上には、走査線3a、データ線、引き回し配線18を覆うようにゲート絶縁膜12が形成されている。ゲート絶縁膜12は、窒化シリコンや酸化シリコンなどのような絶縁性を有する透光性材料で構成されている。   A gate insulating film 12 is formed on the substrate body 11 so as to cover the scanning lines 3 a, the data lines, and the routing wirings 18. The gate insulating film 12 is made of a light-transmitting material having an insulating property such as silicon nitride or silicon oxide.

ゲート絶縁膜12上には、半導体層32、半導体層32の一端に接続されているソース電極33、半導体層32の他端に接続されているドレイン電極34が形成されており、これら半導体層32、ソース電極33、ドレイン電極34および走査線3aによってボトムゲート型のTFT30を構成している。また、TFT30を覆うように層間絶縁膜13が形成されている。層間絶縁膜13は、ゲート絶縁膜12と同様に、窒化シリコンや酸化シリコンなどの絶縁性を有する透光性材料で構成されている。   On the gate insulating film 12, a semiconductor layer 32, a source electrode 33 connected to one end of the semiconductor layer 32, and a drain electrode 34 connected to the other end of the semiconductor layer 32 are formed. The bottom gate type TFT 30 is constituted by the source electrode 33, the drain electrode 34, and the scanning line 3a. An interlayer insulating film 13 is formed so as to cover the TFT 30. Similar to the gate insulating film 12, the interlayer insulating film 13 is made of a translucent material having insulating properties such as silicon nitride and silicon oxide.

層間絶縁膜13上には、画素電極9が形成されており、コンタクトホール16を介してTFT30のドレイン電極34と電気的に接続している。画素電極9は、ITO(Indium Tin Oxide:インジウム錫酸化物)や錫酸化物(SnO2)等の透光性を備えた導電性材料にて形成されている。本実施形態ではITOを用いている。 A pixel electrode 9 is formed on the interlayer insulating film 13 and is electrically connected to the drain electrode 34 of the TFT 30 through the contact hole 16. The pixel electrode 9 is formed of a light-transmitting conductive material such as ITO (Indium Tin Oxide) or tin oxide (SnO 2 ). In this embodiment, ITO is used.

また、層間絶縁膜13上には、画素電極9を覆って電極間絶縁膜14が形成されている。電極間絶縁膜14は、ゲート絶縁膜12や層間絶縁膜13と同様に、窒化シリコンや酸化シリコンなどの絶縁性を有する透光性材料で構成されており、層間絶縁膜13上に形成された画素電極9を被覆している。   An interelectrode insulating film 14 is formed on the interlayer insulating film 13 so as to cover the pixel electrodes 9. Like the gate insulating film 12 and the interlayer insulating film 13, the interelectrode insulating film 14 is made of a translucent material having insulating properties such as silicon nitride and silicon oxide, and is formed on the interlayer insulating film 13. The pixel electrode 9 is covered.

電極間絶縁膜14上には、梯子状の共通電極19が形成されている。画素電極9と共通電極19とは、電極間絶縁膜14を介して配置されており、FFS方式の電極構造を構成している。また共通電極19は、ゲート絶縁膜12、層間絶縁膜13、電極間絶縁膜14を連通するコンタクトホール17を介して引き回し配線18と接続されている。共通電極19は、ITO等の透光性の導電性材料にて形成されており、本実施形態では共通電極19の材料にITOを用いている。   A ladder-like common electrode 19 is formed on the interelectrode insulating film 14. The pixel electrode 9 and the common electrode 19 are disposed via the interelectrode insulating film 14 and constitute an FFS-type electrode structure. The common electrode 19 is connected to the lead wiring 18 through a contact hole 17 that communicates the gate insulating film 12, the interlayer insulating film 13, and the interelectrode insulating film 14. The common electrode 19 is formed of a light-transmitting conductive material such as ITO. In this embodiment, ITO is used as the material of the common electrode 19.

また、電極間絶縁膜14上には、共通電極19を覆って配向膜15が形成されている。配向膜15は、例えばポリイミドなどの有機材料やシリコン酸化物などの無機材料で構成されている。本実施形態の配向膜15は、ポリイミドの形成材料を塗布してこれを乾燥・硬化させた後、その上面にラビング処理を施すことによって得られる。   An alignment film 15 is formed on the interelectrode insulating film 14 so as to cover the common electrode 19. The alignment film 15 is made of, for example, an organic material such as polyimide or an inorganic material such as silicon oxide. The alignment film 15 of the present embodiment is obtained by applying a polyimide forming material, drying and curing it, and then subjecting the upper surface to a rubbing treatment.

一方、対向基板20は透光性を備えた基板本体21を備えている。基板本体21を形成する材料には基板本体11と同様の材料を用いることができる。   On the other hand, the counter substrate 20 includes a substrate body 21 having translucency. A material similar to that of the substrate body 11 can be used as a material for forming the substrate body 21.

基板本体21の液晶層50側の面上には、図3で示す表示領域Aとダミー領域DAと静電保護領域SAとの全面を覆って、静電シールド層40が形成されている。静電シールド層40は、外部からの静電気を捕捉し、捉えた静電気を後述の導通材43を介して逃がすことで、対向基板20と素子基板10との間に不測の縦電界を生じることを防止するために設けられる。静電シールド層40は、ITOやSnO2等の透光性を有する導電材料を用いて形成されており、本実施形態ではITOを形成材料としている。 An electrostatic shield layer 40 is formed on the surface of the substrate body 21 on the liquid crystal layer 50 side so as to cover the entire surface of the display area A, the dummy area DA, and the electrostatic protection area SA shown in FIG. The electrostatic shield layer 40 captures static electricity from the outside, and releases the captured static electricity through a conductive material 43 described later, thereby generating an unexpected vertical electric field between the counter substrate 20 and the element substrate 10. Provided to prevent. The electrostatic shield layer 40 is formed using a light-transmitting conductive material such as ITO or SnO 2. In the present embodiment, ITO is used as a forming material.

静電シールド層40の液晶層50側の面上には、着色層22aおよびブラックマトリクス(金属遮光層)22bを備えたカラーフィルター層22が形成されている。カラーフィルター層22は、例えば、クロムなどの金属材料などを形成材料として、通常知られた方法を用いて格子状にパターニングしたブラックマトリクス22bを形成した後、パターニングにより設けられた開口部22cに液滴吐出法などの湿式塗布法を用いて着色層22aの形成材料を配置して形成する。   On the surface of the electrostatic shield layer 40 on the liquid crystal layer 50 side, a color filter layer 22 including a colored layer 22a and a black matrix (metal light shielding layer) 22b is formed. The color filter layer 22 is formed, for example, by forming a black matrix 22b patterned in a lattice shape using a generally known method using a metal material such as chromium as a forming material, and then forming a liquid in an opening 22c provided by patterning. The formation material of the colored layer 22a is arranged and formed using a wet coating method such as a droplet discharge method.

本実施形態では各層の膜厚を、着色層22aは2μm、ブラックマトリクス22bは0.15μmとした。カラーフィルター層22で、素子基板10側から入射して対向基板20側に出射する光を赤色、緑色、青色に変調し、各色の光を混色することでフルカラー表示が可能となる。   In this embodiment, the thickness of each layer is 2 μm for the colored layer 22 a and 0.15 μm for the black matrix 22 b. The color filter layer 22 modulates the light that enters from the element substrate 10 side and exits to the counter substrate 20 side into red, green, and blue, and mixes the light of each color, thereby enabling full color display.

カラーフィルター層22上には、オーバーコート層(絶縁層)24が形成されている。オーバーコート(OVC)層24は、カラーフィルター層22を物理的または化学的に保護する機能を備える。また、形成された着色層22aやブラックマトリクス22bから、各々の形成材料に含まれる硬化剤の反応残渣などの低分子量物質やイオン性の不純物が液晶層50へ溶出し、表示乱れを起こすことを防ぐ。OVC層24は、例えばアクリル樹脂やエポキシ樹脂などの透光性を備えた硬化性樹脂を用いて形成する。本実施形態ではアクリル樹脂を用い、膜厚2μmに形成している。   An overcoat layer (insulating layer) 24 is formed on the color filter layer 22. The overcoat (OVC) layer 24 has a function of physically or chemically protecting the color filter layer 22. Further, from the formed colored layer 22a and black matrix 22b, low molecular weight substances such as reaction residues of curing agents and ionic impurities contained in the respective forming materials are eluted into the liquid crystal layer 50, causing display disturbance. prevent. The OVC layer 24 is formed using a curable resin having translucency such as an acrylic resin or an epoxy resin. In this embodiment, an acrylic resin is used and the film thickness is 2 μm.

OVC層24上には、配向膜15と同様の材料を用いて配向膜25が形成されている。本実施形態の配向膜25は、ポリイミドの形成材料を塗布してこれを乾燥・硬化させた後、その上面に一定方向にラビング処理を施すことによって得られる。ラビングによる配向膜25の配向方向は、配向膜15の配向方向と同方向となるように設定されている。   An alignment film 25 is formed on the OVC layer 24 using the same material as that of the alignment film 15. The alignment film 25 of the present embodiment is obtained by applying a polyimide forming material, drying and curing the polyimide forming material, and then rubbing the upper surface thereof in a certain direction. The alignment direction of the alignment film 25 by rubbing is set to be the same as the alignment direction of the alignment film 15.

また、液晶層50と重なる領域のOVC層24上には、ブラックマトリクス22bと重なる領域に、スペーサー56が形成されている。スペーサー56は、素子基板10と対向基板20との離間距離を一定以下にならないように保持するためのものである。例えば、対向基板20側から応力が加わった場合に、液晶層50の厚さがスペーサー56の高さ未満とならないため、表示乱れを防ぐことができる。   In addition, on the OVC layer 24 in a region overlapping with the liquid crystal layer 50, a spacer 56 is formed in a region overlapping with the black matrix 22b. The spacer 56 is for holding the separation distance between the element substrate 10 and the counter substrate 20 so as not to be a certain value or less. For example, when stress is applied from the counter substrate 20 side, the thickness of the liquid crystal layer 50 does not become less than the height of the spacer 56, so that display disturbance can be prevented.

素子基板10に設けられた引き回し配線18と、対向基板20に設けられた静電シールド層40とは、液晶層50の周囲を囲むシール材52の外側(液晶層50とは反対側)の領域において、導通材43を介して導通している。導通材43は、導電性を有する微粒子を混合した硬化性樹脂や、銀ペーストなどを用いる事ができる。導電性を有する微粒子には、例えばAuやAgなどの金属微粒子や、金属などの導電性を有する材料で導電性を有さない微粒子の表面をコートしたものなどが挙げられる。   The routing wiring 18 provided on the element substrate 10 and the electrostatic shield layer 40 provided on the counter substrate 20 are regions outside the sealing material 52 surrounding the liquid crystal layer 50 (on the side opposite to the liquid crystal layer 50). In FIG. 2, the electrical connection is established through the conductive material 43. As the conductive material 43, a curable resin in which conductive fine particles are mixed, a silver paste, or the like can be used. Examples of the conductive fine particles include metal fine particles such as Au and Ag, and those obtained by coating the surface of fine particles having no conductivity with a conductive material such as metal.

素子基板10側の導通材43を配置する領域には、ゲート絶縁膜12、層間絶縁膜13、電極間絶縁膜14を貫通して互いに連通するコンタクトホール41が形成されており、底部には引き回し配線18が一部露出している。   In the region where the conductive material 43 on the element substrate 10 side is disposed, a contact hole 41 is formed so as to penetrate the gate insulating film 12, the interlayer insulating film 13, and the interelectrode insulating film 14 and communicate with each other. A part of the wiring 18 is exposed.

本実施形態の引き回し配線18は、形成材料として卑金属であるアルミニウムを用いているため、コンタクトホール41を形成して露出させると、表面が酸化して酸化膜を形成し、導通を取ることができないおそれがある。また、コンタクトホール41の底部には引き回し配線18の一部のみが露出するのみであり、導通材43との導通面積が小さい。そのため、引き回し配線18の表面酸化を防ぎ、また、導通材43との導通を確実なものとするため、コンタクトホール41を覆ってITOやSnO2を形成材料とする導電膜44が形成されていることが望ましい。 Since the routing wiring 18 of this embodiment uses aluminum, which is a base metal, as a forming material, when the contact hole 41 is formed and exposed, the surface is oxidized to form an oxide film and cannot be electrically connected. There is a fear. Further, only a part of the routing wiring 18 is exposed at the bottom of the contact hole 41, and the conductive area with the conductive material 43 is small. Therefore, in order to prevent the surface oxidation of the routing wiring 18 and to ensure the conduction with the conductive material 43, the conductive film 44 which covers the contact hole 41 and is made of ITO or SnO 2 is formed. It is desirable.

また、対向基板20側の導通材43を配置する領域には、ブラックマトリクス22b、OVC層24を貫通して互いに連通するコンタクトホール42が形成されている。導通材43は、ブラックマトリクス22bおよび静電シールド層40と電気的に接続されている。   Further, a contact hole 42 that penetrates the black matrix 22b and the OVC layer 24 and communicates with each other is formed in a region where the conductive material 43 on the counter substrate 20 side is disposed. The conductive material 43 is electrically connected to the black matrix 22b and the electrostatic shield layer 40.

本実施形態の液晶装置1は、以上のような構成となっている。このような構成の液晶装置1では、ブラックマトリクス22bと静電シールド層40とが、協働して装置外部からの静電気を捕捉し、ブラックマトリクス22bおよび静電シールド層40の全体に電荷を拡散させる。そのため、静電気に起因する表示乱れを防ぎ、高品質な画像表示が可能な液晶装置1とすることができる。   The liquid crystal device 1 of the present embodiment has the above configuration. In the liquid crystal device 1 having such a configuration, the black matrix 22b and the electrostatic shield layer 40 cooperate to capture static electricity from the outside of the device, and the charges are diffused throughout the black matrix 22b and the electrostatic shield layer 40. Let Therefore, it is possible to prevent the display disturbance due to static electricity and to provide the liquid crystal device 1 capable of displaying a high-quality image.

特に、画面サイズが大きいTV用の大型パネルでは表示領域が広い。このため、透光性を有する導電材料(ITO)を用いて形成された静電シールド層40は、抵抗値が金属材料(クロム)に比べて高く、表示領域の中心において捕捉された電荷の拡散効果が不十分であることから、静電シールド層40のみでは静電気対策として不十分となる。そこで、静電シールド層40に加えて、抵抗値の低いブラックマトリクス22bを設けることで、静電気に対して高いシールド効果を発揮することができるのである。   In particular, a large panel for a TV having a large screen size has a wide display area. For this reason, the electrostatic shield layer 40 formed using a light-transmitting conductive material (ITO) has a higher resistance value than that of the metal material (chromium), and diffusion of trapped charges at the center of the display region. Since the effect is insufficient, the electrostatic shield layer 40 alone is insufficient as a countermeasure against static electricity. Therefore, by providing the black matrix 22b having a low resistance value in addition to the electrostatic shield layer 40, a high shielding effect against static electricity can be exhibited.

具体的に、本実施形態では、ブラックマトリクス22bおよび静電シールド層40で捕捉された静電気が、導通材43を介して引き回し配線18に放出される。また、ブラックマトリクス22bと静電シールド層40とは導通しているため、両者が独立して静電気を捕捉し放出するよりも全体として低抵抗となり、効率良く捕捉した電荷を放出することができる。そのため、静電気が対向基板20に蓄電されることなく、表示乱れを防ぐことができる。   Specifically, in the present embodiment, static electricity captured by the black matrix 22 b and the electrostatic shield layer 40 is discharged to the routing wiring 18 through the conductive material 43. Further, since the black matrix 22b and the electrostatic shield layer 40 are electrically connected to each other, the overall resistance is lower than the case where both capture and discharge static electricity independently, and the captured charges can be discharged efficiently. Therefore, display disturbance can be prevented without static electricity being stored in the counter substrate 20.

また、本実施形態では、静電シールド層40と配向膜25との間には、着色層22aおよびOVC層24が設けられており、これらの層の厚み分、静電シールド層40と液晶層50とが離間している。そのため、配向膜25と接して静電シールド層40を形成する場合と比べると、静電シールド層40で捕捉した静電気によるクーロン力が弱まり、液晶層50に影響を与えにくくなる。また、カラー表示可能な液晶装置において、着色層22aおよびOVC層24を用いて離間距離を稼ぐ構成であることから、離間距離を稼ぐために新たに絶縁層を設ける必要が無い。これらのことから、静電気に起因する表示乱れを防ぎ、高品質な画像表示が可能な液晶装置1とすることができる。   In the present embodiment, the colored layer 22a and the OVC layer 24 are provided between the electrostatic shield layer 40 and the alignment film 25, and the electrostatic shield layer 40 and the liquid crystal layer correspond to the thickness of these layers. 50 is separated. Therefore, compared with the case where the electrostatic shield layer 40 is formed in contact with the alignment film 25, the Coulomb force due to static electricity captured by the electrostatic shield layer 40 is weakened, and the liquid crystal layer 50 is hardly affected. Further, in the liquid crystal device capable of color display, since the separation distance is obtained using the colored layer 22a and the OVC layer 24, it is not necessary to provide a new insulating layer in order to obtain the separation distance. Accordingly, the liquid crystal device 1 capable of preventing display disturbance caused by static electricity and displaying a high-quality image can be obtained.

また、本実施形態では、引き回し配線18と静電シールド層40とが、導通材43を介して平面的に重なる位置で電気的に接続されており、静電シールド層40の電位が駆動回路によって制御された共通電極19の電位と同じ電位に制御されることとしている。そのため、静電シールド層40に捕捉される静電気の電荷が共通電位と等しく保たれるため、長時間使用しても静電気が蓄積・増加することがない。また、静電シールド層40は、引き回し配線18と接続されるため、新たに導電性の構成部材を形成することなく静電シールド層40に蓄積する電荷を放出することができる。   In the present embodiment, the routing wiring 18 and the electrostatic shield layer 40 are electrically connected at a position where they overlap in a plane via the conductive material 43, and the potential of the electrostatic shield layer 40 is set by the drive circuit. The controlled potential is controlled to the same potential as that of the common electrode 19. For this reason, the electrostatic charge trapped by the electrostatic shield layer 40 is kept equal to the common potential, so that static electricity does not accumulate or increase even when used for a long time. In addition, since the electrostatic shield layer 40 is connected to the routing wiring 18, it is possible to release the charges accumulated in the electrostatic shield layer 40 without forming a new conductive component.

また、本実施形態では、画素電極9は、共通電極19を挟んで液晶層50と反対側に設けられることとしている。そのため、静電気を捕捉するブラックマトリクス22bおよび静電シールド層40と、画素電極9との間がより離れたものとなって、画素電極9と静電シールド層40の間や、画素電極9とブラックマトリクス22bとの間に発生する電界をより微弱に抑えることができ、画像乱れを抑制した液晶装置1とすることができる。   In the present embodiment, the pixel electrode 9 is provided on the side opposite to the liquid crystal layer 50 with the common electrode 19 in between. Therefore, the black matrix 22b and the electrostatic shield layer 40 for capturing static electricity are further away from the pixel electrode 9, and the pixel electrode 9 and the electrostatic shield layer 40, the pixel electrode 9 and the black The electric field generated between the matrix 22b and the matrix 22b can be suppressed more weakly, and the liquid crystal device 1 in which image disturbance is suppressed can be obtained.

なお、静電シールド層40を形成する大きさ・位置は本実施形態に示すものに限らない。静電シールド層40は、ブラックマトリクス22bの開口部22cを覆って配置されていれば良く、例えば、開口部22cに対応して複数設けることとしても良い。   In addition, the magnitude | size and position which form the electrostatic shield layer 40 are not restricted to what is shown in this embodiment. The electrostatic shield layer 40 may be disposed so as to cover the opening 22c of the black matrix 22b. For example, a plurality of electrostatic shield layers 40 may be provided corresponding to the opening 22c.

また、本実施形態においては、静電シールド層40は引き回し配線18と電気的に接続することとしたが、静電シールド層40は、電気的に孤立したフローティング状態であっても構わない。フローティング状態とは、周囲の配線や電極などの導電部材と接続していない状態で形成されていることを示す。   In the present embodiment, the electrostatic shield layer 40 is electrically connected to the routing wiring 18, but the electrostatic shield layer 40 may be in an electrically isolated floating state. The floating state means that it is formed in a state where it is not connected to a conductive member such as a surrounding wiring or electrode.

また、本実施形態においては、静電シールド層40は引き回し配線18と電気的に接続することとしたがこれに限らない。例えば、共通電極19をシール材52の外側にまで延在して形成しておき、静電シールド層40と共通電極19との間で導通させることとしても良い。また、静電シールド層40に帯電する静電気を放電するための導通部材を別途設けることとしても構わない。   In the present embodiment, the electrostatic shield layer 40 is electrically connected to the lead wiring 18, but is not limited thereto. For example, the common electrode 19 may be formed so as to extend to the outside of the sealing material 52 so as to be electrically connected between the electrostatic shield layer 40 and the common electrode 19. Further, a conductive member for discharging static electricity charged in the electrostatic shield layer 40 may be provided separately.

また、本実施形態においては、静電シールド層40を共通電極19と接続し、共通電位に制御することとしたが、これに限らない。例えば、GND電位に保たれた配線を別途形成し、当該配線と静電シールド層40とを接続することで、静電シールド層40をGND電位に保つ事としても良い。   In the present embodiment, the electrostatic shield layer 40 is connected to the common electrode 19 and controlled to a common potential. However, the present invention is not limited to this. For example, the electrostatic shield layer 40 may be maintained at the GND potential by separately forming a wiring maintained at the GND potential and connecting the wiring and the electrostatic shield layer 40.

また、画素電極9は、共通電極19よりも液晶層50側に配置することもできる。その場合には、液晶層50に近い側に配置される画素電極9を、梯子状電極とする。   In addition, the pixel electrode 9 can be disposed closer to the liquid crystal layer 50 than the common electrode 19. In this case, the pixel electrode 9 disposed on the side close to the liquid crystal layer 50 is a ladder electrode.

ところで、液晶装置1において、上述したように静電シールド層40の電位が駆動回路によって制御された共通電極19の電位と同じ電位に制御されることとしたとき、特に表示領域が広い大型パネルにおいては、液晶の駆動方式に起因して、静電シールド層40と共通電極19との間において実際には電位差が発生する場合がある。例えば、画像表示においてフリッカーが発生することを防止するため、従来から共通電極19の電位が常に一定ではなく、2つの電位間で交互に変わる極性反転駆動方式(コモン反転駆動)が採用されることがある。例えば、図6において波形Cdで示したように、共通電極19の電位が所定の時間間隔(たとえば1フレーム時間)で電位V1と電位V2との間で切り替わることが行われる。   By the way, in the liquid crystal device 1, when the potential of the electrostatic shield layer 40 is controlled to be the same as the potential of the common electrode 19 controlled by the drive circuit as described above, particularly in a large panel having a wide display area. In some cases, a potential difference may actually occur between the electrostatic shield layer 40 and the common electrode 19 due to the liquid crystal driving method. For example, in order to prevent occurrence of flicker in image display, a polarity inversion driving method (common inversion driving) is adopted in which the potential of the common electrode 19 is not always constant and is alternately changed between two potentials. There is. For example, as shown by the waveform Cd in FIG. 6, the potential of the common electrode 19 is switched between the potential V1 and the potential V2 at a predetermined time interval (for example, one frame time).

このような駆動方式の場合、共通電極19と電気的に接続された静電シールド層40の電位も同様に切り替わる。このとき、静電シールド層40だけでは、抵抗値に起因して、表示領域の中央部分においては、図6において破線で示した波形Sdのように、交互に変わる共通電極19の電位に対して追随できない現象(「なまり現象」とも呼ぶ)が生ずることがある。この結果、静電シールド層40と共通電極19との間において電位差が発生することになる。そこで、本実施形態のように静電シールド層40とブラックマトリクス22bの両方を設けた構成とすることによって、表示領域Aにおける静電シールド層40の抵抗値は低く抑制される。この結果、静電シールド層40と共通電極19との電位差が抑制されることになり、「なまり現象」の発生が抑制される。従って、基板間に縦方向の電界が発生し難くなるので、画像の表示乱れを抑制した液晶装置1とすることができる。   In the case of such a driving method, the potential of the electrostatic shield layer 40 electrically connected to the common electrode 19 is similarly switched. At this time, with the electrostatic shield layer 40 alone, due to the resistance value, in the central portion of the display area, the potential of the common electrode 19 that alternates as shown by the waveform Sd indicated by the broken line in FIG. A phenomenon that cannot be followed (also referred to as “margin phenomenon”) may occur. As a result, a potential difference is generated between the electrostatic shield layer 40 and the common electrode 19. Therefore, the resistance value of the electrostatic shield layer 40 in the display area A is suppressed to be low by adopting a configuration in which both the electrostatic shield layer 40 and the black matrix 22b are provided as in the present embodiment. As a result, the potential difference between the electrostatic shield layer 40 and the common electrode 19 is suppressed, and the occurrence of the “round phenomenon” is suppressed. Therefore, since it becomes difficult to generate a vertical electric field between the substrates, the liquid crystal device 1 can be obtained in which image display disturbance is suppressed.

ここで、本実施形態の液晶装置1が大型パネルである場合について、その構成の一例を図7に示す。図7(a)は、大型パネルである液晶装置1aを模式的に示した平面図であり、図7(b)は、図7(a)におけるB−B線に沿った部分断面を模式的に示した断面図である。なお、平面図において液晶の注入口を省略している。また、液晶装置1aを駆動する駆動信号(例えば、画像信号や走査信号)を処理し適宜供給するためのデータ線駆動回路や走査線駆動回路については、データ線駆動用IC210および走査線駆動用IC240のみ図示し、配線等を省略している。また、断面図では、スペーサー56を省略して図示している。なお、図を簡単にするため、素子基板10は1つの部材として図示している。   Here, FIG. 7 shows an example of the configuration of the case where the liquid crystal device 1 of the present embodiment is a large panel. Fig.7 (a) is the top view which showed typically the liquid crystal device 1a which is a large sized panel, FIG.7 (b) typically shows the partial cross section along the BB line in Fig.7 (a). FIG. In the plan view, the liquid crystal injection port is omitted. The data line driving IC 210 and the scanning line driving IC 240 for the data line driving circuit and the scanning line driving circuit for processing and supplying driving signals (for example, image signals and scanning signals) for driving the liquid crystal device 1a as appropriate. Only the wiring is shown. In the sectional view, the spacer 56 is omitted. In order to simplify the drawing, the element substrate 10 is illustrated as one member.

大型パネルである液晶装置1aは、液晶装置1に対して構造が異なる。まず、設けられた導通材43の数が異なる。液晶装置1では、図2に示したように、導通材43は表示領域Aの2つの角部(図面上側のコーナー部)近辺にのみ設けられている。これに対して液晶装置1aでは、図7(a)に示したように、導通材43は表示領域Aの4つの角部近辺と、さらに四辺の途中にも設けられている。ちなみに本実施形態の液晶装置1aでは、導通材43は合計12個所設けられている。このように導通材43を複数設けることによって、静電シールド層40(ブラックマトリクス22b)が共通電極19と電気的に接続される個所が多くなるので、静電シールド層40の面内電位を安定して均一化することができる。   The liquid crystal device 1 a which is a large panel is different in structure from the liquid crystal device 1. First, the number of conductive members 43 provided is different. In the liquid crystal device 1, as shown in FIG. 2, the conductive material 43 is provided only in the vicinity of the two corners (the corner on the upper side of the drawing) of the display area A. On the other hand, in the liquid crystal device 1a, as shown in FIG. 7A, the conductive material 43 is provided in the vicinity of the four corners of the display area A and also in the middle of the four sides. Incidentally, in the liquid crystal device 1a of the present embodiment, a total of twelve conductive members 43 are provided. By providing a plurality of conductive materials 43 in this manner, the number of places where the electrostatic shield layer 40 (black matrix 22b) is electrically connected to the common electrode 19 increases, so that the in-plane potential of the electrostatic shield layer 40 is stabilized. And can be made uniform.

もとより、液晶装置1aにおいて実際に形成される静電シールド層40、ブラックマトリクス22bおよび共通電極19に応じて、静電シールド層40の電位が均一化されるように、導通材43を設置する数および位置を決定することが好ましい。   Of course, the number of conductive members 43 is set so that the potential of the electrostatic shield layer 40 is made uniform according to the electrostatic shield layer 40, the black matrix 22b, and the common electrode 19 that are actually formed in the liquid crystal device 1a. And determining the position.

次に、大型パネルである液晶装置1aは、表示領域Aの法線方向から見た平面視で、図7(b)に示すように、静電シールド層40の端部の位置が、表示領域Aよりも外側で、かつブラックマトリクス22bの端部よりも内側である構造を有している。このような構造とすることによって、静電シールド層40は、表示領域A全体を覆うとともに端部が露出することなくブラックマトリクス22bで覆われる。従って、静電シールド層40は、表示領域Aへの静電気の侵入を抑制するとともに、端部からの腐食を抑制することができる。   Next, as shown in FIG. 7B, the liquid crystal device 1a, which is a large panel, has a position in the end of the electrostatic shield layer 40 in the plan view as viewed from the normal direction of the display region A. It has a structure that is outside of A and inside of the end of the black matrix 22b. With this structure, the electrostatic shield layer 40 covers the entire display area A and is covered with the black matrix 22b without exposing the end portion. Therefore, the electrostatic shield layer 40 can suppress the intrusion of static electricity into the display area A and can suppress the corrosion from the end portion.

なお、液晶装置1では、図5に示したように、基板本体21上に静電シールド層40とブラックマトリクス22bとを順に形成するものであって、それぞれの端部については言及していない。従って、静電シールド層40の端部が露出する構造であれば、端部から腐食する虞がある。このような虞がある場合、液晶装置1においても液晶装置1aと同様に、静電シールド層40の端部の位置が、表示領域Aよりも外側で、かつブラックマトリクス22bの端部よりも内側である構造とすることが好ましい。   In the liquid crystal device 1, as shown in FIG. 5, the electrostatic shield layer 40 and the black matrix 22 b are sequentially formed on the substrate body 21, and the respective end portions are not mentioned. Therefore, if the end portion of the electrostatic shield layer 40 is exposed, the end portion may corrode. In such a case, in the liquid crystal device 1, as in the liquid crystal device 1a, the position of the end of the electrostatic shield layer 40 is outside the display area A and inside the end of the black matrix 22b. Preferably, the structure is

さらに、大型パネルである液晶装置1aは、表示領域Aの法線方向から見た平面視で、図7(b)に示すように、静電シールド層40の端部の位置が、導通材43の設置領域よりも内側である構造を有している。このような構造とすることによって、素子基板10に形成された共通電極19(不図示)との間の電気的な接続を、導通材43がブラックマトリクス22bに対して当接することで行うことになる。ちなみに液晶装置1では、図5に示したように、導通材43は、素子基板10に形成された共通電極19(不図示)との間の電気的な接続は、導通材43が静電シールド層40に対して当接して行われる構造を有している。   Further, in the liquid crystal device 1a which is a large panel, the position of the end portion of the electrostatic shield layer 40 in the plan view seen from the normal direction of the display region A is the conductive material 43 as shown in FIG. It has a structure which is inside the installation area. With such a structure, electrical connection with the common electrode 19 (not shown) formed on the element substrate 10 is performed by the conductive material 43 coming into contact with the black matrix 22b. Become. Incidentally, in the liquid crystal device 1, as shown in FIG. 5, the conductive material 43 is electrically connected to the common electrode 19 (not shown) formed on the element substrate 10. It has a structure that is performed in contact with the layer 40.

このように、導通材43がブラックマトリクス22bに対して当接して、共通電極19と静電シールド層40との間の電気的な接続を行う構造を有することによって、導通材43とブラックマトリクス22bとの密着性を高めることができる。つまりブラックマトリクス22bを形成するクロム等と、静電シールド層40を形成するITO等とは、密着性が必ずしも良好ではない。したがってブラックマトリクス22bと静電シールド層40とが積層する位置で、導通材43とブラックマトリクス22bとを当接させると、ブラックマトリクス22bが静電シールド層40に対して剥がれにより浮いてしまうことがある。そこで導通材43が当接する位置では、ブラックマトリクス22b単層の方が好ましい。また図5のように、ブラックマトリクス22bに開口を設けて導通材43と静電シールド層40とを当接すると、この開口からバックライトの光が漏れてしまう恐れがあるが、本構造においてはブラックマトリクス22bに開口を設けないので、不要な光漏れが生じる虞がない。   As described above, the conductive material 43 abuts against the black matrix 22b to have an electrical connection between the common electrode 19 and the electrostatic shield layer 40, whereby the conductive material 43 and the black matrix 22b. Adhesion can be improved. That is, the adhesion between chrome or the like forming the black matrix 22b and ITO or the like forming the electrostatic shield layer 40 is not necessarily good. Therefore, if the conductive material 43 and the black matrix 22b are brought into contact with each other at the position where the black matrix 22b and the electrostatic shield layer 40 are stacked, the black matrix 22b may be lifted off due to peeling off from the electrostatic shield layer 40. is there. Therefore, the black matrix 22b single layer is preferable at the position where the conductive material 43 abuts. Further, as shown in FIG. 5, when an opening is provided in the black matrix 22b and the conductive material 43 and the electrostatic shield layer 40 are brought into contact with each other, there is a risk that the light of the backlight leaks from this opening. Since no opening is provided in the black matrix 22b, there is no possibility of unnecessary light leakage.

上述したように、本発明について実施形態(液晶装置1および液晶装置1a)を用いて説明したが、本発明はこうした実施形態に何ら限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲内において様々な形態で実施し得ることは勿論である。以下変形例を挙げて説明する。   As described above, the present invention has been described using the embodiments (the liquid crystal device 1 and the liquid crystal device 1a). However, the present invention is not limited to these embodiments and does not depart from the spirit of the present invention. Of course, various forms can be implemented. Hereinafter, a modification will be described.

[変形例]
図8は、本発明の第1の変形例に係る液晶装置2の説明図である。図に示すように、液晶装置2が有する静電シールド層40は、基板本体21およびブラックマトリクス22bの表面を覆って形成され、着色層22aは、形成された静電シールド層40を一部覆って設けられている。
[Modification]
FIG. 8 is an explanatory diagram of the liquid crystal device 2 according to the first modification of the present invention. As shown in the figure, the electrostatic shield layer 40 included in the liquid crystal device 2 is formed to cover the surfaces of the substrate body 21 and the black matrix 22b, and the colored layer 22a partially covers the formed electrostatic shield layer 40. Is provided.

対向基板20側には、OVC層24を貫通するコンタクトホール42が形成されており、コンタクトホール42内で、ブラックマトリクス22bおよび静電シールド層40と、導通材43とが電気的に接続されている。   A contact hole 42 penetrating the OVC layer 24 is formed on the counter substrate 20 side. In the contact hole 42, the black matrix 22b, the electrostatic shield layer 40, and the conductive material 43 are electrically connected. Yes.

上記実施形態では、静電シールド層40を基板本体21上に形成する。このとき、工程が容易となることから、静電シールド層40を基板本体21の全体に蒸着等によって形成すると、基板本体21の端面と静電シールド層40の端部が平面的に同じ位置となり、静電シールド層40の端面が露出する。この場合、静電シールド層40が端部から電蝕される虞や、端部から静電気が進入し易くなる虞がある。従って、基板本体21に対して、端部が一致しないように所定の形状を有する静電シールド層40を位置合わせして形成することが好ましいが、基板本体21は透光性を有するため、例えば静電シールド層40を形成するための蒸着マスクの位置合わせが難しい。   In the above embodiment, the electrostatic shield layer 40 is formed on the substrate body 21. At this time, since the process becomes easy, when the electrostatic shield layer 40 is formed on the entire substrate body 21 by vapor deposition or the like, the end surface of the substrate body 21 and the end portion of the electrostatic shield layer 40 are in the same position in a plane. The end face of the electrostatic shield layer 40 is exposed. In this case, there is a possibility that the electrostatic shield layer 40 may be corroded from the end portion, or static electricity may easily enter from the end portion. Therefore, it is preferable to align and form the electrostatic shield layer 40 having a predetermined shape so that the end portions do not coincide with the substrate body 21. However, since the substrate body 21 has translucency, for example, It is difficult to align the vapor deposition mask for forming the electrostatic shield layer 40.

本変形例によれば、静電シールド層40はブラックマトリクス22bの表面を覆って形成されるので、ブラックマトリクス22bを形成する際に、ブラックマトリクス22bに静電シールド層40を形成するためのマスクアライメントマークを形成することができる。この結果、任意形状の静電シールド層40を基板本体21に対して適切な位置に形成することができる。   According to this modification, since the electrostatic shield layer 40 is formed to cover the surface of the black matrix 22b, a mask for forming the electrostatic shield layer 40 on the black matrix 22b when the black matrix 22b is formed. An alignment mark can be formed. As a result, the electrostatic shield layer 40 having an arbitrary shape can be formed at an appropriate position with respect to the substrate body 21.

また、上記実施形態では、基板本体21上に形成された静電シールド層40と導電膜44とを導通材43によって電気的に接続することによって、静電シールド層40と共通電極19との接続を行っている。これに対して本変形例では、基板本体21と静電シールド層40との間にブラックマトリクス22bが介在するため、静電シールド層40と共通電極19との間の距離は、上記実施形態よりも短くなる。従って、導通材43に用いられる導電性を有する微粒子の径は、上記実施形態よりも本変形例の方が小さくてよいことから、例えば微粒子の位置が平面的にずれてOVC層24上に乗り上げたとしても、上記実施形態に比べて、微粒子の径が小さい分、液晶層のギャップに与える影響を少なくすることができる。   In the above embodiment, the electrostatic shield layer 40 and the conductive film 44 formed on the substrate body 21 are electrically connected by the conductive material 43, thereby connecting the electrostatic shield layer 40 and the common electrode 19. It is carried out. On the other hand, in this modification, since the black matrix 22b is interposed between the substrate body 21 and the electrostatic shield layer 40, the distance between the electrostatic shield layer 40 and the common electrode 19 is greater than that of the above embodiment. Will also be shorter. Accordingly, the diameter of the conductive fine particles used for the conductive material 43 may be smaller in the present modification than in the above-described embodiment. For example, the positions of the fine particles are shifted on the plane and run on the OVC layer 24. Even so, compared with the above embodiment, the influence on the gap of the liquid crystal layer can be reduced by the smaller diameter of the fine particles.

図9は、本発明の第2の変形例に係る液晶装置3の説明図である。図に示すように、液晶装置3が有するカラーフィルター層22は、着色層22aが、ブラックマトリクス22bよりも厚く形成されており、周縁の一部が隣接するブラックマトリクス22bと重なって形成されている。隣り合う着色層22aの間にはブラックマトリクス22bが一部露出している。静電シールド層40は、このようなカラーフィルター層22の表面を覆って形成されている。   FIG. 9 is an explanatory diagram of a liquid crystal device 3 according to a second modification of the present invention. As shown in the drawing, the color filter layer 22 of the liquid crystal device 3 is formed such that the colored layer 22a is thicker than the black matrix 22b, and a part of the periphery overlaps the adjacent black matrix 22b. . A part of the black matrix 22b is exposed between the adjacent colored layers 22a. The electrostatic shield layer 40 is formed so as to cover the surface of the color filter layer 22.

対向基板20側には、液晶装置2と同様に、コンタクトホール42が形成されており、ブラックマトリクス22bおよび静電シールド層40と、導通材43とが電気的に接続されている。   Similar to the liquid crystal device 2, a contact hole 42 is formed on the counter substrate 20 side, and the black matrix 22 b and the electrostatic shield layer 40 are electrically connected to the conductive material 43.

本変形例によれば、液晶装置2と同様な効果を奏する。すなわち、静電シールド層40はブラックマトリクス22bの表面を覆って形成されるので、ブラックマトリクス22bを形成する際に、ブラックマトリクス22bに静電シールド層40を形成するためのマスクアライメントマークを形成することができる。この結果、任意形状の静電シールド層40を基板本体21に対して適切な位置に形成することができる。また、本変形例でも、基板本体21と静電シールド層40との間にブラックマトリクス22bが介在するため、静電シールド層40と共通電極19との間の距離は、上記実施形態よりも短くなる。従って、導通材43に用いられる導電性を有する微粒子の径は、上記実施形態よりも本変形例の方が小さくてよいことから、例えば微粒子の位置が平面的にずれてOVC層24上に乗り上げたとしても、上記実施形態に比べて、微粒子の径が小さい分、液晶層のギャップに与える影響を少なくすることができる。   According to this modification, the same effect as the liquid crystal device 2 is obtained. That is, since the electrostatic shield layer 40 is formed so as to cover the surface of the black matrix 22b, a mask alignment mark for forming the electrostatic shield layer 40 is formed on the black matrix 22b when the black matrix 22b is formed. be able to. As a result, the electrostatic shield layer 40 having an arbitrary shape can be formed at an appropriate position with respect to the substrate body 21. Also in this modified example, since the black matrix 22b is interposed between the substrate body 21 and the electrostatic shield layer 40, the distance between the electrostatic shield layer 40 and the common electrode 19 is shorter than that in the above embodiment. Become. Accordingly, the diameter of the conductive fine particles used for the conductive material 43 may be smaller in the present modification than in the above-described embodiment. For example, the positions of the fine particles are shifted on the plane and run on the OVC layer 24. Even so, compared with the above embodiment, the influence on the gap of the liquid crystal layer can be reduced by the smaller diameter of the fine particles.

加えて、本変形例の液晶装置3は液晶装置2と異なる効果も奏する。すなわち、静電シールド層40は着色層22aの表面を覆って形成されるので、この静電シールド層40によって着色層22aに含まれる不純物の溶出を防止することができる。また、静電シールド層40はカラーフィルター層22の表面を覆って形成されているので、OVC層24と配向膜25の厚さが変わらない場合は、静電シールド層40と液晶層50との間隔は変わらない。従って、例えば着色層22aの厚さが異なるなどカラーフィルター層22が異なる構成を有する一方、少なくともOVC層24と配向膜25の厚さが変わらない一連の(すなわちシリーズ化された)液晶装置において、液晶に対する静電気の影響は同じであると考えてよいことから、静電シールド層40を設けたときの液晶の駆動に関する設計が容易となる。この結果、例えば着色層22aの膜厚のみが異なり、他の構成は共通のシリーズ化された液晶装置を製造する場合において、設計に要するコスト(及び時間)を低減できる。   In addition, the liquid crystal device 3 of this modification also has an effect different from that of the liquid crystal device 2. That is, since the electrostatic shield layer 40 is formed to cover the surface of the colored layer 22a, the electrostatic shield layer 40 can prevent the impurities contained in the colored layer 22a from being eluted. Further, since the electrostatic shield layer 40 is formed so as to cover the surface of the color filter layer 22, when the thicknesses of the OVC layer 24 and the alignment film 25 do not change, the electrostatic shield layer 40 and the liquid crystal layer 50 The interval does not change. Therefore, in a series (that is, a series) of liquid crystal devices in which the color filter layer 22 has a different configuration, for example, the thickness of the colored layer 22a is different, but at least the thicknesses of the OVC layer 24 and the alignment film 25 are not changed. Since the influence of static electricity on the liquid crystal may be considered to be the same, the design related to driving of the liquid crystal when the electrostatic shield layer 40 is provided becomes easy. As a result, for example, only the film thickness of the colored layer 22a is different, and the cost (and time) required for the design can be reduced in the case of manufacturing a liquid crystal device having a common series with other configurations.

ところで、上記変形例の液晶装置2または液晶装置3は、上述した説明より明らかなように、上記実施形態の液晶装置1(1a)に比べて、静電シールド層40から液晶層50までの距離が短くなる。この結果、液晶装置2または液晶装置3は、静電シールド層40で捕捉した静電気によるクーロン力が液晶装置1(1a)に比べて強くなり、液晶層50に影響を与えやすくなる。しかしながら、上述した構成を有する液晶装置2,3であれば、液晶装置1(1a)と同様に、ブラックマトリクス22bと静電シールド層40とが、協働して外部環境からの静電気を捕捉し、引き回し配線18へと放出する。したがって、静電気の影響による画像の表示乱れを抑制した液晶装置とすることができる。   By the way, the liquid crystal device 2 or the liquid crystal device 3 of the modified example is a distance from the electrostatic shield layer 40 to the liquid crystal layer 50 as compared with the liquid crystal device 1 (1a) of the embodiment, as is clear from the above description. Becomes shorter. As a result, in the liquid crystal device 2 or the liquid crystal device 3, the Coulomb force due to static electricity captured by the electrostatic shield layer 40 is stronger than the liquid crystal device 1 (1 a), and the liquid crystal layer 50 is easily affected. However, in the liquid crystal devices 2 and 3 having the above-described configuration, the black matrix 22b and the electrostatic shield layer 40 cooperate to capture static electricity from the external environment in the same manner as the liquid crystal device 1 (1a). Then, it is discharged to the routing wiring 18. Therefore, a liquid crystal device in which image display disturbance due to the influence of static electricity is suppressed can be obtained.

また、液晶装置2、液晶装置3においては、導通材43の位置まで静電シールド層40が延在しているが、例えば導通材43の位置よりも表示領域側までしか静電シールド層40を形成しないでおいて、導通材43の位置において、静電シールド層40を形成するITO等が静電シールド層40とは独立した状態(島状態)で形成され、この独立した状態のITO等を介して、導通材43とブラックマトリクス22bとが接続するような構成であっても構わない。   In the liquid crystal device 2 and the liquid crystal device 3, the electrostatic shield layer 40 extends to the position of the conductive material 43. For example, the electrostatic shield layer 40 is only extended to the display region side from the position of the conductive material 43. Without forming, the ITO or the like forming the electrostatic shield layer 40 is formed in an independent state (island state) from the electrostatic shield layer 40 at the position of the conductive material 43. Thus, the conductive material 43 and the black matrix 22b may be connected to each other.

[電子機器]
次に、本発明の電子機器の実施形態について説明する。図10は、本発明に係る電子機器の一例を示す斜視図である。図10に示す携帯電話(電子機器)1300は、本発明の液晶装置を小サイズの表示部1301として備え、複数の操作ボタン1302、受話口1303、及び送話口1304を備えて構成されている。これにより、本発明の液晶装置により構成された、静電気による表示乱れを抑制した表示部を具備した携帯電話1300を提供することができる。
[Electronics]
Next, an embodiment of the electronic device of the present invention will be described. FIG. 10 is a perspective view showing an example of an electronic apparatus according to the invention. A cellular phone (electronic device) 1300 illustrated in FIG. 10 includes the liquid crystal device of the present invention as a small-sized display portion 1301, and includes a plurality of operation buttons 1302, an earpiece 1303, and a mouthpiece 1304. . Accordingly, a mobile phone 1300 including a display unit that is configured by the liquid crystal device of the present invention and suppresses display disturbance due to static electricity can be provided.

上記各実施形態の液晶装置は、上記携帯電話に限らず、電子ブック、プロジェクター、パーソナルコンピューター、ディジタルスチルカメラ、テレビジョン受像機、ビューファインダー型あるいはモニター直視型のビデオテープレコーダー、カーナビゲーション装置、ページャー、電子手帳、電卓、ワードプロセッサー、ワークステーション、テレビ電話、POS端末、タッチパネルを備えた機器等々の画像表示手段として好適に用いることができ、かかる構成とすることで、静電気による画像乱れが少なく、表示品質が高い表示部を備えた電子機器を提供できる。   The liquid crystal device of each of the embodiments is not limited to the mobile phone, but is an electronic book, a projector, a personal computer, a digital still camera, a television receiver, a viewfinder type or a monitor direct-view type video tape recorder, a car navigation device, and a pager. , Electronic notebooks, calculators, word processors, workstations, videophones, POS terminals, devices equipped with touch panels, etc., and can be suitably used as an image display means. An electronic device including a display portion with high quality can be provided.

以上、添付図面を参照しながら本発明に係る好適な実施の形態例について説明したが、本発明は係る例に限定されないことは言うまでもない。上述した例において示した各構成部材の諸形状や組み合わせ等は一例であって、本発明の主旨から逸脱しない範囲において設計要求等に基づき種々変更可能である。   The preferred embodiments of the present invention have been described above with reference to the accompanying drawings, but it goes without saying that the present invention is not limited to such examples. Various shapes, combinations, and the like of the constituent members shown in the above-described examples are examples, and various modifications can be made based on design requirements and the like without departing from the gist of the present invention.

1,1a,2,3…液晶装置、9…画素電極、10…素子基板(第1基板)、12…ゲート絶縁膜(絶縁膜)、13…層間絶縁膜(絶縁膜)、14…電極間絶縁膜(絶縁膜)、18…引き回し配線、19…共通電極、20…対向基板(第2基板)、22…カラーフィルター層、22a…着色層、22b…ブラックマトリクス(金属遮光層)、22c…開口部、24…オーバーコート層(絶縁層)、25…配向膜、40…静電シールド層(静電遮蔽層)、43…導通材、44…導電膜、50…液晶層、1300…携帯電話(電子機器)、A…表示領域。   DESCRIPTION OF SYMBOLS 1,1a, 2,3 ... Liquid crystal device, 9 ... Pixel electrode, 10 ... Element substrate (1st substrate), 12 ... Gate insulating film (insulating film), 13 ... Interlayer insulating film (insulating film), 14 ... Between electrodes Insulating film (insulating film), 18 ... lead-out wiring, 19 ... common electrode, 20 ... counter substrate (second substrate), 22 ... color filter layer, 22a ... colored layer, 22b ... black matrix (metal light shielding layer), 22c ... Opening 24, overcoat layer (insulating layer), 25 ... alignment film, 40 ... electrostatic shielding layer (electrostatic shielding layer), 43 ... conductive material, 44 ... conductive film, 50 ... liquid crystal layer, 1300 ... mobile phone (Electronic device), A ... display area.

Claims (9)

第1基板と第2基板との間に液晶層が挟持され、前記第1基板上に画素電極と共通電極とが形成され、前記画素電極と前記共通電極との間に発生する電界によって液晶を駆動する横電界方式の液晶装置であって、
前記第2基板の前記液晶層側の面に、前記画素電極及び前記画素電極間と対向する位置に静電遮蔽層が形成され、当該静電遮蔽層の前記液晶層側の面に、前記画素電極間に対応して金属遮光層が形成され、
前記第1基板の前記液晶層側の面に、駆動回路と、前記駆動回路と電気的に接続された引き回し配線とが設けられ、
前記引き回し配線と、前記静電遮蔽層及び前記金属遮光層とが、前記第1基板と前記第2基板との間に挟持された導通材を介して、互いに平面的に重なる位置で電気的に接続され、
前記静電遮蔽層の電位が前記駆動回路によって所定電位に制御される
ことを特徴とする液晶装置。
A liquid crystal layer is sandwiched between the first substrate and the second substrate, a pixel electrode and a common electrode are formed on the first substrate, and the liquid crystal is generated by an electric field generated between the pixel electrode and the common electrode. A lateral electric field type liquid crystal device to be driven,
On the surface of the liquid crystal layer side of the second substrate, the pixel collector Goku及 beauty electrostatic shielding layer on the inter-pixel electrode and the counter position is formed, on the surface of the liquid crystal layer side of the electrostatic shielding layer, A metal light-shielding layer is formed between the pixel electrodes,
On the surface of the first substrate on the liquid crystal layer side, a drive circuit and a lead wiring electrically connected to the drive circuit are provided,
The lead wiring, the electrostatic shielding layer, and the metal shielding layer are electrically electrically connected to each other in a planar manner through a conductive material sandwiched between the first substrate and the second substrate. Connected,
The potential of the electrostatic shielding layer is controlled to a predetermined potential by the drive circuit.
A liquid crystal device characterized by that.
記静電遮蔽層の前記液晶層側の面に配向膜が形成され、
前記静電遮蔽層と前記配向膜との間に絶縁層を有し、
前記絶縁層は、カラーフィルター層の形成材料である着色層またはオーバーコート層である
ことを特徴とする請求項1に記載の液晶装置。
Orientation film is formed on the surface of the liquid crystal layer side of the front Symbol electrostatic shielding layer,
Having an insulating layer between the electrostatic shielding layer and the alignment film;
The liquid crystal device according to claim 1, wherein the insulating layer is a colored layer or an overcoat layer which is a material for forming a color filter layer.
前記静電遮蔽層の電位が、前記共通電極の電位と同じ電位に制御される
ことを特徴とする請求項1または2に記載の液晶装置。
The potential of the electrostatic shielding layer, the liquid crystal device according to claim 1 or 2, characterized in that it is controlled to the same potential as the potential of the common electrode.
前記引き回し配線と、前記静電遮蔽層または前記金属遮光層とを電気的に接続する前記導通材が、複数箇所配置されている
ことを特徴とする請求項1から3のいずれか1項に記載の液晶装置。
Said lead-out line, the conductive material for electrically connecting the electrostatic shield layer or the metal light-shielding layer according to claims 1, characterized in that it is a plurality of locations arranged in any one of 3 LCD device.
前記第1基板は、前記引き回し配線を覆う絶縁膜を有し、
前記絶縁膜には、前記引き回し配線の一部が底部に露出するコンタクトホールが設けられ、
前記コンタクトホールの内部には、底部に露出する前記引き回し配線を覆う導電膜が形成され、
前記静電遮蔽層または前記金属遮光層は、前記導通材と前記導電膜とを介して前記引き回し配線と導通している
ことを特徴とする請求項から4のいずれか1項に記載の液晶装置。
The first substrate has an insulating film covering the routing wiring,
The insulating film is provided with a contact hole in which a part of the routing wiring is exposed to the bottom,
Inside the contact hole, a conductive film is formed to cover the routing wiring exposed at the bottom,
The electrostatic shielding layer or the metal light shielding layer is a liquid crystal according to claim 1, any one of 4, characterized in that in conduction with the conductive member and the lead wirings through said conductive film apparatus.
前記導電膜は、導電性金属酸化物を形成材料とする
ことを特徴とする請求項5に記載の液晶装置。
The liquid crystal device according to claim 5, wherein the conductive film is made of a conductive metal oxide.
前記第1基板の前記液晶層側には、前記画素電極と前記共通電極とが絶縁膜を介して積層され、
前記共通電極が前記画素電極よりも前記液晶層側に設けられている
ことを特徴とする請求項1から6のいずれか1項に記載の液晶装置。
The pixel electrode and the common electrode are stacked via an insulating film on the liquid crystal layer side of the first substrate,
The liquid crystal device according to claim 1, wherein the common electrode is provided closer to the liquid crystal layer than the pixel electrode.
前記液晶層の周囲には、液晶分子を封止するシール材が設けられ、
前記シール材によって囲まれた領域の内側には、複数の前記画素電極によって形成された表示領域が設けられていると共に、前記シール材によって囲まれた領域の内側であって、前記表示領域と前記シール材との間には非表示領域が設けられ、
前記第1基板の前記非表示領域には、前記表示領域へ侵入する静電気を放電させる静電保護部材が配置されており、
前記静電遮蔽層は、前記静電保護部材と平面的に重なって設けられている
ことを特徴とする請求項1から7のいずれか1項に記載の液晶装置。
Around the liquid crystal layer, a sealing material for sealing liquid crystal molecules is provided,
A display area formed by a plurality of the pixel electrodes is provided inside the area surrounded by the sealing material, and is inside the area surrounded by the sealing material, the display area and the A non-display area is provided between the sealing material and
In the non-display area of the first substrate, an electrostatic protection member that discharges static electricity entering the display area is disposed,
The liquid crystal device according to claim 1, wherein the electrostatic shielding layer is provided so as to overlap the electrostatic protection member in a planar manner.
請求項1から8のいずれか1項に記載の液晶装置を備える
ことを特徴とする電子機器。

An electronic apparatus comprising the liquid crystal device according to claim 1.

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