KR101738570B1 - Liquid crystal display device having touch sensing function - Google Patents

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Abstract

본 발명은, 제 1 기판과 이와 마주하는 제 2 기판 사이에 액정층이 구비되며, 공통전극과 화소전극이 모두 상기 제 1 기판의 내측면에 구비되며, 컬러필터층은 상기 제 2 기판의 내측면에 구비된 액정패널과; 상기 액정패널의 내측면 또는 외측면에 구비되며 서로 이격하는 센싱전극 및 드라이빙 전극과; 상기 센싱전극과 드라이빙 전극 중 어느 한 전극과 중첩하며 그 하부에 위치하며 상기 액정패널 내부에 형성된 쉘드전극을 포함하며, 상기 센싱전극과 드라이빙 전극에 의해 형성되는 프린지 커패시터의 변동에 의해 터치 센싱이 동작하는 것을 특징으로 하는 터치인식 액정표시장치를 제공한다. The liquid crystal layer is provided between the first substrate and the second substrate facing the first substrate, the common electrode and the pixel electrode are both provided on the inner surface of the first substrate, and the color filter layer is formed on the inner surface A liquid crystal panel; A sensing electrode and a driving electrode provided on an inner surface or an outer surface of the liquid crystal panel and spaced apart from each other; And a shield electrode formed on the liquid crystal panel, the shield electrode being overlapped with one of the sensing electrode and the driving electrode and being located at a lower portion of the shield electrode, and the touch sensing is performed by the fluctuation of the fringe capacitor formed by the sensing electrode and the driving electrode And a touch-sensitive liquid crystal display device.

Description

터치인식 액정표시장치{Liquid crystal display device having touch sensing function} [0001] The present invention relates to a touch-sensitive liquid crystal display (LCD)

본 발명은 터치인식 액정표시장치에 관한 것이며, 특히 커패시터 타입 터치방식에서 터치 감도를 향상시킨 터치인식이 가능한 액정표시장치에 관한 것이다.
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention [0001] The present invention relates to a touch-sensitive liquid crystal display, and more particularly, to a liquid crystal display capable of performing touch recognition with improved touch sensitivity in a capacitor type touch method.

최근에 액정표시장치는 소비전력이 낮고, 휴대성이 양호한 기술 집약적이며, 부가가치가 높은 차세대 첨단 디스플레이(display)소자로 각광받고 있다. Recently, liquid crystal display devices have been attracting attention as next generation advanced display devices with low power consumption, good portability, and high value-added.

일반적으로, 액정표시장치는 액정의 광학적 이방성과 분극성질을 이용하여 구동된다. 상기 액정은 구조가 가늘고 길기 때문에 분자의 배열에 방향성을 가지고 있으며, 인위적으로 액정에 전기장을 인가하여 분자배열의 방향을 제어할 수 있다.In general, a liquid crystal display device is driven by using optical anisotropy and polarization properties of a liquid crystal. Since the liquid crystal has a long structure, it has a directionality in the arrangement of molecules, and the direction of the molecular arrangement can be controlled by artificially applying an electric field to the liquid crystal.

따라서, 상기 액정의 분자배열 방향을 임의로 조절하면, 액정의 분자배열이 변하게 되고, 광학적 이방성에 의해 상기 액정의 분자배열 방향으로 빛이 굴절하여 화상정보를 표현할 수 있다.Therefore, when the molecular alignment direction of the liquid crystal is arbitrarily adjusted, the molecular arrangement of the liquid crystal is changed, and light is refracted in the molecular alignment direction of the liquid crystal by optical anisotropy, so that image information can be expressed.

현재에는 박막트랜지스터와 상기 박막트랜지스터에 연결된 화소전극이 행렬방식으로 배열된 능동행렬 액정표시장치(AM-LCD : Active Matrix LCD 이하, 액정표시장치로 약칭함)가 해상도 및 동영상 구현능력이 우수하여 가장 주목받고 있다.At present, an active matrix liquid crystal display (AM-LCD: hereinafter referred to as liquid crystal display) in which a thin film transistor and pixel electrodes connected to the thin film transistor are arranged in a matrix manner has excellent resolution and video realization capability, It is attracting attention.

상기 액정표시장치는 공통전극이 형성된 컬러필터 기판과 화소전극이 형성된 어레이 기판과, 상기 두 기판 사이에 개재된 액정으로 이루어지는데, 이러한 액정표시장치에서는 공통전극과 화소전극이 상하로 걸리는 전기장에 의해 액정을 구동하는 방식으로 투과율과 개구율 등의 특성이 우수하다.The liquid crystal display device includes a color filter substrate on which a common electrode is formed, an array substrate on which pixel electrodes are formed, and a liquid crystal interposed between the two substrates. In such a liquid crystal display device, The liquid crystal is driven to have excellent properties such as transmittance and aperture ratio.

한편, 상하로 걸리는 전기장에 의한 액정구동은 시야각 특성이 우수하지 못한 단점을 가지고 있으므로, 근래에는 이러한 단점을 극복하기 위해 시야각 특성이 우수한 횡전계형 액정표시장치가 제안되었다. On the other hand, liquid crystal driving by an electric field applied up and down has disadvantages in that the viewing angle characteristics are not excellent. Thus, in order to overcome such drawbacks, a liquid crystal display device of a transverse electric field having excellent viewing angle characteristics has recently been proposed.

이하, 도 1을 참조하여 일반적인 횡전계형 액정표시장치에 관하여 상세히 설명한다.Hereinafter, a general transverse electric field type liquid crystal display device will be described in detail with reference to FIG.

도 1은 일반적인 횡전계형 액정표시장치의 단면을 도시한 도면이다.1 is a cross-sectional view of a general transverse electric field type liquid crystal display device.

도시한 바와 같이, 컬러필터 기판인 상부기판(9)과 어레이 기판인 하부기판(10)이 서로 이격되어 대향하고 있으며, 이 상부 및 하부기판(9, 10)사이에는 액정층(11)이 개재되어 있다. As shown in the figure, the upper substrate 9, which is a color filter substrate, and the lower substrate 10, which is an array substrate, are spaced apart from each other and face each other. A liquid crystal layer 11 is interposed between the upper and lower substrates 9, .

상기 하부기판(10)상에는 공통전극(17)과 화소전극(30)이 동일 평면상에 형성되어 있으며, 이때, 상기 액정층(11)은 상기 공통전극(17)과 화소전극(30)에 의한 수평전계(L)에 의해 작동된다.The common electrode 17 and the pixel electrode 30 are formed on the same plane on the lower substrate 10 and the liquid crystal layer 11 is formed by the common electrode 17 and the pixel electrode 30 And is operated by the horizontal electric field (L).

도 2a와 2b는 일반적인 횡전계형 액정표시장치의 온(on), 오프(off) 상태의 동작을 각각 도시한 단면도이다.2A and 2B are cross-sectional views respectively showing the on and off states of a general transverse electric field type liquid crystal display device.

우선, 전압이 인가된 온(on)상태에서의 액정의 배열상태를 도시한 도 2a를 참조하면, 상기 공통전극(17) 및 화소전극(30)과 대응하는 위치의 액정(11a)의 상변이는 없지만 공통전극(17)과 화소전극(30)사이 구간에 위치한 액정(11b)은 이 공통전극(17)과 화소전극(30)사이에 전압이 인가됨으로써 형성되는 수평전계(L)에 의하여, 상기 수평전계(L)와 같은 방향으로 배열하게 된다. 즉, 상기 횡전계형 액정표시장치는 액정이 수평전계에 의해 이동하므로, 시야각이 넓어지는 특성을 띠게 된다. 2A showing the alignment state of the liquid crystal in the ON state to which the voltage is applied, the phase of the liquid crystal 11a at the position corresponding to the common electrode 17 and the pixel electrode 30 is The liquid crystal 11b located between the common electrode 17 and the pixel electrode 30 is formed by a horizontal electric field L formed by applying a voltage between the common electrode 17 and the pixel electrode 30, And arranged in the same direction as the horizontal electric field (L). That is, since the liquid crystal is moved by the horizontal electric field in the transverse electric field type liquid crystal display device, the viewing angle becomes wide.

그러므로 상기 횡전계형 액정표시장치를 정면에서 보았을 때, 상/하/좌/우 방향으로 80도 내지 85도 방향에서도 반전현상 없이 가시 할 수 있다.Therefore, when the transverse electric field type liquid crystal display device is viewed from the front, it can be seen in the direction of 80 degrees to 85 degrees in the up / down / left / right direction without reversal.

다음, 도 2b를 참조하면, 상기 액정표시장치에 전압이 인가되지 않은 오프(off)상태이므로 상기 공통전극과 화소전극 간에 수평전계가 형성되지 않으므로 액정층(11)의 배열 상태가 변하지 않는다.Next, referring to FIG. 2B, a horizontal electric field is not formed between the common electrode and the pixel electrode since the liquid crystal display device is in an off state in which no voltage is applied, so that the alignment state of the liquid crystal layer 11 is not changed.

전술한 구성을 갖는 횡전계형 액정표시장치는 TV, 프로젝터, 휴대폰, PDA 등 다양한 응용제품에 이용되고 있다. The transverse electric field type liquid crystal display device having the above-described configuration is used in various applications such as a TV, a projector, a mobile phone, and a PDA.

한편, 근래에 들어서는 개인 휴대가 가능한 휴대폰, PDA 또는 노트북 등에서 터치센서가 내장되어 화면을 터치하여 동작할 수 있는 기능을 갖는 제품이 출시되어 사용자의 많은 관심을 끌고 있다. In recent years, a product having a function of touching a screen with a built-in touch sensor in a mobile phone, a PDA or a notebook capable of personal carrying has been released and attracts a great deal of interest from users.

이러한 추세에 편승하여 다양한 응용제품에 표시소자로서 이용되고 있는 횡전계형 액정표시장치에 있어서도 터치기능을 갖도록 하기 위해 최근 다양한 시도가 진행되고 있다. Various attempts have been made in recent years to provide a touch function even in a transverse electric field type liquid crystal display device which is used as a display device in various applications by taking this trend.

도 3a 내지 3c는 횡전계형 액정표시패널에 터치센서를 구비한 일반적인 터치센서 액정표시장치의 개략적인 단면도로서 각각 온 셀 타입(On cell type), 인 셀 타입(In-cell type) 및 하이브리드 타입(Hybrid type)에 대한 도면이다. 3A to 3C are schematic cross-sectional views of a general touch sensor liquid crystal display device having a touch sensor on a transverse electric field type liquid crystal display panel, respectively. The on-cell type, the in-cell type and the hybrid type Hybrid type).

도시한 바와같이, 터치센서 액정표시장치는 액정패널과 터치전극의 위치에 따라 애드 온 타입(미도시), 온 셀 타입(도 3a 참조) 인 셀 타입(도 3b 참조) 및 온셀 및 인셀이 복합된 하이브리드 타입(Hybrid)(도 3c 참조)으로 분류된다. As shown in the figure, the touch sensor liquid crystal display device has a combination of an add-on type (not shown), an on-cell type (see FIG. 3A) Hybrid " hybrid (see Fig. 3C).

커패시터 타입 터치 방식은 드라이빙 전극과 센싱전극간 형성되는 프린지 커패시터를 이용하여 사용자의 터치 전후의 드라이빙 전극과 센싱전극간 형성되는 프린지 커패시터의 변화를 감지하여 터치 여부 및 터치된 곳의 좌표를 인지하게 된다.In the capacitor type touch method, a fringe capacitor formed between a driving electrode and a sensing electrode is used to detect a change in a fringe capacitor formed between a driving electrode and a sensing electrode before and after a user's touch, .

이러한 커패시터 타입 터치 방식은 통상 도 3a 및 도 3b에 도시한 바와 같이, 드라이빙 전극과 센싱전극이 동일한 층에 형성되거나, 또는 도 3c에 도시한 바와 같이, 드라이빙 전극과 센싱전극이 각각 절연층을 개재하여 서로 다른 층에 형성되고 있다.In such a capacitor type touch method, as shown in FIGS. 3A and 3B, the driving electrode and the sensing electrode are formed in the same layer, or, as shown in FIG. 3C, the driving electrode and the sensing electrode each include an insulating layer And are formed on different layers.

하지만, 전술한 바와같은 구조를 갖는 종래의 터치인식 액정표시장치는 센싱전극과 드라이빙 전극에 의해 발생된 프린지 커패시터의 정전용량의 변화를 통해 터치 여부 및 터치된 곳의 위치를 파악하게 되는데, 이러한 센싱전극과 드라이빙 전극에 의해 발생된 프린지 커패시터의 용량은 매우 작은 가지며, 센싱전극과 드라이빙 전극에 의해 발생되는 프린지 필드는 전면에만 발생되는 것이 아니라 액정패널이 위치하는 배면 쪽으로도 발생되게 된다. However, in the conventional touch-sensing liquid crystal display device having the above-described structure, the touch position and the position of the touched position are detected through the change of the capacitance of the fringe capacitor generated by the sensing electrode and the driving electrode. The capacitance of the fringe capacitor generated by the electrode and the driving electrode is very small and the fringe field generated by the sensing electrode and the driving electrode is generated not only on the front surface but also on the rear surface where the liquid crystal panel is located.

즉, 도 4a와 도 4b(종래의 터치인식 액정표시장치의 단면도로서 센싱전극과 드라이빙 전극에 의해 발생되는 프린지 커패시터를 함께 도시한 도면)를 참조하면, That is, referring to Figs. 4A and 4B (a view showing a fringe capacitor generated by a sensing electrode and a driving electrode together as a cross-sectional view of a conventional touch-sensitive liquid crystal display device)

C0, C1, C2 등의 프린지 커패시터가 드라이빙 전극과 센싱전극 간에 형성된다. 이때, 실질적으로 사용자의 화면 터치 동작 감지에 직접적으로 이용되는 프린지 커패시터는 C0이며, C1, C2와 같이 전극의 아래쪽으로 형성되는 프린지 커패시터는 터치 전/후 C0의 변화폭을 작게 만들고, 이에 의해 터치 감도를 저하시키는 요인이 되고 있다. A fringe capacitor such as C0, C1, C2 is formed between the driving electrode and the sensing electrode. In this case, the fringe capacitor directly used for sensing the screen touch operation of the user is C0, and the fringe capacitors formed below the electrodes such as C1 and C2 make the variation width of C0 before and after touch small, And the like.

따라서, 이러한 터치 감도 저하에 의해 사용자가 화면을 터치시 터치 인식율이 저하되어 사용자의 터치에 의한 동작 구현이 원활하게 진행되지 않는 문제가 발생하고 있다. Therefore, when the user touches the screen due to the lowering of the touch sensitivity, the touch recognition rate is lowered and the operation of the touch by the user is not smoothly implemented.

상기 문제점을 해결하기 위해서, 본 발명은 드라이빙 전극과 센싱전극에 의해 부가적으로 액정패널 쪽으로 발생되는 프린지 커패시터를 억제할 수 있는 수단을 구비함으로써 센싱 작용에 기여하는 드라이빙 전극과 센싱전극에 의해 발생되는 프린지 커패시터의 상대적의 변화량의 크기를 향상시켜 터치 감도를 향상시킬 수 있는 터치인식 액정표시장치를 제공하는 것을 그 목적으로 한다.
In order to solve the above problems, the present invention provides means for suppressing a fringe capacitor generated by the driving electrode and the sensing electrode to the liquid crystal panel side, so that the driving electrode generated by the sensing electrode and the driving electrode contributing to the sensing action And to provide a touch-sensitive liquid crystal display device capable of improving a touch sensitivity by improving a relative change amount of a fringe capacitor.

상기 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 터치인식 액정표시장치는, 제 1 기판과 이와 마주하는 제 2 기판 사이에 액정층이 구비되며, 공통전극과 화소전극이 모두 상기 제 1 기판의 내측면에 구비되며, 컬러필터층은 상기 제 2 기판의 내측면에 구비된 액정패널과; 상기 액정패널의 내측면 또는 외측면에 구비되며 서로 이격하는 센싱전극 및 드라이빙 전극과; 상기 센싱전극과 드라이빙 전극 중 어느 한 전극과 중첩하며 그 하부에 위치하며 상기 액정패널 내부에 형성된 쉘드전극을 포함하며, 상기 센싱전극과 드라이빙 전극에 의해 형성되는 프린지 커패시터의 변동에 의해 터치 센싱이 동작하는 것을 특징으로 한다. According to an aspect of the present invention, there is provided a touch-sensitive liquid crystal display device including a liquid crystal layer between a first substrate and a second substrate facing the first substrate, wherein both the common electrode and the pixel electrode are formed on the inner surface of the first substrate A color filter layer disposed on an inner surface of the second substrate; A sensing electrode and a driving electrode provided on an inner surface or an outer surface of the liquid crystal panel and spaced apart from each other; And a shield electrode formed on the liquid crystal panel, the shield electrode being overlapped with one of the sensing electrode and the driving electrode and being located at a lower portion of the shield electrode, and the touch sensing is performed by the fluctuation of the fringe capacitor formed by the sensing electrode and the driving electrode .

상기 드라이빙 전극과 상기 센싱전극은 투명 도전성 물질로 이루어지며 서로 동일한 층에 형성되는 것이 특징이며, 상기 드라이빙 전극과 센싱전극은 상기 제 2 기판의 외측면에 형성되는 것이 특징이다. 이때, 상기 쉘드전극은 상기 제 2 기판의 내측면 또는 상기 제 1 기판의 내측면에 형성된 것이 특징이며, 상기 제 2 기판의 외측면에 대응하여 상기 센싱전극과 드라이빙 전극을 덮으며 절연층을 개재하여 제 3 기판이 구비된 것이 특징이다. The driving electrode and the sensing electrode are made of a transparent conductive material and are formed on the same layer, and the driving electrode and the sensing electrode are formed on the outer surface of the second substrate. The shield electrode is formed on an inner surface of the second substrate or an inner surface of the first substrate. The shield electrode covers the sensing electrode and the driving electrode corresponding to the outer surface of the second substrate, And a third substrate is provided.

또한, 상기 드라이빙 전극과 상기 센싱전극은 투명 도전성 물질로 이루어지며 서로 다른층에 형성되는 것이 특징이며, 상기 센싱전극은 제 2 기판의 외측면에 형성되며, 상기 드라이빙 전극은 상기 제 2 기판의 내측면 또는 상기 제 1 기판의 내측면에 형성되며, 상기 쉘드전극은 상기 센싱전극과 중첩하며 상기 드라이빙 전극이 형성된 동일한 층에 동일한 물질로 상기 드라이빙 전극과 이격하며 형성된 것이 특징이다. 이때, 상기 드라이빙 전극에 대응하여 상기 센싱전극이 형성된 동일한 층에 동일한 물질로 이루어지며 플로팅된 상태로 더미패턴이 형성된 것이 특징이다. 또한, 상기 드라이빙 전극은 제 2 기판의 외측면에 형성되며, 상기 센싱전극은 상기 제 2 기판의 내측면 또는 상기 제 1 기판의 내측면에 형성되며, 상기 쉘드전극은 상기 드라이빙 전극과 중첩하며 상기 센싱전극이 형성된 동일한 층에 동일한 물질로 상기 센싱전극과 이격하며 형성된 것이 특징이며, 이때, 상기 센싱전극에 대응하여 상기 드라이빙 전극이 형성된 동일한 층에 동일한 물질로 이루어지며 플로팅된 상태로 더미패턴이 형성된 것이 특징이다. The driving electrode and the sensing electrode are made of a transparent conductive material and are formed on different layers. The sensing electrode is formed on the outer surface of the second substrate, and the driving electrode is formed on the inner surface of the second substrate. The shield electrode is formed on the side surface or the inner surface of the first substrate, and the shield electrode overlaps with the sensing electrode and is formed on the same layer on which the driving electrode is formed, the same material being spaced apart from the driving electrode. At this time, the sensing electrode is formed in the same layer corresponding to the driving electrode, and the dummy pattern is formed in the floating state. The driving electrode is formed on an outer surface of a second substrate, the sensing electrode is formed on an inner surface of the second substrate or an inner surface of the first substrate, the shield electrode overlaps the driving electrode, The sensing electrode may be formed of the same material on the same layer on which the driving electrode is formed. The dummy pattern may be formed in a floating state. .

또한, 상기 제 2 기판의 외측면에는 절연층을 개재하여 제 3 기판이 구비된 것이 특징이다. In addition, a third substrate is provided on an outer surface of the second substrate with an insulating layer interposed therebetween.

또한, 상기 제 1 및 제 2 기판에는 다수의 화소영역을 포함하는 표시영역과 상기 표시영역 외측으로 비표시영역이 정의되며, 상기 제 1 기판의 내측면에 각 화소영역의 경계에 서로 교차하며 형성된 상기 게이트 및 데이터 배선과; 각 화소영역 내에 상기 게이트 및 데이터 배선과 연결되며 형성된 박막트랜지스터와; 상기 박막트랜지스터 위로 전면에 형성된 제 1 보호층과; 상기 제 1 보호층 위로 상기 각 화소영역별로 상기 박막트랜지스터의 드레인 전극과 접촉하며 형성된 상기 화소전극과; 상기 화소전극 위로 형성된 제 2 보호층과; 상기 제 2 보호층 위로 형성된 표시영역 전면에 형성되며 각 화소영역 내에 다수의 개구를 갖는 상기 공통전극과; 상기 제 2 기판의 내측면에 각 화소영역 경계에 형성된 블랙매트릭스와; 상기 블랙매트릭스와 중첩되며 상기 각 화소영역에 대응하여 적, 녹, 청색 컬러필터 패턴이 순차 대응되도록 배치된 상기 컬러필터층을 포함한다. 이때, 상기 제 1 기판의 비표시영역에는, 상기 드라이빙 전극과 연결된 X방향 센싱회로가 구비되며, 상기 센싱전극의 끝단에는 y방향 센싱회로가 구비된 것이 특징이다.
The first substrate and the second substrate define a display region including a plurality of pixel regions and a non-display region outside the display region. The first substrate and the second substrate are formed on the inner surface of the first substrate, A gate and a data line; A thin film transistor formed in each pixel region and connected to the gate and the data line; A first protective layer formed on the entire surface of the thin film transistor; The pixel electrode being formed in contact with the drain electrode of the thin film transistor for each pixel region on the first protective layer; A second protective layer formed on the pixel electrode; The common electrode being formed on the entire surface of the display region formed over the second passivation layer and having a plurality of openings in each pixel region; A black matrix formed on each pixel region boundary on the inner surface of the second substrate; And the color filter layer overlapped with the black matrix and arranged so that the red, green, and blue color filter patterns correspond to the pixel regions sequentially. At this time, an X-direction sensing circuit connected to the driving electrode is provided in the non-display region of the first substrate, and a y-direction sensing circuit is provided at an end of the sensing electrode.

본 발명에 따른 터치인식 액정표시장치는 드라이빙 전극과 센싱전극 이외에 쉘드전극이 더욱 구비됨으로써 액정패널 측으로 발생되는 드라이빙 전극과 센싱전극에 의해 프린지 커패시터를 억제시킴으로써 사용자의 터치시 센싱전극과 드라이빙 전극에 의해 발생되는 프린지 커패시터의 상대적인 변화량의 크기가 커지게 됨으로써 터치 감도를 향상시키는 효과가 있다.
The touch recognition liquid crystal display device according to the present invention further includes a shield electrode in addition to the driving electrode and the sensing electrode, thereby suppressing the fringe capacitor by the driving electrode and the sensing electrode generated on the liquid crystal panel side, The relative change amount of the generated fringe capacitors is increased, thereby improving the touch sensitivity.

도 1은 일반적인 횡전계형 액정표시장치의 일부를 개략적으로 도시한 단면도.
도 2a, 2b는 일반적인 횡전계형 액정표시장치의 온(on), 오프(off) 상태의 동작을 각각 도시한 단면도.
도 3a 내지 3c는 횡전계형 액정표시패널에 터치센서를 구비한 일반적인 터치센서 액정표시장치의 개략적인 단면도로서 각각 온 셀 타입(On cell type), 인 셀 타입(In-cell type) 및 하이브리드 타입(Hybrid type)에 대한 도면.
도 4a와 도 4b는 종래의 터치인식 액정표시장치의 단면도로서 센싱전극과 드라이빙 전극에 의해 발생되는 프린지 커패시터를 함께 도시한 도면.
도 5는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 터치인식 액정표시장치의 간략한 단면도.
도 6은 본 발명의 실시예에 이용되는 액정표장치의 액정패널의 하나의 화소영역에 대한 단면도.
도 7은 본 발명의 제 2 실시예에 따른 터치인식 액정표시장치의 간략한 단면도.
도 8은 본 발명의 제 2 실시예의 제 1 변형예에 따른 터치인식 액정표시장치의 간략한 단면도.
도 9는 본 발명의 제 2 실시예의 제 2 변형예에 따른 터치인식 액정표시장치의 간략한 단면도.
도 10a와 10b는 각각 본 발명에 따른 터치인식 액정표시장치의 제 1 기판에 형성된 쉘드전극과 드라이빙 전극(또는 센싱전극)과 제 2 기판에 형성된 센싱전극(또는 드라이빙 전극)과 더미전극의 일례로서의 평면구조를 나타낸 도면.
도 11은 도 10a와 도 10b를 합착한 상태를 도시한 평면도.
도 12a와 12b는 본 발명에 따른 터치인식 액정표시장치의 제 1 기판에 형성된 쉘드전극과 드라이빙 전극(또는 센싱전극)과 제 2 기판에 형성된 센싱전극(또는 드라이빙 전극)과 더미전극의 또 다른 일례로서의 평면구조를 나타낸 도면.
도 13은 도 12a와 도 12b를 합착한 상태를 도시한 평면도.1 is a cross-sectional view schematically showing a part of a general transverse electric field type liquid crystal display device.
FIGS. 2A and 2B are cross-sectional views respectively showing the on and off states of a general transverse electric field liquid crystal display device;
3A to 3C are schematic cross-sectional views of a general touch sensor liquid crystal display device having a touch sensor on a transverse electric field type liquid crystal display panel, respectively. The on-cell type, the in-cell type and the hybrid type Hybrid type.
FIGS. 4A and 4B are cross-sectional views of a conventional touch-sensitive liquid crystal display device, together with a sensing electrode and a fringe capacitor generated by the driving electrode.
5 is a simplified sectional view of a touch-sensitive liquid crystal display device according to a first embodiment of the present invention.
6 is a cross-sectional view of one pixel region of a liquid crystal panel of a liquid crystal cell according to an embodiment of the present invention.
7 is a simplified cross-sectional view of a touch-sensitive liquid crystal display device according to a second embodiment of the present invention.
8 is a simplified sectional view of a touch-sensitive liquid crystal display device according to a first modification of the second embodiment of the present invention.
9 is a simplified sectional view of a touch-sensitive liquid crystal display device according to a second modification of the second embodiment of the present invention.
FIGS. 10A and 10B are diagrams for explaining an example of a sensing electrode (or a driving electrode) formed on a second substrate, a driving electrode (or sensing electrode) formed on a first substrate of the touch-sensing liquid crystal display device according to the present invention, Fig.
11 is a plan view showing a state in which FIG. 10A and FIG.
FIGS. 12A and 12B illustrate another example of the sensing electrode (or driving electrode) formed on the second substrate and the shield electrode, the driving electrode (or sensing electrode), and the dummy electrode formed on the first substrate of the touch- Fig.
FIG. 13 is a plan view showing a state in which FIG. 12A and FIG. 12B are joined together. FIG.

이하, 본 발명에 따른 바람직한 실시예를 도면을 참조하여 설명한다.Hereinafter, preferred embodiments according to the present invention will be described with reference to the drawings.

도 5는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 터치인식 액정표시장치의 간략한 단면도이며, 도 6은 본 발명의 실시예에 이용되는 액정표장치의 액정패널의 하나의 화소영역에 대한 단면도이다.FIG. 5 is a simplified cross-sectional view of a touch-sensitive liquid crystal display device according to a first embodiment of the present invention, and FIG. 6 is a cross-sectional view of one liquid crystal panel of a liquid crystal display device used in an embodiment of the present invention.

우선, 도 5를 참조하면, 도시한 바와같이, 본 발명의 제 1 실시예에 따른 터치인식 액정표시장치는 제 1 기판(101)과 액정층과 제 2 기판(171)으로 구성된 액정패널(180)과, 상기 액정패널(180)의 외측면 더욱 정확히는 상기 제 2 기판(171)의 외측면에 이격하며 형성되며 투명 도전성 물질로 이루어진 센싱전극(188) 및 드라이빙 전극(185)과, 상기 센싱전극(188)과 드라이빙 전극(185)의 보호를 위한 이들 두 전극(185, 188)을 덮으며 절연층(190)을 개재하여 부착된 제 3 기판(197)으로 구성되고 있으며, 가장 특징적인 구성으로서 상기 센싱전극(188) 또는 드라이빙 전극(185) 중 어느 하나의 전극의 하부에 위치하여 이와 중첩하며 쉘드전극(193)이 형성되고 있는 것이다. 5, the touch-sensing liquid crystal display according to the first embodiment of the present invention includes a first substrate 101, a liquid crystal panel 180 composed of a liquid crystal layer and a second substrate 171 A sensing electrode 188 and a driving electrode 185 formed on the outer surface of the liquid crystal panel 180 and more precisely on the outer surface of the second substrate 171 and made of a transparent conductive material, And a third substrate 197 covering the two electrodes 185 and 188 for protecting the driving electrode 188 and the driving electrode 185 with an insulating layer 190 interposed therebetween. The shield electrode 193 is formed on the lower part of one of the sensing electrode 188 and the driving electrode 185 and overlaps the shield electrode 193.

이때, 상기 쉘드전극(193)에는 이와 중첩하는 상기 센싱전극(188) 또는 드라이빙 전극(185)에 인가되는 동일한 전압이 인가되는 것이 특징이다.At this time, the same voltage applied to the sensing electrode 188 or the driving electrode 185 overlapping the shield electrode 193 is applied to the shield electrode 193.

터치센서를 이루는 드라이빙 전극(185)과 센싱전극(188)이 각각 도 5에 도시한 바와같이 형성되었을 때, 제 2 기판(171)의 외측면에 형성된 드라이빙 전극(185) 또는 센싱전극(188) 전극의 하측에 쉘드전극(193)을 형성하고, 상기 쉘드전극(193)에 이와 중첩하는 전극(제 1 실시예에 있어서는 센싱전극(188))과 동일한 전위를 가지도록 동일한 전압을 인가하면, 드라이빙 전극(185)과 센싱전극(188)간에 발생하는 프린지 커패시터 중 액정패널(180)쪽으로 발생되는 프린지 커패시터는 새롭게 구비된 상기 쉘드전극(193)에 의해 도시한 바와같이 쉘드전극(193)과 관계하여 C1, C2와 같이 형성된다. 5, when the driving electrode 185 or the sensing electrode 188 formed on the outer surface of the second substrate 171 is formed as the driving electrode 185 and the sensing electrode 188, When the shelter electrode 193 is formed on the lower side of the electrode and the same voltage is applied to the shelter electrode 193 so as to have the same potential as the electrode overlapping the shelter electrode 193 (the sensing electrode 188 in the first embodiment) The fringing capacitor generated between the electrode 185 and the sensing electrode 188 toward the liquid crystal panel 180 is connected to the shelved electrode 193 as shown by the newly provided shelved electrode 193 C1, and C2.

이때, 동일한 전위 형성으로 인해 C2의 값은 0에 수렴하게 되고, 센싱전극(188)과 드라이빙 전극(185)에 의해 발생되는 프린지 커패시터의 캐패시터의 총량이 상대적으로 작게 형성된다. 따라서, 이에 의해 결과적으로 C0의 터치 전/후의 상대적인 정전용량 변화량은 증가함으로써 터치 감도가 향상되는 것이다. At this time, the value of C2 converges to 0 due to the same potential formation, and the total amount of capacitors of the fringe capacitors generated by the sensing electrode 188 and the driving electrode 185 is formed to be relatively small. Thus, as a result, the relative capacitance change amount before and after the touch of C0 increases, thereby improving the touch sensitivity.

조금 더 상세히 설명하면, 커패시터 타입 터치센서의 감도는 기준이 되는 커패시터의 용량 대비 터치에 의해 변화되는 정전용량의 변화량의 크기로 정의되며, 기준이 되는 커패시터 용량이 작을수록 또는 터치 시 정전용량의 변화량이 클수록 터치센서의 감도는 향상될 수 있다.More specifically, the sensitivity of the capacitor type touch sensor is defined as the magnitude of the change amount of the capacitance which is changed by the touch with respect to the capacitance of the reference capacitor. The smaller the capacitance of the reference capacitor or the change in capacitance The sensitivity of the touch sensor can be improved.

본 발명에 따른 터치인식 액정표시장치는 센싱전극(188)과 드라이빙 전극(185)에 의해 형성되는 프린지 커패시터 중 액정패널(180) 측으로 형성되는 부분은 쉘드전극(193)에 의해 터치인식 액정표시장치 전역에 형성되는 변화되지 않는 고정 커패시터화 됨으로써 실질적으로 센싱전극(188)과 드라이빙 전극(185)에 의해 형성되며 가변될 수 있는 프린지 커패시터는 상기 센싱전극(188)과 드라이빙 전극(185) 상부측으로 발생되는 부분만이 됨을 알 수 있다. 따라서, 센싱 감도의 정의에 의해 기준이 되는 커패시터의 크기는 종래대비 1/2로 줄게되며, 터치에 의해 변동될 수 있는 용량변화의 크기는 종래의 동일하게 되므로 종래대비 약 2배 정도 센싱감도가 향상될 수 있다.A part of the fringe capacitor formed by the sensing electrode 188 and the driving electrode 185 formed on the liquid crystal panel 180 side is electrically connected to the touch recognition liquid crystal display device 191 by the shield electrode 193, A fringe capacitor formed by the sensing electrode 188 and the driving electrode 185 and capable of being changed is formed on the upper side of the sensing electrode 188 and the driving electrode 185 It can be seen that only the part where Therefore, the size of the capacitor as a reference is reduced to 1/2 as compared with the conventional one by definition of the sensing sensitivity, and the capacitance change which can be varied by the touch becomes equal to the conventional one, .

터치인식 액정표시장치에 있어서 터치 시 변동되는 프린지 커패시터 이외의 도전성 구성요소가 중첩함으로써 형성되는 총 커패시터를 고정 커패시터라 할 때, 상기 고정 커패시터의 용량은 수 nF 정도의 크기를 가지며 센싱전극(188)과 드라이빙 전극(185)에 의해 발생되는 프린지 커패시터의 용량은 수 pF 정도의 크기를 갖는다. The capacitance of the fixed capacitor is about several nF, and the capacitance of the sensing electrode 188 is about 1 nF, when the total capacitor formed by overlapping the conductive components other than the fringe capacitors, And the capacitance of the fringing capacitor generated by the driving electrode 185 are about several pF.

따라서, 쉘드전극(193)이 추가적으로 형성됨으로써 발생되는 추가적인 커패시터는 이미 터치인식 액정표시장치에 구비된 구성요소에 의한 고정 커패시터의 용량과 비교할 때 매우 작은 용량이 되므로 문제되지 않는다. 이때, 상기 쉘드전극(193)의 추가에 의해 센싱전극(188)과 드라이빙 전극(185)에 의해 액정패널(180) 측으로 발생되는 프린지 커패시터는 상기 쉘드전극(193)과 연계되어 상기 고정 커패시터로 인식되므로 터치를 인식하는 센싱에 관여하게 되는 센싱전극(188)과 드라이빙 전극(185)에 의한 프린지 커패시터의 센싱 측정의 기준이 되는 용량은 1/2이 되며, 터치에 의한 프린지 커패시터의 용량 변동량은 변화가 없으므로 센싱 감도는 종래대비 2배정도 증가하게 되는 것이다. Therefore, the additional capacitor generated by additionally forming the shelved electrode 193 is not a problem since it is a very small capacitance as compared with the capacitance of the fixed capacitor by the constituent elements already provided in the touch-sensitive liquid crystal display device. The fringe capacitor generated by the sensing electrode 188 and the driving electrode 185 toward the liquid crystal panel 180 by the addition of the shelved electrode 193 is connected to the shelved electrode 193, The capacity of the sensing electrode 188 and the driving electrode 185, which is involved in the sensing of the sensing of the touch, becomes 1/2 as a reference for the sensing measurement of the fringe capacitor, and the capacitance variation of the fringing capacitor due to touch changes The sensing sensitivity is increased by twice as much as the conventional one.

이후에는 조금 더 상세히 본 발명의 제 1 실시예에 따른 터치인식 액정표시장치의 구성에 대해 상세히 설명한다. Hereinafter, the configuration of the touch-sensitive liquid crystal display device according to the first embodiment of the present invention will be described in detail in more detail.

본 발명의 실시예에 따른 터치인식 액정표시장치용 액정패널(180)은 제 1 기판(101)과 액정층(190)과 컬러필터 기판(171)으로 이루어지고 있다. 이때, 도면에 나타내지 않았지만, 상기 액정패널(180)의 외측면에는 각각 서로 편광축이 수직하게 배치된 제 1 및 제 2 편광판(미도시)이 구비되고 있으며, 상기 제 1 기판(101)에 구비된 제 1 편광판(미도시)의 외측면에는 백라이트 유닛(미도시)이 구비되고 있다. A liquid crystal panel 180 for a touch-sensitive liquid crystal display according to an embodiment of the present invention includes a first substrate 101, a liquid crystal layer 190, and a color filter substrate 171. Although not shown in the figure, first and second polarizers (not shown) having polarization axes perpendicular to each other are provided on the outer surface of the liquid crystal panel 180, and the first and second polarizers A backlight unit (not shown) is provided on the outer surface of the first polarizer plate (not shown).

상기 제 1 기판(101) 상의 상기 각 화소영역(P)에는 순수 폴리실리콘으로 이루어지며 그 중앙부는 채널을 이루는 제 1 반도체 영역(113a) 그리고 상기 제 1 반도체 영역(113a) 양측면으로 고농도의 불순물이 도핑된 제 2 반도체 영역(113b)으로 구성된 반도체층(113)이 형성되어 있다. The pixel region P on the first substrate 101 is made of pure polysilicon and the central portion thereof has a first semiconductor region 113a forming a channel and a high impurity concentration on both sides of the first semiconductor region 113a A semiconductor layer 113 composed of a doped second semiconductor region 113b is formed.

또한, 상기 반도체층(113)을 덮으며 전면에 게이트 절연막(116)이 형성되어 있으며, 상기 게이트 절연막(116) 위로는 상기 반도체층(113)의 제 1 반도체 영역(113a)에 대응하여 게이트 전극(120)이 형성되어 있다. A gate insulating layer 116 is formed on the entire surface of the semiconductor layer 113 and a gate insulating layer 116 is formed on the gate insulating layer 116 to correspond to the first semiconductor region 113a of the semiconductor layer 113, (Not shown).

또한, 상기 게이트 절연막(116) 위로는 상기 게이트 전극(120)과 연결되며 일방향으로 연장하며 게이트 배선(미도시)이 형성되어 있으며, 상기 게이트 전극(120)과 게이트 배선(미도시) 위로 전면에 무기절연물질 예를들면 산화실리콘(SiO2) 또는 질화실리콘(SiNx)으로 이루어진 층간절연막(123)이 형성되어 있다. 이때, 상기 층간절연막(123)과 그 하부에 위치하는 상기 게이트 절연막(116)에는 상기 제 1 반도체영역(113a) 양측에 각각 위치한 상기 제 2 반도체영역(113b) 각각을 노출시키는 반도체층 콘택홀(125)이 구비되고 있다. The gate electrode 120 is connected to the gate electrode 120 and extends in one direction and a gate wiring (not shown) is formed on the gate insulating film 116. The gate electrode 120 and the gate wiring An interlayer insulating film 123 made of an inorganic insulating material such as silicon oxide (SiO 2 ) or silicon nitride (SiN x) is formed. At this time, the semiconductor layer contact holes (not shown) are formed in the interlayer insulating layer 123 and the gate insulating layer 116 located below the interlayer insulating layer 123 to expose each of the second semiconductor regions 113b located on both sides of the first semiconductor region 113a 125 are provided.

다음, 상기 반도체층 콘택홀(125)을 구비한 상기 층간절연막(123) 상부에는 상기 게이트 배선(미도시)과 교차하여 화소영역(P)을 정의하는 데이터 배선(130)이 형성되고 있다. Next, a data line 130 is formed on the interlayer insulating layer 123 having the semiconductor layer contact hole 125 to define a pixel region P intersecting the gate line (not shown).

또한, 상기 층간절연막(123) 위로 소자영역(TrA)에는 상기 반도체층 콘택홀(125)을 통해 노출된 상기 제 2 반도체영역(113b)과 각각 접촉하며 서로 이격하는 소스 및 드레인 전극(133, 136)이 형성되어 있다. 이때, 상기 소자영역(TrA)에 순차 적층된 상기 반도체층(113)과 게이트 절연막(116)과 게이트 전극(120)과 층간절연막(123)과 소스 및 드레인 전극(133, 136)은 스위칭 소자인 박막트랜지스터(Tr)를 이룬다. 이때, 상기 박막트랜지스터(Tr)는 상기 게이트 배선(미도시) 및 데이터 배선(130)과 전기적으로 연결되며 형성되어 있다. The source and drain electrodes 133 and 136, which are in contact with the second semiconductor region 113b exposed through the semiconductor layer contact hole 125 and are spaced apart from each other, are formed in the device region TrA above the interlayer insulating film 123, Is formed. The semiconductor layer 113, the gate insulating film 116, the gate electrode 120, the interlayer insulating film 123, and the source and drain electrodes 133 and 136, which are sequentially stacked in the device region TrA, Thereby forming a thin film transistor Tr. At this time, the thin film transistor Tr is electrically connected to the gate wiring (not shown) and the data wiring 130.

한편, 본 발명의 제 1 실시예에 있어서는 일례로 폴리실리콘의 반도체층(113)이 구비되어 그 상부에 게이트 전극(120)이 위치한 탑 게이트 타입의 박막트랜지스터(Tr)가 형성되고 있는 것을 보이고 있지만, 이러한 구조를 갖는 박막트랜지스터(Tr)를 대신하여 비정질 실리콘의 액티브층과 이의 상부에서 불순물 비정질 실리콘으로 이루어지며 서로 이격하는 형태의 오믹콘택층으로 이루어진 반도체층을 구비하며 상기 반도체층 하부에 게이트 전극이 위치한 보텀 게이트 타입의 박막트랜지스터가 형성될 수도 있으며, 이들 이외에 다양한 형태로 변형된 박막트랜지스터가 구비될 수도 있음은 자명하다. On the other hand, in the first embodiment of the present invention, for example, a top gate type thin film transistor Tr having a polysilicon semiconductor layer 113 and a gate electrode 120 formed thereon is formed And a semiconductor layer composed of an active layer of amorphous silicon and an ohmic contact layer of impurity amorphous silicon on top of the active layer instead of the thin film transistor Tr having such a structure, A bottom gate type thin film transistor may be formed. In addition, various types of thin film transistors may be provided.

다음, 상기 데이터 배선(130)과 소스 및 드레인 전극(133, 136)과 상기 제 1 연결패턴(138) 상부에는 무기절연물질 예를들면 산화실리콘(SiO2) 또는 질화실리콘(SiNx)로서 제 1 보호층(140)이 형성되고 있다. 이때, 상기 제 1 보호층(140)은 그 상부에 형성된 유기절연물질로 이루어진 제 2 보호층(145)과 상기 금속물질로 이루어진 상기 데이터 배선(130)과 소스 및 드레인 전극(133, 136) 간의 접합특성을 향상시키기 위함이다. As next, the data line 130 and the source and drain electrodes (133, 136) to the first connection patterns (138) the upper portion of silicon, for the inorganic insulating material, for example oxide (SiO 2) or silicon nitride (SiNx) first A protective layer 140 is formed. The first passivation layer 140 may include a second passivation layer 145 formed of an organic insulating material formed on the first passivation layer 140 and a second passivation layer 145 formed between the data wiring 130 and the source and drain electrodes 133 and 136 So as to improve the bonding property.

금속물질과 유기절연물질간의 접합력은 금속물질과 무기절연물질간 및 무기절연물질과 유기절연물질간의 접합력보다 상대적으로 약하므로 이를 개선시키기 위해 무기절연물질로 이루어진 상기 제 1 보호층(140)을 형성하는 것이다. 이러한 접합력 향상의 역할을 하는 상기 제 1 보호층(140)은 생략될 수도 있다.Since the bonding force between the metal material and the organic insulating material is relatively weaker than the bonding force between the metallic material and the inorganic insulating material and between the inorganic insulating material and the organic insulating material, the first protective layer 140 made of an inorganic insulating material is formed . The first passivation layer 140, which serves to improve the bonding strength, may be omitted.

다음, 상기 제 1 보호층(140) 위로는 유기절연물질 예를들면 포토아크릴(photo acryl) 또는 벤조사이클로부텐(BCB)으로서 이루어진 제 2 보호층(145)이 형성되고 있다. 이때, 상기 제 2 보호층(145)은 하부에 위치하는 구성요소간의 단차 등이 극복될 수 있도록 2㎛ 내지 4㎛ 정도의 두꺼운 두께를 가져 평탄한 표면 상태를 이루는 것이 특징이다. 이때, 상기 제 1 및 제 2 보호층(140, 145)에는 상기 드레인 전극(136)을 노출시키는 드레인 콘택홀(147)이 구비되고 있다.A second passivation layer 145 is formed on the first passivation layer 140 as an organic insulating material such as photo acryl or benzocyclobutene (BCB). At this time, the second passivation layer 145 has a thick thickness of about 2 탆 to about 4 탆 so as to overcome a step between the components located at the bottom, thereby forming a flat surface state. A drain contact hole 147 is formed in the first and second passivation layers 140 and 145 to expose the drain electrode 136.

상기 제 2 보호층(145) 위로는 투명 도전성 물질로서 각 화소영역(P)에는 투명 도전성 물질로 상기 드레인 콘택홀(147)을 통해 상기 드레인 전극(136)과 접촉하며 판 형태의 화소전극(150)이 형성되어 있다.A transparent conductive material is disposed on each of the pixel regions P as a transparent conductive material over the second passivation layer 145 and is in contact with the drain electrode 136 through the drain contact hole 147, Is formed.

다음, 상기 화소전극(150) 상부로 표시영역 전면에 무기절연물질 예를들면 산화실리콘(SiO2) 또는 질화실리콘(SiNx)으로서 제 3 보호층(155)이 형성되고 있다.Next, an inorganic insulating material such as silicon oxide (SiO 2 ) or silicon nitride (SiN x) is formed on the entire surface of the display region over the pixel electrode 150.

또한, 상기 제 3 보호층(155) 위로는 표시영역 전면에 투명 도전성 물질로서 공통전극(160)이 형성되어 있다. 이때, 상기 공통전극(160)에는 각 화소영역(P) 내에 구비된 상기 화소전극(150)에 대응하여 다수의 바(bar) 형태의 개구(op)가 구비됨으로서 구동전압 인가 시 상기 화소전극(150)과 더불어 프린지 필드를 발생시키게 된다.On the third passivation layer 155, a common electrode 160 is formed as a transparent conductive material over the entire display area. At this time, the common electrode 160 is provided with a plurality of bar-shaped openings op corresponding to the pixel electrodes 150 provided in each pixel region P, and when the driving voltage is applied, 150) to generate a fringe field.

한편, 본 발명의 제 1 실시예에 따른 액정패널(180)에 있어서는 공통전극(160)에 각 화소영역(P)별로 다수의 개구(op)를 형성하여 프린지 필드 형성에 의해 횡전계가 구현되는 것을 일례로 보이고 있지만, 변형예로서 공통전극과 화소전극은 상기 제 2 보호층(145) 상에 바(bar) 형태를 가지고 서로 교대하는 형태로 이루어질 수도 있다. 이러한 경우 상기 각 화소영역(P)을 관통하며 상기 게이트 배선(미도시)이 형성된 동일한 층에 공통배선(미도시)이 형성되며 상기 바(bar) 형태를 갖는 다수의 각 공통전극(미도시)은 상기 공통배선(미도시)과 상기 제 1 및 제 2 보호층(140, 145)에 구비된 공통 콘택홀(미도시)을 통해 접촉하도록 형성되는 것이 특징이다.Meanwhile, in the liquid crystal panel 180 according to the first embodiment of the present invention, a plurality of openings op are formed for each pixel region P in the common electrode 160, and a transverse electric field is implemented by fringe field formation The common electrode and the pixel electrode may have a bar shape on the second passivation layer 145 and alternate with each other. In this case, common wirings (not shown) are formed in the same layer through the pixel regions P and on which the gate wirings (not shown) are formed, and a plurality of common electrodes (not shown) (Not shown) and common contact holes (not shown) provided in the first and second passivation layers 140 and 145, respectively.

한편, 본 발명의 일 실시예에 따른 터치인식 액정표시장치용 액정패널(180)의 경우, 상기 각 화소영역(P)에 구비된 상기 화소전극(150)과 상기 공통전극(160)은 상기 제 3 보호층(155)을 개재하여 중첩하도록 형성되고 있으며, 중첩하는 상기 공통전극(160)과 제 3 보호층(155)과 화소전극(150)은 스토리지 커패시터를 이룬다.In the case of the liquid crystal panel 180 for a touch-sensitive liquid crystal display according to an embodiment of the present invention, the pixel electrode 150 and the common electrode 160 provided in each pixel region P 3 protective layer 155, and the common electrode 160, the third protective layer 155, and the pixel electrode 150 overlap each other to form a storage capacitor.

전술한 구성을 갖는 제 1 기판(101)과 마주하며, 제 2 기판(171)이 구비되고 있다.The second substrate 171 is provided so as to face the first substrate 101 having the above-described configuration.

상기 제 1 기판(101)과 마주하는 제 2 기판(171)의 내측면에는 각 화소영역(P)의 경계 및 상기 박막트랜지스터(Tr)에 대응하여 블랙매트릭스(173)가 구비되고 있으며, 상기 블랙매트릭스(173)와 중첩하며 상기 블랙매트릭스(173)에 의해 포획된 영역에는 각 화소영역(P)에 순차 대응하는 형태로 적, 녹, 청색 컬러필터 패턴(R, G, B)을 포함하는 컬러필터층(175)이 형성됨으로써 완성되고 있다. 이때, 상기 제 2 기판(171)에는 상기 컬러필터층(175)을 덮으며 오버코트층(미도시)이 더욱 형성될 수도 있다.A black matrix 173 is provided on the inner surface of the second substrate 171 facing the first substrate 101 so as to correspond to the boundary of each pixel region P and the thin film transistor Tr, Green, and blue color filter patterns (R, G, B) in the form of overlapping with the matrix 173 and corresponding to the pixel regions P sequentially in the regions captured by the black matrix 173, And the filter layer 175 is formed. At this time, an overcoat layer (not shown) may be further formed on the second substrate 171 so as to cover the color filter layer 175.

한편, 전술한 구성을 갖는 제 1 기판(101)과 제 2 기판(171) 사이에는 액정층(190)이 구비됨으로써 상기 두 기판(101, 171)과 액정층(190)은 액정패널(180)을 이룬다.A liquid crystal layer 190 is provided between the first substrate 101 and the second substrate 171 having the above-described structure so that the two substrates 101 and 171 and the liquid crystal layer 190 are separated from the liquid crystal panel 180. [ Respectively.

한편, 본 발명의 제 1 실시예에 따른 터치인식 액정표시장치는 전술한 구성을 갖는 액정패널(180)을 제조하는 단계에서 상기 제 1 기판(101)의 최상층에 구비된 공통전극 상부에 절연층을 개재하고 상기 절연층 상부에 쉘드전극(193)을 형성함으로써 쉘드전극(193)을 구비한 액정패널(180)을 완성한 후, 이러한 액정패널(180)의 제 2 기판(171)의 외측면에 전술한 드라이빙 전극(185)과 센싱전극(188)을 직접 형성하거나 또는 센싱전극(188)과 드라이빙 전극(185)이 형성된 필름을 부착하고 이의 상부에 상기 센싱전극(188) 및 드라이빙 전극(185)의 보호를 위한 상기 제 3 기판(197)을 합착함으로써 완성할 수 있다.Meanwhile, in the touch-sensitive liquid crystal display device according to the first embodiment of the present invention, in the step of manufacturing the liquid crystal panel 180 having the above-described configuration, the upper surface of the common electrode provided on the uppermost layer of the first substrate 101, And a shelf electrode 193 is formed on the insulating layer to complete the liquid crystal panel 180 having the shelved electrode 193 and then to the outer surface of the second substrate 171 of the liquid crystal panel 180 The driving electrode 185 and the sensing electrode 188 are directly formed or a film on which the sensing electrode 188 and the driving electrode 185 are formed is adhered to the sensing electrode 188 and the driving electrode 185, And the third substrate 197 for protection of the second substrate.

이때 ,상기 센싱전극(188)과 드라이빙 전극(185)은 제 2 기판(171)의 외측면에 구비된 제 2 편광판(미도시)의 외측면에 형성될 수도 있으며 또는 상기 제 2 기판(171)면에 직접 형성된 후 이의 외측면에 제 2 편광판(미도시)이 구비될 수도 있다.The sensing electrode 188 and the driving electrode 185 may be formed on the outer surface of a second polarizer (not shown) provided on the outer surface of the second substrate 171, And a second polarizer (not shown) may be provided on the outer surface of the first polarizer.

한편, 도면에 나타나지 않았지만, 상기 제 1 기판의 화상을 표시하는 표시영역 외측의 비표시영역에는 상기 드라이빙 전극 및 센싱전극과 연결되며 X방향센싱회로(미도시) 및 Y방향센싱회로가 구비되고 있다. Although not shown in the drawings, an X-direction sensing circuit (not shown) and a Y-direction sensing circuit are connected to the driving electrode and the sensing electrode in a non-display area outside the display area for displaying the image of the first substrate .

따라서, 상기 터치인식 액정표시장치의 표시영역에 사용자의 터치가 발생되어 프린지 커패시터의 용량 변화가 발생하면 이와 연결된 X방향 및 Y방향 센싱회로에 의해 터치가 발생된 부분의 위치가 자동적으로 인식되며 상기 터치인식 액정표시장치는 터치가 발생된 부분에 대응하는 동작을 실시하게 된다.Therefore, when a touch of the user is generated in the display area of the touch-sensitive liquid crystal display device and a capacitance change of the fringe capacitor occurs, the position of the portion where the touch is generated is automatically recognized by the X- and Y- The touch-sensitive liquid crystal display device performs an operation corresponding to a portion where a touch is generated.

한편, 도 7은 본 발명의 제 2 실시예에 따른 터치인식 액정표시장치의 간략한 단면도이다.7 is a schematic cross-sectional view of a touch-sensitive liquid crystal display device according to a second embodiment of the present invention.

본 발명의 제 2 실시예에 따른 터치인식 액정표시장치는 액정패널(180) 내의 제 1 기판(101) 상에 서로 이격하며 드라이빙 전극(185)과 쉘드전극(193)이 구비되고 있으며, 상기 액정패널(180)의 제 2 기판(171)의 외측면에 상기 쉘드전극(193)에 대응하여 센싱전극(188)이 형성되고 있는 것이 특징이다. 이때, 상기 드라이빙 전극(185)과 상기 센싱전극(188)은 서로 바뀌어 형성될 수도 있다. 즉, 제 1 기판(101) 상에 쉘드전극(193)과 이격하며 센싱전극(188)이 형성되고 상기 제 2 기판(171)의 외측면에 드라이빙 전극(185)이 형성될 수도 있다.The touch recognition liquid crystal display device according to the second embodiment of the present invention is provided with the driving electrode 185 and the shield electrode 193 on the first substrate 101 in the liquid crystal panel 180, And a sensing electrode 188 is formed on the outer surface of the second substrate 171 of the panel 180 in correspondence with the shelved electrode 193. At this time, the driving electrode 185 and the sensing electrode 188 may be interchanged. That is, the sensing electrode 188 may be formed on the first substrate 101, spaced apart from the shelved electrode 193, and the driving electrode 185 may be formed on the outer surface of the second substrate 171.

그 외의 구성요소는 전술한 제 1 실시예와 동일하므로 그 설명은 생략한다.The other constituent elements are the same as those of the first embodiment described above, and a description thereof will be omitted.

전술한 구성을 갖는 제 2 실시예에 따른 터치인식 액정표시장치 또한 드라이빙 전극(185)과 센싱전극(188) 간에 형성되는 프린지 커패시터(C0)는 사용자가 바라보는 측으로 발생되는 것은 사용자의 터치에 의해 가변될 수 있으며, 액정패널(180) 측으로 발생하는 프린지 커패시터는 실질적으로 새롭게 구비된 상기 쉘드전극(193)에 의해 도시한 바와같이 쉘드전극(193)과 관계하여 C1,C2와 같이 형성되며, 이때, 서로 중첩하는 센싱전극(188)과 쉘드전극(193)에 동일한 전위 형성으로 인해 C2의 값은 0에 수렴하게 되고, 센싱전극(188)과 드라이빙 전극(185)에 의해 발생되며 터치에 의해 변동될 수 있는 프린지 커패시터의 총량이 종래의 센싱전극(188)과 드라이빙 전극(185)만 형성된 터치인식 액정표시장치 대비 상대적으로 작게됨으로써 ‘터시 치 변화되는 커패시터 용량 변화량 /프린지 커패시터의 용량’으로 정의되는 터치 센싱 감도를 향상시킬 수 있다. The finging capacitor C0 formed between the driving electrode 185 and the sensing electrode 188 is generated on the side of the user's eyes by the touch of the user And the fringe capacitors generated on the liquid crystal panel 180 side are formed as C1 and C2 with respect to the shelved electrodes 193 as shown by the shield electrode 193 provided substantially newly, The value of C2 converges to 0 due to the same potential formation in the sensing electrode 188 and the shield electrode 193 overlapping with each other and is generated by the sensing electrode 188 and the driving electrode 185, The total amount of the fringe capacitors is relatively small as compared with the conventional touch sensing liquid crystal display device formed only of the sensing electrode 188 and the driving electrode 185, It is possible to improve the touch sensing sensitivity is defined as a change amount / volume of the fringe capacitor.

도 8과 도 9는 각각 본 발명의 제 2 실시예의 제 1 및 제 2 변형예에 따른 터치인식 액정표시장치의 간략한 단면도이다. 플로팅 타입으로 더미패턴이 형성되고 있다는 것 이외에는 전술한 제 2 실시예에 따른 터치인식 액정표시장치와 동일하므로 차별점이 있는 부분을 위주로 설명한다.Figs. 8 and 9 are simplified sectional views of the touch-sensitive liquid crystal display device according to the first and second modified examples of the second embodiment of the present invention, respectively. Except that a dummy pattern is formed in a floating type, a description will be given mainly of a portion having a difference, since it is the same as the touch-sensing liquid crystal display according to the second embodiment.

제 2 실시예의 제 1 변형예의 경우, 제 1 기판(101)에는 드라이빙 전극(185)과 쉘드전극(193)이 이격하며 형성되어 있으며, 제 2 기판(171)의 외측면에 상기 쉘드전극(193)에 대응하여 이와 중첩하며 센싱전극(188)이 형성되어 있으며 상기 센싱전극(188)과 이격하며 상기 드라이빙 전극(185)에 대응하여 이와 중첩하며 더미패턴(195)이 형성되어 있는 것이 특징이다.The driving electrode 185 and the shield electrode 193 are spaced apart from each other on the first substrate 101 and the shield electrode 193 is formed on the outer surface of the second substrate 171. In the first modification of the second embodiment, A dummy pattern 195 is formed so as to overlap with the sensing electrode 188 and to correspond to the sensing electrode 188. The sensing electrode 188 is formed on the sensing electrode 188,

또한, 제 2 실시예의 제 2 변형예의 경우, 제 1 기판(101)에는 센싱전극(188)과 쉘드전극(193)이 이격하며 형성되어 있으며, 제 2 기판(171)의 외측면에 상기 쉘드전극(193)에 대응하여 이와 중첩하며 드라이빙 전극(185)이 형성되어 있으며, 상기 드라이빙 전극(185)과 이격하며 상기 센싱전극(188)에 대응하여 이와 중첩하며 더미패턴(195)이 형성되어 있는 것이 특징이다.In addition, in the second modification of the second embodiment, the sensing electrode 188 and the shield electrode 193 are spaced apart from each other on the first substrate 101, and the shelf electrode 193 is formed on the outer surface of the second substrate 171, The driving electrode 185 is formed in correspondence to the sensing electrode 193 and the dummy pattern 195 is formed so as to overlap with the sensing electrode 188 while being spaced apart from the driving electrode 185 Feature.

이때, 제 1 및 제 2 변형예에 있어서, 상기 더미패턴(195)은 아일랜드 형태로 형성되며 실질적으로 전압 등이 인가되지 않는 것으로, 이를 형성하지 않을 시는 제 1 실시예와 같이, 이는 한쪽 터치전극 즉, 센싱전극(188)(또는 드라이빙 전극(185))에 대응해서는 쉘드전극(193)으로 인해 실질적으로 서로 마주하는 형태로 투명 도전성 물질로 이루어진 패턴이 쌍으로 형성되는 반면, 다른 하나의 터치전극인 드라이빙 전극(185)(또는 센싱전극(188))에 대해서는 상기 드라이빙 전극(185) 자체만이 형성되어 실질적으로 투명 도전성 패턴이 하나만이 형성됨에 따라 투과율 차이에 의한 화상 품질 차이가 발생될 여지가 있기에 이를 보상하기 위해 상기 더미패턴(195)을 형성한 것이다.In this case, in the first and second modified examples, the dummy pattern 195 is formed in an island shape and substantially no voltage or the like is applied. When the dummy pattern 195 is not formed, as in the first embodiment, A pattern made of a transparent conductive material is formed in pairs in the form of substantially facing each other due to the shield electrode 193 corresponding to the electrode, that is, the sensing electrode 188 (or the driving electrode 185) Only the driving electrode 185 itself is formed for the driving electrode 185 (or the sensing electrode 188), which is an electrode, and only one transparent conductive pattern is substantially formed, so that a difference in image quality due to a difference in transmittance The dummy pattern 195 is formed to compensate for the dummy pattern.

한편, 본 발명의 제 1 실시예와 제 2 실시예에 그 변형예에 있어서, 제 1 기판(101) 상부에 쉘드전극(193), 드라이빙 전극(185)과 쉘드전극(193), 센싱전극(188)과 쉘드전극(193)이 형성된 것을 보이고 있지만, 상기 제 1 기판(101)에 형성된 전술한 쉘드전극(193), 드라이빙 전극(185)과 쉘드전극(193), 센싱전극(188)과 쉘드전극(193)은 상기 제 2 기판(171)의 내측면에 형성될 수도 있다.A shield electrode 193, a driving electrode 185 and a shelved electrode 193, and a sensing electrode (not shown) are formed on the first substrate 101. In the first and second embodiments of the present invention, The driving electrode 185 and the shield electrode 193, the sensing electrode 188, and the shield electrode 193, which are formed on the first substrate 101, The electrode 193 may be formed on the inner surface of the second substrate 171.

도 10a와 10b는 각각 본 발명에 따른 터치인식 액정표시장치의 제 1 기판에 형성된 쉘드전극과 드라이빙 전극(또는 센싱전극)과 제 2 기판에 형성된 센싱전극(또는 드라이빙 전극)과 더미패턴의 일례로서의 평면구조를 나타낸 도면이며, 도 11은 도 10a와 도 10b를 합착한 상태를 도시한 평면도이며, 도 12a와 12b는 본 발명에 따른 터치인식 액정표시장치의 제 1 기판에 형성된 쉘드전극과 드라이빙 전극(또는 센싱전극)과 제 2 기판에 형성된 센싱전극(또는 드라이빙 전극)과 더미패턴의 또 다른 일례로서의 평면구조를 나타낸 도면이며, 도 13은 도 11a와 도 11b를 합착한 상태를 도시한 평면도이다.10A and 10B are diagrams illustrating a touch sensing liquid crystal display according to an exemplary embodiment of the present invention, in which a shield electrode formed on a first substrate, a driving electrode (or sensing electrode), a sensing electrode (or driving electrode) formed on the second substrate, 12A and 12B are views showing a shield electrode formed on a first substrate of a touch-sensing liquid crystal display device according to an embodiment of the present invention and a driving electrode (Or sensing electrode) formed on the second substrate, a sensing electrode (or driving electrode) formed on the second substrate, and a dummy pattern, and FIG. 13 is a plan view showing a state in which FIG. 11A and FIG. .

우선, 도 10a와 도 10b 및 도 11을 참조하면, 제 1 기판(101)에는 도시한 바와같이 제 1 폭을 갖는 사각형 형태의 패턴(185a)과 상기 제 1 폭을 갖는 사각형 형태의 패턴(185a) 사이에 상기 제 1 폭보다 얇은 제 2 폭을 갖는 연결패턴(185b)으로 구성된 형태를 갖는 다수의 드라이빙 전극(185)이 일방향으로 연장하며 다수 형성되고 있으며, 상기 각 드라이빙 전극(185) 사이에 쉘드전극(193)이 상기 드라이빙 전극(185)과 이격하며 형성되고 있다.Referring to FIGS. 10A, 10B, and 11, a rectangular pattern 185a having a first width and a rectangular pattern 185a having a first width are formed on the first substrate 101, A plurality of driving electrodes 185 having a shape of a connection pattern 185b having a second width that is thinner than the first width are formed between the driving electrodes 185 in a one- And a shield electrode 193 is formed spaced apart from the driving electrode 185.

또한, 제 2 기판(171)에는 상기 제 1 기판(101)에 구비된 상기 다수의 드라이빙 전극(185) 중 제 2 폭을 갖는 연결패턴(185b)에 대응하여 상기 드라이빙 전극(185)의 연장방향과 수직한 방향으로 연장하며 제 3 폭을 갖는 직선형태의 센싱전극(188)이 형성되어 있으며, 또한 상기 제 1 기판(101)에 구비된 제 1 폭의 사각형 형태를 갖는 드라이빙 전극(185) 부분에 대응하여 사각형 형태로서 이격하며 다수의 더미패턴(195)이 형성되어 있다.The second substrate 171 is provided with a connection pattern 185b having a second width among the plurality of driving electrodes 185 provided on the first substrate 101. The extending direction of the driving electrode 185 And a sensing electrode 188 extending in a direction perpendicular to the sensing electrode 188 and having a third width is formed on the first substrate 101. A driving electrode 185 having a rectangular shape of a first width, And a plurality of dummy patterns 195 are formed.

도 12a와 도 12b 및 도 13을 참조하면, 제 1 기판(101)에는 도시한 바와같이 다수의 다이아몬드 형태 패턴이 일측 끝단이 서로 연결되며 제 1 방향으로 연장하며 다수의 드라이빙 전극(185)이 형성되어 있으며, 상기 드라이빙 전극(185) 사이로 다이아몬드 형태의 패턴이 연결되며 쉘드전극(193)이 형성되고 있다. Referring to FIGS. 12A, 12B, and 13, a plurality of diamond patterns are connected to one end of the first substrate 101 and extend in a first direction to form a plurality of driving electrodes 185 And a diamond-shaped pattern is connected between the driving electrodes 185 and a shield electrode 193 is formed.

또한, 제 2 기판(171)에는 상기 제 1 기판(101)에 구비된 상기 다수의 드라이빙 전극(185)의 연장하는 방향과 수직한 방향으로 다이아몬드 형태의 패턴이 그 일끝단이 연결되며 연장하며 센싱전극(188)이 형성되어 있으며, 상기 센싱전극(188) 사이로 플로팅된 다이아몬드 형태로서 다수의 더미패턴(195)이 형성되어 있다. In addition, a diamond pattern is connected to the second substrate 171 in a direction perpendicular to the extending direction of the driving electrodes 185 provided on the first substrate 101, And a plurality of dummy patterns 195 are formed in the shape of a diamond floated between the sensing electrodes 188.

한편, 각 도면에서는 제 1 기판(101)에 드라이빙 전극(185)이 형성되고 제 2 기판(171)에 센싱전극(188)이 형성된 것을 일례로 보이고 있지만, 상기 센싱전극(188)과 드라이빙 전극(185)은 서로 그 위치를 바꾸어 형성될 수 있음은 자명하며, 상기 더미패턴(195)은 생략될 수도 있다.
In the drawings, the driving electrode 185 is formed on the first substrate 101 and the sensing electrode 188 is formed on the second substrate 171. However, the sensing electrode 188 and the driving electrode 185 may be formed by changing their positions with each other, and the dummy pattern 195 may be omitted.

101 : 제 1 기판 171 : 제 2 기판
180 : 액정패널 182 : 액정층
185 : 드라이빙 전극 188 : 센싱전극
190 : 절연층 193 : 쉘드전극
197 : 제 3 기판 C0 : 프린지 커패시터(가변 커패시터)
C1, C2 : 고정 커패시터 101: first substrate 171: second substrate
180: liquid crystal panel 182: liquid crystal layer
185: driving electrode 188: sensing electrode
190: insulating layer 193: shield electrode
197: third substrate C0: fringe capacitor (variable capacitor)
C1, C2: Fixed capacitors

Claims (13)

제 1 기판과 이와 마주하는 제 2 기판 사이에 액정층이 구비되며, 공통전극과 화소전극이 모두 상기 제 1 기판의 내측면에 구비되며, 컬러필터층은 상기 제 2 기판의 내측면에 구비된 액정패널과;
상기 액정패널의 내측면 또는 외측면에 구비되며 서로 이격하는 센싱전극 및 드라이빙 전극과;
상기 센싱전극과 드라이빙 전극 중 어느 한 전극과 중첩하며 그 하부에 위치하며 상기 액정패널 내부에 형성된 쉘드전극
을 포함하며, 상기 센싱전극과 드라이빙 전극에 의해 형성되는 프린지 커패시터의 변동에 의해 터치 센싱이 동작하고,
상기 쉘드전극과 이와 중첩하는 상기 센싱전극과 드라이빙 전극 중 어느 한 전극에는 동일한 전압이 인가되는 것을 특징으로 하는 터치인식 액정표시장치.
A liquid crystal layer is provided between the first substrate and a second substrate facing the first substrate, and both the common electrode and the pixel electrode are provided on the inner surface of the first substrate, and the color filter layer is formed on the inner surface of the second substrate, A panel;
A sensing electrode and a driving electrode provided on an inner surface or an outer surface of the liquid crystal panel and spaced apart from each other;
A shield electrode formed on the lower surface of the sensing electrode and the driving electrode,
Wherein the touch sensing operation is performed due to a variation of the fringe capacitor formed by the sensing electrode and the driving electrode,
Wherein the same voltage is applied to one of the shield electrode and the sensing electrode and the driving electrode overlapping the shield electrode.
제 1 항에 있어서,
상기 드라이빙 전극과 상기 센싱전극은 투명 도전성 물질로 이루어지며 서로 동일한 층에 형성되는 것이 특징인 터치인식 액정표시장치.
The method according to claim 1,
Wherein the driving electrode and the sensing electrode are made of a transparent conductive material and are formed on the same layer.
제 2 항에 있어서,
상기 드라이빙 전극과 센싱전극은 상기 제 2 기판의 외측면에 형성되는 것이 특징인 터치인식 액정표시장치.
3. The method of claim 2,
Wherein the driving electrode and the sensing electrode are formed on an outer surface of the second substrate.
제 3 항에 있어서,
상기 쉘드전극은 상기 제 2 기판의 내측면 또는 상기 제 1 기판의 내측면에 형성된 것이 특징인 터치인식 액정표시장치.
The method of claim 3,
Wherein the shield electrode is formed on the inner surface of the second substrate or the inner surface of the first substrate.
제 3 항에 있어서,
상기 제 2 기판의 외측면에 대응하여 상기 센싱전극과 드라이빙 전극을 덮으며 절연층을 개재하여 제 3 기판이 구비된 것이 특징인 터치인식 액정표시장치.
The method of claim 3,
Wherein the third substrate is provided with an insulating layer covering the sensing electrode and the driving electrode corresponding to the outer surface of the second substrate.
제 1 항에 있어서,
상기 드라이빙 전극과 상기 센싱전극은 투명 도전성 물질로 이루어지며 서로 다른층에 형성되는 것이 특징인 터치인식 액정표시장치.
The method according to claim 1,
Wherein the driving electrode and the sensing electrode are made of a transparent conductive material and are formed on different layers.
제 6 항에 있어서,
상기 센싱전극은 제 2 기판의 외측면에 형성되며,
상기 드라이빙 전극은 상기 제 2 기판의 내측면 또는 상기 제 1 기판의 내측면에 형성되며,
상기 쉘드전극은 상기 센싱전극과 중첩하며 상기 드라이빙 전극이 형성된 동일한 층에 동일한 물질로 상기 드라이빙 전극과 이격하며 형성된 것이 특징인 터치인식 액정표시장치.
The method according to claim 6,
The sensing electrode is formed on an outer surface of the second substrate,
Wherein the driving electrode is formed on an inner surface of the second substrate or an inner surface of the first substrate,
Wherein the shield electrode overlaps with the sensing electrode and is formed on the same layer on which the driving electrode is formed, the sensing electrode being spaced apart from the driving electrode by the same material.
제 7 항에 있어서,
상기 드라이빙 전극에 대응하여 상기 센싱전극이 형성된 동일한 층에 동일한 물질로 이루어지며 플로팅된 상태로 더미패턴이 형성된 것이 특징인 터치인식 액정표시장치.
8. The method of claim 7,
Wherein a dummy pattern is formed on the same layer on which the sensing electrode is formed, corresponding to the driving electrode, in a floating state.
제 6 항에 있어서,
상기 드라이빙 전극은 제 2 기판의 외측면에 형성되며,
상기 센싱전극은 상기 제 2 기판의 내측면 또는 상기 제 1 기판의 내측면에 형성되며,
상기 쉘드전극은 상기 드라이빙 전극과 중첩하며 상기 센싱전극이 형성된 동일한 층에 동일한 물질로 상기 센싱전극과 이격하며 형성된 것이 특징인 터치인식 액정표시장치.
The method according to claim 6,
The driving electrode is formed on the outer surface of the second substrate,
Wherein the sensing electrode is formed on an inner surface of the second substrate or an inner surface of the first substrate,
Wherein the shield electrode overlaps with the driving electrode and is formed on the same layer on which the sensing electrode is formed and is spaced apart from the sensing electrode with the same material.
제 9 항에 있어서,
상기 센싱전극에 대응하여 상기 드라이빙 전극이 형성된 동일한 층에 동일한 물질로 이루어지며 플로팅된 상태로 더미패턴이 형성된 것이 특징인 터치인식 액정표시장치.
10. The method of claim 9,
And a dummy pattern is formed in the floating state of the same material on the same layer in which the driving electrode is formed corresponding to the sensing electrode.
제 7 항 또는 제 9 항에 있어서,
상기 제 2 기판의 외측면에는 절연층을 개재하여 제 3 기판이 구비된 것이 특징인 터치인식 액정표시장치.
10. The method according to claim 7 or 9,
And a third substrate is provided on an outer surface of the second substrate with an insulating layer interposed therebetween.
제 1 항, 제 4 항, 제 7 항 내지 제 10 항 중 어느 하나의 항에 있어서,
상기 제 1 및 제 2 기판에는 다수의 화소영역을 포함하는 표시영역과 상기 표시영역 외측으로 비표시영역이 정의되며,
상기 제 1 기판의 내측면에 각 화소영역의 경계에 서로 교차하며 형성된 게이트 및 데이터 배선과;
각 화소영역 내에 상기 게이트 및 데이터 배선과 연결되며 형성된 박막트랜지스터와;
상기 박막트랜지스터 위로 전면에 형성된 제 1 보호층과;
상기 제 1 보호층 위로 상기 각 화소영역별로 상기 박막트랜지스터의 드레인 전극과 접촉하며 형성된 상기 화소전극과;
상기 화소전극 위로 형성된 제 2 보호층과;
상기 제 2 보호층 위로 형성된 표시영역 전면에 형성되며 각 화소영역 내에 다수의 개구를 갖는 상기 공통전극과;
상기 제 2 기판의 내측면에 각 화소영역 경계에 형성된 블랙매트릭스와;
상기 블랙매트릭스와 중첩되며 상기 각 화소영역에 대응하여 적, 녹, 청색 컬러필터 패턴이 순차 대응되도록 배치된 상기 컬러필터층
을 포함하는 터치인식 액정표시장치.
The method according to any one of claims 1, 4, and 7 to 10,
Wherein the first substrate and the second substrate define a display region including a plurality of pixel regions and a non-display region outside the display region,
A gate and a data line formed on an inner surface of the first substrate so as to cross each other at a boundary of each pixel region;
A thin film transistor formed in each pixel region and connected to the gate and the data line;
A first protective layer formed on the entire surface of the thin film transistor;
The pixel electrode being formed in contact with the drain electrode of the thin film transistor for each pixel region on the first protective layer;
A second protective layer formed on the pixel electrode;
The common electrode being formed on the entire surface of the display region formed over the second passivation layer and having a plurality of openings in each pixel region;
A black matrix formed on each pixel region boundary on the inner surface of the second substrate;
Green, and blue color filter patterns corresponding to the respective pixel regions, which are overlapped with the black matrix,
And the touch-sensitive liquid crystal display device.
제 12 항에 있어서,
상기 제 1 기판의 비표시영역에는,
상기 드라이빙 전극과 연결된 X방향 센싱회로가 구비되며,
상기 센싱전극의 끝단에는 y방향 센싱회로가 구비된 것이 특징인 터치인식 액정표시장치.13. The method of claim 12,
In the non-display region of the first substrate,
An X-direction sensing circuit connected to the driving electrode is provided,
And a y-direction sensing circuit is provided at an end of the sensing electrode.
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