JP2010080602A - 半導体装置およびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】溝型コンタクト用の溝の底および穴型コンタクト用の穴の底に成膜するバリアメタルの膜厚をほぼ等しくする。
【解決手段】本発明の半導体装置は、溝型のソースコンタクト8と、このソースコンタクト8と同じ高さで形成された穴型のドレインコンタクト9とを備えて成る半導体装置であって、ソースコンタクト8用の溝5の形状を、溝5の下部では素子領域3まで到達するように形成された穴5aが並んだような形状とするように構成したものである。
【選択図】図2
【解決手段】本発明の半導体装置は、溝型のソースコンタクト8と、このソースコンタクト8と同じ高さで形成された穴型のドレインコンタクト9とを備えて成る半導体装置であって、ソースコンタクト8用の溝5の形状を、溝5の下部では素子領域3まで到達するように形成された穴5aが並んだような形状とするように構成したものである。
【選択図】図2
Description
本発明は、溝型のソースコンタクトと穴型のドレインコンタクトとが同じ高さで形成された半導体装置およびその製造方法に関する。
NOR型のフラッシュメモリ装置のセル構造においては、ソースコンタクトとしてLI(Local Interconnection)と呼ばれる埋め込み型の溝型コンタクトと、ドレインコンタクトとして穴型コンタクトとが同じ高さで形成されている。このような構成のNOR型フラッシュメモリの一例が特許文献1に記載されている。上記構成を形成する場合、ゲートを加工し、層間絶縁膜を成膜した後、まず、溝型コンタクト用の溝を、フォトリソグラフィによりパターニングし、RIE(reactive ion etching)により溝型コンタクトに対応する部分の絶縁膜を選択的に除去して形成する。次に、同様にして穴型コンタクト用の穴をフォトリソグラフィとRIEにより形成する。
この後、溝および穴の底部の絶縁膜(前記RIEのストッパーとなるシリコン窒化膜)を除去した後、バリアメタルを成膜する。ここで、バリアメタルは、溝型コンタクトと穴型コンタクトの両パターンを一括で成膜するのであるが、溝パターンと穴パターンの違いによりバリアメタルのカバレージに差が生じる、即ち、溝パターン内にはバリアメタルが入り易く、穴パターン内にはバリアメタルが入り難い。このため、穴の底にはバリアメタルが薄く成膜され、溝の底にはバリアメタルが厚く成膜される。尚、このようなバリアメタルの膜厚の相違は、微細化の進行に応じて顕著になってきた問題である。
上記構成の場合、バリアメタルの膜厚を穴(穴型コンタクト)の底で適切な膜厚になるように合わせ込むと、溝(溝型コンタクト)の底にバリアメタルが必要以上に厚く成膜されてしまう。このような場合、素子領域(シリコン等、アクティブエリア)と過剰にシリサイド反応してシリコンの供給が不足し、素子領域に疎になる部分が生じ、コンタクトの高抵抗不良が発生し、また逆に、バリアメタルの膜厚を溝の底で適切な膜厚になるように合わせ込むと、穴の底のバリアメタルの膜厚が薄くなり過ぎてしまう。このような場合、バリアメタル上に成膜される電極材による素子領域への突き抜けによるアタッキングが発生し、コンタクトの高抵抗不良が発生するという問題点がある。
尚、ソースコンタクトおよびドレインコンタクトを穴型コンタクトで形成し、ソースコンタクトの上部に埋込型の配線を別途形成するように構成した従来構成もある。この構成の場合、リソグラフィ工程やRIE工程にのいて工程数が大幅に増加するという問題がある。
特開2007−103652号公報
本発明は、溝型コンタクトと穴型コンタクトを同じ高さで形成する構成であって、溝の底および穴の底に成膜されるバリアメタルの膜厚をほぼ等しくすることができる半導体装置およびその製造方法を提供することを目的とする。
本発明の半導体装置は、半導体基板と、前記半導体基板の表層にそれぞれソース領域およびドレイン領域を備えて並設された複数のメモリセルトランジスタと、前記半導体基板に埋込まれ、前記複数並設されたメモリセルトランジスタのソース領域およびドレイン領域を当該メモリセルトランジスタ毎に区画する素子分離絶縁膜と、前記複数のメモリセルトランジスタのドレイン領域上にそれぞれ形成され、前記複数のドレイン領域にそれぞれ電気的に接続する穴型のドレインコンタクトと、前記複数のメモリセルトランジスタのソース領域上に前記ドレインコンタクトと同じ高さで形成され、前記複数のソース領域を電気的に共通接続する溝型のソースコンタクトとを備え、前記ソースコンタクトは、上部において前記素子分離絶縁膜を介して隣接するソース領域にまたがるよう溝状に構成され、下部では素子領域まで到達するように形成された穴が並んだような形状に構成されたところに特徴を有する。
本発明の半導体装置の製造方法は、半導体基板と、前記半導体基板の表層にそれぞれソース領域およびドレイン領域を備えて並設された複数のメモリセルトランジスタと、前記半導体基板に埋込まれるものであって前記複数並設されたメモリセルトランジスタのソース領域およびドレイン領域を当該メモリセルトランジスタ毎に区画する素子分離絶縁膜と、前記複数のメモリセルトランジスタのドレイン領域上にそれぞれ形成され、前記複数のドレイン領域にそれぞれ電気的に接続する穴型のドレインコンタクトと、前記複数のメモリセルトランジスタのソース領域上に前記ドレインコンタクトと同じ高さで形成され、前記複数のソース領域を電気的に共通接続する溝型のソースコンタクトとを備えて成る半導体装置を製造する製造方法であって、ソース領域に前記ソースコンタクト用の溝を形成する工程において、フォトリソグラフィ処理により、フォトレジストを塗布してパターニング処理することで、ソース領域の上部のフォトレジストにドレインコンタクト用の穴の上部開口部よりも一回り大きい開口部を形成した後、フォトレジストパターンをマスクとしてRIE法により加工変換差がレジスト寸法より仕上がり寸法の方が大きくなり、穴の下部ではテーパー形状となり、且つ、穴径が小さくなるような加工条件で加工することにより、溝の下部では径小な穴が並んだ形状となると共に、溝の上部では径大な穴が連通して繋がることによって溝状となった形状の溝を形成することを特徴とする。
本発明によれば、ソースコンタクト用の溝の形状を、溝の下部では素子領域まで到達するように形成された穴が並んだような形状としたので、溝型コンタクトおよび穴型コンタクトを同じ高さで形成する構成でありながら、溝型コンタクト用の溝の底および穴型コンタクト用の穴の底に成膜するバリアメタルの膜厚をほぼ等しくすることができる。
(第1実施形態)
以下、本発明をNOR型フラッシュメモリ装置に適用した場合の第1実施形態について、図1ないし図6を参照しながら説明する。尚、以下の図面の記載において、同一又は類似の部分には同一又は類似の符号で表している。但し、図面は模式的なものであり、厚みと平面寸法との関係、各層の厚みの比率等は現実のものとは異なる。
以下、本発明をNOR型フラッシュメモリ装置に適用した場合の第1実施形態について、図1ないし図6を参照しながら説明する。尚、以下の図面の記載において、同一又は類似の部分には同一又は類似の符号で表している。但し、図面は模式的なものであり、厚みと平面寸法との関係、各層の厚みの比率等は現実のものとは異なる。
図1は、メモリセル領域の平面図であり、図2、図3および図4は、それぞれ図1中のA−A線、B−B線およびC−C線に沿った断面図を示している。図1において、半導体基板としてのシリコン基板1上に、長手方向が図1中左右方向(所定方向)に延びた帯状の素子分離領域であるSTI(shallow trench isolation)2が、図1中上下方向(所定方向の直交方向)に所定間隔で複数形成され、これによって素子形成用の活性領域3が分離形成されている。STI2は、シリコン基板1上に形成された素子分離溝と、この素子分離溝に埋め込まれた素子分離絶縁膜で構成されている。
活性領域3およびSTI2と交差するように、長手方向が直交方向に延びた帯状のメモリセルトランジスタのワード線WLが所定方向に所定間隔で複数形成されている。ワード線WLと交差する活性領域3上にはメモリセルトランジスタのゲート電極MGが形成されている。ゲート電極MGは、後述するように、下層側にフローティングゲート電極、上層側にコントロールゲート電極が積層された構成となっている。
隣接するワード線WL(ゲート電極MG)の間の図1中右側の領域がメモリセルトランジスタのソース領域として、また、左側の領域がドレイン領域として形成されている。各メモリセルトランジスタのドレイン領域にはドレインコンタクト形成用の穴4が形成されている。各メモリセルトランジスタのソース領域には、ソースコンタクト形成用の溝5が形成されている。溝5は、後述するように、下端部の径より上端部の径が大きな複数の穴が、上端部において隣接する穴に連通(連続)することにより溝状とされた形状である。
後述するように、溝5および穴4の内部には、バリヤメタルが成膜されていると共に、コンタクト用の導体が埋め込まれており、もってソースコンタクト8(溝型コンタクト)およびドレインコンタクト9(穴型コンタクト)が構成されている。
次に、図1中A−A線で示す部分の断面(ソースコンタクト8(溝5)およびドレインコンタクト9(穴4)を形成する前の断面)を示す図6において、シリコン基板1の上面に形成されたゲート電極MGについて説明する。ゲート電極MGは、シリコン基板1上にゲート絶縁膜(シリコン酸化膜)10、フローティングゲート電極を構成する多結晶シリコン膜11、インターポリ絶縁膜としてのONO(oxide-nitride-oxide)膜12、コントロールゲート電極を構成する多結晶シリコン膜13、低抵抗導電膜としてのWSi(タングステンシリサイド)膜14が順次積層されて構成されている。なお、ONO膜12に代えてNONON(nitride -oxide-nitride-oxide-nitride)膜やアルミナ(Al2O3)膜などの高誘電率膜を用いてもよい。また、WSi膜14に代えてNiSi(ニッケルシリサイド)膜やCoSi(コバルトシリサイド)膜などを用いても良い。
WSi膜14の上面には、キャップ膜としてのシリコン窒化膜15およびTEOS系シリコン酸化膜16が積層形成されている。ゲート電極MGの側壁には、サイドウオール酸化膜17が形成されている。更に、サイドウオール酸化膜17上にはコンタクト開口時にストッパーとなるシリコン窒化膜18が形成されている。このシリコン窒化膜18の上における隣接するゲート電極MG間には、層間絶縁膜としてBPSG膜19が埋め込み形成されている。更に、BPSG膜19の上部には、TEOS系シリコン酸化膜20が形成されている。
次に、ソースコンタクト8およびドレインコンタクト9を形成する製造工程について説明する。まず、ソースコンタクト8用の溝5を形成する工程を実行する。図5に示すように、フォトリソグラフィ処理により、フォトレジスト(図示しない)を塗布してパターニング処理することで、ソース領域の上部のフォトレジストに開口部21を形成する。この開口部21は、ドレインコンタクト9用の穴4の上部開口部の大きさよりも一回り大きく形成されている。
続いて、上記フォトレジストパターンをマスクとして図6に示したTEOS系シリコン酸化膜20、16、BPSG膜19およびシリコン窒化膜15、18をRIE法により加工する。この場合、まず、シリコン窒化膜18を露出させる。このとき、シリコン窒化膜18がエッチングストッパとして機能している。この後、シリコン窒化膜18およびゲート絶縁膜10をRIE法により加工してシリコン基板1の活性領域3を露出させる。この場合、RIEの加工条件として、穴の上部では加工変換差がレジスト寸法より仕上がり寸法の方が大きくなり、穴の下部ではテーパー形状となり、且つ、穴の上部より穴径が小さくなるような加工条件を選択する。これにより、図2、図3、図4に示すような形状の溝5が形成される。
この溝5の形状は、下部が径小で上部が径大な穴を上部で繋がるように並べることにより、下部では径小な穴5aが並んだ形状であると共に、上部では径大な穴5bが連通して繋がることによって溝状になった形状である。尚、穴5bが連通して繋がった部分を図3中にて符号5cで示す。
この後、ドレインコンタクト9用の穴4を形成する工程を実行する。この場合、上記した溝5とほぼ同様にして、フォトリソグラフィ処理とRIE法により形成する。この場合、RIEの加工条件としては、周知構成と同様のドレインコンタクト9用の穴4の形状(構造)が得られる加工条件を設定している。
次に、溝5および穴4内にバリアメタル6(TiやTiN等の金属)を例えばスパッタ法により成膜する(図7参照)。続いて、溝5および穴4内にコンタクト用の導体7(例えばW)の埋め込みを行い、その後、CMP(chemical mechanical polishing)処理により研磨してコンタクト部分以外のコンタクト用導体7とバリアメタル6を除去して平坦化する。これにより、図7、図8、図9に示すように、ソースコンタクト8およびドレインコンタクト9が形成される。この構成の場合、ソースコンタクト8(溝型コンタクト)およびドレインコンタクト9(穴型コンタクト)は同じ高さで形成される構成となっている。
上記構成によれば、バリアメタル6を溝5および穴4内に成膜する際に、溝5の形状を、溝5の下部では径小な穴5aが並んだ形状とすると共に、溝5の上部では下部の径より径大な穴5bが連通して繋がることにより溝状になった形状としたので、バリアメタル6が溝5の径小な穴5a内に入るときの入り易さと、バリアメタル6が穴4内に入るときの入り易さとが、ほぼ同程度となることから、溝5の底および穴4の底に成膜されるバリアメタル6の膜厚をほぼ等しくすることができる。これにより、ソース側のコンタクト抵抗を低減したまま、ドレイン側とのバリアメタル6成膜時の膜厚の不均一を解消することができ、安定したコンタクトの形成が可能となる。
また、上記実施形態においては、溝5を形成するに際して、穴パターンをフォトリソグラフィにより形成し、RIE法による加工で穴を繋げることにより溝5を形成する構成であるので、穴パターンのみの露光となることから、穴と溝の両パターンを一括で露光する場合よりも難度が下がり、フォトリソグラフィ工程の削減に有効である。
(第2実施形態)
図10ないし図13は、本発明の第2実施形態を示すものであり、第1実施形態と異なる構成について説明する。尚、第1実施形態と同一構成には、同一符号を付している。この第2実施形態においては、図10および図12に示すように、ソースコンタクト8(ソース領域)を挟む2本のワード線WLのうちのSTI2の上部に対応する部分(ゲート配線)の対向する側壁に、凸部23、23を設けた。凸部23、23の突出量は、凸部23、23の上に形成されたバリヤーとしてのシリコン窒化膜(側壁保護膜)18、18が互いに接する(図10、図12参照)程度の突出量であれば良い。
図10ないし図13は、本発明の第2実施形態を示すものであり、第1実施形態と異なる構成について説明する。尚、第1実施形態と同一構成には、同一符号を付している。この第2実施形態においては、図10および図12に示すように、ソースコンタクト8(ソース領域)を挟む2本のワード線WLのうちのSTI2の上部に対応する部分(ゲート配線)の対向する側壁に、凸部23、23を設けた。凸部23、23の突出量は、凸部23、23の上に形成されたバリヤーとしてのシリコン窒化膜(側壁保護膜)18、18が互いに接する(図10、図12参照)程度の突出量であれば良い。
上記構成において、ソースコンタクト8用の溝25を形成する工程について説明する。図10に示すように、フォトリソグラフィ処理により、フォトレジスト(図示しない)を塗布してパターニング処理することで、ソース領域の上部のフォトレジストに開口部26を形成する。この開口部26は、ソースコンタクト8用の溝25の上部開口部(図11および図12参照)の大きさとほぼ等しい大きさの開口部である。
続いて、上記フォトレジストパターンをマスクとしてTEOS系シリコン酸化膜20、16、BPSG膜19およびシリコン窒化膜15、18をRIE法により加工する。この場合、まず、シリコン窒化膜18を露出させる。このとき、シリコン窒化膜18がエッチングストッパとして機能している。この後、シリコン窒化膜18およびゲート絶縁膜10をRIE法により加工してシリコン基板1の活性領域3を露出させる。これにより、図11、図12、図13に示すような形状の溝25が形成される。この溝25の形状は、上部では溝形状となり、下部のうち、凸部23上のシリコン窒化膜18が接した部分では、溝、即ち、穴が形成されないことから、溝25の下部では擬似的に径小な穴25aが並んだ形状となる。尚、ドレインコンタクト9用の穴4を形成する工程は、第1実施形態と同じである。
上述した以外の第2実施形態の構成は、第1実施形態の構成と同じ構成となっている。従って、第2実施形態においても、第1実施形態とほぼ同じ作用効果を得ることができる。特に、第2実施形態によれば、ゲート配線に凸部23を設け、その上に形成されたシリコン窒化膜18を接したことにより、溝25の下部で、溝、即ち、穴が形成されない部分を形成するように構成したので、溝25の下部で擬似的に径小な穴25aが並んだ形状を、安定して形成することができる。この構成に比べると、第1実施形態において、溝5の上部の径大な穴5aを繋ぐために必要な膜厚制御はある程度難しいと考えられる。
(他の実施形態)
本発明は、上記実施形態にのみ限定されるものではなく、次のように変形または拡張できる。
本発明は、上記実施形態にのみ限定されるものではなく、次のように変形または拡張できる。
上記第2実施形態では、シリコン窒化膜18、18が互いに接するように、凸部23、23の突出量を設定したが、これに限られるものではなく、シリコン窒化膜18、18の間に若干隙間があるように構成しても良い。このように構成しても、溝25の下部が部分的に狭くなったり、または寸断されることから、即ち、溝25の下部が擬似的に穴型形状となることから、溝25の底部でのバリアメタル6の成膜が制限されるため、バリアメタル6の膜厚がドレインコンタクト9用の穴4とほぼ等しくなるという効果を得ることができる。
図面中、1はシリコン基板、2はSTI、3は活性領域、4は穴、5は溝、6はバリヤメタル、7はコンタクト用導体、8はソースコンタクト、9はドレインコンタクト、23は凸部、25は溝である。
Claims (5)
- 半導体基板と、
前記半導体基板の表層にそれぞれソース領域およびドレイン領域を備えて並設された複数のメモリセルトランジスタと、
前記半導体基板に埋込まれ、前記複数並設されたメモリセルトランジスタのソース領域およびドレイン領域を当該メモリセルトランジスタ毎に区画する素子分離絶縁膜と、
前記複数のメモリセルトランジスタのドレイン領域上にそれぞれ形成され、前記複数のドレイン領域にそれぞれ電気的に接続する穴型のドレインコンタクトと、
前記複数のメモリセルトランジスタのソース領域上に前記ドレインコンタクトと同じ高さで形成され、前記複数のソース領域を電気的に共通接続する溝型のソースコンタクトとを備え、
前記ソースコンタクトは、上部において前記素子分離絶縁膜を介して隣接するソース領域にまたがるよう溝状に構成され、下部では素子領域まで到達するように形成された穴が並んだような形状に構成されたことを特徴とする半導体装置。 - 前記ソースコンタクト用の溝の形状は、下部が径小で上部が径大な穴を並べることにより、溝の下部では径小な穴が並んだ形状とすると共に、溝の上部では径大な穴が連通して繋がることによって溝状になった形状であることを特徴とする請求項1記載の半導体装置。
- ソースコンタクトを挟む2本のワード線のうちの素子分離領域の上部に対応する部分の対向する側壁に、凸部を設けることにより、前記ソースコンタクト用の溝の下部で径小な穴が並んだ形状を形成するように構成したことを特徴とする請求項1記載の半導体装置。
- 前記凸部の突出量は、前記凸部の上に形成された側壁保護膜が互いに接する程度の突出量であることを特徴とする請求項3記載の半導体装置。
- 半導体基板と、前記半導体基板の表層にそれぞれソース領域およびドレイン領域を備えて並設された複数のメモリセルトランジスタと、前記半導体基板に埋込まれるものであって前記複数並設されたメモリセルトランジスタのソース領域およびドレイン領域を当該メモリセルトランジスタ毎に区画する素子分離絶縁膜と、前記複数のメモリセルトランジスタのドレイン領域上にそれぞれ形成され、前記複数のドレイン領域にそれぞれ電気的に接続する穴型のドレインコンタクトと、前記複数のメモリセルトランジスタのソース領域上に前記ドレインコンタクトと同じ高さで形成され、前記複数のソース領域を電気的に共通接続する溝型のソースコンタクトとを備えて成る半導体装置を製造する製造方法であって、
ソース領域に前記ソースコンタクト用の溝を形成する工程において、フォトリソグラフィ処理により、フォトレジストを塗布してパターニング処理することで、ソース領域の上部のフォトレジストにドレインコンタクト用の穴の上部開口部よりも一回り大きい開口部を形成した後、フォトレジストパターンをマスクとしてRIE法により加工変換差がレジスト寸法より仕上がり寸法の方が大きくなり、穴の下部ではテーパー形状となり、且つ、穴径が小さくなるような加工条件で加工することにより、溝の下部では径小な穴が並んだ形状となると共に、溝の上部では径大な穴が連通して繋がることによって溝状となった形状の溝を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。
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JP2008245767A JP2010080602A (ja) | 2008-09-25 | 2008-09-25 | 半導体装置およびその製造方法 |
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9999736B2 (en) | 2009-04-23 | 2018-06-19 | Fresenius Medical Care Deutschland Gmbh | Device and external functional means and treatment apparatus for the treatment of medical fluids |
-
2008
- 2008-09-25 JP JP2008245767A patent/JP2010080602A/ja active Pending
Cited By (1)
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US9999736B2 (en) | 2009-04-23 | 2018-06-19 | Fresenius Medical Care Deutschland Gmbh | Device and external functional means and treatment apparatus for the treatment of medical fluids |
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