JP2010079030A - 光遅延素子 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 光遅延素子は、入力ポート、出力ポート、光導波路、リング共振器、第1の結合部、及び、第2の結合部を備える。光導波路は、入力ポートから出力ポートまで延びている。第1の結合部及び第2の結合部は、リング共振器の二つの部分と光導波路との間で光を結合させる。第1の結合部は、第2の結合部より入力ポート側に設けられている。第1の結合部から第2の結合部までの間の光導波路の経路の位相変化量φUと、第1の結合部から第2の結合部までの間のリング共振器の経路の位相変化量φHとは、0.8≦φU/φH≦1.2を満たしている。第1の結合部及び第2の結合部それぞれにおける光の強度結合効率κ2は、振幅結合係数κに対してκ=sin(θ)の関係にあるパラメータθが0.2≦θ/π≦0.3を満たすように、設定されている。
【選択図】 図1
Description
Ammon Yariv 他3名、"Coupled-resonator optical wavegauide: a proposal andanalysis", OPTICS LETTERS, June 1, 1999, Vol. 24, No. 11, p711-p713 John E. Heebner 他1名、"Slow light, induced dispersion, enhanced nonlinearity, andoptical solitons in a resonator-array waveguide", PHYSICAL REVIEW E, 2002,Vol. 65, 036619-1 - 036619-4
0.8≦φU/φH≦1.2 …(1)
φi=βiLi (i=H,U) …(2)
式(2)において、βHはリング共振器の伝搬定数であり、βUは還元導波路の伝搬定数である。また、LHは、第1の結合部から第2の結合部までのリング共振器の導波路の経路長であり、LUは、第1の結合部から第2の結合部までの還元導波路の経路長である。
(i)リング共振器の導波路の上記経路に複数回の曲げを導入する(Liの調整)。
(ii)還元導波路の屈折率及び/又は断面積とリング共振器の導波路の屈折率及び/又は断面積を異ならせる(βiの調整)
(iii)光導波路の上記経路の経路長とリング共振器の上記経路の経路長とを等しくする(Liの調整)
0.2≦θ/π≦0.3 …(3)
好ましくは、φU/φHは、波長に依らず0.25である。即ち、第1の結合部及び第2の結合部のそれぞれの光の強度結合効率κ2は、波長に依らず、50%であることが好ましい。
コアの幅:1.6μm
コアの高さ:0.8μm
コアの屈折率:2.8
クラッドの屈折率:1.45
リング共振器の周回長:100μm
δ=(ω−ωr)neffLc/c0 …(4)
式(4)において、ωは光の角周波数であり、ωrは共振角周波数であり、neffはリング共振器を構成する導波路の実効屈折率であり、Lcはリング共振器の周回長であり、c0は真空中の光速である。
Claims (5)
- 光が入力する入力ポートと、
光が出力する出力ポートと、
前記入力ポートから前記出力ポートまで延びる光導波路と、
リング状に延びる導波路を有するリング共振器と、
前記リング共振器の二つの部分と前記光導波路との間で光を結合させるための第1の結合部及び第2の結合部と、
を備え、
前記第1の結合部は、前記第2の結合部より前記入力ポート側に設けられており、
前記第1の結合部から前記第2の結合部までの間の前記光導波路の経路の位相変化量φUと、前記第1の結合部から前記第2の結合部までの間の前記リング共振器の前記導波路の経路の位相変化量φHとは、0.8≦φU/φH≦1.2を満たし、
前記第1の結合部及び前記第2の結合部のそれぞれにおける光の強度結合効率κ2は、振幅結合係数κに対してκ=sin(θ)の関係にあるパラメータθが0.2≦θ/π≦0.3を満たすように、設定されている、
光遅延素子。 - 前記リング共振器の前記経路が、複数回曲げられている、請求項1に記載の光遅延素子。
- 前記リング共振器の前記導波路の屈折率が、前記光導波路の屈折率と異なる、請求項1に記載の光遅延素子。
- 前記リング共振器の前記導波路の断面積が、前記光導波路の断面積と異なる、請求項1に記載の光遅延素子。
- 光が入力する入力ポートと、
光が出力する出力ポートと、
前記入力ポートから前記出力ポートまで延びる光導波路と、
リング状に延びる導波路を有する複数のリング共振器と、
前記複数のリング共振器のそれぞれの二つの部分と前記光導波路との間で光を結合させるための複数の第1の結合部及び複数の第2の結合部と、
を備え、
前記複数の第1の結合部の各々は、前記複数の第2の結合部のうち同じリング共振器に対して設けられた第2の結合部より、前記入力ポート側に設けられており、
前記複数の第1の結合部及び前記複数の第2の結合部のうち、同じリング共振器に対して設けられた第1の結合部及び第2の結合部に関して、該第1の結合部から該第2の結合部までの間の前記光導波路の経路の位相変化量φUと、該第1の結合部から該第2の結合部までの間の該リング共振器の前記導波路の経路の位相変化量φHとは、0.8≦φU/φH≦1.2を満たし、
前記複数の第1の結合部及び前記複数の第2の結合部それぞれにおける光の強度結合効率κ2は、振幅結合係数κに対してκ=sin(θ)の関係にあるパラメータθが0.2≦θ/π≦0.3を満たすように、設定されている、
光遅延素子。
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| JP2008248449A JP5141472B2 (ja) | 2008-09-26 | 2008-09-26 | 光遅延素子 |
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| JP2008248449A JP5141472B2 (ja) | 2008-09-26 | 2008-09-26 | 光遅延素子 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103411926A (zh) * | 2013-07-12 | 2013-11-27 | 电子科技大学 | 拱形环结构的马赫曾德尔干涉型光学生化传感器 |
| CN104849804A (zh) * | 2015-05-29 | 2015-08-19 | 宁波大学 | 一种新型环形谐振腔及其制备方法 |
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- 2008-09-26 JP JP2008248449A patent/JP5141472B2/ja active Active
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| CN103411926A (zh) * | 2013-07-12 | 2013-11-27 | 电子科技大学 | 拱形环结构的马赫曾德尔干涉型光学生化传感器 |
| CN103411926B (zh) * | 2013-07-12 | 2015-09-30 | 电子科技大学 | 拱形环结构的马赫曾德尔干涉型光学生化传感器 |
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| JP5141472B2 (ja) | 2013-02-13 |
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