JP2010074673A - 画像読取装置のサンプルホールドパルスタイミング調整方法及び画像読取装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】 サンプルホールド回路に供給するサンプルホールド位相をCMOSイメージセンサの出力画素に合わせて変更することによって、画像信号出力のサンプルホールド位相を適切に設定する。
【解決手段】 複数画素の信号を出力するCMOSイメージセンサと、前記CMOSイメージセンサからの信号をサンプルホールドするサンプルホールド回路と、前記サンプルホールド回路にサンプルホールドパルスを供給するパルス生成回路と、前記サンプルホールド回路に供給するサンプルホールドパルスの位相を、前記CMOSイメージセンサの画素の位置に対応する出力信号の特性に対応したタイミングに調整する位相調整手段を有する。
【選択図】 図6A
【解決手段】 複数画素の信号を出力するCMOSイメージセンサと、前記CMOSイメージセンサからの信号をサンプルホールドするサンプルホールド回路と、前記サンプルホールド回路にサンプルホールドパルスを供給するパルス生成回路と、前記サンプルホールド回路に供給するサンプルホールドパルスの位相を、前記CMOSイメージセンサの画素の位置に対応する出力信号の特性に対応したタイミングに調整する位相調整手段を有する。
【選択図】 図6A
Description
本発明は、画像読取装置のサンプルホールドパルスタイミング調整方法及び画像読取装置に関する。特に、CMOSイメージセンサの出力信号処理回路におけるサンプルホールドパルスタイミング調整方法に関する。また、複写機、スキャナ、ファクシミルなどのCMOSイメージセンサを用いた走査型の画像読取装置に関するものである。
従来、複写機、FAX、スキャナなどの原稿読取装置の読取用センサには、CCDが使用されることが多かった。また、近年、デジタルカメラやデジタルビデオカメラ等の読取用センサとして、CCD同様にCMOSイメージセンサが急速に普及してきている。
CMOSイメージセンサは、一般的にCCDに対し低消費電力で高速読み出しが可能であり、画素のランダムアクセスが可能である。そのため、複写機、スキャナなどの原稿読取装置の高速化や高解像度化に伴い、CMOSイメージセンサの複写機、FAX、スキャナへの適応も始まってきている。
また、複写機、スキャナなどの原稿読取装置の高速化、高解像度化に伴い、CCD、CMOSイメージセンサ等のイメージセンサの高速駆動が必要になってきている。その結果、イメージセンサが出力するアナログ信号をサンプルホールド処理する際のサンプルホールドポイントの最適化が難しくなってきている。
原稿読取装置の階調性能やS/N比は、イメージセンサが出力するアナログ信号のサンプルホールドポイントによるところが大きい。そこで、例えば特許文献1では、階調性が最良のポイントになるようにサンプルホールド位相を調整する装置が提案されている。また、特許文献2では、CCDイメージセンサの出力信号中に含まれるリセットパルスを検出し、その検出したリセットパルスと基準パルス位相を比較しその位相差を検出し位相差を調整する回路が提案されている。しかし、上述した従来技術においては、CMOSイメージセンサにおけるサンプルホールドポイントの位相調整については言及されていない。
特開平10−336452号公報
特開平10−126698号公報
ところが、CMOSイメージセンサにおいても、CCD同様にサンプルホールドポイントの問題は発生しており、更にCMOSイメージセンサに特有の問題も発生する。
図2に示す本件の説明に使用するCMOSイメージセンサは、PD部(フォトダイオード)で生成された信号電荷を、画素毎にFD部(フローティングディフュージョンアンプ)で電圧レベルに変換する。そして、その信号電圧を画素毎に設けられたバッファAMPと出力端子に接続される画素選択スイッチを順次切り換えることにより、画像信号を出力バッファを介し出力端子に読み出す構成となっている。
この際に、出力端子に近い画素と出力端子に遠い画素において、伝送路の長さにより画素選択パルスの各画素選択スイッチまでの信号遅延時間及び各画素検出部からの信号遅延時間が異なるという問題が発生する。
例えば、1画素サイズ9.325umにて7500画素のCMOSイメージセンサの場合、先頭画素と最終画素とでは、出力端子に対し9.325um×7500=約70mm程度の違いが生じることとなり、信号遅延時間ばらつきは数nsecに及ぶ場合もある。更には、各画素毎に設けられたバッファAMPの特性ばらつきなども重なり、画素毎に信号遅延時間が異なることになる。
上記信号遅延時間は、特に高速動作させた場合に問題になる。画素毎に異なる適切なサンプルホールド位相でサンプルホールドを行わないと、画像の品質低下に繋がる場合があった。
例えば、50MHzでCMOSイメージセンサを動作させることを想定した場合は、1画素周期は20nsecである。その中で、画素出力信号の立ち上がり時間が6nsec、立下り時間が6nsec、安定期間が8nsecだった場合を想定する。この条件で、サンプルホールドに必要なパルス期間が5nsecだと仮定した場合、信号遅延時間のばらつきとサンプルホールドパルスのばらつきは3nsecしか許容されないことになる。このような状態では、全ての画素出力信号に対する平均的なタイミングでサンプルホールドを行うだけでは、温度上昇などによる半導体の特性変化により遅延時間に変動が起きた際に、出力安定期間でない部分でサンプルホールド位相が相対的にずれてしまう。その結果、画像の品質低下が発生する場合がある。このため、サンプルホールド位相の調整精度に非常に高いレベルが求められることとなる。
上述のような画素毎の遅延時間ばらつき問題は、CCDでは原理的に発生しない。CCDでは、PDで生成された信号電荷自身をCCDシフトレジスタに転送し、CCDシフトレジスタの最終段に用意されたFD(フローティングディフュージョンアンプ)で電圧レベルに変換し出力する構成となっている。この場合には、全ての画素を共通のFDにて電圧レベルに変換して出力することとなるため、画素毎の遅延時間ばらつきは基本的に発生しない。
本発明は、上述した点に鑑みたものであり、サンプルホールド回路に供給するサンプルホールド位相をCMOSイメージセンサの出力画素に合わせて変更することによって、画像信号出力のサンプルホールド位相を適切に設定する。
上記目的を達成するため、本発明の画像読取装置は、複数画素の信号を出力するCMOSイメージセンサと、前記CMOSイメージセンサからの信号をサンプルホールドするサンプルホールド回路と、前記サンプルホールド回路にサンプルホールドパルスを供給するパルス生成回路と、前記サンプルホールド回路に供給するサンプルホールドパルスの位相を、前記CMOSイメージセンサの画素の位置に対応する出力信号の特性に対応したタイミングに調整する位相調整手段を有することを特徴とする。
また、本発明の画像読取装置のサンプルホールドパルスタイミング調整方法は、複数画素の信号を出力するCMOSイメージセンサと、前記CMOSイメージセンサからの信号をサンプルホールドするサンプルホールド回路と、前記サンプルホールド回路にサンプルホールドパルスを供給するパルス生成回路とを有する画像読取装置のサンプルホールドパルスタイミング調整方法であって、前記サンプルホールド回路に供給するサンプルホールドパルスの位相を、前記CMOSイメージセンサの画素の位置に対応する出力信号の特性に対応したタイミングに調整する位相調整工程を有し、前記CMOSイメージセンサの画素の位置に対応する出力信号の特性は、前記CMOSイメージセンサからの出力信号の遅延時間であって、前記位相調整工程は、複数のサンプルホールドパルスの位相を記憶手段に記憶する記憶工程と、画素の位置に対応して前記記憶手段からの読み出しを切り替えて、前記複数のサンプルホールドパルスの位相を切り替える工程とを有することを特徴とする。
また、本発明の画像読取装置のサンプルホールドパルスタイミング調整方法は、複数画素の信号を出力するCMOSイメージセンサと、前記CMOSイメージセンサからの信号をサンプルホールドするサンプルホールド回路と、前記サンプルホールド回路にサンプルホールドパルスを供給するパルス生成回路とを有する画像読取装置のサンプルホールドパルスタイミング調整方法であって、前記サンプルホールド回路に供給するサンプルホールドパルスの位相を、前記CMOSイメージセンサの画素の位置に対応する出力信号の特性に対応したタイミングに調整する位相調整工程を有し、前記CMOSイメージセンサの画素の位置に対応する出力信号の特性は、各画素に対応する出力信号の特性であって、前記位相調整工程は、各画素に適切なサンプルホールドパルスの位相を取得する取得工程と、各画素に対応して前記取得工程で取得したサンプルホールドパルスの位相を記憶手段に記憶する記憶工程と、前記記憶手段から読み出したサンプルホールドパルスの位相となるよう、各画素に対応してサンプルホールドパルスの位相を調整する工程とを有することを特徴とする。
本発明のサンプルホールドパルス調整方法を使用すれば、複数画素の信号を出力端子より出力するCMOSイメージセンサを高速動作させた場合にも、サンプルホールドパルス位相を各画素の出力遅延時間に合わせて変更することが可能となる。
また、CMOSイメージセンサを高速動作させた場合にも、常に適切なサンプルホールドポイントにてサンプルホールドを行うことが可能となり、階調性の良いS/N劣化の少ない画像の品質低下の無い画像読取装置を提供できる。
以下、本発明の実施形態を添付図面に従って詳細に説明する。なお、本実施形態では、CMOSイメージセンサによる画像読み取りにおけるタイミング制御を主に説明するが、本発明は、かかるCMOSイメージセンサを使用する回路や装置をも含むものである。
[実施形態1]
<実施形態1の画像読取装置の構成例>
図1は、実施形態1の画像読取装置の画像処理の構成例を示すブロック構成図である。なお、図1では、画像読取装置の動作機構などは省かれている。
<実施形態1の画像読取装置の構成例>
図1は、実施形態1の画像読取装置の画像処理の構成例を示すブロック構成図である。なお、図1では、画像読取装置の動作機構などは省かれている。
図1に示すように、画像読取装置は以下の構成要素を含む。画像を光学的に読み取るCMOSイメージセンサ101を含む。また、CMOSイメージセンサ101の出力するアナログ信号をサンプルホールド用CLKにてサンプルホールドするサンプルホールド回路102を含む。また、サンプルホールド回路102からの出力にゲイン調整を行うゲイン回路105を含む。また、ゲイン回路105から出力されたアナログ信号をA/D変換用CLKに同期してデジタル値に変換するA/D変換回路106を含む。また、A/D変換回路106から出力されたデジタルデータをシェーディング補正するシェーディング補正回路107を含む。また、これらの回路に対しての各種動作CLKを水晶発振器104が出力する基準CLKを元に生成するパルス生成回路103−1を含む。そして、これらの構成要素を制御するコントロール部108を有する。
次に、図1に示すブロック構成図の各部要素の詳細について説明する。
(CMOSイメージセンサ101)
CMOSイメージセンサ101は、本例では7500画素分の画素をライン上に有し、1画素あたりのサイズは9.325um角となっている。かかる構成により、A3サイズの原稿を600dpiで読み取ることが出来るようになっている。
CMOSイメージセンサ101は、本例では7500画素分の画素をライン上に有し、1画素あたりのサイズは9.325um角となっている。かかる構成により、A3サイズの原稿を600dpiで読み取ることが出来るようになっている。
図2に、CMOSイメージセンサ101の詳細ブロック図を示す。
図2に示すように、CMOSイメージセンサ101は、画素ブロックを7500画素分有している。また、画素選択パルス出力部と各画素ブロックがそれぞれ個別の選択パルスで接続されており、画素選択パルス出力部からの選択パルスを図2の左側から右にかけて順次(1画素目から7500画素目にかけて)切り換えて順次選択していく。このようにして、7500個の画素ブロックからの画像データは、出力端子に1,2,3,4,…,7499,7500という順に読み出すことが出来るようになっている。
各画素ブロックは、PD部(フォトダイオード)と、PD部で生成した信号電荷を電圧レベルに変換するFD部(フローティングディフュージョンアンプ)と、信号電圧を増幅して出力するバッファAMPと、出力端子に接続する画素選択スイッチを有している。
また、CMOSイメージセンサ101は、パルス生成回路103から入力されるHSYNC信号とセンサ駆動用CLKとを基準として上述した画像データ出力を行う構成となっており、以下に説明する図3に示すように画像データを出力する。
(サンプルホールド回路102)
サンプルホールド回路102は、パルス生成回路103からのサンプルホールド用CLKに同期して、CMOSイメージセンサ101からの画像信号出力をサンプルホールドする。
サンプルホールド回路102は、パルス生成回路103からのサンプルホールド用CLKに同期して、CMOSイメージセンサ101からの画像信号出力をサンプルホールドする。
(ゲイン回路105)
ゲイン回路105は、サンプルホールドされたCMOSイメージセンサ101からの画像信号出力を、後段に接続されたA/D変換回路106の処理できる最適レベルへゲイン増幅する。
ゲイン回路105は、サンプルホールドされたCMOSイメージセンサ101からの画像信号出力を、後段に接続されたA/D変換回路106の処理できる最適レベルへゲイン増幅する。
(A/D変換回路106)
A/D変換回路106では、パルス生成回路103からのAD変換用CLKに同期してアナログの画像信号を多値のデジタル信号に変換する。
A/D変換回路106では、パルス生成回路103からのAD変換用CLKに同期してアナログの画像信号を多値のデジタル信号に変換する。
(シェーディング補正回路107)
シェーディング補正回路107では、白シェーディング補正と黒シェーディング補正が行えるようになっている。黒シェーディング補正ではCMOSイメージセンサ101が持っているDSNU(暗時出力不均一性)を正規化し、白シェーディング補正ではCMOSイメージセンサ101が持っているPRNU(明時出力不均一性)を正規化する。そして、最終的な画像データを出力する。
シェーディング補正回路107では、白シェーディング補正と黒シェーディング補正が行えるようになっている。黒シェーディング補正ではCMOSイメージセンサ101が持っているDSNU(暗時出力不均一性)を正規化し、白シェーディング補正ではCMOSイメージセンサ101が持っているPRNU(明時出力不均一性)を正規化する。そして、最終的な画像データを出力する。
(パルス生成回路103−1)
パルス生成回路103−1は、水晶発振器104からの基準CLKを基準として、各部で必要なパルス信号を生成する。更に、パルス生成回路103−1は、各部へ供給するパルスの位相調整が出来るようになっている。
パルス生成回路103−1は、水晶発振器104からの基準CLKを基準として、各部で必要なパルス信号を生成する。更に、パルス生成回路103−1は、各部へ供給するパルスの位相調整が出来るようになっている。
図4に、パルス生成回路103−1の詳細な構成例のブロック図を示す。
PLL401は、水晶発振器104からのCLK入力と、PLL401のFB(フィードバック)入力に入力される、PLL401が出力するCLKを分周器402で分周した信号(本件の分周器は8分周を行っている)を比較する。この比較により、水晶発振器104からのCLK入力の8逓倍の周波数のクロックを出力する構成となっている。ここでの周波数は、入力の8倍に限られる物ではない、8倍はあくまで一例である。
パルス生成部405,406−1,407は、各回路部へ供給するCLKを生成するブロックであり、8倍となったクロックを受け、コントロール部108から設定されるパルス位相調整用レジスタ部403のデータに従ってパルスを生成できるようになっている。
図5に、パルス位相調整用レジスタ部403の設定と生成されるクロック(CLK)との対応を示す図である。
ここで、パルス位相調整用レジスタ部403の設定は、16bitのレジスタになっている。例えば“0110011001100110”(2値データ列)という設定をした場合には、基準CLKを基準として“1”でON、“0”でOFFのON/OFFを行い、図5に示すような位相及びパルス幅のCLKを生成できるようになっている。この設定を変更することで、位相を調整することが可能となっている。従って、例えば、水晶発振器104からのCLK入力を20MHzとした場合、内部動作CLKは160MHzとなり、約6.25nsec単位の調整幅でのパルス位相調整が可能となる。
なお、ここでは、PLLを使用したパルス位相調整方法を例として挙げたが、位相調整方法はこの方法に限られる物ではない、基準CLKに対して遅延線等を選択的に使用する事で位相変更したパルスを作成する方法でも良い。
また、パルス生成回路103−1は、CMOSイメージセンサ101に対して、1ラインの先頭を示すHSYNC信号を出力出来るようになっている。
図3には、生成されるHSYNC信号の例が図示されている。HSYNC生成部404は基準クロック数をカウントし、設定されたクロック数毎にHSYNC信号を生成することが出来る。
(実施形態1のパルス生成部406−1の構成例)
本実施形態では、サンプルホールド用CLKを生成するパルス生成部406−1のみが特殊な機能を有しており、2つの設定値を持つことが可能になっている。パルス生成部406−1は、HSYNC信号からクロックカウンタ406aにて基準クロック数をカウントし、設定クロック数をデコーダ406bでデコードした結果から、セレクタ406cで設定値をAからBへと自動的に切り換えることが可能である。
本実施形態では、サンプルホールド用CLKを生成するパルス生成部406−1のみが特殊な機能を有しており、2つの設定値を持つことが可能になっている。パルス生成部406−1は、HSYNC信号からクロックカウンタ406aにて基準クロック数をカウントし、設定クロック数をデコーダ406bでデコードした結果から、セレクタ406cで設定値をAからBへと自動的に切り換えることが可能である。
図6Aは、この2つの設定値を設定A,設定Bとし、画素出力期間が全体の半分の3750クロックの所で設定変更をするように設定をした際の、パルスタイミングチャートである。
CMOSイメージセンサ101の1画素目と7500画素目との信号伝送路の違いによって、図6のように出力遅延時間があった場合においても、なるべく適切な位相にてサンプルホールドを行えるようになっている。適切な位相でサンプルホールドした際の効果については後述する。
図6Bは、設定Aのパルス位相調整用レジスタ部403のデータ例と、その時に生成されるサンプルホールド用CLKを示す図である。
図6Bでは、後述するように、1画素信号の出力で8倍クロックの5番目(以下、ポイント(5)と称す)にサンプルホールド用CLKをを発生する。
図6Cは、設定Bのパルス位相調整用レジスタ部403のデータ例と、その時に生成されるサンプルホールド用CLKを示す図である。
図6Cでは、後述するように、1画素信号の出力で8倍クロックの6番目(以下、ポイント(6)と称す)にサンプルホールド用CLKをを発生する。
このような構成で各回路を動作させ、CMOSイメージセンサ101からの画像信号を処理するようになっている。
<実施形態1におけるCMOSイメージセンサの出力波形のサンプルホールドの動作例>
図7は、各部の動作クロックと、CMOSイメージセンサ101の出力波形と、サンプルホールド用CLK等の詳細関係を示した図である。
図7は、各部の動作クロックと、CMOSイメージセンサ101の出力波形と、サンプルホールド用CLK等の詳細関係を示した図である。
図7のように、本件のCMOSイメージセンサ101はセンサ駆動用CLKの1CLKで2画素分が出力される構成となっている。
図8は、CMOSイメージセンサ101の出力信号とサンプルホールド用CLKとの関係をクローズアップした図である。
図8で、(1)〜(8)で示すのは、センサ駆動用CLKの1画素区間における8倍CLKに順番を付けたものである。図8には、1画素出力期間とセンサ駆動用CLKの1画素区間とが一致する、CMOSイメージセンサ101からの出力とサンプリングホールドとの間に遅延の無い理想的な場合が示されている。
CMOSイメージセンサ101の出力信号には、まず、1画素毎に信号が立ち上がり期間(図8では、8倍CLKの3つ分)がある。次に、反射率の高い原稿を読み込んだ際は図8中の“高”のような信号波形が出力され、反射率が低い原稿を読み込んだ際は図8中の“低”のような信号波形が出力される出力が安定的にサンプルホールドできる期間(図8では、8倍CLKの2つ分)がある。最後に、信号立下り期間(図8では、8倍CLKの3つ分)があり、次の画素へと繋がる波形となっている。なお、この信号出力波形はあくまで一例であり、CMOSイメージセンサ101の画素ブロックのバッファAMPの特性や信号伝送路のインピーダンス特性などによっても変わる場合がある。
例えば、図9Aには、遅延の少ないCMOSイメージセンサ101の1画素目の出力波形が示されている。一方、図9Bには、信号伝送路による遅延のある7500画素目の出力波形が示されている。その他諸条件(センサ内部のインピーダンス特性の違い等)によっても、画素毎に波形が異なる場合がある。
本実施例では、例えば、1画素目〜3750画素までは図9Aのようにポイント(5)のタイミングにサンプルホールドし、3751画素目〜7500画素目までは図9Bのようにポイント(6)のタイミングにサンプルホールドするように制御される。
図10に、上述したCMOSイメージセンサ101の出力信号をサンプルホールド回路102でサンプルホールドする際のサンプルホールド位相による読み取り特性の差の一例を示す。ここで、図11は、サンプルホールドにおける特性を測定するために使用されるグレースケールチャートである。
図11のようなグレースケールチャートを読み込んだ際、理想的なポイント(例えば、図8のポイント(5))でサンプルホールドした場合と、理想的でないポイント(例えば、図8のポイント(3))でサンプルホールドした場合の特性は、図10のようになる。すなわち、理想的でないポイントでサンプルした際には、階調特性(原稿反射率とサンプルホーリド回路の出力との対応)が崩れ、読み取りレベルピーク値が下がり、各回路等で乗るノイズ成分に対する信号比が下がり、最終画像出力のS/N劣化を招くこととなる。
<本実施例のデジタル画像読取装置の構成例>
図12に、本発明のサンプルホールドパルスタイミング調整方法を適用可能な一般的なデジタル画像読取装置の構成例を示す。
図12に、本発明のサンプルホールドパルスタイミング調整方法を適用可能な一般的なデジタル画像読取装置の構成例を示す。
ここでは、CMOSイメージセンサ101にてグレースケールチャートを読み取る際の構成の一例について説明する。
図12において、以下の構成要素を含む。原稿を載置するための原稿ガラス1602を含む。また、ランプ1605、ミラー1606を有する光学台1607を含む。また、ミラー1608、ミラー1609を有する光学台1610を含む。また、レンズ1611、CMOSイメージセンサ101、図示しない光学モータ1613を筺体1614の各部に備えている。
図12中、1601はグレースケールチャートを示し、CMOSイメージセンサ101の1画素〜7500画素全ての画素にて読み取れるように、原稿ガラス1602上に載置する。
光学台1607に配置されたランプ1605は、原稿ガラス面に対して光を照射する。光学台1607に配置されたミラー1606は、グレースケールチャート1601によって反射されたランプ1605からの光を反射する。光学台1610に配置されたミラー1608、1609は、光学台1607のミラー1606によって反射された光を反射させレンズ1611に向ける。レンズ1611は、光学台1610によって導かれる原稿ガラス面からの光を集光する。レンズ1611によって集光された原稿ガラス面からの光を受ける位置に、CMOSイメージセンサ101を配置する。
この構成を用いて、図示しない光学モータ1613を駆動することにより、光学台1607,1610を副走査方向に走査させる。そして、副走査方向に走査させながらグレースケールチャート1601をCMOSイメージセンサ101にて読み取り、前述した読み取り特性を取得することが出来るようになっている。
<実施形態1の効果>
ここで、CMOSイメージセンサ101の1画素目と7500画素目の信号伝送路の違いによって、図9A及び図9Bに示すような出力波形の差がある場合を想定する。このような場合であっても、本件のような構成をとれば、パルス生成部406−1によって、1画素目付近ではサンプルホールドパルスをポイント(5)の位置と設定しておき、7500画素目付近ではサンプルホールドパルスをポイント(6)の位置に設定できる。その結果、常に適切なサンプルホールドパルス位置でサンプルホールドを行うことが可能となり、階調特性の良い、S/Nの安定した画像の品質低下の無い画像読み取りを可能とする。
ここで、CMOSイメージセンサ101の1画素目と7500画素目の信号伝送路の違いによって、図9A及び図9Bに示すような出力波形の差がある場合を想定する。このような場合であっても、本件のような構成をとれば、パルス生成部406−1によって、1画素目付近ではサンプルホールドパルスをポイント(5)の位置と設定しておき、7500画素目付近ではサンプルホールドパルスをポイント(6)の位置に設定できる。その結果、常に適切なサンプルホールドパルス位置でサンプルホールドを行うことが可能となり、階調特性の良い、S/Nの安定した画像の品質低下の無い画像読み取りを可能とする。
[実施形態2]
実施形態2は、実施形態1の構成に加えて、後述する複数の機能を追加した構成にて説明する。CMOSイメージセンサ101では、実施形態1で説明したような信号伝送路の距離の違いによる遅延時間のばらつきだけでなく、画素毎に持っているバッファAMPのばらつきによっても遅延時間がばらつく場合がある。このようなばらつきによって生じる画素毎のサンプルホールドタイミングのばらつきは、実施形態1で説明したような構成だけでは低減出来ない。
実施形態2は、実施形態1の構成に加えて、後述する複数の機能を追加した構成にて説明する。CMOSイメージセンサ101では、実施形態1で説明したような信号伝送路の距離の違いによる遅延時間のばらつきだけでなく、画素毎に持っているバッファAMPのばらつきによっても遅延時間がばらつく場合がある。このようなばらつきによって生じる画素毎のサンプルホールドタイミングのばらつきは、実施形態1で説明したような構成だけでは低減出来ない。
<実施形態2の画像読取装置の構成例>
本実施形態2では、図13に示すような画像処理構成を使用する。なお、図13で、実施形態1と同様の要素には同じ参照番号を付している。
本実施形態2では、図13に示すような画像処理構成を使用する。なお、図13で、実施形態1と同様の要素には同じ参照番号を付している。
実施形態1と異なるのはA/D変換回路106の出力をコントロール部108でモニターできるようになっている部分130である。そして、コントロール部108には、予め適切に設定された各画素に対応するサンプルホールドタイミングを一次記憶する、サンプルホールドパルス位置記憶部108aが用意されている。また、パルス生成回路103−2は、パルス位相調整用レジスタ部403に記憶された16ビットデータに基づき画素毎のサンプルホールドタイミングでサンプルホールド用CLKを発生する。
(パルス生成回路103−2)
図14は、実施形態2のパルス生成回路103−2の詳細な構成例のブロック図である。
図14は、実施形態2のパルス生成回路103−2の詳細な構成例のブロック図である。
ここで、パルス生成部406−2では、HSYNC信号からクロックカウンタ406aにて基準クロック数をカウントし、各クロック数(画素数に対応する)に対応してセレクタ406eで設定値を順次に自動的に切り換えることが可能である。かかる画素単位のパルス位相調整用データの設定には、種々の方法が考えられる。本例では、パルス位相調整用レジスタ部403に全画素のパルス位相調整用データを予めセットしておき、クロックカウンタ406aからのカウンと値(画素数)に従って選択する構成である。
<実施形態2のサンプルホールドパルス位置の作成例>
ここで、サンプルホールドパルス位置記憶部108aのサンプルホールドパルス位置の作成方法を示す。
ここで、サンプルホールドパルス位置記憶部108aのサンプルホールドパルス位置の作成方法を示す。
以下、図17のサンプルホールドパルス位置の作成手順例のフローチャートに従って説明する。なお、図17のフローチャートは、コントロール部108を構成するメモリ内のプログラムであり、かかるプログラムを不図示のCPUが実行する。
コントロール部108は、実施形態1と同様のタイミングでパルス生成回路103−2を制御し、CMOSイメージセンサ101、A/D変換回路106を駆動する(S1501)。サンプルホールドのポイントは、例えば所定の位相として図8のポイント(5)の位置で駆動する(S1502)。図11に示すようなグレースケールチャートを、図12で前述した画像読取装置を用いて、全ての画素で読み取る(S1503)。
ここで、後述する適切な位相が確認出来ていない全ての画素について各画素毎の階調特性をモニターして、階調特性が所定の許容範囲内にあるか否かをチェックする(S1504)。階調特性の許容範囲とは、図15に示す斜線の範囲である。読み取った階調特性が許容範囲内である画素については、その時のサンプルホールドポイントが適切な位相として、コントロール部108のサンプルホールドパルス位置記憶部108aに位相設定値として記憶しておく(S1505)。サンプルホールドパルス位置記憶部108aにおける記憶形式の一例は、パルス位相調整用レジスタ部403と同様に、図16に示す形式である。
ここで、全ての画素の位相設定値が決定したかを確認する(S1506)。全ての画素の位相設定値が決定していない場合(S1506のNO)、更にサンプルホールドポイントを予め決められた順番で設定変更する(S1507)。なお、設定変更は、例えば、ポイント(5)の次はポイント(6)などと予め順番を決めておく。そして、ステップS1503に戻って、前回のサンプルホールドポイントで許容範囲に入らなかった画素についてのみ、サンプルホールドポイントを変更し同様の測定を行う。
上記動作を全ての画素が許容範囲内に入るまで継続する。全ての画素のサンプルホールドポイントを測定すれば(S1506のYES)、全画素のサンプルホールドポイントを記憶するサンプルホールドパルス位置記憶部108aからパルス位相調整用レジスタ部403へ設定する(S1507)。実施形態2のパルス位相調整用レジスタ部403は、設定値をCMOSイメージセンサ101の画素数(7500画素)分記憶できるように構成されている。パルス位相調整用レジスタ部403の構成も、図16の形式でよい。
全画素の設定値が設定された後は、図14でパルス生成部406−2はクロックカウンタ406aのカウンタ値に合わせて、画素毎にパルス設定値をパルス位相調整用レジスタ部403から読み出し、設定変更できるようになる。実際に画像を読み込む際、パルス生成部406−2は、HSYNC信号から基準クロックのクロック数をクロックカウンタ406aにてカウントし、カウンタ値に合わせて出力画素に合わせたサンプルホールドパルスをサンプルホールド回路102に供給する。
<実施形態2の効果>
本件のような構成をとれば、画素毎に出力信号波形が異なってしまった場合にも、常に適切なサンプルホールドパルス位置でサンプルホールドを行うことが可能となる。すなわち、CMOSイメージセンサの1画素目と7500画素目に信号伝送路の違いや、画素毎に持っているバッファAMPのばらつきにより、画素毎に出力信号波形が異なってしまった場合にも、対応が可能である。
本件のような構成をとれば、画素毎に出力信号波形が異なってしまった場合にも、常に適切なサンプルホールドパルス位置でサンプルホールドを行うことが可能となる。すなわち、CMOSイメージセンサの1画素目と7500画素目に信号伝送路の違いや、画素毎に持っているバッファAMPのばらつきにより、画素毎に出力信号波形が異なってしまった場合にも、対応が可能である。
なお、本例では、パルス位相調整用レジスタ部403に全画素のパルス位相調整用データを予めセットしたが、必要なパルス位相調整用データを予めセットしておき、選択するように構成してもよい。
Claims (8)
- 複数画素の信号を出力するCMOSイメージセンサと、
前記CMOSイメージセンサからの信号をサンプルホールドするサンプルホールド回路と、
前記サンプルホールド回路にサンプルホールドパルスを供給するパルス生成回路と、
前記サンプルホールド回路に供給するサンプルホールドパルスの位相を、前記CMOSイメージセンサの画素の位置に対応する出力信号の特性に対応したタイミングに調整する位相調整手段を有することを特徴とする画像読取装置。 - 前記CMOSイメージセンサの画素の位置に対応する出力信号の特性は、前記CMOSイメージセンサからの出力信号の遅延時間であって、
前記位相調整手段は、
複数のサンプルホールドパルスの位相を記憶する記憶手段と、
画素の位置に対応して前記記憶手段からの読み出しを切り替えて、前記複数のサンプルホールドパルスの位相を切り替える手段とを有することを特徴とする請求項1に記載の画像読取装置。 - 前記CMOSイメージセンサの画素の位置に対応する出力信号の特性は、各画素に対応する出力信号の特性であって、
前記位相調整手段は、
各画素に適切なサンプルホールドパルスの位相を取得する取得手段と、
各画素に対応して前記取得手段で取得したサンプルホールドパルスの位相を記憶する記憶手段と、
前記記憶手段から読み出したサンプルホールドパルスの位相となるよう、各画素に対応してサンプルホールドパルスの位相を調整する手段とを有することを特徴とする請求項1に記載の画像読取装置。 - 前記取得手段は、
所定のサンプルホールドパルスの位相でグレースケールチャートを読み込む手段と、
CMOSイメージセンサからの各画素の出力信号の階調特性が所定の範囲内の入るようにサンプルホールドパルスの位相を変えて、階調特性が所定の範囲内の入るサンプルホールドパルスの位相を取得する手段とを有することを特徴とする請求項3に記載の画像読取装置。 - 前記サンプルホールドパルスの位相は、位相の調整幅に対応するクロックのON/OFFを選択するCMOSイメージセンサの1画素出力期間の幅の2値データ列により調整されることを特徴とする請求項2または3に記載の画像読取装置。
- 複数画素の信号を出力するCMOSイメージセンサと、前記CMOSイメージセンサからの信号をサンプルホールドするサンプルホールド回路と、前記サンプルホールド回路にサンプルホールドパルスを供給するパルス生成回路とを有する画像読取装置のサンプルホールドパルスタイミング調整方法であって、
前記サンプルホールド回路に供給するサンプルホールドパルスの位相を、前記CMOSイメージセンサの画素の位置に対応する出力信号の特性に対応したタイミングに調整する位相調整工程を有し、
前記CMOSイメージセンサの画素の位置に対応する出力信号の特性は、前記CMOSイメージセンサからの出力信号の遅延時間であって、
前記位相調整工程は、
複数のサンプルホールドパルスの位相を記憶手段に記憶する記憶工程と、
画素の位置に対応して前記記憶手段からの読み出しを切り替えて、前記複数のサンプルホールドパルスの位相を切り替える工程とを有することを特徴とする画像読取装置のサンプルホールドパルスタイミング調整方法。 - 複数画素の信号を出力するCMOSイメージセンサと、前記CMOSイメージセンサからの信号をサンプルホールドするサンプルホールド回路と、前記サンプルホールド回路にサンプルホールドパルスを供給するパルス生成回路とを有する画像読取装置のサンプルホールドパルスタイミング調整方法であって、
前記サンプルホールド回路に供給するサンプルホールドパルスの位相を、前記CMOSイメージセンサの画素の位置に対応する出力信号の特性に対応したタイミングに調整する位相調整工程を有し、
前記CMOSイメージセンサの画素の位置に対応する出力信号の特性は、各画素に対応する出力信号の特性であって、
前記位相調整工程は、
各画素に適切なサンプルホールドパルスの位相を取得する取得工程と、
各画素に対応して前記取得工程で取得したサンプルホールドパルスの位相を記憶手段に記憶する記憶工程と、
前記記憶手段から読み出したサンプルホールドパルスの位相となるよう、各画素に対応してサンプルホールドパルスの位相を調整する工程とを有することを特徴とする画像読取装置のサンプルホールドパルスタイミング調整方法。 - 前記取得工程は、
所定のサンプルホールドパルスの位相でグレースケールチャートを読み込む工程と、
CMOSイメージセンサからの各画素の出力信号の階調特性が所定の範囲内の入るようにサンプルホールドパルスの位相を変えて、階調特性が所定の範囲内の入るサンプルホールドパルスの位相を取得する工程とを有することを特徴とする請求項7に記載の画像読取装置のサンプルホールドパルスタイミング調整方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008241691A JP2010074673A (ja) | 2008-09-19 | 2008-09-19 | 画像読取装置のサンプルホールドパルスタイミング調整方法及び画像読取装置 |
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013081172A (ja) * | 2011-09-30 | 2013-05-02 | Konica Minolta Laboratory Usa Inc | 能動的照明媒体のスキャン |
US11290669B2 (en) | 2019-04-19 | 2022-03-29 | Canon Kabushiki Kaisha | Image reading apparatus and image forming apparatus |
-
2008
- 2008-09-19 JP JP2008241691A patent/JP2010074673A/ja not_active Withdrawn
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