JP2010068262A - Electronic volume - Google Patents
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本発明は抵抗ラダー型の電子ボリウムに係り、特に、スイッチの切り替え時の歪や切り替えノイズの低減等を図った電子ボリウムに関する。 The present invention relates to a resistance ladder type electronic volume, and more particularly, to an electronic volume that reduces distortion at the time of switching a switch, reduces switching noise, and the like.
図8に従来の電子ボリウム回路を示す。従来の電子ボリウムとして、重み付け方式を採用した構成の回路がある。図8において、INは信号入力端子、R1〜R10は抵抗、S1〜S10はスイッチ、5は電圧ホロワ構成の出力バッファ、OUTは信号出力端子である。 FIG. 8 shows a conventional electronic volume circuit. As a conventional electronic volume, there is a circuit having a configuration employing a weighting method. In FIG. 8, IN is a signal input terminal, R1 to R10 are resistors, S1 to S10 are switches, 5 is an output buffer having a voltage follower configuration, and OUT is a signal output terminal.
図8に示す電子ボリウムでは、スイッチS1〜S4のいずれか1つを選択してオンさせることにより、抵抗R1〜R4の抵抗群を1dBステップ構成の抵抗値に設定と、0〜−3dBの減衰量を実現することができる。また、スイッチS5〜S10のいずれか1つを選択してオンさせることにより、抵抗R5〜R10の抵抗群を4dBステップ構成の抵抗値に設定すると、−4〜−20dBの減衰量を実現することができる。したがって、スイッチ群S1〜S4の内のいずれか1つのスイッチと、スイッチS5〜S10の内のいずれか1つのスイッチをそれぞれオンすることによって、1dBステップで0〜−23dBの減衰量を実現することができる。このような重み付け方式の電子ボリウムとして例えば特許文献1に記載がある。
図8に示す電子ボリウムで、スイッチS1とスイッチS5をオンさせて減衰量0dBを実現する場合、スイッチS5に接続されている出力バッファ5は入力インピーダンスが大きく電流が流れないためスイッチS5のオン抵抗r5が影響を与えることは無い。しかし、スイッチS1は抵抗R5〜R10に接続されており、スイッチS1に電流が流れ、スイッチS1のオン抵抗r1が抵抗分圧比に影響を与えるので、抵抗R5〜R10で決まる減衰量とは違った減衰量になってしまう。
In the electronic volume shown in FIG. 8, when the switch S1 and the switch S5 are turned on to realize the attenuation of 0 dB, the
また、入力振幅により電流が変化し、スイッチS1のオン抵抗r1が変動するため、結果として振幅の大きさに応じて波形歪も大きくなってしまう。同様にスイッチS2〜S4を選択した場合においても、抵抗R5〜R10の分圧で減衰量が決定されるため、波形歪が生じる。このように前段のスイッチS1〜S4のオン抵抗を小さくし波形歪の影響を低減するには、そのスイッチを構成するMOSトランジスタ等のサイズを大きくする必要が生じ、電子ボリウムが大型化するという問題があった。 In addition, since the current varies with the input amplitude and the on-resistance r1 of the switch S1 varies, the waveform distortion also increases as a result of the amplitude. Similarly, when the switches S2 to S4 are selected, the amount of attenuation is determined by the partial pressure of the resistors R5 to R10, so that waveform distortion occurs. Thus, in order to reduce the on-resistance of the switches S1 to S4 in the previous stage and reduce the influence of the waveform distortion, it is necessary to increase the size of the MOS transistor or the like constituting the switch, and the electronic volume is increased. was there.
本発明は、上記問題点を解消し、スイッチを構成する半導体素子のサイズを大きくすることなしに、上記した問題を解決した電子ボリウムを提供することを目的とする。 An object of the present invention is to provide an electronic volume which solves the above-mentioned problems without solving the above-mentioned problems and without increasing the size of a semiconductor element constituting the switch.
上記目的を達成するため、本願請求項1に係る発明は、信号入力端子に直列に接続された少なくとも1つの第1の抵抗器と、該第1の抵抗器の他端が出力端子に接続するとともに、該他端と基準電位との間に直列に接続されたn個の抵抗器と、前記n個の抵抗器のそれぞれの接続点に、一端を接続し、他端を前記基準電位に接続したn個のスイッチとを備えたことを特徴とする。 In order to achieve the above object, according to the first aspect of the present invention, at least one first resistor connected in series to a signal input terminal and the other end of the first resistor are connected to an output terminal. In addition, n resistors connected in series between the other end and a reference potential, and one end connected to each connection point of the n resistors, and the other end connected to the reference potential And n switches.
本願請求項2に係る発明は、請求項1記載の電子ボリウムであって、前記第1の抵抗器と前記出力端子との接続点と前記基準電圧との間に直列に接続したm個の抵抗器と、前記m個の抵抗器のそれぞれの接続点に一端を接続し、他端を前記基準電位に接続したm個のスイッチとを備えたことを特徴とする。
The invention according to
本願請求項3に係る発明は、請求項1又は2いずれか記載の電子ボリウムであって、前記n個の抵抗器のそれぞれの接続点と前記n個のスイッチとの間、あるいは前記m個の抵抗器のそれぞれの接続点と前記m個のスイッチとの間に、それぞれ別の抵抗器を備えたことを特徴とする。
The invention according to
本願請求項4に係る発明は、請求項1乃至3いずれか記載の電子ボリウムであって、前記スイッチをMOSトランジスタで構成することを特徴とする。
The invention according to
本発明は、減衰量を設定する切り替えスイッチの一端を基準電位で共通接続することによって、そのスイッチの両端にかかる電圧を少なくし、スイッチの電圧依存性による歪率への影響を軽減することができる。それに伴い、スイッチの小型化が可能となり、寄生容量が低減できるため、切り替えノイズも低減することができる。特に、切り替えスイッチをMOSトランジスタで構成すると、発生する波形歪を低減し、切り替えノイズの低減が可能となる。これは、前述の従来例で説明した図8に示す電子ボリウムと比較して、MOSトランジスタの面積の増大を招くことなく、波形歪および切り替えノイズの低減の効果を得られるため、特性のほかにコストパフォーマンスにおいて非常に有利となる。 In the present invention, one end of a changeover switch for setting an attenuation amount is commonly connected at a reference potential, thereby reducing the voltage applied to both ends of the switch and reducing the influence on the distortion due to the voltage dependency of the switch. it can. Accordingly, the switch can be miniaturized and the parasitic capacitance can be reduced, so that switching noise can also be reduced. In particular, when the changeover switch is composed of MOS transistors, the waveform distortion that occurs can be reduced, and the changeover noise can be reduced. Compared with the electronic volume shown in FIG. 8 described in the above-mentioned conventional example, this can reduce the waveform distortion and switching noise without increasing the area of the MOS transistor. This is very advantageous in terms of cost performance.
図1は、本発明の電子ボリウムの原理を説明するためのブロック図である。図1において、1は信号入力端子、2は信号出力端子、3は基準電位、R(0)〜R(n)は抵抗、S(1)〜S(n)はスイッチである。 FIG. 1 is a block diagram for explaining the principle of the electronic volume of the present invention. In FIG. 1, 1 is a signal input terminal, 2 is a signal output terminal, 3 is a reference potential, R (0) to R (n) are resistors, and S (1) to S (n) are switches.
図1に示すように本発明の電子ボリウムは、信号入力端子1と信号出力端子2の間に、直列に抵抗R(0)が接続し、抵抗R(0)と信号出力端子2の接続点と基準電位3との間に、n個の抵抗R(1)〜R(n)が直列に接続している。そして、抵抗R(1)〜R(n)のそれぞれの接続点と基準電位3との間にn個のスイッチS(1)〜S(n)が接続する構成となっている。
As shown in FIG. 1, the electronic volume of the present invention has a resistor R (0) connected in series between a
このように構成することによって、信号入力端子1に信号入力した際、スイッチS1〜S(n)の入力側は、抵抗R(0)〜R(n−1)により信号レベルが減衰しており、スイッチS(1)〜S(n)の出力側は、基準電位3に接続する構成とすることで、スイッチ間に生じる電位差が小さくなる。その結果、波形歪を大幅に低減することが可能となる。
With this configuration, when a signal is input to the
また、スイッチ(1)〜S(n)がオン状態からオフ状態に変更するときに、切り替えノイズがスイッチ(1)〜S(n)の入力側で発生し、この切り替えノイズが出力側にそのまま伝送される。その切り替えノイズは、不快なノイズとして人に認識されることになるが、本発明では、スイッチS(1)〜S(n)の入力側で発生した切り替えノイズは、抵抗R(1)〜R(n)により低減される。その結果、スイッチS(1)〜S(n)まで徐々に減衰量を増やしていく時、切り替えノイズもその減衰量に応じて低減されるため、切り替えノイズの低減に対して大きな効果が期待できる。以下、本発明の実施例について、詳細に説明する。 Further, when the switches (1) to S (n) are changed from the on state to the off state, switching noise is generated on the input side of the switches (1) to S (n), and this switching noise is left on the output side as it is. Is transmitted. The switching noise is recognized as unpleasant noise by humans. In the present invention, the switching noise generated on the input side of the switches S (1) to S (n) is the resistance R (1) to R. Reduced by (n). As a result, when the attenuation amount is gradually increased from the switches S (1) to S (n), the switching noise is also reduced according to the attenuation amount, so that a great effect can be expected for the reduction of the switching noise. . Examples of the present invention will be described in detail below.
図2は、本発明の第1の実施例である電子ボリウムである。信号入力端子と信号出力端子の間に、直列に抵抗R1が接続し、抵抗R1と信号出力端子2の接続点と基準電位との間に、抵抗R2〜R6が直列に接続している。そして、抵抗R2〜R6のそれぞれの接続点と基準電位3との間に、スイッチS1〜S5が接続する構成となっている。抵抗R7は出力端子に接続するインピーダンスに相当する。
FIG. 2 shows an electronic volume according to the first embodiment of the present invention. A resistor R1 is connected in series between the signal input terminal and the signal output terminal, and resistors R2 to R6 are connected in series between the connection point of the resistor R1 and the
本実施例では、スイッチS1〜S5のいずれか一つがオン状態となり、減衰量が設定される。信号入力端子1より信号が入力し、オン状態のスイッチの入力側では抵抗R1及び対応する抵抗R2〜R6及び抵抗R7で信号レベルが減衰される。具体的には、スイッチS1がオン状態の場合、抵抗1乃至抵抗7で信号レベルが減衰され、スイッチS5がオン状態の場合、抵抗R1、R2及び抵抗R7で信号レベルが減衰される。
In the present embodiment, any one of the switches S1 to S5 is turned on, and the attenuation amount is set. A signal is input from the
本実施例では、スイッチの出力側は基準電位に接続しているため、スイッチ間に生じる電位差が小さくなる。具体的には、このスイッチをMOSトランジスタで構成すると、入力レベルやスイッチ間の電位差が小さい時、MOSトランジスタのオン抵抗は変動が少なくなり、通常の線形特性を示す抵抗として扱うことができる。前述の従来例のスイッチをMOSトランジスタで構成した場合に比べ、同じサイズのMOSトランジスタを使用したとしても波形歪が大幅に軽減できる。 In this embodiment, since the output side of the switch is connected to the reference potential, the potential difference generated between the switches is reduced. Specifically, when this switch is formed of a MOS transistor, when the input level or the potential difference between the switches is small, the on-resistance of the MOS transistor is less fluctuated and can be handled as a resistor exhibiting normal linear characteristics. Compared with the case where the conventional switch is composed of MOS transistors, the waveform distortion can be greatly reduced even if MOS transistors of the same size are used.
また、スイッチがオン状態からオフ状態に変更するときに、切り替えノイズがスイッチS1〜S5の入力側から発生し、この切り替えノイズが出力にそのまま伝送されると、不快なノイズとして人に認識されるが、このとき、スイッチのS1〜S5の入力側で発生した切り替えノイズは抵抗R2〜R6と後段に接続する抵抗R7の抵抗分割により低減される。このためS1からS5まで徐々に減衰量を増やしていく時、切り替えノイズもその減衰量に応じて抵抗分割により低減されるため切り替えノイズの低減に対して大きな効果が期待できる。 Further, when the switch is changed from the on state to the off state, switching noise is generated from the input side of the switches S1 to S5, and when this switching noise is transmitted to the output as it is, it is recognized as unpleasant noise by humans. However, at this time, the switching noise generated on the input side of the switches S1 to S5 is reduced by the resistance division of the resistors R2 to R6 and the resistor R7 connected to the subsequent stage. For this reason, when the attenuation amount is gradually increased from S1 to S5, the switching noise is also reduced by resistance division according to the attenuation amount, so that a great effect can be expected for the reduction of the switching noise.
同様に図3は、本発明の第2の実施例である。図3において、R1〜R11は抵抗、S1〜S9はスイッチである。本実施例は、前述の第1の実施例で説明した直列に接続した複数の抵抗と、そのそれぞれの接続点と基準電位との間に接続した複数のスイッチからなる回路を並列に2つ接続した構成となっている。なお、図3では直列に接続した抵抗の数は、図2の場合より、1つ少ない例について説明している。 Similarly, FIG. 3 shows a second embodiment of the present invention. In FIG. 3, R1 to R11 are resistors, and S1 to S9 are switches. In this embodiment, two circuits connected in parallel are connected in parallel, each of a plurality of resistors connected in series described in the first embodiment and a plurality of switches connected between the respective connection points and a reference potential. It has become the composition. Note that FIG. 3 illustrates an example in which the number of resistors connected in series is one less than in the case of FIG.
図4は、本発明の第3の実施例である。図4において、R1〜R10は抵抗、S1〜S9はスイッチである。本実施例は、前述の第1の実施例で説明した抵抗R2〜R6と、そのそれぞれの接続点と図示しない出力端子との間に、スイッチS6〜S9を接続した構成となっている。 FIG. 4 shows a third embodiment of the present invention. In FIG. 4, R1 to R10 are resistors, and S1 to S9 are switches. In this embodiment, the switches R6 to S9 are connected between the resistors R2 to R6 described in the first embodiment and their connection points and output terminals (not shown).
更に図5及び図6に示すように、本発明の原理を逸脱しない範囲で、種々の回路構成を採用することが可能である。 Furthermore, as shown in FIGS. 5 and 6, various circuit configurations can be employed without departing from the principle of the present invention.
1;信号入力端子、2;信号出力端子、3;基準電位、5;出力バッファ、R1〜R26;抵抗器、S1〜S21;スイッチ 1; signal input terminal, 2; signal output terminal, 3; reference potential, 5; output buffer, R1 to R26; resistor, S1 to S21; switch
Claims (4)
該第1の抵抗器の他端が出力端子に接続するとともに、該他端と基準電位との間に直列に接続されたn個の抵抗器と、
前記n個の抵抗器のそれぞれの接続点に、一端を接続し、他端を前記基準電位に接続したn個のスイッチとを備えたことを特徴とする電子ボリウム。 At least one first resistor connected in series to the signal input terminal;
The other end of the first resistor is connected to the output terminal, and n resistors connected in series between the other end and a reference potential;
An electronic volume, comprising: n switches having one end connected to each connection point of the n resistors and the other end connected to the reference potential.
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WO2012018065A1 (en) | 2010-08-05 | 2012-02-09 | 塩野義製薬株式会社 | Process for preparing compound having hiv integrase inhibitory activity |
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2008
- 2008-09-11 JP JP2008232837A patent/JP2010068262A/en active Pending
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