JP2010061174A - 加工物にパターン形成するための方法及び装置、並びにその製造方法 - Google Patents

加工物にパターン形成するための方法及び装置、並びにその製造方法 Download PDF

Info

Publication number
JP2010061174A
JP2010061174A JP2009285070A JP2009285070A JP2010061174A JP 2010061174 A JP2010061174 A JP 2010061174A JP 2009285070 A JP2009285070 A JP 2009285070A JP 2009285070 A JP2009285070 A JP 2009285070A JP 2010061174 A JP2010061174 A JP 2010061174A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
radiation
phase
layer
exemplary embodiment
reflective
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2009285070A
Other languages
English (en)
Other versions
JP5047259B2 (ja
Inventor
Ulric Ljungblad
リュングブラッド、ウルリック
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Micronic Laser Systems AB
Original Assignee
Micronic Laser Systems AB
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Micronic Laser Systems AB filed Critical Micronic Laser Systems AB
Publication of JP2010061174A publication Critical patent/JP2010061174A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5047259B2 publication Critical patent/JP5047259B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B5/00—Optical elements other than lenses
    • G02B5/18—Diffraction gratings
    • G02B5/1866—Transmission gratings characterised by their structure, e.g. step profile, contours of substrate or grooves, pitch variations, materials
    • G02B5/1871—Transmissive phase gratings
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B26/00—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B26/00—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements
    • G02B26/08—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements for controlling the direction of light
    • G02B26/0816—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements for controlling the direction of light by means of one or more reflecting elements
    • G02B26/0833—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements for controlling the direction of light by means of one or more reflecting elements the reflecting element being a micromechanical device, e.g. a MEMS mirror, DMD
    • G02B26/0841—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements for controlling the direction of light by means of one or more reflecting elements the reflecting element being a micromechanical device, e.g. a MEMS mirror, DMD the reflecting element being moved or deformed by electrostatic means
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70216—Mask projection systems
    • G03F7/70283—Mask effects on the imaging process
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70216—Mask projection systems
    • G03F7/70283—Mask effects on the imaging process
    • G03F7/70291—Addressable masks, e.g. spatial light modulators [SLMs], digital micro-mirror devices [DMDs] or liquid crystal display [LCD] patterning devices

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Mechanical Light Control Or Optical Switches (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Micromachines (AREA)

Abstract

【解決課題】傾斜マイクロミラーからの電磁放射に位相差を導入することが、例えば、完全又は実質的に完全な正の振幅に加えて、完全又は実質的に完全な負の振幅を含むことができるようにアドレス指定可能振幅領域を拡張する。
【解決手段】放射を生成する第１及び第２の部分を使用して、加工物上にパターン形成するための方法、及び前記加工物上にパターンを形成するように、且つ放射に位相差を誘発するように適合された少なくとも１つの反射デバイスを備え、前記位相差が、位相シフト・プレートとステップ高さの差との少なくとも一方によって誘発される、放射源と加工物にパターン形成するための装置。
【選択図】図１

Description

本発明の例示実施例は、リソグラフィに関する。
従来のリソグラフィ・システムでは、パターン生成に空間光変調器（ＳＬＭ）が使用される場合がある。従来のＳＬＭは、傾斜する平坦マイクロミラーを含む場合がある。マイクロミラーは、加工物上にパターンを生成するように傾斜させることができる。従来のリソグラフィ・システムの書込み品質は、マイクロミラーの平坦度に依存する場合がある。例えば、マイクロミラーの平坦性が低下することがあり、その結果、書込み品質が低下する場合がある。１つ又は複数のマイクロミラーの平坦性の増大が、より高品質のパターン生成を提供する場合がある。例えば、１つ又は複数のマイクロミラーが、より大きな平坦度を有する場合があり、書込み品質が改善する場合がある。しかし、より高い平坦度（例えば、非常に高い又は完全な平坦性）は、実現するのが困難であり、且つ／又は費用対効果が低い場合がある。
また、従来の傾斜マイクロミラーは、低い負の振幅の量を有する場合がある。負の振幅は、解像度向上を可能にするので有用である場合がある。例えば、完全又は実質的に完全な負の振幅が、例えばステッパ技術において、マスクでのクロムレス位相リソグラフィで使用される場合がある。完全又は実質的に完全な負の振幅は、より強い位相シフト効果を可能にすることができ、これは解像度向上をもたらすことができる。
本発明の例示実施例では、傾斜マイクロミラーからの電磁放射に位相差を導入することが、例えば、完全又は実質的に完全な正の振幅に加えて、完全又は実質的に完全な負の振幅を含むことができるようにアドレス指定可能振幅領域を拡張することができる。これは、完全又は実質的に完全な位相シフト解像度向上技法を可能にすることができる。
本発明の例示実施例では、傾斜軸の周りの一様な形状が、傾斜マイクロミラーの非平坦性欠陥として働く場合がある。この一様な形状は、リソグラフィ・システム内部のコントラストの低下をもたらす場合がある。位相差を導入することができる本発明の例示実施例は、一様な形状を有する場合がある非フラットなマイクロミラーに関するコントラストを高めることができる。
本発明の１つの例示実施例は、基板と、少なくとも２つの部分を含む場合がある少なくとも１つの反射面とを備える空間光変調器を提供することができる。少なくとも２つの部分は、少なくとも２つの部分によって反射される放射間に位相差を誘発する。位相差は、位相プレートと、少なくとも２つの部分間の位相ステップ高さの差との少なくとも一方によって誘発することができる。
本発明の別の例示実施例は、加工物にパターン形成するためのデバイスを製造する方法を提供することができる。間に非導電領域を設けられた複数の導電領域を含む場合がある導電層が基板上に形成される場合がある。一時層が、複数の導電領域の上に形成される場合があり、この一時層は、少なくとも１つの非導電ストッパを含む場合がある。反射層が、一時層の上に形成される場合がある。材料層が、反射層の少なくとも２つの部分の上に形成される場合がある。
本発明の別の例示実施例は、空間光変調器で使用するための反射層を製造する方法を提供することができる。一時層が、反射面の上に形成される場合がある。一時層の一部分が、放射に露出される場合があり、一時層の残りの部分が露出されない場合がある。（レジストのタイプ、すなわちネガ型かポジ型かに応じて）露出されていない一時層又は露出された一時層が除去される場合があり、一時層の残りの部分と反射面とがシフト材料で覆われる場合がある。一時層とシフト材料の関連部分とが、反射面の一部分から除去される場合がある。
本発明の別の例示実施例は、加工物にパターン形成するための方法を提供することができる。この方法は、放射を生成するステップと、生成された放射の少なくとも第１の部分と第２の部分との間に位相差を誘発するステップと、少なくとも放射の第１の部分と第２の部分とを加工物に照射するステップと、放射の第１及び第２の部分を使用して、加工物上にパターンを形成するステップとを含むことができる。
本発明の別の例示実施例は、加工物にパターン形成するための装置を提供することができる。この装置は、放射源と、少なくとも１つの反射デバイスとを備える場合がある。放射源は、放射を生成することができ、少なくとも１つの反射デバイスは、加工物上にパターンを形成することができ、且つ放射に位相差を誘発することができる。位相差は、位相シフト・プレートとステップ高さの差との少なくとも一方によって誘発することができる。
本発明の例示実施例では、加工物での放射の少なくとも２つの部分間の位相差が、放射の波長の半分、又は例えばλ／２±ｎ＊λである場合があり、ここでλは電磁放射の波長であり、ｎは自然数（例えば０、１、２、・・・）である。
本発明の例示実施例では、位相ステップ高さの差が、放射の波長の４分の１、又はλ／４±（ｎ＊λ／２）である場合があり、ここでλは電磁放射の波長であり、ｎは自然数（例えば０、１、２、・・・）である。
本発明の例示実施例では、少なくとも１つの反射面がミラーである場合がある。
本発明の例示実施例では、少なくとも１つのミラーが平坦又は非平坦ミラーである場合がある。
本発明の例示実施例では、複数の反射面が傾斜可能である場合がある。
本発明の例示実施例では、放射が、電磁放射、及び／又は紫外放射及び極端紫外放射の少なくとも１つである場合がある。
本発明の例示実施例では、少なくとも１つの位相プレートが透過性又は反射性である場合がある。
本発明の例示実施例では、複数の反射面のうち少なくとも１つの反射面の少なくとも２つの部分が隣接している場合がある。
本発明の例示実施例では、一時層がフォト・レジスト材料を含む場合がある。
本発明の例示実施例では、（レジストのタイプ、例えばネガ型かポジ型かに応じる場合がある）露出されていない感受性層又は露出された感受性層の除去が、さらに、溶液を適用するステップと、（レジストのタイプ、例えばネガ型かポジ型か応じる）露出されていない一時層又は露出された一時層を溶解するステップとを含む場合がある。
本発明の例示実施例では、一時層がさらに電磁感受性材料を含む場合がある。
本発明の例示実施例では、放射が光波の形である場合がある。
本発明の例示実施例では、少なくとも１つの反射デバイスが、さらに、放射を反射することができる第１の部分及び第２の部分を含む場合があり、第１の部分によって反射される放射が、第２の部分によって反射される放射と位相が異なる場合がある。
本発明の例示実施例では、第１の部分と第２の部分とが異なる位相ステップ高さを有する場合がある。
本発明の例示実施例では、第１の部分のステップ高さが、第２の部分のステップ高さと、例えば放射の波長の４分の１に等しい又は実質的に等しい場合がある値だけ異なる場合がある。
本発明の例示実施例は、添付図面を参照すればより明らかになろう。
本発明による加工物にパターン形成するための装置の例示実施例を示す図である。 本発明による修正された反射デバイスの例示実施例を示す図である。 本発明による修正された反射デバイスの例示実施例を示す図である。 本発明による修正された反射デバイスの例示実施例を示す図である。 本発明による修正された反射デバイスの例示実施例を示す図である。 本発明による反射デバイスの別の例示実施例を示す図である。 ステップ高さの差を含む場合がある本発明による反射デバイスの別の例示実施例を示す図である。 図３の線Ａに沿って取られた断面として見られる製造方法の例示実施例を示す図である。 図３の線Ａに沿って取られた断面として見られる製造方法の例示実施例を示す図である。 図３の線Ａに沿って取られた断面として見られる製造方法の例示実施例を示す図である。 図３の線Ａに沿って取られた断面として見られる製造方法の例示実施例を示す図である。 図３の線Ａに沿って取られた断面として見られる製造方法の例示実施例を示す図である。 図３の線Ｂに沿って取られた断面として見られる製造方法の例示実施例を示す図である。 図３の線Ｂに沿って取られた断面として見られる製造方法の例示実施例を示す図である。 図３の線Ｂに沿って取られた断面として見られる製造方法の例示実施例を示す図である。 図３の線Ｂに沿って取られた断面として見られる製造方法の例示実施例を示す図である。 図３の線Ｂに沿って取られた断面として見られる製造方法の例示実施例を示す図である。 図３の線Ｂに沿って取られた断面として見られる製造方法の例示実施例を示す図である。 図３の線Ｂに沿って取られた断面として見られる製造方法の例示実施例を示す図である。 製造方法の例示実施例の上面図である。 製造方法の例示実施例の上面図である。 製造方法の例示実施例の上面図である。 製造方法の例示実施例の上面図である。 製造方法の例示実施例の上面図である。
本発明の例示実施例を、本発明の例示実施例が図示されている添付図面を参照して、より完全に説明する。しかし、本明細書で述べる本発明の例示実施例は、本発明の精神及び範囲から逸脱することなく形態及び詳細の点で修正することができることを理解されたい。したがって、本明細書で述べる例示実施例は、限定ではなく例として提供され、本発明の範囲は、本明細書で述べる特定の実施例に限定されない。
特に、層又は領域の相対厚さ及び位置決めは、明瞭性のために縮小又は誇張される場合がある。さらに、層は、基準となる層又は基板の上に直接形成されるとき、又は基準となる層に重なる他の層又はパターンの上に形成されるときに、別の層又は基板の「上」に形成されているとみなされる。
図１を参照すると、加工物にパターンを生成するためのシステムが、本発明の１つの例示実施例によるパターン生成器を含む場合がある。パターン生成器は、個別及び／又は複数値画素アドレス指定を含むことができるＳＬＭ１と、放射源２と、イメージング・システム（例えばイメージング光学システム）３と、ハードウェア及び／又はソフトウェア・データ処理システム４とを備える場合がある。さらに、システムは、例えば制御システム６を備えるステージ５を含む場合がある。
ＳＬＭ１は、反射デバイス（すなわち、微細加工されたミラー又はマイクロミラー）を含む場合がある。反射性のＳＬＭは、例えば微細加工ＳＬＭに依拠することがある。微細加工ＳＬＭは、圧電及び／又は電歪作動を使用することができる。
ＳＬＭ１は、放射源２によって照射される場合がある。放射源２は、ＫｒＦエキシマ・レーザであってよく、これは、２４８ナノメートルの波長でＵＶ領域内での長さ１０〜２０ナノ秒の放射フラッシュを提供することができ、エキシマ・レーザの固有線幅に対応する帯域幅を有することができる。基板上のパターン歪を低減するために、放射源２からの放射を、ＳＬＭ１面の表面にわたって分散（例えば均一に分散）させることができ、光はコヒーレント長を有することができ、これは、基板５上にレーザ・スペックルを生成しない場合がある。
図１のシステムは、ステージ（例えば精密位置決め基板ステージ）５を有する場合があり、且つ制御システム（例えば干渉計位置制御システム）６を含む場合がある。第１の方向（例えばｙ方向（図示せず））で、機械システム（例えばサーボ・システム）が、ある位置にステージを維持することができ、第１の方向と垂直である場合がある第２の方向（例えばｘ方向）で、ステージは、例えば連続的な速度で移動（例えば機械的に移動）することができる。露光レーザ・フラッシュを誘発するためにｘ方向で使用されることがある制御システム６は、基板５上でＳＬＭ１の像の間に均等又は実質的に均等な位置を提供することができる。ＳＬＭ像の１つの列が基板５上に露光されると、基板５は、ｘ方向で元の位置に戻ることができ、ｙ方向でＳＬＭ像１つ分の増分だけ移動して、基板５上にＳＬＭ像の別の列を露光することができる。この手順は、基板５上に全て又は実質的に全ての像を露光することができるまで繰り返すことができる。表面は、例えば複数回のパスで書き込まれる場合があり、誤差を平均化することができる。
ＳＬＭ１は、複数の反射デバイス（例えばマイクロミラー）を含むことができる。反射デバイスは、反射デバイスに（例えば個別に）印加される場合がある電圧に応じて、入射放射を複数の方向に反射及び／又は回折するように（例えば電気的に）操作することができる。
本発明の例示実施例は、反射デバイス（例えばマイクロミラー）の形状を修正するための方法を提供することができ、これは、例えば位相シフト・アドレス指定を実現することができる。修正された反射デバイスは、図１に関して上で説明したＳＬＭ１の例示実施例で使用される場合ができる。例えば、本発明の例示実施例は、ＳＬＭ１の例示実施例の反射デバイス内部にステップ高さの差を製造する方法を提供する。
図２ａ〜２ｄは、修正された反射デバイス４００、４０６、４０８、及び４１０の例示実施例を示し、これらの反射デバイスは、ＳＬＭ１の例示実施例に含まれる場合があり、さらに、本発明による加工物にパターン形成するための装置の例示実施例に含まれる場合がある。図２ａに関して、反射デバイス４００は、平坦マイクロミラー・デバイスであってよく、この反射デバイス４００は、少なくとも２つの部分４００Ａ及び４００Ｂを含むことができる。各部分４００Ａ及び／又は４００Ｂが、その下にある電極４０４を有する場合がある。部分４００Ａ及び４００Ｂは、それぞれ反射デバイス４００の半分であってよく、電極４０４は、アドレス電極及び／又は対向電極であってよい。
電極４０４は、本明細書で論じるような複数の方法で反射デバイス４００を操作（例えば傾斜及び／又は変形）することができる。反射デバイスは、放射源２によって反射デバイス４００に照射された放射（例えば、電磁放射、光波など）を反射することができる。放射源２は、例えば、図１に例示されるようにエキシマ・レーザであってよい。位相シフト・プレート４０２が、例えば反射デバイス４００と基板５との間に位置決めされる場合があり、基板５は、例えばパターン形成するための加工物であってよい。位相シフト・プレート４０２は、部分４００Ａによって反射された放射と部分４００Ｂによって反射された放射に位相シフトを誘発することができる。反射された放射間の位相差は、互いに関して、放射の波長の半分（λ／２）に等しい又は実質的に等しい場合がある。位相シフト・プレート４０２は、例えば石英ガラスから構成することができる。
図２ｂは、本発明の別の例示実施例を示し、これは図２ａに関して説明したものと同様である場合があり、しかし図２ｂは、反射デバイス４０６を含むことができる。反射デバイス４０６は、非平坦ミラー又は同様の反射面であってよい。反射デバイス４０６は、例えば、図２ｂに例示されるように湾曲させることができる。位相シフト・プレート４０２は、例えば反射デバイス４０６と基板（図示せず）との間に位置決めすることができ、反射デバイス４０６の各部分によって反射された放射間に位相差を誘発することができる。位相差は、例えば、図２ａに関して上で説明した位相差と同様又は実質的に同様の場合がある。位相シフト・プレート４０２は、任意の適切な材料から構成することができるが、例えば石英ガラスから構成することができる。
図２ｃは、図２ｂに関して説明したものと同様の本発明の別の例示実施例を示し、しかし図２ｃは、反射デバイス４０８を含むことができ、反射デバイス４０８は、傾斜された非平坦ミラー又は同様の反射デバイスであってよい。反射デバイス４０８は、例えば上で論じたように、さらには所望の位相差を実現するのに適した任意の様式で、湾曲又は傾斜させることができる。位相シフト・プレート４０２は、例えば反射デバイス４０８と基板（図示せず）との間に位置決めすることができ、反射デバイス４０８の２つの部分によって反射された放射間に位相差を誘発することができる。位相差は、図４ｂに関して上で説明した位相差と同様又は実質的に同様の場合がある。
ミラーのための部分的にコヒーレントな反射光は、例えば複素振幅反射率によって表すことができ、複素振幅反射率は、傾斜マイクロミラーでは、所与の傾斜に関して偏向された表面にわたる積分によって得ることができる。
Figure 2010061174
ここで、Ｓはミラーの表面であり、λは波長であり、ｈは局所高さであり、ｒは局所反射である。ミラーからの強度寄与は、所与の偏向に関する複素振幅反射率の平方によって得ることができる。複素振幅空間内の複素振幅軌跡は、使用されるミラー偏向角に関する全て又は実質的に全ての複素振幅反射率をつなぐことによって得ることができる。例えば、均衡がとれた状態の、すなわちミラーの中心にある傾斜軸を有するフラットな傾斜ミラーでは、ミラーが対称性を有する場合があり、これは、正の位相方向での任意の位相変調が負の位相方向での等しい又は実質的に等しい位相変調によって打ち消される方法と同様又は実質的に同様の様式で偏向されて、平均位相の均衡を図ることができる。平均位相は、全て又は実質的に全ての傾斜角に関して保存される場合があり、これは、複素振幅空間の実数軸上にある複素振幅軌跡をもたらす場合がある。ミラーの非平坦性があるとき、対称性が破れる場合があり、複素振幅軌跡は、複素振幅空間内で実数軸から逸脱（例えば部分的に逸脱）する場合がある。非平坦ミラーに関して複素振幅空間内で点Ｒ＝０＋０ｉ（すなわち原点）に達することは、位相ステップなしでは可能でない場合がある。複素振幅軌跡に対する虚数寄与は、リソグラフィ・システムの性能低下をもたらす最終的な像での残余位相情報を有することと同様又は実質的に同様である場合がある。また、例えば位相ステップを有さないミラーが非フラットであるとき（例えばミラーが湾曲されているとき）、複素振幅反射率が０＋０ｉ（すなわち原点）に達しない場合があり、任意のミラー偏向角に関して強度がゼロ（＝黒）に達しない場合があるので、利用可能なコントラストに影響が及ぼされることもある。
図２ｂ及び２ｃに例示されるように位相ステップを導入することが、例えば、傾斜軸に関して数学的に一様な形状によって記述することができる形状を有する非傾斜の非平坦ミラーの状況を変えることができ、位相対称性を再確立することができ、ミラーの２つの側からの虚数寄与が互いに相殺する場合がある。すなわち、複素振幅反射率は、像内のより高いコントラストを維持しながら０＋０ｉ（すなわち原点）に達することができる。位相ステップは、例えば最小強度から最大強度への複素振幅軌跡全体にわたって最終的な像内の位相成分をさらに低減することができ、これは、結果としてリソグラフィ性能の改善をもたらすことができる。
図２ｄは、図２ａに関して説明したものと同様の本発明の別の例示実施例を示す。図２ｄは、傾斜された反射デバイス４１０を例示し、この反射デバイス４１０は、平坦ミラー又は同様の反射面であってよい。反射デバイス４１０は、上で論じたように、さらには所望の位相差を実現するのに適した任意の角度方向及び大きさで傾斜させることができる。位相シフト・プレート４０２は、例えば反射デバイス４１０と基板（図示せず）との間に位置決めすることができ、反射デバイス４１０の２つの部分によって反射された放射間に位相差を誘発することができる。位相差は、図２ａに関して上で説明した位相差と同様又は実質的に同様の場合がある。位相シフト・プレート４０２は、例えば石英ガラスから構成することができる。
図３は、本発明による可動超小型素子８００の例示実施例を示し、この超小型素子８００は、上で説明した方法の例示実施例を使用して製造することができ、図１のＳＬＭ１内に含まれる場合がある。可動超小型素子８００は、例えば微細加工素子であってよい。可動超小型素子８００は、例えばＳＬＭ１内の反射要素１１１にすることができる。反射要素１１１は、例えば電気入力に応じて反射要素１１１の偏向の度合いを変えるようにアナログ・モードで利用することができ、或いは、反射要素１１１のＯＮ及び／又はＯＦＦ状態を表すことができるデジタル・モードで利用することができる。ＯＮ又はＯＦＦ状態は、増加した（例えば最大）偏向及び／又はゼロ又は実質的にゼロの偏向によって定義することができる。本発明の例示実施例では、上で説明した領域１００と同様又は実質的に同様の場合がある領域１１１は、長方形反射要素であってよく、これは、少なくとも１つの（例えば１対の）ヒンジ（例えばトーション・ヒンジ）６０によって少なくとも１つの中央区域に沿って支持することができる。
反射要素１１１は、例えば、多角形、円形、又は楕円形、或いはそれらの任意の組合せであってよい。ヒンジ６０は、そこに沿った軸（例えばねじれ軸）を定義することができる。ヒンジ６０は、反射要素１１１から延在する場合があり、支持体５０によって支持される場合がある。支持体５０は、基板２０及び反射要素１１１上に位置していてよい。ヒンジ６０、支持体５０、及び／又は基板２０は、同様又は実質的に同様の材料から構成することができる。材料は、例えば、シリコン、アルミニウム、別の金属、或いはそれらの任意の合金又は他の組合せであってよく、例えば、当業者によって望まれるように例えばエッチング技法を使用して基板からエッチング除去することができる。さらに、基板２０は、電極（例えば導電アドレス電極）４０及び／又は電極（例えば任意選択の導電対向電極）３０を含む場合がある。電極４０及び電極３０は、その下にある回路（例えばＣＭＯＳ及び／又はアドレス回路）に接続することができ、この回路は基板２０（図示せず）内に含まれる場合がある。電極３０及び／又は４０は、コンデンサに接続することができ、コンデンサは、電極３０及び／又は４０に向けられる電圧（例えばアドレス電圧）を蓄えることができる。
電極３０及び／又は電極４０は、基板２０上に（例えば横方向で）間隔を空けて配置される場合があり、反射要素１１１を静電気的に引き付けることができる。ヒンジ６０は、反射要素１１１と共に回転する、且つ／又はねじれる場合があり、例えば機械エネルギーの形で復元力を提供することができる。同様又は実質的に同様の電圧、例えば接地電圧が反射要素１１１に印加されるとき、電極３０及び／又は電極４０によって、反射要素１１１をフラット（例えば非偏向）位置にすることができ、これは、電気的に引き付けない状態と言うことができる。電圧は、電極４０から電極３０へシフトさせることができ、反射要素１１１は、複数の角度方向で回転させることができる。
図４は、本発明による修正された反射デバイス９０４の例示実施例を示す。例えばＳＬＭ１上の反射デバイスの形状を操作することによって、位相シフト・アドレス指定を実現することができる。反射要素９０４は、例えば材料の層９０６を形成することによって修正することができ、これは、１つ又は複数の反射デバイス９０４の一部分によって反射される放射の、１８０度又はλ／２の所望の位相シフトに対応する場合がある。材料の層は、例えば、堆積プロセス又は任意の他の適切なプロセスを使用して形成することができる。本発明の別の例示実施例では、材料の層は、所望の位相シフト（図示せず）を得るために、別のプロセス（例えばリソグラフィ・プロセス、又は任意の他の適切なプロセス）で反射デバイス９０４の一部分から取り去ることができる。反射デバイス９０４は、反射デバイス９０４の表面の一部分９００が別の部分９０２よりも例えばλ／４高くなるように形成することができる。
位相シフト・アドレス指定は、例えばリソグラフィ・システム又は任意の他の適切なシステムの他のパラメータを変えることなく、パターン解像度の増加を可能にすることができる。アドレス指定システムを使用して反射デバイス９０４又は４１０の一部（例えば縁部）を例えば−λ／４〜＋λ／４の間でシフトさせる（例えば傾斜させる）とき、増加した（例えば完全な）位相シフトが生じる場合がある。アドレス指定システムは、複数の（例えば反対の）方向に反射デバイスを傾斜させることができる。ミラーの異なる部分から放射する光又は電磁放射は、λ／２±ｎ＊λだけ位相が異なる場合があり、ここでｎは自然数（例えば０、１、２、・・・）である。ミラーの異なる部分の高さの差は、λ／４±（ｎ＊λ／２）にすることができ、ここでｎは自然数（例えば０、１、２、・・・）であり、しかし任意の適切な数であってもよい。位相ステップを有さない傾斜ミラーは、約−０．２までの負の振幅を可能にする場合があり、これは約−０．０５の負の強度に対応する場合がある。これは、ステッパにおけるハーフトーン型位相シフト（ａｔｔｅｎｕａｔｅｄ ｐｈａｓｅ ｓｈｉｆｔｉｎｇ）と同様又は実質的に同様のフィーチャ解像度向上を実現するのに十分な場合があり、しかし、レベンソン型位相シフト・マスク（ａｌｔｅｒｎａｔｉｎｇ ｐｈａｓｅ ｓｈｉｆｔ ｍａｓｋ）と同様又は実質的に同様の位相シフトを実現しない場合がある。
位相ステップ・ミラーを用いると、位相ステップは、例えば２つのミラー表面からの振幅を相殺させることができ、非偏向に関して低下した（例えばほとんどない、又はゼロの）強度（黒）を生じることができる。位相ステップ・ミラーを一方向で傾斜させることは、例えば約＋０．５の強度に対応する約＋０．７の振幅まで、正の実数振幅方向での振幅軌跡を提供することができる。位相ステップ・ミラーを別の方向で傾斜させることは、例えば約−０．５の強度に対応する約−０．７の負の振幅を提供することができる。したがって、例えば、位相ステップ・ミラーは、位相ステップを有さないミラーの２倍の放射線量を必要とする場合があり、しかしグレースケーリングを保存してより強い位相シフトを可能にすることができる。
図５ａ〜５ｅは、マイクロ電気機械システム（ＭＥＭＳ）を製造する方法の一例を示す。図５ａ〜５ｅは、図３の線Ａに沿って取ることができる断面の例である。
図５ａに関して、基板２３０は、半導体材料（例えばシリコン）から構成することができる。基板２３０は、相補型金属酸化膜半導体（ＣＭＯＳ）回路と、金属（例えばアルミニウム、その任意の合金、又は任意の適切な金属元素）であってよい領域２１０、２１２、２１４と、例えば二酸化珪素であってよい領域２２０とを含むことができる。領域２１０、２１２、２１４の間に位置決めされる場合がある領域２２０は、領域２１０、２１２、２１４を分離（例えば絶縁）することができる。領域２１０は、例えばＳＬＭ１内の反射要素への接続（例えば電気的接続）を形成することができる。領域２１２及び／又は２１４は、電極（例えばアドレス電極）への接続（例えば電気的接続）を形成することができ、或いは、それらの領域は、それ自体、電極を構成することができる。
図５ｂに関して、層２４０（例えば一時層）を、領域２１０、２１２、２１４及び／又は領域２２０の上に形成することができる。層２４０は、放射感受性材料（例えば電磁放射感受性材料）から構成することができる。層２４０内部にストッパ２５０を構成することができ、反射要素のための絶縁（例えば電気的絶縁）として働く場合がある。ストッパ２５０は、領域２１０、２１２、及び２１４から、且つ／又は電極から反射要素を分離することができ、短絡の可能性を低減することができる。ストッパは、非導電又は絶縁材料、例えば二酸化珪素から構成することができる。ストッパは、任意の適切な絶縁材料であってもよい。
層２４０の間に設けられる領域２４５は、反射要素のための支持を形成することができる。例えば、領域２４５は、円形、楕円形、長方形、又は任意の他の適切な形状であってよい。層２４０の間の領域２４５は、例えばリソグラフィ・プロセス、又は任意の他の適切なプロセスによって提供することができる。
図５ｃに関して、層２４０の上、領域２４５の上、且つ／又は領域２１０の上に、層（例えば反射層）２６０を形成することができる。
層２８０が塗布される場合があり、ＳＬＭ１内の少なくとも１つの反射要素内部のステップ高さの差を形成することができる。
図５ｄに関して、例えば、フォト・レジストである場合がある層２７０を、層２６０及び／又は層２８０の上に形成することができる。空間２８５が、反射要素を互いから分離することができる。空間２８５は、例えば任意のリソグラフィ・プロセス又は他の適切なプロセスを使用して形成することができ、そのようなプロセスは、露光、現像、及び／又はエッチングを含む場合がある。
図５ｅは、ＳＬＭ１の例示実施例の一例を示す。層２７０及び／又は層２４０は、例えば溶液プロセス、ドライ・エッチ・プロセス、又は任意の他の適切なプロセスを使用することによって除去することができる。
図６ａ〜６ｇは、図３の線Ｂに沿って取ることができる断面の例である。この断面は、アクチュエータに関係する場合がある。
図６ａに関して、例えばステップ高さの差を作成する前の層２６０の反射領域１００の断面が例示されている。
図６ｂに関して、層（例えば材料層）７１０を層２６０の上に形成することができる。例えばエッチ・ストップ層を、層７１０と層２６０との間に提供することができる。エッチ・ストップ層は、二酸化珪素又は任意の他の適切なエッチ・ストップ材料であってよい。層７１０は、例えばスパッタリング又は当業者によって望まれる任意の他の従来の方法によって層２６０の上に形成することができる。
図６ｃに関して、放射（例えば電磁放射）に対する感受性をもつ場合がある層（例えば一時層）７２０を層７１０の上に形成することができる。層７２０は、例えばレジスト又はフォト・レジストであってよい。図６ｄに関して、上で説明したように層７２０の一部分（例えば半分）７２２が露出される場合があり、層７２０の一部分（例えば半分）７２４が露出されない場合がある。
図６ｅに関して、層７２０の非露出部分である場合がある部分７２４が、層７１０の上に残る場合があり、層７２０の部分７２２が除去される場合があり、反射領域１００の一部分が、非被覆材料層を有することができる。
図６ｆに関して、領域１００から、層７１０の非被覆部分が除去される、例えばエッチング除去される場合があり、且つ層７２０が除去される場合がある。エッチング・プロセスは、ドライ・ベース、ウェット・ベース、又は当業者によって望まれる任意の他のエッチング・プロセスであってよい。
図６ｇに関して、領域１００は、上に層７１０を形成された層２６０の部分を含むことができる。その部分の上の非露出層７２４は、溶液によって溶解される場合がある。
図７ａに関して、基板２３０は、複数の領域１００（例えば反射領域又は画素）を含むことができ、これは、ＳＬＭ１の例示実施例を形成することができる。例えば、基板５は、１００万〜１０００万の間の領域１００を含むことができる。領域１００の一辺は、８ミクロン〜１６ミクロンであってよい。領域１００内部にステップ高さの差が形成される場合があり、複数の領域１００が互いから分離される場合がある。図７ａに例示される領域１００は、層１１０で覆われる場合があり、この層１１０は、放射（例えば電磁放射）に対する感受性をもつ場合がある。例えば、層１１０はレジストであってよい。層１１０は、例えば任意の適切な方法に従って層２６０の上に形成することができる。
図７ｂに関して、領域１００の一部分（例えば半分）１２０が波長に対して露出される場合があり、この波長に対して層１１０が感受性をもつ場合がある。領域１００の別の部分（例えば半分）１３０は露出されない場合がある。露出は、任意の適切な方法に従って、例えば、電子ビーム（ｅビーム）又はレーザ・ビームが基板の表面にわたって走査される場合がある電子ビーム・パターン生成器又はレーザ・パターン生成器、或いはフォト・マスクを使用するステッパを使用して行うことができる。
図７ｃに関して、層１１０は、露出されて、領域１００の部分１２０の上に残る場合があり、層１１０は、領域１００の部分１３０から除去される場合がある。例えば現像中に層１１０が領域１００の部分１３０の上に残ることができるように、例えばポジ型レジストが使用される場合もある。
図７ｄに関して、部分１５０及び部分１６０は、（六角形のモザイクで示される）材料層で覆われる場合がある。材料層は、例えばスパッタリング又は任意の適切なプロセスによって形成することができる。領域１００の部分１５０では、材料層は、露出層１１０の上に形成される場合がある。反射領域の他の部分１６０では、材料層は、層２６０の上に形成される場合がある。材料層は、放射の波長の４分の１（λ／４）に等しい又は実質的に等しい場合がある厚さを有することができる。材料層厚さは、任意の適切な厚さであってもよい。例えば、ＳＬＭ１の例示実施例がパターン生成器内の変調器として使用される場合、波長は例えば２４８ｎｍであってよく、領域１００上にスパッタされる場合がある材料層の厚さは例えば６２ｎｍであってよい。異なる波長が使用される場合には、部分間、例えば領域１００の部分１５０と１６０との間で別のステップ高さの差を使用することができる。
図７ｅに関して、層１１０の上に形成される場合がある材料層を、例えばリフトオフ・プロセス又は任意の他の適切なプロセスで除去することができる。領域１００の部分１７０は、領域１００の非被覆部分である場合があり、部分１６０は、材料層で覆われる場合がある。反射領域１００の部分１６０と部分１７０との間のステップ高さは、ステップ高さの差を作成する材料に従って望まれるように変えることができる。
本発明の例示実施例は、例えば、空間光変調器（ＳＬＭ）を使用する場合があるマイクロリソグラフィ・システムでの書込み品質を改善することができる。また、本発明の例示実施例は、例えば、非平坦である反射デバイス（例えばミラー、マイクロミラーなど）を含む場合があるマイクロリソグラフィ・システムでの書込み品質を改善することができる。また、本発明の例示実施例は、任意の他の適切なシステムでの書込み品質を改善することができる。
本発明の例示実施例では、本明細書で説明した基板を、当業者によって望まれる任意の適切な材料（例えばガラス、セラミック、金属、金属合金など）から構成することができることを理解されたい。
本発明の例示実施例を紫外（ＵＶ）光に関して説明してきたが、極端紫外（ＥＵＶ）を含めた任意の適切な波長を有することがある任意の適切な光が当業者によって利用される場合もあることを理解されたい。
本発明を、その例示実施例に関して特に図示し、説明してきたが、頭記の特許請求の範囲によって定義される本発明の精神及び範囲から逸脱することなく形態及び詳細に様々な変更を加えることができることを当業者は理解されよう。

Claims (10)

  1. 加工物にパターン形成するための方法であって、
    少なくとも第１の部分及び少なくとも第２の部分を含む放射を生成し、前記放射の少なくとも前記第１の部分及び前記第２の部分を前記加工物に向けて反射するステップと、
    前記放射の少なくとも前記第１の部分と前記第２の部分との間に位相差を誘発するステップと、
    前記放射の少なくとも前記第１の部分及び前記第２の部分を加工物に照射するステップと、
    前記放射の前記第１及び前記第２の部分を使用して、前記加工物上にパターンを形成するステップと
    を含む方法。
  2. 前記第１の部分の位相が、前記第２の部分の位相とλ／２±ｎ＊λだけ異なり、ここでλは前記放射の波長であり、ｎは自然数である請求項１に記載の方法。
  3. 前記第１の部分の位相が、前記第２の部分の位相とλ／４±（ｎ＊λ／２）だけ異なり、ここでλは前記放射の波長であり、ｎは自然数である請求項１に記載の方法。
  4. 前記放射が電磁放射である請求項１に記載の方法。
  5. 前記放射が光波の形である請求項１に記載の方法。
  6. 加工物にパターン形成するための装置であって、
    放射を生成するように適合された放射源と、
    前記加工物上にパターンを形成するように、且つ前記放射に位相差を誘発するように適合された少なくとも１つの反射デバイスと
    を備え、
    前記位相差が、位相シフト・プレートとステップ高さの差との少なくとも一方によって誘発される装置。
  7. 前記少なくとも１つの反射デバイスが、さらに、
    前記放射を反射するように適合された第１の部分及び第２の部分を含み、前記第１の部分によって反射される放射が、前記第２の部分によって反射される放射と位相が異なる。
    請求項６に記載の装置。
  8. 前記第１の部分によって反射される放射の位相が、前記第２の部分によって反射される放射の位相とλ／２±ｎ＊λだけ異なり、ここでλは前記放射の波長であり、ｎは自然数である請求項７に記載の装置。
  9. 前記第１の部分と前記第２の部分とが異なるステップ高さを有する請求項７に記載の方法。
  10. 前記第１の部分のステップ高さが、前記第２の部分のステップ高さとλ／４±（ｎ＊λ／２）に等しい値だけ異なり、ここでλは前記放射の波長であり、ｎは自然数である請求項９に記載の装置。
JP2009285070A 2003-12-11 2009-12-16 複数の反射面を含む空間光変調器、及び加工物にパターン形成するための方法 Expired - Fee Related JP5047259B2 (ja)

Applications Claiming Priority (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US52848803P 2003-12-11 2003-12-11
US60/528,488 2003-12-11
US52911403P 2003-12-15 2003-12-15
US60/529,114 2003-12-15
US53788704P 2004-01-22 2004-01-22
US60/537,887 2004-01-22

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2006543778A Division JP4464971B2 (ja) 2003-12-11 2004-12-10 加工物にパターン形成するための方法及び装置、並びにその製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2010061174A true JP2010061174A (ja) 2010-03-18
JP5047259B2 JP5047259B2 (ja) 2012-10-10

Family

ID=34682172

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2006543778A Expired - Fee Related JP4464971B2 (ja) 2003-12-11 2004-12-10 加工物にパターン形成するための方法及び装置、並びにその製造方法
JP2009285070A Expired - Fee Related JP5047259B2 (ja) 2003-12-11 2009-12-16 複数の反射面を含む空間光変調器、及び加工物にパターン形成するための方法

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2006543778A Expired - Fee Related JP4464971B2 (ja) 2003-12-11 2004-12-10 加工物にパターン形成するための方法及び装置、並びにその製造方法

Country Status (5)

Country Link
US (1) US7110159B2 (ja)
EP (1) EP1706792B1 (ja)
JP (2) JP4464971B2 (ja)
KR (1) KR100797433B1 (ja)
WO (1) WO2005057291A1 (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013210517A (ja) * 2012-03-30 2013-10-10 Orc Manufacturing Co Ltd マスクレス露光装置

Families Citing this family (43)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1855142A3 (en) 2004-07-29 2008-07-30 Idc, Llc System and method for micro-electromechanical operating of an interferometric modulator
US7369296B2 (en) 2004-09-27 2008-05-06 Idc, Llc Device and method for modifying actuation voltage thresholds of a deformable membrane in an interferometric modulator
US7327510B2 (en) * 2004-09-27 2008-02-05 Idc, Llc Process for modifying offset voltage characteristics of an interferometric modulator
US7373026B2 (en) * 2004-09-27 2008-05-13 Idc, Llc MEMS device fabricated on a pre-patterned substrate
US7417783B2 (en) * 2004-09-27 2008-08-26 Idc, Llc Mirror and mirror layer for optical modulator and method
US7420728B2 (en) * 2004-09-27 2008-09-02 Idc, Llc Methods of fabricating interferometric modulators by selectively removing a material
US7499146B2 (en) * 2005-03-14 2009-03-03 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method, an integrated circuit, a flat panel display, and a method of compensating for cupping
BRPI0612997A2 (pt) 2005-07-22 2010-12-14 Qualcomm Inc dispositivos mems e respectivos mÉtodos de fabrico
WO2007013939A1 (en) 2005-07-22 2007-02-01 Qualcomm Incorporated Support structure for mems device and methods therefor
EP2495212A3 (en) 2005-07-22 2012-10-31 QUALCOMM MEMS Technologies, Inc. Mems devices having support structures and methods of fabricating the same
JP2009509786A (ja) 2005-09-30 2009-03-12 クォルコム・メムズ・テクノロジーズ・インコーポレーテッド Ｍｅｍｓ装置及びｍｅｍｓ装置における相互接続
US7630114B2 (en) 2005-10-28 2009-12-08 Idc, Llc Diffusion barrier layer for MEMS devices
US20070153249A1 (en) * 2005-12-20 2007-07-05 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method using multiple exposures and multiple exposure types
US7528932B2 (en) * 2005-12-21 2009-05-05 Micronic Laser Systems Ab SLM direct writer
US7382515B2 (en) 2006-01-18 2008-06-03 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Silicon-rich silicon nitrides as etch stops in MEMS manufacture
US7652814B2 (en) 2006-01-27 2010-01-26 Qualcomm Mems Technologies, Inc. MEMS device with integrated optical element
US7450295B2 (en) 2006-03-02 2008-11-11 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Methods for producing MEMS with protective coatings using multi-component sacrificial layers
US7643203B2 (en) * 2006-04-10 2010-01-05 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Interferometric optical display system with broadband characteristics
US7417784B2 (en) 2006-04-19 2008-08-26 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Microelectromechanical device and method utilizing a porous surface
US7623287B2 (en) 2006-04-19 2009-11-24 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Non-planar surface structures and process for microelectromechanical systems
US7711239B2 (en) 2006-04-19 2010-05-04 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Microelectromechanical device and method utilizing nanoparticles
US7369292B2 (en) * 2006-05-03 2008-05-06 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Electrode and interconnect materials for MEMS devices
US7405863B2 (en) 2006-06-01 2008-07-29 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Patterning of mechanical layer in MEMS to reduce stresses at supports
US8052289B2 (en) 2006-06-07 2011-11-08 Asml Netherlands B.V. Mirror array for lithography
US7566664B2 (en) 2006-08-02 2009-07-28 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Selective etching of MEMS using gaseous halides and reactive co-etchants
US7545552B2 (en) 2006-10-19 2009-06-09 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Sacrificial spacer process and resultant structure for MEMS support structure
DE102006057568A1 (de) * 2006-11-28 2008-05-29 Micronic Laser Systems Ab Mikrooptisches Element mit einem Substrat und Verfahren zu seiner Herstellung
DE102006057567B4 (de) * 2006-11-28 2008-09-04 Micronic Laser Systems Ab Mikrooptisches Element mit einem Substrat, an dem an einer optisch wirksamen Oberfläche mindestens eine Höhenstufe ausgebildet ist, Verfahren zu seiner Herstellung und Verwendungen
US7706042B2 (en) 2006-12-20 2010-04-27 Qualcomm Mems Technologies, Inc. MEMS device and interconnects for same
US7535621B2 (en) 2006-12-27 2009-05-19 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Aluminum fluoride films for microelectromechanical system applications
US7733552B2 (en) 2007-03-21 2010-06-08 Qualcomm Mems Technologies, Inc MEMS cavity-coating layers and methods
US7719752B2 (en) 2007-05-11 2010-05-18 Qualcomm Mems Technologies, Inc. MEMS structures, methods of fabricating MEMS components on separate substrates and assembly of same
US7625825B2 (en) 2007-06-14 2009-12-01 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Method of patterning mechanical layer for MEMS structures
US8068268B2 (en) 2007-07-03 2011-11-29 Qualcomm Mems Technologies, Inc. MEMS devices having improved uniformity and methods for making them
US7570415B2 (en) 2007-08-07 2009-08-04 Qualcomm Mems Technologies, Inc. MEMS device and interconnects for same
NL1036334A1 (nl) * 2007-12-28 2009-06-30 Asml Netherlands Bv Slm calibration.
US7863079B2 (en) 2008-02-05 2011-01-04 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Methods of reducing CD loss in a microelectromechanical device
US8077377B2 (en) * 2008-04-24 2011-12-13 Micronic Mydata AB Spatial light modulator with structured mirror surfaces
US9291814B2 (en) 2010-09-22 2016-03-22 Nikon Corporation Spatial light modulator, exposure apparatus, and method for manufacturing device
US8659816B2 (en) 2011-04-25 2014-02-25 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Mechanical layer and methods of making the same
JP5953657B2 (ja) * 2011-05-17 2016-07-20 株式会社ニコン 空間光変調器、露光装置、及びデバイス製造方法
KR102212359B1 (ko) 2013-03-15 2021-02-03 마이크로닉 아베 음향광학 변조기 및 변조 원리를 위한 드라이버
JP6593623B2 (ja) * 2015-03-30 2019-10-23 株式会社ニコン 空間光変調器の設定方法、駆動データの作成方法、露光装置、露光方法、およびデバイス製造方法

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06102459A (ja) * 1992-09-17 1994-04-15 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 光変調装置およびそれを備えた画像記録装置
JP2005116609A (ja) * 2003-10-03 2005-04-28 Nikon Corp 画像投影装置及び画像表示素子

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5446587A (en) * 1992-09-03 1995-08-29 Samsung Electronics Co., Ltd. Projection method and projection system and mask therefor
EP0657760A1 (en) * 1993-09-15 1995-06-14 Texas Instruments Incorporated Image simulation and projection system
SE9800665D0 (sv) * 1998-03-02 1998-03-02 Micronic Laser Systems Ab Improved method for projection printing using a micromirror SLM
US6489984B1 (en) * 1998-12-29 2002-12-03 Kenneth C. Johnson Pixel cross talk suppression in digital microprinters
US6624880B2 (en) 2001-01-18 2003-09-23 Micronic Laser Systems Ab Method and apparatus for microlithography
JP4022398B2 (ja) * 2001-12-27 2007-12-19 株式会社 液晶先端技術開発センター 位相シフトマスクの作成方法及び装置

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06102459A (ja) * 1992-09-17 1994-04-15 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 光変調装置およびそれを備えた画像記録装置
JP2005116609A (ja) * 2003-10-03 2005-04-28 Nikon Corp 画像投影装置及び画像表示素子

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013210517A (ja) * 2012-03-30 2013-10-10 Orc Manufacturing Co Ltd マスクレス露光装置

Also Published As

Publication number Publication date
KR100797433B1 (ko) 2008-01-23
JP4464971B2 (ja) 2010-05-19
WO2005057291A1 (en) 2005-06-23
KR20060092282A (ko) 2006-08-22
US7110159B2 (en) 2006-09-19
US20050128565A1 (en) 2005-06-16
EP1706792A1 (en) 2006-10-04
JP5047259B2 (ja) 2012-10-10
EP1706792B1 (en) 2012-11-14
JP2007522485A (ja) 2007-08-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5047259B2 (ja) 複数の反射面を含む空間光変調器、及び加工物にパターン形成するための方法
JP4354967B2 (ja) スーパーピクセル形式の可傾ミラーを用いた光パターン形成装置
EP1546788B1 (en) Methods and systems for improved boundary contrast
US7064880B2 (en) Projector and projection method
CN102084280B (zh) 具有结构化反射镜表面的空间光调制器
CN100570428C (zh) 利用集成电路致动器的空间光调制器及其制造和使用方法
US20040150868A1 (en) Method and a device for reducing hysteresis or imprinting in a movable micro-element
US20070258071A1 (en) Advanced exposure techniques for programmable lithography
EP1491958B1 (en) Projection optical system for maskless lithography
JP2009145904A (ja) 二重位相ステップエレメントを使用するパターニングデバイスおよびその使用方法
JP3920248B2 (ja) リソグラフィ装置およびデバイス製造方法
JP4023541B2 (ja) リソグラフ用投影装置およびデバイス製造方法
JP2004524567A (ja) 空間強度光変調の方法および装置
US20050153246A1 (en) Process and apparatus for generating a strong phase shift optical pattern for use in an optical direct write lithography process
JP4459822B2 (ja) マスクレスパターン生成システムおよびマスクレスパターンを生成する方法
JP4342488B2 (ja) リソグラフィ装置及びデバイス製造方法
JP2007293331A (ja) 非線形バネによる大変形ｍｅｍｓミラーを用いる露光装置及びデバイス製造方法
CN1325960C (zh) 改善边界对比度的方法和系统
CN100458568C (zh) 用于对工件构图的方法和装置以及制造该装置的方法
US7279110B2 (en) Method and apparatus for creating a phase step in mirrors used in spatial light modulator arrays
JPH08181043A (ja) 反復可能パターンを有するダイの製作方法及び前記ダイを有するウェーハ
JP4373976B2 (ja) バイナリ、減衰フェーズシフトおよび交番フェーズシフトマスクをエミュレートするマスクレスリソグラフィ用のシステムおよび装置および方法

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20100114

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20110914

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20110927

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20111227

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20120706

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20120717

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150727

Year of fee payment: 3

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 5047259

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees