JP2010055850A - Conductive powder and method of producing same - Google Patents

Conductive powder and method of producing same Download PDF

Info

Publication number
JP2010055850A
JP2010055850A JP2008217496A JP2008217496A JP2010055850A JP 2010055850 A JP2010055850 A JP 2010055850A JP 2008217496 A JP2008217496 A JP 2008217496A JP 2008217496 A JP2008217496 A JP 2008217496A JP 2010055850 A JP2010055850 A JP 2010055850A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
oxide
copper
iridium
powder
ruthenium
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2008217496A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP5045615B2 (en
Inventor
Fujio Makuta
富士雄 幕田
Hideyuki Yamashita
秀幸 山下
Yoshihiro Okabe
良宏 岡部
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sumitomo Metal Mining Co Ltd
Original Assignee
Sumitomo Metal Mining Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sumitomo Metal Mining Co Ltd filed Critical Sumitomo Metal Mining Co Ltd
Priority to JP2008217496A priority Critical patent/JP5045615B2/en
Publication of JP2010055850A publication Critical patent/JP2010055850A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP5045615B2 publication Critical patent/JP5045615B2/en
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Landscapes

  • Parts Printed On Printed Circuit Boards (AREA)
  • Glass Compositions (AREA)
  • Non-Adjustable Resistors (AREA)
  • Conductive Materials (AREA)

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a conductive powder with excellent dispersibility in paste, from which superior electrical characteristics can be obtained when a resistor is made of the paste, and which is industrially easily usable even from a point of view of cost and supply and is free from lead for a thick film resistor, and to provide a method of producing the conductive powder. <P>SOLUTION: The conductive powder is made of a ruthenium oxide power covered with iridium oxide, the average particle diameter is 20-80 nm, the thickness of an iridium oxide coating film is 0.5-2 nm, and it contains 9-30 mass% of iridium oxide and 0.1-6 mass% of copper for the sum of ruthenium oxide and iridium oxide. This conductive powder is produced by weighing and mixing the ruthenium oxide powder, chloroiridate salt, and copper chloride or copper oxide, or the ruthenium oxide powder containing copper and chloroiridate salt, and then roasting the obtained mixture at 560-640°C in an oxidizing atmosphere. <P>COPYRIGHT: (C)2010,JPO&INPIT

Description

本発明は、厚膜抵抗体形成用のペーストとしたとき、ペースト中での分散性が良好であり、優れた電気的特性の抵抗体を形成することができ、価格や供給面でも工業的に利用しやすく、鉛を含まない導電粉、及びその製造方法に関する。   When the present invention is a paste for forming a thick film resistor, the dispersibility in the paste is good, and a resistor having excellent electrical characteristics can be formed. The present invention relates to a conductive powder that is easy to use and does not contain lead, and a manufacturing method thereof.

厚膜抵抗体は、チップ抵抗器、厚膜ハイブリッドIC及び抵抗ネットワーク等に広く用いられている。厚膜抵抗体の製造方法としては、通常、絶縁体基板の表面に形成された導電体回路パターン又は電極の上に、導電粉を均一に分散させたペーストを印刷し、これを焼成する工程が用いられる。   Thick film resistors are widely used in chip resistors, thick film hybrid ICs, resistor networks, and the like. As a method for manufacturing a thick film resistor, there is usually a process in which a paste in which conductive powder is uniformly dispersed is printed on a conductor circuit pattern or an electrode formed on the surface of an insulating substrate, and this is fired. Used.

厚膜抵抗体形成用ペーストは、導電粉とガラス結合剤をビヒクルと呼ばれる有機媒体中に均一に分散させることにより製造されている。導電粉は厚膜抵抗体の電気的特性を決定する最も重要な役割を担い、酸化ルテニウム(RuO)やルテニウム酸鉛(PbRu)の微粉末が広く用いられている。尚、酸化ルテニウムは低抵抗域から1kΩまでの中抵抗値域の広範囲の導電物として使用され、10kΩ以上の高抵抗域ではルテニウム酸鉛を用いることが多い。 The thick film resistor forming paste is manufactured by uniformly dispersing conductive powder and a glass binder in an organic medium called a vehicle. The conductive powder plays the most important role in determining the electrical characteristics of the thick film resistor, and fine powders of ruthenium oxide (RuO 2 ) and lead ruthenate (Pb 2 Ru 2 O 7 ) are widely used. In addition, ruthenium oxide is used as a wide range of conductive substances in a medium resistance value range from a low resistance range to 1 kΩ, and lead ruthenate is often used in a high resistance range of 10 kΩ or more.

とこで、近年、電子機器から毒性のある鉛の使用を排除することが求められ、高抵抗領域の厚膜抵抗体用の導電粉として、ルテニウム酸鉛粉に代わる鉛を含有しない導電粉が望まれている。そこで、鉛を含有しない導電粉として、BiRu、CaRuO、SrRuO、BaRuO、LaRuO等の化学式で表わされる種々のルテニウム系酸化物粉(例えば、特許文献1参照。)、あるいは、酸化イリジウム(IrO)粉(例えば、特許文献2参照。)が提案されている。 In recent years, it has been required to eliminate the use of toxic lead from electronic equipment, and as a conductive powder for thick film resistors in the high resistance region, conductive powder containing no lead instead of lead ruthenate powder is desired. It is rare. Accordingly, various ruthenium-based oxide powders represented by chemical formulas such as Bi 2 Ru 2 O 7 , CaRuO 3 , SrRuO 3 , BaRuO 3 , LaRuO 3 and the like (see, for example, Patent Document 1) as conductive powder not containing lead. Alternatively, iridium oxide (IrO 2 ) powder (see, for example, Patent Document 2) has been proposed.

しかしながら、ルテニウム系酸化物粉は、そのペーストを膜状に印刷し焼成して得られる抵抗体の電気的特性が悪いため、実用化されるに至ったものはない。一方、酸化イリジウム粉は、ルテニウム酸鉛粉に代わる鉛を含有しない導電粉として有用な特性を有している。ところが、イリジウムはルテニウムに比べて生産量が少なく、価格が不安定であることから、ペースト及び厚膜抵抗体の価格が変動しやすく、しかも供給も不安定であるため、酸化イリジウム粉にはルテニウム酸鉛粉の代替材料として工業的に利用する上で問題がある。   However, no ruthenium-based oxide powder has been put to practical use because the electrical properties of the resistor obtained by printing and baking the paste in a film form are poor. On the other hand, iridium oxide powder has characteristics useful as a conductive powder containing no lead in place of lead ruthenate powder. However, iridium is less produced than ruthenium and its price is unstable, so the price of paste and thick film resistors is likely to fluctuate and the supply is also unstable. There is a problem in industrial use as an alternative material for lead acid powder.

ところで、ルテニウム酸鉛粉の使用されていた高抵抗域のうち中抵抗側(10〜100kΩ)については、従来から低中抵抗域で使用されていた酸化ルテニウム粉の使用領域を高抵抗側に伸ばすことも解決策の1つの方法であり、そのため酸化ルテニウム粉を中抵抗領域で使用することが検討されてきた。しかしながら、10〜100kΩの抵抗域で酸化ルテニウム粉を用いた場合、厚膜抵抗体の電気的特性の1つである抵抗温度係数(以下、TCRと記載する)の絶対値が100ppm/℃より大きくなるという問題を解決することができなかった。   By the way, about the medium resistance side (10 to 100 kΩ) in the high resistance region in which the lead ruthenate powder is used, the use region of the ruthenium oxide powder conventionally used in the low and middle resistance region is extended to the high resistance side. This is also one of the solutions, and therefore it has been studied to use ruthenium oxide powder in the middle resistance region. However, when ruthenium oxide powder is used in the resistance range of 10 to 100 kΩ, the absolute value of the resistance temperature coefficient (hereinafter referred to as TCR), which is one of the electrical characteristics of the thick film resistor, is greater than 100 ppm / ° C. Could not solve the problem of becoming.

また、10〜100kΩの抵抗域で酸化ルテニウム粉と酸化イリジウム粉を混合して使用する方法もある。しかし、十分な電気的特性を得ようとすると、結果的に酸化イリジウム粉を混合物全量に対し50質量%を超えて含有することが必要になってしまい、ペースト及び厚膜抵抗体の価格変動の問題を満足させることはできなかった。   There is also a method in which ruthenium oxide powder and iridium oxide powder are mixed and used in a resistance range of 10 to 100 kΩ. However, in order to obtain sufficient electrical characteristics, it becomes necessary to contain iridium oxide powder in excess of 50% by mass with respect to the total amount of the mixture, resulting in price fluctuations of the paste and the thick film resistor. The problem could not be satisfied.

特開2006−069836号公報JP 2006-069836 A 特開2006−273636号公報JP 2006-273636 A

本発明は、上記した従来技術の問題点に鑑み、厚膜抵抗体用の導電粉として好適であり、ペースト中での分散性が良好であって、ペーストを焼成して抵抗体としたとき優れた電気的特性の抵抗体を形成することができ、且つ価格や供給面でも工業的に利用しやすく、鉛を含まない導電粉、並びに、その製造方法を提供することを目的とするものである。   The present invention is suitable as a conductive powder for thick film resistors in view of the above-described problems of the prior art, has good dispersibility in the paste, and is excellent when the paste is baked into a resistor. It is an object to provide a conductive powder that does not contain lead, and a method for manufacturing the same, and can be used industrially in terms of price and supply. .

本発明者らは、上記目的を達成するために、厚膜抵抗体形成用ペーストの導電粉及びその製造方法について鋭意研究を重ねた結果、銅を含み、且つ酸化イリジウムで被覆された酸化ルテニウム粉からなる導電粉が好適であることを見出した。   In order to achieve the above object, the present inventors have conducted extensive research on the conductive powder of the thick film resistor forming paste and the manufacturing method thereof, and as a result, the ruthenium oxide powder containing copper and coated with iridium oxide. It has been found that a conductive powder consisting of

特に、その導電粉の平均粒径と酸化イリジウム被覆膜の厚さ、酸化イリジウム含有量及び銅含有量を調整することによって、ペースト中での分散性が良好であり、更には良好な電気的特性の抵抗体を形成することができ、且つ工業的に利用しやすいことを見出すと共に、その導電粉の好ましい製造方法についても検討を重ね、本発明を完成したものである。   In particular, by adjusting the average particle size of the conductive powder, the thickness of the iridium oxide coating film, the iridium oxide content, and the copper content, the dispersibility in the paste is good, and further good electrical properties The present invention has been completed by finding that a resistor having a characteristic can be formed and being industrially easy to use, and repeatedly studying a preferable method for producing the conductive powder.

即ち、本発明が提供する導電粉は、厚膜抵抗体形成用ペーストに用いられる導電粉であって、酸化イリジウムで被覆された酸化ルテニウム粉からなり、平均粒径が20〜80nmであって、酸化イリジウム被覆膜の厚さが0.5〜2nmであると共に、酸化ルテニウムと酸化イリジウムの合計に対し、酸化イリジウムを9〜30質量%及び銅を0.1〜6質量%含有することを特徴とする。   That is, the conductive powder provided by the present invention is a conductive powder used in the thick film resistor forming paste, and is composed of ruthenium oxide powder coated with iridium oxide, and has an average particle size of 20 to 80 nm, The thickness of the iridium oxide coating film is 0.5 to 2 nm, and 9 to 30% by mass of iridium oxide and 0.1 to 6% by mass of copper with respect to the total of ruthenium oxide and iridium oxide. Features.

本発明は、また、厚膜抵抗体形成用ペーストに用いられ、酸化イリジウムで被覆された酸化ルテニウム粉からなる導電粉の製造方法を提供する。まず、第1の製造方法は、酸化ルテニウム粉と、塩化イリジウム酸塩と、塩化銅又は酸化銅とを、イリジウムの配合割合が酸化イリジウム/(酸化ルテニウム+酸化イリジウム)の百分率で9〜30質量%になり、且つ銅の配合割合が銅/(酸化ルテニウム+酸化イリジウム)の百分率で0.1〜6質量%となるように秤量し、これらを混合した後、得られた混合物を酸化性雰囲気下にて560〜640℃で焙焼し、得られた焙焼物を水洗浄することを特徴とする。   The present invention also provides a method for producing a conductive powder comprising a ruthenium oxide powder used in a thick film resistor forming paste and coated with iridium oxide. First, in the first production method, ruthenium oxide powder, chloroiridate, and copper chloride or copper oxide are mixed in a proportion of iridium oxide / (ruthenium oxide + iridium oxide) as a percentage of 9 to 30 mass. %, And the mixture ratio of copper is 0.1 to 6% by mass as a percentage of copper / (ruthenium oxide + iridium oxide), and after mixing these, the resulting mixture is oxidative atmosphere It is characterized by roasting at 560 to 640 ° C. and washing the obtained roasted product with water.

上記本発明における導電粉の第1の製造方法において、前記酸化ルテニウム粉と塩化イリジウム酸塩と塩化銅又は酸化銅との混合は、塩化イリジウム酸塩を水に溶解し、得られた水溶液に酸化ルテニウム粉と塩化銅又は酸化銅を投入して撹拌し、得られたスラリーを乾燥することによって行うことができる。   In the first method for producing a conductive powder according to the present invention, the ruthenium oxide powder, chloroiridate and copper chloride or copper oxide are mixed by dissolving chloroiridate in water and oxidizing the resulting aqueous solution. Ruthenium powder and copper chloride or copper oxide can be added and stirred, and the resulting slurry can be dried.

また、本発明における導電粉の第2の製造方法は、銅を含む酸化ルテニウム粉と、塩化イリジウム酸塩とを、イリジウムの配合割合が酸化イリジウム/(酸化ルテニウム+酸化イリジウム)の百分率で9〜30質量%になり、且つ銅の配合割合が銅/(酸化ルテニウム+酸化イリジウム)の百分率で0.1〜6質量%となるように秤量し、これらを混合した後、得られた混合物を酸化性雰囲気下にて560〜640℃で焙焼し、得られた焙焼物を水洗浄することを特徴とする。   Moreover, the 2nd manufacturing method of the electroconductive powder in this invention is 9- in the ratio of the iridium compounding ratio of iridium oxide / (ruthenium oxide + iridium oxide), and ruthenium oxide powder containing copper, and iridium chloride. Weigh so that the amount of copper is 30% by mass and the blending ratio of copper is 0.1 to 6% by mass as a percentage of copper / (ruthenium oxide + iridium oxide), and after mixing these, the resulting mixture is oxidized It is characterized by roasting at 560-640 ° C. in a neutral atmosphere and washing the obtained roasted product with water.

上記本発明における導電粉の第2の製造方法において、前記銅を含む酸化ルテニウム粉と塩化イリジウム酸塩との混合は、塩化イリジウム酸塩を水に溶解し、得られた水溶液に銅を含む酸化ルテニウム粉を投入して撹拌し、得られたスラリーを乾燥することによって行うことができる。   In the second method for producing a conductive powder according to the present invention, the mixing of the ruthenium oxide powder containing copper and chloroiridate is performed by dissolving chloroiridate in water and oxidizing the resulting aqueous solution with copper. The ruthenium powder can be added and stirred, and the resulting slurry can be dried.

上記本発明における導電粉の第2の製造方法において、前記銅を含む酸化ルテニウム粉は、水酸化ルテニウム粉又は塩化ルテニウム酸塩に酸化銅又は塩化銅を混合し、酸化性雰囲気下に500〜800℃で焙焼する方法か、塩化ルテニウム酸塩の水溶液に水溶性銅化合物を添加した後、還元して得られた水酸化ルテニウム澱物を酸化性雰囲気下に500〜800℃で焙焼する方法か、あるいは、塩化ルテニウム酸塩の水溶液を還元して得られた水酸化ルテニウム澱物に酸化銅又は塩化銅を混合し、酸化性雰囲気下に500〜800℃で焙焼する方法のいずれかによって製造することができる。   In the second method for producing a conductive powder in the present invention, the ruthenium oxide powder containing copper is obtained by mixing copper oxide or copper chloride with ruthenium hydroxide powder or ruthenium chloride salt, and 500 to 800 in an oxidizing atmosphere. A method of baking at 500 ° C. or 800 ° C. in an oxidizing atmosphere after adding a water-soluble copper compound to a ruthenium chloride aqueous solution and then reducing the resulting ruthenium hydroxide starch Or by mixing either ruthenium hydroxide starch obtained by reducing an aqueous solution of ruthenium chloride with copper oxide or copper chloride and baking at 500 to 800 ° C. in an oxidizing atmosphere. Can be manufactured.

上記本発明における導電粉の第1及び第2の製造方法において、前記塩化イリジウム酸塩は、ヘキサクロロイリジウム(IV)酸アンモニウム及び/又はヘキサクロロイリジウム(IV)酸カリウムであることが好ましい。   In the first and second methods for producing conductive powder according to the present invention, the chloroiridate is preferably ammonium hexachloroiridium (IV) and / or potassium hexachloroiridium (IV).

本発明によれば、厚膜抵抗体の形成に用いるペースト用として好適な導電粉、特にルテニウム酸鉛粉に代わる高抵抗域での鉛を含有しない導電粉と、その製造方法を提供することができる。また、本発明の導電粉は、ペースト中での分散性が良好であり、そのペーストを焼成して抵抗体としたとき、TCRの絶対値が100ppm/℃以下となるなど優れた電気的特性の抵抗体を形成することができ、しかも価格や供給面でも工業的に利用しやすいものである。   According to the present invention, it is possible to provide a conductive powder suitable for paste used for the formation of a thick film resistor, particularly a conductive powder not containing lead in a high resistance region in place of lead ruthenate powder, and a method for producing the same. it can. In addition, the conductive powder of the present invention has good dispersibility in the paste, and when the paste is baked to form a resistor, it has excellent electrical characteristics such as an absolute value of TCR of 100 ppm / ° C. or less. Resistors can be formed and are industrially easy to use in terms of price and supply.

従って、本発明の導電粉を用いた厚膜抵抗体形成用ペーストは、鉛を含有しない10〜100kΩの抵抗域での厚膜抵抗体、例えばチップ抵抗器、厚膜ハイブリッドIC及び抵抗ネットワーク等の形成に広く使用することができる。   Accordingly, the thick film resistor forming paste using the conductive powder of the present invention is a thick film resistor in a resistance region of 10 to 100 kΩ that does not contain lead, such as a chip resistor, a thick film hybrid IC, and a resistor network. Can be widely used for forming.

本発明の導電粉は、電気的特性に優れる厚膜抵抗体形成用ペーストに用いられる酸化イリジウムで被覆された酸化ルテニウム粉からなる導電粉であって、平均粒径が20〜80nmであり、且つ酸化イリジウム被覆膜の厚さが0.5〜2nmである。また、この酸化イリジウムで被覆された酸化ルテニウム粉からなる導電粉は、酸化ルテニウムと酸化イリジウムの合計に対し、酸化イリジウムを9〜30質量%含有し、且つ銅を0.1〜6質量%含有している。   The conductive powder of the present invention is a conductive powder made of ruthenium oxide powder coated with iridium oxide used in a thick film resistor forming paste having excellent electrical characteristics, and has an average particle size of 20 to 80 nm, and The thickness of the iridium oxide coating film is 0.5 to 2 nm. The conductive powder made of ruthenium oxide powder coated with iridium oxide contains 9 to 30% by mass of iridium oxide and 0.1 to 6% by mass of copper with respect to the total of ruthenium oxide and iridium oxide. is doing.

上記本発明の導電粉においては、特定の平均粒径を有すると共に、酸化ルテニウム粉を特定の厚さの酸化イリジウムで被覆していることが重要である。これにより、導電粉中の酸化ルテニウムと酸化イリジウムの合計に対する酸化イリジウムの割合を9〜30質量%として、イリジウムの使用量を抑えることができるため、工業的に利用し易いものとなる。即ち、従来の酸化ルテニウム粉と酸化イリジウム粉の混合粉、あるいは両者の均一な複合粉に比べて、少ないイリジウム含有量にもかかわらず、電気特性の改善効果が大きい導電粉とすることができる。   In the conductive powder of the present invention, it is important that the ruthenium oxide powder has a specific average particle diameter and is coated with iridium oxide having a specific thickness. Thereby, since the ratio of iridium oxide with respect to the sum total of ruthenium oxide and iridium oxide in the conductive powder can be set to 9 to 30% by mass and the amount of iridium used can be suppressed, it becomes industrially easy to use. That is, it is possible to obtain a conductive powder having a large effect of improving electrical characteristics, despite a small iridium content, as compared with a conventional mixed powder of ruthenium oxide powder and iridium oxide powder, or a composite powder having uniform both.

具体的には、本発明の導電粉の平均粒径は20〜80nmの範囲とする。これにより、導電粉のペースト中への分散性が良くなり、良好な電気的特性の抵抗体を形成することができる。平均粒径が80nmを超えると、導電粉を用いてペーストを製造する際に、ペースト中への分散性が悪くなり、電気的特性が悪化してしまう。一方、平均粒径が20nm未満では、導電粉の凝集が強くなり、かえってペースト中への分散性が悪くなる。ここで、導電粉の平均粒径は、BET法で求めた比表面積より算出された平均粒径を意味する。   Specifically, the average particle size of the conductive powder of the present invention is in the range of 20 to 80 nm. Thereby, the dispersibility of the conductive powder in the paste is improved, and a resistor having good electrical characteristics can be formed. When the average particle diameter exceeds 80 nm, when the paste is produced using the conductive powder, the dispersibility in the paste is deteriorated and the electrical characteristics are deteriorated. On the other hand, when the average particle size is less than 20 nm, the conductive powder is strongly aggregated, and on the contrary, the dispersibility in the paste is deteriorated. Here, the average particle diameter of the conductive powder means the average particle diameter calculated from the specific surface area obtained by the BET method.

また、導電粉の酸化イリジウム被覆膜の厚さは0.5〜2nmの範囲とし、酸化イリジウムの含有量を酸化ルテニウムと酸化イリジウムの合計に対して9〜30質量%の範囲とする。即ち、被覆膜の厚さが0.5nm未満あるいは酸化イリジウムの含有量が9質量%未満では、酸化ルテニウム粉の表面全体を酸化イリジウムで被覆しきれず、電気特性、特にTCRの改善効果が十分ではなくなる。一方、被覆膜の厚さが2nmを超えるか、あるいは酸化イリジウムの含有量が30質量%を超えると、電気特性の改善が最早大きく増加しないばかりか、イリジウムの使用量が増加するだけであるため好ましくない。   The thickness of the iridium oxide coating film of the conductive powder is in the range of 0.5 to 2 nm, and the iridium oxide content is in the range of 9 to 30% by mass with respect to the total of ruthenium oxide and iridium oxide. That is, if the coating film thickness is less than 0.5 nm or the iridium oxide content is less than 9% by mass, the entire surface of the ruthenium oxide powder cannot be completely covered with iridium oxide, and the effect of improving electrical characteristics, particularly TCR, is sufficient. Is not. On the other hand, when the thickness of the coating film exceeds 2 nm or the content of iridium oxide exceeds 30% by mass, not only the improvement in electrical characteristics is no longer greatly increased, but also the amount of iridium used is increased. Therefore, it is not preferable.

更に、上記本発明の導電粉においては、酸化ルテニウムと酸化イリジウムの合計に対して銅を0.1〜6質量%の割合で含むことが必要である。酸化イリジウムで酸化ルテニウム粉を被覆しただけの導電粉ではTCRが−100ppm/℃よりも小さくなるが、更に銅を添加することでTCRを大きくする(マイナスからプラスにする)ことができる。上記銅の含有量が0.1質量%未満では、TCRをプラス側に変化させる改善効果が十分ではない。また、銅の含有量が6質量%を超えると、導電粉製造工程の焙焼時に凝集が強くなり、所望の粒径が得られなくなる。   Furthermore, in the conductive powder of the present invention, it is necessary to contain 0.1 to 6% by mass of copper with respect to the total of ruthenium oxide and iridium oxide. In the conductive powder in which the ruthenium oxide powder is simply coated with iridium oxide, the TCR becomes smaller than −100 ppm / ° C., but the TCR can be increased (from negative to positive) by further adding copper. When the copper content is less than 0.1% by mass, the improvement effect of changing the TCR to the plus side is not sufficient. Moreover, when content of copper exceeds 6 mass%, aggregation will become strong at the time of baking of an electroconductive powder manufacturing process, and a desired particle size will no longer be obtained.

上記導電粉を構成する粒子の形状としては、特に限定されるものではないが、ペーストの調製において、有機ビヒクル中に均一に分散させることができる略球状であることが好ましい。図1に本発明の導電粉のSEM(走査型電子顕微鏡)写真を示すが、この図1から導電粉の粒子形状が略球状であることが分かる。この導電粉の粒子形状の制御は、製造方法に用いる酸化ルテニウム粉の粒子形状に依存するものである。即ち、原料の酸化ルテニウム粉は、粒子形状ができるだけ球状のものを用いることが好ましい。   The shape of the particles constituting the conductive powder is not particularly limited. However, in the preparation of the paste, a substantially spherical shape that can be uniformly dispersed in the organic vehicle is preferable. FIG. 1 shows an SEM (scanning electron microscope) photograph of the conductive powder of the present invention. From FIG. 1, it can be seen that the particle shape of the conductive powder is substantially spherical. The control of the particle shape of the conductive powder depends on the particle shape of the ruthenium oxide powder used in the production method. That is, it is preferable to use a spherical ruthenium oxide powder as a raw material as much as possible.

次に、本発明の導電粉の製造方法について説明する。まず、第1の製造方法では、酸化ルテニウム粉と、塩化イリジウム酸塩と、塩化銅又は酸化銅とを、それぞれ秤量して混合し、得られた混合物を酸化性雰囲気下にて560〜640℃で焙焼し、得られた焙焼物を水洗浄する。上記原料の秤量の際には、イリジウムの配合割合が酸化イリジウム/(酸化ルテニウム+酸化イリジウム)の百分率で9〜30質量%になり、且つ銅の配合割合が銅/(酸化ルテニウム+酸化イリジウム)の百分率で0.1〜6質量%となるように秤量する。   Next, the manufacturing method of the electrically conductive powder of this invention is demonstrated. First, in the first production method, ruthenium oxide powder, chloroiridate, and copper chloride or copper oxide are weighed and mixed, and the resulting mixture is 560 to 640 ° C. in an oxidizing atmosphere. Roasting and washing the resulting roasted product with water. When the raw materials are weighed, the proportion of iridium is 9 to 30% by mass as a percentage of iridium oxide / (ruthenium oxide + iridium oxide), and the proportion of copper is copper / (ruthenium oxide + iridium oxide). Is weighed so as to be 0.1 to 6% by mass.

また、第2の製造方法では、銅を含む酸化ルテニウム粉と、塩化イリジウム酸塩とを、それぞれ秤量して混合し、得られた混合物を酸化性雰囲気下にて560〜640℃で焙焼して、得られた焙焼物を水洗浄する。上記秤量の際には、イリジウムの配合割合が酸化イリジウム/(酸化ルテニウム+酸化イリジウム)の百分率で9〜30質量%になり、且つ銅の配合割合が銅/(酸化ルテニウム+酸化イリジウム)の百分率で0.1〜6質量%となるように秤量する。   In the second production method, ruthenium oxide powder containing copper and iridium chloride are weighed and mixed, and the resulting mixture is roasted at 560 to 640 ° C. in an oxidizing atmosphere. Then, the obtained roasted product is washed with water. In the above weighing, the iridium compounding ratio is 9 to 30% by mass as a percentage of iridium oxide / (ruthenium oxide + iridium oxide), and the copper compounding ratio is copper / (ruthenium oxide + iridium oxide) percentage. To be 0.1 to 6% by mass.

これら第1又は第2の製造方法によって、酸化イリジウムで被覆された酸化ルテニウム粉からなる導電粉であって、平均粒径が20〜80nmであり、酸化イリジウム被覆膜の厚さが0.5〜2nmであると共に、酸化ルテニウムと酸化イリジウムの合計に対して、酸化イリジウムを9〜30質量%及び銅を0.1〜6質量%含有する導電粉が得られる。即ち、ルテニウムとイリジウムの配合割合及び焙焼の条件が上記した特定範囲を外れると、上記した本発明の特性を有する導電粉を得ることができない。   According to the first or second manufacturing method, the conductive powder is made of ruthenium oxide powder coated with iridium oxide, the average particle diameter is 20 to 80 nm, and the thickness of the iridium oxide coating film is 0.5. In addition to ˜2 nm, conductive powder containing 9 to 30% by mass of iridium oxide and 0.1 to 6% by mass of copper with respect to the total of ruthenium oxide and iridium oxide is obtained. That is, when the mixing ratio of ruthenium and iridium and the conditions for roasting are out of the specific range described above, the conductive powder having the above-described characteristics cannot be obtained.

上記製造方法で用いる酸化ルテニウム粉及び銅を含む酸化ルテニウム粉としては、強い凝集をしていないものが望ましい。即ち、これらの酸化ルテニウム粉の凝集が強い場合には、混合時に分散しにくいため、その粒子表面を酸化イリジウムで均一に被覆することができないからである。また、これらの酸化ルテニウム粉の粒子形状としては、特に限定されるものではないが、ペーストの調製において、有機ビヒクル中に均一に分散させやすい導電粉を得るため、略球状であることが好ましい。   As the ruthenium oxide powder and the ruthenium oxide powder containing copper used in the production method, those which are not strongly aggregated are desirable. That is, when the agglomeration of these ruthenium oxide powders is strong, it is difficult to disperse at the time of mixing, and the particle surface cannot be uniformly coated with iridium oxide. Further, the particle shape of these ruthenium oxide powders is not particularly limited, but is preferably substantially spherical in order to obtain conductive powder that can be easily dispersed uniformly in the organic vehicle in the preparation of the paste.

上記酸化ルテニウム粉(銅を含まない)の製造方法としては、例えば、市販の水酸化ルテニウム粉又は塩化ルテニウム酸塩を酸化性雰囲気下において500〜800℃の温度で焙焼に付す方法(A方法)がある。他の方法としては、塩化ルテニウム酸塩などの水溶液を苛性ソーダなどで還元して水酸化ルテニウムの澱物を得た後、この水酸化ルテニウム澱物を酸化性雰囲気下において焙焼する方法(B方法)を用いることもできる。   As a method for producing the ruthenium oxide powder (not including copper), for example, a commercially available ruthenium hydroxide powder or ruthenium chloride salt is subjected to roasting at a temperature of 500 to 800 ° C. in an oxidizing atmosphere (Method A). ) As another method, an aqueous solution such as ruthenium chloride is reduced with caustic soda to obtain a ruthenium hydroxide starch, and then the ruthenium hydroxide starch is roasted in an oxidizing atmosphere (Method B). ) Can also be used.

また、銅を含む酸化ルテニウム粉の製造は、上記A方法の場合、水酸化ルテニウム粉又は塩化ルテニウム酸塩に酸化銅又は塩化銅を混合し、酸化性雰囲気下に500〜800℃で焙焼する。上記B方法の場合には、塩化ルテニウム酸塩の水溶液に水溶性銅化合物を添加した後、還元して得られた水酸化ルテニウム澱物を酸化性雰囲気下に500〜800℃で焙焼するか、あるいは、塩化ルテニウム酸塩の水溶液を還元して得られた水酸化ルテニウム澱物に酸化銅又は塩化銅を混合し、酸化性雰囲気下に500〜800℃で焙焼すればよい。   In addition, in the case of the above-mentioned method A, the production of ruthenium oxide powder containing copper is performed by mixing copper oxide or copper chloride with ruthenium hydroxide powder or ruthenium chloride salt and baking at 500 to 800 ° C. in an oxidizing atmosphere. . In the case of the above-mentioned method B, after adding a water-soluble copper compound to an aqueous solution of ruthenium chloride, the ruthenium hydroxide starch obtained by reduction is roasted at 500 to 800 ° C. in an oxidizing atmosphere. Alternatively, copper oxide or copper chloride may be mixed with ruthenium hydroxide starch obtained by reducing an aqueous solution of ruthenium chloride and roasted at 500 to 800 ° C. in an oxidizing atmosphere.

上記酸化ルテニウム粉又は銅を含む酸化ルテニウム粉の粒径としては、酸化イリジウムで被覆して得られる導電粉の平均粒径が20〜80nmとなるように、被覆膜の厚さを勘案して選択する。例えば、酸化イリジウムの含有割合が下限値の4質量%の場合には、被覆膜が極めて薄く、被覆前後での導電粉の平均粒径は実質的に変化しないため、平均粒径が約20〜80nmの酸化ルテニウム粉を用いてもよい。ところが、酸化イリジウムの含有割合が上限値の0質量%の場合には、被覆後の導電粉の平均粒径が増加するので、この増加分と所望する被覆後の平均粒径を勘案して用いる酸化ルテニウム粉の粒径を選択する。尚、酸化ルテニウム粉の粒径は、SEM観察により測定したものを用いた。BET法により求めた平均粒径は、粒子が凝集している場合には実際の粒径より大きくなってしまうからである。   As the particle size of the ruthenium oxide powder or the ruthenium oxide powder containing copper, the thickness of the coating film is taken into consideration so that the average particle size of the conductive powder obtained by coating with iridium oxide is 20 to 80 nm. select. For example, when the content ratio of iridium oxide is the lower limit of 4% by mass, the coating film is extremely thin, and the average particle size of the conductive powder before and after coating does not substantially change, so the average particle size is about 20 ˜80 nm ruthenium oxide powder may be used. However, when the content ratio of iridium oxide is the upper limit of 0% by mass, the average particle size of the conductive powder after coating increases, so that the increase and the desired average particle size after coating are taken into account. The particle size of the ruthenium oxide powder is selected. In addition, the particle diameter of ruthenium oxide powder used what was measured by SEM observation. This is because the average particle size obtained by the BET method is larger than the actual particle size when the particles are aggregated.

上記製造方法に用いる塩化イリジウム酸塩としては、特に限定されるものではないが、ヘキサクロロイリジウム(IV)酸アンモニウム((NHIrCl)又はヘキサクロロイリジウム(IV)酸カリウム(KIrCl)、若しくはこれらの混合物が用いられる。尚、これら塩化イリジウム酸塩は、乾燥状態にある粉末が望ましいが、水分を含んだものであってもよい。 The iridium chloride salt used in the above production method, is not particularly limited, hexachloroiridate (IV) ammonium ((NH 4) 2 IrCl 6 ) or potassium hexachloroiridate (IV) (K 2 IrCl 6 ), Or a mixture thereof. These chloroiridates are preferably powders in a dry state, but may contain water.

上記第1の製造方法において、酸化ルテニウム粉と塩化イリジウム酸塩と塩化銅又は酸化銅との混合は、塩化イリジウム酸塩を水に溶解し、得られた水溶液に酸化ルテニウム粉と塩化銅又は酸化銅を投入して撹拌し、得られたスラリーを乾燥する方法が好ましい。また、上記第2の製造方法において、銅を含む酸化ルテニウム粉と塩化イリジウム酸塩とを混合する場合には、塩化イリジウム酸塩を溶解した水溶液に、上述した方法で製造した銅を含む酸化ルテニウム粉を投入して撹拌し、得られたスラリーを乾燥すればよい。   In the first production method, ruthenium oxide powder, iridium chloride and copper chloride or copper oxide are mixed by dissolving iridium chloride in water, and ruthenium oxide powder and copper chloride or oxidation in the resulting aqueous solution. A method in which copper is added and stirred, and the resulting slurry is dried is preferred. In the second production method, when ruthenium oxide powder containing copper and iridium chloride are mixed, ruthenium oxide containing copper produced by the above-described method in an aqueous solution in which chloroiridate is dissolved. The powder may be added and stirred, and the resulting slurry may be dried.

これらの方法により得られる混合物では、酸化ルテニウム粉又は銅を含む酸化ルテニウム粉の表面上に、塩化イリジウム酸塩と塩化銅又は酸化銅が均一に分散されている。従って、後の焙焼工程を経ることによって、銅を含み且つ均質な酸化イリジウム被覆膜で全表面が均一に被覆された酸化ルテニウム粉を得ることができる。   In the mixture obtained by these methods, iridium chloride and copper chloride or copper oxide are uniformly dispersed on the surface of ruthenium oxide powder or ruthenium oxide powder containing copper. Therefore, through the subsequent roasting step, it is possible to obtain ruthenium oxide powder containing copper and uniformly coated on the entire surface with a homogeneous iridium oxide coating film.

尚、上記塩化イリジウム酸塩の水溶液の濃度としては、特に限定されるものでなく、酸化ルテニウム粉又は銅を含む酸化ルテニウム粉に対し所望の割合でイリジウムを含有するものが用いられるが、このスラリーは後に乾燥されるので、できるだけ高濃度のものが好ましい。また、上記スラリーの濃度としては、特に限定されるものでないが、このスラリーは後に乾燥されるので、できるだけ高濃度のスラリーが好ましい。   The concentration of the aqueous solution of chloroiridate is not particularly limited, and a slurry containing iridium in a desired ratio with respect to ruthenium oxide powder or ruthenium oxide powder containing copper is used. Since it is dried later, it is preferable to have a concentration as high as possible. Further, the concentration of the slurry is not particularly limited, but since this slurry is dried later, a slurry having a concentration as high as possible is preferable.

上記混合に用いる方法としては、特に限定されるものではなく、酸化ルテニウム粉の平均粒径を変化させない方法、即ち粉末粒子を砕くほど大きな粉砕能力を有しないものであれば良く、乳鉢、シェーカー等の一般的な混合装置を用いることができる。ただし、塩化イリジウム酸塩の粒径が大きい場合には、酸化ルテニウム粉と混合する前に、乳鉢、ボールミル等で解砕することが好ましい。これによって、酸化ルテニウム粉への被覆の均一性が向上する。また、塩化イリジウム酸塩は粉砕できるが、酸化ルテニウム粒子を粉砕しない範囲の粉砕能力を有する粉砕装置を用いることで、塩化イリジウム酸塩を粉砕しながら酸化ルテニウム粉と混合することも可能である。   The method used for the mixing is not particularly limited, and any method that does not change the average particle diameter of the ruthenium oxide powder, that is, a powder that does not have a large pulverizing ability to pulverize the powder particles, such as a mortar, a shaker, etc. The following general mixing apparatus can be used. However, when the iridium chloride particle size is large, it is preferable to crush with a mortar, ball mill or the like before mixing with the ruthenium oxide powder. This improves the uniformity of the coating on the ruthenium oxide powder. Further, although iridium chloride can be pulverized, it can be mixed with ruthenium oxide powder while pulverizing iridium acid salt by using a pulverizing apparatus having a pulverizing ability within a range that does not pulverize ruthenium oxide particles.

上記製造方法に用いる焙焼方法としては、特に限定されるものではなく、塩化イリジウム酸塩、酸化ルテニウム等の原料との反応性がなく、且つ耐熱性のある容器を用いて焙焼すればよい。例えば、アルミナ製容器の内部に上記原料からなる混合物を入れ、その容器を管状炉、マッフル炉等の一般的な焼成装置の内部に設置して、所定温度で加熱することにより焙焼を行うことができる。また、焙焼の雰囲気としては、酸化性雰囲気であれば特に限定されるものではなく、例えば酸素ガス等の雰囲気を用いることができるが、大気雰囲気が経済的で好ましく、大気気流中が更に好ましい。   The roasting method used in the above production method is not particularly limited, and it may be roasted using a container having no reactivity with raw materials such as iridium chloride and ruthenium oxide and having heat resistance. . For example, a mixture made of the above raw materials is put in an alumina container, and the container is placed in a general baking apparatus such as a tubular furnace or a muffle furnace, and then roasted by heating at a predetermined temperature. Can do. The roasting atmosphere is not particularly limited as long as it is an oxidizing atmosphere. For example, an atmosphere such as oxygen gas can be used, but an air atmosphere is economical and preferably in an air stream. .

上記製造方法における焙焼温度は500〜800℃の範囲とする。焙焼温度が500℃未満では、塩化イリジウム酸塩の分解と酸化が不十分となる。一方、焙焼温度が800℃を超えると、凝集が強くなるため分散性のよい導電粉が得られなくなるうえ、酸化イリジウム被覆膜中のイリジウムと酸化ルテニウム粉中のルテニウムが相互に拡散してしまい、酸化イリジウムと酸化ルテニウムが固溶した複合酸化物粉が形成されるため好ましくない。   The roasting temperature in the said manufacturing method shall be the range of 500-800 degreeC. When the roasting temperature is less than 500 ° C., the decomposition and oxidation of the chloroiridate are insufficient. On the other hand, when the roasting temperature exceeds 800 ° C., agglomeration becomes strong and conductive powder with good dispersibility cannot be obtained, and iridium in the iridium oxide coating film and ruthenium in the ruthenium oxide powder diffuse to each other. This is not preferable because a composite oxide powder in which iridium oxide and ruthenium oxide are dissolved is formed.

また、焙焼時間については、酸化イリジウム被覆膜の厚さや焙焼温度等に応じて適宜選定されるものであるが、塩化イリジウム酸塩が分解して酸化イリジウムを生成するのに十分な時間であればよく、通常は0.5〜5分間が好ましい。酸化イリジウム被覆膜が薄い場合あるいは焙焼温度が高い場合には、凝集が進行しやすく、また拡散現象のため酸化イリジウムで被覆された粉の形態が得られず均一酸化物粉となりやすいため、焙焼時間をできるだけ短く設定する必要がある。また、酸化イリジウム被覆膜が厚い場合でも、高温で長時間焙焼すると凝集が進むため好ましくない。   The roasting time is appropriately selected according to the thickness of the iridium oxide coating film, the roasting temperature, etc., but sufficient time for the iridium chloride to decompose and produce iridium oxide. It is sufficient if it is 0.5 to 5 minutes. When the iridium oxide coating film is thin or when the baking temperature is high, agglomeration is likely to proceed, and because of the diffusion phenomenon, the form of the powder coated with iridium oxide is not easily obtained, and it becomes easy to obtain a uniform oxide powder. It is necessary to set the roasting time as short as possible. Further, even when the iridium oxide coating film is thick, if it is baked at a high temperature for a long time, aggregation proceeds, which is not preferable.

以上のように、焙焼条件としては比較的低温度と短時間が選ばれるので、焙焼しただけでは塩化イリジウム酸塩の分解物が焙焼物中に残留しやすい。この分解物としては、塩化カリウム、塩化アンモニウム、塩素、カリウム等が挙げられるが、これらの分解物は後工程の水洗浄によって除去することができる。   As described above, a relatively low temperature and a short time are selected as the roasting conditions, so that the decomposition product of chloroiridate is likely to remain in the roasted product only by roasting. Examples of the decomposition products include potassium chloride, ammonium chloride, chlorine, potassium, and the like, but these decomposition products can be removed by washing with water in a subsequent step.

上記製造方法に用いる水洗浄方法としては、特に限定されるものではないが、例えば、焙焼物を水に投入し、撹拌機又は超音波洗浄器を使用して撹拌する。撹拌洗浄後の焙焼物は、濾過により導電粉として回収する。この水洗工程においては、水への投入、撹拌洗浄及び濾過からなる操作を数回繰返して行うことが好ましい。洗浄に用いる水としては、導電粉に対して有害な不純物元素を含有していない水が好ましく、特に純水が好ましい。尚、上記焙焼物の水スラリーの濃度としては、特に限定されるものではなく、分解物が十分に除去されるように選定すればよい。   Although it does not specifically limit as a water washing | cleaning method used for the said manufacturing method, For example, a roasted material is thrown into water and it stirs using a stirrer or an ultrasonic cleaner. The roasted product after stirring and washing is recovered as conductive powder by filtration. In this water washing step, it is preferable to repeat the operations consisting of charging into water, stirring washing and filtration several times. As water used for washing, water which does not contain an impurity element harmful to conductive powder is preferable, and pure water is particularly preferable. The concentration of the water slurry of the roasted product is not particularly limited and may be selected so that the decomposed product is sufficiently removed.

上記水洗浄後に回収した導電粉は、水分を蒸発させて乾燥される。この乾燥の方法としては、特に限定されるものではないが、例えば、水洗浄後の導電粉をステンレスパッド上に置き、大気オーブン又は乾燥機などの市販の乾燥装置を用いて、90〜110℃の温度にて数時間加熱する方法などがある。   The conductive powder collected after the water washing is dried by evaporating moisture. The drying method is not particularly limited. For example, the conductive powder after washing with water is placed on a stainless steel pad, and a commercially available drying apparatus such as an atmospheric oven or a dryer is used. There is a method of heating at a temperature of several hours.

このようにして得られた本発明の導電粉は、ガラス結合剤と共に、有機ビヒクル中に均一に分散させることによって、厚膜抵抗体形成用のペーストとして調製することができる。得られたペーストを用い、通常の方法にしたがって塗布し、焼成することにより、電気特性が優れた厚膜抵抗体を形成することができる。   The conductive powder of the present invention thus obtained can be prepared as a paste for forming a thick film resistor by uniformly dispersing it in an organic vehicle together with a glass binder. A thick film resistor having excellent electrical characteristics can be formed by applying and baking the obtained paste according to a normal method.

上記ペーストの調製方法としては、例えば、導電粉、ガラス結合剤及び有機ビヒクルを混合した後、スリーロールミルなどにより混練、分散して調製する方法が用いられる。ここで、ガラス結合剤としては、ペーストを用いる対象部品や使用条件などに応じて選定され、好ましくは鉛を含まないガラスフリット、例えばSiO、B、Al、CaOなどを含むガラスフリットが用いられる。また、有機ビヒクルとしては、ペーストを用いる対象部品や使用条件などに応じて選定することができ、例えば、セルロース系樹脂などの有機バインダーをターピネオールなどの溶剤に溶解させたものが用いられる。 As a method for preparing the paste, for example, a method in which conductive powder, a glass binder, and an organic vehicle are mixed and then kneaded and dispersed by a three roll mill or the like is used. Here, the glass binder is selected according to the target part using the paste, the use conditions, etc., and preferably glass frit containing no lead, such as SiO 2 , B 2 O 3 , Al 2 O 3 , CaO, etc. Including glass frit is used. Further, the organic vehicle can be selected according to the target part using the paste, the use conditions, and the like. For example, an organic vehicle in which an organic binder such as a cellulose resin is dissolved in a solvent such as terpineol is used.

以下に、本発明の実施例及び比較例によって本発明をさらに詳細に説明するが、本発明は、これらの実施例によって限定されるものではない。尚、以下の実施例及び比較例において、酸化ルテニウム粉の平均粒径及び導電粉の平均粒径の評価方法、及び抵抗体の電気的特性の評価方法は、以下の通りである。   EXAMPLES The present invention will be described in more detail below with reference to examples and comparative examples, but the present invention is not limited to these examples. In the following examples and comparative examples, the evaluation method of the average particle diameter of the ruthenium oxide powder and the average particle diameter of the conductive powder and the evaluation method of the electrical characteristics of the resistor are as follows.

(1)酸化ルテニウム粉の平均粒径:10万倍で撮影したSEM像について、200〜300個の粒子の直径を測定し、その平均を求めた。
(2)導電粉の平均粒径:比表面積測定装置(ユアサアイオニクス(株)製、マルチソーブ−16)を用い、BET1点法により比表面積を求めて算出した。
(3)導電粉の被覆膜の厚さ:使用した塩化イリジウム酸塩のイリジウム重量から生成した酸化イリジウム重量を求め、これを密度で除して酸化イリジウムの体積を算出し、この体積分の被覆膜が酸化ルテニウム粉上に形成されたとして、その被覆膜の厚さを計算で求めた。
(4)抵抗体の電気的特性:面積抵抗値とノイズを測定した。抵抗値はデジタルマルチメーター(KEITHLEY社製、Model2001Multimeter)を用いて、4端子法で測定した。また、TCRは、基準温度を25℃とし、125℃と−55℃における温度変化に対する抵抗値の変化を測定した。
(1) Average particle diameter of ruthenium oxide powder: About the SEM image image | photographed by 100,000 times, the diameter of 200-300 particle | grains was measured and the average was calculated | required.
(2) Average particle size of conductive powder: The specific surface area was determined by a BET 1-point method using a specific surface area measuring device (manufactured by Yuasa Ionics Co., Ltd., Multisorb-16).
(3) Thickness of the coating film of the conductive powder: The iridium oxide weight generated from the iridium weight of the chloroiridate used was calculated and divided by the density to calculate the volume of iridium oxide. Assuming that the coating film was formed on the ruthenium oxide powder, the thickness of the coating film was calculated.
(4) Electrical characteristics of resistor: Area resistance value and noise were measured. The resistance value was measured by a 4-terminal method using a digital multimeter (manufactured by KEITHLEY, Model 2001 Multimeter). The TCR was measured with respect to a temperature change at 125 ° C. and −55 ° C. with a reference temperature of 25 ° C.

[実施例1]
原料として、平均粒径が約50nmの酸化ルテニウム粉2.00gと、ヘキサクロロイリジウム(IV)酸アンモニウム(住友金属鉱山(株)製、グレード:99.9%)0.40g、及び酸化銅粉(高南無機(株)製)0.15gを秤量した。尚、ヘキサクロロイリジウム(IV)酸アンモニウムの秤量値は、焙焼により生成される酸化イリジウムの重量が0.20gで、酸化ルテニウム粉の表面に形成される酸化イリジウム被覆膜の厚さが0.5nmとなるように、計算で求めた重量である。
[Example 1]
As raw materials, 2.00 g of ruthenium oxide powder having an average particle size of about 50 nm, 0.40 g of ammonium hexachloroiridium (IV) (Sumitomo Metal Mining Co., Ltd., grade: 99.9%), and copper oxide powder ( 0.15 g of Takanan Inorganic Co., Ltd. was weighed. The weight of ammonium hexachloroiridium (IV) is 0.20 g of iridium oxide produced by roasting, and the thickness of the iridium oxide coating film formed on the surface of ruthenium oxide powder is 0.20 g. The weight obtained by calculation so as to be 5 nm.

上記配合割合によって、得られる導電粉中の酸化イリジウムの含有割合は、酸化イリジウム(IrO)/(酸化ルテニウム(RuO)+酸化イリジウム(IrO))の百分率で9質量%となる。また、導電粉中の銅の含有割合は、銅(Cu)/(酸化ルテニウム(RuO)+酸化イリジウム(IrO))の百分率で5.6質量%となる。 The content ratio of iridium oxide in the obtained conductive powder is 9% by mass as a percentage of iridium oxide (IrO 2 ) / (ruthenium oxide (RuO 2 ) + iridium oxide (IrO 2 )). Further, the content ratio of copper in the conductive powder is 5.6% by mass as a percentage of copper (Cu) / (ruthenium oxide (RuO 2 ) + iridium oxide (IrO 2 )).

まず、ヘキサクロロイリジウム(IV)酸アンモニウムを純水50mlに溶解し、その中に酸化ルテニウム粉と酸化銅粉を投入し、撹拌してスラリーとした。このスラリーを蒸発皿に移し、120℃にセットした乾燥機で約2時間乾燥した後、得られた乾燥物を乳鉢で解砕し、酸化ルテニウム粉と塩化イリジウム酸塩と酸化銅粉の混合物を得た。   First, ammonium hexachloroiridium (IV) was dissolved in 50 ml of pure water, and ruthenium oxide powder and copper oxide powder were put into it and stirred to form a slurry. This slurry is transferred to an evaporating dish and dried for about 2 hours in a drier set at 120 ° C., and then the resulting dried product is crushed in a mortar to obtain a mixture of ruthenium oxide powder, iridium chloride chloride and copper oxide powder. Obtained.

この混合物をアルミナ製の皿に載せ、管状炉を用いて焙焼した。この焙焼に際しては、昇温開始時から大気を毎分3リットルで流しながら、アルミナ皿上の温度が560℃なった時点で3分間保持した後、炉の加熱を停止して、そのまま炉内で冷却した。   This mixture was placed on an alumina dish and baked using a tubular furnace. At the time of this roasting, the atmosphere was made to flow at 3 liters per minute from the start of the temperature rise, and when the temperature on the alumina pan reached 560 ° C., it was held for 3 minutes, then the heating of the furnace was stopped, and the inside of the furnace was left as it was It was cooled with.

次いで、得られた焙焼物を純水200mlに投入し、超音波洗浄器を用いて10分間の撹拌後、濾紙で濾過して粉末を回収した。純水への投入、撹拌及び濾過からなる上記操作を更に2回繰返した後、粉末をステンレスパッドに移し、大気乾燥機にて90℃で8時間乾燥して、試料1の導電粉を得た。   Subsequently, the obtained roasted product was put into 200 ml of pure water, stirred for 10 minutes using an ultrasonic cleaner, and then filtered through a filter paper to collect a powder. After repeating the above operations consisting of charging into pure water, stirring and filtration two more times, the powder was transferred to a stainless steel pad and dried at 90 ° C. for 8 hours in an air dryer to obtain a conductive powder of Sample 1. .

得られた試料1の導電粉について、上記した方法により平均粒径を測定した。また、試料1の導電粉1〜2gを、ガラス結合剤(主成分:10重量%SrO−43重量%SiO−16重量%B−4重量%Al−20重量%ZnO−7重量%NaO)とビヒクル(主成分:エチルセルロースとターピネオールを主成分とする)の合計4〜6gに混合して、ペースト化した。このペーストを1mm×1mmの大きさ(膜厚:7〜9μm)の膜状に印刷し、大気雰囲気中にて850℃で30分間焼成して抵抗体を形成した。このとき、ペースト中への分散性は良好であった。得られた試料1の抵抗体(1mm×1mm)の電気的特性(抵抗値及びTCR)を上記方法により測定した。 About the obtained electrically conductive powder of the sample 1, the average particle diameter was measured by the above-mentioned method. Also, 1-2 g of the conductive powder of Sample 1 was added to a glass binder (main component: 10 wt% SrO-43 wt% SiO 2 -16 wt% B 2 O 3 -4 wt% Al 2 O 3 -20 wt% ZnO. -7 wt% Na 2 O) and vehicle (main component: by mixing the total 4~6g of the main component) ethylcellulose and terpineol, make a paste. This paste was printed in the form of a film having a size of 1 mm × 1 mm (film thickness: 7 to 9 μm) and baked at 850 ° C. for 30 minutes in an air atmosphere to form a resistor. At this time, the dispersibility in the paste was good. The electrical characteristics (resistance value and TCR) of the resistor (1 mm × 1 mm) of the obtained sample 1 were measured by the above method.

下記表1に、上記試料1の導電粉の設計(RuO原料粉の平均粒径、IrO被覆膜の膜厚)と共に、導電粉の作製条件としてIrO及びCuの配合割合(共にRuOとIrOの合計に対する割合)と、焙焼時の温度及び時間を示した。また、下記表2には、参考のために上記表1における導電粉の設計を示すと共に、得られた導電粉の平均粒径(比表面積から算出)、及びその導電粉により形成した抵抗体の電気的特性(抵抗値とTCR)を示した。 Table 1 below shows the conductive powder design of Sample 1 (the average particle diameter of the RuO 2 raw material powder and the film thickness of the IrO 2 coating film), and the composition ratio of IrO 2 and Cu (both RuO 2 as the production conditions of the conductive powder) The ratio to the total of 2 and IrO 2 ), and the temperature and time during roasting are shown. In addition, Table 2 below shows the design of the conductive powder in Table 1 above for reference, the average particle diameter of the obtained conductive powder (calculated from the specific surface area), and the resistance formed by the conductive powder. Electrical characteristics (resistance value and TCR) are shown.

[実施例2]
上記実施例1と同様に実施したが、下記表1の試料2〜9に示すように、ヘキサクロロイリジウム(IV)酸アンモニウムと酸化銅の秤量値(配合割合)を変えて、酸化ルテニウム粉の表面に形成される酸化イリジウム被覆膜の厚さ及び導電粉中の酸化イリジウムと銅の含有割合を変えると共に、焙焼温度及び焙焼時間を変えることにより、試料2〜9の導電粉を製造した。
[Example 2]
Although it implemented similarly to the said Example 1, as shown in the samples 2-9 of the following Table 1, changing the measured value (mixing ratio) of ammonium hexachloro iridium (IV) and copper oxide, the surface of ruthenium oxide powder The conductive powders of Samples 2 to 9 were produced by changing the thickness of the iridium oxide coating film formed on and the content ratio of iridium oxide and copper in the conductive powder and changing the baking temperature and baking time. .

得られた試料2〜9の導電粉について、平均粒径の測定すると共に、上記実施例1と同様にして調整したペーストを用いて抵抗体を形成し、その電気的特性の評価を行った。このとき、ペースト中への分散性は良好であった。下記表2の試料2〜9に、得られた抵抗体の電気的特性の評価結果を示した。   About the obtained electrically conductive powder of samples 2-9, while measuring an average particle diameter, the resistor was formed using the paste adjusted similarly to the said Example 1, and the electrical property was evaluated. At this time, the dispersibility in the paste was good. Samples 2 to 9 in Table 2 below show the evaluation results of the electrical characteristics of the obtained resistors.

[実施例3]
ヘキサクロロルテニウム(IV)酸アンモニウム(住友金属鉱山(株)製、グレード:99.9%)8.05gと、塩化銅水和物(和光純薬工業(株)製、試薬)0.041g、及び塩化カリウム(和光純薬工業(株)製、試薬)0.2gを、純水140mlに投入し、超音波洗浄器を用いて10分間混合した後、120℃にセットした乾燥機で約2時間乾燥した。
[Example 3]
Ammonium hexachlororuthenium (IV) (Sumitomo Metal Mining Co., Ltd., grade: 99.9%) 8.05 g, copper chloride hydrate (Wako Pure Chemical Industries, Ltd., reagent) 0.041 g, and 0.2 g of potassium chloride (made by Wako Pure Chemical Industries, Ltd., reagent) is put into 140 ml of pure water, mixed for 10 minutes using an ultrasonic cleaner, and then about 2 hours in a dryer set at 120 ° C. Dried.

得られた乾燥物を乳鉢で解砕し、アルミナ製の皿に載せ、管状炉を用いて焙焼した。この焙焼に際しては、昇温開始時から大気を毎分3リットルで流し、アルミナ皿上の温度が7000℃になった時点で1時間保持した後、そのまま炉内で冷却した。次いで、得られた焙焼物を純水200ml中に投入し、超音波洗浄器を用いて10分間の撹拌した後、濾過して粉末を回収した。   The obtained dried product was crushed with a mortar, placed on an alumina dish, and baked using a tubular furnace. At the time of this roasting, the air was flowed at 3 liters per minute from the start of the temperature elevation, and was kept for 1 hour when the temperature on the alumina dish reached 7000 ° C., and then cooled in the furnace as it was. Next, the obtained roasted product was put into 200 ml of pure water, stirred for 10 minutes using an ultrasonic cleaner, and then filtered to collect powder.

この純水への投入、撹拌及び濾過からなる操作を更に2回繰返した後、ステンレスパッドに移し、大気乾燥機にて90℃で8時間乾燥して、銅を含む酸化ルテニウム粉を得た。この銅を含む酸化ルテニウム粉の平均粒径は、SEMで粒径を評価した結果、約50nmであった。   This operation consisting of addition to pure water, stirring and filtration was repeated twice more, then transferred to a stainless steel pad and dried in an air dryer at 90 ° C. for 8 hours to obtain ruthenium oxide powder containing copper. The average particle size of the ruthenium oxide powder containing copper was about 50 nm as a result of evaluating the particle size by SEM.

得られた銅を含む酸化ルテニウム粉2.00gと、ヘキサクロロイリジウム(IV)酸アンモニウム(住友金属鉱山(株)製、グレード:99.9%)1.70gを秤量した。尚、ヘキサクロロイリジウム(IV)酸アンモニウムの秤量値は、焙焼により生成される酸化イリジウムの重量が0.8gで、銅を含む酸化ルテニウム粉の表面に形成される酸化イリジウム被覆膜の厚さが2nmとなるように、計算で求めた重量である。   2.00 g of the obtained ruthenium oxide powder containing copper and 1.70 g of ammonium hexachloroiridium (IV) (manufactured by Sumitomo Metal Mining Co., Ltd., grade: 99.9%) were weighed. In addition, the weight value of ammonium hexachloroiridium (IV) is the thickness of the iridium oxide coating film formed on the surface of the ruthenium oxide powder containing copper, and the weight of iridium oxide produced by roasting is 0.8 g. Is a weight obtained by calculation so that the value becomes 2 nm.

上記配合割合によって、得られる導電粉中の酸化イリジウムの含有割合は、酸化イリジウム(IrO)/(酸化ルテニウム(RuO)+酸化イリジウム(IrO))の百分率で30質量%となる。また、導電粉中の銅の含有割合は、銅(Cu)/(酸化ルテニウム(RuO)+酸化イリジウム(IrO))の百分率で0.5質量%となる。 The content ratio of iridium oxide in the obtained conductive powder is 30% by mass as a percentage of iridium oxide (IrO 2 ) / (ruthenium oxide (RuO 2 ) + iridium oxide (IrO 2 )). Further, the content ratio of copper in the conductive powder is 0.5% by mass as a percentage of copper (Cu) / (ruthenium oxide (RuO 2 ) + iridium oxide (IrO 2 )).

まず、ヘキサクロロイリジウム(IV)酸アンモニウムを純水120mlに溶解し、その中に上記銅を含む酸化ルテニウム粉を投入し、撹拌してスラリーとした。このスラリーを蒸発皿に移し、120℃にセットした乾燥機で約5時間乾燥した後、乳鉢で解砕した。この混合物をアルミナ製の皿に載せ、管状炉を用いて焙焼した。この焙焼では、昇温開始時から大気を毎分3リットルで流し、アルミナ皿上の温度が640℃なった時点で1分間保持した後、そのまま炉内で冷却した。   First, ammonium hexachloroiridium (IV) was dissolved in 120 ml of pure water, into which the ruthenium oxide powder containing copper was added, and stirred to obtain a slurry. This slurry was transferred to an evaporating dish, dried for about 5 hours with a dryer set at 120 ° C., and then crushed with a mortar. This mixture was placed on an alumina dish and baked using a tubular furnace. In this roasting, air was passed at a rate of 3 liters per minute from the start of the temperature rise, and when the temperature on the alumina dish reached 640 ° C., it was held for 1 minute, and then cooled in the furnace as it was.

次いで、得られた焙焼物を純水200ml中に投入し、超音波洗浄器を用いて10分間の撹拌した後、濾過して粉末を回収した。ここで、純水への投入、撹拌、及び濾過からなる操作を更に2回繰返した後、ステンレスパッドに移し、大気乾燥機にて90℃で8時間乾燥して、試料10の導電粉を得た。この試料10の導電粉の設計と配合割合、及び焙焼条件を下記表1に示した。   Next, the obtained roasted product was put into 200 ml of pure water, stirred for 10 minutes using an ultrasonic cleaner, and then filtered to collect powder. Here, after repeating the operations of adding pure water, stirring, and filtration two more times, it was transferred to a stainless steel pad and dried in an air dryer at 90 ° C. for 8 hours to obtain a conductive powder of Sample 10. It was. Table 1 below shows the design, blending ratio, and roasting conditions of the conductive powder of Sample 10.

また、得られた試料10の導電粉について、上記評価方法により平均粒径を測定すると共に、上記実施例1と同様にしてペーストを調整し、そのペーストを用いて形成した抵抗体の電気的特性の評価を行った。このとき、ペースト中への分散性は良好であった。得られた結果を下記表2に併せて示した。   Moreover, while measuring an average particle diameter by the said evaluation method about the electrically conductive powder of the obtained sample 10, the paste was adjusted like the said Example 1, and the electrical characteristic of the resistor formed using the paste Was evaluated. At this time, the dispersibility in the paste was good. The obtained results are also shown in Table 2 below.

[実施例4]
塩化銅水和物の使用量を0.016gとし、銅濃度を低くしたこと以外は上記実施例3と同様にして、銅を含む酸化ルテニウム粉を作製し、これを用いて試料11の導電粉を製造した。この試料11の導電粉の設計と配合割合及び焙焼条件を、下記表1に示した。
[Example 4]
A ruthenium oxide powder containing copper was prepared in the same manner as in Example 3 except that the amount of copper chloride hydrate used was 0.016 g and the copper concentration was lowered. Manufactured. Table 1 below shows the design, blending ratio, and roasting conditions of the conductive powder of Sample 11.

得られた試料11の導電粉について、上記評価方法により平均粒径を測定すると共に、上記実施例1と同様にしてペーストを調整し、そのペーストを用いて形成した抵抗体の電気的特性の評価を行った。このとき、ペースト中への分散性は良好であった。得られた結果を下記表2に併せて示した。   About the obtained conductive powder of sample 11, while measuring an average particle diameter by the said evaluation method, the paste was adjusted like the said Example 1, and evaluation of the electrical property of the resistor formed using the paste Went. At this time, the dispersibility in the paste was good. The obtained results are also shown in Table 2 below.

[比較例1]
酸化銅粉を添加しない以外は上記実施例1と同様にして、銅を含有していない導電粉を製造した。ただし、その際、ヘキサクロロイリジウム(IV)酸アンモニウムの秤量値を0.80gとし、酸化ルテニウム粉表面に形成される酸化イリジウム被覆膜の厚さが1nm、導電粉中の酸化イリジウムの含有割合が17質量%となるようにした。この試料12の導電粉の設計と配合割合及び焙焼条件を、下記表1に示した。
[Comparative Example 1]
Except not adding copper oxide powder, it carried out similarly to the said Example 1, and manufactured the electrically conductive powder which does not contain copper. However, in this case, the weighed value of ammonium hexachloroiridium (IV) is 0.80 g, the thickness of the iridium oxide coating film formed on the surface of the ruthenium oxide powder is 1 nm, and the content ratio of iridium oxide in the conductive powder is It was set to 17% by mass. Table 1 below shows the design, blending ratio, and roasting conditions of the conductive powder of Sample 12.

この比較例1の試料12の導電粉について、上記評価方法により平均粒径を測定すると共に、上記実施例1と同様にしてペーストを調整し、そのペーストを用いて形成した抵抗体の電気的特性の評価を行った。このとき、ペースト中への分散性は良好であった。得られた結果を下記表2に併せて示した。   For the conductive powder of Sample 12 of Comparative Example 1, the average particle diameter was measured by the above evaluation method, and the paste was prepared in the same manner as in Example 1 above, and the electrical characteristics of the resistor formed using the paste Was evaluated. At this time, the dispersibility in the paste was good. The obtained results are also shown in Table 2 below.

[比較例2]
ヘキサクロロイリジウム(IV)酸アンモニウムの秤量値を1.7gとし、酸化ルテニウム粉表面に形成される酸化イリジウム被覆膜の厚さが2nm、導電粉中の酸化イリジウムの含有割合が30質量%となるようにしたこと、及び焙焼条件を560℃で4分間としたこと以外は上記比較例1と同様にして、銅を含有していない導電粉を製造した。この試料13の導電粉の設計と配合割合及び焙焼条件を、下記表1に示した。
[Comparative Example 2]
The weight of ammonium hexachloroiridium (IV) is 1.7 g, the thickness of the iridium oxide coating film formed on the surface of the ruthenium oxide powder is 2 nm, and the content of iridium oxide in the conductive powder is 30% by mass. A conductive powder not containing copper was produced in the same manner as in Comparative Example 1 except that the above was performed and the roasting conditions were 560 ° C. for 4 minutes. Table 1 below shows the design, blending ratio, and roasting conditions of the conductive powder of Sample 13.

この比較例2の試料13の導電粉について、上記評価方法により平均粒径を測定すると共に、上記実施例1と同様にしてペーストを調整し、そのペーストを用いて形成した抵抗体の電気的特性の評価を行った。このとき、ペースト中への分散性は良好であった。得られた結果を下記表2に併せて示した。   For the conductive powder of Sample 13 of Comparative Example 2, the average particle diameter was measured by the above evaluation method, and the paste was prepared in the same manner as in Example 1 above, and the electrical characteristics of the resistor formed using the paste Was evaluated. At this time, the dispersibility in the paste was good. The obtained results are also shown in Table 2 below.

Figure 2010055850
Figure 2010055850

Figure 2010055850
Figure 2010055850

上記の結果から、原料として酸化ルテニウム粉、塩化イリジウム酸塩、塩化銅又は酸化銅を用いる本発明の第1の製造方法による試料1〜9でも、原料として銅を添加した酸化ルテニウム粉と塩化イリジウム酸塩を用いる本発明の第2の製造方法による試料10〜11においても、少ないイリジウム含有量にもかかわらず、ペーストとして厚膜抵抗体を形成したとき優れた電気特性が得られる導電粉が得られることが分かる。   From the above results, even in samples 1 to 9 according to the first production method of the present invention using ruthenium oxide powder, iridium chloride, copper chloride or copper oxide as raw materials, ruthenium oxide powder and iridium chloride added with copper as raw materials Even in the samples 10 to 11 according to the second production method of the present invention using an acid salt, a conductive powder is obtained that has excellent electrical characteristics when a thick film resistor is formed as a paste, despite a small iridium content. You can see that

これに対して、比較例1〜2では、酸化ルテニウム粉の表面を酸化イリジウムで被覆した導電粉であっても、銅を含有していないものであるため、この導電粉を用いて形成した抵抗体はTCRが−100ppm/℃より小さくなり、電気的特性において満足すべき結果が得られないことが分かる。   On the other hand, in Comparative Examples 1 and 2, even though the conductive powder was the surface of the ruthenium oxide powder coated with iridium oxide, since it does not contain copper, the resistance formed using this conductive powder It can be seen that the body has a TCR of less than −100 ppm / ° C. and does not provide satisfactory results in electrical properties.

本発明の導電粉の一例を表すSEM(走査型電子顕微鏡)写真である。It is a SEM (scanning electron microscope) photograph showing an example of the conductive powder of the present invention.

Claims (7)

厚膜抵抗体形成用ペーストに用いられる導電粉であって、酸化イリジウムで被覆された酸化ルテニウム粉からなり、平均粒径が20〜80nmであって、酸化イリジウム被覆膜の厚さが0.5〜2nmであると共に、酸化ルテニウムと酸化イリジウムの合計に対し、酸化イリジウムを9〜30質量%及び銅を0.1〜6質量%含有することを特徴とする導電粉。   Conductive powder used for thick film resistor forming paste, which is made of ruthenium oxide powder coated with iridium oxide, has an average particle diameter of 20 to 80 nm, and the thickness of the iridium oxide coated film is 0. A conductive powder comprising 5 to 2 nm and containing 9 to 30% by mass of iridium oxide and 0.1 to 6% by mass of copper with respect to the total of ruthenium oxide and iridium oxide. 厚膜抵抗体形成用ペーストに用いられ、酸化イリジウムで被覆された酸化ルテニウム粉からなる導電粉の製造方法であって、酸化ルテニウム粉と、塩化イリジウム酸塩と、塩化銅又は酸化銅とを、イリジウムの配合割合が酸化イリジウム/(酸化ルテニウム+酸化イリジウム)の百分率で9〜30質量%になり、且つ銅の配合割合が銅/(酸化ルテニウム+酸化イリジウム)の百分率で0.1〜6質量%となるように秤量し、これらを混合した後、得られた混合物を酸化性雰囲気下にて560〜640℃で焙焼し、得られた焙焼物を水洗浄することを特徴とする導電粉の製造方法。   A method for producing a conductive powder comprising a ruthenium oxide powder coated with iridium oxide, used in a thick film resistor forming paste, comprising ruthenium oxide powder, iridium chloride, and copper chloride or copper oxide. The blending ratio of iridium is 9 to 30% by mass as a percentage of iridium oxide / (ruthenium oxide + iridium oxide), and the blending ratio of copper is 0.1 to 6 mass as a percentage of copper / (ruthenium oxide + iridium oxide). %, And after mixing these, the obtained mixture is roasted at 560 to 640 ° C. in an oxidizing atmosphere, and the obtained roasted product is washed with water. Manufacturing method. 前記酸化ルテニウム粉と塩化イリジウム酸塩と塩化銅又は酸化銅との混合は、塩化イリジウム酸塩を水に溶解し、得られた水溶液に酸化ルテニウム粉と塩化銅又は酸化銅を投入して撹拌し、得られたスラリーを乾燥することを特徴とする、請求項2に記載の導電粉の製造方法。   The ruthenium oxide powder, iridium chloride and copper chloride or copper oxide are mixed by dissolving the iridium chloride in water, adding the ruthenium oxide powder and copper chloride or copper oxide to the resulting aqueous solution, and stirring. The method for producing a conductive powder according to claim 2, wherein the obtained slurry is dried. 厚膜抵抗体形成用ペーストに用いられ、酸化イリジウムで被覆された酸化ルテニウム粉からなる導電粉の製造方法であって、銅を含む酸化ルテニウム粉と、塩化イリジウム酸塩とを、イリジウムの配合割合が酸化イリジウム/(酸化ルテニウム+酸化イリジウム)の百分率で9〜30質量%になり、且つ銅の配合割合が銅/(酸化ルテニウム+酸化イリジウム)の百分率で0.1〜6質量%となるように秤量し、これらを混合した後、得られた混合物を酸化性雰囲気下にて560〜640℃で焙焼し、得られた焙焼物を水洗浄することを特徴とする導電粉の製造方法。   A method for producing a conductive powder comprising a ruthenium oxide powder coated with iridium oxide, which is used in a thick film resistor forming paste, wherein the ruthenium oxide powder containing copper and the iridium chloride salt are mixed in a proportion of iridium. So that the percentage of iridium oxide / (ruthenium oxide + iridium oxide) is 9-30% by mass, and the blending ratio of copper is 0.1-6% by mass of copper / (ruthenium oxide + iridium oxide). A method for producing a conductive powder, characterized in that after weighing and mixing these, the resultant mixture is roasted at 560 to 640 ° C. in an oxidizing atmosphere, and the obtained roasted product is washed with water. 前記銅を含む酸化ルテニウム粉と塩化イリジウム酸塩との混合は、塩化イリジウム酸塩を水に溶解し、得られた水溶液に銅を含む酸化ルテニウム粉を投入して撹拌し、得られたスラリーを乾燥することを特徴とする、請求項4に記載の導電粉の製造方法。   The ruthenium oxide powder containing copper and iridium chloride are mixed by dissolving the iridium chloride in water, adding the ruthenium oxide powder containing copper to the resulting aqueous solution, stirring, and stirring the resulting slurry. It dries, The manufacturing method of the electrically-conductive powder of Claim 4 characterized by the above-mentioned. 前記銅を含む酸化ルテニウム粉は、水酸化ルテニウム粉又は塩化ルテニウム酸塩に酸化銅又は塩化銅を混合し、酸化性雰囲気下に500〜800℃で焙焼する方法か、塩化ルテニウム酸塩の水溶液に水溶性銅化合物を添加した後、還元して得られた水酸化ルテニウム澱物を酸化性雰囲気下に500〜800℃で焙焼する方法か、あるいは、塩化ルテニウム酸塩の水溶液を還元して得られた水酸化ルテニウム澱物に酸化銅又は塩化銅を混合し、酸化性雰囲気下に500〜800℃で焙焼する方法のいずれかによって製造することを特徴とする、請求項4又は5に記載の導電粉の製造方法。   The ruthenium oxide powder containing copper is a method of mixing ruthenium hydroxide powder or ruthenium chloride with copper oxide or copper chloride and baking at 500 to 800 ° C. in an oxidizing atmosphere, or an aqueous solution of ruthenium chloride. A method of roasting ruthenium hydroxide starch obtained by adding a water-soluble copper compound to the mixture at 500 to 800 ° C. in an oxidizing atmosphere, or reducing an aqueous solution of ruthenium chloride. 6. The method according to claim 4, wherein the obtained ruthenium hydroxide starch is mixed with copper oxide or copper chloride, and is manufactured by any one of methods of baking at 500 to 800 ° C. in an oxidizing atmosphere. The manufacturing method of the electroconductive powder of description. 前記塩化イリジウム酸塩は、ヘキサクロロイリジウム(IV)酸アンモニウム及び/又はヘキサクロロイリジウム(IV)酸カリウムであることを特徴とする、請求項2〜5のいずれかに記載の導電粉の製造方法。   The method for producing a conductive powder according to claim 2, wherein the chloroiridate is ammonium hexachloroiridium (IV) and / or potassium hexachloroiridium (IV).
JP2008217496A 2008-08-27 2008-08-27 Conductive powder and method for producing the same Active JP5045615B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2008217496A JP5045615B2 (en) 2008-08-27 2008-08-27 Conductive powder and method for producing the same

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2008217496A JP5045615B2 (en) 2008-08-27 2008-08-27 Conductive powder and method for producing the same

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2010055850A true JP2010055850A (en) 2010-03-11
JP5045615B2 JP5045615B2 (en) 2012-10-10

Family

ID=42071558

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2008217496A Active JP5045615B2 (en) 2008-08-27 2008-08-27 Conductive powder and method for producing the same

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP5045615B2 (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103429537A (en) * 2011-06-21 2013-12-04 住友金属矿山株式会社 Ruthenium oxide powder, composition for thick film resistor elements using same, and thick film resistor element

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103429537A (en) * 2011-06-21 2013-12-04 住友金属矿山株式会社 Ruthenium oxide powder, composition for thick film resistor elements using same, and thick film resistor element

Also Published As

Publication number Publication date
JP5045615B2 (en) 2012-10-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5449154B2 (en) Method for forming electrically conductive copper pattern layer by laser irradiation
JP2010077495A (en) Silver-covered copper fine particle, dispersed liquid thereof and method for producing the same
TWI625315B (en) Silver and tellurium-coated glass powder,method for producing the powder,electrically conductive paste,and method for producing the paste
KR101251567B1 (en) Nickel powder, process for producing the same, and conductive paste
JP5624977B2 (en) Lead-free resistor composition
JP2018165238A (en) Ruthenium oxide powder, thick-film resistor composition, thick-film resistor paste, and thick-film resistor
JP2013053030A (en) Plate-like ruthenium oxide powder, method for producing the same, and thick film resistor composition using the same
CN107405683A (en) Copper powder and copper cream, conductive coating paint, the conductive sheet using the copper powder
JP3823520B2 (en) Anhydrous zinc antimonate semiconductor gas sensor and method for manufacturing the same
JP4879473B2 (en) Flake copper powder, method for producing flake copper powder, and conductive slurry containing flake copper powder
JP2006273636A (en) Iridium oxide powder and method for manufacturing the same
JP5045615B2 (en) Conductive powder and method for producing the same
JP4881013B2 (en) Conductive powder, conductive paste and electrical circuit
JP2009012992A (en) Conductive powder and its production method
JP6740829B2 (en) Ruthenium dioxide powder, method for producing the same, thick film resistor paste, and thick film resistor
JP4475330B2 (en) Iridium oxide powder, method for producing the same, and thick film resistor paste using the same
JP4692028B2 (en) Ru-Mn-O fine powder, method for producing the same, and thick film resistor composition using the same
JP2007302498A (en) Ruthenium oxide powder and its production method
JP2006069836A (en) Ruthenium complex oxide minute powder and its manufacturing method
JP2007302497A (en) Ruthenium oxide powder and its production method
JP2009012991A (en) Conductive powder and its production method
JP5136904B2 (en) Method for producing nickel powder
JP4718111B2 (en) Conductive powder and method for producing the same
JP2021050103A (en) Composition for thick film resistors, paste for thick film resistors, and thick film resistor
JP2005306677A (en) Ru-M-O FINE POWDER, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME AND THICK FILM RESISTOR COMPOSITION USING THE SAME

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20110214

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20120612

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20120619

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20120702

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150727

Year of fee payment: 3

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 5045615

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150