JP2010050426A - Method and device for semiconductor chip bonding - Google Patents

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a semiconductor chip bonding method and a semiconductor chip bonding device which prevent a bump dropping-away phenomenon. <P>SOLUTION: A process adopted for resolving the problem includes: an align step of disposing a bump provided to a semiconductor chip and a bonding pad provided to a substrate up and down in opposition; a chip bonding step of compressively and thermally bonding the bump to the bonding pad by pressure; a load detection step of detecting a contact load between the bump and the bonding pad; a load control/keeping step of feeding a semiconductor chip to a substrate direction until a contact load attains a value of set load in bonding the bump and the bonding pad, and for keeping a distance between the semiconductor chip and the substrate constant after it attains the value of set load; and a bump cooling step of cooling and solidifying the bump. <P>COPYRIGHT: (C)2010,JPO&INPIT

Description

本件発明は、半導体チップが備えるバンプを基板が備えるボンディングパッドに直接熱圧着してボンディングする半導体チップボンディング方法及び半導体チップボンディング装置に関し、特には、半導体チップが備えるバンプを基板が備えるボンディングパッドに熱圧着ボンディングする時に発生するバンプのズレ落ち現象を防止して高品質のパッケージ半導体を製造できる半導体チップボンディング方法及び半導体チップボンディング装置に関する。   The present invention relates to a semiconductor chip bonding method and a semiconductor chip bonding apparatus in which bumps provided on a semiconductor chip are directly bonded to a bonding pad provided on a substrate by thermocompression bonding, and in particular, a bump provided on a semiconductor chip is heated on a bonding pad provided on a substrate. The present invention relates to a semiconductor chip bonding method and a semiconductor chip bonding apparatus capable of manufacturing a high-quality package semiconductor by preventing a phenomenon of bump displacement that occurs during pressure bonding.

一般的に半導体産業で使用しているパッケージ半導体は、微細回路に設計してある半導体チップを外部環境から保護した状態で電子機器に実装して使用するために、モールド樹脂やセラミックスなどで封止したものである。最近では、半導体チップを密封して保護したり、単に電子機器に実装したりするために半導体チップをパッケージングするだけではなく、電子機器の性能や品質を向上させて、小型化、薄型化及び高機能化を達成するために半導体チップをパッケージングしている。   Package semiconductors generally used in the semiconductor industry are sealed with mold resin, ceramics, etc. in order to mount and use semiconductor chips designed for fine circuits in electronic devices in a state protected from the external environment. It is a thing. Recently, not only packaging semiconductor chips for sealing and protecting the semiconductor chips or simply mounting them on electronic devices, but also improving the performance and quality of electronic devices, making them smaller, thinner and In order to achieve high functionality, semiconductor chips are packaged.

また、最近の傾向である、ラップトップコンピュータや携帯電話機などの携帯情報機器の軽量化、薄型化及び高機能化を達成するためにも、半導体チップの高密度実装技術が必要になる。即ち、高密度集積化の進展に伴って、半導体チップには外部接続端子となる多くのバンプが微細なピッチで形成されることになり、このような半導体チップを基板上に形成したボンディングパッドに短絡や接続不良を発生することなく迅速に実装するためには、高密度実装に対応した技術が必要である。その代表的な実装技術として、所謂、フェースダウン（Ｆａｃｅ−Ｄｏｗｎ）ボンディング方式がある。   In addition, in order to achieve the recent trend of reducing the weight, thickness and functionality of portable information devices such as laptop computers and mobile phones, high-density mounting technology for semiconductor chips is required. That is, with the progress of high-density integration, many bumps serving as external connection terminals are formed at a fine pitch on a semiconductor chip, and such a semiconductor chip is formed on a bonding pad formed on a substrate. In order to mount quickly without causing a short circuit or poor connection, a technology corresponding to high-density mounting is required. As a typical mounting technique, there is a so-called face-down bonding method.

フェースダウンボンディング方式は、接続端子とするバンプを半導体チップの表面に形成して複数のバンプを備える半導体チップを製造し、この複数のバンプを回路基板などのボンディングパッドに１回のボンディング操作だけで接続する技術である。   In the face-down bonding method, bumps serving as connection terminals are formed on the surface of a semiconductor chip to manufacture a semiconductor chip having a plurality of bumps, and these bumps are bonded to a bonding pad such as a circuit board by a single bonding operation. It is a technology to connect.

図５に、従来の半導体チップボンディング方法を説明するブロック図を示す。図６に、図５の実施形態における半導体チップの移動距離と接触荷重との推移を、ステップを追ったグラフで示す。図７に、半導体チップを基板にボンディングする際に発生する、バンプのズレ落ち現象を示す模式図を示す。図８に、図７に示す現象を伴うボンディング工程における半導体チップの移動距離と接触荷重の推移を、ステップを追ったグラフで示す。   FIG. 5 is a block diagram for explaining a conventional semiconductor chip bonding method. FIG. 6 shows the transition of the movement distance and the contact load of the semiconductor chip in the embodiment of FIG. FIG. 7 is a schematic diagram showing a bump displacement phenomenon that occurs when a semiconductor chip is bonded to a substrate. FIG. 8 shows the transition of the semiconductor chip moving distance and the contact load in the bonding process accompanied by the phenomenon shown in FIG.

従来の半導体チップボンディング方法は、図５に示すように、アラインステップＳ１１とチップボンディングステップＳ２１と荷重検出ステップＳ３１と荷重フィードバック制御ステップＳ４１とバンプ冷却ステップＳ５１とで構成されている。   As shown in FIG. 5, the conventional semiconductor chip bonding method includes an alignment step S11, a chip bonding step S21, a load detection step S31, a load feedback control step S41, and a bump cooling step S51.

アラインステップＳ１１では、半導体チップの一方の面に突出するように形成したバンプと基板の上面にバンプと対応するように形成したボンディングパッドとを上下に対向配置する。   In the alignment step S11, bumps formed so as to protrude on one surface of the semiconductor chip and bonding pads formed on the upper surface of the substrate so as to correspond to the bumps are arranged opposite to each other.

チップボンディングステップＳ２１では、対向配置した基板方向に半導体チップを移動して半導体チップが備えるバンプを基板が備えるボンディングパッドに圧接して熱圧着する。   In the chip bonding step S21, the semiconductor chip is moved in the direction of the substrate disposed so as to face the bump, and the bumps provided on the semiconductor chip are pressed against the bonding pads provided on the substrate and thermocompression bonded.

荷重検出ステップＳ３１では、半導体チップが備えるバンプと基板が備えるボンディングパッドとの間の接触荷重を検出する。   In the load detection step S31, a contact load between a bump provided on the semiconductor chip and a bonding pad provided on the substrate is detected.

荷重フィードバック制御ステップＳ４１では、半導体チップと基板とをボンディングする間に検出した接触荷重が設定荷重の値よりも小さい場合には半導体チップを基板方向に一定の速度で送り出し、設定荷重の値よりも大きい場合には半導体チップを基板から遠ざける動作を繰り返して制御する。   In the load feedback control step S41, when the contact load detected during bonding of the semiconductor chip and the substrate is smaller than the set load value, the semiconductor chip is sent out at a constant speed in the direction of the substrate, and the set value is less than the set load value. If it is larger, the operation of moving the semiconductor chip away from the substrate is repeated and controlled.

バンプ冷却ステップＳ５１では、所定のボンディング時間が経過した後、バンプＢを冷却して固化させる。   In the bump cooling step S51, the bump B is cooled and solidified after a predetermined bonding time has elapsed.

図６に、半導体チップを基板方向に移動して基板に圧接して熱圧着し、半導体チップを基板にボンディングした後に基板からボンディングヘッドを遠ざける過程における半導体チップの移動距離と接触荷重の推移をステップを追って示す。このように、荷重フィードバック制御ステップＳ４１では、半導体チップが備えるバンプが基板が備えるボンディングパッドに接触した後、設定荷重に達するまでは半導体チップを基板の方向に送り出し、設定荷重の値を超えると半導体チップを基板から遠ざけるようにして荷重制御を行っている。即ち、荷重制御は半導体チップを基板に対して上下方向に移動して行っている。具体的には、半導体チップを支持しているボンディングヘッドとボンディングアームとの間に配置されたロードセル（ｌｏａｄ ｃｅｌｌ）が検出する接触荷重を設定荷重の値と比較して制御している。   FIG. 6 shows the transition of the movement distance and contact load of the semiconductor chip in the process of moving the semiconductor chip in the direction of the substrate, pressing and thermocompression bonding to the substrate, and bonding the semiconductor chip to the substrate and then moving the bonding head away from the substrate. I will show you later. As described above, in the load feedback control step S41, after the bump provided in the semiconductor chip contacts the bonding pad provided in the substrate, the semiconductor chip is sent in the direction of the substrate until the set load is reached. Load control is performed by moving the chip away from the substrate. That is, the load control is performed by moving the semiconductor chip up and down with respect to the substrate. Specifically, a contact load detected by a load cell arranged between a bonding head supporting a semiconductor chip and a bonding arm is controlled by comparing with a set load value.

しかしながら、従来の半導体チップボンディング方法である、設定荷重の値のみを参照して半導体チップＣの上下動を繰り返す荷重フィードバック制御を行うと、半導体チップを基板上にボンディングする時、特に微細ピッチパッケージでは、半導体チップＣが備えるバンプＢと基板Ｓが備えるボンディングパッドＰとの上下対応が一致していなかったり、バンプＢの形状が傾いて形成されているなど、バンプの突出状態が均一ではない異常状態が存在すると、図８に示すグラフのように作動して図７に示すボンディング不良部分が発生することがある。即ち、半導体チップＣが備えるバンプＢが基板Ｓが備えるボンディングパッドＰからズレ落ちてしまい、ボンディングが良好に行われないか、又はボンディング面積が小さくなって、小さな衝撃が加わってもボンディング部分が破断するという問題が発生する。また、隣接するバンプとボンディングパッドとの間の良好なボンディングにも悪影響を及ぼすことになる。更に、隣接するバンプとの間で回路ショートが発生したり、バンプ間の空間の確保が不十分となって、ボンディング工程後に接合部位を保護するために注入する封止樹脂が半導体チップの表面とボンディングパッドとの間に良好に充填されないという現象も発生する。   However, when performing load feedback control that repeats the vertical movement of the semiconductor chip C with reference to only the set load value, which is a conventional semiconductor chip bonding method, when bonding a semiconductor chip on a substrate, particularly in a fine pitch package The bump protruding state of the semiconductor chip C and the bonding pad P provided on the substrate S do not coincide with each other, or the bump B is formed in an inclined state. 7 may operate as shown in the graph of FIG. 8 to generate a defective bonding portion shown in FIG. That is, the bump B included in the semiconductor chip C is displaced from the bonding pad P included in the substrate S, and bonding is not performed properly, or the bonding area is reduced, and the bonding portion is broken even when a small impact is applied. Problem occurs. It also adversely affects good bonding between adjacent bumps and bonding pads. Further, a circuit short circuit occurs between adjacent bumps, or the space between the bumps is insufficient, and the sealing resin to be injected to protect the bonding portion after the bonding process is not bonded to the surface of the semiconductor chip. There also occurs a phenomenon that the gap between the bonding pads is not satisfactorily filled.

特開平１０−５０７３８JP-A-10-50738

上記問題を解決するために、本件発明は、半導体チップが備えるバンプを基板が備えるボンディングパッドに熱圧着してボンディングする時に発生するバンプズレ落ち現象を防止して、微細ピッチを備える高品質のパッケージ半導体を製造できる半導体チップボンディング方法及び半導体チップボンディング装置を提供する。   In order to solve the above-mentioned problem, the present invention provides a high-quality package semiconductor having a fine pitch by preventing a bump slipping phenomenon that occurs when a bump provided in a semiconductor chip is bonded to a bonding pad provided in a substrate by thermocompression bonding. A semiconductor chip bonding method and a semiconductor chip bonding apparatus are provided.

本件発明に係る半導体チップボンディング方法： 本件発明に係る半導体チップボンディング方法は、基板に半導体チップを実装する半導体チップボンディング方法であって、以下のステップを含むことを特徴としている。 Semiconductor chip bonding method according to the present invention: A semiconductor chip bonding method according to the present invention is a semiconductor chip bonding method for mounting a semiconductor chip on a substrate, and includes the following steps.

アラインステップ： 半導体チップの一方の面に突出するように形成したバンプと基板の上面にバンプと対応するように形成したボンディングパッドとを上下に対向配置するステップ。
チップボンディングステップ： 半導体チップを基板の方向に移動して半導体チップが備えるバンプを基板が備えるボンディングパッドに圧接して熱圧着するステップ。
荷重検出ステップ： 半導体チップが備えるバンプと基板が備えるボンディングパッドとの間の接触荷重を検出するステップ。
荷重制御・維持ステップ： 半導体チップと基板とをボンディングする間に検出する接触荷重の値が設定荷重に達するまで半導体チップを基板方向に一定速度で送り出し、接触荷重の値が設定荷重に達してからは、その後のボンディング時間に半導体チップと基板との距離を一定に維持するステップ。
バンプ冷却ステップ： 所定のボンディング時間が経過した後、バンプを冷却して固化させるステップ。 Alignment step: A step of vertically arranging a bump formed so as to protrude from one surface of the semiconductor chip and a bonding pad formed so as to correspond to the bump on the upper surface of the substrate.
Chip bonding step: A step in which the semiconductor chip is moved in the direction of the substrate, and bumps provided on the semiconductor chip are pressed against a bonding pad provided on the substrate to perform thermocompression bonding.
Load detection step: a step of detecting a contact load between a bump provided on the semiconductor chip and a bonding pad provided on the substrate.
Load control / maintenance step: The semiconductor chip is sent at a constant speed in the direction of the substrate until the contact load value detected during bonding of the semiconductor chip and the substrate reaches the set load, and after the contact load value reaches the set load. The step of maintaining a constant distance between the semiconductor chip and the substrate during the subsequent bonding time.
Bump cooling step: A step of cooling and solidifying the bump after a predetermined bonding time has elapsed.

また、アラインステップは、以下の工程を含むステップであることも好ましい。   The aligning step is preferably a step including the following steps.

基板固定ステップ： 基板をステージ上に固定するステップ。
チップ配置ステップ： モーターの駆動によって昇降するボンディングアームに支持されたボンディングヘッドに半導体チップを固定し、基板と半導体チップとを対向配置するステップ。 Substrate fixing step: A step of fixing the substrate on the stage.
Chip placement step: A step of fixing a semiconductor chip to a bonding head supported by a bonding arm that moves up and down by driving a motor, and placing the substrate and the semiconductor chip opposite to each other.

また、ボンディングヘッドは半導体チップの他方の面を真空吸着により固定するものであることも好ましい。   The bonding head is preferably one that fixes the other surface of the semiconductor chip by vacuum suction.

また、荷重検出ステップは、ボンディングアームとボンディングヘッドとの間に配置されたロードセルにより接触荷重を検出するステップであることも好ましい。   The load detecting step is preferably a step of detecting a contact load with a load cell arranged between the bonding arm and the bonding head.

本件発明に係る半導体チップボンディング装置： 本件発明に係る半導体チップボンディング装置は、半導体チップボンディング方法で用いる半導体チップボンディング装置であって、以下に示す構成部品を備えるものであることを特徴としている。 Semiconductor chip bonding apparatus according to the present invention: A semiconductor chip bonding apparatus according to the present invention is a semiconductor chip bonding apparatus used in a semiconductor chip bonding method, and is characterized by comprising the following components.

ステージ： 上面にボンディングパッドを形成した基板を固定する部品。
ボンディングヘッド： 一方の面に突出するように形成したバンプを備える半導体チップの他方の面を真空吸着により固定し、基板が備えるボンディングパッドと半導体チップが備えるバンプとが互いに対向するように、基板上に半導体チップを配置する部品。
ボンディングアーム： ステージの上方に設けたモーターの駆動によって昇降し、ボンディングヘッドを支持する部品。
ロードセル： ボンディングアームとボンディングヘッドとの間に配置され、半導体チップが備えるバンプと基板が備えるボンディングパッドとの間の接触荷重を検出する部品。
制御デバイス： モーターに信号を伝送してボンディングアームを下降させ、ボンディングヘッドに固定した半導体チップが備えるバンプを基板が備えるボンディングパッドに圧接してボンディングを行い、半導体チップと基板とをボンディングする間にロードセルが検出する荷重の値が設定荷重の値に達するまで半導体チップを基板方向に一定速度で送り出し、ロードセルが検出する荷重の値が設定荷重の値に達してからは、その後のボンディング時間に半導体チップと基板との距離を一定に維持するように制御する部品。 Stage: A part that fixes a substrate with bonding pads on the top surface.
Bonding head: On the substrate, the other surface of the semiconductor chip including the bump formed so as to protrude on one surface is fixed by vacuum suction, and the bonding pad provided on the substrate and the bump provided on the semiconductor chip face each other. Parts that place semiconductor chips on
Bonding arm: A component that moves up and down by driving a motor installed above the stage to support the bonding head.
Load cell: A component that is arranged between a bonding arm and a bonding head and detects a contact load between a bump provided on a semiconductor chip and a bonding pad provided on a substrate.
Control device: Transmits a signal to the motor, lowers the bonding arm, presses the bumps on the semiconductor chip fixed to the bonding head against the bonding pads on the board, and bonds the semiconductor chip to the board. The semiconductor chip is sent out at a constant speed in the direction of the substrate until the load value detected by the load cell reaches the set load value. After the load value detected by the load cell reaches the set load value, the semiconductor is processed at the subsequent bonding time. A component that controls the distance between the chip and the substrate to be kept constant.

本件発明に係る半導体チップボンディング方法及び半導体チップボンディング装置は、半導体チップが備えるバンプと基板が備えるボンディングパッドとをボンディングする際に、接触荷重を検出して設定荷重の値に達するまで加圧した後に、荷重フィードバック制御を行わず、その後のボンディング時間に半導体チップと基板との距離を一定に維持する。その結果、微細ピッチを備えており、バンプ形成エラー等によりバンプの突出状態が均一ではない場合でもバンプのズレ落ち現象を最小化して高品質のパッケージ半導体を製造できる。   In the semiconductor chip bonding method and the semiconductor chip bonding apparatus according to the present invention, when bonding a bump provided in a semiconductor chip and a bonding pad provided in a substrate, a contact load is detected and pressurized until reaching a set load value. The load feedback control is not performed, and the distance between the semiconductor chip and the substrate is kept constant during the subsequent bonding time. As a result, a fine pitch is provided, and even when the protruding state of the bump is not uniform due to a bump formation error or the like, it is possible to manufacture a high-quality package semiconductor by minimizing the phenomenon of bump displacement.

以下、図面を参照しながら本件発明に係る半導体チップボンディング方法及びその方法に対応した動作を行う半導体チップボンディング装置の好ましい実施形態を詳しく説明する。   Hereinafter, preferred embodiments of a semiconductor chip bonding method according to the present invention and a semiconductor chip bonding apparatus that performs an operation corresponding to the method will be described in detail with reference to the drawings.

図１に、本件発明に係る半導体チップボンディング方法の第１の実施形態を説明するブロック図を示す。図２に、本件発明に係る半導体チップボンディング方法の第２の実施形態を説明するブロック図を示す。図３に、図１に示す第１の実施形態における半導体チップの移動距離と接触荷重との推移を、ステップを追ったグラフで示す。図４に、本件発明に係る半導体チップボンディング装置の構成を模式図で示す。   FIG. 1 is a block diagram for explaining a first embodiment of a semiconductor chip bonding method according to the present invention. FIG. 2 is a block diagram for explaining a second embodiment of the semiconductor chip bonding method according to the present invention. FIG. 3 is a graph showing the transition of the movement distance and contact load of the semiconductor chip in the first embodiment shown in FIG. FIG. 4 is a schematic diagram showing the configuration of the semiconductor chip bonding apparatus according to the present invention.

本件発明に係る半導体チップボンディング方法及び半導体チップボンディング装置は、バンプＢを備える半導体チップＣとボンディングパッドＰを備える基板Ｓとを一括でボンディングするフェースダウン方式のボンディング技術に適用する。   The semiconductor chip bonding method and the semiconductor chip bonding apparatus according to the present invention are applied to a face-down bonding technique in which a semiconductor chip C including bumps B and a substrate S including bonding pads P are bonded together.

本件発明に係る半導体チップボンディング方法は、図１及び図２に示すように、アラインステップＳ１０１とチップボンディングステップＳ２０１と荷重検出ステップＳ３０１と荷重制御・維持ステップＳ４０１とバンプ冷却ステップＳ５０１とを含むものであり、アラインステップＳ１０１は基板固定ステップＳ１１１とチップ配置ステップＳ１２１とを含む。   As shown in FIGS. 1 and 2, the semiconductor chip bonding method according to the present invention includes an alignment step S101, a chip bonding step S201, a load detection step S301, a load control / maintenance step S401, and a bump cooling step S501. Yes, the alignment step S101 includes a substrate fixing step S111 and a chip placement step S121.

また、本件発明に係る半導体チップボンディング装置は、図４に示すように、ステージ１００とボンディングヘッド２００とボンディングアーム３００とロードセル４００と制御デバイス５００とを備える。   The semiconductor chip bonding apparatus according to the present invention includes a stage 100, a bonding head 200, a bonding arm 300, a load cell 400, and a control device 500, as shown in FIG.

アラインステップＳ１０１では、図２及び図４に示すように、一方の面にバンプＢを突出するように形成した半導体チップＣと上面にバンプＢと対応するようにボンディングパッドＰを形成した基板Ｓとを対向配置する。アラインステップＳ１０１は、図２に示すように、基板Ｓをステージ１００の上に固定する基板固定ステップＳ１１１と、モーターＭの駆動によって昇降するボンディングアーム３００に支持されたボンディングヘッド２００に半導体チップＣを固定し、基板Ｓに対して半導体チップＣを対向配置するチップ配置ステップＳ１２１とを含む。   In the alignment step S101, as shown in FIGS. 2 and 4, the semiconductor chip C formed so that the bump B protrudes on one surface and the substrate S on which the bonding pad P is formed corresponding to the bump B on the upper surface, Are placed opposite each other. As shown in FIG. 2, the align step S101 includes a substrate fixing step S111 for fixing the substrate S on the stage 100, and a bonding head 200 supported by a bonding arm 300 that moves up and down by driving a motor M. And a chip placement step S121 in which the semiconductor chip C is placed facing the substrate S.

基板固定ステップＳ１１１では、上面にボンディングパッドＰを形成した基板Ｓをステージ１００の上に固定するが、ステージ１００の上に固定する基板Ｓはコンベヤーやグリッパー（図示せず）などを用いてステージ１００の上に整列した状態で固定する。また、チップ配置ステップＳ１２１は、モーターＭの駆動により昇降するボンディングアーム３００に支持されたボンディングヘッド２００が行う。モーターＭは、正確かつ迅速にボンディングアーム３００を上下に昇降させるためにはリニアモーターを用いることが好ましい。モーターＭに連結したボンディングアーム３００は、モーターＭの駆動により上下に昇降する。ボンディングヘッド２００は、半導体チップＣを固定し、半導体チップＣを基板Ｓに対して上下方向に対向配置する。即ち、図４に示すように、ボンディングヘッド２００は、突出するように形成したバンプＢを一方の面に備える半導体チップＣの他方の面を真空吸着により固定し、半導体チップＣが備えるバンプＢと基板Ｓが備えるボンディングパッドＰとが互いに対向するように半導体チップＣを基板Ｓに対して配置する。基板固定ステップＳ１１１とチップ配置ステップＳ１２１とは従来の技術を適用できるため、詳細な説明は省略する。   In the substrate fixing step S111, the substrate S having the bonding pad P formed on the upper surface is fixed on the stage 100. The substrate S fixed on the stage 100 is fixed on the stage 100 using a conveyor or a gripper (not shown). Fix it in line with the top. In addition, the chip placement step S121 is performed by the bonding head 200 supported by the bonding arm 300 that moves up and down by driving the motor M. The motor M is preferably a linear motor in order to move the bonding arm 300 up and down accurately and quickly. The bonding arm 300 connected to the motor M moves up and down by driving the motor M. The bonding head 200 fixes the semiconductor chip C and disposes the semiconductor chip C opposite to the substrate S in the vertical direction. That is, as shown in FIG. 4, the bonding head 200 fixes the other surface of the semiconductor chip C provided with the bump B formed so as to protrude on one surface by vacuum suction, and the bump B provided on the semiconductor chip C The semiconductor chip C is disposed on the substrate S so that the bonding pads P provided on the substrate S face each other. Since the conventional technology can be applied to the substrate fixing step S111 and the chip placement step S121, detailed description thereof is omitted.

荷重検出ステップＳ３０１では、半導体チップＣが備えるバンプＢと基板Ｓが備えるボンディングパッドＰとの間の接触荷重を検出する。ここで、接触荷重とは、半導体チップＣがボンディングヘッド２００に真空吸着により固定した状態で基板Ｓに向って下降し、半導体チップＣに形成したバンプＢが基板Ｓが備えるボンディングパッドＰに圧接する時、バンプＢと半導体チップＣにより上方向に発生する反発力である。この半導体チップＣが備えるバンプＢと基板Ｓが備えるボンディングパッドＰとの間の接触荷重を検出するために、ボンディングアーム３００とボンディングヘッド２００との間にロードセル４００を配置している。   In the load detection step S301, a contact load between the bump B provided in the semiconductor chip C and the bonding pad P provided in the substrate S is detected. Here, the contact load is lowered toward the substrate S in a state where the semiconductor chip C is fixed to the bonding head 200 by vacuum suction, and the bump B formed on the semiconductor chip C comes into pressure contact with the bonding pad P provided on the substrate S. The repulsive force generated upward by the bump B and the semiconductor chip C. In order to detect a contact load between the bump B provided on the semiconductor chip C and the bonding pad P provided on the substrate S, a load cell 400 is disposed between the bonding arm 300 and the bonding head 200.

ロードセル４００は荷重計の一種で、外部から加わる力（荷重）の大きさに応じて、圧力を電圧に変換する変換機であり、変形ゲージ式、電気抵抗変形ゲージ式、流圧式や加圧式等の方式を備えるロードセルがある。そして、一般的には変形ゲージ式を用いることが多く、本件発明でも変形ゲージ式のロードセルを用いる。この変形ゲージ式のロードセルは、荷重が加えられると弾性変形する位置に電気抵抗変形ゲージを接着してブリッジを構成している。そのため、出力電圧が荷重に比例する構成であり、精度、直線性や応答性等に優れている。また、小型であり、遠隔配置での測定や測定結果の記録も容易であるという長所を備えるロードセルである。   The load cell 400 is a type of load cell and is a converter that converts pressure into voltage according to the magnitude of externally applied force (load), such as a deformation gauge type, an electric resistance deformation gauge type, a fluid pressure type, and a pressure type. There is a load cell having the following method. In general, a deformation gauge type is often used, and the present invention also uses a deformation gauge type load cell. This deformation gauge type load cell forms a bridge by adhering an electric resistance deformation gauge to a position where it is elastically deformed when a load is applied. For this reason, the output voltage is proportional to the load, and is excellent in accuracy, linearity, responsiveness, and the like. In addition, the load cell is advantageous in that it is small in size and easy to measure remotely and record measurement results.

荷重制御・維持ステップＳ４０１では、図３に示すように、半導体チップＣと基板Ｓとをボンディングする間に検出される接触荷重の値が設定荷重に達するまで半導体チップＣを基板Ｓに向って一定速度で送り出し、接触荷重の値が設定荷重に達してからは、その後のボンディング時間に半導体チップＣと基板Ｓとの距離を一定に維持する。この荷重制御・維持ステップＳ４０１は、図４に示す制御デバイス５００が制御する。   In the load control / maintenance step S401, as shown in FIG. 3, the semiconductor chip C is fixed toward the substrate S until the contact load value detected while bonding the semiconductor chip C and the substrate S reaches the set load. When the contact load value reaches the set load, the distance between the semiconductor chip C and the substrate S is maintained constant during the subsequent bonding time. This load control / maintenance step S401 is controlled by the control device 500 shown in FIG.

制御デバイス５００は、荷重制御・維持ステップＳ４０１を行うためにモーターＭに信号を伝送してボンディングアーム３００を下降させ、ボンディングヘッド２００に固定された半導体チップＣが備えるバンプＢを基板Ｓが備えるボンディングパッドＰにボンディングする。即ち、ステージ１００の上に固定した基板Ｓに向ってボンディングヘッド２００に固定した半導体チップＣを下降させ、半導体チップＣが備えるバンプＢを基板Ｓが備えるボンディングパッドＰに圧接して熱圧着し、ボンディングする。この時、半導体チップＣと基板Ｓとのボンディング時間は予め設定しておく。そして、半導体チップＣと基板Ｓとをボンディングする間に、ロードセル４００が接触荷重を検出し、ロードセル４００が検出した接触荷重の値と制御デバイス５００に予め設定しておいた荷重の値（設定荷重）とを比較する。   In order to perform the load control / maintenance step S401, the control device 500 transmits a signal to the motor M to lower the bonding arm 300, and the substrate S includes the bump B included in the semiconductor chip C fixed to the bonding head 200. Bond to the pad P. That is, the semiconductor chip C fixed to the bonding head 200 is lowered toward the substrate S fixed on the stage 100, and the bumps B provided on the semiconductor chip C are pressed against the bonding pads P provided on the substrate S and thermocompression bonded, Bond. At this time, the bonding time between the semiconductor chip C and the substrate S is set in advance. Then, while bonding the semiconductor chip C and the substrate S, the load cell 400 detects the contact load, the contact load value detected by the load cell 400 and the load value preset in the control device 500 (set load). ).

制御デバイス５００は、半導体チップＣを基板Ｓに圧接して熱圧着ボンディングする間、ロードセル４００が検出した接触荷重の値が設定荷重に達するまでモーターＭを駆動してボンディングアーム３００を下降させ、ボンディングヘッド２００に固定した半導体チップＣを基板Ｓに向って一定速度で送り出す。ロードセル４００が検出する接触荷重の値が設定荷重に達した場合、その後のボンディング時間帯に半導体チップＣと基板Ｓとの距離を一定に維持するようにモーターＭの駆動を止める。このように半導体チップＣが備えるバンプＢと基板Ｓが備えるボンディングパッドＰとを圧接して熱圧着させる過程では、バンプＢの形状がボンディングパッドＰに押されて変形する。そこで、最適な変形形状が得られる荷重の値を設定荷重とする。従って、設定荷重は、バンプＢが最適な形状に変形してボンディングパッドＰにボンディングされるように予め実験して求めておく。   The control device 500 drives the motor M to lower the bonding arm 300 until the contact load value detected by the load cell 400 reaches the set load while the semiconductor chip C is pressed against the substrate S and bonded by thermocompression bonding. The semiconductor chip C fixed to the head 200 is sent toward the substrate S at a constant speed. When the value of the contact load detected by the load cell 400 reaches the set load, the driving of the motor M is stopped so as to keep the distance between the semiconductor chip C and the substrate S constant in the subsequent bonding time zone. Thus, in the process of press-contacting the bumps B provided on the semiconductor chip C and the bonding pads P provided on the substrate S and thermocompression bonding, the shape of the bumps B is pushed by the bonding pads P and deformed. Therefore, the value of the load that can obtain the optimum deformed shape is set as the set load. Therefore, the set load is obtained in advance by experiments so that the bump B is deformed into an optimal shape and bonded to the bonding pad P.

上述のように、制御デバイス５００が行う荷重制御では、バンプのズレ落ちが発生してロードセル４００が検出する荷重の値が小さくなっても、引き続いての加圧を行わない。ロードセル４００が検出する荷重の値が設定荷重に達すると、半導体チップＣが備えるバンプＢと基板Ｓが備えるボンディングパッドＰとは一定の距離を維持し、バンプＢが最適な形状に変形してボンディングが完了する。   As described above, in the load control performed by the control device 500, even when the displacement of the bump occurs and the load value detected by the load cell 400 becomes small, the subsequent pressurization is not performed. When the load value detected by the load cell 400 reaches a set load, the bump B provided on the semiconductor chip C and the bonding pad P provided on the substrate S are maintained at a certain distance, and the bump B is deformed into an optimum shape and bonded. Is completed.

所定のボンディング時間が経過した後、ボンディングヘッド２００は半導体チップＣの固定を解除し、ボンディングヘッド２００が基板Ｓにボンディングされた半導体チップＣから離脱して上昇し、ボンディングが完了する。この時、半導体チップＣが備えるバンプＢは加熱されて変形した形状を維持するので、バンプＢを冷却するバンプ冷却ステップＳ５０１を行う。   After a predetermined bonding time has elapsed, the bonding head 200 releases the fixation of the semiconductor chip C, the bonding head 200 is lifted away from the semiconductor chip C bonded to the substrate S, and the bonding is completed. At this time, since the bump B included in the semiconductor chip C is heated and maintains the deformed shape, a bump cooling step S501 for cooling the bump B is performed.

バンプ冷却ステップＳ５０１では、所定のボンディング時間が経過した後、バンプＢを冷却して固化させる。半導体チップＣが備えるバンプＢを基板Ｓが備えるボンディングパッドＰに熱圧着してボンディングが完了した後、バンプＢを冷却して固化させればパッケージ半導体が完成する。一般的なバンプ冷却ステップＳ５０１ではバンプＢを大気中で自然固化させるが、強制的に低温冷却してより迅速に固化させることもできる。   In the bump cooling step S501, after a predetermined bonding time has elapsed, the bump B is cooled and solidified. After the bump B provided in the semiconductor chip C is thermocompression bonded to the bonding pad P provided in the substrate S to complete the bonding, the bump B is cooled and solidified to complete the package semiconductor. In the general bump cooling step S501, the bump B is naturally solidified in the atmosphere, but can be solidified more rapidly by forcibly cooling at a low temperature.

上記本件発明に係る図面や実施形態は、本件発明に係る技術的思想を限定するものではなく、本件発明に係る保護範囲は特許請求の範囲に記載の内容により制限されることを断っておく。本件発明に係る技術分野における通常の知識を持つ者であれば、本件発明に係る技術的思想を様々な形態に改良したり変形したりすることができる。従って、このような改良や変形は、通常の知識を持つ者に明らかである限り、本件発明に係る保護範囲に属する。   The drawings and embodiments according to the present invention do not limit the technical idea according to the present invention, and the protection scope according to the present invention is not limited by the contents described in the claims. A person having ordinary knowledge in the technical field according to the present invention can improve or change the technical idea according to the present invention into various forms. Therefore, such improvements and modifications belong to the protection scope according to the present invention as long as they are obvious to those having ordinary knowledge.

本件発明に係る半導体チップボンディング方法及び半導体チップボンディング装置を用いて製造したパッケージ半導体は、微細ピッチを備えるバンプのズレ落ち現象を最小化した高品質のものとなる。従って、このパッケージ半導体は高品質でありながら、電子機器などに実装した後の動作についても信頼性が高いため、高機能化した電子機器の設計が容易になる。   The package semiconductor manufactured by using the semiconductor chip bonding method and the semiconductor chip bonding apparatus according to the present invention is of high quality in which the phenomenon of bump displacement with a fine pitch is minimized. Therefore, since the package semiconductor is high quality, the operation after being mounted on an electronic device or the like is also highly reliable, so that it is easy to design a highly functional electronic device.

本件発明に係る半導体チップボンディング方法のステップを示すブロック図である。It is a block diagram which shows the step of the semiconductor chip bonding method which concerns on this invention. 本件発明に係る半導体チップボンディング方法のステップを示すブロック図である。It is a block diagram which shows the step of the semiconductor chip bonding method which concerns on this invention. 図１のブロック図に示す工程における半導体チップの移動距離と接触荷重の推移をステップを追って示すグラフである。It is a graph which shows the transition of the movement distance and contact load of a semiconductor chip in the process shown in the block diagram of FIG. 本件発明に係る半導体チップボンディング装置の構成を示す模式図である。It is a schematic diagram which shows the structure of the semiconductor chip bonding apparatus which concerns on this invention. 従来の半導体チップボンディング方法のステップを示すブロック図である。It is a block diagram which shows the step of the conventional semiconductor chip bonding method. 図５のブロック図に示す工程における半導体チップの移動距離と接触荷重の推移をステップを追って示すグラフである。FIG. 6 is a graph showing the transition of the movement distance and contact load of the semiconductor chip in the step shown in the block diagram of FIG. バンプのズレ落ち現象を示す模式図である。It is a schematic diagram which shows the gap drop phenomenon. 図７に示す現象を伴うチップボンディング工程における半導体チップの移動距離と接触荷重の推移をステップを追って示すグラフである。It is a graph which shows the transition of the movement distance and contact load of a semiconductor chip in the chip bonding process accompanied by the phenomenon shown in FIG. 7 step by step.

符号の説明Explanation of symbols

Ｓ 基板
Ｐ ボンディングパッド
Ｃ 半導体チップ
Ｂ バンプ
Ｍ モーター
１００ ステージ
２００ ボンディングヘッド
３００ ボンディングアーム
４００ ロードセル
５００ 制御デバイス S Substrate P Bonding pad C Semiconductor chip B Bump M Motor 100 Stage 200 Bonding head 300 Bonding arm 400 Load cell 500 Control device

Claims (5)

基板に半導体チップを実装する半導体チップのボンディング方法であって、以下のステップを含むことを特徴とする半導体チップボンディング方法。
アラインステップ： 半導体チップの一方の面に突出するように形成したバンプと基板の上面に前記バンプと対応するように形成したボンディングパッドとを上下に対向配置するステップ。
チップボンディングステップ： 前記半導体チップを前記基板の方向に移動して当該半導体チップが備える前記バンプを当該基板が備える前記ボンディングパッドに圧接して熱圧着するステップ。
荷重検出ステップ： 前記半導体チップが備える前記バンプと前記基板が備える前記ボンディングパッドとの間の接触荷重を検出するステップ。
荷重制御・維持ステップ： 前記半導体チップと前記基板とをボンディングする間に検出する前記接触荷重が設定荷重の値に達するまで当該半導体チップを当該基板の方向に一定速度で送り出し、当該接触荷重が当該設定荷重の値に達してからは、その後のボンディング時間に当該半導体チップと当該基板との距離を一定に維持するステップ。
バンプ冷却ステップ： 所定の前記ボンディング時間が経過した後、前記バンプを冷却して固化させるステップ。 A semiconductor chip bonding method for mounting a semiconductor chip on a substrate, comprising the following steps.
Aligning step: A step of vertically arranging a bump formed so as to protrude from one surface of the semiconductor chip and a bonding pad formed so as to correspond to the bump on the upper surface of the substrate.
Chip bonding step: A step of moving the semiconductor chip in the direction of the substrate and pressing the bumps provided on the semiconductor chip against the bonding pads provided on the substrate to perform thermocompression bonding.
Load detection step: a step of detecting a contact load between the bump provided in the semiconductor chip and the bonding pad provided in the substrate.
Load control / maintenance step: until the contact load detected during bonding of the semiconductor chip and the substrate reaches a set load value, the semiconductor chip is sent in a direction toward the substrate at a constant speed. A step of maintaining a constant distance between the semiconductor chip and the substrate during a subsequent bonding time after the set load value is reached.
Bump cooling step: a step of cooling and solidifying the bump after a predetermined bonding time has elapsed. 前記アラインステップは、以下の工程を含むステップであることを特徴とする請求項１に記載の半導体チップボンディング方法。
基板固定ステップ： 前記基板をステージ上に固定するステップ。
半導体チップ配置ステップ： モーターの駆動によって昇降するボンディングアームに支持されたボンディングヘッドに前記半導体チップを固定し、当該半導体チップと前記基板とを対向配置するステップ。 The semiconductor chip bonding method according to claim 1, wherein the aligning step includes the following steps.
Substrate fixing step: A step of fixing the substrate on a stage.
Semiconductor chip placement step: a step of fixing the semiconductor chip to a bonding head supported by a bonding arm that moves up and down by driving a motor, and placing the semiconductor chip and the substrate opposite to each other. 前記ボンディングヘッドは前記半導体チップの他方の面を真空吸着により固定するものであることを特徴とする請求項２に記載の半導体チップボンディング方法。 3. The semiconductor chip bonding method according to claim 2, wherein the bonding head fixes the other surface of the semiconductor chip by vacuum suction. 前記荷重検出ステップは、前記ボンディングアームと前記ボンディングヘッドとの間に配置されたロードセルにより前記接触荷重を検出するステップであることを特徴とする請求項２又は請求項３に記載の半導体チップボンディング方法。 4. The semiconductor chip bonding method according to claim 2, wherein the load detecting step is a step of detecting the contact load with a load cell disposed between the bonding arm and the bonding head. . 請求項１〜請求項４に記載の半導体チップボンディング方法で用いる半導体チップのボンディング装置であって、以下に示す構成部品を備えるものであることを特徴とする半導体チップボンディング装置。
ステージ： 上面にボンディングパッドを形成した基板を固定する部品。
ボンディングヘッド： 一方の面に突出するように形成したバンプを備える半導体チップの他方の面を真空吸着により固定し、前記基板が備えるボンディングパッドと前記半導体チップが備えるバンプとが互いに対向するように、当該半導体チップを当該基板上に配置する部品。
ボンディングアーム： 前記ステージの上方に設けたモーターの駆動によって昇降し、前記ボンディングヘッドを支持する部品。
ロードセル： 前記ボンディングアームと前記ボンディングヘッドとの間に配置され、前記半導体チップが備える前記バンプと前記基板が備える前記ボンディングパッドとの間の接触荷重を検出する部品。
制御デバイス： 前記モーターに信号を伝送して前記ボンディングアームを下降させ、前記ボンディングヘッドに固定した前記半導体チップが備える前記バンプを前記基板が備える前記ボンディングパッドに圧接してボンディングを行い、当該半導体チップと当該基板とをボンディングする間に前記ロードセルが検出する荷重の値が設定荷重の値に達するまで当該半導体チップを当該基板方向に一定速度で送り出し、当該ロードセルが検出する荷重の値が当該設定荷重の値に達してからは、その後のボンディング時間に当該半導体チップと当該基板との距離を一定に維持するように制御する部品。 A semiconductor chip bonding apparatus used in the semiconductor chip bonding method according to claim 1, wherein the semiconductor chip bonding apparatus comprises the following components.
Stage: A part that fixes a substrate with bonding pads on the top surface.
Bonding head: The other surface of the semiconductor chip including the bump formed so as to protrude on one surface is fixed by vacuum suction, so that the bonding pad included in the substrate and the bump included in the semiconductor chip face each other. A component for placing the semiconductor chip on the substrate.
Bonding arm: A component that moves up and down by driving a motor provided above the stage and supports the bonding head.
Load cell: A component that is disposed between the bonding arm and the bonding head, and detects a contact load between the bump provided in the semiconductor chip and the bonding pad provided in the substrate.
Control device: Transmits a signal to the motor to lower the bonding arm, presses the bump provided in the semiconductor chip fixed to the bonding head to the bonding pad provided in the substrate, and performs bonding. The semiconductor chip is sent out at a constant speed in the direction of the substrate until the load value detected by the load cell reaches the set load value while bonding the substrate to the substrate, and the load value detected by the load cell is the set load After reaching this value, the component is controlled so as to maintain a constant distance between the semiconductor chip and the substrate during the subsequent bonding time.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111081559A (en) * 2018-10-19 2020-04-28 细美事有限公司 Die bonding apparatus and method, and substrate bonding apparatus and method

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001284404A (en) * 2001-03-09 2001-10-12 Matsushita Electric Ind Co Ltd Method of crimping chip

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100357881B1 (en) * 1999-03-09 2002-10-25 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사 Manufacturing apparatus of semiconductor device and its control method
JP2003008196A (en) * 2001-06-27 2003-01-10 Matsushita Electric Ind Co Ltd Method and machine for mounting electronic component
KR20070022058A (en) * 2004-06-08 2007-02-23 마츠시타 덴끼 산교 가부시키가이샤 Component mounting method and component mounting apparatus

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001284404A (en) * 2001-03-09 2001-10-12 Matsushita Electric Ind Co Ltd Method of crimping chip

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111081559A (en) * 2018-10-19 2020-04-28 细美事有限公司 Die bonding apparatus and method, and substrate bonding apparatus and method
CN111081559B (en) * 2018-10-19 2024-01-16 细美事有限公司 Die bonding apparatus and method, and substrate bonding apparatus and method

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