JP2010050402A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】この半導体装置の製造方法は、半導体基板の表面近傍に不純物を注入して不純物注入領域を形成する工程と、前記半導体基板にエッチングを施すことにより前記不純物注入領域の底部よりも深い溝を形成し、前記不純物注入領域を分断してソース領域およびドレイン領域を形成する工程と、前記溝の内部にSi系単結晶をエピタキシャル成長させてエピタキシャル結晶層を形成する工程と、前記エピタキシャル結晶層の上部にゲート絶縁膜およびゲート電極を形成する工程と、を含む。
【選択図】図1
Description
(半導体装置の構成)
図1は、本発明の第1の実施の形態に係る半導体装置の断面図である。
図2A(a)〜(b)、図2B(c)〜(d)、図2C(e)〜(f)、図2D(g)〜(h)、図2E(i)〜(j)、図2F(k)は、第1の実施の形態に係る半導体装置の製造方法を示す断面図である。
第1の実施の形態に係る半導体装置1によれば、半導体基板1の表面近傍にソース領域15Sおよびドレイン領域15Dを形成する不純物注入領域150を形成し、この不純物注入領域150を含む半導体基板10をゲート電極13のゲート長に応じてエッチングすることで、ソース領域15Sおよびドレイン領域15Dとゲート電極13とを自己整合的に形成することができ、微細化によりゲート長が小になる場合でもソース領域15Sおよびドレイン領域15Dの不純物濃度プロファイルを急峻にすることができる。
(半導体装置の構成)
図3は、本発明の第2の実施の形態に係る半導体装置の断面図である。
第2の実施の形態に係る半導体装置1によれば、第1の実施の形態の好ましい効果に加えて、ゲート電極の空乏化を防ぐことができる。
以上、本発明の実施の形態を説明したが、上記に記載した実施の形態は特許請求の範囲に係る発明を限定するものではない。
10 半導体基板
13 ゲート電極
15A エクステンション領域
15S ソース領域
15D ドレイン領域
16 エピタキシャル結晶層
16A チャネル領域
21 ハードマスク
22 レジスト
23 溝
150 不純物注入領域
Claims (5)
- 半導体基板の表面近傍に不純物を注入して不純物注入領域を形成する工程と、
前記半導体基板にエッチングを施すことにより前記不純物注入領域の底部よりも深い溝を形成し、前記不純物注入領域を分断してソース領域およびドレイン領域を形成する工程と、
前記溝の内部にSi系単結晶をエピタキシャル成長させてエピタキシャル結晶層を形成する工程と、
前記エピタキシャル結晶層の上部にゲート絶縁膜およびゲート電極を形成する工程と、
を含む半導体装置の製造方法。 - 前記溝は、所定のパターンを有するレジストをマスクとして用いたエッチングによって形成され、
前記ゲート電極は、前記レジスト内の前記溝に前記ゲート電極を構成する材料を埋め込むことにより形成される請求項1に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記エピタキシャル結晶層を結晶成長させる工程は、前記半導体基板と異なる結晶を成長させる工程である請求項1に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記エピタキシャル結晶層を結晶成長させる工程は、前記チャネル領域を構成する前記エピタキシャル結晶層に不純物をインサイチュで注入する工程を含む請求項1に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記ゲート電極の形成後に前記ソース領域および前記ドレイン領域に不純物のイオン注入を行なってエクステンション領域を形成する工程を更に含む請求項1に記載の半導体装置の製造方法。
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JP2008215596A JP2010050402A (ja) | 2008-08-25 | 2008-08-25 | 半導体装置の製造方法 |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP2013247127A (ja) * | 2012-05-23 | 2013-12-09 | Renesas Electronics Corp | トランジスタ及びその製造方法 |
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- 2008-08-25 JP JP2008215596A patent/JP2010050402A/ja not_active Withdrawn
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