JP2010045271A - Multilayer circuit board - Google Patents

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a highly reliable multilayer circuit board, in the multilayer circuit board for forming the same electric potential such as a grounding conductor inside and outside a cavity bottom part. <P>SOLUTION: The multilayer circuit board includes: a line conductor 6 formed on a surface of the multilayer circuit board; a first plane conductor 4 oppositely formed in the line conductor 6 inside the multilayer circuit board; and a cavity 3 for mounting a chip element. A bottom part of the cavity 3 and the first plane conductor 4 are positioned on a main surface of a common dielectric layer 2, and a second plane conductor 5 of the same electric potential as the first plane conductor is formed in the bottom part of the cavity, and an area 7 unformed with the first plane conductor is arranged in at least a part of a peripheral edge part of the bottom part positioned inside the multilayer circuit board on the main surface of the common dielectric layer. <P>COPYRIGHT: (C)2010,JPO&INPIT

Description

本発明は、マイクロ波帯域、準ミリ波帯域、ミリ波帯域等の高周波信号を取り扱う多層回路基板であって、キャビティを有する多層回路基板に関する。   The present invention relates to a multilayer circuit board that handles high-frequency signals such as a microwave band, a quasi-millimeter wave band, and a millimeter wave band, and has a cavity.

準ミリ波帯域(10GHz〜30GHz)やミリ波帯域(30GHz〜300GHz)の高周波信号を取り扱う回路部品に用いられる伝送線路には、従来からマイクロストリップ線路、コプラーナ線路などが用いられてきた。マイクロストリップ線路では、線路導体が誘電体層を介して接地導体に対向している。かかる構造はセラミックス、樹脂等の基板の一方の主面に信号線路、他方の主面に接地導体を形成して得られる。例えばマイクロ波帯域やミリ波帯域における多層高周波回路基板の特性向上を図った特許文献1の図3には、地導体を底面に露出させたキャビティに、MMICを実装した構成が開示されている。該MMIC(高周波回路素子9)は、接続用ワイヤ10によって、誘電体基板2a上面のマイクロストリップ線路パターン3a,3b等と接続されている。   Conventionally, microstrip lines, coplanar lines, and the like have been used as transmission lines used for circuit components that handle high-frequency signals in the quasi-millimeter wave band (10 GHz to 30 GHz) and the millimeter wave band (30 GHz to 300 GHz). In the microstrip line, the line conductor is opposed to the ground conductor via the dielectric layer. Such a structure is obtained by forming a signal line on one main surface of a substrate made of ceramics, resin or the like and a ground conductor on the other main surface. For example, FIG. 3 of Patent Document 1 that improves the characteristics of a multilayer high-frequency circuit board in the microwave band and the millimeter wave band discloses a configuration in which an MMIC is mounted in a cavity having a ground conductor exposed on the bottom surface. The MMIC (high frequency circuit element 9) is connected to the microstrip line patterns 3a, 3b and the like on the upper surface of the dielectric substrate 2a by connecting wires 10.

特開平11−103176号公報JP-A-11-103176

このようなキャビティを有する構成を、特許文献1に記載された、セラミックのグリーンシートに導体パターンのパターンニングを施して積層した後に同時焼成する多層セラミック基板製造技術などで実現しようとすると、以下のような問題が生じる場合があった。   When the structure having such a cavity is to be realized by a multilayer ceramic substrate manufacturing technique described in Patent Document 1, which is simultaneously fired after patterning a conductor green pattern on a ceramic green sheet, Such a problem may occur.

特許文献1と同様のキャビティ周辺構造を図6に示す。図6(a)はキャビティ周辺の構造を示すための、多層回路基板の側面方向から見た断面図であり、図6(b)はその周辺部分の拡大図である。主面に接地導体19が形成された誘電体層16に、開口部分を有する誘電体層17を積層することでキャビティ18が形成されている。誘電体層17の主面には線路導体20が形成されて、マイクロストリップライン構造が構成されている。一方、キャビティ18の底面には接地導体19が露出していて、MMIC等のチップ素子の搭載が可能となっている。しかしながら、もともと接地導体を構成する導体成分とセラミックス成分との密着性が低いうえに、キャビティ周辺部分では積層一体化する際の圧力がキャビティ方向に逃げてしまう。その結果、図6(a)に示す構成では、図6(b)に示すように、キャビティ周辺部分において接地導体19と誘電体層17との間に隙間21が生じやすい。かかる隙間が生じると、後工程や外部環境からめっき液や水分等が多層回路基板内部が入り込むようになり信頼性が低下する。また、ワイヤーボンディングのために、図6(b)の矢印の位置に荷重が加わると、クラックが生じるなど、基板が破損するという問題もあった。   A cavity peripheral structure similar to that of Patent Document 1 is shown in FIG. 6A is a cross-sectional view of the structure around the cavity, viewed from the side of the multilayer circuit board, and FIG. 6B is an enlarged view of the peripheral portion. A cavity 18 is formed by laminating a dielectric layer 17 having an opening on a dielectric layer 16 having a ground conductor 19 formed on the main surface. A line conductor 20 is formed on the main surface of the dielectric layer 17 to form a microstrip line structure. On the other hand, the ground conductor 19 is exposed on the bottom surface of the cavity 18 so that a chip element such as MMIC can be mounted. However, the adhesiveness between the conductor component and the ceramic component that originally constitute the ground conductor is low, and pressure at the time of stacking and integration in the cavity peripheral portion escapes in the cavity direction. As a result, in the configuration shown in FIG. 6A, as shown in FIG. 6B, a gap 21 is likely to occur between the ground conductor 19 and the dielectric layer 17 in the peripheral portion of the cavity. When such a gap is generated, the inside of the multilayer circuit board enters a plating solution, moisture, or the like from a post-process or an external environment, and reliability is lowered. In addition, when a load is applied to the position of the arrow in FIG. 6B for wire bonding, there is a problem that the substrate is damaged, such as a crack.

本発明は上述の問題点に鑑み、キャビティ底部の内外に接地導体のような同電位の導体を形成した多層回路基板において、キャビティ底部の周辺における隙間の発生を抑制し、クラック等の欠陥も生じにくい、信頼性の高い、多層回路基板を提供することを目的とする。   In view of the above-mentioned problems, the present invention suppresses the generation of gaps around the cavity bottom and causes defects such as cracks in a multilayer circuit board in which conductors of the same potential such as ground conductors are formed inside and outside the cavity bottom. It is an object to provide a multilayer circuit board that is difficult and reliable.

本発明の多層回路基板は、積層された複数の誘電体層を用いて構成された多層回路基板であって、前記多層回路基板の表面に形成された線路導体と、前記多層回路基板内部において該線路導体に対向するように形成された第1の平面導体と、チップ素子を搭載するためのキャビティとを有し、前記キャビティの底部と、前記第1の平面導体とは共通の誘電体層主面上に位置しており、前記キャビティの底部には第1の平面導体と同電位の第2の平面導体が形成され、前記共通の誘電体層主面で、かつ多層回路基板内部に位置する、前記底部の周縁部の少なくとも一部には、前記第1の平面導体が形成されていない領域が設けられていることを特徴とする。多層回路基板の内部であって、キャビティ底部の周縁部に導体を形成しない領域を設けることで、該領域においては誘電体層同士の接触になるため、密着強度が向上し、隙間が発生することが抑制される。   The multilayer circuit board of the present invention is a multilayer circuit board configured by using a plurality of laminated dielectric layers, the line conductor formed on the surface of the multilayer circuit board, and the multilayer circuit board inside the multilayer circuit board. A first planar conductor formed so as to face the line conductor, and a cavity for mounting the chip element, wherein the bottom of the cavity and the first planar conductor are a common dielectric layer main The second planar conductor having the same potential as the first planar conductor is formed at the bottom of the cavity, and is located on the common dielectric layer main surface and inside the multilayer circuit board. A region where the first planar conductor is not formed is provided on at least a part of the peripheral edge of the bottom. By providing a region inside the multilayer circuit board where no conductor is formed at the peripheral edge of the cavity bottom, contact between dielectric layers in this region is improved, and adhesion strength is improved and gaps are generated. Is suppressed.

また、前記多層回路基板において、前記線路導体は、その一端が前記キャビティに向かうように延設されており、誘電体層の積層方向から見て、前記一端を挟むように前記領域が形成されていることが好ましい。かかる構成によれば、外力が加わる線路導体周辺の密着強度を上げることで、該部分における隙間の発生が抑制される。また、線路導体と第1の平面導体との対向関係も維持されるので、インピーダンスの変動も抑えることができる。   Further, in the multilayer circuit board, the line conductor is extended so that one end thereof is directed to the cavity, and the region is formed so as to sandwich the one end when viewed from the stacking direction of the dielectric layer. Preferably it is. According to such a configuration, by increasing the adhesion strength around the line conductor to which an external force is applied, the generation of a gap in the portion is suppressed. In addition, since the opposing relationship between the line conductor and the first planar conductor is also maintained, fluctuations in impedance can be suppressed.

さらに、前記多層回路基板において、前記第1の平面導体と前記第2の平面導体とは、前記共通の誘電体層主面上で接続されていることが好ましい。かかる構成によれば、第1の平面導体と前記第2の平面導体とを一体的に構成できるため、接続信頼性が向上するとともに、インピーダンスの安定にも寄与する。   Furthermore, in the multilayer circuit board, it is preferable that the first planar conductor and the second planar conductor are connected on the common dielectric layer main surface. According to such a configuration, the first planar conductor and the second planar conductor can be integrally configured, so that the connection reliability is improved and the impedance is stabilized.

また、前記多層回路基板において、前記線路導体は、その一端が前記キャビティに向かうように延設されており、前記線路導体の延設方向に垂直な方向において、前記領域の幅が前記キャビティの幅よりも小さく、前記領域は、誘電体層の積層方向から見て、前記一端と重なるように、または前記線路導体の仮想延長部分上に形成されていることも好ましい。かかる構成によれば、線路導体の仮想延長部分上に係る誘電体層同士の密着性を確保できる。また、導体を形成しない領域を必要以上に大きくしないため、インピーダンスの安定にも寄与する。なお、前記領域が前記線路導体の仮想延長部分上に形成されているとは、前記線路導体の一端をそのまま延長したとすると、誘電体層の積層方向から見て、前記領域と前記線路導体とが重なることを意味する。   In the multilayer circuit board, the line conductor is extended so that one end thereof faces the cavity, and the width of the region is the width of the cavity in a direction perpendicular to the extending direction of the line conductor. It is also preferable that the region is formed so as to overlap the one end as viewed from the stacking direction of the dielectric layers or on a virtual extension portion of the line conductor. According to this configuration, it is possible to ensure the adhesion between the dielectric layers on the virtual extension portion of the line conductor. Moreover, since the area | region which does not form a conductor is not enlarged more than necessary, it contributes also to stability of an impedance. Note that the region is formed on the virtual extension portion of the line conductor. If one end of the line conductor is extended as it is, the region, the line conductor, and the region are viewed from the stacking direction of the dielectric layers. Means overlapping.

さらに、前記多層回路基板において、前記第1の平面導体と前記第2の平面導体とは、前記共通の誘電体層主面上で接続されていることが好ましい。かかる構成によれば、第1の平面導体と前記第2の平面導体とを一体的に構成できるため、接続信頼性が向上するとともに、インピーダンスの安定にも寄与する。   Furthermore, in the multilayer circuit board, it is preferable that the first planar conductor and the second planar conductor are connected on the common dielectric layer main surface. According to such a configuration, the first planar conductor and the second planar conductor can be integrally configured, so that the connection reliability is improved and the impedance is stabilized.

また、前記多層回路基板において、前記領域は前記底部を囲むように前記底部の周縁部全体に形成されていることも好ましい。かかる構成によれば、キャビティ底部の周縁部全体において、隙間の発生が抑制される。しがたって、キャビティ底部の周縁部分に係る信頼性を大幅に向上することができる。   In the multilayer circuit board, it is also preferable that the region is formed on the entire periphery of the bottom so as to surround the bottom. According to such a configuration, the generation of a gap is suppressed in the entire peripheral edge of the cavity bottom. Therefore, the reliability related to the peripheral portion of the cavity bottom can be greatly improved.

さらに、前記多層回路基板において、前記線路導体は、その一端が前記キャビティに向かうように延設されており、誘電体層の積層方向から見て、前記一端と前記領域が重なるように配置されていることが好ましい。かかる構成によれば、外力が加わる線路導体下方における密着強度を上げて該部分での隙間の発生がより確実に抑制されるので、多層回路基板の信頼性を向上することができる。   Further, in the multilayer circuit board, the line conductor is extended so that one end thereof is directed to the cavity, and the one end and the region overlap each other when viewed from the stacking direction of the dielectric layer. Preferably it is. According to such a configuration, the adhesion strength below the line conductor to which an external force is applied is increased and the generation of a gap in the portion is more reliably suppressed, so that the reliability of the multilayer circuit board can be improved.

さらに、前記多層回路基板において、前記キャビティに搭載されたチップ素子と、前記チップ素子と前記線路導体とを接続するボンディングワイヤを有し、前記ボンディングワイヤと前記線路導体とは、積層方向から見て前記領域と重なる部分で接続されていることが好ましい。かかる構成では、密着強度を上げて隙間の発生が抑制される領域で、ワイヤーボンディングされるため、クラックの発生を防ぎ、信頼性性の高い多層回路基板を提供することができる。   The multilayer circuit board further includes a chip element mounted in the cavity, and a bonding wire that connects the chip element and the line conductor, and the bonding wire and the line conductor are viewed from the stacking direction. It is preferable that they are connected at a portion overlapping the region. In such a configuration, since wire bonding is performed in a region where the adhesion strength is increased and the generation of gaps is suppressed, the occurrence of cracks can be prevented and a highly reliable multilayer circuit board can be provided.

さらに、前記多層回路基板において、前記線路導体を、準ミリ波帯またはミリ波帯の信号用の線路導体として用いることが好ましい。準ミリ波帯またはミリ波帯の信号伝送にはマイクロストリップ線路構造が用いられるが、かかる高周波帯域では線路導体のわずかなずれが特性に大きく影響する。したがって、隙間の発生等の抑制に寄与する前記構成は、準ミリ波帯またはミリ波帯用のマイクロストリップ線路構造に好適である。   Further, in the multilayer circuit board, the line conductor is preferably used as a signal line conductor for a quasi-millimeter wave band or a millimeter wave band. A microstrip line structure is used for signal transmission in the quasi-millimeter wave band or the millimeter wave band, but in such a high frequency band, a slight deviation of the line conductor greatly affects the characteristics. Therefore, the configuration that contributes to the suppression of the occurrence of gaps is suitable for a microstrip line structure for a quasi-millimeter wave band or a millimeter wave band.

本発明によれば、キャビティ底部の内外に接地導体のような同電位の導体を形成した多層回路基板において、キャビティ底部の周辺における隙間の発生を抑制し、クラック等の欠陥も生じにくい、信頼性の高い多層回路基板を提供することが可能となる。   According to the present invention, in a multilayer circuit board in which conductors of the same potential such as ground conductors are formed inside and outside the cavity bottom, the generation of gaps around the cavity bottom is suppressed, and defects such as cracks are less likely to occur. It is possible to provide a multi-layer circuit board having a high height.

以下、本発明の実施形態について図面を参照して説明する。本発明に係る多層回路基板は、積層された複数の誘電体層を用いて構成され、多層回路基板の表面に形成された線路導体と、多層基板内部において該線路導体に対向するように形成された第1の平面導体と、チップ素子を搭載するためのキャビティとを有する。該多層回路基板は例えば低温同時焼成セラミックス(LTCC:Low Temperature Co-fired Ceramics)の製造工程にしたがって製造すればよい。Ag等の導体パターンが形成された誘電体シートを積層一体化し、焼成することで多層回路基板が得られる。図1は本発明に係る多層回路基板の第1の実施形態を示す。なお、図1はキャビティ周辺の構造を示すために、多層回路基板の一部を示してある。図1(a)は多層回路基板を構成する第1の誘電体層(表層)の主面の一部を示し、(b)は多層回路基板の第2の誘電体層(内層)の主面の一部を示す。図1(c)は第1の誘電体層と第2の誘電体層を重ね合わせて積層一体化した後の多層回路基板を積層方向から見た平面図であり、(d)は(c)におけるA−A’線における断面図である。多層基板の表面となる第1の誘電体層1にはキャビティを形成するための矩形の開口部3が設けられており、該開口部を挟むようにして、長手方向が同じ、線状の二つの線路導体6が形成されている。第2層の誘電体層2には、多層回路基板を構成した場合に、線路導体6に対向するように第1の平面導体4が形成されている。図1(b)には、図1(a)の開口部の縁、すなわちキャビティの底部の縁となる位置と線路導体6の投影位置を点線で示してある。第2の誘電体層主面には、キャビティの底部の縁に相当する部分に沿って、該縁に相当する部分を幅方向の中心に含むように帯状(環状)の導体非形成部7が設けられている。該導体非形成部7の内側には矩形の第2の平面導体5が形成されている。   Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. A multilayer circuit board according to the present invention is configured using a plurality of laminated dielectric layers, and is formed so as to face a line conductor formed on the surface of the multilayer circuit board and the line conductor inside the multilayer board. And a first planar conductor and a cavity for mounting the chip element. The multilayer circuit board may be manufactured, for example, according to a manufacturing process of low temperature co-fired ceramics (LTCC). A dielectric sheet on which a conductive pattern such as Ag is formed is integrated and fired to obtain a multilayer circuit board. FIG. 1 shows a first embodiment of a multilayer circuit board according to the present invention. FIG. 1 shows a part of the multilayer circuit board in order to show the structure around the cavity. FIG. 1A shows a part of the main surface of the first dielectric layer (surface layer) constituting the multilayer circuit board, and FIG. 1B shows the main surface of the second dielectric layer (inner layer) of the multilayer circuit board. A part of FIG. 1C is a plan view of the multilayer circuit board viewed from the stacking direction after the first dielectric layer and the second dielectric layer are stacked and integrated, and FIG. It is sectional drawing in the AA 'line in. The first dielectric layer 1 serving as the surface of the multilayer substrate is provided with a rectangular opening 3 for forming a cavity, and two linear lines having the same longitudinal direction so as to sandwich the opening. A conductor 6 is formed. A first planar conductor 4 is formed on the second dielectric layer 2 so as to face the line conductor 6 when a multilayer circuit board is formed. In FIG. 1B, the position of the edge of the opening in FIG. 1A, that is, the edge of the bottom of the cavity and the projected position of the line conductor 6 are indicated by dotted lines. On the main surface of the second dielectric layer, there is a strip-like (annular) conductor non-forming portion 7 along the portion corresponding to the edge of the bottom of the cavity so as to include the portion corresponding to the edge in the center in the width direction. Is provided. A rectangular second planar conductor 5 is formed inside the conductor non-forming portion 7.

図1(a)の第1の誘電体層と(b)の第2の誘電体層が積層されて、図1(c)、(d)に示す、キャビティを有する多層回路基板が構成される。図1(c)には第1の平面導体4と導体非形成部7との境界が二点鎖線で示してある。図1に示す実施形態の場合、第1の誘電体層1を介して帯状の線路導体6に対向する第1の平面導体4はグランド電極であり、該実施形態ではマイクロストリップライン構造を構成している。誘電体層の積層方向から見て、第1の平面導体4はキャビティを囲むように、キャビティ底部周囲において連続的に形成されている。キャビティ3の底部と、第1の平面導体4とは共通の誘電体層(第2の誘電体層2)の主面上に位置しており、キャビティ3の底部には第1の平面導体4と同電位の第2の平面導体5が形成されている。第1の平面導体4と第2の平面導体5とは誘電体層に形成されたビア電極等(図示せず)を用いて接地される。図1(c)、(d)において、第2の誘電体層2の主面で、かつ多層回路基板内部に位置する、キャビティ3の底部の周縁部全体には、第1の平面導体4が形成されていない領域(図1(c)において二点鎖線と、実線で表されるキャビティ底部の縁との間の領域)が該底部を囲むように設けられている。図1に示す構成では、第2の平面導体5もキャビティ3の底部の縁から離間して設けられているので、キャビティ3の底部にも、第2の平面導体5を囲むように、導体が形成されていない領域が設けられている。第2の平面導体5は矩形をなし、チップ素子の実装のために用いられる。第1の平面導体4が形成されていない上述の領域では、セラミックスである第1の誘電体層と第2の誘電体層とが導体を介さずに密着しているので、接合強度を高めることができる。そのため、キャビティ底部周縁における隙間の発生を抑えることができる。図1に示す実施形態ではキャビティ底部の周縁部全体が、第1の平面導体4の非形成領域となっているため、特に信頼性が高い。キャビティ3の底部における導体が形成されていない領域の大きさに関しては、キャビティ形成ばらつき、積層ばらつきを考慮した寸法が望ましく、それらの直接和が最大許容値となるように設定するのが望ましい。ただし、キャビティ3の底部での導体削除は基板の密着への直接的効果ではなく、ばらつき時の密着強度の確保が目的であるため、それ以上は必ずしも必要ない。一方、多層回路基板内部側も同様の理由から同等寸法が必要であり、導体削除面積が増加するほど強度は向上する。ただし、隙間はキャビティ境界部に発生するため、導体が形成されていない領域は境界に垂直な方向に長くするよりも、境界付近の面積が大きくなるようにした方が、強度向上への寄与は大きい。キャビティ底面の平坦性を確保し、キャビティ内に搭載する部品を安定に実装するためには、キャビティの面積は9mm以下が望ましい。また、より高い信頼性を得る観点からは第1の平面導体4の非形成領域の幅およびキャビティ3の底部における導体が形成されていない領域の幅は50μm以上を確保することがより好ましい。一方、インピーダンスの変動を抑える観点からは第1の平面導体4の非形成領域の幅は200μm以下がより好ましく、100μm以下がいっそう好ましい。 The first dielectric layer shown in FIG. 1A and the second dielectric layer shown in FIG. 1B are stacked to form a multilayer circuit board having a cavity shown in FIGS. 1C and 1D. . In FIG. 1C, the boundary between the first planar conductor 4 and the conductor non-forming portion 7 is indicated by a two-dot chain line. In the case of the embodiment shown in FIG. 1, the first planar conductor 4 opposed to the strip-shaped line conductor 6 via the first dielectric layer 1 is a ground electrode, and in this embodiment, a microstrip line structure is formed. ing. When viewed from the stacking direction of the dielectric layers, the first planar conductor 4 is continuously formed around the cavity bottom so as to surround the cavity. The bottom of the cavity 3 and the first planar conductor 4 are located on the main surface of the common dielectric layer (second dielectric layer 2), and the first planar conductor 4 is disposed on the bottom of the cavity 3. A second planar conductor 5 having the same potential as that of the second planar conductor 5 is formed. The first planar conductor 4 and the second planar conductor 5 are grounded using a via electrode or the like (not shown) formed in the dielectric layer. In FIGS. 1C and 1D, the first planar conductor 4 is formed on the main surface of the second dielectric layer 2 and on the entire peripheral edge of the bottom of the cavity 3 located inside the multilayer circuit board. A region that is not formed (a region between the two-dot chain line in FIG. 1C and the edge of the cavity bottom represented by a solid line) is provided so as to surround the bottom. In the configuration shown in FIG. 1, the second planar conductor 5 is also provided away from the edge of the bottom of the cavity 3, so that the conductor is also surrounded at the bottom of the cavity 3 so as to surround the second planar conductor 5. A region that is not formed is provided. The second planar conductor 5 has a rectangular shape and is used for mounting a chip element. In the above-described region where the first planar conductor 4 is not formed, the first dielectric layer and the second dielectric layer, which are ceramics, are in close contact with each other without a conductor interposed therebetween, so that the bonding strength is increased. Can do. Therefore, generation | occurrence | production of the clearance gap in a cavity bottom part peripheral edge can be suppressed. In the embodiment shown in FIG. 1, the entire peripheral edge portion of the cavity bottom portion is a non-formation region of the first planar conductor 4, so that the reliability is particularly high. With respect to the size of the region where the conductor is not formed at the bottom of the cavity 3, a dimension that takes into account the cavity formation variation and the stacking variation is desirable, and it is desirable to set the direct sum thereof to the maximum allowable value. However, the removal of the conductor at the bottom of the cavity 3 is not a direct effect on the close contact of the substrate, but is intended to ensure the close contact strength at the time of variation, and thus is not necessarily required. On the other hand, the same dimension is required on the inner side of the multilayer circuit board for the same reason, and the strength increases as the conductor removal area increases. However, since a gap is generated at the cavity boundary, it is better to make the area near the boundary larger than the area where the conductor is not formed in the direction perpendicular to the boundary. large. In order to ensure the flatness of the bottom surface of the cavity and stably mount the components to be mounted in the cavity, the area of the cavity is desirably 9 mm 2 or less. Further, from the viewpoint of obtaining higher reliability, it is more preferable that the width of the non-formation region of the first planar conductor 4 and the width of the region where the conductor is not formed at the bottom of the cavity 3 be 50 μm or more. On the other hand, the width of the non-formation region of the first planar conductor 4 is more preferably 200 μm or less, and even more preferably 100 μm or less from the viewpoint of suppressing impedance variation.

また、線路導体6は、その一端がキャビティ3に向かうように延設されており、誘電体層の積層方向から見て、前記一端と第1の平面導体4が形成されていない領域の端が一致し、それらが重ならないように配置されている。この場合、線路導体6の下方には第1の平面導体4が存在するので、線路導体6とボンディングワイヤの接続位置が変わってもインピーダンス変化が抑えられる。一方、前記一端と前記領域が重なるようにしもてよい。接続信頼性を優先する場合は、かかる部分を用いてワイヤーボンディング等の接続を行うことが好ましいからである。図5には図1に示す構成にMMIC等のチップ素子を搭載した実施形態の断面図を示す。キャビティに搭載されたチップ素子13と、チップ素子13の端子15と線路導体6とを接続するボンディングワイヤ14を有し、ボンディングワイヤ14と線路導体6とは、積層方向から見て第1の平面導体4が形成されていない領域と重なる部分で接続されている。この場合、ワイヤーボンディング時の荷重は、密着性の高いセラミックス同士の接合部分になるため、クラック等の欠陥の発生を抑えることができる。   Further, the line conductor 6 is extended so that one end thereof faces the cavity 3, and the end of the region where the one end and the first planar conductor 4 are not formed is seen from the stacking direction of the dielectric layers. Match and are arranged so that they do not overlap. In this case, since the first planar conductor 4 exists below the line conductor 6, even if the connection position of the line conductor 6 and the bonding wire changes, the impedance change can be suppressed. On the other hand, the one end and the region may overlap each other. This is because, when priority is given to connection reliability, it is preferable to perform connection such as wire bonding using such a portion. FIG. 5 shows a cross-sectional view of an embodiment in which a chip element such as an MMIC is mounted on the configuration shown in FIG. The chip element 13 mounted in the cavity and the bonding wire 14 for connecting the terminal 15 of the chip element 13 and the line conductor 6 are provided. The bonding wire 14 and the line conductor 6 are the first plane as viewed from the stacking direction. The conductor 4 is connected at a portion overlapping the region where the conductor 4 is not formed. In this case, since the load at the time of wire bonding becomes a joint part between ceramics having high adhesion, generation of defects such as cracks can be suppressed.

図1に示す実施形態では、図面上グランド電極である第1の平面導体4は誘電体層全体に渡って形成されているが、キャビティ周辺部以外の多層回路基板の他の部分や表層の線路導体が配置されていない部分などは第1の平面導体4を設けなくてもよい。また、第1の平面導体が形成されていない領域は、共通の誘電体層である第2の誘電体層2の主面で、かつ多層回路基板内部に位置する、キャビティ底部の周縁部の少なくとも一部に設けられていれば、その部分での誘電体層同士の密着性が向上し、信頼性も向上する。例えば図4に示す構成を採用することができる。図4に示す実施形態では、第2の誘電体層に形成された第1の平面導体12に係る構成が図1に示す実施形態と異なる。その他の構成は図1に示す実施形態と同様であるので説明を省略する。図4(b)に示すように、矩形のキャビティ3の対向する二対の辺のうち線路導体を配置していない一対側には第1の平面導体12が形成されていない。第1の平面導体12は線路導体6に対向するように配置すればよいので、かかる場合も本願発明に係る効果を発揮しうる。   In the embodiment shown in FIG. 1, the first planar conductor 4 which is the ground electrode in the drawing is formed over the entire dielectric layer, but other parts of the multilayer circuit board other than the cavity peripheral part and the surface layer line The first planar conductor 4 may not be provided in a portion where no conductor is disposed. In addition, the region where the first planar conductor is not formed is at least the peripheral surface of the bottom of the cavity located on the main surface of the second dielectric layer 2 that is a common dielectric layer and inside the multilayer circuit board. If it is provided in a part, the adhesion between the dielectric layers in that part is improved, and the reliability is also improved. For example, the configuration shown in FIG. 4 can be employed. In the embodiment shown in FIG. 4, the configuration related to the first planar conductor 12 formed in the second dielectric layer is different from the embodiment shown in FIG. 1. Other configurations are the same as those of the embodiment shown in FIG. As shown in FIG. 4B, the first planar conductor 12 is not formed on the pair of sides of the rectangular cavity 3 facing each other where the line conductor is not disposed. Since the 1st plane conductor 12 should just be arrange | positioned so as to oppose the line conductor 6, the effect which concerns on this invention can be exhibited also in this case.

第1の平面導体が形成されていない領域が、共通の誘電体層主面で、かつ多層回路基板内部に位置する、キャビティ底部の周縁部の少なくとも一部に設けられた他の実施形態を図2に示す。図2(a)は多層回路基板を構成する第1の誘電体層(表層)の主面の一部を示し、(b)は多層回路基板の第2の誘電体層(内層)の主面の一部を示す。図2(c)は第1の誘電体層と第2の誘電体層を重ね合わせて積層一体化した後の多層回路基板を積層方向から見た平面図であり、(d)は(c)におけるB−B’線における断面図である。図2に示した構成は、図1に示す実施形態とは、図2(b)に示した第2の誘電体層に形成した平面導体8の構成が異なる。それ以外の構成は図1に示した構成と同様であるので説明を省略する。   Another embodiment in which the region where the first planar conductor is not formed is provided on at least a part of the peripheral edge of the cavity bottom portion, which is located on the common dielectric layer main surface and inside the multilayer circuit board. It is shown in 2. 2A shows a part of the main surface of the first dielectric layer (surface layer) constituting the multilayer circuit board, and FIG. 2B shows the main surface of the second dielectric layer (inner layer) of the multilayer circuit board. A part of FIG. 2C is a plan view of the multilayer circuit board viewed from the stacking direction after the first dielectric layer and the second dielectric layer are stacked and integrated, and FIG. It is sectional drawing in the BB 'line | wire in. The configuration shown in FIG. 2 is different from the embodiment shown in FIG. 1 in the configuration of the planar conductor 8 formed in the second dielectric layer shown in FIG. The other configuration is the same as the configuration shown in FIG.

第2の誘電体層2には、多層回路基板を構成した場合に、線路導体6に対向するように第1の平面導体8が形成されている。誘電体層の積層方向から見て、第1の平面導体8はキャビティを囲むように、キャビティ底部周囲において連続的に形成されている。図2(b)には、図2(a)の開口部の縁、すなわちキャビティの底部の縁となる位置と線路導体6の投影位置を点線で示してある。また、線路導体6は、その一端がキャビティ3に向かうように延設されている。さらに、誘電体層の積層方向から見て、線路導体6の一端と重なるように導体非形成部9が設けられている。図2(c)において、導体非形成部9の投影位置を二点鎖線で示してある。線路導体6の延設方向に垂直な方向(図の上下方向)において、導体非形成部9の幅がキャビティ3の幅よりも小さい。また、導体非形成部9は線路導体6がキャビティ3に近接する二辺側だけに配置されている。すなわち、図2に示す実施形態では、第1の平面導体8が形成されていない領域は、第1の平面導体8から、線路導体6の端部と重なる部分を含む一部をくり抜くように形成されている。導体非形成部9はキャビティ3の底部の縁に跨って形成されているため、第2の誘電体層2の主面で、かつ多層回路基板内部に位置する、キャビティ底部の周縁部の少なくとも一部に、第1の平面導体が形成されていない領域が設けられている構成が実現されている。第1の平面導体4が形成されていない上述の領域では、セラミックスである第1の誘電体層と第2の誘電体層とが導体を介さずに密着しているので、接合強度を高めることができる。そのため、キャビティ底部周縁における隙間の発生を抑えることができる。また、上記領域は線路導体6の端部に重なるごく一部で構成されている。したがって、第1の平面導体4を形成しない部分を必要最小限にすることができるため、インピーダンスの安定性に優れる。インピーダンスの安定性の観点から、前記領域は、誘電体層の積層方向から見て、線路導体6の仮想延長部分上に形成されていてもよい。線路導体6は仮想的に延長すればキャビティの縁に相当する部分まで到達する。その仮想的に延長された部分において、前記領域と前記線路導体とが重なるようにすればよい。いずれの構成においても、外力が加わる線路導体下方における密着性を上げることで、該部分での隙間の発生が確実に抑制される。図2に示す実施形態では、前記領域に連続してキャビティ底部にも導体非形成部9が配置される構成になっている。キャビティ底部側には必ずしも導体非形成部は必要ではないが、前記領域を形成しようとする部分において、製造ばらつき等によって導体がキャビティ底部の縁を跨ぐ場合があるので、それを防止するためには、前記領域に連続してキャビティ底部にも導体非形成部を設けることがより好ましい。また、より高い信頼性を得る観点からは、導体非形成部9のうち、多層回路基板内部における幅(導体非形成部9が跨るキャビティ底部の辺に垂直な方向の幅)およびキャビティ3の底部における幅は50μm以上を確保することがより好ましい。一方、インピーダンスの変動を抑える観点からは多層回路基板内部における幅は200μm以下がより好ましく、100μm以下がいっそう好ましい。また、導体非形成部9が跨るキャビティ底部の辺に平行な方向の幅は線路導体6の幅よりも大きく、かつ線路導体6の幅の5倍以下にすることがより好ましい。さらに、導体非形成部9の面積は1mm以下がさらに好ましい。 A first planar conductor 8 is formed on the second dielectric layer 2 so as to face the line conductor 6 when a multilayer circuit board is formed. As viewed from the stacking direction of the dielectric layers, the first planar conductor 8 is continuously formed around the cavity bottom so as to surround the cavity. In FIG. 2B, the position of the opening edge of FIG. 2A, that is, the position of the bottom edge of the cavity and the projection position of the line conductor 6 are indicated by dotted lines. Further, the line conductor 6 extends so that one end thereof is directed to the cavity 3. Further, a conductor non-forming portion 9 is provided so as to overlap one end of the line conductor 6 when viewed from the stacking direction of the dielectric layers. In FIG.2 (c), the projection position of the conductor non-formation part 9 is shown with the dashed-two dotted line. The width of the conductor non-forming portion 9 is smaller than the width of the cavity 3 in the direction perpendicular to the extending direction of the line conductor 6 (the vertical direction in the figure). The conductor non-forming portion 9 is disposed only on the two sides where the line conductor 6 is close to the cavity 3. That is, in the embodiment shown in FIG. 2, the region where the first planar conductor 8 is not formed is formed so that a part including the portion overlapping the end of the line conductor 6 is cut out from the first planar conductor 8. Has been. Since the conductor non-forming portion 9 is formed across the edge of the bottom of the cavity 3, at least one of the peripheral portions of the bottom of the cavity located on the main surface of the second dielectric layer 2 and inside the multilayer circuit board. A configuration in which a region where the first planar conductor is not formed is provided in the part is realized. In the above-described region where the first planar conductor 4 is not formed, the first dielectric layer and the second dielectric layer, which are ceramics, are in close contact with each other without a conductor interposed therebetween, so that the bonding strength is increased. Can do. Therefore, generation | occurrence | production of the clearance gap in a cavity bottom part peripheral edge can be suppressed. Further, the region is composed of a very small part overlapping the end of the line conductor 6. Therefore, since the portion where the first planar conductor 4 is not formed can be minimized, the impedance stability is excellent. From the viewpoint of impedance stability, the region may be formed on a virtual extension portion of the line conductor 6 when viewed from the stacking direction of the dielectric layers. If the line conductor 6 is virtually extended, the line conductor 6 reaches a portion corresponding to the edge of the cavity. What is necessary is just to make it the said area | region and the said line conductor overlap in the part extended virtually. In any configuration, by increasing the adhesion under the line conductor to which an external force is applied, the generation of a gap in the portion is reliably suppressed. In the embodiment shown in FIG. 2, the conductor non-forming portion 9 is arranged at the bottom of the cavity continuously from the region. Although the conductor non-formation part is not necessarily required on the cavity bottom side, the conductor may straddle the edge of the cavity bottom due to manufacturing variations in the part where the region is to be formed. More preferably, a conductor non-formation part is also provided at the bottom of the cavity continuously from the region. Further, from the viewpoint of obtaining higher reliability, of the conductor non-forming portion 9, the width inside the multilayer circuit board (the width in the direction perpendicular to the side of the bottom of the cavity across which the conductor non-forming portion 9 strides) and the bottom of the cavity 3 More preferably, the width of is secured to 50 μm or more. On the other hand, from the viewpoint of suppressing fluctuations in impedance, the width inside the multilayer circuit board is more preferably 200 μm or less, and even more preferably 100 μm or less. Further, it is more preferable that the width in the direction parallel to the side of the cavity bottom portion over which the conductor non-forming portion 9 is straddled is larger than the width of the line conductor 6 and not more than 5 times the width of the line conductor 6. Furthermore, the area of the conductor non-forming portion 9 is more preferably 1 mm 2 or less.

図2に示す実施形態では、第2の誘電体層のうち導体非形成部9以外の全体に第1の平面導体8が形成されている。第1の平面導体とキャビティ3の底部に形成される第2の平面導体とは一体で構成されており、第1の平面導体と第2の平面導体とは、共通の誘電体層(第2の誘電体層)主面上で直接、接続されている。かかる構成によって、接続信頼性が向上し、インピーダンスも安定する。   In the embodiment shown in FIG. 2, the first planar conductor 8 is formed on the entirety of the second dielectric layer other than the conductor non-forming portion 9. The first planar conductor and the second planar conductor formed at the bottom of the cavity 3 are integrally formed, and the first planar conductor and the second planar conductor are a common dielectric layer (second dielectric layer). The dielectric layer is directly connected on the main surface. With this configuration, connection reliability is improved and impedance is stabilized.

第1の平面導体8が形成されていない領域が、誘電体層の積層方向から見て、線路導体6の仮想延長部分上に形成されている場合であれば、線路導体6の下方には第1の平面導体8が存在するので、線路導体6とボンディングワイヤの接続位置が変わってもインピーダンス変化が抑えられる。一方、図2の構成では、線路導体6は、その一端がキャビティ3に向かうように延設されており、誘電体層の積層方向から見て、前記一端と第1の平面導体4が形成されていない領域が重なるように配置されている。接続信頼性を優先する場合は、図1に示す実施形態と同様に、かかる部分を用いてワイヤーボンディング等の接続を行うことが好ましい。   If the region where the first planar conductor 8 is not formed is formed on a virtual extension portion of the line conductor 6 when viewed from the stacking direction of the dielectric layers, Since one planar conductor 8 exists, even if the connection position of the line conductor 6 and the bonding wire changes, the impedance change can be suppressed. On the other hand, in the configuration of FIG. 2, the line conductor 6 is extended so that one end thereof is directed to the cavity 3, and the one end and the first planar conductor 4 are formed when viewed from the stacking direction of the dielectric layers. It is arranged so that the areas that do not overlap. When priority is given to connection reliability, it is preferable to perform connection, such as wire bonding, using this part like the embodiment shown in FIG.

次に、共通の誘電体層主面で、かつ多層回路基板内部に位置する、キャビティ底部の周縁部の少なくとも一部に、第1の平面導体が形成されていない領域が設けられた他の実施形態を図3に示す。図3(a)は多層回路基板を構成する第1の誘電体層(表層)の主面の一部を示し、(b)は多層回路基板の第2の誘電体層(内層)の主面の一部を示す。図3(c)は第1の誘電体層と第2の誘電体層を重ね合わせて積層一体化した後の多層回路基板を積層方向から見た平面図であり、(d)は(c)におけるC−C’線における断面図である。図3に示した構成は、図1または図2に示す実施形態とは図3(b)に示した第2の誘電体層に形成した平面導体の構成が異なる。それ以外の構成は図1または図2に示した構成と同様であるので説明を省略する。   Next, another implementation in which a region where the first planar conductor is not formed is provided on at least a part of the peripheral portion of the cavity bottom portion located on the common dielectric layer main surface and inside the multilayer circuit board. The form is shown in FIG. 3A shows a part of the main surface of the first dielectric layer (surface layer) constituting the multilayer circuit board, and FIG. 3B shows the main surface of the second dielectric layer (inner layer) of the multilayer circuit board. A part of FIG. 3C is a plan view of the multilayer circuit board viewed from the stacking direction after the first dielectric layer and the second dielectric layer are stacked and integrated, and FIG. It is sectional drawing in CC 'line in. The configuration shown in FIG. 3 is different from the embodiment shown in FIG. 1 or FIG. 2 in the configuration of the planar conductor formed in the second dielectric layer shown in FIG. The other configuration is the same as the configuration shown in FIG. 1 or FIG.

第2の誘電体層2には、多層回路基板を構成した場合に、線路導体6に対向するように第1の平面導体10が形成されている。誘電体層の積層方向から見て、第1の平面導体10はキャビティを囲むように、キャビティ底部周囲において連続的に形成されている。図3(b)には、図3(a)の開口部の縁、すなわちキャビティの底部の縁となる位置と線路導体6の投影位置を点線で示してある。また、線路導体6は、その一端がキャビティ3に向かうように延設されている。さらに、誘電体層の積層方向から見て、線路導体6の延長線上の両脇において、線路導体6の一端を挟むように導体非形成部11が設けられている。図3(c)において、導体非形成部11の投影位置を二点鎖線で示してある。導体非形成部11は線路導体6がキャビティ3に近接する二辺側だけに配置されている。すなわち、図3に示す実施形態では、第1の平面導体10が形成されていない領域は、第1の平面導体10から、線路導体6の両側で一部をくり抜くように形成されている。図3に示した実施形態は、線路導体6の延長線上に導体非形成部11を設けず、線路導体6の端部が導体非形成部11と重なっていない点で図1または図2に示した実施形態と異なる。導体非形成部11はキャビティ3の底部の縁に跨って形成されているため、第2の誘電体層2の主面で、かつ多層回路基板内部に位置する、キャビティ底部の周縁部の少なくとも一部に、第1の平面導体が形成されていない領域が設けられている構成が実現されている。キャビティ底部の周縁部のうち、線路導体6の延長線上には第1の平面導体10の一部が存在するが、その両脇に第1の平面導体10が形成されていない領域が設けられているので、かかる部分で十分な密着性を確保することができる。しかも、線路導体6の下方において導体非形成部11は配置されておらず、線路導体全体が第1の平面導体10と対向している図3に示す実施形態は、インピーダンスの変動を抑えるうえで特に好ましい構成である。   A first planar conductor 10 is formed on the second dielectric layer 2 so as to face the line conductor 6 when a multilayer circuit board is formed. As viewed from the stacking direction of the dielectric layers, the first planar conductor 10 is continuously formed around the cavity bottom so as to surround the cavity. FIG. 3B shows the position of the edge of the opening of FIG. 3A, that is, the edge of the bottom of the cavity and the projection position of the line conductor 6 by dotted lines. Further, the line conductor 6 extends so that one end thereof is directed to the cavity 3. Furthermore, the conductor non-formation part 11 is provided so that the end of the line conductor 6 may be pinched | interposed into the both sides on the extension line of the line conductor 6 seeing from the lamination direction of a dielectric material layer. In FIG.3 (c), the projection position of the conductor non-formation part 11 is shown with the dashed-two dotted line. The conductor non-forming portion 11 is disposed only on the two sides where the line conductor 6 is close to the cavity 3. That is, in the embodiment shown in FIG. 3, the region where the first planar conductor 10 is not formed is formed so as to be partially cut out from both sides of the line conductor 6 from the first planar conductor 10. The embodiment shown in FIG. 3 is shown in FIG. 1 or FIG. 2 in that the conductor non-forming part 11 is not provided on the extension line of the line conductor 6 and the end of the line conductor 6 does not overlap the conductor non-forming part 11. Different from the embodiment. Since the conductor non-forming portion 11 is formed across the edge of the bottom of the cavity 3, at least one of the peripheral portions of the bottom of the cavity located on the main surface of the second dielectric layer 2 and inside the multilayer circuit board. A configuration in which a region where the first planar conductor is not formed is provided in the part is realized. A part of the first planar conductor 10 is present on the extended line of the line conductor 6 in the peripheral part of the bottom of the cavity, but regions where the first planar conductor 10 is not formed are provided on both sides thereof. Therefore, sufficient adhesion can be ensured at such a portion. In addition, in the embodiment shown in FIG. 3 in which the conductor non-forming portion 11 is not disposed below the line conductor 6 and the entire line conductor faces the first planar conductor 10, the variation in impedance is suppressed. This is a particularly preferable configuration.

図3に示す実施形態では、図2に示した実施形態と同様に、前記領域に連続してキャビティ底部にも導体非形成部11が配置される構成になっている。キャビティ底部側には必ずしも導体非形成部は必要ではないが、前記領域を形成しようとする部分において、製造ばらつき等によって導体がキャビティ底部の縁を跨ぐ場合があるので、それを防止するためには、前記領域に連続してキャビティ底部にも導体非形成部を設けることがより好ましい。また、より高い信頼性を得る観点からは、導体非形成部11のうち、多層回路基板内部における幅(導体非形成部11が跨るキャビティ底部の辺に垂直な方向の幅)およびキャビティ3の底部における幅は50μm以上を確保することがより好ましい。一方、インピーダンスの変動を抑える観点からは多層回路基板内部における幅は200μm以下がより好ましく、100μm以下がいっそう好ましい。また、導体非形成部9が跨るキャビティ底部の辺に平行な方向の幅は、線路導体6の幅の5倍以下にすることがより好ましい。さらに、導体非形成部9の面積は1mm以下がさらに好ましい。 In the embodiment shown in FIG. 3, similarly to the embodiment shown in FIG. 2, the conductor non-formation part 11 is arranged at the cavity bottom continuously from the region. Although the conductor non-formation part is not necessarily required on the cavity bottom side, the conductor may straddle the edge of the cavity bottom due to manufacturing variations in the part where the region is to be formed. More preferably, a conductor non-formation part is also provided at the bottom of the cavity continuously from the region. Further, from the viewpoint of obtaining higher reliability, among the conductor non-forming portions 11, the width inside the multilayer circuit board (the width in the direction perpendicular to the side of the cavity bottom across the conductor non-forming portions 11) and the bottom of the cavity 3. More preferably, the width of is secured to 50 μm or more. On the other hand, from the viewpoint of suppressing fluctuations in impedance, the width inside the multilayer circuit board is more preferably 200 μm or less, and even more preferably 100 μm or less. In addition, the width in the direction parallel to the side of the cavity bottom portion over which the conductor non-forming portion 9 straddles is more preferably 5 times or less the width of the line conductor 6. Furthermore, the area of the conductor non-forming portion 9 is more preferably 1 mm 2 or less.

図3に示す実施形態では、図2に示す実施形態と同様に、第2の誘電体層のうち導体非形成部11以外の全体に第1の平面導体10が形成されている。第1の平面導体とキャビティ3の底部に形成される第2の平面導体とは一体で構成されており、第1の平面導体と第2の平面導体とは、共通の誘電体層(第2の誘電体層)主面上で直接、接続されている。かかる構成によって、接続信頼性が向上し、インピーダンスも安定する。   In the embodiment shown in FIG. 3, as in the embodiment shown in FIG. 2, the first planar conductor 10 is formed on the entirety of the second dielectric layer other than the conductor non-forming portion 11. The first planar conductor and the second planar conductor formed at the bottom of the cavity 3 are integrally formed, and the first planar conductor and the second planar conductor are a common dielectric layer (second dielectric layer). The dielectric layer is directly connected on the main surface. With this configuration, connection reliability is improved and impedance is stabilized.

上記実施形態に係る多層回路基板は、第1の平面導体をグランド電極とするマイクロストリップライン構造を構成しているので、線路導体6を、準ミリ波帯またはミリ波帯の信号用の線路導体として用いる場合に好適である。   Since the multilayer circuit board according to the above embodiment forms a microstrip line structure using the first planar conductor as a ground electrode, the line conductor 6 is used as a signal line conductor for a quasi-millimeter wave band or a millimeter wave band signal. It is suitable when used as.

また、上記実施形態は、第1の誘電体層と第2の誘電体層を隣接して積層した例であるが、これらの間に他の誘電体層を配置してもよい。該他の誘電体層のうち、図1〜3に示すようなキャビティ周辺以外の部分には適宜導体を形成することができる。また、第2の誘電体層の下層にさらに誘電体層を配置してもよい。一方、チップ素子を搭載したキャビティ側等を樹脂封止してもよい。また、第1の平面導体と第2の平面導体とは同電位であるが、この場合の同電位とは、単なる接続配線による電位のばらつきは許容する趣旨である。上記実施形態は、第1の平面導体をグランド電極とするマイクロストリップライン構造に係る構成であるが、上記実施形態の構成は、第1の平面導体、第2の平面導体がグランド電位以外の場合にも用いることができる。また、キャビティは多層回路基板の二つの主面の少なくとも一方に形成されていればよく、両主面に形成されていてもよい。更に、二つの主面の少なくとも一方において多段のキャビティを形成しても良い。複数のキャビティが形成されている場合は、その少なくとも一つが上記実施形態に係る構成を備えていればよいが、全てのキャビティ部分が上記実施形態に係る構成を備えていることがより好ましい。また、チップ素子の実装には、ワイヤーボンディングではなく、フリップチップ実装を用いても良い。   Moreover, although the said embodiment is an example which laminated | stacked the 1st dielectric material layer and the 2nd dielectric material layer adjacent, you may arrange | position another dielectric material layer between these. Of the other dielectric layers, conductors can be appropriately formed in portions other than the periphery of the cavity as shown in FIGS. Further, a dielectric layer may be further disposed below the second dielectric layer. On the other hand, the cavity side on which the chip element is mounted may be resin-sealed. The first planar conductor and the second planar conductor have the same potential. In this case, the same potential is intended to allow variation in potential due to simple connection wiring. The above embodiment has a configuration related to the microstrip line structure in which the first planar conductor is the ground electrode. However, the configuration of the above embodiment is when the first planar conductor and the second planar conductor are other than the ground potential. Can also be used. Moreover, the cavity should just be formed in at least one of the two main surfaces of a multilayer circuit board, and may be formed in both main surfaces. Furthermore, a multistage cavity may be formed on at least one of the two main surfaces. When a plurality of cavities are formed, it is sufficient that at least one of them has the configuration according to the above embodiment, but it is more preferable that all the cavity portions have the configuration according to the above embodiment. Further, flip chip mounting may be used instead of wire bonding for mounting the chip element.

本発明に係る多層回路基板は、例えば1000℃以下で低温焼結が可能なセラミック誘電体材料LTCC(Low Temperature Co-fired Ceramics)を用いて、厚さが10μm〜200μmのグリーンシートに、低抵抗率のAgやCu等の導電ペーストを印刷して所定の電極パターンを形成し、複数のグリーンシートを適宜一体的に積層し、焼結することにより製造することが出来る。開口部(貫通孔)を有するグリーンシートと、該開口部(貫通孔)に対応する位置には開口部(貫通孔)を有しない、即ち一様なグリーンシートを重ねて圧着することで、半導体素子等のチップ素子を搭載するためのキャビティを構成する。その際、開口部を有さない方のグリーンシートの所定の部分に上述の導体非形成部を設けておく。ここで、グリーンシートの積層枚数等は特に限定されるものではないが、グリーンシートの層間には、グランド電極や所望の回路等を構成する導体パターンが印刷形成され、必要に応じて各層の導体パターンを接続するビアホール電極を設けられる。キャビティ底部の周縁部に形成される、第1の平面導体が形成されていない領域と重なるように、ダミー導体や部分的誘電体層を表層の誘電体層上に設けてもよい。それらの厚さがある分、圧着の際に前記領域に圧力がかかり易く、密着性がより向上する。前記誘電体材料としては、例えばAl、Si、Srを主成分として、Ti、Bi、Cu、Mn、Na、Kを副成分とする材料や、Al、Si、Srを主成分としてCa、Pb、Na、Kを複成分とする材料や、Al、Mg、Si、Gdを含む材料や、Al、Si、Zr、Mgを含む材料が用いられ、誘電率は例えば3〜15程度の材料を用いる。前記セラミック基板をHTCC(高温同時焼成セラミック)技術を用いて、誘電体材料をAlを主体とするものとし、伝送線路等をタングステンやモリブデン等の高温で焼結可能な金属導体として構成しても良い。また、樹脂封止する場合の樹脂封止方法はこれを特に限定するものではなく、印刷やモールド等の従来からの方法を採用することができる。 The multilayer circuit board according to the present invention uses, for example, a ceramic dielectric material LTCC (Low Temperature Co-fired Ceramics) that can be sintered at a low temperature of 1000 ° C. or less to a green sheet having a thickness of 10 μm to 200 μm and a low resistance. It can be manufactured by printing a conductive paste such as Ag or Cu at a predetermined rate to form a predetermined electrode pattern, laminating a plurality of green sheets as appropriate, and sintering. A semiconductor having a green sheet having an opening (through hole) and no opening (through hole) at a position corresponding to the opening (through hole), that is, a uniform green sheet is stacked and pressure-bonded. A cavity for mounting a chip element such as an element is formed. In that case, the above-mentioned conductor non-formation part is provided in the predetermined part of the green sheet which does not have an opening. Here, the number of laminated green sheets is not particularly limited, but a conductor pattern constituting a ground electrode, a desired circuit, or the like is printed and formed between the layers of the green sheet. A via hole electrode for connecting the pattern is provided. A dummy conductor or a partial dielectric layer may be provided on the surface dielectric layer so as to overlap with the region where the first planar conductor is not formed, which is formed at the peripheral edge of the cavity bottom. Due to their thickness, pressure is easily applied to the region during pressure bonding, and adhesion is further improved. As the dielectric material, for example, Al, Si, Sr as a main component, Ti, Bi, Cu, Mn, Na, K as a subcomponent, Al, Si, Sr as a main component, Ca, Pb, A material containing Na and K as a multicomponent, a material containing Al, Mg, Si, and Gd, and a material containing Al, Si, Zr, and Mg are used, and a material having a dielectric constant of, for example, about 3 to 15 is used. The ceramic substrate is made of HTCC (high temperature co-fired ceramic) technology, the dielectric material is mainly Al 2 O 3 and the transmission line is made of a metal conductor that can be sintered at a high temperature such as tungsten or molybdenum. You may do it. Moreover, the resin sealing method in the case of resin sealing does not specifically limit this, The conventional methods, such as printing and a mold, are employable.

本発明に係る多層回路基板は、例えば、準ミリ波帯またはミリ波帯の信号を取り扱う通信モジュール用基板、アンテナ基板、各種センサ基板のような用途に好適に用いることができる。但し、その用途はこれらに限らず、回路を誘電体基板に構成した多層回路基板に広く適用できる。   The multilayer circuit board according to the present invention can be suitably used for applications such as communication module boards, antenna boards, and various sensor boards that handle quasi-millimeter wave band or millimeter wave band signals. However, the application is not limited to these, and the present invention can be widely applied to a multilayer circuit board in which a circuit is formed on a dielectric substrate.

本発明に係る多層回路基板の一実施形態を示す図である。It is a figure which shows one Embodiment of the multilayer circuit board based on this invention. 本発明に係る多層回路基板の他の実施形態を示す図である。It is a figure which shows other embodiment of the multilayer circuit board based on this invention. 本発明に係る多層回路基板の他の実施形態を示す図である。It is a figure which shows other embodiment of the multilayer circuit board based on this invention. 本発明に係る多層回路基板の他の実施形態を示す図である。It is a figure which shows other embodiment of the multilayer circuit board based on this invention. 本発明に係る多層回路基板の他の実施形態を示す図である。It is a figure which shows other embodiment of the multilayer circuit board based on this invention. 従来の多層回路基板を示す図である。It is a figure which shows the conventional multilayer circuit board.

符号の説明Explanation of symbols

1:第1の誘電体層
2:第2の誘電体層
3、18:キャビティ
4、8、10、12:第1の平面導体
5:第2の平面導体
6、20:線路導体
7、9、11:導体非形成部
13:チップ素子
14:ボンディングワイヤ
15:端子
16、17:誘電体層
19:接地導体
21:隙間
1: first dielectric layer 2: second dielectric layer 3, 18: cavity 4, 8, 10, 12: first planar conductor 5: second planar conductor 6, 20: line conductor 7, 9 11: Conductor non-formation part 13: Chip element 14: Bonding wire 15: Terminal 16, 17: Dielectric layer 19: Ground conductor 21: Gap

Claims (9)

積層された複数の誘電体層を用いて構成された多層回路基板であって、
前記多層回路基板の表面に形成された線路導体と、
前記多層回路基板内部において該線路導体に対向するように形成された第1の平面導体と、
チップ素子を搭載するためのキャビティとを有し、
前記キャビティの底部と、前記第1の平面導体とは共通の誘電体層主面上に位置しており、
前記キャビティの底部には第1の平面導体と同電位の第2の平面導体が形成され、
前記共通の誘電体層主面で、かつ多層回路基板内部に位置する、前記底部の周縁部の少なくとも一部には、前記第1の平面導体が形成されていない領域が設けられていることを特徴とする多層回路基板。
A multilayer circuit board configured by using a plurality of laminated dielectric layers,
A line conductor formed on the surface of the multilayer circuit board;
A first planar conductor formed to face the line conductor inside the multilayer circuit board;
A cavity for mounting the chip element,
The bottom of the cavity and the first planar conductor are located on a common dielectric layer principal surface;
A second planar conductor having the same potential as the first planar conductor is formed at the bottom of the cavity,
A region where the first planar conductor is not formed is provided in at least a part of the peripheral edge portion of the bottom portion located on the common dielectric layer main surface and inside the multilayer circuit board. A featured multilayer circuit board.
前記線路導体は、その一端が前記キャビティに向かうように延設されており、
誘電体層の積層方向から見て、前記一端を挟むように前記領域が形成されていることを特徴とする請求項1に記載の多層回路基板。
The line conductor is extended so that one end thereof faces the cavity,
2. The multilayer circuit board according to claim 1, wherein the region is formed so as to sandwich the one end when viewed from the stacking direction of the dielectric layers.
前記第1の平面導体と前記第2の平面導体とは、前記共通の誘電体層主面上で接続されていることを特徴とする請求項2に記載の多層回路基板。   The multilayer circuit board according to claim 2, wherein the first planar conductor and the second planar conductor are connected on the common dielectric layer main surface. 前記線路導体は、その一端が前記キャビティに向かうように延設されており、
前記線路導体の延設方向に垂直な方向において、前記領域の幅が前記キャビティの幅よりも小さく、
前記領域は、誘電体層の積層方向から見て、前記一端と重なるように、または前記線路導体の仮想延長部分上に形成されていることを特徴とする請求項1に記載の多層回路基板。
The line conductor is extended so that one end thereof faces the cavity,
In a direction perpendicular to the extending direction of the line conductor, the width of the region is smaller than the width of the cavity,
2. The multilayer circuit board according to claim 1, wherein the region is formed so as to overlap with the one end as viewed from the stacking direction of the dielectric layer or on a virtual extension portion of the line conductor.
前記第1の平面導体と前記第2の平面導体とは、前記共通の誘電体層主面上で接続されていることを特徴とする請求項4に記載の多層回路基板。   The multilayer circuit board according to claim 4, wherein the first planar conductor and the second planar conductor are connected on the main surface of the common dielectric layer. 前記領域は前記底部を囲むように前記底部の周縁部全体に形成されていることを特徴とする請求項1に記載の多層回路基板。   The multilayer circuit board according to claim 1, wherein the region is formed on the entire peripheral edge of the bottom so as to surround the bottom. 前記線路導体は、その一端が前記キャビティに向かうように延設されており、
誘電体層の積層方向から見て、前記一端と前記領域が重なるように配置されていることを特徴とする請求項6に記載の多層回路基板。
The line conductor is extended so that one end thereof faces the cavity,
The multilayer circuit board according to claim 6, wherein the one end and the region overlap each other when viewed from the stacking direction of the dielectric layers.
前記キャビティに搭載されたチップ素子と、前記チップ素子と前記線路導体とを接続するボンディングワイヤを有し、
前記ボンディングワイヤと前記線路導体とは、積層方向から見て前記領域と重なる部分で接続されていることを特徴とする請求項4、5、7のいずれかに記載の多層回路基板。
A chip element mounted in the cavity, and a bonding wire that connects the chip element and the line conductor;
8. The multilayer circuit board according to claim 4, wherein the bonding wire and the line conductor are connected at a portion overlapping with the region when viewed from the stacking direction.
前記線路導体を、準ミリ波帯またはミリ波帯の信号用の線路導体として用いること特徴とする請求項1〜8のいずれかに記載の多層回路基板。   The multilayer circuit board according to any one of claims 1 to 8, wherein the line conductor is used as a line conductor for a quasi-millimeter wave band or a millimeter wave band signal.
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