JP2010043871A - 静電容量式圧力センサおよび静電容量式圧力検出装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】提案する静電容量式圧力センサ4は、絶対圧を検出する圧力センサであり、静電容量検出手段、寄生容量検出手段、を有する。そして、寄生容量検出のための、ダイアフラム45と同電位である導電性の部材の窪みの平坦部64に対する固定電極61の形状を、静電容量検出手段のダイアフラム45に対する固定電極58の円形または略円形の形状に相補的に嵌合する形状とした。
【選択図】 図1
Description
提案する絶対圧を検出する静電容量式圧力センサ、その圧力センサを含む静電容量式圧力検出装置は、例えば、配管を流れる流体の流量等を計測する際に使用されるものである。配管内の流体の流量計測技術については、下記特許文献2等に示されている。
図1は、本発明の一実施形態に係る静電容量式圧力検出装置の構成を示す図である。この装置は高さと幅が数cm程度で、円柱形状を有している。図1はその拡大断面図である。
基台2には、1箇所に、反対側の圧力伝達隔壁7がある側に通じる孔(圧力ポート)15が設けられている。そして、この圧力ポート15が設けられた位置と差圧センサ部3の孔(導圧口)35−2が設けられた位置との間に、内部が空洞である(内部に導圧口17を有する)絶縁板16が設けられ、差圧センサ部3の電極37−2と基台2とを絶縁している。なお、絶縁板16は、基台2および差圧センサ部3の電極37−2に気密に接合される。
絶縁基板31−1の孔(導圧口)35−1の内面、その孔35−1の内面につながる絶縁基板31−1の差圧センサ部3外側表面の所定範囲、および、その孔35−1の内面につながる絶縁基板31−1のダイアフラム25との空隙側表面の所定範囲、を覆うようにスパッタ等の方法により電極を設け、その電極の外側表面部分を電極37−1、空隙側表面部分を電極36−1とする。
36−2側表面(円形あるいはほぼ円形)と、それと同心でサイズが若干小さい円形あるいはほぼ円形の電極36−2とにより、その間隔およびその間隔を満たす流体の誘電率に応じた静電容量(図では「C2」と表記)が形成される。
(C1−C2)/(C1+C2) = Δd1/d1 ・・・(1)
ここで、d1は、圧力伝達流体8および12の圧力がともにゼロであるときの、ダイアフラム25の平坦部26と、電極36−1または36−2との距離である。
続いて、上述の特願2007−137252号と比較し、本実施形態において新規な点である絶対圧センサ部4について説明する。
絶縁基板51−1および51−2は、シリコン基板44とほぼ等しい熱膨張係数を有する絶縁材料により構成された板状の部材である。シリコン基板44の絶縁基板51−1と接合する側の面の、ダイアフラム45および窪み48が形成された部分以外の周辺部において、その周辺部と、絶縁基板51−1とが静電接合等の方法により気密に接合される。また、シリコン基板44の絶縁基板51−2と接合する側の面の、ダイアフラム45が形
成された部分以外の周辺部において、その周辺部と、絶縁基板51−2とが真空雰囲気で拡散接合または静電接合等の方法により気密に接合される。これにより、絶対圧センサ部4が形成される。
絶縁基板51−1の孔(導圧口)55の内面、その孔55の内面につながる絶縁基板51−1の絶対圧センサ部4外側表面の所定範囲、および、その孔55の内面につながる絶縁基板51−1のダイアフラム45との空隙側表面の所定範囲、を覆うようにスパッタ等の方法により電極を設け、その電極の外側表面部分を電極59、空隙側表面部分を電極58とする。
(C7−C5)/C5 = Δd3/d3 ・・・(2)
ここで、d3は、圧力伝達流体による圧力がゼロのときの、ダイアフラム45の平坦部46と、電極58との距離である。
(2)式において、圧力ゼロの場合、ダイアフラム45の変位量はゼロであることから、左辺の分子がゼロである必要がある。すなわち、静電容量(寄生容量補正容量)C7と静電容量C5とが等しい必要がある。
C=ε0×εS×A/d ・・・(3)
ここで、ε0は真空の誘電率、εSは封入液(圧力伝達流体、シリコンオイル等)の誘電率、Aは固定電極面積、dは固定電極間隔である。
なお、上述したように、接合部41を、絶対圧センサ部4のダイアフラム45の近傍を避ける位置に設置することから、図1では、絶対圧センサ部4の長手方向を立てるように絶対圧センサ部4を接合部41に接合しているのに対し、以下に説明する図2(あるいは、図3、図4、図5)では、絶対圧センサ部4の長手方向を寝かせるように絶対圧センサ部4を接合部41に接合している。いずれの接合形式も可能である。
図2および図3において、電極58と、接地されたシリコン基板44の一部であるダイアフラム45の平坦部46の電極58側表面とにより、その間隔およびその間隔を満たす流体の誘電率に応じた静電容量C5が形成される。また、電極61と、接地されたシリコン基板44の空隙48の平坦部64とにより、その間隔およびその間隔を満たす流体の誘電率に応じた静電容量C7が形成される。
図4では、絶対圧センサ部4から温度センサとしての電極65を省いた構成の絶対圧センサ部70が示されている。そして、図2では電極61は、矩形形状であり、その長手方向が絶対圧センサ部4の長手方向と直交した方向にとられていたのに対し、図4では、電極72は、ダイアフラム45の、圧力伝達流体の圧力導入方向から見た円形またはほぼ円形の断面形状に近い側が、そのダイアフラム45の円形またはほぼ円形の断面形状に相補的に嵌合する形状を有している。
図2では電極61は、矩形形状であり、その長手方向が絶対圧センサ部4の長手方向と直交した方向にとられていたのに対し、図5では、電極81−1、81−2、81−3、81−4は、ダイアフラム45の、圧力伝達流体の圧力導入方向から見た円形またはほぼ円形の断面形状を相補的に囲繞するように配置されるとともに、電極81−1、81−2、81−3、81−4は、電気的に接続される。なお、図5には示されていないが、実際には、電極81−1〜81−4には中心部に圧力伝達流体が通る孔(導圧口)がそれぞれ設けられている。
2 基台
3 差圧センサ部
4、70、80 絶対圧センサ部
5、6 容器
8、12 圧力伝達流体
15 圧力ポート
16 絶縁板
17、35−1、35−2、55 導圧口
24、44 シリコン基板
25、45 ダイアフラム
26、46、64、74 平坦部
27、47 薄肉部
31−1、31−2、51−1、51−2 絶縁基板
32−1、32−2、48、52−1、52−2 空隙
36−1、36−2、37−1、37−2、58、59、61、62、65、72、81−1、81−2、81−3、81−4 電極
41 接合部
56 孔
Claims (10)
- 圧力に応じて変形する導電性のダイアフラムの片側に固定電極を所定の間隔を隔てて配置し、前記ダイアフラムと前記固定電極との間に圧力伝達流体が封入された状態で形成された静電容量を検出する静電容量検出手段と、
前記ダイアフラムと同電位である導電性の部材の窪みの平坦部の片側に第2の固定電極を前記所定の間隔を隔てて配置し、前記窪みの平坦部と前記第2の固定電極との間に前記圧力伝達流体が封入された状態で形成された静電容量を検出する寄生容量検出手段と、
前記ダイアフラムのもう片側に設けられた基準圧力室と、を有し、
前記ダイアフラムに対する固定電極の形状は、前記ダイアフラムの円柱状または略円柱状の平坦部と同心の円形または略円形であり、
前記窪みの平坦部に対する第2の固定電極の形状は、前記固定電極の円形または略円形の形状に相補的に嵌合する形状であることを特徴とする静電容量式圧力センサ。 - 前記静電容量検出手段の固定電極の電極面積と、前記寄生容量検出手段の第2の固定電極の電極面積とを、一致または略一致させたことを特徴とする請求項1記載の静電容量式圧力センサ。
- 前記ダイアフラムと同電位である導電性の部材の複数箇所に窪みを前記ダイアフラムに対する固定電極の円形または略円形の形状を相補的に囲繞するように形成し、各窪みの平坦部に前記所定の間隔を隔てて第2の固定電極を形成し、それら複数箇所の第2の固定電極を電気的に接続して前記寄生容量検出手段を形成し、
各箇所の第2の固定電極の各電極面積の和を、前記静電容量検出手段の固定電極の電極面積と一致または略一致させたことを特徴とする請求項1記載の静電容量式圧力センサ。 - 圧力に応じて変形する導電性のダイアフラムの片側に固定電極を所定の間隔を隔てて配置し、前記ダイアフラムと前記固定電極との間に圧力伝達流体が封入された状態で形成された静電容量を検出する静電容量検出手段と、
前記ダイアフラムと同電位である導電性の部材の窪みの平坦部の片側に第2の固定電極を前記所定の間隔を隔てて配置し、前記窪みの平坦部と前記第2の固定電極との間に前記圧力伝達流体が封入された状態で形成された静電容量を検出する寄生容量検出手段と、
前記ダイアフラムのもう片側に設けられた基準圧力室と、を有し、
前記ダイアフラムに対する固定電極の形状は、前記ダイアフラムの円柱状または略円柱状の平坦部と同心の円形または略円形であり、
前記窪みの平坦部に対する第2の固定電極の形状は、静電容量式圧力センサの長手方向とは直交する方向を長手方向に持つ矩形であることを特徴とする静電容量式圧力センサ。 - 前記静電容量検出手段の固定電極の電極面積と、前記寄生容量検出手段の第2の固定電極の電極面積とを、一致または略一致させたことを特徴とする請求項4記載の静電容量式圧力センサ。
- 圧力に応じて変形する導電性のダイアフラムの片側に固定電極を所定の間隔を隔てて配置し、前記ダイアフラムと前記固定電極との間に圧力伝達流体が封入された状態で形成された静電容量を検出する静電容量検出手段と、
前記ダイアフラムと同電位である導電性の部材の窪みの平坦部の片側に第2の固定電極を前記所定の間隔を隔てて配置し、前記窪みの平坦部と前記第2の固定電極との間に前記圧力伝達流体が封入された状態で形成された静電容量を検出する寄生容量検出手段と、
前記ダイアフラムのもう片側に設けられた基準圧力室と、
前記静電容量検出手段により検出された静電容量と、前記寄生容量検出手段により検出された静電容量とから前記ダイアフラムの変位量を、前記圧力伝達流体の誘電率の温度・
圧力依存性を除去するように補正して求める補正演算手段と、
求められた変位量から前記圧力伝達流体の圧力を求める圧力算出手段と、を有し、
前記ダイアフラムに対する固定電極の形状は、前記ダイアフラムの円柱状または略円柱状の平坦部と同心の円形または略円形であり、
前記窪みの平坦部に対する第2の固定電極の形状は、前記固定電極の円形または略円形の形状に相補的に嵌合する形状であることを特徴とする静電容量式圧力検出装置。 - 前記静電容量検出手段の固定電極の電極面積と、前記寄生容量検出手段の第2の固定電極の電極面積とを、一致または略一致させたことを特徴とする請求項6記載の静電容量式圧力検出装置。
- 前記ダイアフラムと同電位である導電性の部材の複数箇所に窪みを前記ダイアフラムに対する固定電極の円形または略円形の形状を相補的に囲繞するように形成し、各窪みの平坦部に前記所定の間隔を隔てて第2の固定電極を形成し、それら複数箇所の第2の固定電極を電気的に接続して前記寄生容量検出手段を形成し、
各箇所の第2の固定電極の各電極面積の和を、前記静電容量検出手段の固定電極の電極面積と一致または略一致させたことを特徴とする請求項6記載の静電容量式圧力検出装置。 - 圧力に応じて変形する導電性のダイアフラムの片側に固定電極を所定の間隔を隔てて配置し、前記ダイアフラムと前記固定電極との間に圧力伝達流体が封入された状態で形成された静電容量を検出する静電容量検出手段と、
前記ダイアフラムと同電位である導電性の部材の窪みの平坦部の片側に第2の固定電極を前記所定の間隔を隔てて配置し、前記窪みの平坦部と前記第2の固定電極との間に前記圧力伝達流体が封入された状態で形成された静電容量を検出する寄生容量検出手段と、
前記ダイアフラムのもう片側に設けられた基準圧力室と、
前記静電容量検出手段により検出された静電容量と、前記寄生容量検出手段により検出された静電容量とから前記ダイアフラムの変位量を補正して求める補正演算手段と、
求められた変位量から圧力を求める圧力算出手段と、を有し、
前記ダイアフラムに対する固定電極の形状は、前記ダイアフラムの円柱状または略円柱状の平坦部と同心の円形または略円形であり、
前記窪みの平坦部に対する第2の固定電極の形状は、静電容量式圧力センサの長手方向とは直交する方向を長手方向に持つ矩形であることを特徴とする静電容量式圧力検出装置。 - 前記静電容量検出手段の固定電極の電極面積と、前記寄生容量検出手段の第2の固定電極の電極面積とを、一致または略一致させたことを特徴とする請求項9記載の静電容量式圧力検出装置。
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JPH0894472A (ja) * | 1994-09-26 | 1996-04-12 | Omron Corp | 圧力センサ及び圧力センサの製造方法並びに当該圧力センサを備えたガスメータ及び血圧計 |
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