JP2010040066A - 磁気ヘッド及び記憶装置 - Google Patents

Abstract

【課題】シールドあるいはリターンヨーク等における、素子高さ方向に作用する浮遊磁場によるイレーズを防止することが可能な磁気ヘッドを提供する。
【解決手段】本発明に係る磁気ヘッドは、磁気抵抗効果素子を第１の再生シールド及び第２の再生シールドで挟んだ磁気再生ヘッド、及び、第１の軟磁性体及び第２の軟磁性体を有する磁気記録ヘッドのうち少なくとも１つを有し、前記第１の軟磁性体、第１の再生シールド及び第２の再生シールドのうち少なくとも１つは、コア幅方向の少なくとも一部において、膜厚方向に垂直な断面積が、膜厚中心から膜厚方向外側に向かって小さくなる絞り形状を有し、且つ素子高さ方向に垂直な断面積が、浮上面から高さ方向に向かって大きくなる絞り形状を有する。
【選択図】図２

Description

本発明は、磁気ヘッド及び記憶装置に関し、さらに詳細には、磁気情報の再生を行う磁気再生ヘッドと、磁気情報の記録を行う磁気記録ヘッドとのうち少なくとも１つを有する磁気ヘッド、及び該磁気ヘッドを備える記憶装置に関する。

近年、磁気ディスク装置等の記憶装置における記憶容量は顕著に増大する傾向にある。これに伴い、記録媒体の性能向上と共に、磁気ヘッドの記録再生特性のさらなる性能向上が要請されている。例えば、磁気再生ヘッドとして、高い再生出力を得ることができるＧＭＲ（Ｇｉａｎｔ Ｍａｇｎｅｔｏｒｅｓｉｓｔａｎｃｅ）素子、あるいは、より高い再生感度の得られるＴＭＲ（Ｔｕｎｎｅｌｉｎｇ Ｍａｇｎｅｔｏｒｅｓｉｓｔａｎｃｅ）素子等の磁気抵抗効果素子を用いたヘッドが開発されている。一方、磁気記録ヘッドとして、電磁誘導を利用した誘導型のヘッドが開発されている。

磁気ディスク装置等の記憶装置に組み込まれる垂直及び水平磁気記録方式の磁気ヘッドにおいて、浮遊磁場によってシールド、リターンヨーク等が記録情報をイレーズする課題が生じている。特に、垂直磁気記録方式の場合は、浮遊磁場に対する感度が高いため、モバイルＰＣ、携帯電話等に磁気ディスク装置を搭載した際に、予期しないデータ消去を引き起こす可能性が、より高くなる。なお、浮遊磁場とは、他の記憶装置、電子機器等から発生する磁場をはじめ、環境中において作用し得る磁場をいう。

そこで、上記課題を解決する従来技術として、特許文献１、特許文献２に示されるように磁気ディスク装置に磁気遮蔽板を採用する構成が提案されている。しかし、部品数及び製造工程数の増加となり、コストが増加してしまう課題がある。

一方、磁気ディスク装置に組み込まれる磁気ヘッド単体での対策として、特許文献３、特許文献４、特許文献５に記載の技術が提案されている。しかし、いずれもシールド及びリターンヨークにおけるコア幅方向の両端部（左右エッジ部）でのイレーズの対策を行うものであって、シールド及びリターンヨークにおけるコア幅方向の中央部でのイレーズを防止する効果は無い。

特開２００３−０７７２６６号公報 特開２００６−１２７６２７号公報 特開２００４−０３９１４８号公報 特開２００６−１８５５５８号公報 特開２００６−１２７７４０号公報

磁気ヘッドに関して、シールド磁区安定性の観点から、シールドが大きく形成される場合等においては、コア幅方向の両端部でのイレーズに加えて、特に、シールド高さ方向に浮遊磁場が印加された際に、シールド（リターンヨークにおいても同様）におけるコア幅方向の中央部でのイレーズが課題として生じている。
ここで、図９に、例えば特許文献３に示されるようなシールド及びリターンヨークにおけるコア幅方向の両端部（左右エッジ部）にテーパ面を有する従来の垂直磁気記録方式の磁気ヘッド１０１に対して、その素子高さ方向に擬似浮遊磁場としての磁場を印加した場合に、シールド１１２、１１５あるいはリターンヨーク１１６Ａ、１１６Ｂにおけるコア幅方向の左右エッジ部及び中央部から発生している漏洩磁界を可視化した写真を示す。図中の白い部分（符号１０９）が漏洩磁界が強い部位である。従来から認識されているシールド１１２、１１５あるいはリターンヨーク１１６Ａ、１１６Ｂにおけるコア幅方向（図中のＹ方向）の左右エッジ部に加えて、コア幅方向の中央部であって且つ膜厚方向（図中のＺ方向）の上下エッジ部からも強い漏洩磁界が発生していることがわかる。なお、符号１１３が磁気抵抗効果素子である。

本発明は、シールドあるいはリターンヨーク等における、素子高さ方向に作用する浮遊磁場によるイレーズを防止することが可能な磁気ヘッドを提供することを目的とする。

本発明は、以下に記載するような解決手段により、前記課題を解決する。

この磁気ヘッドは、磁気抵抗効果素子を第１の再生シールド及び第２の再生シールドで挟んだ磁気再生ヘッド、及び、第１の軟磁性体及び第２の軟磁性体を有する磁気記録ヘッドのうち少なくとも１つを有し、前記第１の軟磁性体、第２の軟磁性体、第１の再生シールド及び第２の再生シールドのうち少なくとも１つは、コア幅方向の少なくとも一部において、膜厚方向に垂直な断面積が、膜厚中心から膜厚方向外側に向かって小さくなる絞り形状を有し、且つ素子高さ方向に垂直な断面積が、浮上面から高さ方向に向かって大きくなる絞り形状を有することを要件とする。

本発明によれば、素子高さ方向に印加される浮遊磁場によって、磁気ヘッドのシールドあるいはリターンヨーク等におけるコア幅方向の左右エッジ部及び中央部（特に膜厚方向の上下エッジ部）に発生する漏洩磁界を防止することが可能となり、該漏洩磁界を原因とする磁気記録媒体に記録された情報の予期しないイレーズを防止することが可能となる。

以下、図面を参照して、本発明の実施の形態について詳しく説明する。図１は、本発明の実施の形態に係る磁気ヘッド１（垂直磁気記録方式）の積層構造の例を示す概略図（コア幅方向に垂直な断面図）である。図２は、本発明の第一の実施形態に係る磁気ヘッド１の例を示す概略図であり、図２（ａ）は浮上面５側の端面図であり、図２（ｂ）はそのＡ−Ａ線断面図である。図３は、本発明の第二の実施形態に係る磁気ヘッド１の例を示す概略図であり、図３（ａ）は浮上面５側の端面図であり、図３（ｂ）はそのＡ−Ａ線断面図である。図４は、本発明の第三の実施形態に係る磁気ヘッド１の例を示す概略図であり、図４（ａ）は浮上面５側の端面図であり、図４（ｂ）はそのＡ−Ａ線断面図である。図５は、図２の磁気ヘッド１の第１の再生シールド１２の平面１２ａ近傍の拡大図である。図６は、図２の磁気ヘッド１の絞り形状（角度θ）を変化させた場合の最大漏洩磁界の計算例である。図７は、従来の磁気ヘッドに対して、擬似浮遊磁場を印加した場合の、コア幅方向の漏洩磁界の影響をみるための計算例である。図８は、図４の磁気ヘッド１の第１の再生シールド１２の平面１２ｃ近傍の拡大図である。図９は、従来の垂直磁気記録方式の磁気ヘッドに擬似浮遊磁場を印加した場合のコア幅方向の漏洩磁界を可視化した写真である。図１０は、本発明の実施の形態に係る記憶装置５０の例を示す概略図である。図１１は、本発明の実施の形態に係る磁気ヘッド１（水平磁気記録方式）の積層構造の例を示す概略図（コア幅方向に垂直な断面図）である。図１２は、従来の実施形態に係る磁気ヘッドの例を示す概略図であり、図１２（ａ）は浮上面側の端面図であり、図１２（ｂ）はそのＡ−Ａ線断面図である。
なお、各図において、素子高さ方向をＸ、コア幅方向をＹ、膜厚方向をＺで表示する。

本発明の実施の形態に係る磁気ヘッド１は、ハードディスク等の磁気記録媒体に記録された磁気信号を読み出す（再生する）磁気再生ヘッド２、及び当該磁気記録媒体へ磁気信号を書き込む（記録する）磁気記録ヘッド３を有する磁気ヘッドである。
図１に示すように、磁気ヘッド１は、一つの実施形態として、磁気再生ヘッド２と磁気記録ヘッド３とを備える複合型磁気ヘッドとして構成される。なお、本発明の適用を当該複合型磁気ヘッドに限定するものではない。

磁気ヘッド１は、その素子高さ方向（図中のＸ方向）に直交する面に浮上面５が設けられて、ヘッドスライダとして構成された後、当該浮上面５によって回転する磁気記録媒体上を浮上して記録・再生を行うものである。ちなみに、浮上面５は、各層の積層工程が完了した後に、研磨工程を経て所定位置に形成される。
以下、磁気ヘッド１の構成について、垂直磁気記録方式の磁気ヘッドを例にとり説明する（図１参照）。ただし、あくまでも一例示に過ぎず、当該構成に限定されるものではない。なお、当該図１（図１１も同様）は積層構造の説明を行うことを目的とする図であって、本発明に特徴的な細部の形状については図２〜図５、図８を用いて説明する。

先ず、磁気再生ヘッド２の構成例を説明する。図１に示すように、ベースとなるウエハ基板１１上に、第１の再生シールド１２が形成される。さらに、第１の再生シールド１２の上層には、再生素子１３が形成される。ここで、再生素子１３には、例えば、ＴＭＲ素子もしくはＧＭＲ素子等の磁気抵抗効果素子が用いられるが、その膜構成としては、種々の構成を採用することができる。

再生素子１３のコア幅方向（図中のＹ方向）の両側に、ハードバイアス膜１４（図２（ａ）参照）が形成され、また、再生素子１３の後方には、Ａｌ_２Ｏ_３等からなる絶縁層３１が形成される。

また、再生素子１３、絶縁層３１、及びハードバイアス膜１４上に、第２の再生シールド１５が形成される。なお、第２の再生シールド１５、第１の再生シールド１２共に、ＮｉＦｅ等の磁性材料（軟磁性材）を用いて構成される。

次に、磁気記録ヘッド３の構成例を説明する。前記第２の再生シールド１５上に絶縁材料からなる磁性分離層３２が形成される。 絶縁層３２上に、磁性材料からなる第１リターンヨーク１６Ａが形成される。

第１リターンヨーク１６Ａ上にＡｌ_２Ｏ_３等からなる絶縁層３３が形成され、絶縁層３３上には導電材料を用いて、平面螺旋状に第１コイル１７が形成され、さらに、第１コイル１７を覆うように、Ａｌ_２Ｏ_３等からなる絶縁層３４が形成される。

絶縁層３４の上に、磁性材料からなる盛上層１８が形成される。なお、盛上層１８を設けない構成も考えられる。
また、絶縁層３４及び盛上層１８の上に、磁性材料からなる主磁極１９が形成される。なお、主磁極１９は単層構造に限られず、異なる磁性材料を積層させる多層構造を採用することも考えられる。

主磁極１９の後端側には、磁性材料からなるバックギャップ２２が形成されると共に、主磁極１９上にＡｌ_２Ｏ_３等からなる絶縁層３５が形成され、さらに絶縁層３５上に、バックギャップ２２を取り巻くように導電材料からなる第２コイル２０が形成される。また、主磁極１９の先端部の上方には、主磁極１９と間隔（トレーリングギャップと呼ばれる）を空けて、磁性材料からなるトレーリングシールド２１が形成される。さらに、第２コイル２０の層間及び上層にレジスト等の絶縁材料からなる絶縁層３６が形成されると共に、さらにその上層に、バックギャップ２２及びトレーリングシールド２１に連結する磁性材料からなる第２リターンヨーク１６Ｂが形成される。

さらに、第２リターンヨーク１６Ｂ上に保護層（不図示）が形成される等して、磁気ヘッド１が所定の積層構造として完成される。

なお、第１リターンヨーク１６Ａ、盛上層１８、主磁極１９、トレーリングシールド２１、バックギャップ２２、第２リターンヨーク１６Ｂを構成する磁性材料としては、ＢＳ（飽和磁束密度）が高く且つμ（透磁率）が低い磁性材料（軟磁性材）を用いることが記録特性向上の観点から好適であり、一例として、ＮｉＦｅ、ＣｏＮｉＦｅ等が挙げられる。

また、本願においては、第１リターンヨーク１６Ａと第２リターンヨーク１６Ｂとを併せてリターンヨークと総称する。

続いて、本実施の形態（第一の実施形態）に特徴的な構成について、図２に示す磁気ヘッド１の概略図を用いて説明する。ここで、図２（ａ）は、浮上面５側から視た端面図であり（図３（ａ）、図４（ａ）において同じ）、図２（ｂ）は、コア幅方向に垂直な面の断面図（Ａ−Ａ線が切断線）である（図３（ｂ）、図４（ｂ）において同じ）。なお、比較対象のために、従来の磁気ヘッド１０１の概略図を図１２に示す（図１２（ａ）は、浮上面５側から視た端面図、図１２（ｂ）は、コア幅方向に垂直な面の断面図）。

図２に示すように、第１の再生シールド１２、第１リターンヨーク１６Ａ、及び第２リターンヨーク１６Ｂを、コア幅方向の全体にわたって、膜厚方向に垂直な断面積が、膜厚中心から膜厚方向外側に向かって小さくなる絞り形状であって、且つ素子高さ方向に垂直な断面積が、浮上面から高さ方向に向かって大きくなる絞り形状に形成する。

本実施形態では、第１の再生シールド１２の下面の浮上面５側端部、第１リターンヨーク１６Ａの上面の浮上面５側端部、第２リターンヨーク１６Ｂの上面の浮上面５側端部のそれぞれにおいて、浮上面５と所定の角度θを成す平面１２ａ、１６Ａａ、１６Ｂａをコア幅方向の全体にわたってそれぞれ形成することによって、上記の絞り形状を実現している。なお、それぞれの角度θは同一でなくてもよい。また、浮上面５と所定の角度を成す平面に代えて曲面によって構成してもよい。また、第１の再生シールド１２、第２の再生シールド１５、第１リターンヨーク１６Ａ、第２リターンヨーク１６Ｂのうち少なくともいずれかを絞り形状にすればよく、その絞り形状は図２の上側、下側のいずれか又はその両方に形成することができる。
一例として、図５に、第１の再生シールド１２の下面の浮上面５側端部において形成された浮上面５と所定の角度θを成す平面１２ａの近傍の拡大図を示す。

ここで、図７に、従来の磁気ヘッドに対して、擬似浮遊磁場としての素子高さ方向の印加磁場を３００［Ｏｅ］、印加時間を１［ｍｉｎ］とした場合の、コア幅方向の全体における漏洩磁界による影響をみるための計算例を示す。図７（ａ）は、例えば特許文献３に示されるようなシールド及びリターンヨークにおけるコア幅方向の両端部（左右エッジ部）にテーパ面を有する従来の垂直磁気記録方式の磁気ヘッドであるのに対し、図７（ｂ）は、そのようなテーパ面を一切有しない従来の垂直磁気記録方式の磁気ヘッドである。
いずれのグラフも、横軸がコア幅方向の位置、縦軸が磁気データに対する磁気ヘッドの再生出力である。また、濃いグレーが擬似浮遊磁場の印加前であり、薄いグレーが擬似浮遊磁場の印加後である。なお、第２リターンヨーク１６Ｂについて計算を行った例であるが、第１の再生シールド１２、第１リターンヨーク１６Ａについても同様の傾向を示す。
この結果から、図７（ａ）に示される磁気ヘッドでは改善効果が見られるものの、いずれの磁気ヘッドにおいても、磁気シールド幅に相当する領域でデータ消去の様子が明らかとなっており、特に、コア幅方向の両端部（左右エッジ部）だけでなく、各磁気シールドのコア幅方向の中央部（図９からも明らかなように、特に膜厚方向の上下エッジ部）での漏洩磁界が問題となることがわかる。

一方、図６に、本実施形態に係る磁気ヘッド１について、上記の角度θを変化させた場合の、素子高さ方向の印加磁場に対してコア幅方向の端部において発生する最大漏洩磁界の計算例（図中の実線）、およびコア幅方向の中央部において発生する最大漏洩磁界の計算例（図中の破線）を示す。
この結果から明らかなように、本実施形態に係る磁気ヘッド１は、前記の特徴的な構成、すなわちコア幅方向の全体にわたって、膜厚方向に垂直な断面積が、膜厚中心から膜厚方向外側に向かって小さくなる絞り形状であって、且つ素子高さ方向に垂直な断面積が、浮上面から高さ方向に向かって大きくなる絞り形状を備えることによって、第２リターンヨーク１６Ｂ（第１の再生シールド１２、第１リターンヨーク１６Ａについても同様）から発生する外部磁場（浮遊磁場）に対する漏洩磁界を減少させることが可能となる。最大漏洩磁界が発生するコア幅方向の端部において、漏洩磁界を顕著に減少させることが可能となり、且つ、従来の磁気ヘッドでは解決されていなかったコア幅方向の中央部における漏洩磁界を減少させることをも可能としている。これは、とりもなおさず、膜厚方向の上下エッジ部からの漏洩磁界が減少できたことを意味している。
また、素子高さ方向に磁場を印加した際、浮上面５に対する角度θが大きくなるにつれて、コア幅方向の端部の最大漏洩磁界は増大するため、角度θに関しては、５［°］≦θ≦４５［°］程度が好適であるといえる。

なお、本実施形態では、第１の再生シールド１２、第１リターンヨーク１６Ａ、第２リターンヨーク１６Ｂの三層を上記絞り形状としたが、これに限定されるものではない。

続いて、第二の実施形態に特徴的な構成について、図３に示す磁気ヘッド１の概略図を用いて説明する。

図３に示すように、第１の再生シールド１２、第２の再生シールド１５、第１リターンヨーク１６Ａ、及び第２リターンヨーク１６Ｂを、コア幅方向の一部（ここでは両方の端部）において、膜厚方向に垂直な断面積が、膜厚中心から膜厚方向外側に向かって小さくなる絞り形状であって、且つ素子高さ方向に垂直な断面積が、浮上面から高さ方向に向かって大きくなる絞り形状に形成する。

本実施形態では、第１の再生シールド１２の下面の浮上面５側端部、第２の再生シールド１５の下面の浮上面５側端部、第１リターンヨーク１６Ａの上面の浮上面５側端部、第２リターンヨーク１６Ｂの上面の浮上面５側端部、第２リターンヨーク１６Ｂの下面の浮上面５側端部のそれぞれにおいて、浮上面５と所定の角度θを成す平面１２ｂ、１５ａ、１６Ａｂ、１６Ｂｂ、１６Ｂｃをコア幅方向の両方の端部においてそれぞれ形成することによって、上記の絞り形状を実現している。なお、それぞれの角度θは同一でなくてもよい。また、浮上面５と所定の角度を成す平面に代えて曲面によって構成してもよい。また、第１の再生シールド１２、第２の再生シールド１５、第１リターンヨーク１６Ａ、第２リターンヨーク１６Ｂのうち少なくともいずれかを絞り形状にすればよく、その絞り形状は図３の上側、下側のいずれか又はその両方に形成することができる。前記同様、角度θに関しては、５［°］≦θ≦４５［°］程度が好適である。

本実施形態によれば、前記同様の効果が奏されることに加えて、コア幅方向の中央部すなわち磁気抵抗効果素子１３及び主磁極１９が設けられる領域において、第１の再生シールド１２、第２の再生シールド１５、第１リターンヨーク１６Ａ、第２リターンヨーク１６Ｂの厚さが絞られること無く、所定の厚さが確保されるため、特に、記録特性の低下を防止することが可能となる。

なお、本実施形態では、第１の再生シールド１２、第２の再生シールド１５、第１リターンヨーク１６Ａ、第２リターンヨーク１６Ｂの四層を上記絞り形状としたが、これに限定されるものではない。

続いて、第三の実施形態に特徴的な構成について、図４に示す磁気ヘッド１の概略図を用いて説明する。

図４に示すように、第１の再生シールド１２、第１リターンヨーク１６Ａ、及び第２リターンヨーク１６Ｂを、コア幅方向の全体にわたって、膜厚方向に垂直な断面積が、膜厚中心から膜厚方向外側に向かって小さくなる絞り形状であって、且つ素子高さ方向に垂直な断面積が、浮上面から高さ方向に向かって小さくなる絞り形状に形成する。

本実施形態では、第１の再生シールド１２の下面の浮上面５側端部、第１リターンヨーク１６Ａの上面の浮上面５側端部、第２リターンヨーク１６Ｂの上面の浮上面５側端部のそれぞれにおいて、浮上面５と所定の角度αを成す平面１２ｃ、１６Ａｃ、１６Ｂｄをコア幅方向の全体にわたってそれぞれ形成することによって、上記の絞り形状を実現している。なお、浮上面５と所定の角度を成す平面に代えて曲面によって構成してもよい。また、第１の再生シールド１２、第２の再生シールド１５、第１リターンヨーク１６Ａ、第２リターンヨーク１６Ｂのうち少なくともいずれかを絞り形状にすればよく、その絞り形状は図４の上側、下側のいずれか又はその両方に形成することができる。
一例として、図８に、第１の再生シールド１２の下面の浮上面５側端部において形成された浮上面５と所定の角度αを成す平面１２ｃの近傍の拡大図を示す。
前記第一の実施形態と同様の計算によれば、角度αに関しては、５［°］≦α≦４５［°］程度が好適である。

本実施形態によれば、前記第一の実施形態と同様の効果が奏される。なお、本実施形態では、第１の再生シールド１２、第１リターンヨーク１６Ａ、第２リターンヨーク１６Ｂの三層を上記絞り形状としたが、これに限定されるものではない。

続いて、本発明の実施の形態に係る記憶装置について説明する。
上記の構成を備える磁気ヘッド１を用いて、磁気ディスク装置、ＭＲＡＭ等を構成することにより、記録密度の増加に対応した高い再生感度の実現、あるいは記憶特性の向上が可能な記憶装置が実現される。

当該記憶装置の一例として、図１０に磁気ディスク装置５０の構成を示す。前記の磁気ヘッド１は、磁気記録媒体（磁気記録ディスク）５１との間で情報を記録し、情報を再生するヘッドスライダ５２に組み込まれる。さらに、ヘッドスライダ５２は、ヘッドサスペンション５３のディスク面に対向する面に取り付けられ、該サスペンション５３の端部を固定し、回動自在なアクチュエータアーム５４と、該サスペンション５３及び該アクチュエータアーム５４上の絶縁された導電線を通じて、前記磁気抵抗効果素子１３に電気的に接続され、磁気記録ディスク５１に記録された情報を読み取るための電気信号を検出する回路とを有する記憶装置として構成される。その作用として、磁気記録ディスク５１が回転駆動されることにより、ヘッドスライダ５２がディスク面から浮上し、磁気記録ディスク５１との間で情報を記録し、情報を再生する操作がなされる。

本実施の形態に係る磁気ディスク装置によれば、浮遊磁場による予期しない情報のイレーズを防止することが可能な記憶装置が提供される。

なお、ここまで垂直磁気記録方式の磁気ヘッドを例にとり説明を行ったが、これに限定されるものではなく、水平磁気記録方式の磁気ヘッドにも同様に適用することが可能である。
より具体的には、当該水平方式の磁気ヘッド１（図１１参照）におけるシールド（第１の再生シールド１２、第２の再生シールド１５）あるいは磁極（下部磁極２７、上部磁極２８）に対して、前記絞り形状を形成することによって、コア幅方向の左右エッジ部及び中央部（特に膜厚方向の上下エッジ部）に発生する漏洩磁界を防止することが可能となり、垂直磁気記録方式の磁気ヘッドの場合と同様の効果が奏される。

以上説明した通り、本実施の形態に係る磁気ヘッド及びこれを備えた記憶装置によれば、素子高さ方向に印加される浮遊磁場によって、シールドあるいはリターンヨーク等におけるコア幅方向の左右エッジ部及び中央部（特に膜厚方向の上下エッジ部）に発生する漏洩磁界を防止することが可能となり、該漏洩磁界を原因とする磁気記録媒体に記録された磁気情報の予期しないイレーズを防止することが可能となる。

（付記１）磁気抵抗効果素子を第１の再生シールド及び第２の再生シールドで挟んだ磁気再生ヘッド、及び、第１の軟磁性体及び第２の軟磁性体を有する磁気記録ヘッドのうち少なくとも１つを有し、
前記第１の軟磁性体、第２の軟磁性体、第１の再生シールド及び第２の再生シールドのうち少なくとも１つは、コア幅方向の少なくとも一部において、膜厚方向に垂直な断面積が、膜厚中心から膜厚方向外側に向かって小さくなる絞り形状を有することを特徴とする磁気ヘッド。
（付記２）付記１記載の磁気ヘッドにおいて、前記第１の軟磁性体、第２の軟磁性体、第１の再生シールド及び第２の再生シールドのうち少なくとも１つは、コア幅方向の少なくとも一部において、素子高さ方向に垂直な断面積が、浮上面から高さ方向に向かって大きくなる絞り形状を有することを特徴とする磁気ヘッド。
（付記３）付記１記載の磁気ヘッドにおいて、前記第１の軟磁性体、第２の軟磁性体、第１の再生シールド及び第２の再生シールドのうち少なくとも１つは、コア幅方向の少なくとも一部において、素子高さ方向に垂直な断面積が、浮上面から高さ方向に向かって小さくなる絞り形状を有することを特徴とする磁気ヘッド。
（付記４）付記２または付記３記載の磁気ヘッドにおいて、前記絞り形状が浮上面と所定の角度を成す平面で形成され、前記所定の角度が５度以上且つ４５度以下であることを特徴とする磁気ヘッド。
（付記５）付記１〜４のいずれか一項に記載の磁気ヘッドにおいて、前記絞り形状がコア幅方向全体に形成されていることを特徴とする磁気ヘッド。
（付記６）付記１〜４のいずれか一項に記載の磁気ヘッドにおいて、前記絞り形状がコア幅方向両端部に形成されていることを特徴とする磁気ヘッド。
（付記７）付記１〜６のいずれか一項に記載の磁気ヘッドにおいて、前記第１の軟磁性体がリターンヨークまたはトレーリングシールドを形成し、前記第２の軟磁性体が主磁極を形成することを特徴とする磁気ヘッド。
（付記８）付記１〜６のいずれか一項に記載の磁気ヘッドにおいて、前記第１の軟磁性体が下部磁極を形成し、前記第２の軟磁性体が上部磁極を形成することを特徴とする磁気ヘッド。
（付記９）磁気抵抗効果素子を第１の再生シールド及び第２の再生シールドで挟んだ磁気再生ヘッド、及び、第１の軟磁性体及び第２の軟磁性体を有する磁気記録ヘッドのうち少なくとも１つを備えたヘッドスライダと、
前記ヘッドスライダを支持するサスペンションと、
前記サスペンションの端部を固定し、回動自在なアクチュエータアームと、
前記サスペンション及び前記アクチュエータアーム上の絶縁された導電線を通じて、前記磁気再生ヘッドまたは前記磁気記録ヘッドに電気的に接続された回路とを有し、
前記第１の軟磁性体、第２の軟磁性体、第１の再生シールド及び第２の再生シールドのうち少なくとも１つは、コア幅方向の少なくとも一部において、膜厚方向に垂直な断面積が、膜厚中心から膜厚方向外側に向かって小さくなる絞り形状を有することを特徴とする記憶装置。
（付記１０）付記９記載の記憶装置において、前記第１の軟磁性体、第２の軟磁性体、第１の再生シールド及び第２の再生シールドのうち少なくとも１つは、コア幅方向の少なくとも一部において、素子高さ方向に垂直な断面積が、浮上面から高さ方向に向かって大きくなる絞り形状を有することを特徴とする記憶装置。
（付記１１）付記９記載の記憶装置において、前記第１の軟磁性体、第２の軟磁性体、第１の再生シールド及び第２の再生シールドのうち少なくとも１つは、コア幅方向の少なくとも一部において、素子高さ方向に垂直な断面積が、浮上面から高さ方向に向かって小さくなる絞り形状を有することを特徴とする記憶装置。
（付記１２）付記１０または付記１１記載の記憶装置において、前記絞り形状が浮上面と所定の角度を成す平面で形成され、前記所定の角度が５度以上且つ４５度以下であることを特徴とする記憶装置。
（付記１３）付記９〜１２のいずれか一項に記載の記憶装置において、前記絞り形状がコア幅方向全体に形成されていることを特徴とする記憶装置。
（付記１４）付記９〜１２のいずれか一項に記載の記憶装置において、前記絞り形状がコア幅方向両端部に形成されていることを特徴とする記憶装置。
（付記１５）付記９〜１４のいずれか一項に記載の記憶装置において、前記第１の軟磁性体がリターンヨークまたはトレーリングシールドを形成し、前記第２の軟磁性体が主磁極を形成することを特徴とする記憶装置。
（付記１６）付記９〜１４のいずれか一項に記載の記憶装置において、前記第１の軟磁性体が下部磁極を形成し、前記第２の軟磁性体が上部磁極を形成することを特徴とする記憶装置。

本発明の実施の形態に係る磁気ヘッド（垂直磁気記録方式）の積層構造の例を示す概略図である。 本発明の第一の実施形態に係る磁気ヘッドの例を示す概略図である。 本発明の第二の実施形態に係る磁気ヘッドの例を示す概略図である。 本発明の第三の実施形態に係る磁気ヘッドの例を示す概略図である。 図２の磁気ヘッドの第１の再生シールド下面の浮上面側端部の拡大図である。 図２の磁気ヘッドの角度θを変化させた場合の最大漏洩磁界の計算例である。 従来の磁気ヘッドに対して、擬似浮遊磁場を印加した場合の、コア幅方向の漏洩磁界による影響についての計算例である。 図４の磁気ヘッドの第１の再生シールド下面の浮上面側端部の拡大図である。 従来の垂直磁気記録方式の磁気ヘッドに擬似浮遊磁場を印加した場合のコア幅方向の漏洩磁界を可視化した写真である。 本発明の実施の形態に係る記憶装置の例を示す概略図である。 本発明の実施の形態に係る磁気ヘッド（垂直磁気記録方式）の積層構造の例を示す概略図である。 従来の実施形態に係る磁気ヘッドの例を示す概略図である。

符号の説明

１、１０１ 磁気ヘッド
２ 磁気再生ヘッド
３ 磁気記録ヘッド
５、１０５ 浮上面
１２、１１２ 第１の再生シールド
１３、１１３ 磁気抵抗効果素子
１４、１１４ ハードバイアス膜
１５、１１５ 第２の再生シールド
１６Ａ、１１６Ａ 第１リターンヨーク
１６Ｂ、１１６Ｂ 第２リターンヨーク
１７ 第１コイル
１９、１１９ 主磁極
２０ 第２コイル
２１ トレーリングシールド
２７ 下部磁極
２８ 上部磁極
２９ ギャップ層
３１、３３〜３６、３９ 絶縁層
３２、１３２ 磁性分離層
５０ 記憶装置（磁気ディスク装置）

Claims (7)

1. 磁気抵抗効果素子を第１の再生シールド及び第２の再生シールドで挟んだ磁気再生ヘッド、及び、第１の軟磁性体及び第２の軟磁性体を有する磁気記録ヘッドのうち少なくとも１つを有し、
   前記第１の軟磁性体、第２の軟磁性体、第１の再生シールド及び第２の再生シールドのうち少なくとも１つは、コア幅方向の少なくとも一部において、膜厚方向に垂直な断面積が、膜厚中心から膜厚方向外側に向かって小さくなる絞り形状を有し、且つ素子高さ方向に垂直な断面積が、浮上面から高さ方向に向かって大きくなる絞り形状を有することを特徴とする磁気ヘッド。
2. 磁気抵抗効果素子を第１の再生シールド及び第２の再生シールドで挟んだ磁気再生ヘッド、及び、第１の軟磁性体及び第２の軟磁性体を有する磁気記録ヘッドのうち少なくとも１つを有し、
   前記第１の軟磁性体、第２の軟磁性体、第１の再生シールド及び第２の再生シールドのうち少なくとも１つは、コア幅方向の少なくとも一部において、膜厚方向に垂直な断面積が、膜厚中心から膜厚方向外側に向かって小さくなる絞り形状を有し、且つ素子高さ方向に垂直な断面積が、浮上面から高さ方向に向かって小さくなる絞り形状を有することを特徴とする磁気ヘッド。
3. 請求項１または請求項２記載の磁気ヘッドにおいて、前記絞り形状が浮上面と所定の角度を成す平面で形成され、前記所定の角度が５度以上且つ４５度以下であることを特徴とする磁気ヘッド。
4. 請求項１〜３のいずれか一項に記載の磁気ヘッドにおいて、前記絞り形状がコア幅方向全体に形成されていることを特徴とする磁気ヘッド。
5. 請求項１〜４のいずれか一項に記載の磁気ヘッドにおいて、前記絞り形状がコア幅方向両端部に形成されていることを特徴とする磁気ヘッド。
6. 請求項１〜５のいずれか一項に記載の磁気ヘッドにおいて、前記第１の軟磁性体がリターンヨークもしくはトレーリングシールドを形成し、前記第２の軟磁性体が主磁極を形成することを特徴とする磁気ヘッド。
7. 請求項１〜６のいずれか一項に記載の磁気ヘッドを備えたヘッドスライダと、
   前記ヘッドスライダを支持するサスペンションと、
   前記サスペンションの端部を固定し、回動自在なアクチュエータアームと、
   前記サスペンション及び前記アクチュエータアーム上の絶縁された導電線を通じて、前記磁気再生ヘッド又は前記磁気記録ヘッドに電気的に接続された回路と、を有することを特徴とする記憶装置。