JP2010038677A - 放射線画像検出装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】残留出力の収束時間の短縮し画質の劣化を防止する。
【解決手段】放射線を照射する放射線源101と、放射線源101から照射された放射線が被写体に照射されたときに、放射線検出器10を用いて被写体を透過した放射線を放射線画像として検出する際、光源ユニット20は放射線検出器10への放射線の照射前から照射後までの期間において放射線検出器10に照射光を射出する。このとき光量制御手段30は、放射線源101から照射された放射線量および照射間隔に応じて光源ユニット20から射出する照射光の光量を制御する。
【選択図】図1
【解決手段】放射線を照射する放射線源101と、放射線源101から照射された放射線が被写体に照射されたときに、放射線検出器10を用いて被写体を透過した放射線を放射線画像として検出する際、光源ユニット20は放射線検出器10への放射線の照射前から照射後までの期間において放射線検出器10に照射光を射出する。このとき光量制御手段30は、放射線源101から照射された放射線量および照射間隔に応じて光源ユニット20から射出する照射光の光量を制御する。
【選択図】図1
Description
本発明は、放射線検出器への放射線の照射中に光を照射する光源ユニットを備えた放射線画像検出装置に関するものである。
従来、医療分野などにおいて、被写体を透過した放射線の照射により被写体に関する放射線画像を記録する放射線検出器が各種提案、実用化されている。上記放射線検出器としては、たとえば、放射線の照射により電荷を発生するアモルファスセレンを利用した放射線検出器があり、そのような放射線検出器として、アクティブマトリクス基板を用いていわゆるTFT読取方式と呼ばれるものが提案されている。アクティブマトリクス基板は、複数の分割電極と、各分割電極によって収集された電荷をそれぞれ蓄積する複数の蓄積容量と、各蓄積容量に蓄積された電荷をそれぞれ読み出すための複数のTFTスイッチとを備えている。ここで、上述した放射線検出器を用いて放射線画像を取得する際、放射線検出器への放射線の照射前、照射中、照射後において、それぞれ放射線検出器のアクティブマトリクス基板側から光を照射することが提案されている(特許文献1参照)。
特許文献1において、放射線の照射前および照射中に光が照射されることにより、予め分割電極間のスペースに電荷が蓄積される。すると、光導電層に形成される電界が歪み、放射線の照射によって発生した電荷は上記スペースに溜まることなく、予め歪まされた電界に沿って移動し分割電極に収集されるため、光導電層の有感変動を抑えることができる。さらに、放射線の照射が終了した後において照射光を照射し続けることにより、分割電極近傍に溜まった電荷が残像出力となるのを防止する。
特開2004−146769号公報(図6−図8)
しかし、特許文献1に示すように、照射光を照射する場合であっても残留出力の信号レベルが収束するまで時間が掛かってしまう。したがって動画像の撮影のように各フレーム画像の放射線の照射間隔が小さいとき、残留出力が除去される前に次の撮影が行われてしまい画質の劣化が生じてしまうという問題がある。また、大線量の放射線が照射された場合には残留出力の信号レベルが大きくなるため、次の放射線照射時までに残留出力が除去できず残像となって現れてしまうという問題がある。
そこで、本発明は、残留出力の収束時間の短縮し画質の劣化を防止することができる放射線画像検出装置を提供することを目的とする。
本発明の放射線画像検出装置は、放射線を照射する放射線源と、放射線源から照射された放射線が被写体に照射されたときに、被写体を透過した放射線を放射線画像として検出する放射線検出器と、放射線検出器に照射光を射出する光源ユニットと、光源ユニットから射出される照射光の光量を制御する光量制御手段とを備え、光量制御手段が、スタンバイ時において基準光量の照射光を放射線検出器に照射するとともに、放射線源から放射線検出器への放射線の照射前から照射後までの期間において光源ユニットから射出される照射光の光量を放射線の照射間隔および/または放射線量に応じて変化させるように制御するものであることを特徴とするものである。
なお、光量制御手段は、照射間隔に応じて照射光の光量を変化させるものであればその方法を問わず、たとえば放射線の照射後における照射光の光量毎の残留出力の信号レベルの時間変化を第1光量設定テーブルとして有し、第1光量設定テーブルを用いて照射間隔以内に信号レベルが設定信号レベルになるような照射光の光量を決定するものであってもよい。
また、放射線源から放射線検出器への放射線の照射前から照射後までの期間とは、スタンバイ時以外の期間、すなわち放射線画像検出装置が放射線画像の取得動作をしている期間を意味する。
また、放射線検出器が静止画像と静止画像取得時よりも照射間隔が短い動画像とを取得する機能を有するものであってもよい。このとき、光量制御手段は、静止画像を取得するときよりも動画像を取得するときの方が照射光の光量が大きくなるように光源ユニットを制御する。
あるいは、光量制御手段は、放射線量と照射光の光量との関係を示す第2光量設定テーブルを有するものであり、放射線源から照射した放射線量と第2光量設定テーブルとを用いて照射光の光量を決定するものであってもよい。
さらに、光量制御手段が、放射線の照射後の照射光の射出により信号レベルが設定値まで下がったときに予め設定された基準光量の照射光が射出されるように光源ユニットを制御するものであってもよい。
本発明の放射線画像検出装置によれば、放射線を照射する放射線源と、放射線源から照射された放射線が被写体に照射されたときに、被写体を透過した放射線を放射線画像として検出する放射線検出器と、放射線検出器に照射光を射出する光源ユニットと、光源ユニットから射出される照射光の光量を制御する光量制御手段とを備え、光量制御手段が、スタンバイ時において基準光量の照射光を放射線検出器に照射するとともに、放射線源から放射線検出器への放射線の照射前から照射後までの期間において光源ユニットから射出される照射光の光量を放射線の照射間隔および/または放射線量に応じて光源ユニットから射出される照射光の光量を変化させるように制御することにより、撮影間隔が短いときには照射光の光量を大きくして放射線検出器内に残留する残留出力を高速に除去することができるため、放射線検出器に大線量の放射線が照射された場合や動画像の撮影のような撮影間隔が短い場合であっても、残留出力による画質の劣化が生じるのを防止することができる。
なお、放射線検出器が静止画像と静止画像取得時よりも照射間隔が短い動画像とを取得する機能を有するものであり、光量制御手段が、静止画像を取得するときよりも動画像を取得するときの方が大きい光量の照射光を射出するように光源ユニットを制御するものであれば、動画像のように照射間隔が短い場合であってもそれに対応して光量の照射光を照射することにより、残留出力による画質の劣化が生じるのを防止することができる。
また、光量制御手段が、放射線の照射後の照射光の射出により信号レベルが設定値まで下がったときに予め設定された基準光量の照射光が射出されるように光源ユニットを制御するものであれば、適切な光量の照射光を照射することができるため、光量を大きくすることによる暗電流成分の増加を最小限に抑えることができる。
以下、図面を参照して本発明の放射線画像検出装置の一実施形態について説明する。図1は本実施形態の放射線画像検出装置100の概略構成を示す断面図である。図1の放射線画像検出装置100は、いわゆるTFT読取方式の放射線検出器を備えたものであって、放射線検出器10、光源ユニット20、光量制御手段30、放射線源101を備えている。放射線検出器10は、放射線の照射によって電荷を発生しその電荷を蓄積することによって放射線画像を記録するものであって、バイアス電極1、第1の電荷輸送層2、有機高分子層3、光導電層4、第2の電荷輸送層5、アクティブマトリクス基板6がこの順に積層されたものである。
バイアス電極1は、バイアス電圧が印加されるものであり、たとえばAu、Alなどの低抵抗の導電材料で形成されている。第1の電荷輸送層2は、硫化アンチモンを含有する材料から形成されている。有機高分子層3は、有機高分子材料に正孔ブロック材料を添加したものから形成されており、有機高分子材料としては、たとえばポリカーボネートを利用することができる。光導電層4は、画像情報を担持した放射線の照射を受けて電荷を発生する電磁波導電性を有するものであり、放射線が照射されると層の内部に電荷を発生するものである。光導電層4の材料としては、たとえばa−Se、HgI2、PbI2,CdS、CdSe,CdTe、BiI3等を用いることができ、特にセレンを主成分とする膜厚100〜1000μmのa−Se膜を用いることが望ましい。第2の電荷輸送層5は光導電層4において発生した電荷を輸送するものであって、硫化アンチモンを含有する材料から形成されている。
アクティブマトリクス基板6は、光導電層4において発生し第2の電荷輸送層5を通過した電荷を収集する分割電極が多数配列されたものである。ここで、図2にアクティブマトリクス基板6の平面図を示す。アクティブマトリクス基板6は、光導電層4において発生した電荷を収集する分割電極61、分割電極61によって収集された電荷を蓄積する蓄積容量62および蓄積容量62に蓄積された電荷を読み出すためのTFTスイッチ63を備えた画素60が2次元状に多数配列されている。ここで、分割電極61の材料としては導電性材料であれば特に制限されないが、可視光を透過する電極であることが好ましく、たとえばITO、IZOを用いることができる。
また、各TFTスイッチ63にはスイッチのON/OFFを制御するための多数の走査配線65が接続されており、蓄積容量62には蓄積された電荷を読み出すための多数のデータ配線66が格子状に設けられている。データ配線66の終端にはデータ配線66に流れ出した信号電荷を検出するアンプからなる読出回路70が接続されており、走査配線65にはTFTスイッチ63をON/OFFするための制御信号を出力するゲートドライバ80が接続されている。
図1の光源ユニット20は、放射線検出器10への放射線の照射中に放射線検出器10に光を照射するものであって、たとえば中心発光波長が525nm程度の発光ダイオードを面実装した面状光源からなっている。なお、光源ユニット20は放射線検出器10とは別個に設けるようにしてもよいし、アクティブマトリクス基板6に透明な接着剤により取り付けるようにしてもよい。
光量制御手段30は光源ユニット20から放射線検出器10へ照射される照射光Lの光量Iaを制御するものである。ここで、図3は動画像として放射線画像を取得するときの照射光Lの光量制御の一例を示すタイミングチャートである。まず、光量制御手段30は、撮影が行われてないスタンバイ期間(静止画モード時の光量制御期間)T0において、光源ユニット20が所定の基準光量(たとえば2mW)からなる照射光Lを放射線検出器10に照射するように制御する。その後、光量制御手段30は、撮影開始指示がなされたときに放射線源101から照射される放射線量および撮影間隔に応じて、放射線照射前から放射線照射後までの期間において照射する照射光の光量Laを決定する。そして、光量制御手段30は、放射線の照射前の期間T1から放射線照射後までの動画撮影期間T2において光量Ia(たとえば20mW)の照射光Lを照射するように光源ユニット20を制御する。
ここで、光量制御手段30は、照射光Lの光量Ia毎に残留出力の信号レベルの時間変化を記憶した第1光量設定テーブルRT1として有しており、第1光量設定テーブルRT1を用いて光量Iを制御する。図4は第1光量設定テーブルRT1の一例を示すグラフである。図4において、基準光量Irefの照射光Lを放射線検出器10に照射した場合、急激に残留出力が減少した後に所定のレベルで収束する。さらに、基準光量Irefに対し光量I1(>Iref)、I2(>I1)というように光量を大きくすればするほど残留出力の信号レベルは急激に小さくなる。たとえば所定の設定しきい値Srefになるまでの時間はIref>I1>I2の順になる。そして、光量制御手段30は、第1光量設定テーブルRT1を用いて放射線の照射間隔T4以内に、残留出力の信号レベルが所定の設定しきい値Srefになるような光量Iaを決定し光源ユニット20を制御する。
たとえば放射線の照射間隔T4(フレーム周期)が0.1秒である場合、光量制御手段30は0.1秒以内に残留出力の信号レベルSが設定しきい値Srefになる光量Iaを第1光量設定テーブルRT1から決定する。そして、光量制御手段30は決定した光量Iaの照射光Lを射出するように光源ユニット20を制御する。これにより、照射間隔T4以内に残留出力を極力小さくした状態にすることができる。
図5は静止画として放射線画像を取得する静止画取得モード時の照射光Lの光量制御の一例を示すタイミングチャートである。図5においても光量制御手段30は光源ユニット20がスタンバイ期間T0において所定の光量Iref(たとえば2mW)の照射光Lを射出するように制御する。そして、放射線源101から照射される放射線量を検出し、検出した放射線量と撮影間隔T4を用いて第1光量設定テーブルRT1に基づいて光量Laを決定する。たとえば静止画像取得モードの放射線照射間隔T4は、動画像取得モードの放射線照射間隔T4よりも短く設定されており、たとえば静止画像の放射線照射間隔T4が30秒に設定されている。その後、光源ユニット20から放射線の照射前T1から放射線照射後の期間T3まで光量Laの照射光Lが射出される。
なお、図5において所定の周期で読み出しクロックが出力されているが、たとえば放射線照射直後のクロックにより出力された信号を画像情報として読み取り、その後のクロックで残留電荷の排出が行われる。
このように、静止画取得モードのときであっても、放射線の照射間隔T4以内に光量制御手段30は照射間隔T4以内に残留出力の信号レベルを設定しきい値Srefにする光量Iaの照射光Lが射出されるように光源ユニット20を制御することにより、残留出力を略0に近い信号レベルにして収束精度を高い状態にすることができる。
なお、放射線量および照射間隔に基づいて光量を制御する場合について例示しているが、放射線量に応じて光量Iaを制御するようにしてもよい。具体的には、光量制御手段30は放射線量と光量Iaとの関係を示す第2光量設定テーブルRT2を有しており、第2光量設定テーブルRT2を用いて放射線量に応じて光量Iを制御する。図6は第2光量設定テーブルRT2の一例を示すグラフである。図6において、第2光量設定テーブルRT2において、放射線源101から照射される放射線量が所定のしきい値R10ref以下のときには基準光量Irefが設定され、放射線量が所定のしきい値R10refよりも大きいときには放射線量の増加に伴い光量Iaが大きくなる。光量制御手段30は、たとえば放射線源101の管電流等から放射線源101から照射される放射線量を検出し、第2光量設定テーブルRT2を用いて光量Iaを決定する。
このように、放射線量に応じて光量Iaを制御することにより、たとえば大線量の放射線が照射されたときのように残像電荷が多く残っている場合には光量Iaを大きくして高速に残留出力を収束させることができる。
なお、上述した第1光量設定テーブルRT1および第2光量設定テーブルRT2を用いて光量Iaを設定する際、照射間隔T4以内において残留出力の信号レベルSが所定の設定しきい値Srefになればよく、照射間隔T4よりも早く設定しきい値Srefになる光量Iaに設定してもよい。但し、光量Iaを大きくした照射光Lを照射し続けたときには、照射光Lによる暗電流成分が多くなってしまう(図4参照)。
そこで、図7に示すように、光量制御手段30は第1光量設定テーブルRT1もしくは第2光量設定テーブルRT2を用いて設定した光量Iaの照射光Lを照射したときの残留出力の信号レベルを監視し、信号レベルが設定値S10になったときに光量Iaを基準光量Irefに下げて照射光Lを射出するように光源ユニット20を制御する。あるいは、光量制御手段30において予め設定期間T3(図5参照)が設定されており、設定期間T3以内に残留出力の信号レベルが設定値S10になるような光量Iaが第1光量設定テーブルRT1もしくは第2光量設定テーブルRT2により決定され、設定期間T3以後において光量Iが基準光量Irefに下げるようにしてもよい。これにより、照射光Lの光量が大きすぎることによる暗電流成分の増加を抑制することができる。
また、光量制御手段30は、上述したように第1光量設定テーブルRT1と第2光量設定テーブルRT2の一方のみを用いて光量を決定してもよいが、双方を用いて光量を決定してもよい。たとえば光量制御手段30は照射間隔T4に基づき第1光量設定テーブルRT1から導出された第1光量と、放射線量に基づき第2光量設定テーブルRT2から導出された第2光量とを比較する。その後、光量制御手段30は第1光量および第2光量のうちいずれか大きい方の光量を選択し光源ユニット20を制御する。そして、光量制御手段30は、選択した光量から設定期間T10を決定し、設定期間T10だけ照射した後は基準光量Irefの照射光Lが照射されるように制御することになる。
上記実施の形態によれば、放射線を照射する放射線源101と、放射線源101から照射された放射線が被写体に照射されたときに、被写体を透過した放射線を放射線画像として検出する放射線検出器10と、放射線検出器10に照射光Lを射出する光源ユニット20と、光源ユニット20から射出される照射光Lの光量を制御する光量制御手段30とを備え、光量制御手段30が、スタンバイ時において基準光量の照射光を放射線検出器に照射するとともに、放射線源101から放射線検出器10への放射線の照射前から照射後の期間において光源ユニット20から射出される照射光Lの光量を放射線の照射間隔T4および/または放射線量に応じて光源ユニット20から射出される照射光Lの光量を変化させるように制御することにより、撮影間隔が短いときには照射光Lの光量を大きくして放射線検出器10内に残留する残留出力を高速に除去することができるため、放射線検出器10に大線量の放射線が照射された場合や動画像の撮影のような撮影間隔が短い場合であっても、残留出力による画質の劣化が生じるのを防止することができる。
なお、放射線検出器10が静止画像と静止画像取得時よりも照射間隔T4が短い動画像とを取得する機能を有するものであり、光量制御手段30が、静止画像を取得するときよりも動画像を取得するときの方が大きい光量の照射光Lを射出するように光源ユニット20を制御するものであれば、動画像のように照射間隔T4が短い場合であってもそれに対応して光量の照射光Lを照射することにより、残留出力による画質の劣化が生じるのを防止することができる。
また、光量制御手段30が、放射線の照射後の照射光Lの射出により信号レベルが設定値S10まで下がったときに予め設定された基準光量Irefの照射光Lが射出されるように光源ユニット20を制御するものであれば、適切な光量の照射光Lを照射することができるため、光量を大きくすることによる暗電流成分の増加を最小限に抑えることができる。
本発明の実施形態は上記実施形態に限定されない。たとえば、放射線画像は、被写体に放射線を曝射することにより放射線検出器10で検出されたものであればなんでもよく、たとえばマンモグラフィ装置により取得された放射線画像や胸部撮影により取得された放射線画像であってもよいし、医用画像に限らず非破壊検査に用いられる放射線画像であってもよい。
10 放射線検出器
20 光源ユニット
30 光量制御手段
100 放射線画像検出装置
101 放射線源
I 光量
Iref 基準光量
L 照射光
RT1 第1光量設定テーブル
RT2 第2光量設定テーブル
20 光源ユニット
30 光量制御手段
100 放射線画像検出装置
101 放射線源
I 光量
Iref 基準光量
L 照射光
RT1 第1光量設定テーブル
RT2 第2光量設定テーブル
Claims (5)
- 放射線を照射する放射線源と、
該放射線源から照射された前記放射線が被写体に照射されたときに、該被写体を透過した前記放射線を放射線画像として検出する放射線検出器と、
該放射線検出器に照射光を射出する光源ユニットと、
前記光源ユニットから射出される前記照射光の光量を制御する光量制御手段と
を備え、
前記光量制御手段が、スタンバイ時において基準光量の前記照射光を前記放射線検出器に照射するとともに、前記放射線源から前記放射線検出器への前記放射線の照射前から照射後の期間において前記光源ユニットから射出される前記照射光の光量を前記放射線の照射間隔および/または放射線量に応じて変化させるように制御するものであることを特徴とする放射線画像検出装置。 - 前記光量制御手段が、前記照射光の前記光量毎の残留出力の信号レベルの時間変化を第1光量設定テーブルとして有するものであり、該第1光量設定テーブルを用いて前記照射間隔以内に前記信号レベルが設定信号レベルになるような前記照射光の前記光量を決定するものであることを特徴とする請求項1記載の放射線画像検出装置。
- 前記放射線検出器が静止画像と該静止画像取得時よりも前記放射線の照射間隔が短い動画像とを取得する機能を有するものであり、前記光量制御手段が、前記静止画像を取得するときよりも前記動画像を取得するときの方が前記照射光の前記光量を大きくするように前記光源ユニットを制御するものであることを特徴とする請求項1または2記載の放射線画像検出装置。
- 前記光量制御手段が、前記放射線量と前記照射光の光量との関係を示す第2光量設定テーブルを有するものであり、前記放射線源から照射した前記放射線量と前記第2光量設定テーブルとを用いて前記照射光の前記光量を決定するものであることを特徴とする請求項1から3のいずれか1項記載の放射線画像検出装置。
- 前記光量制御手段が、前記放射線の照射後の前記照射光の射出により前記残留出力の信号レベルが設定値まで下がったときに予め設定された基準光量の前記照射光が射出されるように前記光源ユニットを制御するものであることを特徴とする請求項1から4のいずれか1項記載の放射線画像検出装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008200472A JP2010038677A (ja) | 2008-08-04 | 2008-08-04 | 放射線画像検出装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008200472A JP2010038677A (ja) | 2008-08-04 | 2008-08-04 | 放射線画像検出装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010038677A true JP2010038677A (ja) | 2010-02-18 |
Family
ID=42011389
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008200472A Withdrawn JP2010038677A (ja) | 2008-08-04 | 2008-08-04 | 放射線画像検出装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2010038677A (ja) |
-
2008
- 2008-08-04 JP JP2008200472A patent/JP2010038677A/ja not_active Withdrawn
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Legal Events
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---|---|---|---|
A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
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