JP2010028701A - Acoustic wave element and communication apparatus employing the same, and method of manufacturing acoustic wave element - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、弾性波素子とこれを用いた通信機器、及び弾性波素子の製造方法に関する。 The present invention relates to an acoustic wave device, a communication device using the same, and a method for manufacturing the acoustic wave device.
弾性波素子は、携帯電話などの通信機器の高周波フィルタとして用いられている。その弾性波素子の一例を図4に示す。図4(a)は弾性波素子の上面図で、図4(b)は図4(a)のA−Bにおける断面図である。図4(a)において、従来の弾性波素子は、圧電基板1と、この圧電基板1の上に配置された櫛歯電極2、第1の導体3、第2の導体4、及び第3の導体5と、圧電基板1の上に配置されて第1の導体3と第2の導体4とを電気的に接続する第4の導体6とを備える。尚、第3の導体5と第4の導体6とは電気的に絶縁されている。
The acoustic wave element is used as a high frequency filter for communication equipment such as a mobile phone. An example of the acoustic wave element is shown in FIG. 4A is a top view of the acoustic wave element, and FIG. 4B is a cross-sectional view taken along line AB of FIG. 4A. In FIG. 4A, the conventional acoustic wave element includes a piezoelectric substrate 1, a
尚、図4(a)に示す様に、圧電基板1の上には第1〜第4の導体3〜6以外にも導体が配置されている。即ち、従来の弾性波素子は、信号が入力される入力端子として導体10、11、12と、櫛歯電極2においてフィルタリングされた信号が出力される出力端子として導体5、7と、グランド電位を作るグランド端子として導体13、14、15、16、3、4、8と、これら導体13、14、15、16、3、4、8同士を電気的に接続する導体17、18、19、6、9を圧電基板1上に備える。また、図4(b)において、従来の弾性波素子は、圧電基板1の上に第3の導体5を覆うように配置されたSiO2層20を有し、このSiO2層20を覆うように上記第4の導体6を配置することによって、第3の導体5と第4の導体6とは絶縁された状態となっている。
As shown in FIG. 4A, conductors other than the first to
なお、この出願の発明に関する先行技術文献情報としては、例えば、特許文献1、2が知られている。
しかし、このような従来の弾性波素子においては、第4の導体6の接続信頼性が低下する可能性がある。この理由を以下に説明する。
However, in such a conventional acoustic wave device, the connection reliability of the
第3の導体5は、圧電基板1の主面に対してほぼ垂直な面と水平な面とを有し、これら垂直な面と水平な面とにより形成されるほぼ直角な角部を有する。この第3の導体5を覆うSiO2膜20を形成する為に、圧電基板1の上方から圧電基板1の上面に対し、SiO2を蒸着させた場合、SiO2膜20は、第3の導体5の表面に沿って形成され、SiO2膜20もまた、ほぼ直角な角部を有することとなる。その為、このSiO2膜20を覆うように第4の導体6を形成した場合、上記角部によって、第4の導体6の接続信頼性が低下するという問題が生じるのである。
The
そこで、本発明は、弾性波素子における圧電基板上の導体間の接続信頼性を向上させることを目的とする。 Accordingly, an object of the present invention is to improve the connection reliability between conductors on a piezoelectric substrate in an acoustic wave device.
上記目的を達成する為に、本発明の弾性波素子は、圧電基板と、この圧電基板の上に配置された櫛歯電極及び第1、第2、第3の導体と、この圧電基板の上に第3導体を覆うように配置されたレジスト層と、このレジスト層の上に配置されて第1の導体と第2の導体とを電気的に接続する第4の導体とを備える構成である。 In order to achieve the above object, an acoustic wave device of the present invention includes a piezoelectric substrate, comb-shaped electrodes and first, second, and third conductors disposed on the piezoelectric substrate, and the piezoelectric substrate. A resist layer disposed so as to cover the third conductor, and a fourth conductor disposed on the resist layer and electrically connecting the first conductor and the second conductor. .
上記構成の如く、本発明は、第3の導体と第4の導体との絶縁を取る手段として製造工程で用いるレジストを用いる。即ち、レジストは製造工程において下方に広がるテーパ形状を形成するので、上記ほぼ直角な角部がなくなる、若しくは、この角部が鈍角となる。その結果、レジスト層の上に形成する第4の導体の接続信頼性を向上させることができるのである。 As described above, the present invention uses the resist used in the manufacturing process as means for obtaining insulation between the third conductor and the fourth conductor. That is, since the resist forms a tapered shape that spreads downward in the manufacturing process, the substantially perpendicular corner portion is eliminated or the corner portion becomes an obtuse angle. As a result, the connection reliability of the fourth conductor formed on the resist layer can be improved.
(実施の形態1)
以下、本発明の実施形態について図1(a)(b)を用いて説明する。図1(a)は本実施の形態1の弾性波素子の上面模式図で、図1(b)は図1(a)のA−Bにおける断面模式図である。
(Embodiment 1)
Hereinafter, an embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. FIG. 1A is a schematic top view of the acoustic wave device according to the first embodiment, and FIG. 1B is a schematic cross-sectional view taken along the line AB of FIG.
図1(a)において、弾性波素子は、圧電基板21と、この圧電基板21の上に配置された櫛歯電極22、第1の導体23、第2の導体24、及び第3の導体25と、圧電基板21の上に配置されて第1の導体23と第2の導体24とを電気的に接続する第4の導体26とを備える。また、第3の導体25と第4の導体26とは電気的に絶縁されている。
In FIG. 1A, the acoustic wave element includes a
尚、図1(a)に示す様に、圧電基板21の上には第1〜第4の導体23〜26以外にも導体が配置されている。即ち、弾性波素子は、信号が入力される入力端子として導体30、31、32と、櫛歯電極22においてフィルタリングされた信号が出力される出力端子として導体25、27と、グランド電位を作るグランド端子として導体33、34、35、36、23、24、28と、これら導体33、34、35、36、23、24、28同士を電気的に接続する導体37、38、39、26、29を圧電基板21上に有する。
As shown in FIG. 1A, conductors other than the first to
尚、この弾性波素子を搭載した通信機器(図示せず)は、この弾性波素子と、出力端子の導体25、27に接続された無線回路とを備える。
A communication device (not shown) equipped with this acoustic wave element includes this acoustic wave element and a radio circuit connected to the
また、図1(b)において、弾性波素子は、圧電基板21の上に第3の導体25を覆うように配置されたレジスト層40を有し、このレジスト層40を覆うように上記第4の導体26を配置することによって、第3の導体25と第4の導体26とは絶縁された状態となっている。このレジスト層40は、櫛歯電極22のパターニング用のレジストであり、フエノ−ル,クレゾ−ル,キシレノ−ル,レゾルシノ−ル,ビスフエノ−ル等のアルカリ可溶性樹脂を含む。
Further, in FIG. 1B, the acoustic wave element has a
このように、本発明の弾性波素子は、導体25、26間の絶縁を取る手段として製造工程で用いるレジスト層40が用いられる。即ち、レジスト層40は製造工程において下方に広がるテーパ形状を形成するので、レジスト層40において、ほぼ直角な角部がなくなる、若しくは、この角部が鈍角となる。その結果、レジスト層40の上に形成する第4の導体の接続信頼性を向上させることができるのである。
As described above, in the acoustic wave device of the present invention, the
尚、弾性波素子は、レジスト層40と第4の導体26との間に配置された密着導体層(図示せず)とを備えていることが望ましい。この密着導体層は、例えば、Ti、Crである。これにより、第4の導体26の剥離を抑制することができる。
The acoustic wave element preferably includes a close contact conductor layer (not shown) disposed between the
次に、本実施の形態1の弾性波素子の製造方法を、図2(a)〜(g)、図3(a)〜(f)を用いて説明する。尚、図2は、本実施の形態1における弾性波素子の製造工程を示す断面模式図であり、図2の断面は、完成後、図1(a)のA−Bにおける断面となる。図3の断面は、完成後、図1(a)のC−Dにおける断面となる。 Next, the manufacturing method of the elastic wave element of this Embodiment 1 is demonstrated using Fig.2 (a)-(g) and Fig.3 (a)-(f). FIG. 2 is a schematic cross-sectional view showing the manufacturing process of the acoustic wave device according to the first embodiment, and the cross-section of FIG. 2 is a cross-section taken along AB in FIG. The cross section of FIG. 3 becomes a cross section taken along the line CD of FIG.
まず、図2(a)に示す様に、圧電基板21の上に第1の導体23、第2の導体24及び第3の導体25を形成し、圧電基板21の上と第1の導体23、第2の導体24及び第3の導体25の上に現像液に対して不溶性のイメージリバーサル型レジスト41を塗布し、第3の導体25の上方にマスキングを行い、圧電基板21の上方からイメージリバーサル型レジスト41に対しパターニング露光を行う。尚、このイメージリバーサル型レジスト41は、ベーキング処理及び露光により、現像液に対して可溶性から不溶性に変換する性質を有するレジストである。このイメージリバーサル型レジスト41は、完成後、図1(b)に示す弾性波素子におけるレジスト層40となる。
First, as shown in FIG. 2A, the
即ち、上記処理により、図2(b)に示す様に、第3の導体25を覆う部分以外のイメージリバーサル型レジスト41が現像液に対して可溶性になる。
That is, by the above process, as shown in FIG. 2B, the image reversal resist 41 other than the portion covering the
次に、図2(c)に示す様に、弾性波素子の全体に対しベーキング処理を施し、第1の導体23及び第2の導体24上の一部を露出させるようにマスキングを行い、圧電基板21の上方からイメージリバーサル型レジスト41に対し第2のパターニング露光を行う。
Next, as shown in FIG. 2C, the entire acoustic wave element is baked to perform masking so that parts of the
これにより、図2(d)に示す様に、第2のパターニング露光において、マスクから露出していた部分のイメージリバーサル型レジスト41が現像液に対して不溶性となる。 As a result, as shown in FIG. 2D, in the second patterning exposure, the portion of the image reversal resist 41 exposed from the mask becomes insoluble in the developer.
次に、図2(e)に示す様に、イメージリバーサル型レジスト41に対して現像を行い、レジストパターンを形成させる。即ち、第1の導体23の一部の上と第2の導体24の一部の上とに下方から上方に向けて広がる逆テーパ形状のレジストパターンが形成され、第3の導体25を覆うように上方から下方に向けて広がる順テーパ形状のレジストパターンが形成される。
Next, as shown in FIG. 2E, the image reversal resist 41 is developed to form a resist pattern. That is, a reverse taper-shaped resist pattern that extends from below to above is formed on a part of the
その後、図2(f)に示すように、圧電基板21の上とレジストパターンの上に導体膜42を蒸着させ、次に、図2(g)に示すように、レジスト剥離液を用いてリフトオフを行い、第1の導体23の一部の上と第2の導体24の一部の上のレジストパターン及びこの上の導体膜42を除去する。その結果、第4の導体26は、第3の導体25を覆うイメージリバーサル型レジスト41と第1の導体23の端と第2の導体24の端とを覆うように形成され、第1の導体23と第2の導体24とを電気的に接続することとなる。
Thereafter, as shown in FIG. 2 (f), a
尚、イメージリバーサル型レジスト41でなく、一般的なポジ型レジストを用いた場合でも、図2(e)に示すようなレジストパターンを作製することができる。ただ、その場合、第1の導体23及び第2の導体24の上方のレジストパターンが順テーパを有することとなる。その結果、図2(f)に示す導体膜形成工程において、第1の導体23の一部の上と第2の導体24の一部の上のレジストパターンの側壁に導体膜42が付着してしまい、図2(g)に示すリフトオフ工程において、その付着によって、第1の導体23の一部の上と第2の導体24の一部の上のレジストパターンに対するレジスト剥離液の浸透が不十分になり、そのリフトオフが困難となる。したがって、イメージリバーサル型レジスト41を用いることにより、図2(g)に示すリフトオフ工程を容易に実現することが可能となるのである。
Note that even when a general positive resist is used instead of the image reversal resist 41, a resist pattern as shown in FIG. However, in that case, the resist pattern above the
以下、この後の工程を、図3(a)〜(f)を用いて説明する。尚、図3は、本実施の形態1における弾性波素子の製造工程を示す断面模式図であり、図3の断面は、完成後、図1(a)のC−Dにおける断面となる。 Hereinafter, the subsequent steps will be described with reference to FIGS. FIG. 3 is a schematic cross-sectional view showing the manufacturing process of the acoustic wave device according to the first embodiment, and the cross-section of FIG. 3 becomes a cross-section taken along line CD in FIG.
図3(a)に示す工程は、図2(g)に示す工程と同じ工程であり、リフトオフ工程終了時の状態である。この状態では、第3の導体25と第4の導体26が電気的に接続されている状態であるので、これらを分断する工程を以下に説明する。
The process shown in FIG. 3A is the same as the process shown in FIG. 2G, and is in a state at the end of the lift-off process. In this state, the
まず、図3(b)に示すように、圧電基板21の上面にレジスト43を塗布する。そして、図3(c)に示すように、第3の導体25と第4の導体26との間を露出するように圧電基板21の上面にマスキングを行い、圧電基板21の上方からレジスト43に対しパターニング露光を行う。
First, as shown in FIG. 3B, a resist 43 is applied to the upper surface of the
次に、図3(d)に示すように、レジスト43に対して現像を行い、第3の導体25と第4の導体26との間を接続している導体をレジスト43から露出させる。
Next, as shown in FIG. 3D, the resist 43 is developed to expose the conductor connecting the
次に、図3(e)に示すように、圧電基板21の上面からのドライエッチング等のエッチングにより、第3の導体25と第4の導体26とを電気的に分断させる。
Next, as shown in FIG. 3E, the
次に、図3(f)に示すように、図3(c)の工程においてマスキングされたレジストを、レジスト剥離液を用いて除去する。 Next, as shown in FIG. 3F, the resist masked in the step of FIG. 3C is removed using a resist stripping solution.
上記のように、実施の形態1の弾性波素子は、第3の導体25と第4の導体26との絶縁を取る手段として製造工程で用いるレジスト層40を用いる。即ち、レジスト層40は、製造工程において下方に広がる順テーパ形状を形成するので、レジスト層40において、ほぼ直角な角部がなくなる、若しくは、この角部が鈍角となる。その結果、レジスト層40の上に形成する第4の導体26の接続信頼性を向上させることができるのである。
As described above, the elastic wave element according to the first embodiment uses the resist
本発明にかかる弾性波素子は、この弾性波素子上の導体間の接続信頼性を向上させることができ、通信機器等に適用可能である。 The acoustic wave device according to the present invention can improve the connection reliability between conductors on the acoustic wave device, and can be applied to communication equipment and the like.
21 圧電基板
22 櫛歯電極
23 第1の導体
24 第2の導体
25 第3の導体
26 第4の導体
40 レジスト層
DESCRIPTION OF
Claims (8)
前記圧電基板の上に配置された櫛歯電極及び第1、第2、第3の導体と、
前記圧電基板の上に前記第3導体を覆うように配置されたレジスト層と、
前記レジスト層の上に配置されて前記第1の導体と前記第2の導体とを電気的に接続する第4の導体とを備えた弾性波素子。 A piezoelectric substrate;
A comb electrode and first, second and third conductors disposed on the piezoelectric substrate;
A resist layer disposed on the piezoelectric substrate so as to cover the third conductor;
An elastic wave device comprising a fourth conductor disposed on the resist layer and electrically connecting the first conductor and the second conductor.
少なくとも前記第3の導体にマスキングを行い前記レジストに対し露光する工程と、
前記レジストに対して現像を行い、前記第3の導体を覆うように上方から下方にむけて広がる順テーパ形状のレジストパターンを形成する工程と、
前記レジストパターンと前記第1導体の一部と第2導体の一部とを覆うように前記第4の導体を蒸着させる工程とを有する弾性波素子の製造方法。 Forming a resist on the piezoelectric substrate and on the first, second, and third conductors disposed on the piezoelectric substrate;
Masking at least the third conductor and exposing the resist; and
Developing the resist, and forming a forward tapered resist pattern that spreads from the top to the bottom so as to cover the third conductor;
A method of manufacturing an acoustic wave device comprising: depositing the fourth conductor so as to cover the resist pattern, a part of the first conductor, and a part of the second conductor.
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---|---|---|---|
JP2008190562A JP2010028701A (en) | 2008-07-24 | 2008-07-24 | Acoustic wave element and communication apparatus employing the same, and method of manufacturing acoustic wave element |
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10418966B2 (en) | 2015-12-25 | 2019-09-17 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Elastic wave device having a cut in a busbar electrode layer |
-
2008
- 2008-07-24 JP JP2008190562A patent/JP2010028701A/en active Pending
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US10418966B2 (en) | 2015-12-25 | 2019-09-17 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Elastic wave device having a cut in a busbar electrode layer |
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