JP2010023482A - 発光装置および電子機器 - Google Patents

Abstract

【課題】素子群の両側に配置された駆動回路の特性がばらつくことを抑制する。
【解決手段】Ｘ方向に沿って配列する複数の発光素子１４からなる素子群Ｇと、素子群Ｇから見てＸ方向の負側に配置されて素子群Ｇに属する２以上の第１発光素子１４ａの各々を駆動する複数の第１駆動回路２０ａと、素子群Ｇから見てＸ方向の正側に配置されて素子群Ｇに属する２以上の第２発光素子１４ｂの各々を駆動する複数の第２駆動回路２０ｂと、を備え、各第１駆動回路２０ａに含まれるトランジスタの半導体層のＸ方向における位置は、各第２駆動回路２０ｂに含まれるトランジスタの半導体層のＸ方向における位置と同じである。
【選択図】 図２

Description

本発明は、発光装置および電子機器に関する。

例えば電子写真方式の画像形成装置においては、感光体ドラムなどの像担持体に静電潜像を形成するための光ヘッドとして、複数の発光素子を基板上に配置した発光装置が用いられる。そのような発光装置が像担持体に形成する画像（潜像）を高精細化するために、発光素子間のピッチを狭くするという技術が考えられる。例えば特許文献１においては、図１４に示すように、複数の発光素子が主走査方向（図１４に示すＸ方向）に沿って配置されて構成される素子群の両側（素子群から見て図１４に示すＹ方向の正側および負側）に複数の発光素子の各々を駆動するための複数の駆動回路を配置する技術が開示されている。特許文献１の構成によれば、素子群の片側（素子群から見てＹ方向の正側および負側の何れか）のみに複数の駆動回路が配置された態様に比べて発光素子間のピッチを狭くできるから、画像の高解像度化が可能となる。

特開２００１−２０５８４７号公報

ところで、上述の発光装置においては、素子群を構成する複数の発光素子と、複数の駆動回路とが同一基板上に形成され、駆動回路には、発光素子に供給される駆動電流の制御に用いられる薄膜トランジスタが含まれる。駆動回路に含まれる薄膜トランジスタの半導体層を基板上に形成するプロセスでは、シリコンを結晶化するためにレーザを照射する。図１４において、レーザの照射は、照射範囲をＹ方向に沿って順次に移動させながら実行され、１回当たりのレーザ照射範囲は図１４に示す点線で囲まれた範囲である。図１４に示すように、１回当たりのレーザ照射範囲の長手方向は、各駆動回路が配列するＸ方向に沿って延びている。

ここで、１回当たりのレーザ照射範囲において、その長手方向（図１４に示すＸ方向）における位置によってレーザの光量が異なる場合がある。図１４に示す構成では、素子群から見てＹ方向の負側の駆動回路ＰのＸ方向における位置と、素子群から見てＹ方向の正側の駆動回路ＱのＸ方向における位置とが異なるから、Ｘ方向における位置に応じてレーザの光量が異なると、駆動回路Ｐに照射されるレーザの光量と、駆動回路Ｑに照射されるレーザの光量とが異なる。これにより、駆動回路Ｐの特性と、駆動回路Ｑの特性とがばらついてしまうという問題があった。
以上の事情に鑑みて、本発明は、素子群の両側に配置された駆動回路の特性がばらつくことを抑制するという課題の解決を目的としている。

以上の課題を解決するために、本発明に係る発光装置は、第１方向に沿って配列する複数の発光素子からなる素子群と、素子群に属する２以上の第１発光素子の各々を駆動する複数の第１駆動回路と、素子群に属する２以上の第２発光素子の各々を駆動する複数の第２駆動回路と、を備え、素子群の少なくとも一部は、第１方向とは異なる第２方向において、複数の第１駆動回路と複数の第２駆動回路との間に配置され、各第１駆動回路に含まれる少なくとも１つのトランジスタの半導体層の第１方向における位置は、各第２駆動回路に含まれる少なくとも１つのトランジスタの半導体層の第１方向における位置と同じである。
また、本発明の別の観点によれば、本発明に係る発光装置は、基板と、第１発光素子と、第２発光素子と、第３発光素子と、第４発光素子とを少なくとも含む素子群と、第１発光素子を駆動する第１駆動回路と、第２発光素子を駆動する第２駆動回路と、第３発光素子を駆動する第３駆動回路と、第４発光素子を駆動する第４駆動回路と、を備え、素子群は、基板上の第１の領域に配置され、第１駆動回路と、第３駆動回路は、基板上の第２の領域に配置され、第２駆動回路と、第４駆動回路は、基板上の第３の領域に配置され、第１の領域は、第２の領域と第３の領域の間の領域であり、第１駆動回路に含まれる少なくとも１つのトランジスタの半導体層は、第１の領域を挟んで、第２駆動回路に含まれる少なくとも１つのトランジスタの半導体層と対向して配置され、第３駆動回路に含まれる少なくとも１つのトランジスタの半導体層は、第１の領域を挟んで、第４駆動回路に含まれる少なくとも１つのトランジスタの半導体層と対向して配置される。また、好ましくは、本発明に係る発光装置は、基板と、第１発光素子と、第２発光素子と、第３発光素子と、第４発光素子とを少なくとも含む素子群と、第１発光素子に供給される駆動電流の経路上に設けられた第１駆動トランジスタと、第２発光素子に供給される駆動電流の経路上に設けられた第２駆動トランジスタと、第３発光素子に供給される駆動電流の経路上に設けられた第３駆動トランジスタと、第４発光素子に供給される駆動電流の経路上に設けられた第４駆動トランジスタと、を備え、素子群は、基板上の第１の領域に配置され、第１駆動トランジスタと、第３駆動トランジスタは、基板上の第２の領域に配置され、第２駆動トランジスタと、第４駆動トランジスタは、基板上の第３の領域に配置され、第１の領域は、第２の領域と第３の領域の間の領域であり、第１駆動トランジスタの半導体層は、第１の領域を挟んで、第２駆動トランジスタの半導体層と対向して配置され、第３駆動トランジスタの半導体層は、第１の領域を挟んで、第４駆動トランジスタの半導体層と対向して配置される。

また、以上の課題を解決するために、本発明に係る発光装置は、第１方向に沿って配列する複数の発光素子からなる素子群と、素子群から見て第１方向とは異なる第２方向の一方側に配置されて素子群に属する２以上の第１発光素子の各々を駆動する複数の第１駆動回路と、
素子群から見て第２方向の他方側に配置されて素子群に属する２以上の第２発光素子の各々を駆動する複数の第２駆動回路と、を備え、各第１駆動回路に含まれる少なくとも１つのトランジスタの半導体層の第１方向における位置は、各第２駆動回路に含まれる少なくとも１つのトランジスタの半導体層の第１方向における位置と同じである。

この構成においては、各第１駆動回路に含まれるトランジスタの半導体層の第１方向における位置は、各第２駆動回路に含まれるトランジスタの半導体層の第１方向における位置と同じであるから、第１方向における位置に応じてレーザの光量が異なる場合でも、第１駆動回路に照射されるレーザの光量と、素子群を挟んで当該第１駆動回路の反対側に配置された第２駆動回路に照射されるレーザの光量とがばらつくことを抑制できる。従って、第１駆動回路の特性と、素子群を挟んで当該第１駆動回路の反対側に配置された第２駆動回路の特性とがばらつくことを抑制できるという利点がある。

本発明に係る発光装置として、複数の第１駆動回路の各々は、第１発光素子に供給される駆動電流の経路上に設けられる第１駆動トランジスタを含み、複数の第２駆動回路の各々は、第２発光素子に供給される駆動電流の経路上に設けられる第２駆動トランジスタを含み、各第１駆動トランジスタの半導体層の第１方向における位置は、各第２駆動トランジスタの半導体層の第１方向における位置と同じであることが好ましい。

この構成によれば、第１駆動回路の第１駆動トランジスタの特性と、素子群を挟んで当該第１駆動回路の反対側に配置された第２駆動回路の第２駆動トランジスタの特性とがばらつくことを抑制できるから、素子群の中心線を挟んで反対側に配置された各駆動回路（第１駆動回路、第２駆動回路）を流れる駆動電流がばらつくことを抑制できるという利点がある。

本発明に係る発光装置として、複数の第１駆動回路の各々は、第１発光素子に供給される駆動電流の経路上に設けられる第１駆動トランジスタのゲートに対するデータ信号の供給の可否を決定する第１選択トランジスタを含み、複数の第２駆動回路の各々は、第２発光素子に供給される駆動電流の経路上に設けられる第２駆動トランジスタのゲートに対するデータ信号の供給の可否を決定する第２選択トランジスタを含み、各第１選択トランジスタの半導体層の第１方向における位置は、各第２選択トランジスタの半導体層の第１方向における位置と同じであることが好ましい。

この構成によれば、第１駆動回路の第１選択トランジスタの特性と、素子群を挟んで当該第１駆動回路の反対側に配置された第２駆動回路の第２選択トランジスタの特性とがばらつくことを抑制できるから、各駆動回路（第１駆動回路，第２駆動回路）において、選択トランジスタを介してリークする電荷量のばらつきが抑制される。従って、各駆動回路内の駆動トランジスタのゲートの電位の変動量がばらつくことを抑制できるという利点がある。

本発明に係る発光装置として、複数の第１駆動回路の各々は、第１電極と、当該第１駆動回路に含まれるトランジスタの半導体層と同層から形成される第２電極とを有するとともに、第１駆動トランジスタのゲートの電位を保持するための第１の容量素子を含み、複数の第２駆動回路の各々は、第３電極と、当該第２駆動回路に含まれるトランジスタの半導体層と同層から形成される第４電極とを有するとともに、第２駆動トランジスタのゲートの電位を保持するための第２の容量素子を含み、各第１の容量素子の第１方向における位置は、各第２の容量素子の第１方向における位置と同じであることが好ましい。

この構成によれば、第１駆動回路内の第１の容量素子の特性（抵抗値）と、素子群を挟んで当該第１駆動回路の反対側に配置された第２駆動回路内の第２の容量素子の特性とがばらつくことを抑制できるから、各駆動回路（第１駆動回路，第２駆動回路）の駆動トランジスタのゲートの電位（ひいては駆動電流の電流値）がばらつくことを抑制できるという利点がある。

本発明に係る発光装置として、第１駆動トランジスタに流れる駆動電流の方向は、第２駆動トランジスタに流れる駆動電流の方向と同じであることが好ましい。この構成によれば、第１駆動回路の第１駆動トランジスタに流れる駆動電流の方向と、素子群を挟んで当該第１駆動回路の反対側に配置された第２駆動回路の第２駆動トランジスタに流れる駆動電流の方向とが異なる態様に比べて、第１駆動回路の駆動トランジスタに流れる駆動電流の電流値と、素子群を挟んで当該第１駆動回路の反対側に配置された第２駆動回路の駆動トランジスタに流れる駆動電流の電流値とがばらつくことを抑制できるという利点がある。

本発明に係る発光装置として、各第１駆動回路に含まれるトランジスタと、各第２駆動回路に含まれるトランジスタとは、第１方向に沿って延びる素子群の中心線（例えば図２に示す直線Ａ、図６に示す直線Ｂ３、図８に示す直線Ｈ５）に対して対称に配置されることが好ましい。

本発明に係る発光装置として、各第１駆動回路における各要素の配置の態様と、各第２駆動回路における各要素の配置の態様とは、第１方向に沿って延びる素子群の中心線（例えば図２に示す直線Ａ、図６に示す直線Ｂ３、図８に示す直線Ｈ５）に対して対称であることが好ましい。ここで、各駆動回路における各要素の配置の態様には、各駆動回路における各要素（例えばトランジスタや容量素子等）の位置や形態（形状、サイズ、構成）が含まれる。

本発明に係る発光装置として、複数の発光素子は千鳥状に配置されることが好ましい。この構成によれば、発光素子間のピッチを狭くすることができるから、画像の高解像度化が可能になるという利点がある。

次に、本発明に係る電子機器は、以上に例示した各発光装置を備える。本発明に係る発光装置は各種の電子機器に利用される。本発明に係る電子機器の典型例は、以上の各発光装置を感光体ドラムなどの像担持体の露光に利用した電子写真方式の画像形成装置である。画像形成装置は、露光によって潜像が形成される像担持体と、像担持体を露光する本発明の発光装置と、像担持体の潜像に対する現像材（例えばトナー）の付加によって顕像を形成する現像器とを含む。

第１実施形態に係る画像形成装置の部分的な構成を示す斜視図である。 第１実施形態に係る発光装置の概略構成を示す平面図である。 第１実施形態に係る発光装置の具体的な構造を示す平面図である。 各駆動回路内の各要素の位置関係を示す図である。 第１実施形態に係る発光装置の平面図である。 発光装置の概略構成を示す平面図である。 発光装置の具体的な構造を示す平面図である。 各駆動回路内の各要素の位置関係を示す図である。 第２実施形態に係る発光装置の概略構成を示す平面図である。 第２実施形態に係る発光装置の具体的な構造を示す平面図である。 本発明の変形例に係る発光装置の概略構成を示す平面図である。 レーザ照射の他の例を示す図である。 本発明に係る電子機器の具体例（画像形成装置）を示す斜視図である。 従来の発光装置の概略構成を示す平面図である。

＜Ａ：第１実施形態＞
図１は、本発明の第１実施形態に係る発光装置を露光装置（光ヘッド）として利用した画像形成装置の部分的な構成を示す斜視図である。同図に示すように、画像形成装置は発光装置１０と集光性レンズアレイ１１と感光体ドラム（像担持体）１２とを含む。発光装置１０は、基板１３の表面に直線状に配列された多数の発光素子（図１においては図示略）を含む。これらの発光素子は、用紙などの記録材に印刷されるべき画像の態様に応じて選択的に発光する。感光体ドラム１２は、Ｘ方向（主走査方向）に延在する回転軸に支持され、外周面を発光装置１０に対向させた状態でＹ方向（記録材が搬送される副走査方向）に回転する。

集光性レンズアレイ１１は発光装置１０と感光体ドラム１２との間隙に配置される。発光装置１０の各発光素子からの出射光は集光性レンズアレイ１１の各レンズを透過したうえで感光体ドラム１２の表面に到達する。この露光によって感光体ドラム１２の表面には所望の画像に応じた潜像（静電潜像）が形成される。

図２は、本実施形態に係る発光装置１０の概略構成を示す平面図である。基板１３の表面には、素子群Ｇが配置される。素子群Ｇは、Ｘ方向に配列する複数の発光素子１４（１４ａ，１４ｂ）で構成される。図２に示すように、各発光素子１４の中心は、Ｘ方向に沿って延びる直線Ａ上に位置する。本実施形態では、複数の発光素子１４は、２以上の第１発光素子１４ａと２以上の第２発光素子１４ｂとからなる。図２に示すように、第１発光素子１４ａと第２発光素子１４ｂとはＸ方向に沿って交互に配置される。また、本実施形態では、発光素子１４は、陽極と陰極との間に有機ＥＬ材料の発光層を介在させた有機ＥＬ素子である。

図２に示すように、素子群Ｇから見てＹ方向の負側には、２以上の第１発光素子１４ａの各々を駆動する複数の第１駆動回路２０ａが配置される。複数の第１駆動回路２０ａは、素子群Ｇに沿ってＸ方向に配列する。また、素子群Ｇから見てＹ方向の正側には、２以上の第２発光素子１４ｂの各々を駆動する複数の第２駆動回路２０ｂが配置される。複数の第２駆動回路２０ｂは、素子群Ｇに沿ってＸ方向に配列する。図２に示すように、各第１駆動回路２０ａと各第２駆動回路２０ｂとは、直線Ａに対して対称に配置される。

図２に示すひとつの第１駆動回路２０ａに着目して、第１駆動回路２０ａの構成について説明する。図２に示すように、第１駆動回路２０ａは、Ｎチャネル型の駆動トランジスタＴｄと、Ｎチャネル型の選択トランジスタＴｒと、容量素子Ｃとを含む。

駆動トランジスタＴｄは第１発光素子１４ａに供給される駆動電流Ｉｄｓの経路上に設けられる。図２に示すように、駆動トランジスタＴｄのドレインは、電源電位ＶＥＬが供給される電源線３０に接続される一方、ソースは第１発光素子１４ａの陽極に接続される。第１発光素子１４ａに供給される駆動電流Ｉｄｓは、駆動トランジスタＴｄのゲートの電位に応じた電流値となる。

容量素子Ｃは、駆動トランジスタＴｄのゲートの電位を保持するための手段である。図２に示すように、容量素子Ｃは第１電極Ｌ１と第２電極Ｌ２とを有する。第１電極Ｌ１は定電位ＶＱが供給される保持容量線３２と接続され、第２電極Ｌ２は駆動トランジスタＴｄのゲートと接続される。

選択トランジスタＴｒは、駆動トランジスタＴｄのゲートに対するデータ信号ｄの供給の可否を決定するスイッチング手段である。図２に示すように、選択トランジスタＴｒのドレインは、データ信号ｄが供給されるデータ線３４に接続される一方、ソースは駆動トランジスタＴｄのゲートおよび容量素子Ｃの第２電極Ｌ２に接続される。選択トランジスタＴｒのゲートは、走査信号Ｇが供給される走査線３６と接続される。選択トランジスタＴｒは、ゲートに供給される走査信号Ｇに応じてオン状態およびオフ状態が切り替わり、選択トランジスタＴｒがオン状態になると、データ線３４からのデータ信号ｄが駆動トランジスタＴｄのゲートに供給されるとともに、容量素子Ｃに書き込まれる。

なお、他の第１駆動回路２０ａの構成および各第２駆動回路２０ｂの構成も以上に説明したひとつの第１駆動回路２０ａの構成と同様である。

図３は、本実施形態に係る発光装置１０の具体的な構造を示す平面図である。図３において、同じハッチングが付された複数の要素は、共通の膜体（単層および複数層の何れであるかは不問である）の選択的な除去によって同一の工程で形成される。複数の要素が共通の膜体の選択的な除去によって同一の工程で形成されることを以下では単に「同層から形成される」と表記する。なお、各層間には絶縁層等の層が介在しているが、図３においては図示を省略している。

図３に示すように、電源線３０と保持容量線３２とデータ線３４とは同層から形成され、それぞれＸ方向に沿って延びる。電源線３０とデータ線３４との間の領域には、各駆動回路２０の各要素が配置される。図３において、ひとつの第１駆動回路２０ａに着目して、当該第１駆動回路２０ａに含まれる各要素の構造について説明する。図３に示すように、駆動トランジスタＴｄの半導体層４１は、選択トランジスタＴｒの半導体層５１と、容量素子Ｃの第２電極Ｌ２と同層から形成される。駆動トランジスタＴｄのゲート層４３は、選択トランジスタＴｒのゲート層５３と、容量素子Ｃの第１電極Ｌ１と同層から形成される。駆動トランジスタＴｄのドレイン層４５は電源線３０に連続し、コンタクトホールＣＨ１を介して半導体層４１と導通する。駆動トランジスタＴｄのソース層４７はドレイン層４５と同層から形成され、コンタクトホールＣＨ２を介して半導体層４１と導通するとともにコンタクトホールＣＨ３を介して配線層６０ａと導通する。

配線層６０ａは、第１発光素子１４ａの陽極６２ａに連続する。図３においては図示を省略しているが、陽極６２ａの上には有機ＥＬ材料からなる発光層が形成され、発光層上には陰極が形成される。発光層からの出射光は陽極６２ａと基板１３とを透過して感光体ドラム（像担持体）１２側に出射する。すなわち、本実施形態に係る発光装置１０はボトムエミッション型である。

また、図３において、配線層６０ａに連続する第１発光素子１４ａの陽極６２ａと、第２駆動回路２０ｂ内のソース層４７に導通する配線層６０ｂに連続する第２発光素子１４ａの陽極６２ｂとは、第１発光素子１４ａの中心Ｄと第２発光素子１４ｂの中心Ｅとの間の中点Ｆを中心として、点対称に配置される。

図３に示すように、選択トランジスタＴｒのゲート層５３はコンタクトホールＣＨ４を介して走査線３６と接続される。走査線３６は駆動トランジスタＴｄのドレイン層４５と同層から形成される。選択トランジスタＴｒのドレイン層５５はデータ線３４に連続し、コンタクトホールＣＨ５を介して半導体層５１と導通する。選択トランジスタＴｒのソース層５７は駆動トランジスタＴｄのドレイン層４５と同層から形成され、コンタクトホールＣＨ６を介して半導体層５１と導通する。また、図３に示すように、選択トランジスタＴｒのソース層５７は、コンタクトホールＣＨ７を介して駆動トランジスタＴｄのゲート層４３と導通し、コンタクトホールＣＨ８を介して容量素子Ｃの第２電極Ｌ２と導通する。

図３に示すように、容量素子Ｃの第１電極Ｌ１はコンタクトホールＣＨ９を介して保持容量線３２と導通する。

図３において、各第１駆動回路２０ａにおける各要素（特に、駆動トランジスタＴｄ、選択トランジスタＴｒ、容量素子Ｃ）の配置の態様（レイアウト）と、各第２駆動回路における各要素の配置の態様とは、素子群Ｇの中心線Ａに対して線対称である。具体的な内容については、図４を参照しながら以下に説明する。図４は、第１駆動回路２０ａ内の半導体層４１および５１、容量素子Ｃの第２電極Ｌ２と、第２駆動回路２０ｂ内の半導体層４１および５１、容量素子Ｃの第２電極Ｌ２との位置関係を示す模式図である。

第１駆動回路２０ａの駆動トランジスタＴｄの半導体層４１と、第２駆動回路２０ｂの駆動トランジスタＴｄの半導体層４１とは、以下に説明するように、素子群Ｇの中心線Ａに対して線対称の関係にある。先ず、第１駆動回路２０ａ内の半導体層４１と第２駆動回路２０ｂ内の半導体層４１とは、Ｘ方向の位置が同じである。すなわち、図４に示すように、第１駆動回路２０ａ内の半導体層４１および第２駆動回路２０ｂ内の半導体層４１の双方とも、間隔をあけてＹ方向に延在する直線ｍ１と直線ｍ２とにわたって形成される。また、第１駆動回路２０ａ内の半導体層４１と第２駆動回路２０ｂ内の半導体層４１とは、形状およびサイズ（大きさ）が共通する。さらに、第１駆動回路２０ａ内の半導体層４１と第２駆動回路２０ｂ内の半導体層４１とは、中心線Ａから等距離（図４に示すｄｙ１）にある。

同様に、第１駆動回路２０ａの選択トランジスタＴｒの半導体層５１と、第２駆動回路２０ｂの選択トランジスタＴｒの半導体層５１とは、中心線Ａに対して線対称の関係にある。すなわち、第１駆動回路２０ａ内の半導体層５１と第２駆動回路２０ｂ内の半導体層５１とは、Ｘ方向の位置や形状およびサイズが共通で、中心線Ａから等距離（図４に示すｄｙ２）にある。

同様に、第１駆動回路２０ａの容量素子Ｃの第２電極Ｌ２と第２駆動回路２０ｂの容量素子Ｃの第２電極Ｌ２とは、中心線Ａに対して線対称の関係にある。先ず、第１駆動回路２０ａ内の第２電極Ｌ２と第２駆動回路２０ｂ内の第２電極Ｌ２とは、Ｘ方向の位置が同じである。すなわち、図４に示すように、第１駆動回路２０ａ内の第２電極Ｌ２および第２駆動回路２０ｂ内の第２電極Ｌ２の双方とも、間隔をあけてＹ方向に延在する直線ｍ３と直線ｍ４とにわたって形成される。また、第１駆動回路２０ａ内の第２電極Ｌ２と第２駆動回路２０ｂ内の第２電極Ｌ２とは、形状およびサイズが共通し、中心線Ａから等距離（図４に示すｄｙ３）にある。

ところで、本実施形態においては、各半導体層４１および５１、各容量素子Ｃの第２電極Ｌ２は、非晶質のシリコン膜にレーザを照射（レーザアニール）して形成されたポリシリコンの膜体である。各半導体層４１および５１、各第２電極Ｌ２へのレーザの照射は、図５に示すように照射範囲をＹ方向に沿って順次に移動させながら実行され、１回当たりのレーザ照射範囲は図５に示す点線で囲まれた範囲である。図５に示すように、１回当たりのレーザ照射範囲の長手方向は、各駆動回路２０が配列するＸ方向に沿って延びている。そして、１回当たりのレーザ照射範囲においては、その長手方向（Ｘ方向）における位置によってレーザの光量が異なる場合がある。

ここで、本実施形態においては、各第１駆動回路２０ａ内の半導体層４１のＸ方向における位置と、各第２駆動回路２０ｂ内の半導体層４１のＸ方向における位置とが同じであるから、Ｘ方向における位置に応じてレーザの光量が異なる場合であっても、中心線Ａを挟んで反対側に位置する各駆動回路２０（２０ａ，２０ｂ）内の半導体層４１に照射されるレーザの光量のばらつきが抑制される。従って、第１駆動回路２０ａ内の駆動トランジスタＴｄと、中心線Ａを挟んで当該第１駆動回路２０ａの反対側（第１駆動回路２０ａから見てＹ方向の正側）に配置された第２駆動回路２０ｂ内の駆動トランジスタＴｄの特性とがばらつくことを抑制できる。これにより、第１駆動回路２０ａを流れる駆動電流Ｉｄｓの電流値と、中心線Ａを挟んで当該第１駆動回路２０ａの反対側に配置された第２駆動回路２０ｂを流れる駆動電流Ｉｄｓの電流値とがばらつくことを抑制できる。

また、本実施形態においては、各第１駆動回路２０ａ内の半導体層５１のＸ方向における位置と、各第２駆動回路２０ｂ内の半導体層５１のＸ方向における位置とが同じであるから、中心線Ａを挟んで反対側に位置する各駆動回路２０（２０ａ，２０ｂ）内の半導体層５１に照射されるレーザの光量のばらつきが抑制される。従って、中心線Ａを挟んで反対側に位置する各駆動回路２０（２０ａ，２０ｂ）内の選択トランジスタＴｒの特性がばらつくことを抑制できる。

ここで、容量素子Ｃによって保持された電荷が選択トランジスタＴｒを通ってデータ線３４へリークする場合がある。本実施形態によれば、中心線Ａを挟んで反対側に位置する各駆動回路２０（２０ａ，２０ｂ）内の選択トランジスタＴｒの特性がばらつくことが抑制されるから、各々において、容量素子Ｃから選択トランジスタＴｒを介してリークする電荷量のばらつきが抑制される。従って、中心線Ａを挟んで反対側に位置する各駆動回路２０（２０ａ，２０ｂ）内の駆動トランジスタＴｄのゲートの電位の変動量がばらつくことを抑制できる。

さらに、本実施形態においては、各第１駆動回路２０ａ内の第２電極Ｌ２のＸ方向における位置と、各第２駆動回路２０ｂ内の第２電極Ｌ２のＸ方向における位置とが同じであるから、中心線Ａを挟んで反対側に位置する各駆動回路２０（２０ａ，２０ｂ）内の第２電極Ｌ２に照射されるレーザの光量のばらつきが抑制される。従って、中心線Ａを挟んで反対側に位置する各駆動回路２０（２０ａ，２０ｂ）内の容量素子Ｃの特性（抵抗値）がばらつくことを抑制できるから、各駆動回路２０（２０ａ，２０ｂ）の駆動トランジスタＴｄのゲートの電位（ひいては駆動電流Ｉｄｓの電流値）がばらつくことを抑制できる。

すなわち、本実施形態においては、各第１駆動回路２０ａにおける各要素の配置の態様と、各第２駆動回路２０ｂにおける各要素の配置の態様とが、中心線Ａに対して線対称であるから、中心線Ａを挟んで反対側に位置する各駆動回路２０（２０ａ，２０ｂ）の特性（さらには駆動電流Ｉｄｓの電流値）がばらつくことを抑制できる。これにより、第１駆動回路２０ａによって駆動される第１発光素子１４ａの光量と、中心線Ａを挟んで当該第１駆動回路２０ａの反対側に配置された第２駆動回路２０ｂによって駆動される第２発光素子１４ｂの光量とがばらつくことを抑制できる（つまり、Ｘ方向に隣接する第１発光素子１４ａと第２発光素子１４ｂとの間で光量がばらつくことを抑制できる）という利点がある。

また、本実施形態においては、各第１駆動回路２０ａにおける各要素の配置の態様と、各第２駆動回路における各要素の配置の態様とが、中心線Ａに対して線対称であるから、第１駆動回路２０ａの駆動トランジスタＴｄに流れる駆動電流Ｉｄｓの方向（半導体層４１のドレイン領域からソース領域へ向かう方向）と、第２駆動回路２０ｂの駆動トランジスタＴｄに流れる駆動電流Ｉｄｓの方向とは同じ（本実施形態ではＸ方向の正側へ向かう方向）である。従って、中心線Ａを挟んで反対側に位置する各駆動回路２０（２０ａ，２０ｂ）の駆動トランジスタＴｄに流れる駆動電流Ｉｄｓが逆方向である態様と比べて、各駆動回路２０（２０ａ，２０ｂ）を流れる駆動電流Ｉｄｓの電流値がばらつくことを抑制できるという利点がある。
また、図３に示すように、第１発光素子１４ａの中心Ｄと駆動トランジスタＴｄとの位置関係を、第２発光素子１４ｂの中心Ｅと駆動トランジスタＴｄの位置関係と同じになるように配置することが好ましい。そして、陽極６２ａと駆動トランジスタＴｄとを接続する配線６０ａは、陽極６２ｂと駆動トランジスタＴｄとを接続する配線６０ｂと同じ長さで構成することが好ましい。これにより、第１発光素子１４ａもしくは第２発光素子１４ｂと駆動トランジスタＴｄとの間の抵抗を同様にすることができる。

本発明の別の観点からは、上述の発光装置１０は、図６〜図８に示されるような態様として捉えることもできる。図６は、発光装置１０の概略構成を示す平面図（図２に対応）である。図７は、発光装置１０の具体的な構造を示す平面図（図３に対応）である。図８は、駆動回路２０内の各要素の位置関係を示す図（図４に対応）である。
図６および図７に示されるように、素子群Ｇは、基板１３上の第１の領域Ｊに配置される。素子群Ｇを構成する複数の発光素子１４は、１以上の第１発光素子１４ａと、１以上の第２発光素子１４ｂと、１以上の第３発光素子１４ｃと、１以上の第４発光素子１４ｄとからなる。第１発光素子１４ａを駆動する第１駆動回路２０ａ、および、第３発光素子１４ｃを駆動する第３駆動回路２０ｃは、基板１３上の第２の領域Ｋに配置される。また、第２発光素子１４ｂを駆動する第２駆動回路２０ｂ、および、第４発光素子１４ｄを駆動する第４駆動回路２０ｄは、基板１３上の第３の領域Ｌに配置される。第１の領域Ｊは、第２の領域Ｋと第３の領域Ｌとの間の領域である。

そして、第１駆動回路２０ａに含まれる少なくとも１つのトランジスタの半導体層は、第１の領域Ｊを挟んで、第２駆動回路２０ｂに含まれる少なくとも１つの半導体層と対向して配置される。より具体的には、以下のとおりである。第１駆動回路２０ａの駆動トランジスタＴｄの半導体層４１は、第１の領域Ｊを挟んで、第２駆動回路２０ｂの駆動トランジスタＴｄの半導体層４１と対向するように配置される。さらに詳述すると、第１駆動回路２０ａ内の半導体層４１と第２駆動回路２０ｂ内の半導体層４１とは、素子群Ｇの中心線Ａに対して線対称の関係になるように配置され、Ｘ方向の位置が同じであることが好ましい。すなわち、図８に示すように、第１駆動回路２０ａ内の半導体層４１および第２駆動回路２０ｂ内の半導体層４１の双方とも、間隔をあけてＹ方向に延在する直線ｍ１と直線ｍ２とにわたって形成されることが好ましい。また、第１駆動回路２０ａ内の半導体層４１と第２駆動回路２０ｂ内の半導体層４１とは、形状およびサイズ（大きさ）が共通することが好ましい。さらに、第１駆動回路２０ａ内の半導体層４１と第２駆動回路２０ｂ内の半導体層４１とは、中心線Ａから等距離（図８に示すｄｙ１）にあることが好ましい。

同様に、第１駆動回路２０ａの選択トランジスタＴｒの半導体層５１は、第１の領域Ｊを挟んで、第２駆動回路２０ｂの選択トランジスタＴｒの半導体層５１と対向して配置される。図８に示すように、第１駆動回路２０ａ内の半導体層５１と第２駆動回路２０ｂ内の半導体層５１とは、素子群Ｇの中心線Ａに対して線対称の関係になるように配置され、Ｘ方向の位置や形状およびサイズが共通で、中心線Ａから等距離（図８に示すｄｙ２）にあることが好ましい。同様に、第１駆動回路２０ａの容量素子Ｃの第２電極Ｌ２は、第１の領域Ｊを挟んで、第２駆動回路２０ｂの容量素子Ｃの第２電極Ｌ２と対向して配置される。図８に示すように、第１駆動回路２０ａ内の第２電極Ｌ２および第２駆動回路２０ｂ内の第２電極Ｌ２の双方とも、間隔をあけてＹ方向に延在する直線ｍ３と直線ｍ４とにわたって形成され、形状およびサイズが共通で、中心線Ａから等距離（図８に示すｄｙ３）にあることが好ましい。

また、第３駆動回路２０ｃに含まれる少なくとも１つのトランジスタの半導体層は、第１の領域Ｊを挟んで、第４駆動回路２０ｄに含まれる少なくとも１つのトランジスタの半導体層と対向して配置される。より具体的には、以下のとおりである。第３駆動回路２０ｃの駆動トランジスタＴｄの半導体層４１は、第１の領域Ｊを挟んで、第４駆動回路２０ｄの駆動トランジスタＴｄの半導体層４１と対向して配置される。さらに詳述すると、第３駆動回路２０ｃ内の半導体層４１と第４駆動回路２０ｄ内の半導体層４１とは、素子群Ｇの中心線Ａに対して線対称の関係になるように配置され、Ｘ方向における位置は同じであることが好ましい。すなわち、図８に示すように、第３駆動回路２０ｃ内の半導体層４１および第４駆動回路２０ｄ内の半導体層４１の双方とも、間隔をあけてＹ方向に延在する直線ｍ５と直線ｍ６とにわたって形成されることが好ましい。また、第３駆動回路２０ｃ内の半導体層４１と第４駆動回路２０ｄ内の半導体層４１とは、形状およびサイズ（大きさ）が共通することが好ましい。さらに、第３駆動回路２０ｃ内の半導体層４１と第４駆動回路２０ｄ内の半導体層４１とは、中心線Ａから等距離（図８に示すｄｙ１）にあることが好ましい。

同様に、第３駆動回路２０ｃの選択トランジスタＴｒの半導体層５１は、第１の領域Ｊを挟んで、第４駆動回路２０ｄの選択トランジスタＴｒの半導体層５１と対向して配置される。図８に示すように、第３駆動回路２０ｃ内の半導体層５１と第４駆動回路２０ｄ内の半導体層５１とは、素子群Ｇの中心線Ａに対して線対称の関係になるように配置され、Ｘ方向の位置や形状およびサイズが共通で、中心線Ａから等距離（図８に示すｄｙ２）にあることが好ましい。同様に、第３駆動回路２０ｃの容量素子Ｃの第２電極Ｌ２は、第１の領域Ｊを挟んで、第４駆動回路２０ｄの容量素子Ｃの第２電極Ｌ２と対向して配置される。図８に示すように、第３駆動回路２０ｃ内の第２電極Ｌ２および第４駆動回路２０ｄ内の第２電極Ｌ２の双方とも、間隔をあけてＹ方向に延在する直線ｍ７と直線ｍ８とにわたって形成され、形状およびサイズが共通で、中心線Ａから等距離（図８に示すｄｙ３）にあることが好ましい。

＜Ｂ：第２実施形態＞
図９は、本発明の第２実施形態に係る発光装置１０の概略構成を示す平面図である。図９に示すように、２以上の第１発光素子１４ａの各々の中心は、Ｘ方向に沿って延びる直線Ｂ１上に位置するようにピッチＰａで配置される。また、２以上の第２発光素子１４ｂの各々の中心は、直線Ｂ１と間隔をあけてＸ方向に延びる直線Ｂ２上に位置するようにピッチＰａで配置される。

図９に示すように、各第１発光素子１４ａと各第２発光素子１４ｂとはＸ方向に異なる位置に配置され、Ｘ方向に隣合う第１発光素子１４ａと第２発光素子１４ｂとの間のＸ方向における距離はＰａ／２である。すなわち、素子群Ｇに属する各発光素子１４は２列の千鳥状に配置されるから、素子群Ｇにおいて互いにＸ方向に隣り合う各発光素子１４のＸ方向における距離（つまり、Ｘ方向に隣合う第１発光素子１４ａと第２発光素子１４ｂとの間のＸ方向における距離Ｐａ／２）は、複数の発光素子１４をピッチＰａで１列のみに配列する構成（例えば図２に示す第１実施形態の構成）に比べて小さくできる。従って、本実施形態の構成によれば、発光装置１０が像担持体に形成する画像（潜像）を第１実施形態の構成に比べて高精細化できるという利点がある。また、換言すれば、発光素子間のピッチを同じにする場合、第１実施形態と比して発光面積をより大きくできる。したがって、発光素子に流れる電流密度を低減でき、長寿命化を図れる。

図１０は、本実施形態に係る発光装置１０の具体的な構造を示す平面図である。図９および図１０に示すように、各第１駆動回路２０ａと各第２駆動回路２０ｂとは、直線Ｂ１および直線Ｂ２からの距離が等しい直線Ｂ３に対して線対称に配置される。より具体的には、図１０において、各第１駆動回路２０ａにおける各要素の配置の態様（レイアウト）と、各第２駆動回路における各要素の配置の態様とは、上述の第１実施形態と同様、素子群Ｇの中心線である直線Ｂ３に対して線対称である。

＜Ｃ：変形例＞
本発明は上述した実施形態に限定されるものではなく、例えば、以下の変形が可能である。また、以下に示す変形例のうちの２以上の変形例を組み合わせることもできる。

（１）変形例１
第２実施形態においては、素子群Ｇに属する各発光素子１４を２列の千鳥状に配置したが、これに限らず、素子群Ｇに属する各発光素子１４の列数は任意である。例えば、図１１に示すように、素子群Ｇに属する各発光素子１４が４列の千鳥状に配置される態様とすることもできる。

図１１において、複数の第１発光素子１４ａの各々は、相互に間隔をあけてＸ方向に延びる直線Ｈ１および直線Ｈ２の各々の線上に位置するように配置される。図１１に示すように、各第１発光素子１４ａのＸ方向における位置は異なり、各第１発光素子１４ａは２列の千鳥状に配置される。

また、複数の第２発光素子１４ｂの各々は、相互に間隔をあけてＸ方向に延びる直線Ｈ３および直線Ｈ４の各々の線上に位置するように配置される。図１１に示すように、各第２発光素子のＸ方向における位置は異なり、各第２発光素子１４ｂは２列の千鳥状に配置される。

図１１に示す直線Ｈ５は、直線Ｈ１および直線Ｈ４からの距離が等しく、かつ、直線Ｈ２および直線Ｈ３からの距離が等しい直線であって、素子群Ｇの中心線に相当する。そして、図１１に示す態様においても、各第１駆動回路２０ａと各第２駆動回路２０ｂとは、素子群Ｇの中心線である直線Ｈ５に対して対称に配置される。

（２）変形例２
上述の各実施形態においては、各第１駆動回路２０ａにおける各要素の配置の態様と、各第２駆動回路における各要素の配置の態様とを、素子群Ｇの中心線（直線Ａ，直線Ｂ３）に対して線対称としたが、これに限らず、素子群Ｇの中心線を挟んで反対側に位置する各駆動回路２０（２０ａ，２０ｂ）における各要素の一部のみが素子群Ｇの中心線に対して線対称である態様とすることもできる。

例えば、素子群Ｇの中心線を挟んで反対側に位置する各駆動回路２０（２０ａ，２０ｂ）の駆動トランジスタＴｄのみが素子群Ｇの中心線に対して対称に配置される態様とすることもできるし、選択トランジスタＴｒのみが素子群Ｇの中心線に対して対称に配置される態様とすることもできる。要するに、各第１駆動回路２０ａに含まれるトランジスタと、各第２駆動回路２０ｂに含まれるトランジスタとが、素子群Ｇの中心線に対して対称に配置される態様であればよい。

また、素子群Ｇの中心線を挟んで反対側に位置する各駆動回路２０（２０ａ，２０ｂ）における各要素が素子群Ｇの中心線に対して線対称であることは必ずしも必要ではない。例えば図４において、素子群Ｇの中心線から第１駆動回路２０ａの半導体層４１までのＹ方向における距離と、素子群Ｇの中心線から第２駆動回路２０ｂの半導体層４１までのＹ方向における距離とが異なる態様とすることもできる。このような態様であっても、各第１駆動回路２０ａ内の半導体層４１のＸ方向における位置と、各第２駆動回路２０ｂ内の半導体層４１のＸ方向における位置とが同じであれば、素子群Ｇの中心線を挟んで反対側に位置する各駆動回路２０（２０ａ，２０ｂ）内の半導体層４１に照射されるレーザの光量のばらつきを抑制できる。従って、素子群Ｇの中心線を挟んで反対側に位置する各駆動回路２０（２０ａ，２０ｂ）内の駆動トランジスタＴｄの特性がばらつくことを抑制できる。

以上においては、駆動トランジスタＴｄの半導体層４１について例示したが、選択トランジスタＴｒの半導体層５１についても同様である。要するに、各第１駆動回路２０ａに含まれるトランジスタの半導体層のＸ方向における位置が、各第２駆動回路２０ｂに含まれるトランジスタの半導体層のＸ方向における位置と同じである態様であればよい。

（３）変形例３
レーザの照射の仕方は以上の例示から変更される。例えば図１２に示すように、レーザの照射は、照射範囲をＸ方向に沿って順次に移動させながら実行され、１回当たりのレーザ照射範囲はＹ方向に延びる態様とすることもできる。図１２に示す態様において、１回当たりのレーザ照射範囲においては長手方向（Ｙ方向）のどの位置でもレーザの光量は同じであるが、ショット毎のレーザの光量が異なる場合がある。第１実施形態においては、各第１駆動回路２０ａにおける各要素の配置の態様と、各第２駆動回路における各要素の配置の態様とが中心線Ａに対して線対称であるから、Ｘ方向における位置に応じてレーザの光量が異なる場合であっても、中心線Ａを挟んで反対側に位置する各駆動回路２０（２０ａ，２０ｂ）に照射されるレーザの光量がばらつくことを抑制できる。すなわち、第１実施形態の構成によれば、図１２に示すような場合でも、中心線Ａを挟んで反対側に位置する各駆動回路２０（２０ａ，２０ｂ）の特性がばらつくことを抑制できる。

（４）変形例４
上述の各実施形態においては、発光素子１４の一例として、有機ＥＬ素子を取り上げたが、無機発光ダイオードやＬＥＤ（Light Emitting Diode）であってもよい。要は、印加される電気エネルギに応じた発光輝度で発光するのであれば、どのような素子であってもよい。但し、直流で駆動される自発光素子であり、特に薄膜トランジスタを用いて制御される発光装置に適用することが好ましい。

＜Ｄ：電子機器＞
次に、図１３を参照して、本発明に係る電子機器のひとつの態様である画像形成装置について説明する。この画像形成装置は、ベルト中間転写体方式を利用したタンデム型のフルカラー画像形成装置である。

この画像形成装置では、各々が同様の構成である４個の発光装置１０Ｋ，１０Ｃ，１０Ｍ，１０Ｙが、各々の構成が同様である４個の感光体ドラム（像担持体）１１０Ｋ，１１０Ｃ，１１０Ｍ，１１０Ｙの像形成面１１０に対向する位置にそれぞれ配置されている。発光装置１０Ｋ，１０Ｃ，１０Ｍ，１０Ｙは、上記の各形態に係る発光装置１０と同様の構成である。

図１３に示すように、この画像形成装置には、駆動ローラ１２１と従動ローラ１２２とが設けられており、これらのローラ１２１，１２２には無端の中間転写ベルト１２０が巻回されて、矢印に示すようにローラ１２１，１２２の周囲を回転させられる。図示しないが、中間転写ベルト１２０に張力を与えるテンションローラなどの張力付与手段を設けてもよい。

この中間転写ベルト１２０の周囲には、外周面に感光層を有する４個の感光体ドラム１１０Ｋ，１１０Ｃ，１１０Ｍ，１１０Ｙが互いに所定の間隔をおいて配置される。添字「Ｋ」，「Ｃ」，「Ｍ」，「Ｙ」はそれぞれ黒、シアン、マゼンタ、イエローの顕像を形成するために使用されることを意味している。他の部材についても同様である。感光体ドラム１１０Ｋ，１１０Ｃ，１１０Ｍ，１１０Ｙは、中間転写ベルト１２０の駆動と同期して回転駆動される。

各感光体ドラム１１０（Ｋ，Ｃ，Ｍ，Ｙ）の周囲には、コロナ帯電器１１１（Ｋ，Ｃ，Ｍ，Ｙ）と、発光装置１０（Ｋ，Ｃ，Ｍ，Ｙ）と、現像器１１４（Ｋ，Ｃ，Ｍ，Ｙ）とが配置されている。コロナ帯電器１１１（Ｋ，Ｃ，Ｍ，Ｙ）は、これに対応する感光体ドラム１１０（Ｋ，Ｃ，Ｍ，Ｙ）の像形成面１１０Ａ（外周面）を一様に帯電させる。発光装置１０（Ｋ，Ｃ，Ｍ，Ｙ）は、各感光体ドラムの帯電した像形成面１１０Ａに静電潜像を書き込む。各発光装置１０（Ｋ，Ｃ，Ｍ，Ｙ）においては、感光体ドラム１１０（Ｋ，Ｃ，Ｍ，Ｙ）の母線（主走査方向）に沿って複数の発光素子２０が配列する。静電潜像の書き込みは、複数の発光素子２０によって感光体ドラム１１０（Ｋ，Ｃ，Ｍ，Ｙ）に光を照射することにより行う。現像器１１４（Ｋ，Ｃ，Ｍ，Ｙ）は、静電潜像に現像剤としてのトナーを付着させることにより感光体ドラム１１０（Ｋ，Ｃ，Ｍ，Ｙ）に顕像（すなわち可視像）を形成する。

このような４色の単色顕像形成ステーションにより形成された黒、シアン、マゼンタ、イエローの各顕像は、中間転写ベルト１２０上に順次に一次転写されることによって中間転写ベルト１２０上で重ね合わされ、この結果としてフルカラーの顕像が形成される。中間転写ベルト１２０の内側には、４つの一次転写コロトロン（転写器）１１２（Ｋ，Ｃ，Ｍ，Ｙ）が配置されている。一次転写コロトロン１１２（Ｋ，Ｃ，Ｍ，Ｙ）は、感光体ドラム１１０（Ｋ，Ｃ，Ｍ，Ｙ）の近傍にそれぞれ配置されており、感光体ドラム１１０（Ｋ，Ｃ，Ｍ，Ｙ）から顕像を静電的に吸引することにより、感光体ドラムと一次転写コロトロンの間を通過する中間転写ベルト１２０に顕像を転写する。

最終的に画像を形成する対象（記録材）としてのシート１０２は、ピックアップローラ１０３によって、給紙カセット１０１から１枚ずつ給送されて、駆動ローラ１２１に接した中間転写ベルト１２０と二次転写ローラ１２６の間のニップに送られる。中間転写ベルト１２０上のフルカラーの顕像は、二次転写ローラ１２６によってシート１０２の片面に一括して二次転写され、定着部である定着ローラ対１２７を通ることでシート１０２上に定着される。この後、シート１０２は、排紙ローラ対１２８によって、装置上部に形成された排紙カセット上へ排出される。

図１３に例示した画像形成装置は、ＯＬＥＤ素子を発光素子として採用した光源（露光手段）を利用しているので、レーザ走査光学系を用いた場合よりも装置が小型化される。なお、以上に例示した以外の電子写真方式の画像形成装置にも本発明の発光装置１０を採用することができる。例えば、中間転写ベルトを使用せずに感光体ドラムからシートに対して直接的に顕像を転写するタイプの画像形成装置や、モノクロの画像を形成する画像形成装置にも本発明に係る発光装置１０を応用することが可能である。

本発明に係る発光装置の用途は感光体の露光に限定されない。例えば、本発明の発光装置は、原稿などの読取対象に光を照射するライン型の光ヘッド（照明装置）としてスキャナなどの画像読取装置に採用される。この種の画像読取装置としては、スキャナ、複写機やファクシミリの読取部分、バーコードリーダ、あるいはＱＲコード（登録商標）のような二次元画像コードを読む二次元画像コードリーダがある。また、複数の発光素子（特に発光素子）を面状に配列した発光装置は、液晶パネルの背面側に配置されるバックライトユニットとしても採用される。また、複数の発光素子を行列状に配列した発光装置は各種の電子機器の表示装置として採用される。

１０……発光装置、１４ａ……第１発光素子、１４ｂ……第２発光素子、２０ａ……第１駆動回路、２０ｂ……第２駆動回路、４１，５１……半導体層、Ｇ……素子群、Ｔｄ……駆動トランジスタ、Ｔｒ……選択トランジスタ、Ｃ……容量素子、Ｌ１……第１電極、Ｌ２……第２電極。

Claims (11)

1. 第１方向に沿って配列する複数の発光素子からなる素子群と、
   前記素子群に属する２以上の第１発光素子の各々を駆動する複数の第１駆動回路と、
   前記素子群に属する２以上の第２発光素子の各々を駆動する複数の第２駆動回路と、を備え、
   前記素子群の少なくとも一部は、前記第１方向とは異なる第２方向において、前記複数の第１駆動回路と前記複数の第２駆動回路との間に配置され、
   前記各第１駆動回路に含まれる少なくとも１つのトランジスタの半導体層の前記第１方向における位置は、前記各第２駆動回路に含まれる少なくとも１つのトランジスタの半導体層の前記第１方向における位置と同じである、
   発光装置。
2. 前記複数の第１駆動回路の各々は、前記第１発光素子に供給される駆動電流の経路上に設けられる第１駆動トランジスタを含み、
   前記複数の第２駆動回路の各々は、前記第２発光素子に供給される駆動電流の経路上に設けられる第２駆動トランジスタを含み、
   前記各第１駆動トランジスタの半導体層の前記第１方向における位置は、前記各第２駆動トランジスタの半導体層の前記第１方向における位置と同じである、
   請求項１の発光装置。
3. 前記複数の第１駆動回路の各々は、前記第１発光素子に供給される駆動電流の経路上に設けられる第１駆動トランジスタのゲートに対するデータ信号の供給の可否を決定する第１選択トランジスタを含み、
   前記複数の第２駆動回路の各々は、前記第２発光素子に供給される駆動電流の経路上に設けられる前記第２駆動トランジスタのゲートに対するデータ信号の供給の可否を決定する第２選択トランジスタを含み、
   前記各第１選択トランジスタの半導体層の前記第１方向における位置は、前記各第２選択トランジスタの半導体層の前記第１方向における位置と同じである、
   請求項１または請求項２の発光装置。
4. 前記複数の第１駆動回路の各々は、第１電極と、当該第１駆動回路に含まれる前記トランジスタの半導体層と同層から形成される第２電極とを有するとともに、前記第１駆動トランジスタのゲートの電位を保持するための第１の容量素子を含み、
   前記複数の第２駆動回路の各々は、第３電極と、当該第２駆動回路に含まれる前記トランジスタの半導体層と同層から形成される第４電極とを有するとともに、前記第２駆動トランジスタのゲートの電位を保持するための第２の容量素子を含み、
   前記各第１の容量素子の前記第１方向における位置は、前記各第２の容量素子の前記第１方向における位置と同じである、
   請求項２または請求項３の発光装置。
5. 前記第１駆動トランジスタに流れる前記駆動電流の方向は、前記第２駆動トランジスタに流れる前記駆動電流の方向と同じである、
   請求項２から請求項４の何れかの発光装置。
6. 前記各第１駆動回路に含まれるトランジスタと、前記各第２駆動回路に含まれる前記トランジスタとは、前記第１方向に沿って延びる前記素子群の中心線に対して対称に配置される、
   請求項１から請求項５の何れかの発光装置。
7. 前記各第１駆動回路における各要素の配置の態様と、前記各第２駆動回路における各要素の配置の態様とは、前記第１方向に沿って延びる前記素子群の中心線に対して対称である、
   請求項１から請求項６の何れかの発光装置。
8. 前記複数の発光素子は千鳥状に配置される、
   請求項１から請求項７の何れかの発光装置。
9. 基板と、
   第１発光素子と、第２発光素子と、第３発光素子と、第４発光素子とを少なくとも含む素子群と、
   前記第１発光素子を駆動する第１駆動回路と、
   前記第２発光素子を駆動する第２駆動回路と、
   前記第３発光素子を駆動する第３駆動回路と、
   前記第４発光素子を駆動する第４駆動回路と、を備え、
   前記素子群は、前記基板上の第１の領域に配置され、
   前記第１駆動回路と、前記第３駆動回路は、前記基板上の第２の領域に配置され、
   前記第２駆動回路と、前記第４駆動回路は、前記基板上の第３の領域に配置され、
   前記第１の領域は、前記第２の領域と前記第３の領域の間の領域であり、
   前記第１駆動回路に含まれる少なくとも１つのトランジスタの半導体層は、前記第１の領域を挟んで、前記第２駆動回路に含まれる少なくとも１つのトランジスタの半導体層と対向して配置され、
   前記第３駆動回路に含まれる少なくとも１つのトランジスタの半導体層は、前記第１の領域を挟んで、前記第４駆動回路に含まれる少なくとも１つのトランジスタの半導体層と対向して配置される、
   発光装置。
10. 基板と、
    第１発光素子と、第２発光素子と、第３発光素子と、第４発光素子とを少なくとも含む素子群と、
    前記第１発光素子に供給される駆動電流の経路上に設けられた第１駆動トランジスタと、
    前記第２発光素子に供給される駆動電流の経路上に設けられた第２駆動トランジスタと、
    前記第３発光素子に供給される駆動電流の経路上に設けられた第３駆動トランジスタと、
    前記第４発光素子に供給される駆動電流の経路上に設けられた第４駆動トランジスタと、を備え、
    前記素子群は、前記基板上の第１の領域に配置され、
    前記第１駆動トランジスタと、前記第３駆動トランジスタは、前記基板上の第２の領域に配置され、
    前記第２駆動トランジスタと、前記第４駆動トランジスタは、前記基板上の第３の領域に配置され、
    前記第１の領域は、前記第２の領域と前記第３の領域の間の領域であり、
    前記第１駆動トランジスタの半導体層は、前記第１の領域を挟んで、前記第２駆動トランジスタの半導体層と対向して配置され、
    前記第３駆動トランジスタの半導体層は、前記第１の領域を挟んで、前記第４駆動トランジスタの半導体層と対向して配置される、
    発光装置。
11. 請求項１から請求項１０の何れかの発光装置を具備する電子機器。
    

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