JP2010018504A - Si(110)表面の一次元ナノ構造及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】Si(110)の<1−12>または<−112>方向に試料片を切り出し、その方向に通電して550℃〜730℃の温度によるエレクトロマイグレーションによって、試料片の領域内でステップ配列構造の均質化によりほぼ完全な単一方向のドメインを形成する。
【選択図】図1
Description
S. Yoshida, et al., Appl. Phys. Lett. 87, 031903 (2005)
Siウェハーの切り出しには、ダイシングブレード(専用カッター)を用いる方法や、レーザー切断による方法などがある。本発明においては、切り出し寸法は特に制限されないが、電流を均一に一方向に流すため、試料はなるべく細い長方形であることが好ましい。
加熱する温度としては、550℃〜730℃が好ましく、600℃〜700℃がより好ましい。550℃未満では、エレクトロマイグレーションによる原子の拡散が十分に起こらず、730℃以上では、一次元構造が破壊されるおそれがあり、かつ結晶学的にも構造が変化してしまう。
エレクトロマイグレーションによる原子の拡散には、加熱温度以外に加熱時間も影響する。一般的に加熱時間が長いほど原子の拡散が十分に起こるため、試料加熱は長時間であるほど有利になる。加熱時間の下限は、試料内での温度分布を均一にする観点から、5分、好ましくは、30分とする。
本発明では、温度と、電圧を印加する方向との双方が重要である。温度に加えて、直流電圧により、原子の電場方向への拡散(エレクトロマイグレーション)が起こる。本発明ではこれを利用してステップを直流印加方向に揃えることが出来る。
従来、原子ステップは、結晶を斜めに切るなどの外的、人工的要因によって形成され、ステップ表面は階段状に上る(もしくは下がる)の一方向のみに傾斜した構造であった(図8(b)参照)。しかしながら、外的、人工的要因によって形成された傾斜面は、上述したように熱的、化学的安定性に欠ける上、幾何学的にいっても、斜めな面は安定性、保持力性に劣るものとなる。
Si(110)表面構造制御による16×2一次元再構成構造の実現は、次の二通りの観点から重要である。一つは、Si(110)のデバイス応用の観点である。複雑であった16×2構造のナノレベルでの均一化の達成は、本表面の微細デバイス応用上重要となる基盤技術となり得る。また、構造のよく定義された一次元性は低次元ナノ構造創製や低次元物性研究において重要となる。本実施形態で得られる一次元構造は、上下を繰り返す単原子ステップと等価であり、それが自己組織化的に配列した稀有な表面構造である。この構造は従来の傾斜面に実現するステップ群よりもよく規定されており、その規則性と安定性の面で傾斜面よりも有用となる。
また、Si(110)の表面構造制御により作成された16×2一次元構造には、表面カイラリティが達成されることが判明した。Si(110)の2方向の一次元原子列は互いに表面不斉の関係にあることが知られている(図1参照)。通常の多ドメイン表面では巨視的にはカイラリティを持たないが、これを単一ドメインにすることでカイラリティが現れる。さらに、Si(110)面に実現可能な単一ドメインは二通りあり(右系、左系)、本実施形態ではその二通りのドメインを選択的に作成することが出来るため、表面カイラリティの制御が可能になったといえる。表面カイラリティは、分子の不斉合成反応の触媒として応用が出来るため数多く研究されているが、本実施形態のように、右系−左系の制御が容易である構造は稀であるため、制御の容易性、特性の顕著性の点から、分子の不斉合成反応の不均一触媒設計において極めて重要な貢献であるといえる。
更に、作成された16×2構造に水素原子を反応させることで、表面の一次元構造を保ったまま、表面構造の化学的安定化を実現することができる。水素終端処理は、Si(110)基板を150℃〜250℃に保ったまま、10−5Torr以下の水素雰囲気に10分程度晒すことにより行うことができる。この水素終端処理は、Si(110)表面の16×2一次元構造の応用上重要な技術となる。
本発明は、エレクトロマイグレーションを利用することにより、複雑であった16×2構造のドメイン形状を制御し、非常にシンプルな単一ドメインとすることが出来る。
Claims (7)
- Si(110)ウェハー表面の原子ステップ配列を再構成列方向である<1−12>の一方向に揃えたことを特徴とするSi(110)表面の一次元ナノ構造。
- Si(110)ウェハー表面の原子ステップ配列を再構成列方向である<−112>の一方向に揃えたことを特徴とするSi(110)表面の一次元ナノ構造。
- Si(110)ウェハー内の長手方向が<1−12>方向である長方形状のドメイン内で、原子ステップ配列を再構成列方向である<1−12>の一方向に揃えたことを特徴とするSi(110)表面の一次元ナノ構造。
- Si(110)ウェハー内の長手方向が<−112>方向である長方形状のドメイン内で、原子ステップ配列を再構成列方向である<−112>の一方向に揃えたことを特徴とするSi(110)表面の一次元ナノ構造。
- 表面に水素による終端処理が施されていることを特徴とする請求項3又は4記載のSi(110)表面の一次元ナノ構造。
- Si(110)ウェハーを再構成列方向である<1−12>又は<−112>方向に通電すると共に、550〜730℃の温度にすることにより、エレクトロマイグレーションによってSi(110)ウェハー表面の原子ステップ配列を<1−12>又は<−112>方向に揃えることを特徴とするSi(110)表面の一次元ナノ構造の製造方法。
- Si(110)ウェハーを、<1−12>又は<−112>方向が長手方向となるように長方形状のドメインに切断後、再構成列方向である<1−12>又は<−112>方向に通電すると共に、550〜730℃の温度にすることにより、エレクトロマイグレーションによってSi(110)ウェハー表面の原子ステップ配列を<1−12>又は<−112>方向に揃えることを特徴とするSi(110)表面の一次元ナノ構造の製造方法。
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