JP2010014527A - 圧力センサ - Google Patents
圧力センサ Download PDFInfo
- Publication number
- JP2010014527A JP2010014527A JP2008174422A JP2008174422A JP2010014527A JP 2010014527 A JP2010014527 A JP 2010014527A JP 2008174422 A JP2008174422 A JP 2008174422A JP 2008174422 A JP2008174422 A JP 2008174422A JP 2010014527 A JP2010014527 A JP 2010014527A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pressure sensor
- space
- airtight space
- substrate
- sensor according
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Landscapes
- Measuring Fluid Pressure (AREA)
- Pressure Sensors (AREA)
Abstract
【課題】気密空間の真空度が低下又は内圧が変化することを抑制する。
【解決手段】ガラス基板2の気密空間12と対向する面側には穴部7が形成されている。このような穴部7を形成して気密空間12の体積を大きくすることにより、たとえ気密空間12内でガスが発生したとしても、穴部7がない場合と比較してガスが気密空間12の真空度又は内圧変化に与える影響を小さくすることができるので、Si基板1とガラス基板2とを陽極接合する際に気密空間12の真空度が低下又は内圧が変化することを抑制できる。
【選択図】図1
【解決手段】ガラス基板2の気密空間12と対向する面側には穴部7が形成されている。このような穴部7を形成して気密空間12の体積を大きくすることにより、たとえ気密空間12内でガスが発生したとしても、穴部7がない場合と比較してガスが気密空間12の真空度又は内圧変化に与える影響を小さくすることができるので、Si基板1とガラス基板2とを陽極接合する際に気密空間12の真空度が低下又は内圧が変化することを抑制できる。
【選択図】図1
Description
本発明は、可動電極と固定電極間の静電容量の変化を検出することにより圧力を検出する圧力センサに関する。
従来より、可動電極として機能するダイヤフラム部を有するシリコン基板と、固定電極を有するガラス基板とを有し、ダイヤフラム部と固定電極が所定間隔をあけて対向するようにシリコン基板とガラス基板とを陽極接合することにより形成された圧力センサが知られている(特許文献1参照)。このような圧力センサによれば、ダイヤフラム部に圧力が加わることによってダイヤフラム部と固定電極間の隙間幅が変化することに伴う静電容量の変化を検出することにより、圧力を検出することができる。
特開2003-098026号公報
従来の圧力センサの構成によれば、接合部において酸素等のガスが発生することにより、ガラス基板とダイヤフラム部間の気密空間の真空度が低下又は内圧が変化し、圧力センサのセンサ特性に影響が生じることがある。
本発明は、上記課題を解決するためになされたものであり、気密空間の真空度が低下又は内圧が変化することを抑制可能な圧力センサを提供することにある。
本発明に係る圧力センサは、可動電極として機能するダイヤフラム部を有する半導体基板と、固定電極を有する基板とを有し、ダイヤフラム部と固定電極が気密空間を介して対向するように前記半導体基板と前記基板とを接合することにより形成される圧力センサにおいて、気密空間内のダイヤフラム部の変形領域以外の位置に気密空間の体積を調整するための体積調整空間を有することを特徴とする。
本発明に係る圧力センサによれば、発生したガスが気密空間の真空度に与える影響を小さくすることができるので、気密空間の真空度が低下又は内圧が変化することを抑制できる。
以下、図面を参照して、本発明の実施形態となる圧力センサの構成について説明する。
本発明の実施形態となる圧力センサは、図1に示すように、Si基板1と、気密空間12を形成するようにSi基板1表面に接合(例えば陽極接合)されたガラス基板2とを有する。Si基板1には、エッチング加工によって溝部3,4を形成することにより可動電極として機能するダイヤフラム部5が形成されている。ガラス基板2のダイヤフラム部5と対向する表面側には参照電極6a及び固定電極6bが形成されている。ガラス基板2の参照電極6a,固定電極6b,及び共通電極(図示せず)に対応する位置には、図2に示すようにスルーホール8a,8b,8cが形成され、各電極の電極パッドと対応する電極とはスルーホールの内周面に形成された引出線9及び金属膜10を介して電気的に接続されている。なお金属膜10とSi基板1間には金属膜10とSi基板1間を電気的に絶縁するように絶縁膜11が形成されている。このような構成を有する圧力センサでは、ダイヤフラム部5,固定電極6b,及び参照電極6aは引出線9を介して不図示の静電容量計測回路に接続されており、静電容量計測回路は、圧力又は加速度の印加によって変化するダイヤフラム部5と固定電極6b間の静電容量の変化に基づいて圧力を測定する。
本実施形態では、ガラス基板2の気密空間12と対向する面側には本発明に係る体積調整空間としての穴部7が形成されている。このような穴部7を形成して気密空間12の体積を大きくすることにより、たとえ気密空間12内でガスが発生又は例えば経年変化によって微小な隙間から気体が侵入したとしても、穴部7がない場合と比較してガスが気密空間12の真空度又は内圧変化に与える影響を小さくすることができるので、Si基板1とガラス基板2とを接合する際にガラス基板2とダイヤフラム部7間の気密空間12の真空度が低下又は内圧が変化することを抑制できる。なお図1に示す例では、穴部7は、ガラス基板2の気密空間12と対向する面側に形成されているが、図3に示すようにSi基板1の気密空間12と対向する面側に形成してもよいし、Si基板1とガラス基板2双方の気密空間12と対向する面側に形成してもよい。また本実施形態では、ガラス基板2に穴部7を形成することにより気密空間12の体積を調整するようにしたが、例えば図5に示すように空間R3を介して圧力センサを収容する空間R1と圧力センサと一体成形された加速度センサを収容する空間R2とを結んだり、図6に示すように空間R3を介して圧力センサを収容する空間R1とASIC(A)を収容する空間R2とを結んだりすることにより、圧力センサと一体成形された他の素子を収容する空間を気密空間12の体積を調整するための空間として利用しても良い。
以上、本発明者らによってなされた発明を適用した実施の形態について説明したが、この実施の形態による本発明の開示の一部をなす記述及び図面により本発明は限定されることはない。すなわち、上記実施の形態に基づいて当業者等によりなされる他の実施の形態、実施例及び運用技術等は全て本発明の範疇に含まれる。
1:Si基板
2:ガラス基板
3,4:溝部
5:ダイヤフラム部
6a:参照電極
6b:固定電極
7:穴部
8a,8b,8c:スルーホール
9:引出線
10:金属膜
11:絶縁膜
12:気密空間
2:ガラス基板
3,4:溝部
5:ダイヤフラム部
6a:参照電極
6b:固定電極
7:穴部
8a,8b,8c:スルーホール
9:引出線
10:金属膜
11:絶縁膜
12:気密空間
Claims (8)
- 可動電極として機能するダイヤフラム部を有する半導体基板と、固定電極を有する基板とを有し、ダイヤフラム部と固定電極が気密空間を介して対向するように前記半導体基板と前記基板とを接合することにより形成される圧力センサにおいて、前記気密空間内の前記ダイヤフラム部の変形領域以外の位置に気密空間の体積を調整するための体積調整空間を有することを特徴とする圧力センサ。
- 請求項1に記載の圧力センサにおいて、前記基板の前記気密空間と対向する面側に形成された穴が前記体積調整空間として機能することを特徴とする圧力センサ。
- 請求項1に記載の圧力センサにおいて、前記半導体基板の前記気密空間と対向する面側に形成された穴が前記体積調整空間として機能することを特徴とする圧力センサ。
- 請求項1に記載の圧力センサにおいて、前記半導体基板及び前記基板の前記気密空間と対向する面側に形成された穴が前記体積調整空間として機能することを特徴とする圧力センサ。
- 請求項1乃至請求項4のうち、いずれか1項に記載の圧力センサにおいて、他の素子を収容する空間が前記体積調整空間として機能することを特徴とする圧力センサ。
- 請求項5に記載の圧力センサにおいて、前記他の素子を圧力センサと一体成形により作製することを特徴とする圧力センサ。
- 請求項5又は請求項6に記載の圧力センサにおいて、前記他の素子は加速度センサであることを特徴とする圧力センサ。
- 請求項5又は請求項6に記載の圧力センサにおいて、前記他の素子はASICであることを特徴とする圧力センサ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008174422A JP2010014527A (ja) | 2008-07-03 | 2008-07-03 | 圧力センサ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008174422A JP2010014527A (ja) | 2008-07-03 | 2008-07-03 | 圧力センサ |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010014527A true JP2010014527A (ja) | 2010-01-21 |
Family
ID=41700772
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008174422A Pending JP2010014527A (ja) | 2008-07-03 | 2008-07-03 | 圧力センサ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2010014527A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011174900A (ja) * | 2010-02-26 | 2011-09-08 | Canon Anelva Corp | 複合型圧力計、及び複合型圧力計の製造方法 |
-
2008
- 2008-07-03 JP JP2008174422A patent/JP2010014527A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011174900A (ja) * | 2010-02-26 | 2011-09-08 | Canon Anelva Corp | 複合型圧力計、及び複合型圧力計の製造方法 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US6640643B2 (en) | Capacitive pressure sensor with multiple capacitive portions | |
TWI835954B (zh) | 電容式壓力感測器設備的微機械組件 | |
JP2006275660A (ja) | 半導体センサおよびその製造方法 | |
JP2005091166A (ja) | 半導体圧力センサ | |
JP2010236949A (ja) | 静電容量型圧力センサ | |
CN110168335B (zh) | 压力传感器 | |
JP2007225344A (ja) | 圧力センサ | |
JP2007101222A (ja) | 圧力センサ | |
JP4798605B2 (ja) | 静電容量型圧力センサ | |
JP2008032451A (ja) | 容量変化型圧力センサ | |
WO2017002306A1 (ja) | 圧力センサ | |
JP2010014527A (ja) | 圧力センサ | |
JP4548771B2 (ja) | 容量式圧力センサの製造方法 | |
JP2009265012A (ja) | 半導体センサ | |
JP2008082952A (ja) | 半導体感歪センサ | |
JP2008244752A (ja) | 静電型圧力変換器 | |
US7398694B2 (en) | Pressure sensor and method for manufacturing pressure sensor | |
JP2005156164A (ja) | 圧力センサ及び該圧力センサの製造方法 | |
JP2010014528A (ja) | 圧力センサ | |
JP5939168B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP2004226294A (ja) | 静圧動圧検知センサ | |
WO2015146154A1 (ja) | 力検知装置 | |
JP2010014526A (ja) | 圧力センサ | |
JP2010008138A (ja) | 圧力センサ | |
JP2007078444A (ja) | 圧力センサ及び圧力センサの製造方法 |