JP2010010158A - Chip suction body - Google Patents

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浩之 西本
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a chip suction body for a die bonding device, which has a structure which allows chip dies to be bonded to a substrate or the like without causing damage such as crystal defect to the chip dies in bonding the chip dies cut from a wafer to the substrate or the like. <P>SOLUTION: Suction holes 5a, 5b disposed on the inner surface are used to hold a semiconductor laser element 2 from the side surface. As a result, distortion is not applied to the inside of the semiconductor laser element 2, the generation of crystal defect is suppressed in the inside of the element, more specifically, immediately below a ridge stripe provided inside the semiconductor laser element 2 and in the vicinity of an active layer near the ridge stripe, so that boding work can be executed stably and unfailingly. <P>COPYRIGHT: (C)2010,JPO&INPIT

Description

本発明は、半導体チップをダイボンディングする際のダイボンディング装置に採用される、半導体チップを吸着するチップ吸着体の構造に関するものである。   The present invention relates to a structure of a chip adsorbing body for adsorbing a semiconductor chip, which is employed in a die bonding apparatus for die bonding a semiconductor chip.

従来、半導体装置の製造工程では、ウエハから切り出されたチップダイを、ダイボンディング装置によって基板等のボンディング対象に移載して、チップダイの基板等へのボンディングを行なっている。すなわち、ダイボンディング装置は、昇降および回転するボンディングアームを有し、その先端に設けられたホルダには、一般にはコレットと呼ばれるチップ吸着体が設けられている。   Conventionally, in a manufacturing process of a semiconductor device, a chip die cut from a wafer is transferred to a bonding target such as a substrate by a die bonding apparatus, and bonding of the chip die to the substrate or the like is performed. That is, the die bonding apparatus has a bonding arm that moves up and down and rotates, and a tip adsorber generally called a collet is provided in a holder provided at the tip of the bonding arm.

チップ吸着体の内部には、先端に貫通する負圧通路が貫通形成され、この先端部の負圧孔がウエハに対してほぼ垂直となるように取り付けられている。そして、ボンディングに際しては、まず、ボンディングアームを介してホルダによりチップ吸着体をウエハ上に移動させる。その後、目的のチップダイ上にチップ吸着体の先端部を位置決めしながら当接させる。   A negative pressure passage penetrating the tip is formed through the inside of the chip adsorbing body, and the negative pressure hole at the tip is attached so as to be substantially perpendicular to the wafer. In bonding, first, the chip adsorber is moved onto the wafer by the holder via the bonding arm. Thereafter, the tip of the chip adsorbing body is brought into contact with the target chip die while being positioned.

同時に、負圧通路から導入された負圧によってチップダイをチップ吸着体により吸着しピックアップさせる。その後、ボンディングアームを移動させてチップ吸着体を基板上の所定の位置に移動させる。そして、負圧による吸引を解除するとともに、押圧荷重を加えチップダイを基板にボンディングする。このようなチップ吸着体を開示するものとして、下記特許文献１が挙げられる。
特開２００１−９３９１８号公報 At the same time, the chip die is attracted and picked up by the chip adsorber by the negative pressure introduced from the negative pressure passage. Thereafter, the bonding arm is moved to move the chip adsorber to a predetermined position on the substrate. Then, the suction by the negative pressure is released, and a pressing load is applied to bond the chip die to the substrate. The following patent document 1 is mentioned as what discloses such a chip | tip adsorption body.
JP 2001-93918 A

しかしながら、従来の技術で示されるようなダイボンディング装置に採用されるチップ吸着体においては、先端部の負圧孔がウエハに対してほぼ垂直となるように取り付けられている。そのため、たとえば、半導体レーザ素子を溶融前の固形状態にあるハンダ材を介してサブマウント（基体）に接合する際には、ボンディング時に半導体レーザ素子の上面から押さえ付けることになる。   However, in the chip adsorber employed in the die bonding apparatus as shown in the prior art, the negative pressure hole at the tip is attached so as to be substantially perpendicular to the wafer. Therefore, for example, when the semiconductor laser element is bonded to the submount (base) via a solder material in a solid state before melting, the semiconductor laser element is pressed from the upper surface of the semiconductor laser element during bonding.

その結果、半導体レーザ素子の内部に歪が加わり、特にリッジストライプ（直線状の溝）を有する半導体レーザ素子の場合、リッジストライプが下方に向けて湾曲状に撓み、リッジストライプの直下の領域およびその周辺領域に結晶欠陥を発生させることが懸念される。このような結晶欠陥を内在したままの半導体レーザ素子は、長期信頼性試験を行なった場合、結晶欠陥の部分から劣化が発生し、最終的にレーザ光を出射しなくなるおそれがある。   As a result, distortion is applied to the inside of the semiconductor laser element, and particularly in the case of a semiconductor laser element having a ridge stripe (straight groove), the ridge stripe bends downward to form a region immediately below the ridge stripe and its region. There is concern about the occurrence of crystal defects in the peripheral region. When a long-term reliability test is performed on a semiconductor laser element in which such crystal defects are inherent, deterioration may occur from the crystal defect portion, and laser light may not be finally emitted.

したがって、この発明は上記課題を解決するためになされたものであり、本発明は、ダイボンディング装置に採用される吸着体において、ウエハから切り出されたチップダイを基板等にボンディングする際、チップダイに結晶欠陥等の損傷を与えることなくチップダイを基板等にボンディングすることができる構成を備えるチップ吸着体を提供することにある。   Accordingly, the present invention has been made to solve the above-described problems. The present invention provides an adsorption body employed in a die bonding apparatus in which a chip die cut from a wafer is bonded to a substrate or the like when a chip die is crystallized. An object of the present invention is to provide a chip adsorbent having a configuration capable of bonding a chip die to a substrate or the like without causing damage such as defects.

上記目的を達成するために、この発明に基づいたチップ吸着体においては、ボンディング装置が有するアームの先端に設けられ、ボンディングするチップダイをその先端部で吸着するチップ吸着体であって、上記アームが連結されるベース部と、上記ベース部に連結し、上記チップダイの側面を両側から挟み込むように、所定の間隔へ隔てて対向配置される側壁部とを備え、上記側壁部の少なくともいずれか一方の内面には、上記チップダイの側面に吸着する吸着孔が設けられる。   In order to achieve the above object, a chip adsorber according to the present invention is a chip adsorber that is provided at the tip of an arm of a bonding apparatus and adsorbs a chip die to be bonded at its tip. A base portion to be connected; and a side wall portion that is connected to the base portion and is disposed to be opposed to each other at a predetermined interval so as to sandwich the side surface of the chip die from both sides, and includes at least one of the side wall portions. The inner surface is provided with a suction hole that sucks the side surface of the chip die.

この発明に基づいたにチップ吸着体によれば、ボンディング時にチップダイを上面から押さえ付けることなく、内側面に配置された吸着孔を用いてチップダイを保持することから、チップダイの内部に歪が加わらず、チップダイの内部素子に結晶欠陥を発生させることがない。その結果、このチップ吸着体を装着したダイボンディング装置においては、チップダイの信頼性が向上し、歩留まりの高いチップダイを得ることができるダイボンディング装置を提供することを可能とする。   According to the chip adsorber based on this invention, since the chip die is held using the suction holes arranged on the inner surface without pressing the chip die from the upper surface during bonding, no distortion is applied to the inside of the chip die. Crystal defects are not generated in the internal elements of the chip die. As a result, in the die bonding apparatus equipped with this chip adsorber, it is possible to provide a die bonding apparatus that can improve the reliability of the chip die and obtain a chip die with a high yield.

以下、この発明に基づいた各実施の形態におけるチップ吸着体の構造について、図を参照しながら説明する。なお、各図において同一または相当部分については同一の参照番号を付し、重複する説明は繰り返さない場合がある。   Hereinafter, the structure of the chip adsorber in each embodiment based on the present invention will be described with reference to the drawings. In the drawings, the same or corresponding parts are denoted by the same reference numerals, and redundant description may not be repeated.

（実施の形態１）
本発明に基づいた実施の形態１におけるチップ吸着体の構造について、図１および図２を参照して説明する。図１は、実施の形態１におけるチップ吸着体の構造を示す斜視図であり、図２は図１中ＩＩ−ＩＩ線矢視断面図である。なお、図１においては、チップダイ２は図示せず、図２にチップダイ２を図示している。また、チップダイ２の一例としては半導体レーザ素子が挙げられ、その大きさは、約１ｍｍ×約１ｍｍ×約１ｍｍ程度である。なお、チップダイ２として半導体レーザ素子の限定されるものではない。以下の、各実施の形態においても同様である。 (Embodiment 1)
The structure of the chip adsorbent in the first embodiment based on the present invention will be described with reference to FIGS. 1 and 2. 1 is a perspective view showing the structure of a chip adsorber in Embodiment 1, and FIG. 2 is a cross-sectional view taken along line II-II in FIG. In FIG. 1, the chip die 2 is not shown, and the chip die 2 is shown in FIG. An example of the chip die 2 is a semiconductor laser element, which has a size of about 1 mm × about 1 mm × about 1 mm. The chip die 2 is not limited to a semiconductor laser element. The same applies to the following embodiments.

図１および図２を参照して、本実施の形態におけるチップ吸着体１Ａは、ボンディング装置が有するアーム１０の先端に設けられ、ボンディングするチップダイをその先端部で吸着するチップ吸着体であって、アーム１０に連結される金属製の円筒形状ホルダ１ａ、この円筒形状ホルダ１ａが設けられるベース１ｂ、およびこのベース１ｂの両側から下方に垂下し、半導体レーザ素子２の側面を両側から挟み込むように、所定の間隔へ隔てて対向配置される側壁部１ｃ，１ｄとを有している。   With reference to FIG. 1 and FIG. 2, the chip adsorber 1A in the present embodiment is a chip adsorber that is provided at the tip of the arm 10 of the bonding apparatus and sucks a chip die to be bonded at its tip. A metal cylindrical holder 1a connected to the arm 10, a base 1b on which the cylindrical holder 1a is provided, and a base 1b that hangs downward from both sides, and sandwiches the side surface of the semiconductor laser element 2 from both sides. Side walls 1c and 1d are arranged opposite to each other at a predetermined interval.

側壁部１ｃ，１ｄの内側面には、開口形状が矩形の吸着孔５ａ，５ｂが設けられている。吸着孔５ａ，５ｂの形状は、一辺が約１０μｍ〜９０μｍであり、半導体レーザ素子２の略中央領域に相当する位置に設けられている。チップ吸着体１Ａ内部には、半導体レーザ素子２を吸着するときの空気の通り道、いわゆる吸着用通路３が形成され、吸着孔５ａ，５ｂに連通している。   Suction holes 5a and 5b having a rectangular opening are provided on the inner side surfaces of the side wall portions 1c and 1d. The suction holes 5 a and 5 b are approximately 10 μm to 90 μm on a side, and are provided at positions corresponding to the substantially central region of the semiconductor laser element 2. Inside the chip adsorber 1A, a passage for air when adsorbing the semiconductor laser element 2, that is, a so-called adsorption passage 3, is formed and communicates with the adsorption holes 5a and 5b.

なお、図面においては便宜上、側壁部１ｃ，１ｄと半導体レーザ素子２との間に均一な隙間が設けられるように図示しているが、この隙間は最大で数十μｍ程度の隙間となり、吸着孔５ａ，５ｂによる半導体レーザ素子２の吸引時には、半導体レーザ素子２が少し傾くことで、側壁部１ｃ，１ｄの間に半導体レーザ素子２が保持されることとなる。   In the drawing, for the sake of convenience, a uniform gap is provided between the side wall portions 1c and 1d and the semiconductor laser element 2, but this gap is a gap of about several tens of μm at the maximum, and the adsorption hole When the semiconductor laser element 2 is attracted by 5a and 5b, the semiconductor laser element 2 is slightly tilted, so that the semiconductor laser element 2 is held between the side wall portions 1c and 1d.

上記構成からなるチップ吸着体１Ａによれば、内側面に配置された吸着孔５ａ，５ｂを用いて半導体レーザ素子２を側面側から保持することから、ボンディング時に半導体レーザ素子２の有するリッジストライプ周辺を上面から押さえ付けないため、安定かつ確実にボンディング作業を行なうことが可能となる。   According to the chip adsorbing body 1A having the above configuration, the semiconductor laser element 2 is held from the side surface side using the suction holes 5a and 5b arranged on the inner side surface. Since it is not pressed from the upper surface, the bonding operation can be performed stably and reliably.

その結果、半導体レーザ素子２の内部に歪が加わらず、そのため素子内部、特に半導体レーザ素子２の内部に設けられるリッジストライプの直下およびリッジストライプ近傍の活性層近傍での結晶欠陥の発生を抑制することが可能となる。   As a result, no distortion is applied to the inside of the semiconductor laser element 2, and therefore, the generation of crystal defects in the element, particularly directly below the ridge stripe provided in the semiconductor laser element 2 and in the vicinity of the active layer near the ridge stripe is suppressed. It becomes possible.

これにより、本実施の形態におけるチップ吸着体１Ａを、ボンディング装置が有するアーム１０の先端に装着することで、半導体レーザ素子２の信頼性が向上し、歩留まりの高い半導体レーザ素子を得ることができるダイボンディング装置を提供することが可能となる。   Thus, by mounting the chip adsorbent 1A in the present embodiment on the tip of the arm 10 of the bonding apparatus, the reliability of the semiconductor laser element 2 is improved and a semiconductor laser element with a high yield can be obtained. A die bonding apparatus can be provided.

（実施の形態２）
以下、本発明に基づいた実施の形態２におけるチップ吸着体の構造について、図３を参照して説明する。なお、図３は図１中ＩＩ−ＩＩ線矢視に対応する断面図である。本実施の形態におけるチップ吸着体１Ｂは、基本的構造は、上記実施の形態１のチップ吸着体１Ａと同じであり、吸着孔５ａ，５ｂの上方位置に、半導体レーザ素子２の上面側に接する凸部領域６ａ，６ｂが設けられている点で相違する。この凸部領域６ａ，６ｂの大きさは、突出高さが約１０μｍ、幅が約１０μｍ、長さが約４００μｍ〜６００μｍ程度である。 (Embodiment 2)
Hereinafter, the structure of the chip adsorber according to the second embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. 3 is a cross-sectional view corresponding to the view taken along line II-II in FIG. The basic structure of the chip adsorber 1B in the present embodiment is the same as that of the chip adsorber 1A in the first embodiment, and is in contact with the upper surface side of the semiconductor laser element 2 above the adsorption holes 5a and 5b. The difference is that the convex regions 6a and 6b are provided. The convex regions 6a and 6b have a protrusion height of about 10 μm, a width of about 10 μm, and a length of about 400 μm to 600 μm.

この構成からなるチップ吸着体１Ｂにおいても、上記実施の形態１と同様の作用効果を得ることができる。さらに、半導体レーザ素子２の上面側に接する凸部領域６ａ，６ｂを設けることで、ボンディング時に半導体レーザ素子２の縁部のみを凸部領域６ａ，６ｂを用いて上面から押圧することができるため、ハンダ材を半導体レーザ素子２の下に置いてダイボンドする際に半導体レーザ素子２のずれが生じない。また、リッジストライプを上面から押さえ付けることなく、半導体レーザ素子２を確実に基板等に固定することが可能となる。   Also in the chip adsorbing body 1B having this configuration, the same effects as those of the first embodiment can be obtained. Furthermore, by providing the convex regions 6a and 6b in contact with the upper surface side of the semiconductor laser element 2, only the edge of the semiconductor laser element 2 can be pressed from the upper surface using the convex regions 6a and 6b during bonding. When the solder material is placed under the semiconductor laser element 2 and die bonded, the semiconductor laser element 2 is not displaced. In addition, the semiconductor laser element 2 can be securely fixed to the substrate or the like without pressing the ridge stripe from the upper surface.

その結果、チップ吸着体１Ｂによる半導体レーザ素子２のボンディング作業時を、安定かつ確実に行なうことが可能になり、ボンディング作業による半導体レーザ素子２の劣化防止を図ることが可能になる。また、チップ吸着体１Ｂの内部への半導体レーザ素子２の入り過ぎを防止することも可能となる。   As a result, it is possible to stably and reliably perform the bonding operation of the semiconductor laser element 2 by the chip adsorbing body 1B, and it is possible to prevent the semiconductor laser element 2 from being deteriorated by the bonding operation. In addition, it is possible to prevent the semiconductor laser element 2 from entering the chip adsorbent 1B too much.

（実施の形態３）
以下、本発明に基づいた実施の形態３におけるチップ吸着体の構造について、図４を参照して説明する。図４は図１中ＩＩ−ＩＩ線矢視に対応する断面図である。本実施の形態におけるチップ吸着体１Ｃは、基本的構造は、上記実施の形態１のチップ吸着体１Ａと同じであり、側壁部１ｃの内側にのみ、開口形状が矩形の吸着孔５ａが設けられている点で相違する。 (Embodiment 3)
Hereinafter, the structure of the chip adsorber according to the third embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. 4 is a cross-sectional view corresponding to the view taken along line II-II in FIG. The basic structure of the chip adsorbing body 1C in the present embodiment is the same as that of the chip adsorbing body 1A in the first embodiment, and the adsorption hole 5a having a rectangular opening shape is provided only inside the side wall portion 1c. Is different.

以上、この構成からなるチップ吸着体１Ｃにおいても、上記実施の形態１と同様の作用効果を得ることができる。また、側壁部１ｃの内側面にのみ吸着孔５ａを設けることで、半導体レーザ素子２に加わる吸引力を抑制させることができる。この結果、チップ吸着体１Ｃによる半導体レーザ素子２のボンディング作業時において、半導体レーザ素子２に歪を発生させるような強い力をかけることなく、安定かつ確実に行なうことが可能になり、ボンディング作業による半導体レーザ素子２の劣化防止を図ることが可能となる。   As described above, also in the chip adsorbing body 1 </ b> C having this configuration, it is possible to obtain the same effects as those in the first embodiment. Further, the suction force applied to the semiconductor laser element 2 can be suppressed by providing the suction holes 5a only on the inner surface of the side wall 1c. As a result, the semiconductor laser element 2 can be bonded stably and reliably without applying a strong force that causes distortion in the semiconductor laser element 2 during the bonding operation of the semiconductor laser element 2 by the chip adsorbent 1C. It becomes possible to prevent deterioration of the semiconductor laser element 2.

（実施の形態４）
以下、本発明に基づいた実施の形態４におけるチップ吸着体の構造について、図５を参照して説明する。図５は実施の形態４におけるチップ吸着体１Ｄの構造を示す斜視図である。本実施の形態におけるチップ吸着体１Ｄは、基本的構造は、上記実施の形態１のチップ吸着体１Ａと同じであり、側壁部１ｃ，１ｄの内側に開口形状が円形の吸着孔７が水平方向に複数設けられている点で相違する。なお、吸着孔７の数量は、図示の３個に限らず、１個または２以上の複数個設けることが可能である。なお、吸着孔７の大きさは、直径約１０μｍ〜９０μｍ程度である。 (Embodiment 4)
Hereinafter, the structure of the chip adsorber according to the fourth embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. FIG. 5 is a perspective view showing the structure of the chip adsorbent 1D in the fourth embodiment. The chip adsorber 1D in the present embodiment has the same basic structure as the chip adsorber 1A in the first embodiment, and the adsorbing holes 7 having circular openings are formed in the horizontal direction inside the side walls 1c and 1d. Are different in that they are provided in plurality. Note that the number of the suction holes 7 is not limited to three as illustrated, and one or a plurality of two or more can be provided. The suction hole 7 has a diameter of about 10 μm to 90 μm.

以上、この構成からなるチップ吸着体１Ｄにおいても、上記実施の形態１と同様の作用効果を得ることができる。また、吸着孔の開口形状が矩形の場合には、その角における吸い込み時の乱流により吸着のロスが発生し、吸着効率が低下すると考えられるのに対して、吸着孔７の開口形状を円形とすることで、吸着効率の低下を抑制することができる。   As described above, also in the chip adsorbing body 1D having this configuration, the same operational effects as those of the first embodiment can be obtained. In addition, when the opening shape of the suction hole is rectangular, it is considered that a suction loss occurs due to turbulent flow during suction at that corner, and the suction efficiency is reduced, whereas the opening shape of the suction hole 7 is circular. By doing, the fall of adsorption efficiency can be controlled.

（実施の形態５）
以下、本発明に基づいた実施の形態５におけるチップ吸着体の構造について、図６を参照して説明する。図６は実施の形態５におけるチップ吸着体１Ｅの構造を示す斜視図である。本実施の形態におけるチップ吸着体１Ｅは、基本的構造は、上記実施の形態１のチップ吸着体１Ａと同じであり、側壁部１ｃ，１ｄの内側に開口形状が長方形の吸着孔８が水平方向に沿って設けられている点で相違する。吸着孔８は、幅が約１０μｍ〜９０μｍ程度、長さが約４００μｍ〜６００μｍ程度である。 (Embodiment 5)
Hereinafter, the structure of the chip adsorber according to the fifth embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. FIG. 6 is a perspective view showing the structure of the chip adsorbent 1E in the fifth embodiment. The chip adsorber 1E in the present embodiment has the same basic structure as the chip adsorber 1A in the first embodiment, and the adsorbing holes 8 having a rectangular opening shape are formed in the horizontal direction inside the side walls 1c and 1d. It differs in that it is provided along the line. The suction hole 8 has a width of about 10 μm to 90 μm and a length of about 400 μm to 600 μm.

以上、この構成からなるチップ吸着体１Ｅにおいても、上記実施の形態１と同様の作用効果を得ることができる。また、吸着孔８が水平方向に沿う長方形形状であることから、半導体レーザ素子２の側面全体を吸着することができ、半導体レーザ素子２を確実に保持することが可能になる。   As described above, also in the chip adsorbent 1E having this configuration, it is possible to obtain the same operational effects as those of the first embodiment. Further, since the suction hole 8 has a rectangular shape along the horizontal direction, the entire side surface of the semiconductor laser element 2 can be sucked, and the semiconductor laser element 2 can be securely held.

（実施の形態６）
以下、本発明に基づいた実施の形態６におけるチップ吸着体の構造について、図６を参照して説明する。なお、図７は実施の形態６におけるチップ吸着体１Ｆの構造を示す斜視図である。本実施の形態におけるチップ吸着体１Ｆは、基本的構造は、上記実施の形態５のチップ吸着体１Ｅと同じであり、吸着孔８の上方位置に、半導体レーザ素子２の上面側に接する凸部領域９が設けられている点で相違する。 (Embodiment 6)
Hereinafter, the structure of the chip adsorber according to the sixth embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. FIG. 7 is a perspective view showing the structure of the chip adsorbent 1F in the sixth embodiment. The chip adsorbent 1F in the present embodiment has the same basic structure as the chip adsorber 1E of the fifth embodiment, and is a convex portion that is in contact with the upper surface side of the semiconductor laser element 2 above the adsorption hole 8. The difference is that a region 9 is provided.

この構成からなるチップ吸着体１Ｆにおいても、上記実施の形態２および５と同様の作用効果を得ることができる。   Also in the chip adsorbent 1F having this configuration, the same effects as those of the second and fifth embodiments can be obtained.

なお、各実施の形態において示した特徴部分は、各々の実施の形態の構成を適宜組み合わせて用いることが可能である。   Note that the characteristic portions shown in each embodiment can be used by appropriately combining the structures of the embodiments.

以上、本発明の実施の形態について説明したが、今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。   Although the embodiments of the present invention have been described above, the embodiments disclosed this time should be considered as illustrative in all points and not restrictive. The scope of the present invention is defined by the terms of the claims, and is intended to include any modifications within the scope and meaning equivalent to the terms of the claims.

実施の形態１におけるチップ吸着体の構造を示す斜視図である。4 is a perspective view showing a structure of a chip adsorbing body in Embodiment 1. FIG. 図１中ＩＩ−ＩＩ線矢視断面図である。FIG. 2 is a cross-sectional view taken along line II-II in FIG. 1. 実施の形態２におけるチップ吸着体の構造を示す断面図である。6 is a cross-sectional view showing a structure of a chip adsorbing body in Embodiment 2. FIG. 実施の形態３におけるチップ吸着体の構造を示す断面図である。FIG. 6 is a cross-sectional view showing a structure of a chip adsorber in Embodiment 3. 実施の形態４におけるチップ吸着体の構造を示す斜視図である。FIG. 10 is a perspective view showing a structure of a chip adsorber in Embodiment 4. 実施の形態５におけるチップ吸着体の構造を示す斜視図である。FIG. 10 is a perspective view showing a structure of a chip adsorbing body in a fifth embodiment. 実施の形態６におけるチップ吸着体の構造を示す斜視図である。FIG. 10 is a perspective view showing a structure of a chip adsorbing body in a sixth embodiment.

符号の説明Explanation of symbols

１Ａ，１Ｂ，１Ｃ，１Ｄ，１Ｅ，１Ｆ チップ吸着体、１ａ 円筒形状ホルダ、１ｂ ベース、１ｃ，１ｄ 側壁部、２ チップダイ（半導体レーザ素子）、３ 吸着用通路、５ａ，５ｂ，７，８ 吸着孔、６ａ，６ｂ，９ 凸部領域、１０ アーム。   1A, 1B, 1C, 1D, 1E, 1F Chip adsorption body, 1a cylindrical holder, 1b base, 1c, 1d side wall, 2 chip die (semiconductor laser element), 3 adsorption passage, 5a, 5b, 7, 8 adsorption Hole, 6a, 6b, 9 Convex area, 10 arms.

Claims (6)

ボンディング装置が有するアームの先端に設けられ、ボンディングするチップダイをその先端部で吸着するチップ吸着体であって、
前記アームが連結されるベース部と、
前記ベース部に連結し、前記チップダイの側面を両側から挟み込むように、所定の間隔へ隔てて対向配置される側壁部と、を備え、
前記側壁部の少なくともいずれか一方の内側面には、前記チップダイの側面に吸着する吸着孔が設けられる、チップ吸着体。 A chip adsorber that is provided at the tip of an arm of the bonding apparatus and that adsorbs a chip die to be bonded at its tip,
A base portion to which the arm is coupled;
A side wall portion that is connected to the base portion and is disposed opposite to the chip die at a predetermined interval so as to sandwich the side surface of the chip die from both sides;
A chip adsorbing body, wherein at least one inner side surface of the side wall portion is provided with an adsorption hole that adsorbs to a side surface of the chip die. 前記側壁部のいずれにも前記吸着体が設けられる、請求項１に記載のチップ吸着体。   The chip adsorbent according to claim 1, wherein the adsorbent is provided on any of the side wall portions. 前記側壁部は、前記吸着孔の上方に前記チップダイの上面側に接する凸部領域を有する、請求項１または２に記載のチップ吸着体。   3. The chip adsorbent according to claim 1, wherein the side wall has a convex region that is in contact with the upper surface side of the chip die above the adsorption hole. すべての前記吸着体の上方に前記凸部領域を有する、請求項３に記載のチップ吸着体。   The chip adsorbent according to claim 3, which has the convex region above all the adsorbents. 前記吸着孔の開口形状が円形である、請求項１から４のいずれかに記載のチップ吸着体。   The chip adsorbent according to any one of claims 1 to 4, wherein an opening shape of the adsorption hole is circular. 前記吸着孔の開口形状が矩形である、請求項１から４のいずれかに記載のチップ吸着体。   The chip adsorber according to any one of claims 1 to 4, wherein an opening shape of the adsorption hole is rectangular.
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