JP2010009475A - Electronic circuit analysis apparatus - Google Patents

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an electronic circuit analysis apparatus for confirming operation of an electronic circuit, which prevents circuit analysis from being performed incorrectly even if the measurement accuracy of wave form information is low when the circuit analysis is performed especially by using an IBIS model. <P>SOLUTION: The electronic circuit analysis apparatus receives inputs of the voltage-current characteristic and wave form information of an output element model with a load resistance connected, to perform a circuit analysis. The electronic circuit analysis apparatus includes: a means which creates a switching characteristic in an ON/OFF state change of a switching means contained in the output element model from the wave form information; a permissible current value setting means which sets a permissible current value capable of permitting a current value flowing in the state change of the switching means in comparison to a current value of the steady state of the switching means; and a display means which calculates a range of a value of the switching characteristic of the switching means not exceeding the set permissible current value from the set permissible current value, the voltage-current characteristic, and a value of the load resistance, to highlight-display a part being abnormal in the switching characteristic of the switching means on the wave form information. <P>COPYRIGHT: (C)2010,JPO&INPIT

Description

本発明は、電子回路の動作を確認する電子回路解析装置、電子回路解析方法、及び電子回路解析プログラムに関する。   The present invention relates to an electronic circuit analysis apparatus, an electronic circuit analysis method, and an electronic circuit analysis program for confirming the operation of an electronic circuit.

今日、ディジタルLSI(large scale integration)や、マルチチップモジュール等の回路素子の駆動電圧が低電圧化し、動作周波数についても高速化が図られている。かかる状況において、プリント回路基板(printed circuit board)の設計における素子の動作タイミングやノイズマージンは減少し、電子機器の設計が難しくなってきている。特に、動作タイミングについては、数ピコセコンド(ps)オーダでの解析精度が求められている。   Nowadays, driving voltages of circuit elements such as digital LSI (large scale integration) and multichip modules are lowered, and the operating frequency is also increased. Under such circumstances, the operation timing and noise margin of elements in the design of a printed circuit board have been reduced, making it difficult to design electronic devices. In particular, with regard to operation timing, analysis accuracy in the order of several picoseconds (ps) is required.

一方、製品の開発期間は短くなっており、製品の製造前段階における迅速、かつ高精度な解析技術が要求されている。このため、高い解析精度を維持しつつ、解析時間の短い解析方法の確立が要望される。   On the other hand, the product development period is shortened, and a rapid and highly accurate analysis technique is required in the pre-production stage of the product. For this reason, establishment of an analysis method having a short analysis time while maintaining high analysis accuracy is desired.

かかる状況において、従来プリント回路基板設計における電子回路のシミュレーションで使用するLSI素子モデルとして、その利便性から素子の特定条件での動作結果を記述した動作モデルであるIBISモデル(Input/Output Buffer Information Specification Model)の提供が行われている。   In such a situation, an IBIS model (Input / Output Buffer Information Specification) which is an operation model describing an operation result under a specific condition of an element as an LSI element model used for simulation of an electronic circuit in a conventional printed circuit board design. Model) is being provided.

このIBISモデルは半導体テクノロジィーの進歩と共に拡張され、今日ドライバ素子の立ち上がり、立ち下がりの過渡特性を表現する2つの方法が提供されている。一つは図18(a)に示す負荷回路と、その負荷への時間に対する電圧変化を同図(b)に示すモデル(RAMPモデル)であり、このRAMPモデルはTr/Tf時間のみを再現し、例えば立ち上がりでは電圧振幅20%から80%に変化する時間を記述し、立ち下がりでは電圧振幅80%から20%に変化する時間を記述する。   This IBIS model has been expanded with the advancement of semiconductor technology, and today there are two ways to express the rising and falling transient characteristics of driver elements. One is the load circuit shown in FIG. 18 (a) and the model (RAMP model) shown in FIG. 18 (b) showing the voltage change with time to the load. This RAMP model reproduces only the Tr / Tf time. For example, a time when the voltage amplitude changes from 20% to 80% is described at the rising edge, and a time when the voltage amplitude changes from 80% to 20% is described at the falling edge.

一方、もう一つの方法は、ある負荷条件下で波形を測定した特性を表現したモデル(Waveformモデル)である。図19はこのモデルの負荷回路を示し、図20はこの回路を使用した際の電圧変化を示す。この図20に示す特性は、スイッチィング素子の立ち上がり時の特性であり、開始から終了までの電圧変化が各時刻に対応して交点情報として記述されている。尚、スイッチィング素子の立ち下がり時の電圧変化についても、同様に記述されている。   On the other hand, another method is a model (Waveform model) that expresses characteristics obtained by measuring a waveform under a certain load condition. FIG. 19 shows the load circuit of this model, and FIG. 20 shows the voltage change when this circuit is used. The characteristic shown in FIG. 20 is a characteristic when the switching element rises, and a voltage change from the start to the end is described as intersection information corresponding to each time. The voltage change when the switching element falls is also described in the same manner.

図21は、上記Waveformモデルを使用して対象回路の解析処理を行う解析方法を示す。例えば、記憶装置30に登録された解析対象回路情報はIBIS使用条件の情報と共に、解析対象情報読み込み部31によって読み取られ、回路情報読み込み部32を介して解析モデル生成部33に送られる。一方、WaveformモデルであるIBISファイル34は、IBISモデル読み込み部35によって読み込まれ、解析モデル生成部33に送られる。   FIG. 21 shows an analysis method for performing analysis processing of the target circuit using the Waveform model. For example, the analysis target circuit information registered in the storage device 30 is read by the analysis target information reading unit 31 together with the IBIS usage condition information, and is sent to the analysis model generation unit 33 via the circuit information reading unit 32. On the other hand, the IBIS file 34 which is a Waveform model is read by the IBIS model reading unit 35 and sent to the analysis model generating unit 33.

解析モデル生成部33では、解析対象回路に対してIBISモデルを適用し、解析モデル36を生成し、回路シミュレータ37によって回路解析を行い、解析結果38を得る。
特許文献1は上記IBISモデルの作成方法の発明であり、ユーザに対して短時間でIBISモデルを提供するため、ユーザに提供する予定の全ての回路についてIBISモデルを準備し、予めシミュレーションを行っておくことによって、IBISモデルを迅速に提供し、例えば半導体装置の開発時間を短縮するものである。
The analysis model generation unit 33 applies the IBIS model to the analysis target circuit, generates an analysis model 36, performs circuit analysis by the circuit simulator 37, and obtains an analysis result 38.
Patent Document 1 is an invention of the above IBIS model creation method. In order to provide an IBIS model to a user in a short time, an IBIS model is prepared for all the circuits to be provided to the user, and a simulation is performed in advance. Thus, the IBIS model can be provided quickly, for example, to shorten the development time of a semiconductor device.

また、特許文献2は、素子モデルのチェック及び不具合箇所の修正を迅速かつ正確に行ため、素子モデルの記述規定と記述規定を逸脱する場合の修正案との対応関係を表す記述規定テーブルに基づいて素子モデルの記述規定チェックを行い、逸脱する場合には上記修正案に従って素子モデルを修正し、不具合箇所の修正を迅速に行い、ユーザに提供する発明である。
特開2006−323470号公報 特開2002−245112号公報
Further, Patent Document 2 is based on a description definition table that indicates a correspondence relationship between a description specification of an element model and a correction plan when deviating from the description specification in order to quickly and accurately check an element model and correct a defective portion. In this invention, the element model description rule check is performed, and if it deviates, the element model is corrected according to the above-mentioned correction plan, and the defective portion is quickly corrected and provided to the user.
JP 2006-323470 A JP 2002-245112 A

従来のWaveformモデルによって行う回路シミュレーションにおいても、より高精度な解析結果を得るためには、以下の条件が求められる。すなわち、a.測定時の終端回路の終端電圧と終端抵抗値が適切であること、b.測定プロット間隔が適切であること、c.複数の波形間で測定条件が異なり、ある程度波形に差があること、d.異なる波形間で波形測定の時間軸の絶対時間が同一であることである。   In the circuit simulation performed by the conventional Waveform model, the following conditions are required to obtain a more accurate analysis result. That is, a. The termination voltage and termination resistance value of the termination circuit at the time of measurement are appropriate, b. The measurement plot interval is appropriate, c. The measurement conditions are different among a plurality of waveforms, and there is some difference in the waveforms; d. The absolute time on the time axis of waveform measurement is the same between different waveforms.

多くのIBISモデルは、SPICE(Simulation Program with Integrated Circuit
Emphasis)モデルからの変換プログラムによる自動変換で作成されており、自動変換されたモデルでは上記a.〜c.の条件が適切でない場合が多い。一方、実測から作成されたIBISモデルでは、時間軸を厳密に合わせること(上記d.の条件)が難しいため、時間と電圧の両方に測定誤差を含む問題がある。
Many IBIS models are SPICE (Simulation Program with Integrated Circuit)
Emphasis) model is created by automatic conversion using a conversion program. ~ C. In many cases, this condition is not appropriate. On the other hand, in the IBIS model created from actual measurement, it is difficult to precisely match the time axis (the condition of the above d.), So that there is a problem that both time and voltage include measurement errors.

このため、上記条件に合わないIBISモデルを使用して解析処理を行った場合、トランジスタのスイッチング特性の誤差が大きくなり、解析の結果得られる波形の振幅が異常となり、また本来無いはずのリンギングや段差が発生する。例えば、図22(a)はリンギングの例であり、波形の立ち上がり部分に、波動波形が生じている。また、同図(b)は波形の立ち下がりに段差が生じた例である。   For this reason, if analysis processing is performed using an IBIS model that does not meet the above conditions, the error of the switching characteristics of the transistor increases, the amplitude of the waveform obtained as a result of the analysis becomes abnormal, and ringing or A step occurs. For example, FIG. 22A shows an example of ringing, and a wave waveform is generated at the rising edge of the waveform. FIG. 2B shows an example in which a step is generated at the falling edge of the waveform.

そこで、本発明はIBISモデルの電圧/電流特性から切替手段(トランジスタ)のスイッチィング特性を算出し、算出された切替手段(トランジスタ)内部のスイッチィング特性が正しいかのチェックと精度に関する情報の算出を行う電子回路解析装置を提供するものである。   Therefore, the present invention calculates the switching characteristics of the switching means (transistor) from the voltage / current characteristics of the IBIS model, checks whether the calculated switching characteristics in the switching means (transistor) are correct, and calculates information on accuracy. An electronic circuit analyzer for performing the above is provided.

上記課題は本発明によれば、負荷抵抗が接続された出力素子モデルの電圧/電流特性と波形情報とを入力し、回路解析を行う電子回路解析装置において、上記波形情報から上記出力素子モデルに含まれる切替手段のオン、オフ状態変化時におけるスイッチィング特性を作成する手段と、上記切替手段の状態変化の際に流れる電流値が、上記切替手段の定常状態の電流値に対して許容できる許容電流値を設定する許容電流値設定手段と、設定された許容電流値と、上記電圧/電流特性と、前記負荷抵抗の値から、設定された許容電流値を越えない上記切替手段のスイッチィング特性の値の範囲を算出する算出手段と、上記切替手段のスイッチィング特性を算出する基準となった上記波形情報と同一時間軸上で表示し、上記切替手段のスイッチィング特性が異常となっている波形情報上の部分を強調表示する表示手段とを有する電子回路解析装置を提供することによって達成できる。   According to the present invention, in the electronic circuit analyzer for performing circuit analysis by inputting voltage / current characteristics and waveform information of an output element model to which a load resistor is connected, according to the present invention, the waveform information is converted into the output element model. Means for creating a switching characteristic when the switching means included is changed, and the current value that flows when the state of the switching means changes is acceptable for the steady state current value of the switching means. An allowable current value setting means for setting a current value, a set allowable current value, the voltage / current characteristic, and a switching resistance of the switching means that does not exceed the set allowable current value from the value of the load resistance. A calculation means for calculating a range of values of the switching means, and the waveform information as a reference for calculating the switching characteristics of the switching means are displayed on the same time axis, and the switching means of the switching means is displayed. Characteristics can be achieved by providing an electronic circuit analyzing device having a display means for highlighting portions of the waveform information has become abnormal.

このように構成することにより、IBISモデルを使用して回路解析を行う際、上記波形情報の測定精度が低い場合でも、誤った回路解析を行うことを防止できる。
また、上記スイッチィング特性の異常は、上記切替手段の状態変化の際に出力される電圧値が、上記切替手段の定常状態の電圧値に対して許容できる電圧値を設定することによ
っても判断することができ、スイッチィング特性の異常を判断して異常部分を強調表示することによって、IBISモデルを使用して回路解析を行う際、誤った回路解析を行うことを防止できる。
With this configuration, when performing circuit analysis using the IBIS model, erroneous circuit analysis can be prevented even when the measurement accuracy of the waveform information is low.
Further, the abnormality of the switching characteristic is also determined by setting a voltage value that is output when the state of the switching means changes to an allowable voltage value with respect to a steady-state voltage value of the switching means. In addition, by judging the abnormality of the switching characteristics and highlighting the abnormal part, it is possible to prevent erroneous circuit analysis when performing circuit analysis using the IBIS model.

また、波形情報に対して微分係数を計算することによって、スイッチィング特性のチェックを行ない、負荷抵抗をスイープすることによって過渡特性時の電圧精度保障範囲の設定を行い、解析周波数の上限値をチェックして、適切な解析周波数を使用して回路解析を行うことができる。   In addition, the switching characteristics are checked by calculating the derivative for the waveform information, the voltage accuracy guarantee range is set for the transient characteristics by sweeping the load resistance, and the upper limit value of the analysis frequency is checked. Thus, circuit analysis can be performed using an appropriate analysis frequency.

本発明によれば、IBISモデルに異常がある場合表示が行われ、IBISモデルを使用して回路解析を行う際、解析者はこの表示を確認し、誤った回路解析を行うことを回避できる。また、適切な負荷抵抗を使用し、電圧精度保障範囲内で回路解析を行い、また適切な解析周波数を使用して回路解析を行うことができる。   According to the present invention, display is performed when there is an abnormality in the IBIS model. When performing circuit analysis using the IBIS model, the analyst can confirm this display and avoid performing incorrect circuit analysis. In addition, it is possible to perform circuit analysis using an appropriate load resistance and within a voltage accuracy guarantee range, and to perform circuit analysis using an appropriate analysis frequency.

以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて説明する。
(実施形態1)
図1は、本実施形態の電子回路解析装置の構成例を示す図である。
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.
(Embodiment 1)
FIG. 1 is a diagram illustrating a configuration example of an electronic circuit analysis device according to the present embodiment.

同図において、本例の電子回路解析装置は従来例(前述の図21)に対して、トランジスタのスイッチング特性算出部、スイッチング特性記憶部、スイッチング特性チェック部、及びそのチェック結果記憶部、異常個所の表示部等の構成が追加されている。すなわち、記憶装置1に登録された解析対象回路情報は、前述と同様IBIS使用条件の情報と共に、解析対象情報読み込み部2によって読み取られ、回路情報読み込み部3を介して解析モデル生成部4に送信される。一方、WaveformモデルであるIBISファイル5は、解析対象情報読み込み部2を介してIBISモデル読み込み部6によって読み込まれ、解析モデル生成部4に送信される。   In this figure, the electronic circuit analysis device of this example is different from the conventional example (FIG. 21 described above) in that the transistor switching characteristic calculation unit, the switching characteristic storage unit, the switching characteristic check unit, and its check result storage unit, A configuration such as a display unit is added. That is, the analysis target circuit information registered in the storage device 1 is read by the analysis target information reading unit 2 together with the IBIS use condition information as described above, and transmitted to the analysis model generation unit 4 via the circuit information reading unit 3. Is done. On the other hand, the IBIS file 5 which is a Waveform model is read by the IBIS model reading unit 6 via the analysis target information reading unit 2 and transmitted to the analysis model generation unit 4.

また、IBISモデル読み込み部6によって読み込まれたIBISファイル5は、トランジスタのスイッチィング特性算出部7によって、スイッチィング特性(後述する(KPU(T))、(KPD(T)))が算出される。さらに、スイッチィング特性算出部7によって算出されたスイッチィング特性の情報は、スイッチィング特性記憶部8に記憶される。   The IBIS file 5 read by the IBIS model reading unit 6 calculates switching characteristics (described later (KPU (T)) and (KPD (T))) by the transistor switching characteristic calculation unit 7. . Further, the switching characteristic information calculated by the switching characteristic calculation unit 7 is stored in the switching characteristic storage unit 8.

スイッチィング特性記憶部8に記憶されたスイッチィング特性の情報は、更にスイッチィング特性チェック部9に送信される。スイッチィング特性チェック部9では、後述する方法によってスイッチィング特性の情報をチェックし、そのチェック結果をトランジスタのスイッチィング特性チェック結果記憶部10に記憶する。このチェック結果は、前述の解析モデル生成部4に送信されると共に、トランジスタの特性&異常個所表示部11に送信される。   The switching characteristic information stored in the switching characteristic storage unit 8 is further transmitted to the switching characteristic check unit 9. The switching characteristic check unit 9 checks switching characteristic information by a method described later, and stores the check result in the transistor switching characteristic check result storage unit 10. The check result is transmitted to the above-described analysis model generation unit 4 and is also transmitted to the transistor characteristic & abnormality location display unit 11.

解析モデル生成部4では、トランジスタのスイッチィング特性のチェック結果を確認し、チェック結果に問題がなければ、解析モデル12を生成し、回路シミュレータ13によって対象回路の解析処理を行い、解析結果14を出力する。   The analysis model generation unit 4 confirms the result of checking the switching characteristics of the transistors. If there is no problem with the check result, the analysis model 12 is generated, the target circuit is analyzed by the circuit simulator 13, and the analysis result 14 is displayed. Output.

一方、スイッチィング特性チェック部9によって、トランジスタのスイッチィング特性に異常が検出された場合には、トランジスタの特性&異常個所表示部11に対応する表示が行われ、誤った解析結果を出力する可能性のある解析処理が行われることが回避される。   On the other hand, when an abnormality is detected in the switching characteristic of the transistor by the switching characteristic check unit 9, a display corresponding to the transistor characteristic & abnormality part display unit 11 is performed, and an erroneous analysis result can be output. It is avoided that a characteristic analysis process is performed.

図2は上記構成の電子回路解析装置において、特に本発明の特徴的な処理を説明する図である。先ず、前述のIBISファイルの読み込み処理を行い(ステップ(以下、Sで示す)1)、トランジスタのスイッチィング特性(KPU(T))、(KPD(T))を計算する(S2)。   FIG. 2 is a diagram for explaining particularly the characteristic processing of the present invention in the electronic circuit analyzing apparatus configured as described above. First, the above-mentioned IBIS file is read (step (hereinafter referred to as S) 1), and transistor switching characteristics (KPU (T)) and (KPD (T)) are calculated (S2).

次に、制限値Klimit_min、Klimit_maxの設定方法別処理を判断する(S3)。この制限値Klimit_min、Klimit_maxは、後述するように電流値、電圧値等で設定する。例えば、許容電流値から制限値を求める場合には、処理(S4)によって上記制限値Klimit_min、Klimit_maxを計算する。また、許容電圧値から制限値を求める場合には、処理(S5)によって計算を行う。さらに、直接設定する場合には、処理(S6)によって設定値を読み込む。   Next, the setting value-specific processing for the limit values Klimit_min and Klimit_max is determined (S3). The limit values Klimit_min and Klimit_max are set by a current value, a voltage value, etc. as will be described later. For example, when the limit value is obtained from the allowable current value, the limit values Klimit_min and Klimit_max are calculated by the process (S4). Further, when the limit value is obtained from the allowable voltage value, the calculation is performed by the process (S5). Furthermore, when setting directly, a setting value is read by a process (S6).

次に、前述のスイッチィング特性(KPU(T))、(KPD(T))が、上記設定に基づいて決定された制限値の間(Klimit_min〜Klimit_max)にあるかチェックを行い(S7)、チェック結果を得る(S8)。   Next, it is checked whether the aforementioned switching characteristics (KPU (T)) and (KPD (T)) are between the limit values determined based on the above settings (Klimit_min to Klimit_max) (S7), A check result is obtained (S8).

次に、トランジスタのスイッチィング特性(KPU(T))、(KPD(T))を、後述する微分係数を計算してチェックを行い、チェック結果を得る(S10)。また、後述する負荷特性スイープによるOS(オーバーシュート)/US(アンダーシュート)電圧精度保障範囲を判定し(S11)、OS/US電圧精度保障範囲を設定する(S12)。さらに、後述する解析周波数の上限チェックを行い(S13)、解析周波数の上限値を設定する(S14)。尚、上記それぞれの処理については、後述する実施形態において説明する。   Next, the switching characteristics (KPU (T)) and (KPD (T)) of the transistor are checked by calculating a differential coefficient, which will be described later, and a check result is obtained (S10). Further, an OS (overshoot) / US (undershoot) voltage accuracy guarantee range is determined by a load characteristic sweep described later (S11), and an OS / US voltage accuracy guarantee range is set (S12). Furthermore, an upper limit check of the analysis frequency described later is performed (S13), and an upper limit value of the analysis frequency is set (S14). Each of the above processes will be described in an embodiment described later.

先ず、本実施形態1の説明では、上記許容電流値から制限値Klimit_min、Klimit_maxを求め(S4)、トランジスタのスイッチィング特性(KPU(T))、(KPD(T))をチェックする例について説明する。尚、許容電圧値から制限値を求め(S5)、トランジスタのスイッチィング特性(KPU(T))、(KPD(T))をチェックする例については、実施形態2において説明する。   First, in the description of the first embodiment, an example in which the limit values Klimit_min and Klimit_max are obtained from the allowable current values (S4) and the transistor switching characteristics (KPU (T)) and (KPD (T)) are checked will be described. To do. An example in which the limit value is obtained from the allowable voltage value (S5) and the transistor switching characteristics (KPU (T)) and (KPD (T)) are checked will be described in the second embodiment.

図3は本例のIBISモデルを説明する図であり、同図(a)は出力回路(LSI)と出力ピンの概略構成を示し、同図(b)はその等価回路を示す。尚、同図(b)に示す等価回路は、プルアップ側トランジスタTrUとプルダウン側トランジスタTrD、パワークランプD1、グランドクランプD2、容量C、及びインダクタンス素子Lpkg、容量素子Cpkg、抵抗素子Rpkgで構成されている。   FIG. 3 is a diagram for explaining the IBIS model of this example. FIG. 3A shows a schematic configuration of an output circuit (LSI) and output pins, and FIG. 3B shows an equivalent circuit thereof. The equivalent circuit shown in FIG. 2B is composed of a pull-up side transistor TrU and a pull-down side transistor TrD, a power clamp D1, a ground clamp D2, a capacitor C, an inductance element Lpkg, a capacitance element Cpkg, and a resistance element Rpkg. ing.

図4は、更にトランジスタのスイッチィング特性(KPU(T))、(KPD(T))を説明する回路である。(KPU(T))はプルアップ側のトランジスタのスイッチィング特性を示し、(KPD(T))はプルダウン側のトランジスタのスイッチィング特性を示す。また、プルアップ側及びプルダウン側のトランジスタ素子のそれぞれのオン、オフは以下のように示す。すなわち、プルアップ側のトランジスタのオン時のスイッチィング特性は(KPU_ON(T))で示し、オフ時のスイッチィング特性は(KPU_OFF(T))で示し、プルダウン側のトランジスタのオン時のスイッチィング特性は(KPD_ON(T))で示し、オフ時のスイッチィング特性は(KPD_OFF(T))で示す。   FIG. 4 is a circuit for further explaining transistor switching characteristics (KPU (T)) and (KPD (T)). (KPU (T)) indicates the switching characteristic of the pull-up side transistor, and (KPD (T)) indicates the switching characteristic of the pull-down side transistor. The on / off states of the pull-up side and pull-down side transistor elements are shown as follows. That is, the switching characteristic when the pull-up transistor is on is indicated by (KPU_ON (T)), the switching characteristic when it is off is indicated by (KPU_OFF (T)), and the switching characteristic when the pull-down transistor is on The characteristic is indicated by (KPD_ON (T)), and the switching characteristic when OFF is indicated by (KPD_OFF (T)).

また、図5はIBISモデルとして提供されるWaveform波形を示し、定常波形(Typ)、最大波形(Max)、最小波形(Min)の3つの波形で提供される。解析者はこの情報に基づいて、トランジスタの立ち上がり、及び立ち下がり特性を算出し、スイッチィング特性のチェックを行う。   FIG. 5 shows a Waveform waveform provided as an IBIS model, which is provided in three waveforms: a steady waveform (Typ), a maximum waveform (Max), and a minimum waveform (Min). Based on this information, the analyst calculates the rise and fall characteristics of the transistor and checks the switching characteristics.

前述のように、本例は制限値Klimit_min、Klimit_maxを許容電流値を基準に設定するものであり、トランジスタのスイッチィング特性の異常を上記制限値(閾値)を越えるか否
かによって判定する。
As described above, in this example, the limit values Klimit_min and Klimit_max are set based on the allowable current value, and an abnormality in the switching characteristics of the transistor is determined based on whether or not the limit value (threshold value) is exceeded.

図6は、プルアップ側のトランジスタのスイッチィング特性を示すものであり、スイッチィング時の上限及び下限の閾値を設定し、この閾値内にトランジスタのスイッチィング特性が収まるか否かの判定を行う。すなわち、同図に示すように閾値として上限値Klimit_max、及び下限値Klimit_minを設定し、例えばトランジスタがオンする際(オフ→オン)、上記上限値Klimit_maxを越えないかチェックし、トランジスタがオフする際(オン→オフ)、上記下限値Klimit_minを越えないかチェックする。   FIG. 6 shows the switching characteristics of the pull-up side transistor. Upper and lower thresholds are set at the time of switching, and it is determined whether or not the transistor switching characteristics fall within this threshold. . That is, as shown in the figure, an upper limit value Klimit_max and a lower limit value Klimit_min are set as threshold values. For example, when the transistor is turned on (off → on), it is checked whether the upper limit value Klimit_max is exceeded, and the transistor is turned off. Check whether the lower limit value Klimit_min is exceeded (ON → OFF).

図7は、本例を具体的に説明する図であり、許容電流値を指定してKlimit_max、及びKlimit_minの値を決定するものである。同図において、特性(曲線)αはプルアップ側のトランジスタがオンの場合の定常状態での電圧−電流特性(以下、V−I特性で示す)である。また、特性(直線)βは終端回路の負荷直線である。   FIG. 7 is a diagram for specifically explaining this example, and the values of Klimit_max and Klimit_min are determined by specifying an allowable current value. In the figure, a characteristic (curve) α is a voltage-current characteristic in a steady state (hereinafter referred to as a VI characteristic) when the pull-up side transistor is on. A characteristic (straight line) β is a load straight line of the termination circuit.

ここで、過渡特性における電流の許容値を設定するための変数を定義する。例えば、上記定常状態におけるV−I特性αと負荷直線βの交点であるHの出力電流をI(H)とし、この出力電流I(H)に対してどれだけの電流量を流してもよいかの許容マージンを同図に示すImargin low とする。同様に、定常状態におけるLの出力電流I(L)に対してどれだけの電流量を流してもよいかの許容マージンをImargin high とする。   Here, a variable for setting an allowable value of current in the transient characteristic is defined. For example, the output current of H that is the intersection of the VI characteristic α and the load straight line β in the steady state is defined as I (H), and any amount of current may flow with respect to the output current I (H). The allowable margin is Imargin low shown in the figure. Similarly, let Imargin high be an allowable margin for how much current may flow with respect to the output current I (L) of L in a steady state.

次に、上記マージンを加えた電流値となる負荷直線β上の点を算出し、B点、b点を求める。すなわち、上記定常状態Hに対してマージン(Imargin low)を加えた電流値下限のラインL1と、負荷直線βとの交点Bを求める。 次に、上記B点と同じ電圧となる定常状態のV−I特性α上の点をA点求める。そしてB点を通るV−I特性α1をPU_VI(Vout)×(B/A)により計算する。同様に、上記定常状態Lに対してマージン(Imargin high)を加えた電流値上限のラインL2と、負荷直線βとの交点bを求める。 次に、上記b点と同じ電圧となる定常状態のV−I特性α上の点をa点求める。そしてb点を通るV−I特性α2をPU_VI(Vout)×(b/a)により計算する。   Next, a point on the load straight line β, which is a current value with the margin added, is calculated to obtain points B and b. That is, an intersection B between the current value lower limit line L1 obtained by adding a margin (Imargin low) to the steady state H and the load straight line β is obtained. Next, the point A is obtained on the steady state VI characteristic α at the same voltage as the point B. Then, the VI characteristic α1 passing through the point B is calculated by PU_VI (Vout) × (B / A). Similarly, an intersection b between the current value upper limit line L2 obtained by adding a margin (Imargin high) to the steady state L and the load straight line β is obtained. Next, a point on the steady state VI characteristic α having the same voltage as the point b is obtained. Then, the VI characteristic α2 passing through the point b is calculated by PU_VI (Vout) × (b / a).

ここで、定常状態におけるV−I特性αのA点はトランジスタがオンした際の過渡特性のマージンを越えないぎりぎりの電流値であり、a点はトランジスタがオフした際の過渡特性のマージンを越えないぎりぎりの電流値である。   Here, the point A of the V-I characteristic α in the steady state is a current value that does not exceed the margin of transient characteristics when the transistor is turned on, and the point a exceeds the margin of transient characteristics when the transistor is turned off. It is the current value of the last minute.

したがって、Klimit_max=(B点での電流値/A点での電流値)とし、Klimit_min=(b点での電流値/a点での電流値)とし、プルアップ側のトランジスタのスイッチィング特性(KPU(T))が上記Klimit_min〜Klimit_maxの間にあるかをチェックすることによって、プルアップ側のトランジスタのスイッチィング特性が閾値を越えないように制御することができる。   Therefore, Klimit_max = (current value at point B / current value at point A) and Klimit_min = (current value at point b / current value at point a), and the switching characteristics of the pull-up side transistor ( By checking whether KPU (T)) is between Klimit_min and Klimit_max, the switching characteristic of the pull-up side transistor can be controlled so as not to exceed the threshold value.

尚、上記説明ではプルアップ側のトランジスタについて説明したが、プルダウン側のトランジスタについても同様に処理することができる。
図8は上記処理によってトランジスタのスイッチィング特性が上記しきい値を越えて異常であると判断した場合の表示方法を示す図である。この場合、スイッチィング特性(KPU(T))に対して、異常個所に色を付加し、又は丸印を付けることによって、スイッチィング特性(KPU(T))の異常個所を表示することができる。尚、同図ではプルアップ側について説明したが、プルダウン側でも同様に異常箇所に色を付加し、又は丸印を付けることによって、スイッチィング特性(KPD(T))の異常個所を表示することができる。
In the above description, the pull-up side transistor has been described, but the pull-down side transistor can be similarly processed.
FIG. 8 is a diagram showing a display method when it is determined that the switching characteristic of the transistor exceeds the threshold value and is abnormal by the above processing. In this case, the abnormal part of the switching characteristic (KPU (T)) can be displayed by adding a color to the abnormal part or adding a circle to the switching characteristic (KPU (T)). . In the figure, the pull-up side is explained, but the abnormal part of the switching characteristics (KPD (T)) is displayed by adding a color to the abnormal part or adding a circle on the pull-down side as well. Can do.

また、図9は出力電圧の波形に異常個所が存在する時刻に色を付加する表示である。このように構成することによっても、スイッチィング特性(KPU(T))、(KPD(T))の異常個所が
分かる。
FIG. 9 shows a display in which a color is added at the time when an abnormal part exists in the waveform of the output voltage. With this configuration as well, abnormal portions of the switching characteristics (KPU (T)) and (KPD (T)) can be found.

以上のように、解析者はIBISモデルを使用して解析を行う場合、従来では解析結果波形の異常を知ることができなかったが、本例によれば解析結果に異常がある場合、上記図8及び図9に示すように、表示部に異常が表示され、スイッチィング特性(KPU(T))、(KPD(T))に異常があり、当該IBISモデルを使用することが不適切であることを容易に知ることができる。   As described above, when an analyst performs an analysis using an IBIS model, the analysis result waveform could not be known conventionally. However, according to this example, when the analysis result has an abnormality, 8 and 9, abnormalities are displayed on the display, switching characteristics (KPU (T)), (KPD (T)) are abnormal, and it is inappropriate to use the IBIS model You can easily know that.

(実施形態2)
次に、本発明の実施形態2について説明する。
本例においても、前述の図6に示すように閾値として上限値Klimit_max、及び下限値Klimit_minを設定し、トランジスタがオンする際(オフ→オン)、上記下限値Klimit_min〜上記上限値 Klimit_maxの間にあるかのチェックを行う。同様にトランジスタがオフする際(オン→オフ)、上記下限値Klimit_min〜上記上限値Klimit_maxの間にあるかのチェックを行うものであり、本例では許容電圧値を指定してKlimit_max、Klimit_minの基準とするものである。
(Embodiment 2)
Next, Embodiment 2 of the present invention will be described.
Also in this example, as shown in FIG. 6 described above, the upper limit value Klimit_max and the lower limit value Klimit_min are set as thresholds, and when the transistor is turned on (off → on), between the lower limit value Klimit_min and the upper limit value Klimit_max Check if there is any. Similarly, when the transistor is turned off (from ON to OFF), it is checked whether it is between the lower limit value Klimit_min and the upper limit value Klimit_max. In this example, an allowable voltage value is specified and the Klimit_max and Klimit_min criteria are used. It is what.

図10は、本例を説明する図であり、前述と同様、特性(曲線)αはプルアップ側のトランジスタの定常状態を示すV−I特性であり、特性(直線)βは終端回路の負荷直線である。   FIG. 10 is a diagram for explaining this example, and, as described above, the characteristic (curve) α is a VI characteristic indicating the steady state of the pull-up transistor, and the characteristic (straight line) β is the load of the termination circuit. It is a straight line.

本例では、前述の電流に代えて、過渡特性における許容電圧を設定するための変数を定義する。すなわち、定常状態におけるV−I特性αと負荷直線βの交点であるHの出力電圧をVout(H)とし、この出力電圧Vout(H)に対してどれだけの割合でマージンを許容するかを設定する。例えば、本例では許容するマージンをVout(H)×Vmargin highとする。同様に、定常状態におけるLの出力電圧をVout(L)とし、本例ではこの出力電圧Vout(L)に対してVout(L)×Vmargin lowのマージンを許容する。   In this example, a variable for setting an allowable voltage in the transient characteristic is defined instead of the above-described current. That is, the output voltage of H, which is the intersection of the VI characteristic α and the load line β in the steady state, is defined as Vout (H), and how much margin is allowed with respect to the output voltage Vout (H). Set. For example, in this example, the allowable margin is Vout (H) × Vmargin high. Similarly, the output voltage of L in a steady state is Vout (L), and in this example, a margin of Vout (L) × Vmargin low is allowed for this output voltage Vout (L).

次に、上記マージンを加えた電圧値となる負荷直線β上の点を算出し、B点、b点を求める。本例では、上記定常状態Hに対してマージン(Vout(H)×Vmargin high)を加えた許容電圧のラインはL3である。次に、上記B点と同じ電圧となる定常状態のV−I特性α上の点を求める。すなわち、上記B点と同じ電圧のA点と、b点と同じ電圧のa点を求める。ラインL3と負荷直線βとの交点Bを求める。そしてB点を通るV−I特性α3をPU_VI(Vout)×(B/A)により計算する。同様に、b点についても、上記定常状態Lに対してマージン(Vout(L)×Vmargin low)を加えた許容電圧のラインはL4であり、ラインL4と負荷直線βとの交点bを求める。そしてb点を通るV−I特性α4をPU_VI(Vout)×(b/a)により計算する。   Next, a point on the load straight line β that is a voltage value to which the margin is added is calculated, and points B and b are obtained. In this example, the allowable voltage line obtained by adding a margin (Vout (H) × Vmargin high) to the steady state H is L3. Next, a point on the steady-state VI characteristic α having the same voltage as the point B is obtained. That is, point A having the same voltage as point B and point a having the same voltage as point b are obtained. An intersection B between the line L3 and the load straight line β is obtained. Then, the VI characteristic α3 passing through the point B is calculated by PU_VI (Vout) × (B / A). Similarly, for the point b, the allowable voltage line obtained by adding a margin (Vout (L) × Vmargin low) to the steady state L is L4, and the intersection b between the line L4 and the load straight line β is obtained. Then, the VI characteristic α4 passing through the point b is calculated by PU_VI (Vout) × (b / a).

ここで、定常状態におけるV−I特性αのA点はトランジスタがオンした際の過渡特性のマージン(Vout(H)×Vmargin high )を越えないぎりぎりの値であり、a点はトランジスタがオフした際の過渡特性のマージン(Vout(L)×Vmargin low)を越えないぎりぎりの値である。   Here, the point A of the VI characteristic α in the steady state is a marginal value not exceeding the transient characteristic margin (Vout (H) × Vmargin high) when the transistor is turned on, and the point a is the transistor turned off. This is a marginal value not exceeding the margin (Vout (L) × Vmargin low) of the transient characteristics.

したがって、本例においても、Klimit_max=(B点での電流値/A点での電流値)とし、Klimit_min=(b点での電流値/a点での電流値)とし、プルアップ側のトランジスタのスイッチィング特性(KPU(T))が上記Klimit_min〜Klimit_maxの間にあるかをチェックすることによって、プルアップ側のトランジスタのスイッチィング特性が閾値を越えないように制御することができる。   Therefore, also in this example, Klimit_max = (current value at point B / current value at point A), Klimit_min = (current value at point b / current value at point a), and the transistor on the pull-up side By checking whether the switching characteristic (KPU (T)) is between Klimit_min and Klimit_max, the switching characteristic of the pull-up transistor can be controlled so as not to exceed the threshold value.

尚、上記説明ではプルアップ側のトランジスタについて説明したが、プルダウン側のト
ランジスタについても同様に処理することができる。
また、上記処理によってトランジスタのスイッチィング特性が異常であると判断した場合には、前述と同様、図8に示すように異常個所に色を付加し、又は丸印を付けることによって、スイッチィング特性(KPU(T))、(KPD(T))の異常個所を表示することができる。また、図9に示すように、波形の異常個所を表示するようにしてもよい。
In the above description, the pull-up side transistor has been described, but the pull-down side transistor can be similarly processed.
Further, when it is determined that the switching characteristics of the transistor are abnormal by the above processing, the switching characteristics are added by adding a color or adding a circle as shown in FIG. 8 as described above. The abnormal part of (KPU (T)) and (KPD (T)) can be displayed. Moreover, as shown in FIG. 9, you may make it display the abnormal location of a waveform.

以上のように、本例においても、解析者はIBISモデルを使用して解析を行った場合、従来では解析結果波形の異常を知ることができなかったが、本例によれば解析結果に異常がある場合、上記図8及び図9に示すように、ディスプレイに異常が表示され、スイッチィング特性(KPU(T))、(KPD(T))に異常があり、当該IBISモデルを使用することが適切でないことを容易に知ることができる。   As described above, in this example as well, when an analyst performs an analysis using an IBIS model, the analysis result waveform could not be known in the past. 8 and 9 above, abnormalities are displayed on the display, switching characteristics (KPU (T)), (KPD (T)) are abnormal, and the IBIS model should be used. Can easily know that is not appropriate.

尚、図11はプルアップ側のトランジスタの特性が定電流特性に近い特性を有する場合の例であり、前述と同様の処理を行ってスイッチィング特性(KPU(T))、(KPD(T))の異常を知ることができる。すなわち、定常状態におけるV−I特性αと負荷直線βの交点である前述のHの出力電圧をVout(H)とし、この出力電圧Vout(H)に対して許容するマージンをVout(H)×Vmargin highとする。同様に、定常状態におけるLの出力電圧をVout(L)とし、本例ではこの出力電圧Vout(L)に対してVout(L)×Vmargin lowのマージンを許容する。   Note that FIG. 11 shows an example in which the characteristics of the pull-up transistor have characteristics close to a constant current characteristic, and the switching characteristics (KPU (T)), (KPD (T)) are performed by performing the same processing as described above. ) Can be known. That is, the aforementioned H output voltage, which is the intersection of the VI characteristic α and the load straight line β in the steady state, is Vout (H), and the margin allowed for this output voltage Vout (H) is Vout (H) × Vmargin high. Similarly, the output voltage of L in a steady state is Vout (L), and in this example, a margin of Vout (L) × Vmargin low is allowed for this output voltage Vout (L).

次に、上記マージンを加えた電圧値となる負荷直線β上の点を算出し、B点、b点を求める。本例では、上記定常状態Hに対してマージン(Vout(H)×Vmargin high)を加えた許容電圧のラインはL5であり、対応するV−I特性α5と負荷直線βとの交点Bを求める。同様に、b点についても、上記定常状態Lに対してマージン(Vout(L)×Vmargin low)を加えた許容電圧のラインはL6であり、対応するV−I特性α6を計算し、このV−I特性α6と負荷直線βとの交点bを求める。   Next, a point on the load straight line β that is a voltage value to which the margin is added is calculated, and points B and b are obtained. In this example, the allowable voltage line obtained by adding a margin (Vout (H) × Vmargin high) to the steady state H is L5, and the intersection B between the corresponding VI characteristic α5 and the load straight line β is obtained. . Similarly, for the point b, the allowable voltage line obtained by adding a margin (Vout (L) × Vmargin low) to the steady state L is L6, and the corresponding VI characteristic α6 is calculated. The intersection b between the −I characteristic α6 and the load straight line β is obtained.

次に、前述と同様、上記B点ど同じ電圧となる定常状態のV−I特性α上の点であるA点とa点を求める。そして、前述と同様、Klimit_max=(A点での電流値/B点での電流値)とし、Klimit_min=(a点での電流値/b点での電流値)とし、プルアップ側のトランジスタのスイッチィング特性(KPU(T))が上記Klimit_min〜Klimit_maxの間にあるかをチェックすることによって、プルアップ側のトランジスタのスイッチィング特性が閾値を越えないように制御することができる。   Next, as described above, points A and a, which are points on the steady-state VI characteristic α at which the voltage is the same as point B, are obtained. Similarly to the above, Klimit_max = (current value at point A / current value at point B), Klimit_min = (current value at point a / current value at point b), and the pull-up side transistor By checking whether the switching characteristic (KPU (T)) is between Klimit_min and Klimit_max, the switching characteristic of the pull-up side transistor can be controlled so as not to exceed the threshold value.

尚、上記説明ではプルアップ側のトランジスタについて説明したが、プルダウン側のトランジスタについても同様に実施することができる。
また、上記処理によってトランジスタのスイッチィング特性が異常であると判断した場合には、前述と同様、図8又は図9に示すように異常個所に色等を付加し、スイッチィング特性(KPU(T))、(KPD(T))が異常であることを表示するように構成する。
In the above description, the pull-up side transistor has been described. However, the pull-down side transistor can be similarly implemented.
Further, when it is determined that the switching characteristics of the transistor are abnormal by the above processing, as described above, a color or the like is added to the abnormal portion as shown in FIG. 8 or 9, and the switching characteristics (KPU (T )), (KPD (T)) is configured to display an error.

(実施形態3)
次に、本発明の実施形態3について説明する。
本例は負荷抵抗をスイープすることによって、電圧精度を保障する負荷抵抗の範囲の判定を行うものである。以下、具体的に説明する。
(Embodiment 3)
Next, a third embodiment of the present invention will be described.
In this example, the load resistance range that ensures the voltage accuracy is determined by sweeping the load resistance. This will be specifically described below.

スイッチィング特性(KPU(T))、(KPD(T))は、測定時の負荷抵抗によって、その値に含まれる誤差の量が変わる。例えば、大きな負荷抵抗が接続された状態でIBISモデルの過渡特性が測定された場合、負荷抵抗に流れる電流量は小さくなる。この場合、スイッチィング特性(KPU(T))、(KPD(T))は定常状態のV−I特性と過渡状態のV−I特性比で定義されるため、負荷抵抗に流れる抵抗値が小さくなると、スイッチィング特性(KPU(T))、(KPD
(T))の値は電流値が少し変動しただけで大きく変化し、誤差が大きくなる。一方、負荷抵抗がドライバ素子の出力抵抗に比べて極端に小さい場合、電圧を少し変化させるために大きな電流差が必要になり、誤差が大きくなる。したがって、ドライバ素子の出力抵抗値と負荷抵抗の値が大きく違うことがない範囲で測定することが精度よいスイッチィング特性(KPU(T))、(KPD(T))の測定条件である。
The amount of error included in the switching characteristics (KPU (T)) and (KPD (T)) varies depending on the load resistance at the time of measurement. For example, when the transient characteristic of the IBIS model is measured with a large load resistance connected, the amount of current flowing through the load resistance is small. In this case, since the switching characteristics (KPU (T)) and (KPD (T)) are defined by the ratio of the steady-state VI characteristics and the transient VI characteristics, the resistance value flowing through the load resistance is small. Switching characteristics (KPU (T)), (KPD
The value of (T) changes greatly when the current value changes slightly, and the error increases. On the other hand, when the load resistance is extremely smaller than the output resistance of the driver element, a large current difference is required to slightly change the voltage, resulting in a large error. Therefore, it is an accurate measurement condition of the switching characteristics (KPU (T)) and (KPD (T)) to measure within a range in which the output resistance value of the driver element and the load resistance value do not greatly differ.

しかし、現実に提供されるIBISモデルは、様々な条件で作成されたものであり、IBISモデルの過渡特性の測定条件とは大きく異なる負荷条件で解析を行った場合、スイッチィング特性(KPU(T))、(KPD(T))の誤差により解析精度に大きな影響がでる。   However, the actually provided IBIS model is created under various conditions. When the analysis is performed under a load condition that is significantly different from the measurement condition of the transient characteristic of the IBIS model, the switching characteristic (KPU (T )), (KPD (T)) errors greatly affect the analysis accuracy.

特に、スイッチィング特性(KPU(T))、(KPD(T))が大きな値になると、現実には起こり得ないような異常に大きな電圧となる。そこで、本例ではIBISモデルから求めたスイッチィング特性(KPU(T))、(KPD(T))を用いて、負荷抵抗を変化させた時に発生するOS(オーバーシュート)電圧、US(アンダーシュート)電圧を求め、接続する負荷によって振幅に対してOS電圧、US電圧が大きすぎることがないかのチェックを行う。   In particular, when the switching characteristics (KPU (T)) and (KPD (T)) have large values, the voltage becomes an abnormally large voltage that cannot actually occur. Therefore, in this example, the OS (overshoot) voltage and US (undershoot) generated when the load resistance is changed using the switching characteristics (KPU (T)) and (KPD (T)) obtained from the IBIS model. ) Obtain the voltage and check whether the OS voltage and the US voltage are not too large with respect to the amplitude depending on the connected load.

以下に、0V終端で負荷抵抗を変化させた時のプルアップ側のトランジスタが出力する振幅例を示す。図12は本実施形態を説明する図である。上記のように、本例では負荷抵抗をスイープし、スイッチィング特性(KPU(T))から負荷変更時のVoutのOS電圧を算出する。   The following is an example of amplitude output by the pull-up side transistor when the load resistance is changed at 0V termination. FIG. 12 is a diagram illustrating this embodiment. As described above, in this example, the load resistance is swept, and the OS voltage of Vout when the load is changed is calculated from the switching characteristics (KPU (T)).

同図において、αは定常状態のプルアップ側のトランジスタのスイッチィング特性を示す。また、βは負荷直線(負荷抵抗)を示し、本例では負荷抵抗をスイープするため、β1、β2、β3、β4の4本の負荷直線を例示している。ここで、一点鎖線両矢印で示すVampは、定常状態において負荷抵抗を変化させた時の出力(振幅)を示す。例えば、負荷直線がβ1の時振幅はVamp1であり、負荷直線がβ2の時振幅はVamp2であり、負荷直線がβ3の時振幅はVamp3であり、負荷直線がβ4の時振幅はVamp4である。   In the figure, α indicates the switching characteristics of the transistor on the pull-up side in the steady state. Also, β represents a load straight line (load resistance), and in this example, four load straight lines β1, β2, β3, and β4 are illustrated in order to sweep the load resistance. Here, Vamp indicated by a one-dot chain double arrow indicates an output (amplitude) when the load resistance is changed in a steady state. For example, when the load line is β1, the amplitude is Vamp1, when the load line is β2, the amplitude is Vamp2, when the load line is β3, the amplitude is Vamp3, and when the load line is β4, the amplitude is Vamp4.

次に、OS電圧が振幅に対して大きくなりすぎないための負荷抵抗の保障範囲を設定するため、前述の実施形態において取得したスイッチィング特性の最大値KMAXとして、V−I特性α1を使用し、負荷抵抗を変化させた時の最大値KMAXを満たす定常電圧からのOS電圧をVOSmarginとして取得する。具体的には、同図に示す実線両矢印VOSmargin1〜4が対応し、振幅に対するマージンの割合(VOSmargin/Vamp)を計算し、この値が一定値の範囲に収まっているかチェックする。上記マージン割合(VOSmargin/Vamp)が一定値の範囲に収まっていれば、IBISモデルの解析が可能であることが分かる。   Next, in order to set the guaranteed range of the load resistance so that the OS voltage does not become too large with respect to the amplitude, the V-I characteristic α1 is used as the maximum value KMAX of the switching characteristic acquired in the above-described embodiment. Then, the OS voltage from the steady voltage that satisfies the maximum value KMAX when the load resistance is changed is obtained as VOSmargin. Specifically, solid line double arrows VOSmargin 1 to 4 shown in the figure correspond to each other, calculate a ratio of margin to amplitude (VOSmargin / Vamp), and check whether this value is within a certain range. If the margin ratio (VOSmargin / Vamp) is within a certain range, it is understood that the IBIS model can be analyzed.

以上のように、本例によれば負荷抵抗をスイープすることによって、上記マージン割合(VOSmargin/Vamp)を計算し、予め設定した一定値の範囲に収まっていれば、負荷条件に関係なくIBISモデルを使用することができる。一部の負荷条件で範囲内に収まっていなければ、解析実行時にドライバ素子の動作状態から接続されている負荷を算出し、算出された負荷が、前に求めたスイープで求めた精度のでる範囲内に収まっているかをチェックすることで精度の出る解析かを判定することができる。   As described above, according to the present example, the margin ratio (VOSmargin / Vamp) is calculated by sweeping the load resistance, and the IBIS model can be used regardless of the load condition as long as the margin ratio (VOSmargin / Vamp) is within a predetermined range. Can be used. If it does not fall within the range under some load conditions, the connected load is calculated from the operating state of the driver element at the time of analysis execution, and the calculated load is within the accuracy range obtained by the previously obtained sweep It is possible to determine whether the analysis is accurate by checking whether it is within the range.

図13は上記負荷抵抗を変化させる場合において、負荷抵抗の設定方法を説明するものである。本例では、トランジスタ素子の最大許容電流をImaxとし、この最大許容電流Imaxを任意の数値で分割する。本例では4分割する例を示す。   FIG. 13 illustrates a method for setting the load resistance when the load resistance is changed. In this example, the maximum allowable current of the transistor element is Imax, and this maximum allowable current Imax is divided by an arbitrary numerical value. In this example, an example of dividing into four is shown.

この場合、4分割した電流値と最大値KMAX×PU_VI(Vout)の特性の交点を求める。例えば、上記例ではβ1との交点がR1であり、β2との交点がR2であり、β3
との交点がR3であり、β4との交点がR4である。尚、分割数は上記4に限るものではない。
In this case, the intersection of the characteristics of the current value divided into four and the maximum value KMAX × PU_VI (Vout) is obtained. For example, in the above example, the intersection with β1 is R1, the intersection with β2 is R2, and β3
The intersection with R4 is R3, and the intersection with β4 is R4. The number of divisions is not limited to the above four.

また、図14は負荷抵抗スイープによるUS電圧精度保障範囲の判定方法を説明する図である。本例においても、負荷抵抗をスイープするため、β1、β2、β3、β4の4本の負荷直線を例示し、一点鎖線両矢印で示すVampは、定常状態において負荷抵抗を変化させた時の出力(振幅)を示す。例えば、負荷直線がβ1の時振幅はVamp1であり、負荷直線がβ2の時振幅はVamp2であり、負荷直線がβ3の時振幅はVamp3であり、負荷直線がβ4の時振幅はVamp4である。また、スイッチィング特性が異常値にならない保障範囲を設定するため、前述の実施形態において取得したスイッチィング特性の最小値KMINを使用し、負荷抵抗を変化させた時の最小値KMINを満たす定常電圧からのUS電圧をVUSmarginとして取得する。具体的には、同図に示す実線両矢印VUSmargin1〜4が対応し、振幅に対するマージンの割合(VUSmargin/Vamp)を計算し、この値が一定値の範囲に収まっているかチェックし、上記マージン割合(VUSmargin/Vamp)が一定値の範囲に収まっていれば、IBISモデルの解析が可能であると判断する。   FIG. 14 is a diagram for explaining a method of determining the US voltage accuracy guarantee range by the load resistance sweep. Also in this example, in order to sweep the load resistance, four load lines β1, β2, β3, and β4 are illustrated, and Vamp indicated by a one-dot chain double arrow indicates an output when the load resistance is changed in a steady state. (Amplitude) is shown. For example, when the load line is β1, the amplitude is Vamp1, when the load line is β2, the amplitude is Vamp2, when the load line is β3, the amplitude is Vamp3, and when the load line is β4, the amplitude is Vamp4. Further, in order to set a guaranteed range in which the switching characteristic does not become an abnormal value, the minimum value KMIN of the switching characteristic obtained in the above embodiment is used, and the steady voltage that satisfies the minimum value KMIN when the load resistance is changed The US voltage from is acquired as VUSmargin. Specifically, the solid line double arrows VUSmargin 1 to 4 shown in the figure correspond to each other, calculate the ratio of the margin to the amplitude (VUSmargin / Vamp), check whether this value is within a certain range, and check the margin ratio. If (VUSmargin / Vamp) is within a certain range, it is determined that the IBIS model can be analyzed.

以上のように、本例によっても、負荷抵抗をスイープすることによって、上記マージン割合(VUSmargin/Vamp)を計算し、予め設定した一定値の範囲に収まっていれば、負荷条件に関係なくIBISモデルを使用することができると判断する。   As described above, also in this example, the margin ratio (VUSmargin / Vamp) is calculated by sweeping the load resistance, and the IBIS model can be used regardless of the load condition as long as it is within a predetermined range. To be able to use.

(実施形態4)
次に、本発明の実施形態4について説明する。
本例はトランジスタのスイッチィング特性(KPU(T))が正常であるか否かの判断を波形の微分値から判断する構成である。以下、具体的に説明する。
(Embodiment 4)
Next, a fourth embodiment of the present invention will be described.
In this example, it is determined whether or not the switching characteristic (KPU (T)) of the transistor is normal from the differential value of the waveform. This will be specifically described below.

図15は本例の処理を説明する図であり、同図(a)はスイッチィング特性(KPU(T))が正常な場合であり、同図(b)、及び同図(c)はスイッチィング特性(KPU(T))が異常な場合を示す。すなわち、同図に示すように、立ち上がり波形を微分することによって、正常であれば微分係数が増加→減少と1回だけ変化する。しかし、異常である場合、同図(b)に示すように、微分係数が増加→減少→増加→減少となる。また、同図(c)に示すように、微分係数が増加→減少→・・を何度も繰り返す。   FIG. 15 is a diagram for explaining the processing of this example. FIG. 15A shows the case where the switching characteristic (KPU (T)) is normal, and FIG. 15B and FIG. This shows the case where the wing characteristics (KPU (T)) are abnormal. That is, as shown in the figure, by differentiating the rising waveform, if normal, the differential coefficient changes only once from increase to decrease. However, in the case of abnormality, as shown in FIG. 5B, the differential coefficient increases, decreases, increases, and decreases. Further, as shown in FIG. 5C, the differential coefficient is increased → decreased → repeatedly.

したがって、過渡特性時の立ち上がり波形の微分係数を求めることによって、トランジスタのスイッチィング特性(KPU(T))が正常であるか、異常であるか判断するものである。以上のように、本例によれば過渡特性時の立ち上がり波形の微分係数を求めることによって、スイッチィング特性(KPU(T))が正常であるか、異常であるか判断することができ、従来では解析結果波形の異常を知ることができなかったが、本例によれば解析結果に異常がある場合、スイッチィング特性(KPU(T))の異常を容易に知ることができる。   Therefore, it is determined whether the switching characteristic (KPU (T)) of the transistor is normal or abnormal by obtaining the differential coefficient of the rising waveform during the transient characteristic. As described above, according to this example, it is possible to determine whether the switching characteristic (KPU (T)) is normal or abnormal by obtaining the differential coefficient of the rising waveform at the time of the transient characteristic. However, according to this example, when there is an abnormality in the analysis result, it is possible to easily know the abnormality of the switching characteristic (KPU (T)).

尚、上記説明ではプルアップ側のトランジスタの立ち上がりについて説明したが、立ち下がりについても同様にスイッチィング特性(KPU(T))の異常を知ることができる。また、上記説明ではプルアップ側のトランジスタについて説明したが、プルダウン側のトランジスタについても同様に処理することができる。   In the above description, the rise of the pull-up side transistor has been described. However, regarding the fall, an abnormality in the switching characteristic (KPU (T)) can also be known. In the above description, the transistor on the pull-up side has been described, but the same processing can be performed on the transistor on the pull-down side.

(実施形態5)
次に、本発明の実施形態5について説明する。
本例は電圧の許容誤差を指定して解析周波数の上限をチェックする構成である。以下、具体的に説明する。
(Embodiment 5)
Next, a fifth embodiment of the present invention will be described.
In this example, the upper limit of the analysis frequency is checked by specifying a voltage tolerance. This will be specifically described below.

IBISモデルはその動作をビヘイビアとして表現するため、解析周波数によって精度
が変わる。例えば、解析周波数が上がり、トランジスタのスイッチィング状態が定常状態に安定する前に次のパルスが入力する場合、IBISモデルに定義されたV−I特性とトランジスタのスイッチィング特性から計算される推測されたV−I特性を起点に次のスイッチィング動作に移ることになる。このように、推測された特性を起点にスイッチィングが行われると、スイッチィング時の起点となるV−I特性情報が正確ではないため、以後の解析結果波形の精度が低下する。
Since the IBIS model expresses its operation as a behavior, the accuracy varies depending on the analysis frequency. For example, if the next pulse is input before the analysis frequency is increased and the transistor switching state is stabilized to a steady state, it is estimated from the VI characteristics defined in the IBIS model and the transistor switching characteristics. The next switching operation starts from the VI characteristic. As described above, when switching is performed using the estimated characteristics as the starting point, the VI characteristic information serving as the starting point at the time of switching is not accurate, so that the accuracy of the subsequent analysis result waveform decreases.

そこで、本例ではスイッチィング処理が完了する前の状態を電圧軸でどこまで許容するかの電圧許容誤差を与えることで、その誤差を満たす解析周波数の上限を求めるものである。   Therefore, in this example, the upper limit of the analysis frequency that satisfies the error is obtained by giving a voltage allowable error indicating how much the state before the switching process is completed on the voltage axis.

図16は本例を説明する図であり、前述と同様αはプルアップ側のトランジスタがオンの場合の定常状態でのV−I特性であり、特性(直線)βは終端回路の負荷直線である。本例においては、許容誤差を満たすためのスイッチィング特性(KPU(T))の値の範囲を、例えばKpusw_min〜Kpusw_maxとし、以下の計算によって求める。すなわち、Kpusw_max=Aでの電流値/B点での電流値とし、Kpusw_min=a点での電流値/b点での電流値とし、上記波形の立ち上がりにおいて、Kpusw_min〜Kpusw_maxの範囲内において、次のスイッチィング動作を可能とするものであります。   FIG. 16 is a diagram for explaining this example, and α is the steady-state VI characteristic when the pull-up transistor is on, and the characteristic (straight line) β is the load line of the termination circuit. is there. In this example, the range of the switching characteristic (KPU (T)) value for satisfying the allowable error is, for example, Kpusw_min to Kpusw_max, and is obtained by the following calculation. That is, Kpusw_max = current value at A / current value at point B, Kpusw_min = current value at point a / current value at point b, and at the rise of the waveform, Switching operation is possible.

尚、同図に示すH点、L点、B点、b点、A点、a点の意味、及び算出方法等は前述の実施形態1及び2と同様である。また、上記説明ではプルアップ側のトランジスタについて説明したが、プルダウン側のトランジスタについても同様に実施することができる。
図17は、スイッチィング時間SW_TIMEを示す図である。同図(a)はプルアップ側のトランジスタの立ち上がりのスイッチィング特性(KPU(T))に対するSW_TIMEのタイミングであり、同図(b)はプルダウン側のトランジスタの立ち上がりのスイッチィング特性(KPU(T))に対するSW_TIMEのタイミングである。また、同図(c)はプルアップ側のトランジスタの立ち下がりのスイッチィング特性(KPU(T))に対するSW_TIMEのタイミングであり、同図(d)はプルダウン側のトランジスタの立ち下がりのスイッチィング特性(KPU(T))に対するSW_TIMEのタイミングである。
The meanings of H point, L point, B point, b point, A point, a point, calculation method, and the like shown in the figure are the same as those in the first and second embodiments. In the above description, the transistor on the pull-up side has been described, but the same can be applied to the transistor on the pull-down side.
FIG. 17 is a diagram illustrating the switching time SW_TIME. (A) shows the SW_TIME timing with respect to the rising switching characteristic (KPU (T)) of the pull-up side transistor, and (b) shows the rising switching characteristic (KPU (T) of the pull-down side transistor. SW_TIME timing for)). FIG. 4C shows the SW_TIME timing with respect to the falling switching characteristic (KPU (T)) of the pull-up transistor, and FIG. 4D shows the switching characteristic of the pull-down transistor falling. SW_TIME timing for (KPU (T)).

本例においては、上記4パターンに対して誤動作を起こすことなく処理が可能な解析周波数として、例えば上限を1/(2×SW_TIME)とし、解析実行時に解析周波数が求めた上限の周波数を越えないかチェックする。このことによって、次のスイッチィング動作に入る前に前のスイッチィング動作が完了していないことがないように制御する。   In this example, the upper limit is set to 1 / (2 × SW_TIME), for example, as an analysis frequency that can be processed without causing malfunctions with respect to the above four patterns, and the analysis frequency does not exceed the upper limit frequency obtained during analysis execution. To check. Thus, control is performed so that the previous switching operation is not completed before entering the next switching operation.

(付記1)
負荷抵抗が接続された出力素子モデルの電圧/電流特性と波形情報を入力し、回路解析を行う電子回路解析装置において、
前記波形情報から前記出力素子モデルに含まれる切替手段のオン、オフ状態変化時におけるスイッチィング特性を作成する作成手段と、
前記切替手段の前記状態変化の際に流れる電力値が、前記切替手段の定常状態の電力値に対して許容できる電力値を設定する電力値設定手段と、
該設定された許容電力値と、前記電圧/電流特性と、前記負荷抵抗の値から、設定された許容電力値を超えない前記切替手段のスイッチィング特性の値の範囲を算出する算出手段と、
前記切替手段のスイッチィング特性を算出する基準となった前記波形情報と同一時間軸上で表示し、前記切替手段のスイッチィング特性が異常となっている波形特性上の部分を強調表示する表示手段と、
を有することを特徴とする電子回路解析装置。
(付記2)
負荷抵抗が接続された出力素子モデルの電圧/電流特性と波形情報を入力し、回路解析
を行う電子回路解析装置において、
前記出力素子モデルに含まれる切替手段のオン、オフ状態変化の際に流れる電流値が、前記切替手段の定常状態に対して許容できる電流値を設定する電流値設定手段と、
前記設定に基づいてシミュレーションを行い、回路解析を行う解析手段と、
該解析結果において、前記電流値が前記許容電流値の範囲に収まっていることを確認し、前記切替手段のスイッチィング特性が正常であるか判断する判断手段と、
を有することを特徴とする電子回路解析装置。
(付記3)
負荷抵抗が接続された出力素子モデルの電圧/電流特性と波形情報を入力し、回路解析を行う電子回路解析装置において、
前記波形情報から前記出力素子モデルに含まれる切替手段のオン、オフ状態変化時におけるスイッチィング特性を作成する作成手段と、
前記切替手段の前記状態変化の際に出力される電圧値が、前記切替手段の定常状態に対して許容できる電圧値を設定する電圧値設定手段と、
該設定された許容電圧値と、前記電圧/電流特性と、前記負荷抵抗の値から、設定された許容電圧値を超えない前記切替手段のスイッチィング特性の値の範囲を算出する算出手段と、
前記切替手段のスイッチィング特性を算出する基準となった前記波形情報と同一時間軸上で表示し、前記切替手段のスイッチィング特性が異常となっている波形特性上の部分を強調表示する表示手段と、
を有することを特徴とする電子回路解析装置。
(付記4)
負荷抵抗が接続された出力素子モデルの電圧/電流特性と波形情報を入力し、回路解析を行う電子回路解析装置において、
前記出力素子モデルに含まれる切替手段のオン、オフ状態変化の際に発生する出力電圧値が、前記切替手段の定常状態に対して許容できる電圧値を設定する電圧値設定手段と、
前記設定に基づいてシミュレーションを行い、回路解析を行う解析手段と、
該解析結果において、前記電圧値が前記許容電圧値の範囲に収まっていることを確認し、前記切替手段のスイッチィング特性が正常であるか判断する判断手段と、
を有することを特徴とする電子回路解析装置。
(付記5)
負荷抵抗が接続された出力素子モデルの電圧/電流特性と波形情報を入力し、回路解析を行う電子回路解析装置において、
前記波形情報から前記出力素子モデルに含まれる切替手段のオン、オフ状態変化時におけるスイッチィング特性を作成する作成手段と、
前記切替手段のスイッチィング特性の微分係数を算出する算出手段と、
該算出結果である微分係数が増加から減少に変わる回数を計数し、該計数結果に基づいて前記スイッチィング特性の異常を判断する判断手段と、
を有することを特徴とする電子回路解析装置。
(付記6)
前記判断手段は、前記計数結果が2以上であるとき、前記スイッチィング特性が異常であると判断することを特徴とする付記5に記載の電子回路解析装置。
(付記7)
負荷抵抗が接続された出力素子モデルの電圧/電流特性と波形情報を入力し、回路解析を行う電子回路解析装置において、
前記波形情報から前記出力素子モデルに含まれる切替手段のオン、オフ状態変化時におけるスイッチィング特性を作成する作成手段と、
前記切替手段のスイッチィング特性が一定の値の範囲で変化する時間を算出し、該算出した時間の2倍の周期を持つ周波数を使用して回路解析を行っていることを確認する確認手段と、
前記算出した時間の1/2以下の周波数を使用して回路解析を行っている場合、解析周波数保障範囲にあると判断する判断手段と、
を有することを特徴とする電子回路解析装置。
(付記8)
負荷抵抗が接続された出力素子モデルの電圧/電流特性と波形情報を入力し、回路解析を行う電子回路解析装置において、
前記波形情報から前記出力素子モデルに含まれる切替手段のオン、オフ状態変化時におけるスイッチィング特性を作成する作成手段と、
前記切替手段のスイッチィング特性が一定の値の範囲で変化する時間を算出し、該算出した時間より短い間隔で前記切替手段がオン、オフ状態の変化を行っていないことを確認する確認手段と、
前記算出した時間より短い間隔で前記切替手段がオン、オフ状態の変化を行っていない場合、解析精度保障範囲にあると判断する判断手段と、
を有することを特徴とする電子回路解析装置。
(付記9)
負荷抵抗が接続された出力素子モデルの電圧/電流特性と波形情報を入力し、回路解析を行う電子回路解析装置において、
前記波形情報から前記出力素子モデルに含まれる切替手段のオン、オフ状態変化時におけるスイッチィング特性を作成する作成手段と、
前記切替手段のスイッチィング特性の最大、最小値と前記電圧/電流特性を使用して、前記負荷抵抗を変化させた際に発生するオーバーシュート電圧、及びアンダーシュート電圧を算出する算出手段と、
前記オーバーシュート電圧、及びアンダーシュート電圧が許容範囲に収まっているか判断し、前記許容範囲に収まっている場合、前記スイッチィング特性が正常であると判断する判断手段と、
を有することを特徴とする電子回路解析装置。
(付記10)
負荷抵抗が接続された出力素子モデルの電圧/電流特性と波形情報を入力し、回路解析を行う電子回路解析方法において、
前記波形情報から前記出力素子モデルに含まれる切替手段のオン、オフ状態変化時におけるスイッチィング特性を作成する処理と、
前記切替手段の前記状態変化の際に流れる電流値が、前記切替手段の定常状態に対して許容できる許容電流値を設定する処理と、
該設定された許容電流値と、前記電圧/電流特性と、前記負荷抵抗の値から、設定された許容電流値を超えない前記切替手段のスイッチィング特性の値の範囲を算出する処理と、
前記切替手段のスイッチィング特性を算出する基準となった前記波形情報と同一時間軸上で表示し、前記切替手段のスイッチィング特性が異常となっている波形特性上の部分を強調表示する処理と、
を行うことを特徴とする電子回路解析方法。
(付記11)
負荷抵抗が接続された出力素子モデルの電圧/電流特性と波形特性を入力し、回路解析を行う電子回路解析方法において、
前記波形情報から前記出力素子モデルに含まれる切替手段のオン、オフ状態変化時におけるスイッチィング特性を作成する処理と、
前記切替手段の前記状態変化の際に出力される電圧値が、前記切替手段の定常状態に対して許容できる電圧値を設定する処理と、
該設定された許容電圧値と、前記電圧/電流特性と、前記負荷抵抗の値から、設定された許容電圧値を超えない前記切替手段のスイッチィング特性の値の範囲を算出する処理と、
前記切替手段のスイッチィング特性を算出する基準となった前記波形情報と同一時間軸上で表示し、前記切替手段のスイッチィング特性が異常となっている波形特性上の部分を強調表示する処理と、
を行うことを特徴とする電子回路解析方法。
(付記12)
負荷抵抗が接続された出力素子モデルの電圧/電流特性と波形情報を入力し、回路解析を行う電子回路解析方法において、
前記波形情報から前記出力素子モデルに含まれる切替手段のオン、オフ状態変化時におけるスイッチィング特性を作成する処理と、
前記切替手段のスイッチィング特性の微分係数を算出する処理と、
該算出結果である微分係数が増加から減少に変わる回数を計数し、該計数結果に基づいて前記スイッチィング特性の異常を判断する処理と、
を行うことを特徴とする電子回路解析方法。
(付記13)
負荷抵抗が接続された出力素子モデルの電圧/電流特性と波形情報を入力し、回路解析を行う電子回路解析方法において、
前記波形情報から前記出力素子モデルに含まれる切替手段のオン、オフ状態変化時におけるスイッチィング特性を作成する処理と、
前記切替手段のスイッチィング特性が一定の値の範囲で変化する時間を算出し、該算出した時間の2倍の周期を持つ周波数以下の周波数を使用して回路解析を行っていることを確認する処理と、
前記算出した時間の2倍の周期を持つ周波数以下の周波数を使用して回路解析を行っている場合、解析周波数保障範囲にあると判断する処理と、
を行うことを特徴とする電子回路解析方法。
(付記14)
負荷抵抗が接続された出力素子モデルの電圧/電流特性と波形情報を入力し、回路解析を行う電子回路解析方法において、
前記波形情報から前記出力素子モデルに含まれる切替手段のオン、オフ状態変化時におけるスイッチィング特性を作成する処理と、
前記切替手段のスイッチィング特性が一定の値の範囲で変化する時間を算出し、該算出した時間より短い間隔で前記切替手段がオン、オフ状態の変化を行っていないことを確認する処理と、
前記算出した時間より短い間隔で前記切替手段がオン、オフ状態の変化を行っていない場合、解析精度保障範囲にあると判断する処理と、
を行うことを特徴とする電子回路解析方法。
(付記15)
負荷抵抗が接続された出力素子モデルの電圧/電流特性と波形情報を入力し、回路解析を行う電子回路解析方法において、
前記波形情報から前記出力素子モデルに含まれる切替手段のオン、オフ状態変化時におけるスイッチィング特性を作成する処理と、
前記切替手段のスイッチィング特性の最大、最小値と前記電圧/電流特性を使用して、前記負荷抵抗を変化させた際に発生するオーバーシュート電圧、及びアンダーシュート電圧を算出する処理と、
前記オーバーシュート電圧、及びアンダーシュート電圧が許容範囲に収まっているか判断し、前記許容範囲に収まっている場合、前記スイッチィング特性が正常であると判断する処理と、
を行うことを特徴とする電子回路解析方法。
(付記16)
負荷抵抗が接続された出力素子モデルの電圧/電流特性と波形情報を入力し、回路解析を行う電子回路解析装置に使用されるプログラムであって、
前記波形情報から前記出力素子モデルに含まれる切替手段のオン、オフ状態変化時におけるスイッチィング特性を作成する処理と、
前記切替手段の前記状態変化の際に流れる電流値が、前記切替手段の定常状態に対して許容できる許容電流値を設定する処理と、
該設定された許容電流値と、前記電圧/電流特性と、前記負荷抵抗の値から、設定された許容電流値を超えない前記切替手段のスイッチィング特性の値の範囲を算出する処理と、
前記切替手段のスイッチィング特性を算出する基準となった前記波形情報と同一時間軸上で表示し、前記切替手段のスイッチィング特性が異常となっている波形特性上の部分を強調表示する処理と、
を前記電子回路解析装置に実行させるプログラム。
(付記17)
負荷抵抗が接続された出力素子モデルの電圧/電流特性と波形特性を入力し、回路解析を行う電子回路解析装置に使用されるプログラムであって、
前記波形情報から前記出力素子モデルに含まれる切替手段のオン、オフ状態変化時におけるスイッチィング特性を作成する処理と、
前記切替手段の前記状態変化の際に出力される電圧値が、前記切替手段の定常状態に対して許容できる電圧値を設定する処理と、
該設定された許容電圧値と、前記電圧/電流特性と、前記負荷抵抗の値から、設定された許容電圧値を超えない前記切替手段のスイッチィング特性の値の範囲を算出する処理と、
前記切替手段のスイッチィング特性を算出する基準となった前記波形情報と同一時間軸上で表示し、前記切替手段のスイッチィング特性が異常となっている波形特性上の部分を強調表示する処理と、
を前記電子回路解析装置に実行させるプログラム。
(Appendix 1)
In an electronic circuit analyzer that performs circuit analysis by inputting voltage / current characteristics and waveform information of an output element model to which a load resistor is connected.
Creation means for creating switching characteristics at the time of on / off state change of the switching means included in the output element model from the waveform information;
A power value setting unit that sets an allowable power value for a power value in a steady state of the switching unit as a power value that flows when the state of the switching unit changes.
Calculating means for calculating a range of the switching characteristic value of the switching means not exceeding the set allowable power value from the set allowable power value, the voltage / current characteristic, and the load resistance value;
Display means for displaying on the same time axis as the waveform information used as a reference for calculating the switching characteristics of the switching means, and for highlighting a portion on the waveform characteristics where the switching characteristics of the switching means are abnormal When,
An electronic circuit analysis device comprising:
(Appendix 2)
In an electronic circuit analyzer that performs circuit analysis by inputting voltage / current characteristics and waveform information of an output element model to which a load resistor is connected.
A current value setting means for setting a current value allowed for a steady state of the switching means as a current value that flows when the switching means included in the output element model is turned on and off; and
Analyzing means for performing a simulation based on the setting and performing circuit analysis,
In the analysis result, it is confirmed that the current value is within the range of the allowable current value, and a determination unit that determines whether the switching characteristic of the switching unit is normal;
An electronic circuit analysis device comprising:
(Appendix 3)
In an electronic circuit analyzer that performs circuit analysis by inputting voltage / current characteristics and waveform information of an output element model to which a load resistor is connected.
Creation means for creating switching characteristics at the time of on / off state change of the switching means included in the output element model from the waveform information;
A voltage value setting means for setting a voltage value output when the state of the switching means is changed to an allowable voltage value with respect to a steady state of the switching means;
Calculating means for calculating a range of the switching characteristic value of the switching means not exceeding the set allowable voltage value from the set allowable voltage value, the voltage / current characteristic, and the load resistance value;
Display means for displaying on the same time axis as the waveform information used as a reference for calculating the switching characteristics of the switching means, and for highlighting a portion on the waveform characteristics where the switching characteristics of the switching means are abnormal When,
An electronic circuit analysis device comprising:
(Appendix 4)
In an electronic circuit analyzer that performs circuit analysis by inputting voltage / current characteristics and waveform information of an output element model to which a load resistor is connected.
A voltage value setting means for setting an output voltage value generated when the switching means included in the output element model is turned on and off to change an allowable voltage value with respect to a steady state of the switching means;
Analyzing means for performing a simulation based on the setting and performing circuit analysis,
In the analysis result, it is confirmed that the voltage value is within the range of the allowable voltage value, and a determination unit that determines whether the switching characteristic of the switching unit is normal;
An electronic circuit analysis device comprising:
(Appendix 5)
In an electronic circuit analyzer that performs circuit analysis by inputting voltage / current characteristics and waveform information of an output element model to which a load resistor is connected.
Creation means for creating switching characteristics at the time of on / off state change of the switching means included in the output element model from the waveform information;
Calculating means for calculating a differential coefficient of the switching characteristics of the switching means;
A determination means for counting the number of times the differential coefficient, which is the calculation result, changes from increasing to decreasing, and determining an abnormality of the switching characteristics based on the counting result;
An electronic circuit analysis device comprising:
(Appendix 6)
6. The electronic circuit analysis apparatus according to appendix 5, wherein the determination unit determines that the switching characteristic is abnormal when the counting result is 2 or more.
(Appendix 7)
In an electronic circuit analyzer that performs circuit analysis by inputting voltage / current characteristics and waveform information of an output element model to which a load resistor is connected.
Creation means for creating switching characteristics at the time of on / off state change of the switching means included in the output element model from the waveform information;
Checking means for calculating a time during which the switching characteristic of the switching means changes within a constant value range, and confirming that the circuit analysis is performed using a frequency having a period twice as long as the calculated time; ,
A determination means for determining that the analysis frequency is within a guaranteed range when a circuit analysis is performed using a frequency that is less than half of the calculated time;
An electronic circuit analysis device comprising:
(Appendix 8)
In an electronic circuit analyzer that performs circuit analysis by inputting voltage / current characteristics and waveform information of an output element model to which a load resistor is connected.
Creation means for creating switching characteristics at the time of on / off state change of the switching means included in the output element model from the waveform information;
Checking means for calculating a time during which the switching characteristic of the switching means changes within a range of a constant value, and confirming that the switching means is not changing the on / off state at an interval shorter than the calculated time; ,
A determination means for determining that the switching means is within an analysis accuracy guarantee range when the switching means is not changing the ON / OFF state at an interval shorter than the calculated time;
An electronic circuit analysis device comprising:
(Appendix 9)
In an electronic circuit analyzer that performs circuit analysis by inputting voltage / current characteristics and waveform information of an output element model to which a load resistor is connected.
Creation means for creating switching characteristics at the time of on / off state change of the switching means included in the output element model from the waveform information;
Using the maximum and minimum values of the switching characteristics of the switching means and the voltage / current characteristics, a calculation means for calculating an overshoot voltage generated when the load resistance is changed, and an undershoot voltage;
A determination means for determining whether the overshoot voltage and the undershoot voltage are within an allowable range, and determining that the switching characteristic is normal when the overshoot voltage is within the allowable range;
An electronic circuit analysis device comprising:
(Appendix 10)
In the electronic circuit analysis method that inputs the voltage / current characteristics and waveform information of the output element model to which the load resistance is connected, and performs circuit analysis,
A process of creating switching characteristics at the time of on / off state change of switching means included in the output element model from the waveform information;
A process of setting an allowable current value that is acceptable for a current value that flows when the state of the switching unit changes in the steady state of the switching unit;
A process for calculating a range of the switching characteristic value of the switching means that does not exceed the set allowable current value from the set allowable current value, the voltage / current characteristic, and the load resistance value;
Processing for displaying on the same time axis as the waveform information that is a reference for calculating the switching characteristics of the switching means, and highlighting a portion on the waveform characteristics where the switching characteristics of the switching means are abnormal; ,
An electronic circuit analysis method comprising:
(Appendix 11)
In the electronic circuit analysis method that inputs the voltage / current characteristics and waveform characteristics of the output element model to which the load resistance is connected, and performs circuit analysis,
A process of creating switching characteristics at the time of on / off state change of switching means included in the output element model from the waveform information;
A process for setting a voltage value output when the state of the switching unit is changed to an allowable voltage value for a steady state of the switching unit;
A process of calculating a range of the switching characteristic value of the switching means that does not exceed the set allowable voltage value from the set allowable voltage value, the voltage / current characteristic, and the load resistance value;
Processing for displaying on the same time axis as the waveform information that is a reference for calculating the switching characteristics of the switching means, and highlighting a portion on the waveform characteristics where the switching characteristics of the switching means are abnormal; ,
An electronic circuit analysis method comprising:
(Appendix 12)
In the electronic circuit analysis method that inputs the voltage / current characteristics and waveform information of the output element model to which the load resistance is connected, and performs circuit analysis,
A process of creating switching characteristics at the time of on / off state change of switching means included in the output element model from the waveform information;
Processing for calculating a differential coefficient of the switching characteristics of the switching means;
A process of counting the number of times the differential coefficient, which is the calculation result, changes from increasing to decreasing, and determining abnormality of the switching characteristics based on the counting result;
An electronic circuit analysis method comprising:
(Appendix 13)
In the electronic circuit analysis method that inputs the voltage / current characteristics and waveform information of the output element model to which the load resistance is connected, and performs circuit analysis,
A process of creating switching characteristics at the time of on / off state change of switching means included in the output element model from the waveform information;
Calculate the time for which the switching characteristic of the switching means changes within a certain value range, and confirm that the circuit analysis is performed using a frequency equal to or lower than the frequency having a period twice the calculated time. Processing,
When circuit analysis is performed using a frequency equal to or lower than a frequency having a cycle twice the calculated time, a process of determining that the frequency is within the analysis frequency guarantee range;
An electronic circuit analysis method comprising:
(Appendix 14)
In the electronic circuit analysis method that inputs the voltage / current characteristics and waveform information of the output element model to which the load resistance is connected, and performs circuit analysis,
A process of creating switching characteristics at the time of on / off state change of switching means included in the output element model from the waveform information;
A process for calculating a time during which the switching characteristic of the switching means changes within a range of a constant value, and confirming that the switching means is not changing the on / off state at an interval shorter than the calculated time;
A process for determining that the switching means is in the analysis accuracy guarantee range when the switching means is not changing the ON / OFF state at an interval shorter than the calculated time;
An electronic circuit analysis method comprising:
(Appendix 15)
In the electronic circuit analysis method that inputs the voltage / current characteristics and waveform information of the output element model to which the load resistance is connected, and performs circuit analysis,
A process of creating switching characteristics at the time of on / off state change of switching means included in the output element model from the waveform information;
Using the maximum and minimum values of the switching characteristics of the switching means and the voltage / current characteristics, a process of calculating an overshoot voltage and an undershoot voltage generated when the load resistance is changed,
Determining whether the overshoot voltage and the undershoot voltage are within an allowable range, and if within the allowable range, determining that the switching characteristics are normal;
An electronic circuit analysis method comprising:
(Appendix 16)
A program used for an electronic circuit analysis device for inputting a voltage / current characteristic and waveform information of an output element model to which a load resistance is connected, and performing circuit analysis,
A process of creating switching characteristics at the time of on / off state change of switching means included in the output element model from the waveform information;
A process of setting an allowable current value that is acceptable for a current value that flows when the state of the switching unit changes in the steady state of the switching unit;
A process for calculating a range of the switching characteristic value of the switching means that does not exceed the set allowable current value from the set allowable current value, the voltage / current characteristic, and the load resistance value;
Processing for displaying on the same time axis as the waveform information that is a reference for calculating the switching characteristics of the switching means, and highlighting a portion on the waveform characteristics where the switching characteristics of the switching means are abnormal; ,
For causing the electronic circuit analysis apparatus to execute the program.
(Appendix 17)
A program used in an electronic circuit analysis device that inputs a voltage / current characteristic and a waveform characteristic of an output element model to which a load resistance is connected, and performs circuit analysis,
A process of creating switching characteristics at the time of on / off state change of the switching means included in the output element model from the waveform information;
A process for setting a voltage value that is output when the state of the switching unit is changed to an allowable voltage value for a steady state of the switching unit;
Processing for calculating a range of the switching characteristic value of the switching means not exceeding the set allowable voltage value from the set allowable voltage value, the voltage / current characteristic, and the load resistance value;
Processing for displaying on the same time axis as the waveform information that is a reference for calculating the switching characteristics of the switching means, and highlighting a portion on the waveform characteristics where the switching characteristics of the switching means are abnormal; ,
For causing the electronic circuit analysis apparatus to execute the program.

本実施形態の電子回路解析装置の処理を説明する図である。It is a figure explaining the process of the electronic circuit analyzer of this embodiment. 電子回路解析装置において、特に本発明の特徴的な処理を説明する図である。It is a figure explaining the characteristic process of this invention especially in an electronic circuit analyzer. IBISモデルを説明する図であり、(a)は出力回路(LSI)と出力ピンの概略構成を示し、(b)はその等価回路を示す図である。It is a figure explaining an IBIS model, (a) shows schematic structure of an output circuit (LSI) and an output pin, (b) is a figure which shows the equivalent circuit. Waveformモデルを再現する等価回路図である。It is an equivalent circuit diagram which reproduces a Waveform model. Waveform波形を示し、定常波形(Typ)、最大波形(Max)、最小波形(Min)の3つの波形を説明する図である。It is a figure which shows a Waveform waveform and demonstrates three waveforms, a steady waveform (Typ), a maximum waveform (Max), and a minimum waveform (Min). プルアップ側のトランジスタのスイッチィング特性の上限及び下限の閾値を説明する図である。It is a figure explaining the threshold value of the upper limit of the switching characteristic of the transistor of a pullup side, and a minimum. 実施形態1を具体的に説明する図である。It is a figure explaining Embodiment 1 concretely. トランジスタのスイッチィング特性が上記しきい値を越えて異常であると判断した場合の表示方法を示す図である。It is a figure which shows the display method when it is judged that the switching characteristic of a transistor exceeds the said threshold value and is abnormal. 出力電圧の波形に異常個所が存在する時刻に色を付加する表示例を示す図である。It is a figure which shows the example of a display which adds a color at the time when the abnormal location exists in the waveform of an output voltage. 実施形態2を説明する図である。FIG. 5 is a diagram for explaining a second embodiment. プルアップ側のトランジスタの特性が定電流特性に近い特性を有する場合の例を説明する図である。It is a figure explaining the example in case the characteristic of the transistor of a pullup side has a characteristic close | similar to a constant current characteristic. 実施形態3を説明する図であり、負荷抵抗スイープによるOS電圧精度保障範囲の判定方法を説明する図である。It is a figure explaining Embodiment 3, and is a figure explaining the determination method of the OS voltage accuracy guarantee range by load resistance sweep. 負荷抵抗を変化させる場合において、負荷抵抗の設定方法を説明する図である。It is a figure explaining the setting method of load resistance, when changing load resistance. 実施形態3を説明する図であり、負荷抵抗スイープによるUS電圧精度保障範囲の判定方法を説明する図である。It is a figure explaining Embodiment 3, and is a figure explaining the determination method of the US voltage accuracy guarantee range by load resistance sweep. 実施形態4の処理を説明する図であり、(a)はスイッチィング特性(KPU(T))が正常な場合を示す図であり、(b)、及び(c)はスイッチィング特性(KPU(T))が異常な場合を示す図である。FIG. 10 is a diagram for explaining the processing of the fourth embodiment, (a) is a diagram showing a case where the switching characteristics (KPU (T)) are normal, and (b) and (c) are the switching characteristics (KPU ( It is a figure which shows the case where T)) is abnormal. 実施形態5の処理を説明する図である。It is a figure explaining the process of Embodiment 5. FIG. (a)はプルアップ側のトランジスタの立ち上がりのスイッチィング特性(KPU(T))に対する時間SW_TIMEを示すタイミングであり、(b)はプルダウン側のトランジスタの立ち上がりのスイッチィング特性(KPU(T))に対する時間SW_TIMEを示すタイミングであり、(c)はプルアップ側のトランジスタの立ち下がりのスイッチィング特性(KPU(T))に対する時間SW_TIMEを示すタイミングであり、(d)はプルダウン側のトランジスタの立ち下がりのスイッチィング特性(KPU(T))に対する時間SW_TIMEを示すタイミングを示す図である。(A) is a timing indicating the time SW_TIME with respect to the rising switching characteristic (KPU (T)) of the pull-up transistor, and (b) is the switching characteristic (KPU (T)) of the pull-down transistor rising. (C) is a timing indicating the time SW_TIME with respect to the switching characteristic (KPU (T)) of the fall of the pull-up side transistor, and (d) is a timing indicating the time SW_TIME of the pull-down side transistor. It is a figure which shows the timing which shows time SW_TIME with respect to the falling switching characteristic (KPU (T)). (a)はIBISモデルの回路図を示し、(b)その時間に対する電圧変化を示す図である。(A) shows a circuit diagram of the IBIS model, and (b) shows a voltage change with respect to the time. IBISモデルの負荷回路を示す図である。It is a figure which shows the load circuit of an IBIS model. 図20の回路を使用した際の電圧変化を示す図である。It is a figure which shows the voltage change at the time of using the circuit of FIG. Waveformモデルを使用して対象回路の解析処理を行う解析方法を示す図である。It is a figure which shows the analysis method which performs the analysis process of a target circuit using a Waveform model. (a)はトランジスタのスイッチング特性に生じるリンギングの例であり、KPU(T)の立ち上がり部分に、波動波形が生じた例を示す図であり、(b)は(a)のリンギングのあるトランジスタのスイッチング特性の結果、負荷条件によっては立下り波形に本来無いはずの段差が生じる例を示す図である。(A) is an example of ringing generated in the switching characteristics of the transistor, and is a diagram showing an example in which a wave waveform is generated at the rising portion of KPU (T), and (b) is a diagram of the transistor with ringing of (a). It is a figure which shows the example which the level | step difference which should not exist originally in a falling waveform depending on load conditions arises as a result of switching characteristics.

符号の説明Explanation of symbols

1 記憶装置
2 解析対象情報読み込み部
3 回路情報読み込み部
4 解析モデル生成部
5 IBISファイル
6 IBISモデル読み込み部
7 トランジスタのスイッチィング特性算出部
8 トランジスタのスイッチィング特性記憶部
9 トランジスタのスイッチィング特性チェック部
10 トランジスタのスイッチィング特性チェック結果記憶部
11 トランジスタの特性&異常個所表示部
12 解析モデル生成
13 回路シミュレータ
14 解析結果
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Memory | storage device 2 Analysis object information reading part 3 Circuit information reading part 4 Analysis model production | generation part 5 IBIS file 6 IBIS model reading part 7 Transistor switching characteristic calculation part 8 Transistor switching characteristic memory | storage part 9 Transistor switching characteristic check Unit 10 Transistor switching characteristic check result storage unit 11 Transistor characteristic & abnormality location display unit 12 Analysis model generation 13 Circuit simulator 14 Analysis result

Claims (5)

負荷抵抗が接続された出力素子モデルの電圧/電流特性と波形情報とを入力し、回路解析を行う電子回路解析装置において、
前記波形情報から前記出力素子モデルに含まれる切替部のオン、オフ状態変化時におけるスイッチィング特性を作成する作成部と、
前記切替部の前記状態変化の際に流れる電力値が、前記切替手段の定常状態の電力値に対して許容できる許容電力値を設定する許容電力値設定部と、
該設定された許容電力値と、前記電圧/電流特性と、前記負荷抵抗の値から、設定された前記許容電力値を越えない前記切替部のスイッチィング特性の値の範囲を算出する算出部と、
前記切替部のスイッチィング特性を算出する基準となった前記波形情報と同一時間軸上で表示し、前記切替手段のスイッチィング特性が異常となっている波形情報上の部分を強調表示する表示部と、
を有することを特徴とする電子回路解析装置。
In an electronic circuit analyzer that performs circuit analysis by inputting voltage / current characteristics and waveform information of an output element model to which a load resistor is connected.
A creation unit that creates switching characteristics at the time of on / off state change of the switching unit included in the output element model from the waveform information;
An allowable power value setting unit that sets an allowable power value that allows an electric power value that flows when the state of the switching unit changes in a steady state of the switching unit;
A calculation unit that calculates a range of the switching characteristic value of the switching unit that does not exceed the set allowable power value from the set allowable power value, the voltage / current characteristic, and the load resistance value; ,
A display unit that displays on the same time axis as the waveform information that is a reference for calculating the switching characteristic of the switching unit, and that highlights a portion on the waveform information in which the switching characteristic of the switching unit is abnormal When,
An electronic circuit analysis device comprising:
負荷抵抗が接続された出力素子モデルの電圧/電流特性と波形情報を入力し、回路解析を行う電子回路解析装置において、
前記出力素子モデルに含まれる切替部のオン、オフ状態変化の際に発生する出力電圧値が、前記切替部の定常状態に対して許容できる電圧値を設定する電圧値設定部と、
前記設定に基づいてシミュレーションを行い、回路解析を行う解析部と、
該解析結果において、前記電圧値が前記許容電圧値の範囲に収まっていることを確認し、前記切替部のスイッチィング特性が正常であるか判断する判断部と、
を有することを特徴とする電子回路解析装置。
In an electronic circuit analyzer that performs circuit analysis by inputting voltage / current characteristics and waveform information of an output element model to which a load resistor is connected.
A voltage value setting unit that sets an output voltage value that is generated when the switching unit included in the output element model is turned on and off, and an allowable voltage value for a steady state of the switching unit, and
An analysis unit that performs simulation based on the setting and performs circuit analysis;
In the analysis results, a determination unit that confirms that the voltage value is within the range of the allowable voltage value, and determines whether the switching characteristics of the switching unit are normal;
An electronic circuit analysis device comprising:
負荷抵抗が接続された出力素子モデルの電圧/電流特性と波形情報とを入力し、回路解析を行う電子回路解析装置において、
前記波形情報から前記出力素子モデルに含まれる切替部のオン、オフ状態変化時におけるスイッチィング特性を作成する作成部と、
前記切替部のスイッチィング特性の微分係数を算出する算出部と、
該算出結果である微分係数が増加から減少に変わる回数を計数し、該計数結果に基づいて前記スイッチィング特性の異常を判断する判断部と、
を有することを特徴とする電子回路解析装置。
In an electronic circuit analyzer that performs circuit analysis by inputting voltage / current characteristics and waveform information of an output element model to which a load resistor is connected.
A creation unit that creates switching characteristics at the time of on / off state change of the switching unit included in the output element model from the waveform information;
A calculation unit for calculating a differential coefficient of the switching characteristics of the switching unit;
A determination unit that counts the number of times the differential coefficient that is the calculation result changes from increase to decrease, and determines an abnormality of the switching characteristics based on the count result;
An electronic circuit analysis device comprising:
負荷抵抗が接続された出力素子モデルの電圧/電流特性と波形情報とを入力し、回路解析を行う電子回路解析装置において、
前記波形情報から前記出力素子モデルに含まれる切替部のオン、オフ状態変化時におけるスイッチィング特性を作成する作成部と、
前記切替手段のスイッチィング特性の最大、最小値と前記電圧/電流特性を使用して、前記負荷抵抗を変化させた際に発生するオーバーシュート電圧、及びアンダーシュート電圧を算出する算出部と、
前記オーバーシュート電圧、及びアンダーシュート電圧が許容範囲に収まっているか判断し、前記許容範囲に収まっている場合、前記スイッチィング特性が正常であると判断する判断部と、
を有することを特徴とする電子回路解析装置。
In an electronic circuit analyzer that performs circuit analysis by inputting voltage / current characteristics and waveform information of an output element model to which a load resistor is connected.
A creation unit that creates switching characteristics at the time of on / off state change of the switching unit included in the output element model from the waveform information;
Using the maximum and minimum values of the switching characteristics of the switching means and the voltage / current characteristics, a calculation unit that calculates an overshoot voltage generated when the load resistance is changed, and an undershoot voltage;
A determination unit that determines whether the overshoot voltage and the undershoot voltage are within an allowable range, and determines that the switching characteristic is normal when the overshoot voltage is within the allowable range;
An electronic circuit analysis device comprising:
負荷抵抗が接続された出力素子モデルの電圧/電流特性と波形情報を入力し、回路解析を行う電子回路解析装置において、
前記波形情報から前記出力素子モデルに含まれる切替手段のオン、オフ状態変化時におけるスイッチィング特性を作成する作成部と、
前記切替部のスイッチィング特性が一定の値の範囲で変化する時間を算出し、該算出した時間の2倍の周期を持つ周波数を使用して回路解析を行っていることを確認する確認部と、
前記算出した時間の1/2以下の周波数を使用して回路解析を行っている場合、解析周波数保障範囲にあると判断する判断部と、
を有することを特徴とする電子回路解析装置。
In an electronic circuit analyzer that performs circuit analysis by inputting voltage / current characteristics and waveform information of an output element model to which a load resistor is connected.
A creation unit for creating switching characteristics at the time of on / off state change of switching means included in the output element model from the waveform information;
A check unit for calculating a time during which the switching characteristic of the switching unit changes within a certain value range, and confirming that the circuit analysis is performed using a frequency having a period twice as long as the calculated time; ,
A determination unit that determines that the frequency is within the analysis frequency guarantee range when the circuit analysis is performed using a frequency that is 1/2 or less of the calculated time;
An electronic circuit analysis device comprising:
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