JP2010003785A - 発光ダイオード及びその製造方法 - Google Patents

発光ダイオード及びその製造方法 Download PDF

Info

Publication number
JP2010003785A
JP2010003785A JP2008159909A JP2008159909A JP2010003785A JP 2010003785 A JP2010003785 A JP 2010003785A JP 2008159909 A JP2008159909 A JP 2008159909A JP 2008159909 A JP2008159909 A JP 2008159909A JP 2010003785 A JP2010003785 A JP 2010003785A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
light
led chip
coating material
short
glass
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2008159909A
Other languages
English (en)
Inventor
Akihito Raikubo
彰人 雷久保
Akihiro Kato
陽弘 加藤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Okaya Electric Industry Co Ltd
Original Assignee
Okaya Electric Industry Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Okaya Electric Industry Co Ltd filed Critical Okaya Electric Industry Co Ltd
Priority to JP2008159909A priority Critical patent/JP2010003785A/ja
Publication of JP2010003785A publication Critical patent/JP2010003785A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/484Connecting portions
    • H01L2224/48463Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond
    • H01L2224/48465Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond the other connecting portion not on the bonding area being a wedge bond, i.e. ball-to-wedge, regular stitch

Landscapes

  • Led Device Packages (AREA)
  • Led Devices (AREA)
  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

【課題】無機材料であるガラスで構成されたコーティング材のクラック及び気泡の発生を防止できるLEDを実現する。
【解決手段】LEDチップ搭載用の第1のリードフレーム12に、その底面から上方に向かって孔径が徐々に拡大する略漏斗形状の凹部を設けると共に該凹部内面を反射面と成してリフレクタ14を形成し、該リフレクタ14の底面上に、短波長光を発光するLEDチップ16をダイボンドにより接続固定すると共に、該LEDチップ16を、透光性を有する短繊維25が添加された水ガラスで構成したコーティング材22によって被覆・封止し、また、該コーティング材22中に、上記LEDチップ16から発光された短波長光を所定波長の可視光に変換する波長変換用の蛍光体24を分散状態で混入した。
【選択図】図1

Description

この発明は、紫外光等の短波長光を発光する発光ダイオードチップ(LEDチップ)を、無機材料であるガラスより成るコーティング材で被覆した発光ダイオード(LED)に係り、特に、無機材料であるガラスで構成されたコーティング材のクラック及び気泡の発生を防止できる発光ダイオードと、その製造方法に関する。
紫外光等の短波長光を発光するLEDチップをエポキシ樹脂等の有機材料で構成されたコーティング材で被覆・封止した場合、有機材料は、LEDチップから発光された短波長光の一部を吸収してしまい、その結果、エネルギーの大きい短波長光によってコーティング材が劣化・変色し、LEDの光度減少や色調の変化を生じさせることとなる。
そこで、本出願人は、先に、短波長光を発光するLEDチップをガラス等の無機材料で構成されたコーティング材で被覆して成るLEDを提案した(特開2003−197976号)。
図3に示すように、このLED60は、発光ダイオードチップ搭載用の第1のリードフレーム62に、その底面から上方に向かって孔径が徐々に拡大する略漏斗形状の凹部を設けると共に該凹部内面を反射面と成してリフレクタ64を形成し、該リフレクタ64の底面に、紫外光を発光するLEDチップ66をダイボンドすることにより、上記第1のリードフレーム62と、LEDチップ66底面の一方の電極(図示せず)とを電気的に接続している。また、第2のリードフレーム68と、上記LEDチップ66上面の他方の電極(図示せず)とをボンディングワイヤ70を介して電気的に接続して成る。
上記LEDチップ66の上面及び側面は、リフレクタ64内に充填されたガラス等の無機材料より成るコーティング材72によって被覆・封止されており、また、上記コーティング材72中には、LEDチップ66から発光された短波長光を所定波長の可視光に変換する波長変換用の蛍光体74が分散状態で混入されている。
さらに、上記LEDチップ66、コーティング材72、第1のリードフレーム62及び第2のリードフレーム68の上端部は、透光性エポキシ樹脂等より成り、先端に凸レンズ部76を有する外装体78によって被覆・封止されている。
而して、上記第1のリードフレーム62及び第2のリードフレーム68を介してLEDチップ66に電圧が印加されると、LEDチップ66が発光して紫外光が放射され、該紫外光が上記コーティング材72中の蛍光体74に照射されることにより、紫外光が所定色の可視光に波長変換され、該可視光が外装体78の凸レンズ部76によって集光されて外部へ放射されるようになっている。
上記LED60にあっては、LEDチップ66の上面及び側面を被覆・封止するコーティング材72を、ガラス等の無機材料で構成したことから、LEDチップ66から発光された短波長光を吸収することが殆どなく、また、短波長光を吸収したとしても、分子結合力が強いため劣化することが殆どない。従って、エネルギーの大きい短波長光によるコーティング材72の劣化・変色が防止され、コーティング材72の劣化に起因したLED60の光度減少や色調変化を生じることがないのである。
本出願人が提案した上記特開2003−197976号のLED60においては、コーティング材72をガラスで構成する場合には、比較的低温でのガラス合成が可能なゾルゲル法を用いて作製される、いわゆるゾルゲルガラスを用いることが適当である旨を開示した。
すなわち、ゾルゲル法は、例えば、金属アルコキシドや金属アセチルアセトネート、金属カルボキシレート等の金属有機化合物の加水分解、重合反応を利用して金属−酸素の結合からできた重合体を作るものである。例えば、一般式M(OR)n(M:金属元素、R:アルキル基、n:金属の酸化数)の金属有機化合物、水(加水分解のため)、溶媒としてメタノール、DMF(ヂメチルフォルムアミド)、加水分解・重合反応の調整剤としてアンモニアなどを調合した均質な透明なゾル溶液を作り、このゾル溶液を加水分解、重合反応させることにより、ゲル化し、硬いガラス状の無機質膜形成が生じてゾルゲルガラスが形成される。アルキル基(R)等の組成を適宜選定することにより、コーティング材72に適したゾルゲルガラスが得られるのである。
特開2003−197976号
しかしながら、ゾルゲルガラス等のガラスで構成した従来のコーティング材72は構造強度が必ずしも十分とはいえず、LEDチップ66発光時の熱衝撃等を受けてクラックを生じることがあった。
また、上記したゾルゲル法によるゾルゲルガラスの形成過程においては、溶媒であるメタノールが蒸発することに起因して、形成されたゾルゲルガラスより成るコーティング材72中に気泡が発生したり、溶媒蒸発後の収縮現象によりコーティング材72にクラックを生じることがあった。
この発明は、従来の上記問題点に鑑みて案出されたものであり、その目的とするところは、無機材料であるガラスで構成されたコーティング材のクラック及び気泡の発生を防止できるLEDと、その製造方法を実現することにある。
上記の目的を達成するため、この発明に係る発光ダイオードは、LEDチップを透光性を備えたガラスより成るコーティング材で被覆して成る発光ダイオードにおいて、上記コーティング材を、透光性を有する短繊維が添加された水ガラスで構成したことを特徴とする。
上記短繊維としては、ガラス短繊維を用いるのが好ましい。
また、本発明に係る発光ダイオードの製造方法は、透光性を有する短繊維を添加して成る溶液状態の水ガラス材料でLEDチップを被覆した後、水ガラス中の溶媒である水を蒸発させて固化することにより、短繊維が添加された水ガラスより成る上記コーティング材を形成することを特徴とする。
本発明に係る発光ダイオードにあっては、水ガラスより成るコーティング材22中に短繊維を添加することにより、コーティング材22の構造強度を向上させたので、LEDチップ発光時の熱衝撃等を受けてクラックが発生することを防止できる。
ガラス短繊維を用いた場合には、LEDチップから発光される短波長光による劣化を殆ど生じることがないため好適である。
本発明に係る発光ダイオードの製造方法にあっては、溶液状態の水ガラス材料中に短繊維を添加したことにより、水ガラス材料中の非蒸発成分(短繊維)が増加するので、気泡の発生を防止できると共に、溶媒蒸発後の収縮現象が抑制されてクラックの発生を防止できる。
以下、図面に基づき、本発明に係るLEDの実施形態を説明する。
図1は、本発明に係る第1のLED10を示す断面図であり、この第1のLED10は、LEDチップ搭載用の第1のリードフレーム12に、その底面から上方に向かって孔径が徐々に拡大する略漏斗形状の凹部を設けると共に該凹部内面を反射面と成してリフレクタ14を形成し、該リフレクタ14の底面上に、主発光波長が短波長光(400nm以下の紫外光及び410nm程度の青色可視光)であるLEDチップ16をダイボンドにより接続固定し、以て、上記第1のリードフレーム12と、LEDチップ16底面の一方の電極(図示せず)とを電気的に接続している。また、第2のリードフレーム18と、上記LEDチップ16上面の他方の電極(図示せず)とをボンディングワイヤ20を介して電気的に接続して成る。上記LEDチップ16は、例えば、窒化ガリウム系半導体結晶で構成することができる。
上記LEDチップ16の上面及び側面は、リフレクタ14内に充填されたコーティング材22によって被覆・封止されており、また、該コーティング材22中には、上記LEDチップ16から発光された紫外光等の短波長光を所定波長の可視光に変換する波長変換用の蛍光体24が分散状態で混入されている。
上記蛍光体24としては、例えば以下の組成のものを用いることができる。
紫外光等の短波長光を赤色可視光に変換する赤色発光用の蛍光体24として、MS:Eu(Mは、La、Gd、Yの何れか1種)、0.5MgF・3.5MgO・GeO:Mn、2MgO・2LiO・Sb:Mn、Y(P,V)O4:Eu、YVO4:Eu、(SrMg)3(PO4):Sn、Y:Eu、CaSiO:Pb,Mn等がある。
また、紫外光等の短波長光を緑色可視光に変換する緑色発光用の蛍光体24として、BaMgAl1627:Eu,Mn、ZnSiO4:Mn、(Ce,Tb,Mn)MgAl1119、LaPO4:Ce,Tb、(Ce,Tb)MgAl1119、YSiO:Ce,Tb、ZnS:Cu,Al、ZnS:Cu,Au,Al、(Zn,Cd)S:Cu,Al、SrAl:Eu、SrAl:Eu,Dy、SrAl1425:Eu,Dy、YAl12:Tb、Y(Al,Ga)12:Tb、YAl12:Ce、Y(Al,Ga)12:Ce等がある。
更に、紫外光等の短波長光を青色可視光に変換する青色発光用の蛍光体24として、(SrCaBa)(PO)Cl:Eu、BaMgAl1627:Eu、(SrMg)7:Eu、Sr7:Eu、Sr:Sn、Sr(PO4Cl:Eu、BaMgAl1627:Eu、CaWO4、CaWO4:Pb、ZnS:Ag,Cl、ZnS:Ag,Al、(Sr,Ca,Mg)10(PO)Cl:Eu等がある。
上記赤色発光用の蛍光体24、緑色発光用の蛍光体24、青色発光用の蛍光体24を適宜選択・混合して用いることで、種々の色の発色が可能である。
また、青色の可視光を放射するLEDチップ16を用いて白色光を得る場合には、LEDチップ16から放射される光を補色としての黄色可視光に変換する黄色発光用の蛍光体24として、YAl12:Ce、YBO:Ce、BaMgAl1017:Eu,Mn、(Sr,Ca,Ba)(Al,Ga):Eu、BaSiO:Eu、(Sr,Ba)SiO:Eu、SiAlON:Eu等がある。
尚、蛍光体24は、有機、無機の蛍光染料や、有機、無機の蛍光顔料を含むものである。
上記コーティング材22は、0.1mm〜10mm程度の長さの透光性を有する短繊維25が分散状態で多数添加された水ガラスで構成されている。この短繊維25としては、ガラス短繊維や樹脂短繊維を使用することができるが、LEDチップ16から発光される短波長光による劣化を殆ど生じることがないガラス短繊維を用いるのが好ましい。
コーティング材22中に短繊維25を添加することにより、コーティング材22の構造強度を向上させることができる。
尚、コーティング材22を構成する水ガラスに対する短繊維25の添加割合は、0.1〜10重量%と成すのが、上記構造強度向上の効果を十分に得る上で適当である。
水ガラスは、珪酸ナトリウムと、溶媒としての水より成る粘性の高い化合物であり、溶媒としての水が蒸発することにより、固化する性質を備えている。
LEDチップ16を被覆する上記コーティング材22は、リフレクタ14内に、上記蛍光体24及び短繊維25を分散・添加して成る溶液状態の水ガラスを充填して、LEDチップ16を溶液状態の水ガラスで被覆した後、水ガラス中の溶媒である水を蒸発させて固化することにより形成可能である。尚、常温でも水が徐々に蒸発してガラス形成を行うことができる。
本発明の上記方法にあっては、溶液状態の水ガラス中に多数の短繊維25を分散・添加したことにより、水ガラスのチキソトロピック粘性が増加するので、蛍光体24がコーティング材22の下方に沈降することが防止され、蛍光体24をコーティング材22中に均一分散させることができる。
また、溶液状態の水ガラス中に短繊維25を分散・添加したことにより、水ガラス中の非蒸発成分(短繊維25)が増加するので、気泡の発生を防止できると共に、溶媒蒸発後の収縮現象が抑制されてクラックの発生を防止できる。
上記LEDチップ16、コーティング材22、第1のリードフレーム12及び第2のリードフレーム18の上端部は、透光性エポキシ樹脂等より成り、先端に凸レンズ部26を有する外装体28によって被覆・封止されている。
而して、上記第1のリードフレーム12及び第2のリードフレーム18を介してLEDチップ16に電圧が印加されると、LEDチップ16が発光して短波長光が放射され、該短波長光が上記コーティング材22中の蛍光体24に照射されることにより、短波長光が所定色の可視光に波長変換され、該可視光が外装体28の凸レンズ部26によって集光されて外部へ放射されるのである。
上記第1のLED10は、LEDチップ16の表面(上面及び側面)を被覆・封止するコーティング材22を、無機材料である水ガラスで構成したことから、LEDチップ16から発光された短波長光を吸収することが殆どなく、また、短波長光を吸収したとしても、分子結合力が強いため劣化することが殆どない。従って、エネルギーの大きい短波長光によるコーティング材22の劣化・変色が防止され、コーティング材22の劣化に起因したLED10の光度減少や色調変化を生じることがない。
本発明の第1のLED10にあっては、水ガラスより成るコーティング材22中に短繊維25を添加することにより、コーティング材22の構造強度を向上させたので、LEDチップ16発光時の熱衝撃等を受けてクラックが発生することを防止できる。
図2は、本発明に係る表面実装型の第2のLED30を示すものである。
この第2のLED30は、樹脂等より成る絶縁基板32の表面にLEDチップ16を接続・固定して成る。また、上記絶縁基板32の表面から側面を経て裏面にまで延設された一対の外部電極34a,34bが相互に絶縁された状態で形成されている。絶縁基板32の表面及び裏面は平坦面と成されている。
上記LEDチップ16上面の一方の電極(図示せず)は、ボンディングワイヤ20を介して、一方の外部電極34aに接続されると共に、LEDチップ16上面の他方の電極(図示せず)は、ボンディングワイヤ20を介して、他方の外部電極34bに接続されている。
上記LEDチップ16は、絶縁基板30の表面上に配置された金属又はガラス等より成る枠体36で囲繞され、LEDチップ16の上面及び側面は、枠体36内に充填された上記短繊維25が添加されたコーティング材22によって被覆・封止されていると共に、該コーティング材22中には、上記LEDチップ16から発光された紫外光等の短波長光を所定波長の可視光に変換する波長変換用の蛍光体24が分散状態で混入されている。上記枠体36は、LEDチップ16をコーティング材22で封止する際に、溶液状態の水ガラスが絶縁基板30表面に拡散してしまうことを防止するために設けられたものである。
上記LEDチップ16、コーティング材22、蛍光体24、絶縁基板32表面に配置された外部電極34a,34bは、透光性エポキシ樹脂等より成り、先端に凸レンズ部38を有する外装体40によって被覆・封止されている。
上記第2のLED30にあっては、一対の外部電極34a,34bを介してLEDチップ16に電圧が印加されると、LEDチップ16が発光して短波長光が放射され、該短波長光が上記コーティング材22中の蛍光体24に照射されることにより、短波長光が所定色の可視光に波長変換され、該可視光が外装体40の凸レンズ部38によって集光されて外部へ放射されるのである。
本発明の第2のLED30にあっても、第1のLED10と同じく、水ガラスより成るコーティング材22中に短繊維25を添加することにより、コーティング材22の構造強度を向上させたので、LEDチップ16発光時の熱衝撃等を受けてクラックが発生することを防止できる。
さらに、この第2のLED30は、絶縁基板32の裏面が平坦面であるため、絶縁基板32の裏面に配設された外部電極34a,34bをハンダ付けすることによって、図示しない回路基板への表面実装が可能である。
本発明に係る第1のLEDの概略断面図である。 本発明に係る第2のLEDの概略断面図である。 従来のLEDの概略断面図である。
符号の説明
10 第1のLED
12 第1のリードフレーム
14 リフレクタ
16 LEDチップ
18 第2のリードフレーム
22 コーティング材
24 蛍光体
25 短繊維
28 外装体
30 第2のLED
32 絶縁基板
34a外部電極
34b外部電極
36 枠体
40 外装体

Claims (3)

  1. LEDチップを透光性を備えたガラスより成るコーティング材で被覆して成る発光ダイオードにおいて、上記コーティング材を、透光性を有する短繊維が添加された水ガラスで構成したことを特徴とする発光ダイオード。
  2. 上記短繊維が、ガラス短繊維であることを特徴とする請求項1に記載の発光ダイオード。
  3. 請求項1に記載の発光ダイオードの製造方法であって、透光性を有する短繊維を添加して成る溶液状態の水ガラス材料でLEDチップを被覆した後、水ガラス中の溶媒である水を蒸発させて固化することにより、短繊維が添加された水ガラスより成る上記コーティング材を形成することを特徴とする発光ダイオードの製造方法。
JP2008159909A 2008-06-19 2008-06-19 発光ダイオード及びその製造方法 Pending JP2010003785A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2008159909A JP2010003785A (ja) 2008-06-19 2008-06-19 発光ダイオード及びその製造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2008159909A JP2010003785A (ja) 2008-06-19 2008-06-19 発光ダイオード及びその製造方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2010003785A true JP2010003785A (ja) 2010-01-07

Family

ID=41585275

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2008159909A Pending JP2010003785A (ja) 2008-06-19 2008-06-19 発光ダイオード及びその製造方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2010003785A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20140108284A (ko) * 2011-12-16 2014-09-05 코닌클리케 필립스 엔.브이. Led들을 위한 물 유리 내의 인광체

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20140108284A (ko) * 2011-12-16 2014-09-05 코닌클리케 필립스 엔.브이. Led들을 위한 물 유리 내의 인광체
JP2015510252A (ja) * 2011-12-16 2015-04-02 コーニンクレッカ フィリップス エヌ ヴェ Led用の水ガラス中の蛍光体
EP2748277B1 (en) * 2011-12-16 2018-08-22 Lumileds Holding B.V. PHOSPHOR IN WATER GLASS FOR LEDs
KR102012294B1 (ko) * 2011-12-16 2019-08-20 루미리즈 홀딩 비.브이. Led들을 위한 물 유리 내의 인광체

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100867788B1 (ko) 발광 장치
JP5920333B2 (ja) 発光装置
JP5110744B2 (ja) 発光装置及びその製造方法
KR100645403B1 (ko) 백색 발광 장치
JP2005064233A (ja) 波長変換型led
JP2005191420A (ja) 波長変換層を有する半導体発光装置およびその製造方法
JP2010010279A (ja) 発光装置およびその製造方法
JP2003273409A (ja) 赤色不足補償蛍光発光素子
JP2004071908A (ja) 発光装置
JP4771800B2 (ja) 半導体発光装置及びその製造方法
JP4854716B2 (ja) Ledデバイスおよびそれを用いた携帯電話機器、デジタルカメラおよびlcd表示装置
JP2003197977A (ja) 発光ダイオードの製造方法
JP2001085747A (ja) 半導体発光装置
JP2011077214A (ja) Ledランプ
US20090079327A1 (en) Green light emitting phosphor and light emitting device using the same
JP2010003790A (ja) 発光ダイオード及びその製造方法
JP2005019662A (ja) 発光装置
JP2010003783A (ja) 発光ダイオード及びその製造方法
JP2010003777A (ja) 発光ダイオードの製造方法
JP2003197976A (ja) 発光ダイオード
JP2010003776A (ja) 発光ダイオードの製造方法
JP2010003785A (ja) 発光ダイオード及びその製造方法
JP2010003779A (ja) 発光ダイオード及びその製造方法
JP4501109B2 (ja) 発光装置
JP2010003787A (ja) 発光ダイオード及びその製造方法