JP2010002949A - タッチパネル - Google Patents
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Abstract
【課題】複数箇所に同時にタッチした場合にタッチした箇所の絶対位置を取得する。
【解決手段】列電極a1〜a5と行電極b1〜b5とが直交配置され、各電極が対向する格子状の交点のそれぞれにおいて、コンデンサCx11、Cx12・・・が形成される。タッチ操作時に生ずるこのコンデンサCxの静電容量の変化がセンサ回路によって検知されて、タッチ位置が検出される。列電極a1〜a5に対して、パルス信号が順次供給される。行電極b1〜b5にセンサ回路131〜135 が接続され、電極交差箇所に形成さ
れるコンデンサの静電容量変化がセンサ回路131 〜135 によって検出される。センサ回路131 〜135 は、カレントミラー回路を有し、静電容量変化による電流変化を増幅して出力コンデンサに流す。センサ回路131 〜135の出力信号OUTがMPU23の
I/Oポートに供給され、MPU23によって出力信号OUTが処理される。
【選択図】図1
【解決手段】列電極a1〜a5と行電極b1〜b5とが直交配置され、各電極が対向する格子状の交点のそれぞれにおいて、コンデンサCx11、Cx12・・・が形成される。タッチ操作時に生ずるこのコンデンサCxの静電容量の変化がセンサ回路によって検知されて、タッチ位置が検出される。列電極a1〜a5に対して、パルス信号が順次供給される。行電極b1〜b5にセンサ回路131〜135 が接続され、電極交差箇所に形成さ
れるコンデンサの静電容量変化がセンサ回路131 〜135 によって検出される。センサ回路131 〜135 は、カレントミラー回路を有し、静電容量変化による電流変化を増幅して出力コンデンサに流す。センサ回路131 〜135の出力信号OUTがMPU23の
I/Oポートに供給され、MPU23によって出力信号OUTが処理される。
【選択図】図1
Description
この発明は、タッチパネルに関する。特に、この発明は、静電容量の変化を検出して、接触位置を検出する静電容量方式のタッチパネルに関する。
従来では、各種機器の入力装置として、静電容量型センサを用いた静電容量方式のタッチパネルが用いられている。例えば、特許文献1には、静電容量型センサの例として、指紋センサが開示されている。
特許文献1の指紋センサのセンサ回路(単位回路)は、例えば、図12に示すような構成を有する。図12に示すセンサ回路は、指111との間に静電容量を生成させるセンサ電極101と、例えばPチャンネル型FET(Field Effect Transistor:電界効果トランジスタ)112およびFET113と、コンデンサCsとを備える。指111とセンサ電極101とで形成されるコンデンサをCxと表記する。
センサ電極101がFET112のドレインに接続され、図示しない信号源が、FET112のソースに接続される。直流電源Vddが、FET113のソースに接続され、FET113のドレインがコンデンサCsを介して接地される。FET112のゲートとFET113のゲートとが共通接続される。FET112およびFET113がカレントミラー回路を構成する。
指111がセンサ電極101に触れた状態で、FET112を通じてコンデンサCxを通じてステップ状の信号Sによる電流が流れ、コンデンサCxが充電される。カレントミラー回路によって、指111とセンサ電極で構成されるコンデンサCxに流れる電流と比例した電流がFET113およびコンデンサCsを通じて流れ、コンデンサCsが充電される。コンデンサCxおよびコンデンサCsの電圧が上昇する。コンデンサCsに充電される電荷は、指111とセンサ電極101とで構成されたコンデンサCxに充電された電荷に、比例する量である。
FET113のドレイン電圧、すなわち、コンデンサCsの端子電圧がMPU(Micro Processing Unit) 115に供給される。コンデンサCsの端子電圧が充電によって上昇し、MPU115のしきい値を超えると、MPU115が入力が例えば0(論理的な0)から1(論理的な1)に変化したものと判定する。このように、、MPU115によってコンデンサCsの静電容量が検出される。
上記特許文献1は、指紋センサであり、指紋の凹凸によって指111とセンサ電極101との間の距離(電極間距離)が変化し、静電容量が変化する。この静電容量変化を電圧としてMPU115が検出する。MPU115は、アナログ電圧をデジタル電圧に変換して所定のプログラムにしたがって測定結果を処理して指紋パターンを検出する。
図12に示すセンサ回路によって透明タッチパネル(座標入力装置)を構成した例を図13に示す。図13に示すように、ITO(Indium tin Oxide)電極よりなる複数の列(垂直方向)電極101a〜101eと、複数の行(水平方向)電極102a〜102eとが交差して配される。電極の本数は、簡単のために5本としているが、実際には、より多数の電極が配置される。例えば50mm正方で(10本×10本)の電極が配置される。各電極の交差する位置(座標位置)が格子状に位置する。
各電極の交差位置にセンサ回路を配置することは、透明なタッチパネルを実現する上で障害となる。そこで、パネルの外において各列電極にセンサ回路103a〜103eが接続され、各行電極にセンサ回路104a〜104eが接続される。これらのセンサ回路は、上述した図12に示す構成と同様の構成を有する。図12では、センサ電極101と指111とによってコンデンサが形成されている。図13の構成では、各電極と接地との間に静電容量が形成され、指が接触した位置の近傍の電極に静電容量の変化が生じ、静電容量の変化がセンサ回路によって検出される。
上述した図13に示すタッチパネルの例では、指が複数の交差箇所に同時に接触した場合には、絶対的な接触位置の判別が困難になる問題がある。例えば、図14に示すように、電極の交差箇所aおよびdに同時に指が接触した場合と、他の電極の交差箇所cおよびbに同時に指が接触した場合とが区別することができず、指が実際に接触した位置(絶対位置)を正確に検出することができない。
したがって、この発明の目的は、複数箇所に同時に接触した場合でも、タッチした位置を絶対位置として検出できるタッチパネルを提供することにある。
上述した課題を解決するために、この発明は、複数の第1の電極と複数の第2の電極とが直交され、第1の電極および第2の電極のそれぞれが交差する箇所にコンデンサが形成され、
第1および第2の電極の一方の電極に対して、順次、信号を供給し、
接触時或いは近接時と非接触時とで生じる、コンデンサの容量変化を検出する検出回路を第1および第2の電極の他方の電極に対してそれぞれ設け、
検出回路において、容量変化に応じた検出信号を増幅して出力するタッチパネルである。
第1および第2の電極の一方の電極に対して、順次、信号を供給し、
接触時或いは近接時と非接触時とで生じる、コンデンサの容量変化を検出する検出回路を第1および第2の電極の他方の電極に対してそれぞれ設け、
検出回路において、容量変化に応じた検出信号を増幅して出力するタッチパネルである。
この発明は、複数の第1の電極と複数の第2の電極とが直交され、第1の電極および第2の電極のそれぞれが交差する箇所にコンデンサが形成され、
第1および第2の電極の一方の電極に対して、順次、信号を供給し、
接触時或いは近接時と非接触時とで生じる、コンデンサの容量変化を検出する検出回路を第1および第2の電極の他方の電極に対してそれぞれ設け、
検出回路において、容量変化に応じた検出信号を増幅して出力し、
検出回路に対して常にバイアスを印加して浮遊容量を充電するタッチパネルである。
第1および第2の電極の一方の電極に対して、順次、信号を供給し、
接触時或いは近接時と非接触時とで生じる、コンデンサの容量変化を検出する検出回路を第1および第2の電極の他方の電極に対してそれぞれ設け、
検出回路において、容量変化に応じた検出信号を増幅して出力し、
検出回路に対して常にバイアスを印加して浮遊容量を充電するタッチパネルである。
好ましくは、検出回路が第1および第2の能動素子によりカレントミラー回路を構成し、
第1の能動素子を通じてコンデンサの容量変化によって変化する第1の電流が流れ、
第1の電流の値をn倍(n>1)した第2の電流を第2の能動素子を通じて流し、
第2の電流によって出力コンデンサが充電される請求項1または2記載のタッチパネルである。
第1の能動素子を通じてコンデンサの容量変化によって変化する第1の電流が流れ、
第1の電流の値をn倍(n>1)した第2の電流を第2の能動素子を通じて流し、
第2の電流によって出力コンデンサが充電される請求項1または2記載のタッチパネルである。
好ましくは、第1および第2の電極の一方の電極に対して、順次供給される信号は、周期的な信号であって、
出力コンデンサが周期的な信号と同期して充電され、
出力コンデンサの充電電圧がしきい値に達する時間を計測し、
計測された時間の差から接触および非接触を判定する。
出力コンデンサが周期的な信号と同期して充電され、
出力コンデンサの充電電圧がしきい値に達する時間を計測し、
計測された時間の差から接触および非接触を判定する。
好ましくは、第1および第2の電極が透明である。
好ましくは、互いに近接する交差する箇所の複数の検出結果から交差する箇所以外の位置の接触を検出する。
この発明によれば、複数の位置を同時に指がタッチした場合にも、タッチ位置を絶対位置として検出できる。
以下、この発明の実施の形態について図面を参照しながら説明する。なお、以下に説明する実施の形態は、この発明の好適な具体例であり、技術的に好ましい種々の限定が付されているが、この発明の範囲は、以下の説明において、特にこの発明を限定する旨の記載がない限り、実施の形態に限定されないものとする。
この発明の一実施の形態について説明する。一実施の形態と特許請求の範囲に記載との対応関係は下記の通りである。
複数の第1の電極として、列電極a1〜a5が配され、複数の第2の電極として、行電極b1〜b5が配され、列電極a1〜a5と行電極b1〜b5とが直交され、両電極のそれぞれが交差する箇所にコンデンサCxが形成され、
列電極a1〜a5に対して、順次、信号を供給し、
接触時或いは近接時と非接触時とで生じる、コンデンサCxの容量変化を検出する検出回路として、センサ回路131 〜135 を行電極b1〜b5に対してそれぞれ設け、
センサ回路131 〜135 において、容量変化に応じた検出信号を増幅して出力するタッチパネルである。
複数の第1の電極として、列電極a1〜a5が配され、複数の第2の電極として、行電極b1〜b5が配され、列電極a1〜a5と行電極b1〜b5とが直交され、両電極のそれぞれが交差する箇所にコンデンサCxが形成され、
列電極a1〜a5に対して、順次、信号を供給し、
接触時或いは近接時と非接触時とで生じる、コンデンサCxの容量変化を検出する検出回路として、センサ回路131 〜135 を行電極b1〜b5に対してそれぞれ設け、
センサ回路131 〜135 において、容量変化に応じた検出信号を増幅して出力するタッチパネルである。
図1は、この発明の第1の実施の形態によるタッチパネルの一構成例を示す。図1に示すように、各電極が直交するように、縦方向に配列された列電極a1〜a5と横方向に配列された行電極b1〜b5とが配置され、各電極が対向する格子状の交点のそれぞれにおいて、コンデンサCx11、Cx12・・・(以下、総称する場合はCxとする)が形成される。タッチ操作時に生ずるこのコンデンサCxの静電容量の変化がセンサ回路によって検知されて、タッチ位置が検出される。
列電極a1〜a5および行電極b1〜b5は、透明導電材料例えばITOにより形成された電極である。列電極a1〜a5に対して、信号発生回路11がマルチプレクサ12を介して接続される。信号発生回路11は、パルス信号を発生する。パルス信号以外に正弦波信号等の周期的信号を使用しても良い。信号発生回路11は、後述するMPUがパルス信号を発生する構成としても良い。また、透明なタッチパネルを構成するのは、液晶のような表示装置の表示面にタッチパネルを積層して映像を表示するためである。但し、この発明では、透明な構成に限定されない。
マルチプレクサ12は、信号発生回路11からの5個の信号の内の一つを出力するもので、複数のスイッチによって表されている。スイッチは、信号発生回路11の出力を選択する状態と、固定電位を選択する状態とに切り替えられる。例えば列電極a1に対してマルチプレクサ12が信号P1を供給している状態が示されている。
同様に、信号P2が列電極a2に供給され、信号P3が列電極a3に供給され、信号P4が列電極a4に供給され、信号P5が列電極a5に供給される。これらの信号P1〜P5は、各列電極a1〜a5に対して順次供給される。なお、信号発生回路11およびマルチプレクサ12に代えて、MPUの各I/Oポートにそれぞれ電極を接続し、I/Oポートからの信号を供給するようにしてもよい。
横方向に配列された行電極b1〜b5には、図4に示すように、静電容量変化を検出するためのセンサ回路131 ,132 ,133 ,134 ,135 がそれぞれ接続される。図1に示すように、例えば列電極a1に信号が印加されている時には、列電極a1と行電極b1〜b5のそれぞれとが交差する箇所に形成されるコンデンサCx11,Cx12,・・・,Cx15の静電容量変化がセンサ回路131 〜135 によって検出される。
センサ回路131 〜135 は、互いに同一の回路構成とされており、図2は、センサ回路131 のみを示す。センサ回路131 〜135 のそれぞれの出力OUT1〜OUT5が図2に示すように、MPU23のI/Oポートに供給される。センサ回路131 は、Nチャンネル型FET21およびFET22を有する。FET21のソースが接地され、そのゲートおよびドレインが互いに接続される。ゲートおよびドレイン接続点が図1に示すように、行電極b1に接続される。列電極a1に対して信号P1が供給される時には、列電極a1と行電極b1との交差位置にコンデンサCx11が形成される。
FET21のゲートとFET22のゲートとが互いに接続される。FET22のソースが接地され、FET22のドレインが出力コンデンサとしてのコンデンサCs1を介して端子ContVdd に接続される。端子ContVdd は、計測期間で所定の値の直流電圧Vddが供給され、リセット期間では、接地電位とされる端子である。FET22のソースに得られる出力信号OUT1がMPU23のI/Oポートに供給される。
FET21および22がカレントミラー回路を構成する。すなわち、FET21のドレイン・ソース電流に比例した電流がFET22のドレイン・ソース間を流れる。図2に示すセンサ回路131 は、概略的には、図3に示すように、カレントミラー回路20によってコンデンサCxに流れる電流の大きさの任意の倍率n(>1)の電流をコンデンサCs1に流すことができる。倍率nが大きいほど検出精度が向上すると共に、検出に要する計測時間を短くできる。倍率nの設定は、コンデンサCs1の値、FET21および22のゲート面積の比率、または各FET21および22のドレイン・接地間に挿入する抵抗の比率によって可能である。例えば抵抗の比率が(50:1)であれば、n=50とできる。
センサ回路131 では、信号P1が印加されると、二つの電極の交差箇所に形成されるコンデンサCx11に電流が流れ、この電流に比例した大きさの電流がコンデンサCs1を流れ、コンデンサCs1を充電する。コンデンサCs1の充電は、信号P1が固定電位となると停止する。コンデンサCsは、計測期間では、充電電荷が保持され、計測期間の直後のリセット期間において、端子ContVdd を通じて放電される。他のセンサ回路132〜135 も上述したセンサ回路131 と同様に動作する。
なお、MPU23は、マルチプレクサ12の切り替えのタイミングを制御し、端子ContVdd に電圧を供給する期間と端子ContVdd を接地とする期間の切り替え動作を制御する。
上述したこの発明の第1の実施の形態の動作について説明する。上述したセンサ回路131 を例にして説明するが、他のセンサ回路132 〜135 も同様の動作を行う。図5Aは、列電極a1にマルチプレクサ12を介して信号発生回路11から供給されるパルス信号(信号P1)の部分拡大波形を示す。一例として、パルス信号P1〜P5は、デューティが50%で、周期が1マイクロ秒のものである。図5Bは、コンデンサCx11おいてCs1を流れる電流波形を示す。図5Cは、信号P1を示し、図5Dは、出力OUT1の変化を示す。図5Eは、パネルにタッチした場合の動作を示す。
計測期間が開始すると、端子ContVdd に電圧Vdd が供給される。このとき、コンデンサCs1〜Cs5は、充電されていないので、出力OUT1〜OUT5がVdd となる。この電圧値が最も高い電位である。信号P1〜P5の一つ例えば信号P1が印加される。信号P1がコンデンサCx11に供給され、コンデンサCx11を通じて図5Bにおいて、参照符号32で示す微分電流が流れる。
この微分電流がカレントミラー回路によって増幅され、コンデンサCs1には、より大きな微分電流32が流れる。この微分電流32によってコンデンサCs1が充電され、コンデンサCs1の端子電圧が徐々に上昇する。すなわち、出力OUT1が図5Dにおいて参照符号33で示すように、徐々に低下する。
出力OUT1の変化33は、信号P1のパルスに同期した波形の変化を有するが、図5Eにおいては、直線33として示す。例えば計測開始時点から出力OUT1がしきい値41を横切ったときの時間T1をMPU23が保持する。MPU23は、時間を信号P1のパルス数として計測する。しきい値41は、MPU23のI/Oポートの電圧に対して論理的な0と1を設定するしきい値とされる。
計測期間の後にリセット期間が設定される。リセット期間では、信号P1が列電極a1に印加されないと共に、端子ContVdd が接地される。したがって、出力OUT1が最低レベルに低下する。次の計測期間は、信号P5が列電極a5に供給される。さらに、列電極a4,a3,a2に対して順に信号P4,P3,P2が供給される。これらの信号が列電極にそれぞれ供給されるときに、上述したのと同様の動作がなされる。
タッチパネル部の電極a1およびb1の交点に触れると、指を通じて一方の電極が接地されるので、FET21のドレイン・ソース電流が接地に流され、コンデンサCx11に対する充電電流が小となる。このため、コンデンサCs1に対する充電電流も小となる。したがって、図5Eにおいて、直線34で示すように、出力OUT1の低下の傾斜が小となり、しきい値41を横切った時間T2は、(T2>T1)の関係となる。このことがMPU23によって検出される。T1およびT2の時間差は、触れた距離、接触した面積が大きいほど、大きくなる。したがって、T1およびT2の時間差(パルス数差)が外乱を考慮して設定された値に比して大きい場合に、タッチパネルへのタッチがあったものとMPU23が検出する。
図4に示すように、列電極a5〜a1をそれぞれaライン,bライン,cライン、dライン,eラインと表記すると、図6に示すように、各ラインに対する検出動作が順番になされる。
この発明の第1の実施の形態では、一つの列電極のみにパルス信号を印加しているので、複数の交差位置に同時に指がタッチしても、交差位置の1箇所ずつに形成されるコンデンサの静電容量変化を検出するので、従来のように、タッチの位置を正確に検出できなくなることがない。また、交差箇所上に限らず、交差箇所以外にタッチした場合も、補間によってより細かい精度でタッチ位置を検出するようになされる。例えばタッチした位置の上下左右の4箇所における静電容量変化から交差箇所のピッチより細かい分解能でもってタッチ位置を検出することができる。
上述した第1の実施形態では、MOS(Metal Oxide Semiconductor) FETを用いてセンサ回路を構成した例について説明したが、センサ回路はこれに限定されるものではない。すなわち、回路の構成は、図3に示すように、コンデンサCxの電荷の変化に応じて、コンデンサCsの電荷が変化するように動作する構成であればよい。
例えば、図7に示すように、MOSFETの代わりにバイポーラトランジスタによってセンサ回路例えば131 を構成しても良い。センサ回路131 は、NPN型トランジスタ41およびトランジスタ44を有する。トランジスタ41のエミッタが抵抗42を介して接地され、そのベースおよびコレクタが互いに接続される。ベースおよびコレクタ接続点が行電極b1に接続される。列電極a1に対して信号P1が供給される時には、列電極a1と行電極b1との交差位置にコンデンサCx11が形成される。トランジスタ41のコレクタおよび接地間にコンデンサ放電用のダイオード45が挿入される。
トランジスタ41のゲートとトランジスタ44のベースとが互いに接続される。トランジスタ42のエミッタが抵抗43を介して接地され、トランジスタ42のコレクタがコンデンサCs1を介して端子ContVdd に接続される。トランジスタ44のコレクタに得られる出力信号OUT1がMPU23のI/Oポートに供給される。
トランジスタ41および44がカレントミラー回路を構成する。すなわち、トランジスタ41のコレクタ・エミッタ電流に抵抗42および43の抵抗比に比例した電流がトランジスタ44のコレクタ・エミッタ間を流れる。
この発明の第1の実施の形態によるタッチパネルでは、従来のように、1個の電極の大地間に生ずる静電容量の変化を検知するのではなく、2個の対向電極間で生ずる静電容量の変化を検知する。これにより、タッチした位置が絶対位置として検出できる。また、この発明の第1の実施の形態によるタッチパネルは、センサ回路を大幅に削減できる。
この発明の第2の実施の形態によるタッチパネルについて説明する。第2の実施の形態は、タッチパネルの高感度化を達成するものである。図8は、この発明によるタッチパネルの概略を示す。上述したように、列電極a1〜a6のそれぞれと、行電極b1〜b6のそれぞれとの交点にコンデンサ(静電容量)Cxが形成される。したがって、分解能(精度)を高くしたい場合には、デバイスのパターン(電極)を細くして電極の本数を増やす方法が考えられる。
しかしながら、この方法は、図8に示すように、コンデンサCxの静電容量が小さくなり、直列抵抗が高くなる問題を生じる。他の方法として、デバイスを大きくし、デバイスのパターンを長くする方法があるが、この場合には、抵抗が高くなる問題が生じる。
図9に示すように、各交点に形成されるコンデンサCxとセンサ回路との間に、パルス信号が印加されず、所定電位に保持されている電極が存在している。この電極の浮遊容量(破線で表す)が比較的大きい。コンデンサCxを通じて伝わる電荷が浮遊容量に充電されるために、センサ回路の動作特性が劣化したり、回路が動作しなくなる問題がある。さらに、図10に示すように、タッチパネルのデバイスに限らず、配線パターンの引き回しによる浮遊容量、素子が有する浮遊容量等も存在する。
この問題に対する対策として、パルス信号の電圧値を高くすることが考えられる。その場合は、パルス電圧を昇圧するための回路が必要となったり、放射ノイズが増加する問題が生じる。
この発明の第2の実施の形態は、図11に示すように、常にバイアスを印加することによってかかる問題点を解決するものである。例えば端子ContVdd に対しては、常に電圧を印加しておき、コンデンサCsのリセット期間の放電は、MPUのI/Oポートを通じて行われる。トランジスタ41のベース・コレクタ接続点が端子ContVdd に抵抗51を介して接続され、トランジスタ44のコレクタが端子ContVdd に抵抗52を介して接続される。さらに、トランジスタ44のコレクタとコンデンサCsの一方の電極との間にダイオード53が挿入される。ダイオード53は、トランジスタ44のコレクタ電流に対して順方向の極性とされる。
かかるこの発明の第2の実施の形態は、抵抗51を介してバイアスを印加することによって、予め浮遊容量(破線で示す)を充電し、浮遊容量が与える影響を低減することができる。
なお、上述した例は、バイポーラトランジスタによる構成であるが、CMOSFETの場合も同様に、バイアス印加による改善を達成できる。
この発明は、上述の実施の形態に限定されるものではなく、この発明の技術的思想に基づく各種の変形が可能である。例えばこの発明では、カレントミラー回路に限らず、増幅器によって電流をn倍としてしても良い。
a1〜a6・・・列電極
b1〜b6・・・行電極
Cx・・・対向電極により形成されるコンデンサ
Cs・・・出力コンデンサ
11・・・信号発生回路
131 〜135 ・・・センサ回路
21,22・・・FET
41,44・・・バイポーラトランジスタ
51・・・バイアス印加用の抵抗
b1〜b6・・・行電極
Cx・・・対向電極により形成されるコンデンサ
Cs・・・出力コンデンサ
11・・・信号発生回路
131 〜135 ・・・センサ回路
21,22・・・FET
41,44・・・バイポーラトランジスタ
51・・・バイアス印加用の抵抗
Claims (6)
- 複数の第1の電極と複数の第2の電極とが直交され、上記第1の電極および上記第2の電極のそれぞれが交差する箇所にコンデンサが形成され、
上記第1および第2の電極の一方の電極に対して、順次、信号を供給し、
接触時或いは近接時と非接触時とで生じる、上記コンデンサの容量変化を検出する検出回路を上記第1および第2の電極の他方の電極に対してそれぞれ設け、
上記検出回路において、上記容量変化に応じた検出信号を増幅して出力するタッチパネル。 - 複数の第1の電極と複数の第2の電極とが直交され、上記第1の電極および上記第2の電極のそれぞれが交差する箇所にコンデンサが形成され、
上記第1および第2の電極の一方の電極に対して、順次、信号を供給し、
接触時或いは近接時と非接触時とで生じる、上記コンデンサの容量変化を検出する検出回路を上記第1および第2の電極の他方の電極に対してそれぞれ設け、
上記検出回路において、上記容量変化に応じた検出信号を増幅して出力し、
上記検出回路に対して常にバイアスを印加して浮遊容量を充電するタッチパネル。 - 上記検出回路が第1および第2の能動素子によりカレントミラー回路を構成し、
上記第1の能動素子を通じて上記コンデンサの容量変化によって変化する第1の電流が流れ、
上記第1の能動素子を通じて上記コンデンサの容量変化によって変化する第1の電流が流れ、
上記第1の電流の値をn倍(n>1)した第2の電流を上記第2の能動素子を通じて流し、
上記第2の電流によって出力コンデンサが充電される請求項1または2記載のタッチパネル。 - 上記第1および第2の電極の一方の電極に対して、順次供給される信号は、周期的な信号であって、
上記出力コンデンサが上記周期的な信号と同期して充電され、
上記出力コンデンサの充電電圧がしきい値に達する時間を計測し、
計測された時間の差から上記接触および非接触を判定する請求項1または2記載のタッチパネル。 - 上記第1および第2の電極が透明である請求項1または2記載のタッチパネル。
- 互いに近接する上記交差する箇所の複数の検出結果から上記交差する箇所以外の位置の接触を検出する請求項1または2記載のタッチパネル。
Priority Applications (1)
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