JP2009543483A - 伝送線路における異方性媒質のエミュレーション - Google Patents

Abstract

単純で製造可能なマイクロ波及び光学的な結合伝送線路の幾何学構造体である。１つの例示的実施形態において、伝送線路の幾何学構造体は、誘電性及び／又は適格なバイアスの強磁性基板上の周期プリント結合／非結合マイクロストリップ線路として容易に実現可能である。伝送線路の幾何学構造体の例は、異方性の誘電性および磁性材料のバルク周期アセンブリ内部での異常な伝搬モードをエミュレートするようになっている。例えば、異方性媒質における波の伝搬は、特殊に設計された幾何学形状を有する１対の結合伝送線路（３０、３２）を使用することによってエミュレートすることができ、それによってマイクロ波または光導波構造におけるモード波の分散を使用可能にする。デジェネレートバンドエッジ共振、フローズンモード、他の異常なモードおよび、負の屈折率といった他の独自の電磁特性は、例えば現代のＲＦまたはフォトニクス／ソリッドステート技術を用いて容易に製造することができる独自の幾何学的な構成を用いて実現することができる。本発明の構造体は、結合線路、移相器、プリントアンテナ及びアレー素子等の通常のマイクロ波／光学部品の小型化を可能にする。本発明の構造体は、単独で使用可能又は複雑なマイクロ波／光ネットワーク内で使用可能である。

Description

本発明は、伝送線路における異方性媒質のエミュレーションに関するものであり、本願は、２００６年７月６日出願の米国特許仮出願第６０／８０６６３２号の優先権を主張するものである。

周期性を有する材料から成るアセンブリはマイクロ波および光学用途のための独自で有用な特性を有すると示されている。これらの例は、フォトニックおよびマイクロ波バンドギャップ構造、左手系材料（ＬＨＭ；left handed materials）および他の関連する周期アセンブリである。そのような周期媒質は、遅延線、カプラおよびアンテナといったいくつかの実用的なマイクロ波構成要素を可能にしてきた。

バンドギャップ構造に加え、他の周期構造も独自で異常な（extraordinary）特性を提供する。それらのうち、磁性フォトニック結晶（ＭＰＣ；magnetic photonic crystals）およびそれらの関連する「類縁」、デジェネレートバンドエッジ（ＤＢＥ；degenerate band edge）構造は、小領域内での著しい波の減速および振幅増大につながることが示されている。従って、これらの結晶は、小型で高感度のアンテナおよび、おそらく小型のマイクロ波デバイスに極めて魅力的であるとわかっている。しかし、それらの異方性の性質はそれらの製作を極めて難しく高コストにさせる。それゆえ、ＭＰＣ、ＤＢＥおよび、他の電磁特性および異常なモードばかりでなくそのような媒質における波分散をプリント回路技術を用いてエミュレートできる必要性が存在し、それはＭＰＣおよびＤＢＥモードに基づく低コストの高性能なデバイスを製作するうえで重要なステップを提供するであろう。

本発明の１つの例示的な実施形態は、例えば、ＭＰＣまたはＤＢＥ結晶といった異方性媒質内の伝搬をエミュレートすることができる新規な結合マイクロストリップ線路である。例えば、結合マイクロストリップ線路ジオメトリは、階層化異方性媒質構成ＤＢＥまたはＭＰＣ結晶を模倣することができる。詳細には、本発明の１つの例示的実施形態は、ＤＢＥまたはＭＰＣ結晶のバンド図（または等しくそれらにおける波分散）を付与するように適応された周期プリント回路を（カスケードされた時に）それらの散乱パラメータ行列が形成することができる結合および非結合マイクロストリップ伝送線路（ＴＬ）セグメントから構成され得る。本発明の例示的ないくつかの実施形態はＭＰＣまたはＤＢＥモードに特に有用となり得るが、他の異常なモードおよび電磁特性が本発明の種々の実施形態において実現され得ることを認識しなければならない。

１つの例示的実施形態において、新しい部類のフォトニック結晶のためのマイクロストリップ伝送線路構造が磁性フォトニック結晶（ＭＰＣ）におけるデジェネレートバンドエッジ（ＤＢＥ）およびフローズンモード（frozen mode）挙動をエミュレートすることができる。例えば、マイクロストリップ線路モデルは、バルク異方性階層化媒質内部での波の伝搬をエミュレートするように適応された少なくとも１対の結合および非結合線路から形成することができる。そのような周期マイクロストリップ構造内部での波の分散は、例えば、標準的なＲＦプリント回路技法を用いて容易に製造することができる特定のジオメトリ設計のためのＤＢＥおよびＭＰＣモードをサポートすることができる。さらに、本発明の例示的ないくつかの実施形態において、フェライト基板上に印刷物を製造することにより、ＭＰＣアセンブリの場合と同様フローズンモードの実現を可能にすることができる。

本発明の例示的実施形態は、バルク異方性誘電材料および磁気回転フェライト材料の周期アセンブリにおいて遭遇する異常な伝搬現象をエミュレートするためにマイクロ波伝送線路構成要素を使用することができる初のものである。さらに、成熟した回路最適化ツールと一体でのプリントマイクロ波伝送線路の例示的実施形態の単純さは、前述の異常なモードばかりでなく負の屈折率といった他の独自の電磁特性を示すメタマテリアル（metamaterial）の極めて高速かつ効率的な設計を生成することを可能にする。他の利益もまた可能である。結合伝送線路レイアウトの例示的実施形態はまた、ソリッドステート結合光ファイバ／チャネルを用いて製造することができ、強磁性基板に代替するために半導体の電気回転（gyroelectric）および磁気回転挙動を利用することができ、それによって導波フローズン光モード（guided frozen light mode）の実現を可能にする。

上述の新規な特徴および利点に加えて、他の利益は図面および例示的実施形態の以下の説明から容易に明らかになるであろう。

１組の異方性誘電層（Ａ_１、Ａ_２）および等方性層（Ｆ）から集成されたＤＢＥ結晶を通るエネルギー伝搬の概略図である。 図１のＤＢＥ結晶の分散図の例である。 図１のＤＢＥ結晶をエミュレートし、ＤＢＥ結晶内の電界波とプリントマイクロストリップＤＢＥ構造内の電圧波との対応を示すプリントマイクロストリップ伝送線路ジオメトリの例示的実施形態の概略図である。 単に図３のユニットセルの第１の区域のＶ_１フィード線のマイクロストリップ幅ｗを変えることによって得ることができる種々のバンドエッジの例のグラフである。 ＤＢＥ分散を実現するために均質基板にプリントされたプリント結合マイクロストリップユニットセルジオメトリの例示的実施形態の概略図である。 バンドギャップおよびデジェネレートバンドエッジを示す図５Ａのユニットセルの分散図の例である。 ＤＢＥ結晶をエミュレートするプリントユニットセルの例示的実施形態の略回路モデルであり、等価な誘電率テンソルがジオメトリ細部に関して示されている。 結合線路内での遅い波およびフィールド成長を実現するための８ユニットセルＤＢＥマイクロストリップ構造の例示的実施形態の概略図である。 内部に大きなフィールド振幅を示す図７の８ユニットセル構造における電界分布の概略図である。 バイアスされたフェライト基板にプリントされたマイクロストリップ構造のユニットセルジオメトリの概略図であり、バイアス方向およびプリント結合マイクロストリップ線路を示している。 フローズンモードをもたらすバンドギャップおよび停留変曲点を示している図９Ａのプリントユニットセルの分散図の例のグラフである。 共振アンテナといった放射構造を形成するために円形周期構成に適するＤＢＥマイクロストリップユニットセルの例示的実施形態の概略図である。 図１０Ａに図示された２個のＤＢＥユニットセルを円形状にラップすることによって実現される共振アンテナジオメトリの例示的実施形態の概略図であり、同軸線路フィード位置の例もまた示されている。 図１０ＢのＤＢＥアンテナを用いた４×４アンテナアレイジオメトリの例示的実施形態の概略図である。 図１１Ａのアレイアンテナの主ビームのスキャン性能の例の概略図である。 負の屈折率を呈する周波数領域および固有モード分枝を示すＤＢＥマイクロストリップジオメトリの分散図の例である。 一般化マイクロストリップレイアウトの例示的実施形態の概略図であり、マイクロストリップ線路は低周波数バンドギャップならびに負の誘電率および透磁率を実現するために容量性および誘導性素子を装荷している。 図１３Ａのマイクロストリップレイアウトの対応する分散図の例である。 バルク媒質に存在しない高次のデジェネレートモードを実現するように設計され得る複数結合伝送線路の例示的実施形態の概略図であり、それによって自然には存在しないモードを可能にする。 バンドエッジが（複数結合伝送線路を用いてのみ実現可能な、すなわちそれらのモードは自然には存在しない）６次のデジェネラシー(degeneracy)を呈するように設計され得る３結合伝送線路ユニットセルの分散図の例である。 バンドエッジが（やはり複数結合伝送線路を用いてのみ実現可能な、すなわちこれらのモードは自然には存在しない）３つのピークを呈するように設計され得る３結合伝送線路ユニットセルの分散図の例である。 強磁性材料を使用することなく相反停留変曲点が実現され得る複数結合伝送線路ユニットセルの分散図の例である。 標準的なプリントマイクロ波回路板技術を用いて容易に製造することができる複数結合伝送線路の例示的実施形態の概略図である。 より幅広いモード制御を実現するためにバイアスされた強磁性基板にプリントすることができる複数結合伝送線路の例示的実施形態の概略図である。 複数結合伝送線路（すなわちＴＲＬ）が、複数の周波数でフローズンモードを使用可能にするとともに、遅い伝搬モードの周波数バンド幅を増大させるために利用することもできる複数の停留変曲点を可能にする、分散図の例である。 複数結合ＴＲＬがより高い平坦さの程度の停留変曲点を実現するように設計することができ、それによって従来にないモード多様性を可能にし、また種々の分枝（曲線）がＳＩＰを同時に呈するように設計することができる、分散図の例である。

ＤＢＥ結晶が図１に図示の通りユニットセルの周期構成から構成される。図１はＤＢＥ結晶内のエネルギー伝搬の例を示しており、各ユニットセルは２個の異方性誘電層Ａ１およびＡ２ならびに１個の強磁性層Ｆから構成され得る。誘電層はそれらの原理異方軸に関して位置がずれている。フェライト層は外部ｄｃ磁界によりバイアスされている。ＤＢＥ結晶の分散図の例が図２に図示されている。

本発明の１つの例示的実施形態において、マイクロストリップ伝送線路の幾何学構造（ジオメトリ）がそうしたＤＢＥまたはＭＰＣ周期構造における伝搬をエミュレートすることができる。マイクロストリップの幾何学構造もまた周期性である。図２の図の独自の様相は、１次および２次導関数がゼロになるｋ−ω曲線の区域（ＤＢＥ領域とも呼ばれる）の平坦化である。対照的に、正規バンドエッジ（ＲＢＥ）結晶は１次導関数０を有するにすぎない。

プリントマイクロ波伝送線路設定においてＤＢＥ分散を得るために、２つの原理電界成分Ｅ_ｘおよびＥ_ｙ（ｚ方向に沿って伝搬）は、振幅Ｖ_１およびＶ_３を有し、図３に表示の通り２個の近接するマイクロストリップ線路３０および３２に沿って伝搬する１対の電圧波によって表現される。対応する伝送フィールド（または電圧）はＶ_２およびＶ_４として示される。すなわち、ＤＢＥ結晶のユニットセルの３層の各々は、周期構造を構築するためにカスケードされた４ポート網によって表現される。等価なマイクロストリップ回路のこの例示的実施形態の場合、第１の異方性層は２個の非結合マイクロストリップ線路３０および３２によってモデル化される。第２の層については、マイクロストリップ線路３０および３２はより近づけられ（図３参照）、電圧波は結合することが可能になる。近接結合に加え、（ハイブリッドカプラといった）他の結合方法もまた容易に使用することができる。Ｖ_１がマイクロストリップ線路３０に沿って伝搬するがマイクロストリップ線路３２はＶ_３と関係するので、線路間の結合は異方性誘電率テンソルの非対角要素をエミュレートする。さらに、図３に示すように、誘電率テンソルの対角項は種々の値を有することができる。この例では、ＤＢＥ結晶のための単純な等方性誘電材料であるフェライト層は、インピーダンスおよび伝搬定数と関係する１対の非結合線路によってモデル化することができる。

ここで検討する例（すなわちＤＢＥ結晶）の場合、２個の区域が１対の非結合線路から構成される。従って、それらの散乱行列は線路の各々についての標準的な散乱パラメータを用いて容易に表すことができる。伝達行列を生成するために、全部の３区域からの散乱パラメータは共通インピーダンス（例えばＺ_Ｎ＝５０Ω）に正規化することができる。結晶ユニットセルの伝達行列は引き続き層の伝達行列をカスケードすることによって決定することができる。ユニットセルの周期構成内部でのブロッホ波の伝搬定数（分散関係とも呼ばれる）は固有値表現から決定することができ、結果的に図３および図４の設計をもたらし、それによって単に１個の幾何学構造のパラメータ（この場合、線路幅ｗ）を変えることにより、ＲＢＥ、ＤＢＥ、または二重（または分割）バンドエッジ挙動を実現することが可能である。

例示的実施形態において、特殊に設計されたカスケードされた結合伝送線路と非結合伝送線路との対（例えば図３および図５Ａ参照）は、階層化異方性材料アセンブリにおいて見られる同じ波伝搬特性を再現することができる。詳細には、図５ＡはＤＢＥ構造のユニットセルの例を図示しており、伝送線路４０および４２が誘電基板４４によって支持されている。構造の例示的実施形態は、デジェネレート周波数バンドエッジ（例えば図４および図５Ｂ参照）または停留変曲点（stationary inflection point）（例えば図９Ｂ参照）を呈することができる。図５Ｂにはフォトニックバンドギャップ４６およびデジェネレートバンドエッジ４８が示されている。前記特性は、前記特殊材料アセンブリ（例えば図１および図２）において見られた異常な伝搬モード、はるかに良好な周波数選択性、ほとんど完全な整合および深い波侵入を生じることができる。例示的実施形態において、異常な現象の全部は部分結合伝送線路を製作するための単純で相対的に安価で簡単な方法を用いて再現／再構成することができる。

１つの例示的実施形態において、伝送線路の対が異方性材料層の結晶性質（例えば行列／テンソルパラメータ）をエミュレートするために使用することができる。例えば、種々の線路特性を備える非結合区域は（入射波の偏波に関して）完全にアライメントされた材料パラメータを模倣することができ、そしてアライメントされていない材料は伝送線路区域を結合することによってエミュレートすることができる。例示的実施形態において、等方性材料は１対の同一の非結合伝送線路（例えば図３および６参照）を用いてエミュレートすることができる。図６には、第１ポート５０、第２ポート５２、第３ポート５４および第４ポート５６を有する４ポート回路モデルが図示されている。この例において、結合部分５８はアライメントされていない異方性をエミュレートし、非結合部分６０はアライメントされた異方性をエミュレートする。

随意選択で、プリント回路板技術を含むがこれに限らず、従来の、または別様に適格なプリント回路技術を使用して通常の誘電基板に部分結合デジェネレートバンドエッジ伝送線路区域を実現することができる。バイアスされた強磁性基板が分散における停留変曲点の結果としてフローズンモードを実現するために使用できる。多数のそうした区域（ユニットセル）が多数の等方性および異方性材料の層をエミュレートするために線形または円形状に製造および構成することができる（例えば図７のユニットセルの線形構成参照）。詳細には、図７は８ユニットセルのプリント周期マイクロストリップ結合線路の例を図示している。他方、図８はフィールド振幅７０を示すＤＢＥマイクロストリップ結合線路に沿って観察されたフィールドの例を図示している。

例示的実施形態において、特殊に設計された材料結晶における異常な電磁的挙動（例えば図４参照）につながるＤＢＥ挙動は、その材料の場合（例えば図５参照）とほぼ同じ設計基準を満たす複数区域のプリントＴＲＬ（例えば図７参照）によってエミュレートすることができる。例示的実施形態において、電界成分は随意選択でＴＲＬポートにおける電圧波振幅にコード化することができる。フィールド挙動は、結合ＴＲＬペアの例示的実施形態における電圧波の挙動を考慮することによってエミュレートすることができる。

構造の例示的実施形態は、バイアスされた強磁性材料に製造された場合（例えば図９Ａ参照）、磁性フォトニック結晶におけるゼロ群速度（すなわちフローズンモード(frozen mode)現象、図９Ｂ参照）様式をエミュレートすることができる。図９Ａにはフローズンモード構造のユニットセルが図示されており、伝送線路８０および８２がＤＣ磁気バイアス方向８６を備えるバイアスされたフェライト基板８４によって支持されている。図９Ｂにはバンドギャップ８８および停留変曲点９０が図示されている。例示的実施形態において、フローズンモード周波数は、フローズンモード構造の幾何学的なレイアウトにける非対称性及びフェライト材料によるファラデー回転のエミュレーションによって実現することができる。

結合ＴＲＬ概念を用いて実現可能なよりシャープな共振のために、本発明の構造の例示的実施形態における電圧波振幅は通常の共振器よりもはるかに大きくなり得る。これはフィールド振幅および非線形材料を使用する（例えば図８参照）光変調器といった多様な用途において利用することができる。

例示的実施形態において、磁性材料結晶のフローズンモードが本発明の構造の例示的実施形態における電圧波についてエミュレートすることができる。波の減速および振幅の増大（波の圧縮）が、この製造が単純な構造（例えば図９Ｂ参照）において１対１で模倣され得る。

例示的実施形態において、２個以上の結合線路をラップするか、または構造体のポートの一部または全部を短絡（または開路）させるかのどちらかによって共振アンテナを作ることができ、それによって小型の共振アンテナ（例えば図１０Ｂ参照）の実現を可能にする。そのような共振アンテナはこれまでで物理的に最も小さいものの１つになり得る。この例示的手法はそのようなアンテナのシステム的な設計を可能にする。図１０Ａは、結合区域１００および非結合区域１０２を有するマイクロストリップＤＢＥユニットセルの例を図示している。図１０Ｂにおいて、２個のユニットセルが、この例では一般的に１１０で示されたアンテナ給電体（アンテナフィード）（例えば５０Ω同軸ケーブル）と電気通信している（例えば容量結合されている）アンテナレイアウトを形成するために円形状にラップされている。この例示的実施形態において、構造はおよそ１．０５インチ（２．６７ｃｍ）×０．８８インチ（２．２４ｃｍ）である。基板のこの例示的実施形態は以下の特性を有する。デュロイド（duroid）、ε＝２．２、ｔａｎδ＝０．０００９、２インチ×２インチ（〜５．０８ｃｍ×５．０８ｃｍ）、厚さ１００ミル。これらの寸法および特性は例示的な目的でのみ提示されている。他の適格な寸法および特性が可能である。

直交偏波のために２自由度だけが存在するバルク材料結晶とは反対に、本発明の例示的実施形態には近接結合によるより多くの付加的な伝送線路を含むことが可能である。これは、材料結晶に存在しないはるかに豊富な多様な伝搬モードおよびフィールド挙動を可能にすることができる。そのような例示的実施形態は、例えば種々のＲＦおよび光学回路素子だけでなく小型アンテナおよびアレイにつながる異常な伝搬および共振挙動を伴う従来にないモードを可能にすることができる。

さらに、例示的実施形態において、複数線路フェライト基板構造は、（例えばデジェネレート変曲点または複数フローズンモード様式といった）予想外の特性を備える従来にない分散関係を生じるように調整することができる。

上記の例示的構造の全部は高周波数について負の伝搬指数を有することができる。強磁性材料または基板はそのような負の指数領域だけでなく前述の異常なフローズンモードの調整を可能にすることができる。さらに、複数線路構造は特殊な負の指数モードおよびフィールドを生じ得る（例えば図１２参照）。図１２には負の指数領域１２０の例が図示されている。

容量性および誘導性回路成分を結合線路に戦略的に入れることによって低周波共振を本発明の例示的な幾何学的なバンド構造に導入することができる。これは、従来にないモード挙動を可能にすることができる（例えば１３Ａ、図および１３Ｂ参照）。集中素子を随意選択で金属印刷物に製作でき、それゆえ製造の複雑さに加担することはない（例えば図１３Ａ参照）。図１３には、第１ポート１３０、第２ポート１３２、第３ポート１３４および第４ポート１３６を有する４ポート回路モデルが図示されている。加えて、直列チップキャパシタ１３８および並列チップインダクタ１４０がマイクロストリップ伝送線路１４２と電気通信して設けられている。インターディジタルキャパシタ１４４および分路インダクタ（shunt inductor）１４６の対応する例もまた設けられている。図１３Ｂは、ＭＰＣ／ＤＢＥ挙動にＫ＝０で動作するように強いることが小型化およびバンド幅にとってより望ましくなり得る分散図の例を示す（例えば分散図の部分１５０参照）。

異方性材料結晶におけるデジェネレート共振は本発明の例示的実施形態によってエミュレートされ、デジェネレートバンドエッジの付近で相当にシャープな共振を生じることができ、それによって高選択性のマイクロ波フィルタの実現を可能にする。

本発明の構造の例示的実施形態における“凍りついた（frozen）”または極めて遅い電圧波は、通常の速い波よりもはるかに多く損失を被るかもしれない。一部の損失をプリント回路板といった周囲材料に取り込むことにより小さな物理的大きさにおいて極めて高い損失を可能にすることができ、それによって極めて小型のアイソレータの実現を可能にする。

例示的実施形態において、フローズンモード現象によって減速した電圧波は近接する伝送線路および／または構造によりいっそう効果的に結合することができる。これははるかに小さな物理的大きさを備える増大した効率の方向性カプラにつながり得る。

例示的実施形態において、遅い電圧波の位相は小さな物理的長さの内部でよりいっそう急速に変化し得る。それゆえ、より小型の移相器ブロックまたはマイクロ波整合スタブを実現することができる。

例示的実施形態における強磁性基板は、物理的に小さい構造内部での電圧波位相シフトを調整するための調整可能な外部磁気バイアスフィールドを可能にすることができる。

上記アンテナのアレイは、それらの小さな大きさゆえに最小限の素子内結合（intra-element coupling）により設計することができ、連続ビームスキャニングを可能にすることができる（例えば図１１Ａ参照）。図１１Ａは図１０ＢのＤＢＥアンテナを用いた４×４アンテナアレイジオメトリの例を図示しており、図１１Ｂは図１１Ａのアンテナアレイの主ビームのスキャン性能の例を図示している。代替として、本発明の例示的アレイは、素子が密接にパックされ結合させられた時により広い動作バンド幅を付与することができる。

強磁性基板にプリントされた構造の例示的実施形態は、外部バイアスフィールドにアンテナおよびアレイの動作周波数、放射方向、ゲイン、帯域幅および入力インピーダンスを調整させることができる。

本発明の複数の部分結合伝送線路の単純な例示的モデルは、各々のデジェネレートモード周波数と関係する共振を連続しているようにシステム的に設計するために使用することができ、それゆえブロードバンド動作を創出する。また、一部の共振は複数の同時の動作バンドを備えるアンテナおよびアレイを製作するために一緒に群にすることができる。

前述の通り、３以上の伝送線路を用いて種々の利点を実現することができる。図１４は、誘電基板１６０によって支持され、バルク媒質に存在しない高次のデジェネレートモードを実現するように設計された複数伝送線路の例を図示している。これは自然には存在しないモードを可能にする。詳細には、図１４の例示的ユニットセルは第１ポート１６２、第２ポート１６４、第３ポート１６６、第４ポート１６８、第５ポート１７０および第６ポート１７２を有しており、３個の伝送線路の非結合区域１７４および結合区域１７６が存在する。他の例示的実施形態において、ユニットセルは３超の伝送線路を含むことができる。

図１５は、バンドエッジが６次のデジェネラシーを呈するように設計され得る３結合伝送線路ユニットセルの分散図の例である。詳細には、分散図は、２次ＲＢＥ１８０、４次ＤＢＥ１８２、６次ＤＢＥ１８４およびバンドギャップ１８６の例を図示している。そのような性能は複数結合伝送線路を用いてのみ実現可能である。これらのモードは自然には存在しない。

図１６は、バンドエッジが３つのピークを呈するように設計され得る３結合伝送線路ユニットセルの分散図の例である。図１６には、２次ＲＢＥ１９０、二重バンドエッジ１９２、三重バンドエッジ１９４およびバンドギャップ１９６の例が図示されている。やはり、そのような性能は複数結合伝送線路を用いてのみ実現可能である。これらのモードは自然には存在しない。

図１７は、レシプロカル（相反）停留変曲点（reciprocal stationary inflection point）が強磁性材料を用いずに実現され得る複数結合伝送線路ユニットセルの分散図の例である。詳細には、図１７は２次ＲＢＥ２００、二重バンドエッジ２０２、相反ＳＩＰ２０４およびバンドギャップ２０６の例を示す。

図１８は、標準的なプリントマイクロ波回路板技術を用いて容易に製造することができる複数結合伝送線路の例示的実施形態の概略図である。詳細には、これは９ユニットセル６次デジェネレートバンドエッジ構造の例である。

図１９は、より幅広いモード制御を実現するためにバイアスされた強磁性基板２１０にプリントされ得る複数結合伝送線路の例示的実施形態の概略図である。この例において、ユニットセルは、第１ポート２１２、第２ポート２１４、第３ポート２１６、第４ポート２１８、第５ポート２２０および第６ポート２２２から構成され、３個の伝送線路の非結合区域２２４および結合区域２２６が存在する。

図２０は、複数の周波数でフローズンモードを使用可能にするとともに遅い伝搬モードの周波数帯域幅を増大させるために利用することもできる複数の停留変曲点を複数結合ＴＲＬが可能にする分散図の例である。この例では、ＲＢＥ２３０、ＳＩＰ２３２、複数のＳＩＰ２３４およびバンドギャップ２３６が図示されている。

図２１は、複数結合ＴＲＬがより高い平坦さの程度の停留変曲点を実現するように設計することができ、それによって従来にないモード多様性を可能にする、分散図の例である。そうしたものとしてこの例では、種々の分枝がＳＩＰを同時に呈するように設計することができる。詳細には、図２１は、ＲＢＥ２４０、２次ＳＩＰ２４２、４次ＳＩＰ２４４およびバンドギャップ２４６の例を図示している。

要約すると、以下を含むがこれらに限らない多数の利益が本発明の例示的実施形態を用いて可能である。
１）プリント回路を用いて材料異方性をエミュレートする少なくとも部分的に結合された伝送線路（ＴＲＬ）ペア：アライメントされていない結晶パラメータを備える異方性材料における電磁波伝搬を単純で製造が容易な伝送線路構造によってエミュレートする。
２）部分結合ＴＲＬ概念：異方性材料におけるベクトル波成分間の結合が少なくとも１対の（例えば、近接によって、または他の適格な手段によって）結合された伝送線路を用いてエミュレートすることができる。
３）電磁バンドギャップおよびフォトニック結晶のエミュレーション：プリント形態で異方性電磁バンドギャップ（ＥＢＧ）およびフォトニック結晶をエミュレートするために結合および非結合線路区域を実現するためにプリント回路技術を利用する。
４）異方性結晶におけるデジェネレートバンドエッジ（ＤＢＥ）挙動の実現：異方性ＤＢＥ結晶における分散を模倣するためにマイクロストリップ結合ＴＲＬを使用する。
５）少なくとも１個のＴＲＬペアを用いた磁性フォトニック結晶（ＭＰＣ）の実現：構造の例示的実施形態は適正に磁化された強磁性基板にプリントされた時にＭＰＣ材料において観察される分散図を模倣することができる。
６）構造内部でのフィールド振幅の実現：構造の例示的実施形態は構造内部でより大きな電圧波につながるデジェネレートモードをサポートする。
７）フローズンモード概念をエミュレートする少なくとも１個のＴＲＬペアを用いた変曲点の実現：フェライト基板構造の例示的実施形態は波挙動におけるフローズンモード周波数をエミュレートすることができる。
８）ＤＢＥモードをエミュレートする少なくとも１個のＴＲＬペアを用いた小型プリントアンテナの実現。非磁性構造の例示的実施形態から作られたアンテナの物理的大きさは遅いモードのために通常のアンテナよりも小さくなり得る。
９）プリント構造における高次のデジェネレートモード(degenerate mode)およびフィールド：上記概念の直接的な拡張として、３個以上の部分結合線路は、上に挙げた効果の直接的な拡大につながる２次超のフィールドデジェネラシーを備える異常なモードを可能にすることができる。
１０）外部調整可能性のための強磁性基板で作られたマルチＴＲＬ：アンテナ、アレイおよび整合網における調整可能動作がフェライト基板および外部磁気バイアスフィールドを使用する構造の例示的実施形態を用いて実現することができる。
１１）負の屈折挙動：構造の例示的実施形態における波挙動は特定の周波数バンドで負の伝搬を呈するように設計することができる。フェライト材料により、これらの負の指数領域を制御することができる。
１２）統合された集中回路素子を備える結合線路：結合線路モード構造は付加的なキャパシタおよびインダクタ集中素子を用いて低周波動作について改善することができる。
１３）超選択性マイクロ波（および恐らく光）フィルタ概念の実現：構造の例示的実施形態は、向上した質要素およびより小さな物理的大きさを備えるフィルタ設計につながるよりいっそう強い周波数選択性を可能にするデジェネレートモードをサポートすることができる。
１４）改良されたマイクロ波アイソレータ：構造の例示的実施形態によってサポートされるフローズンモードは遅い波の伝搬のために損失を拡大することができ、それによって物理的により小型のアイソレータにつながる。
１５）改良された方向性カプラ：標準的な方向性カプラの性能は、物理的により小型の方向性カプラにつながる構造の例示的実施形態における遅い波の伝搬を利用して改善することができる。
１６）物理的により小型の移相器および整合スタブの実現。遅い波の伝搬のために、物理的により小型の移相器および整合スタブを実現することができる。
１７）調整可能移相器の実現：波の位相および群速度は物理的に小型の調整可能移相器を作るために外部磁気バイアスフィールド（フェライト材料について）を用いて制御することができる。
１８）低い素子内結合およびより大きなバンド幅を備えるアレイのための小型アンテナの実現：プリントアンテナ素子のより小さな大きさは、よりいっそう少ない結合および向上した性能を備える高密度にパックされたアレイを可能にすることができる。
１９）調整可能アンテナおよびアレイ：外部磁気バイアスがプリントアンテナおよびアレイの動作周波数を調整するために使用することができる。
２０）ブロードバンドアンテナのための設計ツールとしてのマルチＴＲＬユニットセル：例示的実施形態において、複数伝送線路構造における波の伝搬は調整することができ、連続する共振はアンテナおよび整合網のためのブロードバンドまたはマルチバンド動作を実現するためにアライメントさせることができる。

本発明のいずれの実施形態も本発明の他の実施形態の選択的または好ましい特徴のいずれかを含むことができる。ここに開示された例示的実施形態は、網羅的であるように、または本発明の範囲を不要に限定するように意図されていない。例示的実施形態は当業者が本発明を実施できるように本発明の原理を解説するために選択され記載された。本発明の例示的実施形態を図示説明したが、当業者は、記載した発明に影響を及ぼすために多くの変更および修正が行い得ることを理解するであろう。それらの変更および修正の多くは同じ結果をもたらし請求された本発明の精神に該当するであろう。従って、請求の範囲によって示されるところによってのみ本発明を限定することがその意図である。

Claims (39)

1. ユニットセル構造体であって、
   前記ユニットセル構造体は、少なくとも１対の互いに近接している伝送線路を備えており、
   前記少なくとも１対の伝送線路は、結合区域と非結合区域とを有することによって、活性化した時に異方性材料におけるエネルギー伝搬をエミュレートするようになっていることを特徴とするユニットセル構造体。
2. 前記少なくとも１対の伝送線路は、活性化した時にデジェネレートバンドエッジ結晶におけるエネルギー伝搬をエミュレートするようになっている請求項１のユニットセル構造体。
3. 前記少なくとも１対の伝送線路は、活性化した時に磁性フォトニック結晶におけるエネルギー伝搬をエミュレートするようになっている請求項１のユニットセル構造体。
4. 前記少なくとも１対の伝送線路は、誘電基板に固定されている請求項１のユニットセル構造体。
5. 前記少なくとも１対の伝送線路は、強磁性材料から構成された基板に固定されている請求項１のユニットセル構造体。
6. 前記少なくとも１対の伝送線路は基板に固定されており、
   前記少なくとも１対の伝送線路は前記基板がバイアス磁界によって調整された時に磁性フォトニック材料のフローズンモードをエミュレートするようになっている請求項１のユニットセル構造体。
7. 前記ユニットセル構造体は、更に、モード制御を改善するのを助成するために前記少なくとも１対の伝送線路のうちの少なくとも１個に挿入された少なくとも１個の容量性成分を備える請求項１のユニットセル構造体。
8. 前記ユニットセル構造体は、更に、モード制御を改善するのを助成するために前記少なくとも１対の伝送線路のうちの少なくとも１個に挿入された少なくとも１個の誘導性成分をさらに備える請求項１のユニットセル構造体。
9. 前記ユニットセル構造体は、更に、モード制御を改善するのを助成するために前記少なくとも１対の伝送線路のうちの少なくとも１個に挿入された少なくとも１個の誘導性成分および少なくとも１個の容量性成分を備える請求項１のユニットセル構造体。
10. 前記少なくとも１対の伝送線路は、電気エネルギーによって活性化するようになっている請求項１のユニットセル構造体。
11. 前記少なくとも１対の伝送線路は、光エネルギーによって活性化するようになっている請求項１のユニットセル構造体。
12. 前記ユニットセル構造体は、前記少なくとも１対の伝送線路のうちの少なくとも３個から構成される請求項１のユニットセル構造体。
13. 前記少なくとも１対の伝送線路は、６次バンドエッジデジェネラシーをエミュレートするようになっている請求項１２のユニットセル構造体。
14. 前記少なくとも１対の伝送線路は、少なくとも３つのピークを有するバンドエッジを提供するようになっている請求項１２のユニットセル構造体。
15. 前記少なくとも１対の伝送線路は、相反停留変曲点を有するバンドエッジを付与するように適応されている、請求項１２のユニットセル構造体。
16. 前記相反停留変曲点は、前記少なくとも１対の伝送線路に強磁性基板を使用することなく実現されるようになっている請求項１５のユニットセル構造体。
17. 前記少なくとも１対の伝送線路は、強磁性材料から構成された基板に固定されている請求項１２のユニットセル構造体。
18. 前記少なくとも１対の伝送線路は、複数の周波数でフローズンモードを可能にする複数の停留変曲点を提供するようになっている請求項１２のユニットセル構造体。
19. 前記少なくとも１対の伝送線路は、遅い伝搬モードの周波数帯域幅の増大に伴い複数の停留変曲点を提供するようになっている請求項１２のユニットセル構造体。
20. 前記少なくとも１対の伝送線路は、改善されたモードの多様性のためにより高い程度の平坦さを複数の停留変曲点に提供するようになっている請求項１２のユニットセル構造体。
21. 前記少なくとも１対の伝送線路は、停留変曲点を同時に呈する種々の分散曲線を提供するようになっている請求項１２のユニットセル構造体。
22. 前記ユニットセル構造体は、アンテナ、アンテナアレイ、共振器、光変調器、フィルタ、アイソレータ、方向性カプラおよび、移相器および整合スタブのうちの１つ以上に使用されるようになっている請求項１のユニットセル構造体。
23. 構造体であって、
    前記構造体は、線形または円形状に配置されているとともに放射構造を形成するようになっている少なくとも２個のユニットセルを備えており、
    前記少なくとも２個のユニットセルの各々は、少なくとも１対の互いに近接している伝送線路を備えており、
    前記少なくとも１対の伝送線路は、結合区域と非結合区域とを有することによって、活性化した時に異方性材料におけるエネルギー伝搬をエミュレートするようになっていることを特徴とする構造体。
24. 前記構造体はアンテナである請求項２３の構造体。
25. 前記構造体は高品質共振器である請求項２３の構造体。
26. 前記構造体は光変調器である請求項２３の構造体。
27. 前記構造体はフィルタである請求項２３の構造体。
28. 前記構造体はアイソレータである請求項２３の構造体。
29. 前記構造体は方向性カプラである請求項２３の構造体。
30. 前記構造体は移相器である請求項２３の構造体。
31. 前記少なくとも２個のユニットセルの各々は、前記構造体がブロードバンドアンテナであるように前記少なくとも１対の伝送線路のうちの少なくとも３個から構成される請求項２３の構造体。
32. 前記少なくとも２個のユニットセルの各々は、前記少なくとも１対の伝送線路のうちの少なくとも３個から構成され、
    前記少なくとも２個のユニットセルは、線形状に構成配置されている請求項２３の構造体。
33. 異方性材料におけるエネルギー伝搬をエミュレートする方法であって、前記方法は、
    結合区域と非結合区域とが存在するように周期性を有する少なくとも１対の伝送線路を設けることと、
    異方性材料におけるエネルギー伝搬をエミュレートするために前記伝送線路を活性化させることと、
    を含むことを特徴とする方法。
34. 前記方法において、デジェネレートバンドエッジ結晶におけるエネルギー伝搬がエミュレートされる請求項３３の方法。
35. 前記方法において、磁性フォトニック結晶におけるエネルギー伝搬がエミュレートされる請求項３３の方法。
36. 前記方法は、更に、誘電基板を提供して、前記少なくとも１対の伝送線路が前記誘電基板に固定されるようにすることを含む請求項３３の方法。
37. 前記方法は、更に、
    基板を提供して、前記少なくとも１対の伝送線路が前記基板に固定されるようにすることと、
    磁性フォトニック材料のフローズンモードがエミュレートされるように、磁気バイアスフィールドにより前記基板を調整することと、
    含む請求項３３の方法。
38. 前記方法は、更に、モード制御を助成するために前記少なくとも１対の伝送線路のうちの少なくとも１個に少なくとも１個の誘導性成分および少なくとも１個の容量性成分を提供することを含む請求項３３の方法。
39. 前記方法は、更に、前記少なくとも１対の伝送線路にアンテナ給電体を容量結合することを含む請求項３３の方法。

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