JP2003179413A - Ｍｉｃカップラー - Google Patents
ＭｉｃカップラーInfo
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- JP2003179413A JP2003179413A JP2001375118A JP2001375118A JP2003179413A JP 2003179413 A JP2003179413 A JP 2003179413A JP 2001375118 A JP2001375118 A JP 2001375118A JP 2001375118 A JP2001375118 A JP 2001375118A JP 2003179413 A JP2003179413 A JP 2003179413A
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- Japan
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- coupler
- ferrite substrate
- mic
- ferrite
- electromagnet
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- Pending
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- Shielding Devices Or Components To Electric Or Magnetic Fields (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 従来のＭＩＣカップラーは、一旦製造すると
主導波路と副導波路の幅は固定となり端子Ｂからの出力
レベルが固定されるため、製造後に端子Ｂの出力レベル
を任意に変更することができなかった。 【解決手段】 フェライトを基板材料とするフェライト
基板１と、フェライト基板１の表面にλｇ／４の長さに
平行な主導波路３及び副導波路４のストリップラインが
プリントされたカップラーパターン２と、カップラーパ
ターン２に有する端子Ａ〜Ｄと、フェライト基板１に配
置された電磁石６とを備えており、この電磁石６に電流
を流すことで、フェライト基板に直流磁界が加わって電
子スピン現象が発生し、フェライト基板上にプリントさ
れたカップラーパターンの電磁界分布を変化させ、出力
端子Ｂの出力レベルを変更させるようになる。磁石をフ
ェライト基板の裏面に設置したが、カップラー
主導波路と副導波路の幅は固定となり端子Ｂからの出力
レベルが固定されるため、製造後に端子Ｂの出力レベル
を任意に変更することができなかった。 【解決手段】 フェライトを基板材料とするフェライト
基板１と、フェライト基板１の表面にλｇ／４の長さに
平行な主導波路３及び副導波路４のストリップラインが
プリントされたカップラーパターン２と、カップラーパ
ターン２に有する端子Ａ〜Ｄと、フェライト基板１に配
置された電磁石６とを備えており、この電磁石６に電流
を流すことで、フェライト基板に直流磁界が加わって電
子スピン現象が発生し、フェライト基板上にプリントさ
れたカップラーパターンの電磁界分布を変化させ、出力
端子Ｂの出力レベルを変更させるようになる。磁石をフ
ェライト基板の裏面に設置したが、カップラー
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、無線通信のマイク
ロ波帯で多く用いられるカップラーに関し、特にＭＩＣ
カップラーに関する。
ロ波帯で多く用いられるカップラーに関し、特にＭＩＣ
カップラーに関する。
【０００２】
【従来の技術】従来のＭＩＣカップラーとして、図２に
示すＭＩＣ側結合方向性結合型カップラーが知られてい
るが、これは誘電体基板７の表面に主導波路３と副導波
路４のマイクロストリップラインを使用周波数のλｇ／
４の長さに平行に組み合わせたカップラーパターン２を
設け、裏面をアース面５としている。
示すＭＩＣ側結合方向性結合型カップラーが知られてい
るが、これは誘電体基板７の表面に主導波路３と副導波
路４のマイクロストリップラインを使用周波数のλｇ／
４の長さに平行に組み合わせたカップラーパターン２を
設け、裏面をアース面５としている。
【０００３】このようなＭＩＣカップラーは、端子Ａか
ら入力されたＲＦ電力が端子Ｂから出力され、λｇ／４
の長さの隣接した副導波路４に電磁結合し、この結合し
たＲＦ電力は端子Ｃからも出力される。
ら入力されたＲＦ電力が端子Ｂから出力され、λｇ／４
の長さの隣接した副導波路４に電磁結合し、この結合し
たＲＦ電力は端子Ｃからも出力される。
【０００４】なお、端子Ｄはアイソレーション端子とし
て、端子Ｂからの反射がない限りＲＦ電力は出力されな
いため、一般的にはダミーを取り付けて使用する。
て、端子Ｂからの反射がない限りＲＦ電力は出力されな
いため、一般的にはダミーを取り付けて使用する。
【０００５】このようなＭＩＣカップラーは、出力端子
Ｂから出力される出力ＲＦ電力は、隣接した導波路まで
のλｇ／４の長さの幅により変化する。即ちこの幅が狭
くなればなるほど結合度が大きくなり、端子ＢからのＲ
Ｆ電力の出力は大きくなる。
Ｂから出力される出力ＲＦ電力は、隣接した導波路まで
のλｇ／４の長さの幅により変化する。即ちこの幅が狭
くなればなるほど結合度が大きくなり、端子ＢからのＲ
Ｆ電力の出力は大きくなる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかし、従来のＭＩＣ
カップラーは、一旦製造すると主導波路と副導波路の幅
は固定となり端子Ｂからの出力レベルが固定されるた
め、製造後に端子Ｂの出力レベルを任意に変更すること
ができなかった。
カップラーは、一旦製造すると主導波路と副導波路の幅
は固定となり端子Ｂからの出力レベルが固定されるた
め、製造後に端子Ｂの出力レベルを任意に変更すること
ができなかった。
【０００７】そこで本発明はかかる問題に鑑み、製造後
であっても出力である端子Ｂの出力レベルを任意に変更
可能なＭＩＣカップラーを発明することを目的とする。
であっても出力である端子Ｂの出力レベルを任意に変更
可能なＭＩＣカップラーを発明することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】そこで本発明は、フェラ
イトを基板材料とするフェライト基板と、該フェライト
基板に主導波路と副導波路のストリップラインがプリン
トされるカップラーパターンと、該フェライト基板に当
接又は近接して設置されると共に該フェライト基板に直
流磁界を加える電磁石とを有することとする。
イトを基板材料とするフェライト基板と、該フェライト
基板に主導波路と副導波路のストリップラインがプリン
トされるカップラーパターンと、該フェライト基板に当
接又は近接して設置されると共に該フェライト基板に直
流磁界を加える電磁石とを有することとする。
【０００９】この場合、前記電磁石は前記フェライト基
板の前記カップラーパターンに近接して設置されること
が望ましく、また、前記ＭＩＣカップラーはフェライト
基板の裏面にアース面を有し、前記電磁石は該アース面
に当接又は近接して設置されることが望ましい。
板の前記カップラーパターンに近接して設置されること
が望ましく、また、前記ＭＩＣカップラーはフェライト
基板の裏面にアース面を有し、前記電磁石は該アース面
に当接又は近接して設置されることが望ましい。
【００１０】
【発明の実施の形態】次に本発明の実施の形態について
図１を参照して説明する。
図１を参照して説明する。
【００１１】本発明のＭＩＣカップラーは、フェライト
を基板材料とするフェライト基板１と、フェライト基板
１の表面にλｇ／４の長さに平行な主導波路３及び副導
波路４のストリップラインがプリントされたカップラー
パターン２と、カップラーパターン２に有する端子Ａ〜
Ｄと、フェライト基板１の裏面に有するアース面５と、
フェライト基板１のアース面５側に配置された電磁石６
とを備えている。
を基板材料とするフェライト基板１と、フェライト基板
１の表面にλｇ／４の長さに平行な主導波路３及び副導
波路４のストリップラインがプリントされたカップラー
パターン２と、カップラーパターン２に有する端子Ａ〜
Ｄと、フェライト基板１の裏面に有するアース面５と、
フェライト基板１のアース面５側に配置された電磁石６
とを備えている。
【００１２】次に本発明のＭＩＣカップラーの動作につ
いて説明する。
いて説明する。
【００１３】通常時、つまり電磁石６に電流を流さない
状態では出力端子Ｂからの出力レベルは従来と同様に一
定となる。
状態では出力端子Ｂからの出力レベルは従来と同様に一
定となる。
【００１４】ここで、電磁石６電流を流すと、電磁石６
磁性を帯び、フェライト基板状に任意の直流磁界が加え
られることになる。
磁性を帯び、フェライト基板状に任意の直流磁界が加え
られることになる。
【００１５】フェライト基板は任意の直流磁界が加わる
と、電磁波に対し異方性媒質となり、電子スピン現象が
発生する性質を有している。この電子スピン現象はフェ
ライト基板上にプリントされたカップラーパターンの電
磁界分布を変化させ、ストリップラインのＲＦ電力の流
れに影響を及ぼし、出力端子Ｂの出力レベルを変更させ
るようになる。
と、電磁波に対し異方性媒質となり、電子スピン現象が
発生する性質を有している。この電子スピン現象はフェ
ライト基板上にプリントされたカップラーパターンの電
磁界分布を変化させ、ストリップラインのＲＦ電力の流
れに影響を及ぼし、出力端子Ｂの出力レベルを変更させ
るようになる。
【００１６】また、フェライト基板１に加えられる直流
磁界の強度に応じて電子スピン現象の作用強度が変化す
るため、電磁石６に流す電流の量で出力端子Ｂの出力レ
ベルを任意に変更することが可能となる。
磁界の強度に応じて電子スピン現象の作用強度が変化す
るため、電磁石６に流す電流の量で出力端子Ｂの出力レ
ベルを任意に変更することが可能となる。
【００１７】具体的には、例えば結合度を２０ｄＢで設
計したＭＩＣカップラーに、電磁石の直流を与えること
により、結合度を２０±３ｄＢの範囲で変更することが
可能となる。
計したＭＩＣカップラーに、電磁石の直流を与えること
により、結合度を２０±３ｄＢの範囲で変更することが
可能となる。
【００１８】なお、本実施例では電磁石をフェライト基
板の裏面に設置したが、カップラーパターンに接触しな
いようにすればフェライト基板の表面に設置しても同様
な作用効果を得ることが可能である。
板の裏面に設置したが、カップラーパターンに接触しな
いようにすればフェライト基板の表面に設置しても同様
な作用効果を得ることが可能である。
【００１９】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、Ｍ
ＩＣカップラーの基板をフェライト基板として電磁石を
配置する構造とし、この電磁石に流す電流の量を可変す
ること、つまりフェライト基板に加える直流磁界の強度
を可変することでＭＩＣカップラーから出力される出力
レベルを任意に可変することができる効果がある。
ＩＣカップラーの基板をフェライト基板として電磁石を
配置する構造とし、この電磁石に流す電流の量を可変す
ること、つまりフェライト基板に加える直流磁界の強度
を可変することでＭＩＣカップラーから出力される出力
レベルを任意に可変することができる効果がある。
【図１】本発明のＭＩＣカップラーの構成を示した図。
【図２】従来のＭＩＣカップラーの構成を示した図。
１ フェライト基板
２ ブランチラインパターン
３ 主導波路
４ 副導波路
５ アース面
６ 電磁石
Claims (3)
- 【請求項１】 フェライトを基板材料とするフェライト
基板と、該フェライト基板に主導波路と副導波路のスト
リップラインがプリントされるカップラーパターンと、
該フェライト基板に当接又は近接して設置されると共に
該フェライト基板に直流磁界を加える電磁石とを有する
ことを特徴とするＭＩＣカップラー。 - 【請求項２】 前記電磁石は前記フェライト基板の前記
カップラーパターンに近接して設置されることを特徴と
する請求項１記載のＭＩＣカップラー。 - 【請求項３】 前記ＭＩＣカップラーはフェライト基板
の裏面にアース面を有し、前記電磁石は該アース面に当
接又は近接して設置されることを特徴とする請求項１記
載のＭＩＣカップラー。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001375118A JP2003179413A (ja) | 2001-12-10 | 2001-12-10 | Ｍｉｃカップラー |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001375118A JP2003179413A (ja) | 2001-12-10 | 2001-12-10 | Ｍｉｃカップラー |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003179413A true JP2003179413A (ja) | 2003-06-27 |
Family
ID=19183543
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001375118A Pending JP2003179413A (ja) | 2001-12-10 | 2001-12-10 | Ｍｉｃカップラー |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003179413A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP2047556A2 (en) * | 2006-07-06 | 2009-04-15 | The Ohio State University Research Foundation | Emulation of anisotropic media in transmission line |
| RU2666969C1 (ru) * | 2017-12-12 | 2018-09-13 | Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова Российской академии наук | Нелинейный делитель мощности свч сигнала на спиновых волнах |
| RU2702916C1 (ru) * | 2019-05-07 | 2019-10-14 | Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова Российской академии наук | Устройство на магнитостатических волнах для пространственного разделения свч-сигналов разного уровня мощности |
| RU2717257C1 (ru) * | 2019-06-28 | 2020-03-19 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Саратовский национальный исследовательский государственный университет имени Н.Г. Чернышевского" | Направленный 3d ответвитель на магнитостатических волнах |
-
2001
- 2001-12-10 JP JP2001375118A patent/JP2003179413A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP2047556A2 (en) * | 2006-07-06 | 2009-04-15 | The Ohio State University Research Foundation | Emulation of anisotropic media in transmission line |
| EP2047556A4 (en) * | 2006-07-06 | 2009-11-18 | Univ Ohio State Res Found | EMULATION ANISOTROPER MEDIA IN A TRANSMISSION MANAGEMENT |
| US8384493B2 (en) | 2006-07-06 | 2013-02-26 | The Ohio State University Research Foundation | Emulation of anisotropic media in transmission line |
| RU2666969C1 (ru) * | 2017-12-12 | 2018-09-13 | Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова Российской академии наук | Нелинейный делитель мощности свч сигнала на спиновых волнах |
| RU2702916C1 (ru) * | 2019-05-07 | 2019-10-14 | Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова Российской академии наук | Устройство на магнитостатических волнах для пространственного разделения свч-сигналов разного уровня мощности |
| RU2717257C1 (ru) * | 2019-06-28 | 2020-03-19 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Саратовский национальный исследовательский государственный университет имени Н.Г. Чернышевского" | Направленный 3d ответвитель на магнитостатических волнах |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
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Effective date: 20041117 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 |
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| RD01 | Notification of change of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7421 Effective date: 20050329 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Effective date: 20060201 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20060704 |
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| A02 | Decision of refusal |
Effective date: 20061031 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 |