JP2009536354A5 - - Google Patents

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Claims (23)

  1. 反射率データを得るシステムを校正する方法に於いて、該方法が
    第1校正サンプルから反射率データを得る過程と、
    第2校正サンプルから反射率データを得る過程と、を具備しており、該第1及び第2
    校正サンプルの少なくとも1つの正確な特性は該校正サンプルの仮定された特性から変わってもよく、該第1及び第2校正サンプルの反射特性は異なり、そして該方法は又
    該システムを校正するのに役立つために、該第1校正サンプルから得られたデータと、該第2校正サンプルから得られたデータと、に基づく比を利用する過程を具備することを特徴とする該方法。
  2. 第1セットの反射率データは該第1校正サンプルから収集され、該第1校正サンプルは校正が望まれる第1波長領域で校正誤差関数を有しており、第2セットの反射率データは該第2校正サンプルから収集され、該第2校正サンプルは該第1波長領域で標準サンプルに比較してより少ないスペクトル的特徴を有することを特徴とする請求項1の該方法。
  3. 該第1校正サンプルが該第2校正サンプル上のより薄い酸化物に比較してより厚い酸化物を有することを特徴とする請求項2の該方法。
  4. 該第1校正サンプルがSiO2/Si構造体を有し、第2校正サンプルがSiO2/Si構造体を有することを特徴とする請求項3の該方法。
  5. 該第2校正サンプル上の該より薄い酸化物が自然酸化物膜であることを特徴とする請求項4の該方法。
  6. 該第1校正サンプルからの該反射率データが該第2校正サンプルからの該反射率データから分離されることを特徴とする請求項1の該方法。
  7. 該第1校正サンプルが該第2校正サンプル上のより薄い酸化物に比較してより厚い酸化物を有することを特徴とする請求項6の該方法。
  8. 該第2校正サンプル上の該薄い酸化物が自然酸化物であることを特徴とする請求項6の該方法。
  9. 該第1校正サンプルがSiO2/Si構造体を有し、該第2校正サンプルがSiO2/Si構造体を有することを特徴とする請求項8の該方法。
  10. 該第1校正サンプルが該第2校正サンプル上のより薄い酸化物に比べてより厚い酸化物を有することを特徴とする請求項1の該方法。
  11. 該第1校正サンプルがSiO2/Si構造体を有し、該第2校正サンプルがSiO2/Si構造体を有することを特徴とする請求項10の該方法。
  12. 該第2校正サンプルがスペクトル的に無特色な基準サンプルであることを特徴とする請求項10の該方法。
  13. 該第1及び第2校正サンプルの反射率特性は、該第1及び第2校正サンプルの少なくとも1つの現実の物理的特性が、該第1及び第2校正サンプルの該得られた反射率輝度データに基づき計算されるよう、相互から分離されることを特徴とする請求項10の該方法。
  14. 該利用する過程が更に
    校正ルーチンを、該第1校正サンプルからの第1セットの反射率データを利用するよう、そして該第1セットの反射率データに少なくとも部分的に基づき該システムの第1校正を提供するよう、構成する過程と、そして
    該校正ルーチンを、該第2校正サンプルからの第2セットの反射率データを利用するよう構成する過程と、を備えており、該第2セットの反射率データが該第1セットの反射率データより少ない特徴を有することを特徴とする請求項1の該方法。
  15. 該第1校正サンプルから得られるデータが輝度データであり、該第2校正サンプルから得られるデータが輝度データであることを特徴とする請求項1の該方法。
  16. 反射率比が該第1及び第2校正サンプルの該輝度データから得られることを特徴とする請求項15の該方法。
  17. ソース輝度プロファイルが該反射率比の使用を通して得られ、未知サンプルの反射率が該ソース輝度プロファイルの使用により校正されることを特徴とする請求項16の該方法。
  18. 反射率計を校正する方法に於いて、該方法が
    第1校正サンプル及び第2校正サンプルを提供する過程を具備しており、該第1校正サンプル及び該第2校正サンプルの反射率特性は異なっており、該方法は又
    該第1校正サンプルから第1セットのデータを収集する過程と、
    該第2校正サンプルから第2セットのデータを収集する過程と、そして
    未知サンプルからの反射率データが校正されるよう、該第1及び第2校正サンプルの少なくとも1つの特性を決めるために、該第1セットのデータの少なくとも1部分と該第2セットのデータの少なくとも1部分の比を利用する過程と、を具備することを特徴とする該方法。
  19. 深紫外(DUV)波長の下の少なくとも幾らかの波長を含む波長で動作する反射率計を校正する方法に於いて、該方法が
    第1校正サンプル及び第2校正サンプルを提供する過程を具備しており、該第1校正サンプルと第2校正サンプルの反射率特性は異なっており、該方法は又
    第1校正サンプルからの第1セットのデータを収集する過程を具備しており、該第1セットのデータは、DUV波長の下の波長について収集された少なくとも幾らかの輝度データを有しており、該方法は更に
    第2校正サンプルからの第2セットのデータを収集する過程を具備しており、該第2セットのデータは、DUV波長の下の波長について収集された少なくとも幾らかの輝度データを有しており、そして該方法は又更に
    少なくとも幾らかのDUV波長を含む波長で、該反射率計の校正に役立つよう、該第1校正サンプル及び該第2校正サンプルの少なくとも1つの反射率を決定するために、該第1セットのデータと該第2セットのデータに基づく比を利用する過程を具備することを特徴とする該方法。
  20. 反射率計データを解析する方法に於いて、該方法が
    第1反射率計サンプルと少なくとも第2反射率計サンプルとを提供する過程を具備しており、該第1校正サンプル及び該第2校正サンプルの光学的応答特性が異なっており、該方法が又
    該第1反射率計サンプルから第1セットの光学的応答データを収集する過程と、
    該第2反射率計サンプルから第2セットの光学的応答データを収集する過程と、そして
    該第1及び第2セットの光学的応答データを収集する時利用された入射反射率計輝度から独立した仕方で該第1セット及び第2セットの光学的応答データを利用することにより該第1及び第2反射率計サンプルの少なくとも1つの、少なくとも1つの特性を決定する過程と、を具備することを特徴とする該方法。
  21. 反射率計を校正する方法に於いて、該方法が
    2つ以上の校正サンプルを提供する過程を具備しており、該校正サンプルの反射率特性が相互に異なり、該方法が又
    該校正サンプルの各々から1セットの測定データを収集する過程と、そして
    該校正サンプルの少なくとも1つの特性を、未知サンプルからの反射率データが校正されるよう、決定するために、ソース輝度、I0から独立の、該測定されたデータの組み合わせを利用する過程と、を具備することを特徴とする該方法。
  22. 深紫外(DUV)波長の下の少なくとも幾らかの波長を含む波長で動作する反射率計を校正する方法に於いて、該方法が、
    複数の校正サンプルを提供する過程を具備しており、少なくとも幾つかの該校正サンプルの該反射率特性は異なっており、該方法は又
    DUV波長の下の波長について収集された少なくとも幾つかの輝度データを有する該校正サンプルからのデータセットを収集する過程と、そして
    DUV波長の下の少なくとも幾らかの波長を含む波長で該反射率計の校正に役立つよう、該校正サンプルの少なくとも1つの反射率を決定するために、ソース輝度I0から独立の該データセットの組み合わせを利用する過程と、を具備することを特徴とする該方法。
  23. 反射率計データを解析する方法に於いて、該方法が
    3つ以上の反射率計サンプルを提供する過程を具備しており、該反射率計サンプルの光学的応答特性は相互に別個であり、該方法は又
    該反射率計サンプルの各々から光学的応答データを収集する過程と、そして
    該光学的応答データのセットを収集時利用される入射反射率計輝度から独立の仕方で、該光学的応答データの該セットを利用することにより、該反射率計サンプルの少なくとも1つの、少なくとも1つの特性を決定する過程と、具備することを特徴とする該方法。
JP2009509605A 2006-05-05 2007-04-25 比反射率測定法を用いて反射率計を精密に校正する方法と装置 Pending JP2009536354A (ja)

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Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8564780B2 (en) 2003-01-16 2013-10-22 Jordan Valley Semiconductors Ltd. Method and system for using reflectometry below deep ultra-violet (DUV) wavelengths for measuring properties of diffracting or scattering structures on substrate work pieces
US7126131B2 (en) 2003-01-16 2006-10-24 Metrosol, Inc. Broad band referencing reflectometer
US7804059B2 (en) 2004-08-11 2010-09-28 Jordan Valley Semiconductors Ltd. Method and apparatus for accurate calibration of VUV reflectometer
US7663097B2 (en) * 2004-08-11 2010-02-16 Metrosol, Inc. Method and apparatus for accurate calibration of a reflectometer by using a relative reflectance measurement
US7511265B2 (en) * 2004-08-11 2009-03-31 Metrosol, Inc. Method and apparatus for accurate calibration of a reflectometer by using a relative reflectance measurement
US20080129986A1 (en) 2006-11-30 2008-06-05 Phillip Walsh Method and apparatus for optically measuring periodic structures using orthogonal azimuthal sample orientations
US8867041B2 (en) 2011-01-18 2014-10-21 Jordan Valley Semiconductor Ltd Optical vacuum ultra-violet wavelength nanoimprint metrology
US8565379B2 (en) 2011-03-14 2013-10-22 Jordan Valley Semiconductors Ltd. Combining X-ray and VUV analysis of thin film layers
GB2533589A (en) * 2014-12-22 2016-06-29 Ndc Infrared Eng Ltd Measurement of porous film
JP2022147223A (ja) * 2021-03-23 2022-10-06 大塚電子株式会社 光学測定システム、光学測定方法および測定プログラム

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3751643A (en) * 1972-05-23 1973-08-07 Ibm System for performing spectral analyses under computer control
US4029419A (en) * 1975-10-10 1977-06-14 International Business Machines Corporation Textile color analyzer calibration
JPH0521566A (ja) * 1991-07-12 1993-01-29 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 半導体結晶におけるイオン注入量測定方法
US5408322A (en) * 1993-04-26 1995-04-18 Materials Research Corporation Self aligning in-situ ellipsometer and method of using for process monitoring
JP2001165628A (ja) * 1999-12-13 2001-06-22 Sharp Corp 膜厚測定装置
US6525829B1 (en) * 2001-05-25 2003-02-25 Novellus Systems, Inc. Method and apparatus for in-situ measurement of thickness of copper oxide film using optical reflectivity
US7126131B2 (en) * 2003-01-16 2006-10-24 Metrosol, Inc. Broad band referencing reflectometer

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