JP2009516889A - レガシーホストのための方法およびメモリシステム - Google Patents
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Abstract
Description
図1は、レガシーメモリデバイスとともに動作するように本来設計されたレガシーホストを概略的に示す。レガシーホスト10はコネクタ20を有し、このコネクタがレガシーメモリデバイス30の相補形コネクタ20’と嵌合すると、レガシーホスト10からレガシーメモリデバイス30にかけて1セットのデータおよび制御線21がつながる。
また、図1は、本発明の好適な実施形態に従い、レガシーホストとともに動作するように適応する非レガシーメモリデバイスを示す。非レガシーメモリデバイス100はメモリアレイ110を含み、このメモリアレイは通常、単位記憶当たりの低コストと大容量を提供する後続世代のメモリ技術によって製造される。好適な実施形態において、多状態メモリセルからメモリアレイ110が構成され、そのメモリセルは1ビットより多くのデータを個別に格納する。
本発明の一態様によると、非レガシーメモリデバイスは、非レガシーメモリデバイスの誤り訂正とは異なるレガシーメモリデバイスの誤り訂正を処理するように本来設計されたレガシーホストとともに動作するように適応する。これは、非レガシーメモリデバイスに適したECC(誤り訂正符号)を処理し、次にレガシーECCを計算し、ホストに提示するためのメモリコントローラを非レガシーメモリデバイスとともに提供することにより達成される。かくして、ホストに変更を施さずとも非レガシーメモリデバイスの誤り訂正は処理される。
単一ビット記憶とマルチビット記憶の違いのほかに、非レガシーメモリデバイスは通常、性能を高めるためにより大きい消去可能なブロックサイズを持つ。レガシーメモリデバイス向けに本来設計されたホストに非レガシーメモリデバイスを適合させる場合、ホストにとって、これが、レガシーメモリデバイスと同様のアーキテクチャとアドレス方式を持つものとして映らなければならない。
本発明のもうひとつの態様によると、レガシーホストがセクタのヘッダで更新することを期待するステータス情報は、非レガシーメモリデバイスのコントローラによって格納されるテーブルの中で代わりに保守され、更新される。かくして、非レガシーメモリデバイスが後述する部分上書きを支援しない場合でも、レガシーホストとの適合性は保たれる。
Claims (16)
- 第1のセットのメモリおよび通信特性を有するメモリデバイスを、前記第1のセットとは異なる第2のセットのメモリおよび通信特性を有するレガシーメモリデバイスとともに動作するように本来設計されたホストとともに動作するように適応させる方法であって、
前記メモリデバイスと前記ホストとの間にインターフェイス回路を設けるステップと、
前記第1のセットのメモリおよび通信特性を有する前記メモリデバイスを、前記第2のセットのメモリおよび通信特性とともに動作する前記ホストに連係するステップと、を備え、
前記連係するステップは、前記第1および第2のセットのメモリおよび通信特性間に存在する少なくとも1つの差異を解決し、前記少なくとも1つの差異は、基本的には誤り訂正符号、メモリブロックサイズ、各メモリセルに格納されるビット数、およびステータス情報からなるグループから選択される方法。 - 請求項1記載の方法において、
前記メモリデバイスはマルチビットメモリセルを備え、前記レガシーメモリデバイスは、単一ビットメモリセルを有する前記レガシーメモリデバイスを動作させるように設計される方法。 - 請求項1記載の方法において、
前記少なくとも1つの差異は、前記第1のセットの動作特性の中でメモリ動作状態を指示するステータスビットを含み、
前記連係するステップは、
前記メモリデバイスに格納されたディレクトリを保守するステップと、
前記メモリ動作状態の有無に応じて前記ステータスビットの値を前記ディレクトリに格納するステップと、をさらに備える方法。 - 請求項1記載の方法において、
前記少なくとも1つの差異は消去可能なメモリブロックサイズを含み、前記メモリデバイスのメモリブロックサイズは、前記ホストが本来動作するように設計された、前記レガシーメモリデバイスに適合するメモリブロックサイズとは異なり、
前記連係するステップは、前記メモリデバイスのメモリブロックと前記レガシーメモリデバイスに適合するメモリブロックとをマッピングする方法。 - 請求項4記載の方法において、
前記メモリデバイスのメモリブロックサイズは、前記レガシーメモリデバイスに適合するメモリブロックサイズより大きいメモリデバイス。 - 請求項1記載の方法において、
前記メモリデバイスと前記ホストとを連係するステップは、非同期である方法。 - 第1のメモリシステムとともに動作するように設計されたホストを有するシステムであって、前記ホストは前記第1のメモリシステムから引き出されたデータの誤りを第1の誤り訂正符号(ECC)により訂正し、第2のECCを使用する第2のメモリシステムとともに前記ホストを動作させる方法であって、
前記第2のメモリシステムに第2のECC計算モジュールを設けるステップと、
前記第2のメモリシステムから引き出されたデータのため、前記第2のECC計算モジュールを用いて前記第2のECCを処理するステップと、
第2のECCによって処理された前記データを用いて前記第1のECCを計算するステップと、
前記データを前記第1のECCとともに前記ホストへ提示するステップと、
を備える方法。 - 請求項7記載の方法において、
前記第2のメモリシステムはマルチビットメモリセルを備え、前記第1のメモリシステムは単一ビットメモリセルを備える方法。 - メモリデバイスであって、
第1のセットのメモリおよび通信特性を備える少なくとも1つのメモリチップと、
レガシーホストへ結合するためのコネクタと、
前記レガシーホストは、第2のセットのメモリおよび通信特性を有するレガシーメモリデバイスとともに動作するように設計されているが、前記少なくとも1つのメモリチップと直接的に動作するようには設計されておらず、
前記レガシーホストが前記コネクタへ結合されているときに前記メモリデバイスが前記レガシーメモリを模倣することを可能にするため、前記コネクタと前記少なくとも1つのメモリチップとの間に結合されるインターフェイス回路と、を備え、
前記インターフェイス回路は、前記第1および第2のセットのメモリおよび通信特性間に存在する少なくとも1つの差異を解決し、前記少なくとも1つの差異は、基本的には誤り訂正符号、メモリブロックサイズ、各メモリセルに格納されるビット数、およびステータス情報からなるグループから選択されるメモリデバイス。 - 請求項9記載のメモリデバイスにおいて、
前記メモリデバイスはマルチビットメモリセルを備え、前記レガシーホストは単一ビットメモリセルを有する前記レガシーメモリデバイスを動作させるように設計されるメモリデバイス。 - 請求項9記載のメモリデバイスにおいて、
前記少なくとも1つの差異は、前記第2のセットの動作特性の中で誤り訂正符号(ECC)を含み、
前記インターフェイス回路は、前記ECCを処理するECC計算モジュールを含むメモリデバイス。 - 請求項9記載のメモリデバイスにおいて、
前記少なくとも1つの差異は、前記第1のセットの動作特性の中でメモリ動作状態を指示するステータスビットを含み、
前記インターフェイス回路は、
前記少なくとも1つのメモリチップに格納されるディレクトリと、
前記メモリ動作状態の有無に応じて前記ステータスビットの一状態または代替の状態を前記ディレクトリに格納する回路と、を含むメモリデバイス。 - 請求項9記載のメモリデバイスにおいて、
前記少なくとも1つの差異はメモリブロックサイズを含み、前記メモリデバイスは前記レガシーメモリデバイスのメモリブロックサイズより大きいメモリブロックサイズを有するメモリデバイス。 - 請求項9記載のメモリデバイスにおいて、
前記少なくとも1つの差異は各メモリセルに格納されるビット数を含み、前記メモリデバイスは、前記レガシーホストが本来動作するように設計された、前記レガシーメモリデバイスより多くのビットを各メモリセルにつき格納するメモリデバイス。 - 請求項9記載のメモリデバイスにおいて、
前記インターフェイス回路は、
前記ホストと連係する非同期ホストインターフェイス装置と、
前記少なくとも1つのメモリチップと連係する非同期メモリチップインターフェイス装置と、
前記非同期ホストインターフェイス装置と前記非同期メモリチップインターフェイス装置とを制御する制御装置と、
をさらに備えるメモリデバイス。 - 請求項15記載のメモリデバイスにおいて、
前記インターフェイス回路は、
前記第1および第2のセットのメモリおよび通信特性間に存在する差異を解決するために前記制御装置によって実行される1セットのコードをさらに備えるメモリデバイス。
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