JP2009513003A - LED with translucent heat sink - Google Patents

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Abstract

より高効率またはより高輝度のLEDアセンブリは、第1の表面と第2の表面とを有する高出力LEDチップによって構成され、このLEDチップの第1の表面は基板に取り付けられ、第2の表面は透光性のヒートシンクと密に熱コンタクトされており、該透光性のヒートシンクは30W/m・Kを上回る熱伝導度を有する。そうでない場合はLEDは、LEDチップにエネルギー供給するための少なくとも1つの電気的接続部と第2の電気的接続部とに電気的にコンタクトされている。透光性ヒートシンクを設けることにより、LEDダイからの熱伝導を2倍にし、寿命を増大するか、または効率を増大するか、または輝度を増大するか、またはこれら3つの均衡状態を上昇することができる。  A more efficient or brighter LED assembly is constituted by a high power LED chip having a first surface and a second surface, the first surface of the LED chip being attached to a substrate, the second surface Is in intimate thermal contact with a light transmissive heat sink, which has a thermal conductivity greater than 30 W / m · K. Otherwise, the LED is in electrical contact with at least one electrical connection and a second electrical connection for supplying energy to the LED chip. Providing a translucent heat sink doubles heat transfer from the LED die, increases lifetime, increases efficiency, increases brightness, or raises these three balances Can do.

Description

関連出願に対する相互参照
本出願人はこれをもって、2005年10月7日に発明の名称「透光性のヒートシンクを有するLED」で提出された第60/725107号の仮出願の権利を請求する。
Cross Reference to Related Applications Applicant hereby claims the provisional application of 60/725107 filed on Oct. 7, 2005 under the title "LED with translucent heat sink".

発明の背景
技術分野
本発明はLED固体光源に関し、とりわけLEDに関する。より詳細には本発明は、透光性のヒートシンクを有するLEDに関する。
The present invention relates to LED solid state light sources, and more particularly to LEDs. More particularly, the present invention relates to an LED having a translucent heat sink.

37 CFR 1.97 および 1.98 に基づいて開示された情報を含む関連分野の説明
発光ダイオード(LED)は、電流が該デバイスに印加された場合に光を生成する。しかし、デバイスに入力された電力のすべてが光に変換されるわけではない。エネルギーの大部分は熱として発生される。半導体材料が加熱されると、大抵の電子デバイスと同様にLED性能は劣化される。このことは光出力(光束)の低減と、色シフトと、デバイス寿命の低減との原因となる。したがって動作中に、パッケージからの光出力を有意に低減することなく、LEDチップからの熱を効率的に除去する必要がある。
Description of Related Fields including Information Disclosed under 37 CFR 1.97 and 1.98 Light Emitting Diodes (LEDs) generate light when current is applied to the device. However, not all of the power input to the device is converted to light. Most of the energy is generated as heat. When the semiconductor material is heated, the LED performance is degraded as in most electronic devices. This causes a reduction in light output (light flux), color shift, and reduction in device life. Therefore, it is necessary to efficiently remove heat from the LED chip during operation without significantly reducing the light output from the package.

発光しない大抵の通常の電子回路パッケージでは、アクティブな半導体チップは、たとえば銅等の高い熱伝導度を有する材料から成る2つの導電プレート間に配置される。これらのプレートは熱拡散器として使用され、チップの頂部表面および底部表面からの熱を効率的に除去する。半導体チップによって生成された熱エネルギーはさらに、電気的プレートに取り付けられたヒートシンクによって散逸され、チップとシステムとから輸送される。パワーエレクトロニクス用の半導体チップとは異なり、LEDは光を生成し、この光をパッケージから抽出しなければならない。銅または別の金属のヒートシンク等の不透明な材料は、LEDの発光面をブロックする。したがって、LEDパッケージは典型的には、チップの1つの面からしか熱を抽出することができないので、熱散逸のために有効な表面積の半分が消失してしまう。   In most normal electronic circuit packages that do not emit light, the active semiconductor chip is placed between two conductive plates made of a material having a high thermal conductivity, such as copper. These plates are used as heat spreaders to efficiently remove heat from the top and bottom surfaces of the chip. The thermal energy generated by the semiconductor chip is further dissipated by a heat sink attached to the electrical plate and transported from the chip and the system. Unlike semiconductor chips for power electronics, LEDs generate light and this light must be extracted from the package. An opaque material such as copper or another metal heat sink blocks the light emitting surface of the LED. Thus, LED packages typically can extract heat only from one side of the chip, thus losing half of the effective surface area due to heat dissipation.

本発明は、熱伝導性の透光性材料を使用することにより、放出光をブロックすることなく、LEDのすべての面で熱散逸を可能にする。熱伝導性レンズの利点には、以下の点が含まれる:
(1)LEDの動作温度が低減され、LEDの効率が上昇し、波長シフトが小さいことによって色が安定化し、寿命が長くなること。
(2)熱散逸が増加することによってLEDをより高い電流かつより高い入力電力で駆動でき、LEDダイを過熱することなくより多くの光束が得られること。
(3)LEDダイの非常に近くにさらに多くの熱生成デバイスを追加できること。このLEDダイには、他のLEDダイと、たとえば抵抗器、コンデンサおよびトランス等の組み込み電子部品とが含まれる。
The present invention allows for heat dissipation on all sides of the LED without blocking emitted light by using a thermally conductive translucent material. Advantages of thermally conductive lenses include the following:
(1) The operating temperature of the LED is reduced, the efficiency of the LED is increased, and the color is stabilized and the lifetime is extended due to the small wavelength shift.
(2) The LED can be driven with higher current and higher input power by increasing heat dissipation, and more light flux can be obtained without overheating the LED die.
(3) More heat generating devices can be added very close to the LED die. This LED die includes other LED dies and embedded electronic components such as resistors, capacitors and transformers.

熱伝導性レンズを使用することは、発光ダイオード(LED)、紫外光(UV)発光LEDおよび赤外光(IR)発光LEDに当てはまる。本発明はさらに、レーザダイオードにも使用することができ、また、動作のために安定的な温度を必要とする別の光生成デバイスにも使用することができる。   The use of thermally conductive lenses applies to light emitting diodes (LEDs), ultraviolet (UV) light emitting LEDs and infrared light (IR) light emitting LEDs. The present invention can also be used for laser diodes and for other light generating devices that require a stable temperature for operation.

発明の概要
放熱が改善されたLEDアセンブリは、第1の表面と第2の表面とを有する高出力LEDチップによって構成される。このLEDチップの第1の表面は基板に取り付けられ、第2の表面は透光性のヒートシンクと密に熱コンタクトされており、該透光性のヒートシンクは30W/m・Kを上回る熱伝導度を有する。そうでない場合はLEDは、LEDチップにエネルギー供給するための少なくとも1つの電気的接続部と第2の電気的接続部とに電気的にコンタクトされている。
SUMMARY OF THE INVENTION An LED assembly with improved heat dissipation is comprised of a high power LED chip having a first surface and a second surface. The first surface of the LED chip is attached to the substrate, and the second surface is in intimate thermal contact with a translucent heat sink, which has a thermal conductivity greater than 30 W / m · K. Have Otherwise, the LED is in electrical contact with at least one electrical connection and a second electrical connection for supplying energy to the LED chip.

図面の簡単な説明
図1 透光性のヒートシンクを有するLEDアセンブリの概略的な断面図である。
図2 透光性のヒートシンクを有する択一的なLEDアセンブリの概略的な断面図である。
図3 択一的な透光性のヒートシンクの概略的な断面図である。
図4 透光性のヒートシンクを有する択一的なLEDアセンブリの概略的な断面図である。
図5 成形された屈折性レンズを有する透光性のヒートシンクの概略的な断面図である。
図6 たとえばテーパ付きプリズム等である成形された導光体を有する透光性のヒートシンクの概略的な断面図である。
図7 屈折性レンズの特徴のグリッドを有する透光性のヒートシンクの概略図である。
図8 導光体の特徴のグリッドを有する透光性のヒートシンクの概略図である。
図9 基板と結合するために拡張された壁を有する透光性のヒートシンクの概略図である。
BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS FIG. 1 is a schematic cross-sectional view of an LED assembly having a light transmissive heat sink.
FIG. 2 is a schematic cross-sectional view of an alternative LED assembly having a light transmissive heat sink.
FIG. 3 is a schematic cross-sectional view of an alternative translucent heat sink.
FIG. 4 is a schematic cross-sectional view of an alternative LED assembly having a light transmissive heat sink.
FIG. 5 is a schematic cross-sectional view of a translucent heat sink having a molded refractive lens.
FIG. 6 is a schematic cross-sectional view of a translucent heat sink having a molded light guide such as a tapered prism.
FIG. 7 is a schematic view of a translucent heat sink with a grid of refractive lens features.
FIG. 8 is a schematic view of a translucent heat sink having a grid of light guide features.
FIG. 9 is a schematic view of a light transmissive heat sink having walls that are extended to bond with a substrate.

発明の詳細な説明
図1は、透光性のヒートシンク12を有するLEDアセンブリ10の概略的な断面図である。LEDアセンブリ10は高出力LEDチップ14を有し、これは第1の表面16と第2の表面18とを有する。第1の表面16は基板20に取り付けられている。第2の表面18は、透光性のヒートシンク12と密に熱コンタクトされている。透光性のヒートシンク12は、30W/m・Kを上回る熱伝導度を有する。そうでない場合はLEDチップ14は、LEDチップ14にエネルギー供給するための少なくとも1つの電気的接続部22と第2の電気的接続部24とに電気的にコンタクトされている。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION FIG. 1 is a schematic cross-sectional view of an LED assembly 10 having a light transmissive heat sink 12. The LED assembly 10 includes a high power LED chip 14 that has a first surface 16 and a second surface 18. The first surface 16 is attached to the substrate 20. The second surface 18 is in intimate thermal contact with the translucent heat sink 12. The translucent heat sink 12 has a thermal conductivity exceeding 30 W / m · K. Otherwise, the LED chip 14 is in electrical contact with at least one electrical connection 22 and a second electrical connection 24 for supplying energy to the LED chip 14.

LEDチップ14は任意の高出力LEDチップ14とすることができる。ここで使用されているような高出力LEDチップ14とは、1W/mm以上の出力密度を有するLEDチップを意味する。ここで使用されているような「LEDチップ」という概念は、このような出力密度の要件を満たすように単一のダイから形成することができ、また、密接にグループ化された複数のダイから形成することもできることを理解されたい。したがって、ここで使用されている単数形の「LEDチップ」は、全体でアレイ面積の1mmあたり1W以上を提供するように集中された個別のLEDチップのアレイを含むことを意味する。また「LEDチップ」という用語は、コーティングされていないダイと、蛍光体コーティングされたダイと双方を含むことを意味することも理解されたい。この蛍光体コーティングは、LEDダイとの電気的結合に干渉しない。ダイと透光性のヒートシンクとの間に挟まれた蛍光体によるチップレベルの光変換は、放熱プロセスが発生した場合に完全に行われる。有利なLEDチップ14は、薄膜表面放出源である。たとえば、青色光または緑色光のための窒化ガリウム薄膜表面放出源、または白色光を得るために適切な蛍光体と組み合わされた窒化ガリウム薄膜表面放出源が有利である。赤外光には砒化ガリウムが有利であり、赤色光および黄色光にはリン化ガリウムが有利である。LEDチップ14から放出される光は、赤外光、可視光または紫外光とすることができる。 The LED chip 14 can be any high power LED chip 14. The high power LED chip 14 as used herein means an LED chip having a power density of 1 W / mm 2 or more. The concept of “LED chip” as used herein can be formed from a single die to meet such power density requirements and from multiple closely-grouped dies. It should be understood that it can also be formed. Thus, as used herein, the singular “LED chip” is meant to include an array of individual LED chips that are concentrated to provide 1 W or more per 1 mm 2 of array area as a whole. It should also be understood that the term “LED chip” is meant to include both uncoated dies and phosphor-coated dies. This phosphor coating does not interfere with the electrical coupling with the LED die. Chip level light conversion by the phosphor sandwiched between the die and the light transmissive heat sink is completely performed when a heat dissipation process occurs. An advantageous LED chip 14 is a thin film surface emitting source. For example, a gallium nitride thin film surface emitter for blue or green light or a gallium nitride thin film surface emitter combined with a suitable phosphor to obtain white light is advantageous. Gallium arsenide is advantageous for infrared light, and gallium phosphide is advantageous for red light and yellow light. The light emitted from the LED chip 14 can be infrared light, visible light or ultraviolet light.

LEDチップ14は、基板20に取り付けられた第1の表面16を有する。基板20は、通常使用される基板のうち任意の基板とすることができ、これには、プリント回路基板、金属コア回路ボード、セラミック基板、銅基板またはアルミニウム基板等が含まれるが、これらに限定されない。LEDチップ14は、適切な結合材料によって基板20に取り付けることができる(図示されていない)。LEDチップを基板に取り付けるためには、はんだおよび高温接着剤およびエポキシが知られている。   The LED chip 14 has a first surface 16 attached to the substrate 20. The substrate 20 can be any of the commonly used substrates, including but not limited to a printed circuit board, a metal core circuit board, a ceramic substrate, a copper substrate or an aluminum substrate. Not. The LED chip 14 can be attached to the substrate 20 by a suitable bonding material (not shown). Solder and high temperature adhesives and epoxies are known for attaching LED chips to substrates.

基板20はまた、LEDチップ14に電力を供給するための1つまたは複数の電気的コンタクト(22,24)も支持する。場合によっては、1つまたは複数の電気的トレースから電力を受け取るために、基板20に1つまたは複数の電気的トレースを形成してLEDチップ14を取り付けることも普通である。支持基板は通常は、LEDチップ14を駆動するために電力を供給し、場合によっては制御するために、たとえば導電トレース線路、取り付けパッド、別の電気回路構成要素等の電気的接続部を含む。図1は、第1の表面16を介して基板20上の2つのトレース線路(22,24)を使用して電力を受け取るために基板20に取り付けられたフリップチップとして知られているものを示す。ここでは、第2の表面18から光が放出される。   The substrate 20 also supports one or more electrical contacts (22, 24) for supplying power to the LED chip. In some cases, it is also common to form the one or more electrical traces on the substrate 20 and attach the LED chip 14 to receive power from the one or more electrical traces. The support substrate typically includes electrical connections such as, for example, conductive trace lines, mounting pads, other electrical circuit components, etc., for supplying power and possibly controlling the LED chip 14. FIG. 1 shows what is known as a flip chip attached to a substrate 20 for receiving power using two trace lines (22, 24) on the substrate 20 through a first surface 16. . Here, light is emitted from the second surface 18.

基板20はさらに、エッジまたは裏面に沿ってヒートシンクにも結合されるか、または支持フレーム26に結合される。このようなヒートシンクは通常は、たとえばフィン、ピン、ヒートパイプ、および同様の送熱構造および熱散逸構造等の熱散逸構成要素を有する金属ボディである。択一的に、セラミックフレーム27を使用することができる。   The substrate 20 is further coupled to a heat sink along the edge or back surface, or to the support frame 26. Such heat sinks are typically metal bodies having heat dissipating components such as fins, pins, heat pipes, and similar heat and heat dissipation structures. Alternatively, a ceramic frame 27 can be used.

LEDチップ14の第2の表面18は、透光性ヒートシンク12と密に熱コンタクトされるように位置決めされる。ここで使用されている透光性とは、高い透光度を有することを意味し、材料全体の理論的な透光度の80%以上の透光度を意味する。透光性とは透明も含むことを理解されたい。ここでは透明とは、理論的なインライン透光度の50%以上のインライン透光度を意味する。透光性とは半透明性も含み、ここでは半透明性とは、理論的なインライン透光度の3%以上のインライン透光度+材料全体の理論的な透光度の80%以上の全透光度を意味する。したがって透光性のヒートシンク12は、照明すべきフィールドに対してLEDチップ14によって放出された光を透過するウィンドウとして作用する。透光性ヒートシンク12は高透過性であり、有利には光透明性であることが重要である。また、透光性ヒートシンク12は高い熱伝導度を有することも重要である。ここで使用されている高い熱伝導度とは、30W/m・Kを上回る熱伝導度を意味する。ガラスまたはプラスチックロウ(low)から成るウィンドウ等であるウィンドウは、1.0W/m・K以下の熱伝導度を有するので、熱絶縁体として効率的に作用する。30W/m・Kを上回る熱伝導度を有するということは、ウィンドウがLEDチップに対して相対的に有効な放熱部として作用できることを意味する。   The second surface 18 of the LED chip 14 is positioned so as to be in intimate thermal contact with the translucent heat sink 12. The translucency used here means having high translucency, and means translucency of 80% or more of the theoretical translucency of the whole material. It should be understood that translucency includes transparency. Here, transparent means inline translucency of 50% or more of theoretical inline translucency. Translucency also includes translucency, where translucency means inline transmissivity of 3% or more of theoretical inline transmissivity + 80% or more of theoretical translucency of the whole material It means total translucency. The translucent heat sink 12 thus acts as a window that transmits the light emitted by the LED chip 14 to the field to be illuminated. It is important that the light transmissive heat sink 12 is highly transmissive and is preferably light transparent. It is also important that the light transmissive heat sink 12 has a high thermal conductivity. The high thermal conductivity used here means a thermal conductivity exceeding 30 W / m · K. A window, such as a window made of glass or plastic low, has a thermal conductivity of 1.0 W / m · K or less, and thus effectively acts as a thermal insulator. Having a thermal conductivity of more than 30 W / m · K means that the window can act as an effective heat dissipation part relative to the LED chip.

効率的であるためには透光性ヒートシンク12は、たとえば(場合によってはダイまたは蛍光体コーティングを介して)LEDチップ14と直接コンタクトするか、または薄い結合層を使用することにより、LEDチップ14に密にコンタクトしなければならない。直接的なコンタクトが行われる場合には、LEDチップ14の50%以上が透光性ヒートシンク12にコンタクトするのが有利である。択一的に、図1のように透光性ヒートシンク12によって電気的コンタクトが必要でない場合、(15μmを下回る厚さの)薄い結合層(図示されていない)を使用することができ、たとえば、当分野で使用されているようなクリアなシリコーンベースの樹脂を使用することができる。透光性ヒートシンク材料から成る粉末が含浸されたエポキシ、またはインジウム‐錫酸化物の粉末が含浸されたエポキシを使用することができる。   To be efficient, the light transmissive heat sink 12 is in direct contact with the LED chip 14 (possibly via a die or phosphor coating), or by using a thin bonding layer, for example. Must be in intimate contact. When direct contact is made, it is advantageous that 50% or more of the LED chips 14 are in contact with the translucent heat sink 12. Alternatively, if no electrical contact is required by the translucent heat sink 12 as in FIG. 1, a thin bonding layer (not shown) (not shown) can be used, for example, Clear silicone-based resins such as those used in the art can be used. Epoxy impregnated with a powder of translucent heat sink material or epoxy impregnated with a powder of indium-tin oxide can be used.

30W/m・K以上の熱伝導度を有する有利な透光性セラミックは複数存在する。これらには窒化アルミニウム(AlN)(200W/mK)、サファイア(35W/mK)、アルミナ(Al)(30W/mK)、サブミクロンアルミナ(30W/mK)、またはナノ粒子アルミナ(30W/mK)または酸化マグネシウム(MgO)(59W/mK)が含まれる。窒化アルミニウムには、通常粒子のAlN(15〜30μm粒子)、サブミクロン粒子AlNまたはナノ粒子AlNが含まれる。前記材料はそれぞれ、利点と欠点とを有する。前記の透光性ヒートシンク材料のうち幾つかは、3〜5ミクロンの赤外線領域でも高い透過性を有し、このことは、300K〜400Kの通常のLEDチップ温度動作領域の近似的なピーク放射点となって現れる。比較的良好なIR透過体には、窒化アルミニウム(AlN)、アルミナ(Al)および酸化マグネシウム(MgO)が含まれる。スピネル、AlON、YAGおよびイットリアも、3〜5ミクロン領域で透明である。スピネル、AlON、YAGおよびイットリア等の別のセラミックスは可視領域で透明であるが、低い熱伝導度(<30W/mK)を有するので、窒化アルミニウム(AlN),アルミナ(Al)および酸化マグネシウム(MgO)ほどは望ましくない。また、YAG等の幾つかの材料は、3〜5ミクロンのIR領域ではあまり透過性でない(80%以下)。透光性ヒートシンクは、接合部から熱を放射することによって付加的な冷却メカニズムを追加する。このような接合部は、プラスチックまたはガラスのレンズまたはウィンドウの場合には存在しない。したがって有利な透光性ヒートシンク材料は、強化されたIR放射を可能にすることによって自己加熱をさらに低減することに優れており、とりわけ、3〜5ミクロンのIR領域で80%を上回る透過度を有する。別の材料は、関連するダイが有する屈折率より低い屈折率を有することにより、LEDダイからの光抽出を強化する。本出願人は、熱伝導性と、多くのLEDチップの熱膨張係数と良好に整合する熱膨張係数との理由から、窒化アルミニウムを推奨する。ナノ粒子またはサブミクロン粒子のアルミナは、熱伝導性と透明性との理由から有利である。異なる形態のアルミナは、製造コストの理由から有利である。酸化マグネシウムは、透光性と低屈折率との理由から有利である。 There are a plurality of advantageous translucent ceramics having a thermal conductivity of 30 W / m · K or more. These include aluminum nitride (AlN) (200 W / mK), sapphire (35 W / mK), alumina (Al 2 O 3 ) (30 W / mK), submicron alumina (30 W / mK), or nanoparticulate alumina (30 W / mK). mK) or magnesium oxide (MgO) (59 W / mK). Aluminum nitride includes normal particles of AlN (15-30 μm particles), submicron particles AlN or nanoparticle AlN. Each of these materials has advantages and disadvantages. Some of the translucent heat sink materials described above have high transmission even in the infrared region of 3-5 microns, which is an approximate peak emission point in the normal LED chip temperature operating region of 300K-400K. Appears as Relatively good IR transmitters include aluminum nitride (AlN), alumina (Al 2 O 3 ), and magnesium oxide (MgO). Spinel, AlON, YAG and yttria are also transparent in the 3-5 micron region. Other ceramics such as spinel, AlON, YAG and yttria are transparent in the visible region, but have low thermal conductivity (<30 W / mK), so aluminum nitride (AlN), alumina (Al 2 O 3 ) and oxidation Less desirable than magnesium (MgO). Also, some materials such as YAG are not very transmissive in the 3-5 micron IR region (80% or less). Translucent heat sinks add an additional cooling mechanism by radiating heat from the joint. Such joints do not exist in the case of plastic or glass lenses or windows. Thus, an advantageous translucent heat sink material is superior in further reducing self-heating by allowing enhanced IR radiation, and in particular, has a transmission greater than 80% in the 3-5 micron IR region. Have. Another material enhances light extraction from the LED die by having a refractive index lower than that of the associated die. Applicants recommend aluminum nitride for reasons of thermal conductivity and a coefficient of thermal expansion that matches well with that of many LED chips. Nano- or sub-micron alumina is advantageous for reasons of thermal conductivity and transparency. Different forms of alumina are advantageous for reasons of manufacturing costs. Magnesium oxide is advantageous because of its translucency and low refractive index.

透光性ヒートシンク12はプレーナ形のウィンドウとすることができ、有利には、LEDチップの第2の表面18の面積より格段に大きい面積を有する。格段に大きいとは、面積が4倍以上大きいことを意味する。直線寸法が2倍のヒートシンクから、良好なヒートシンクとして作用し、熱を4倍の面積にわたって拡散し始める。したがって、透光性ヒートシンクの周縁部は熱散逸器として作用する。付加的な能動的または受動的な熱散逸構成要素を透光性ヒートシンク12の縁部に沿って追加することができ、たとえば金属フレーム26や、セラミック材料の表面積を拡張または拡大する熱散逸構成要素(壁、フィンおよび孔等)を追加することができる。有利なフレーム26は、基板20へ熱伝導が行われるように、基板20の周辺に接合される。フレーム26は、密な機械的コンタクト、または、接着剤、シリコーン、ろう付け、フリット、または、薄層として良好にボンディングして熱を伝導する別の適切な結合材料(図示されていない)によって、透光性ヒートシンク12に密に結合される。   The translucent heat sink 12 may be a planar window and advantageously has an area that is significantly larger than the area of the second surface 18 of the LED chip. “Remarkably large” means that the area is four or more times larger. From a heat sink with a double linear dimension, it acts as a good heat sink and begins to spread heat over a quadruple area. Therefore, the peripheral part of the translucent heat sink acts as a heat dissipator. Additional active or passive heat dissipating components can be added along the edge of the light transmissive heat sink 12, such as a metal frame 26 or a heat dissipating component that expands or expands the surface area of the ceramic material. (Walls, fins and holes, etc.) can be added. An advantageous frame 26 is joined to the periphery of the substrate 20 so that heat conduction to the substrate 20 takes place. Frame 26 may be in close mechanical contact or by adhesive, silicone, brazing, frit, or another suitable bonding material (not shown) that is well bonded as a thin layer to conduct heat. It is tightly coupled to the translucent heat sink 12.

有利な透光性ヒートシンク12は、半径方向のフランジ28としてLEDチップ14の縁部を実質的に越えて延在することができる。このようにして、周辺のフランジ領域はすべてヒートシンク12として作用する。透光性ヒートシンク12の相対的な厚さとフランジ領域の大きさとは、熱マネージメントソフトウェアを使用して、LEDチップ14からの熱束と任意の結合充填材料の熱伝導度と透光性ヒートシンク12の大きさおよび形状と該透光性ヒートシンク12の材料の熱伝導度とが与えられることによって最大化することができる。一般的には、LEDチップ14に対して透光性ヒートシンク12の相対的な面積が大きくなるほど、放熱作用は大きくなる。透光性ヒートシンク12の体積が大きくなるほど、熱拡散作用は大きくなる。透光性ヒートシンク12の材料の熱伝導度が大きくなるほど、熱拡散作用は大きくなる。透光性ヒートシンク12とLED14と基板20と支持フレーム26(27)(いずれかの場合には)との間のどの開放的な容量も、適切な熱伝導性かつ透光性の充填材を充填することができ、たとえばシリコーン樹脂29を充填することができる。   The advantageous translucent heat sink 12 can extend substantially beyond the edge of the LED chip 14 as a radial flange 28. In this way, the entire peripheral flange region acts as a heat sink 12. The relative thickness of the light transmissive heat sink 12 and the size of the flange area can be determined by using heat management software to determine the heat flux from the LED chip 14 and the thermal conductivity of any bond filler material and the light transmissive heat sink 12. Given the size and shape and the thermal conductivity of the material of the translucent heat sink 12, it can be maximized. In general, the larger the relative area of the translucent heat sink 12 with respect to the LED chip 14, the greater the heat dissipation effect. As the volume of the light transmissive heat sink 12 increases, the thermal diffusion action increases. The greater the thermal conductivity of the material of the translucent heat sink 12, the greater the thermal diffusion effect. Any open capacity between the translucent heat sink 12, the LED 14, the substrate 20, and the support frame 26 (27) (in either case) is filled with a suitable thermally conductive and translucent filler. For example, the silicone resin 29 can be filled.

図2に、透光性ヒートシンク32を有する択一的なLEDアセンブリ30の概略的な断面図が示されている。透光性ヒートシンク32はLEDチップの電気的コンタクトのうち1つを提供するように形成することができる。第1の電気的コンタクト34は、ここでも基板36を介して供給することができる。第2の電気的コンタクト38は、透光性ヒートシンク32を介して供給される。第2の電気的コンタクト38は、透光性ヒートシンク32の表面上に形成された埋め込まれた電気的コンタクトとして形成することもできる。これは、細いワイヤか、堆積された金属表面層か、または、LEDチップ42の第2の表面40と電気的コンタクトを形成するために透光性ヒートシンク32の表面または内部に形成された金属表面注入物とすることができる。金属は一般的に透光性ではないので、金属コンタクトの領域を最低限にして、LEDチップ42から透光性ヒートシンク32を通る光透過を最大限にしなければならない。   FIG. 2 shows a schematic cross-sectional view of an alternative LED assembly 30 having a light transmissive heat sink 32. The light transmissive heat sink 32 can be formed to provide one of the electrical contacts of the LED chip. The first electrical contact 34 can again be supplied via the substrate 36. The second electrical contact 38 is supplied via a translucent heat sink 32. The second electrical contact 38 can also be formed as an embedded electrical contact formed on the surface of the translucent heat sink 32. This can be a thin wire, a deposited metal surface layer, or a metal surface formed on or within the translucent heat sink 32 to make electrical contact with the second surface 40 of the LED chip 42. It can be an injection. Since metals are generally not translucent, the area of the metal contacts must be minimized to maximize light transmission from the LED chip 42 through the translucent heat sink 32.

図3に、択一的な透光性ヒートシンク50の概略的な断面図が示されている。別の変形形態では、透光性ヒートシンク50は2層で形成することができる。第1層は30W/m・K以上の熱伝導度を有する透光性のセラミック52であり、透光性ヒートシンク50の大部分を含む。第2層54は、LEDチップと透光性セラミック52との間を結合する。結合する第2層54は、LEDチップから透光性セラミック52までの熱伝導に抵抗しないように格段に薄くされている。この結合第2層54は、たとえばインジウム‐錫酸化物等である透光性の電気的導体から成るか、または、透光性であると同時になお導電性であるように十分に薄くされた金属堆積物から成る。LEDチップと導電層とを電気的に接続することにより、典型的なワイヤボンディング接続を排除し、透光性ヒートシンクがLEDチップと直接接して熱伝導性がより良好になるようにすることができる。   FIG. 3 shows a schematic cross-sectional view of an alternative translucent heat sink 50. In another variation, the light transmissive heat sink 50 can be formed of two layers. The first layer is a translucent ceramic 52 having a thermal conductivity of 30 W / m · K or higher, and includes most of the translucent heat sink 50. The second layer 54 bonds between the LED chip and the translucent ceramic 52. The second layer 54 to be bonded is remarkably thin so as not to resist heat conduction from the LED chip to the translucent ceramic 52. This bonded second layer 54 is made of a light-transmitting electrical conductor, such as indium-tin oxide, or a metal that is thin enough to be light-transmitting and still conductive. Consists of sediment. By electrically connecting the LED chip and the conductive layer, a typical wire bonding connection can be eliminated, and the translucent heat sink can be in direct contact with the LED chip to provide better thermal conductivity. .

図4は、透光性ヒートシンク62を有する択一的なLEDアセンブリ60の概略的な断面図が示されている。同様にして、透光性ヒートシンクを、電気的コンタクト(トレース、埋め込み電極または埋め込み導電層)の1つを提供するように形成し、基板を、別の電気的コンタクトを提供する第2の透光性ヒートシンク64に置換することができる。このようにしてLEDチップ66は、第1の電気的コンタクト68を支持する第1の透光性ヒートシンク62(「ウィンドウ」)と第2の電気的コンタクト70を支持する第2の透光性ヒートシンク64(「基板」)との間に挟まれる。それゆえLEDチップ66は、放熱レンズ62と放熱基板64とによって2重に冷却され、かつ光を双方に透過する。第1の透光性ヒートシンク62と第2の透光性ヒートシンク64との間の残りの中間の容量には支持リング72を充填するか、または、LEDアセンブリで使用される公知のシリコーン充填材のうち1つのシリコーン充填材等である充填材料を充填することができる。択一的に、透光性ヒートシンクのうち一方または双方を、他方の透光性ヒートシンクに接触するようにこの中間のスペースに架けられるように形成することができる。このようなブリッジは、閉鎖性も放熱も双方を満たす。透光性ヒートシンク62、基板64またはブリッジ結合フレームは、表面からの熱散逸を増大するためのフィン、フィンガ、孔、および別の同様の構成要素等の熱散逸構成要素69によって形成することができる。   FIG. 4 shows a schematic cross-sectional view of an alternative LED assembly 60 having a light transmissive heat sink 62. Similarly, a light transmissive heat sink is formed to provide one of the electrical contacts (trace, buried electrode or buried conductive layer) and the substrate is a second light transmissive that provides another electrical contact. The heat sink 64 can be replaced. Thus, the LED chip 66 includes a first light transmissive heat sink 62 (“window”) that supports the first electrical contact 68 and a second light transmissive heat sink that supports the second electrical contact 70. 64 ("substrate"). Therefore, the LED chip 66 is doubly cooled by the heat dissipation lens 62 and the heat dissipation substrate 64 and transmits light to both. The remaining intermediate volume between the first translucent heat sink 62 and the second translucent heat sink 64 is filled with a support ring 72 or of known silicone fillers used in LED assemblies. Among them, a filling material such as one silicone filler can be filled. Alternatively, one or both of the light transmissive heat sinks can be formed to span this intermediate space so as to contact the other light transmissive heat sink. Such a bridge satisfies both closure and heat dissipation. The translucent heat sink 62, substrate 64 or bridge coupling frame may be formed by a heat dissipating component 69, such as fins, fingers, holes, and other similar components to increase heat dissipation from the surface. .

LEDチップとは反対側である透光性ヒートシンクの外表面は、透光性ヒートシンクを透過した光を集束、拡散、屈折または導光するための光学的構成要素によって形成することができる。図5に、屈折性レンズ82が形成された透光性ヒートシンク80の概略的な断面図が示されている。図6に、たとえばテーパ付きプリズム等の導光体86が形成された透光性ヒートシンク84の概略的な断面図が示されている。   The outer surface of the translucent heat sink opposite to the LED chip can be formed by an optical component for focusing, diffusing, refracting or guiding light transmitted through the translucent heat sink. FIG. 5 is a schematic cross-sectional view of a light transmissive heat sink 80 on which a refractive lens 82 is formed. FIG. 6 shows a schematic cross-sectional view of a translucent heat sink 84 in which a light guide 86 such as a tapered prism is formed.

透光性ヒートシンクアセンブリを有する単独のLEDを説明したが、1つの透光性ヒートシンクによって閉じ込められた複数のLEDチップのアレイを支持する1つの基板を使用して、このようなアセンブリのアレイを形成することができる。この1つのカバーは、レンズのグリッドまたは導光体のグリッドを含むことができる。図7に、屈折性レンズ構成要素92のグリッドを有する透光性ヒートシンク90から部分的に切り取られた概略的な断面図が示されている。これらの屈折性レンズ構成要素92は、相応のLED91のグリッドから供給を受ける。透光性ヒートシンク90はまた、基板95と熱結合するために周辺に延在するブリッジ結合壁93も有する。これは、透光性ヒートシンク90から基板95へ熱を引き渡すためのものである。図8に、相応のLEDのグリッド101に供給を受ける導光構成要素96のグリッドを有する透光性ヒートシンク94から部分的に切り取られた概略的な断面図が示されている。基板97は、透光性ヒートシンク94に熱結合するために基板97の周辺に延在するブリッジ結合壁99も有する。これは、透光性ヒートシンク94から基板97へ熱を引き渡すためのものである。   Although a single LED having a light transmissive heat sink assembly has been described, an array of such assemblies is formed using a single substrate that supports an array of LED chips confined by a single light transmissive heat sink. can do. The one cover may include a grid of lenses or a grid of light guides. FIG. 7 shows a schematic cross-sectional view partially cut away from a light transmissive heat sink 90 having a grid of refractive lens components 92. These refractive lens components 92 are supplied from a grid of corresponding LEDs 91. The light transmissive heat sink 90 also has a bridge coupling wall 93 extending to the periphery for thermal coupling with the substrate 95. This is for transferring heat from the translucent heat sink 90 to the substrate 95. FIG. 8 shows a schematic cross-sectional view, partially cut away from a light transmissive heat sink 94 having a grid of light guiding components 96 fed to a grid 101 of corresponding LEDs. The substrate 97 also has a bridge coupling wall 99 that extends around the periphery of the substrate 97 for thermal coupling to the translucent heat sink 94. This is for transferring heat from the translucent heat sink 94 to the substrate 97.

透光性ヒートシンクをLEDチップから延ばすことの1つの利点は、ヒートシンクを気密封止できることである。たとえば、金属フレーム等である気密フレームが透光性ヒートシンクと基板との間を封止してブリッジ結合し、包囲されたLEDチップを気密封止することができる。当分野で公知であるような封止された金属ビアを使用して、電気的接続のために気密外側シェルを通って内側に電気的に接続を行うことができる。図9に、基板106と結合するために延長された壁104を有する透光性ヒートシンク102を備えたLEDアセンブリ100の概略的な断面図が示されている。LEDチップ108は(絶縁された)金属基板106上に取り付けられている。支持フレーム104がLEDチップ108を包囲し、かつ基板106と良好に熱コンタクトされている。支持フレーム104は基板106と一緒に成形するか(co-form)、または透光性ヒートシンク102の一部として形成するか、または、LEDチップ108を包囲する内部空間を定義する包囲リングまたは同様のボディ等である別個に取り付けられる部品とすることができる。透光性ヒートシンク102は、LEDチップ108から熱入力を行うためにLEDチップ108の頂部表面にコンタクトし、LEDチップ108から熱を伝導するために支持フレーム104にブリッジ結合されている。透光性ヒートシンク102と基板106とをフレーム104の接合壁に沿って、はんだ付け、ロウ付け、エポキシ樹脂接着、樹脂封止するか、または同様に気密封止することができる。透光性ヒートシンクの材料の利点は、通常使用されるガラスおよびプラスチックカバー材料よりも、LEDチップ、基板またはブリッジ結合材料の熱膨張係数に比較的近く整合することができるので、気密封止部にかかる応力を低減できることである。とりわけ、LEDチップからの光供給は、ヒートシンクを介して(たとえばレンズ92または導光体96を介して)直接供給でき、封止問題、別のシステムに伴う気密性問題を回避することができる。気密構造が必要でない場合、支持フレーム104を透光性ヒートシンク102と基板106との間の効率的な熱的ブリッジとして使用することもできる。   One advantage of extending the translucent heat sink from the LED chip is that the heat sink can be hermetically sealed. For example, an airtight frame such as a metal frame can seal and bridge the light-transmitting heat sink and the substrate, and the enclosed LED chip can be hermetically sealed. Sealed metal vias as is known in the art can be used to make an electrical connection inwardly through an airtight outer shell for electrical connection. In FIG. 9, a schematic cross-sectional view of an LED assembly 100 with a translucent heat sink 102 having an extended wall 104 for coupling to a substrate 106 is shown. The LED chip 108 is mounted on a (insulated) metal substrate 106. A support frame 104 surrounds the LED chip 108 and is in good thermal contact with the substrate 106. The support frame 104 may be co-formed with the substrate 106, formed as part of the light transmissive heat sink 102, or an encircling ring or similar that defines an interior space surrounding the LED chip 108 It can be a separately attached part, such as a body. The light transmissive heat sink 102 contacts the top surface of the LED chip 108 for heat input from the LED chip 108 and is bridged to the support frame 104 for conducting heat from the LED chip 108. The translucent heat sink 102 and the substrate 106 can be soldered, brazed, epoxy resin bonded, resin sealed, or similarly hermetically sealed along the joining walls of the frame 104. The advantage of the translucent heat sink material is that it can match the thermal expansion coefficient of the LED chip, substrate or bridge bonding material relatively close to the commonly used glass and plastic cover materials, so that the hermetic seal The stress can be reduced. In particular, the light supply from the LED chip can be supplied directly via a heat sink (eg, via the lens 92 or light guide 96), avoiding sealing problems and air tightness problems associated with other systems. The support frame 104 can also be used as an efficient thermal bridge between the light transmissive heat sink 102 and the substrate 106 if an airtight structure is not required.

LEDチップと透光性ヒートシンクとに対して離れて光変換蛍光体を使用することもできる。たとえば光変換蛍光体を、透光性ヒートシンク、屈折性レンズ構成要素または導光性構成要素の外表面に適用することができる。   It is also possible to use a light conversion phosphor away from the LED chip and the light transmissive heat sink. For example, a light converting phosphor can be applied to the outer surface of a light transmissive heat sink, refractive lens component, or light guiding component.

LEDチップからの熱を透光性ヒートシンクにわたって拡散することにより、面積に依存して、LEDに及ぼされる使用可能な放熱作用を迅速に倍化することができる。標準的な電圧で動作する場合、LEDチップは8〜23%高い光生成効率で動作することができる。このことは、小さいランプバッテリー寿命に格段の影響を及ぼすか、または、大型の(壁サイズ)アレイの全電気消費量に格段の影響を及ぼす。択一的に、LEDチップを2倍の電流で、かつ等しいチップ(ダイ)温度を効率的に維持しながら動作させることができる。効率(lm/W)は上昇しないが、放出されるルーメンの総量は近似的に2倍になる。このことは、光源の輝度が重要である指向性のビーム光学系、たとえば内視鏡、ヘッドランプ、または同様の光ビームシステムにおいて、有意な結果となる。   By diffusing heat from the LED chip across the translucent heat sink, the usable heat dissipation effect exerted on the LED can be quickly doubled depending on the area. When operating at a standard voltage, the LED chip can operate with 8-23% higher light generation efficiency. This can have a significant impact on the small lamp battery life, or it can have a significant impact on the overall electricity consumption of large (wall-sized) arrays. Alternatively, the LED chip can be operated with twice the current and efficiently maintaining the same chip (die) temperature. The efficiency (lm / W) does not increase, but the total amount of lumen released is approximately doubled. This has significant consequences in directional beam optics where the brightness of the light source is important, such as endoscopes, headlamps, or similar light beam systems.

現時点で本発明の有利な実施形態と見なされる構成を図示および説明したが、当業者であれば、添付された請求の範囲によって定義された本発明の範囲から逸脱することなく、種々の変更および修正を行うことが可能であることを理解できる。   While the arrangements presently considered to be advantageous embodiments of the invention have been illustrated and described, those skilled in the art will recognize that various changes and modifications may be made without departing from the scope of the invention as defined by the appended claims. Understand that modifications can be made.

透光性のヒートシンクを有するLEDアセンブリの概略的な断面図である。1 is a schematic cross-sectional view of an LED assembly having a light transmissive heat sink. 透光性のヒートシンクを有する択一的なLEDアセンブリの概略的な断面図である。FIG. 3 is a schematic cross-sectional view of an alternative LED assembly having a light transmissive heat sink. 択一的な透光性のヒートシンクの概略的な断面図である。It is a schematic sectional drawing of an alternative translucent heat sink. 透光性のヒートシンクを有する択一的なLEDアセンブリの概略的な断面図である。FIG. 3 is a schematic cross-sectional view of an alternative LED assembly having a light transmissive heat sink. 成形された屈折性レンズを有する透光性のヒートシンクの概略的な断面図である。1 is a schematic cross-sectional view of a light transmissive heat sink having a molded refractive lens. FIG. たとえばテーパ付きプリズム等である成形された導光体を有する透光性のヒートシンクの概略的な断面図である。FIG. 2 is a schematic cross-sectional view of a light transmissive heat sink having a molded light guide such as a tapered prism. 屈折性レンズの特徴のグリッドを有する透光性のヒートシンクの概略図である。1 is a schematic view of a translucent heat sink having a grid of refractive lens features. FIG. 導光体の特徴のグリッドを有する透光性のヒートシンクの概略図である。1 is a schematic view of a light transmissive heat sink having a grid of light guide features. FIG. 基板と結合するために拡張された壁を有する透光性のヒートシンクの概略図である。FIG. 3 is a schematic view of a light transmissive heat sink having walls that are extended to bond with a substrate.

Claims (50)

LEDアセンブリにおいて、
第1の表面と第2の表面とを有する高出力のLEDチップを備えており、
該第1の表面は基板に取り付けられており、
該第2の表面は、30W/m・Kを上回る熱伝導度を有する透光性ヒートシンクと密に熱コンタクトされており、
該LEDチップは、該LEDチップにエネルギー供給するための少なくとも1つの第1の電気的接続部および第2の電気的接続部に電気的コンタクトされていることを特徴とする、LEDアセンブリ。
In the LED assembly,
A high power LED chip having a first surface and a second surface;
The first surface is attached to a substrate;
The second surface is in intimate thermal contact with a translucent heat sink having a thermal conductivity greater than 30 W / m · K;
The LED assembly, wherein the LED chip is in electrical contact with at least one first electrical connection and a second electrical connection for energizing the LED chip.
LEDアセンブリにおいて、
第1の表面と第2の表面とを有する高出力のLEDチップを備えており、
該第1の表面は基板に取り付けられており、
該第2の表面は、30W/m・Kを上回る熱伝導度を有する透光性ヒートシンクと密に熱コンタクトされており、
該LEDチップの第2の表面から該透光性ヒートシンクまでの全熱束は、該透光性ヒートシンクが存在しない場合の該LEDチップの第2の表面から空気中への全熱束の4倍を上回り、
該LEDチップは、該LEDチップにエネルギー供給するための少なくとも1つの第1の電気的接続部および第2の電気的接続部に電気的コンタクトされていることを特徴とする、LEDアセンブリ。
In the LED assembly,
A high power LED chip having a first surface and a second surface;
The first surface is attached to a substrate;
The second surface is in intimate thermal contact with a translucent heat sink having a thermal conductivity greater than 30 W / m · K;
The total heat flux from the second surface of the LED chip to the light transmissive heat sink is four times the total heat flux from the second surface of the LED chip to the air in the absence of the light transmissive heat sink. Over
The LED assembly, wherein the LED chip is in electrical contact with at least one first electrical connection and a second electrical connection for energizing the LED chip.
LEDアセンブリにおいて、
第1の表面と第2の表面とを有する高出力のLEDチップを備えており、
該第1の表面は基板に取り付けられており、
該第2の表面は、30W/m・Kを上回る熱伝導度を有する透光性ヒートシンクと密に熱コンタクトされており、
該LEDチップの第2の表面から該透光性ヒートシンクまでの全熱束は、該透光性ヒートシンクが存在しない場合の該LEDチップの第2の表面から空気中への全熱束の4倍を上回り、
該LEDチップは、該LEDチップにエネルギー供給するための少なくとも1つの第1の電気的接続部および第2の電気的接続部に電気的コンタクトされていることを特徴とする、LEDアセンブリ。
In the LED assembly,
A high power LED chip having a first surface and a second surface;
The first surface is attached to a substrate;
The second surface is in intimate thermal contact with a translucent heat sink having a thermal conductivity greater than 30 W / m · K;
The total heat flux from the second surface of the LED chip to the light transmissive heat sink is four times the total heat flux from the second surface of the LED chip to the air in the absence of the light transmissive heat sink. Over
The LED assembly, wherein the LED chip is in electrical contact with at least one first electrical connection and a second electrical connection for energizing the LED chip.
LEDアセンブリにおいて、
1.0W/mm以上の出力密度を有し、かつ第1の表面および第2の表面を有する高出力のLEDチップを備えており、
該第1の表面は支持基板に取り付けられており、
該第2の表面は、30W/m・Kを上回る熱伝導度を有する透光性ヒートシンクと密に熱コンタクトされており、
該透光性ヒートシンクは、熱散逸構成要素によって形成された周辺部を有し、
該LEDチップは、該LEDチップにエネルギー供給するための少なくとも1つの第1の電気的接続部および第2の電気的接続部に電気的コンタクトされていることを特徴とする、LEDアセンブリ。
In the LED assembly,
A high-power LED chip having a power density of 1.0 W / mm 2 or more and having a first surface and a second surface;
The first surface is attached to a support substrate;
The second surface is in intimate thermal contact with a translucent heat sink having a thermal conductivity greater than 30 W / m · K;
The translucent heat sink has a periphery formed by a heat dissipating component;
The LED assembly, wherein the LED chip is in electrical contact with at least one first electrical connection and a second electrical connection for energizing the LED chip.
LEDアセンブリにおいて、
第1の表面と第2の表面とを有する高出力のLEDチップを備えており、
該第1の表面は基板に取り付けられており、
該第2の表面は、30W/m・Kを上回る熱伝導度を有する透光性ヒートシンクと密に熱コンタクトされており、かつ、3〜5ミクロンのIR領域で80%を上回る透過度を有し、
該LEDチップは、該LEDチップにエネルギー供給するための少なくとも1つの第1の電気的接続部および第2の電気的接続部に電気的コンタクトされていることを特徴とする、LEDアセンブリ。
In the LED assembly,
A high power LED chip having a first surface and a second surface;
The first surface is attached to a substrate;
The second surface is in intimate thermal contact with a translucent heat sink having a thermal conductivity greater than 30 W / m · K and has a transmission greater than 80% in the 3-5 micron IR region. And
The LED assembly, wherein the LED chip is in electrical contact with at least one first electrical connection and a second electrical connection for energizing the LED chip.
30W/m・Kを上回る熱伝導度を有する支持フレームが、透光性ヒートシンクに密に結合されている、請求項1記載のLEDアセンブリ。   The LED assembly of claim 1, wherein the support frame having a thermal conductivity greater than 30 W / m · K is tightly coupled to the translucent heat sink. 前記支持フレームは前記支持基板の一部として形成されている、請求項6記載のLEDアセンブリ。   The LED assembly of claim 6, wherein the support frame is formed as part of the support substrate. 前記支持フレームは、前記透光性ヒートシンクの一部として形成されている、請求項6記載のLEDアセンブリ。   The LED assembly of claim 6, wherein the support frame is formed as part of the light transmissive heat sink. 前記LEDチップは、1.0W/mm以上の出力密度を有する、請求項1記載のLEDアセンブリ。 The LED assembly according to claim 1, wherein the LED chip has a power density of 1.0 W / mm 2 or more. 支持基板が第1の電気的接続部を提供する、請求項1記載のLEDアセンブリ。   The LED assembly of claim 1, wherein the support substrate provides a first electrical connection. 基板が、前記LEDチップにエネルギー供給するための前記第1の電気的接続部と第2の電気的接続部とを提供する、請求項10記載のLEDアセンブリ。   The LED assembly of claim 10, wherein a substrate provides the first electrical connection and a second electrical connection for energizing the LED chip. 前記透光性ヒートシンクは前記第2の電気的接続部を提供する、請求項1記載のLEDアセンブリ。   The LED assembly of claim 1, wherein the translucent heat sink provides the second electrical connection. 基板は、30W/m・Kを上回る熱伝導度を有する透光性ヒートシンクである、請求項1記載のLEDアセンブリ。   The LED assembly of claim 1, wherein the substrate is a translucent heat sink having a thermal conductivity greater than 30 W / m · K. 透光性ヒートシンクが、前記LEDにエネルギー供給するための第2の電気的接続部を提供する、請求項1記載のLEDアセンブリ。   The LED assembly of claim 1, wherein a translucent heat sink provides a second electrical connection for energizing the LED. 前記透光性ヒートシンクは、透光性セラミックを含む第1層と、該第1層と前記LEDの第2の表面との中間にある透光性導電層を含む第2層とを含む、請求項1記載のLEDアセンブリ。   The translucent heat sink includes a first layer including a translucent ceramic and a second layer including a translucent conductive layer intermediate the first layer and the second surface of the LED. Item 2. The LED assembly according to Item 1. 前記導電層は導電性セラミックである、請求項15記載のLEDアセンブリ。   16. The LED assembly of claim 15, wherein the conductive layer is a conductive ceramic. 前記導電層は導電性のITOである、請求項15記載のLEDアセンブリ。   16. The LED assembly of claim 15, wherein the conductive layer is conductive ITO. 前記導電層は導電性ポリマーである、請求項15記載のLEDアセンブリ。   16. The LED assembly of claim 15, wherein the conductive layer is a conductive polymer. 前記導電層は、導電性の埋め込み型の金属電極である、請求項15記載のLEDアセンブリ。   The LED assembly according to claim 15, wherein the conductive layer is a conductive buried metal electrode. 前記導電層は、導電性の堆積された金属電極層である、請求項15記載のLEDアセンブリ。   The LED assembly of claim 15, wherein the conductive layer is a conductive deposited metal electrode layer. 前記透光性ヒートシンクは窒化アルミニウム(AlN)から成る、請求項1記載のLEDアセンブリ。   The LED assembly of claim 1, wherein the translucent heat sink is made of aluminum nitride (AlN). 前記透光性ヒートシンクはサブミクロン粒子窒化アルミニウム(AlN)から成る、請求項21記載のLEDアセンブリ。   The LED assembly of claim 21, wherein the translucent heat sink is made of submicron particle aluminum nitride (AlN). 前記透光性ヒートシンクはサファイアから成る、請求項1記載のLEDアセンブリ。   The LED assembly of claim 1, wherein the translucent heat sink comprises sapphire. 前記透光性ヒートシンクはアルミナから成る、請求項1記載のLEDアセンブリ。   The LED assembly of claim 1, wherein the light transmissive heat sink is made of alumina. 前記透光性ヒートシンクはサブミクロンアルミナから成る、請求項24記載のLEDアセンブリ。   25. The LED assembly of claim 24, wherein the light transmissive heat sink comprises submicron alumina. 前記透光性ヒートシンクはナノアルミナから成る、請求項24記載のLEDアセンブリ。   25. The LED assembly of claim 24, wherein the light transmissive heat sink comprises nano alumina. 前記透光性ヒートシンクはMgOから成る、請求項1記載のLEDアセンブリ。   The LED assembly of claim 1, wherein the translucent heat sink comprises MgO. 前記透光性ヒートシンクは、前記LEDチップから受け取られ前記透光性ヒートシンクを透過した光の光学的分布を形成するように光学的に形成されている、請求項1記載のLEDアセンブリ。   The LED assembly of claim 1, wherein the light transmissive heat sink is optically formed to form an optical distribution of light received from the LED chip and transmitted through the light transmissive heat sink. 前記透光性ヒートシンクは、前記LEDチップに電力を供給するための導電性トレースを含む、請求項1記載のLEDアセンブリ。   The LED assembly of claim 1, wherein the translucent heat sink includes conductive traces for supplying power to the LED chip. 前記透光性ヒートシンクの少なくとも一部は前記LEDチップに直接接する、請求項1記載のLEDアセンブリ。   The LED assembly of claim 1, wherein at least a portion of the translucent heat sink directly contacts the LED chip. 前記LEDチップと前記透光性ヒートシンクとの中間に、該LEDチップから透光性ヒートシンクまでの光透過および熱伝導を可能にする材料の透光性かつ熱伝導性の中間層が配置されている、請求項1記載のLEDアセンブリ。   Between the LED chip and the light transmissive heat sink, a light transmissive and heat conductive intermediate layer of a material that allows light transmission and heat conduction from the LED chip to the light transmissive heat sink is disposed. The LED assembly of claim 1. 前記中間層は、ボンディング構成要素(エポキシ、シリコーン、高温接着剤)と透光性セラミック粉末の注入物とを含む、請求項31記載のLEDアセンブリ。   32. The LED assembly of claim 31, wherein the intermediate layer includes a bonding component (epoxy, silicone, high temperature adhesive) and a translucent ceramic powder implant. 前記透光性セラミック粉末は、前記中間層の体積の50%以上を有する、請求項31記載のLEDアセンブリ。   32. The LED assembly of claim 31, wherein the translucent ceramic powder has 50% or more of the volume of the intermediate layer. 前記透光性セラミック粉末は、0.01ミクロン〜1.0ミクロンの平均粒子サイズを有する、請求項31記載のLEDアセンブリ。   32. The LED assembly of claim 31, wherein the translucent ceramic powder has an average particle size of 0.01 microns to 1.0 microns. 前記透光性ヒートシンクは、導電性の周辺フレームに保持されている、請求項1記載のLEDアセンブリ。   The LED assembly of claim 1, wherein the translucent heat sink is held in a conductive peripheral frame. 前記透光性ヒートシンクは、導電性の周辺フレームに接着またはロウ付けされている、請求項1記載のLEDアセンブリ。   The LED assembly of claim 1, wherein the translucent heat sink is bonded or brazed to a conductive peripheral frame. 前記周辺フレームは、熱放射構成要素によって形成されている、請求項35記載のLEDアセンブリ。   36. The LED assembly of claim 35, wherein the peripheral frame is formed by a heat radiating component. 前記透光性ヒートシンクは、屈折性レンズで成形された表面を有する、請求項1記載のLEDアセンブリ。   The LED assembly of claim 1, wherein the translucent heat sink has a surface molded with a refractive lens. 前記LEDチップは、窒化ガリウム薄膜放出体である、請求項1記載のLEDアセンブリ。   The LED assembly of claim 1, wherein the LED chip is a gallium nitride thin film emitter. 前記LEDチップは砒化ガリウム薄膜放出体である、請求項1記載のLEDアセンブリ。   The LED assembly of claim 1, wherein the LED chip is a gallium arsenide thin film emitter. 前記LEDチップはリン化ガリウム薄膜放出体である、請求項1記載のLEDアセンブリ。   The LED assembly of claim 1, wherein the LED chip is a gallium phosphide thin film emitter. 前記中間材料は、透光性のシリコーン樹脂である、請求項1記載のLEDアセンブリ。   The LED assembly according to claim 1, wherein the intermediate material is a translucent silicone resin. 前記LEDチップとの少なくとも1つの電気的コンタクトは、前記LEDチップと前記透光性ヒートシンクの一部とに挟まれたフラットなトレースである、請求項1記載のLEDアセンブリ。   The LED assembly of claim 1, wherein the at least one electrical contact with the LED chip is a flat trace sandwiched between the LED chip and a portion of the translucent heat sink. 前記LEDチップはLEDチップの底部表面に沿って、該LEDチップとの少なくとも1つの電気的接続部を提供する支持基板に固定されている、請求項1記載のLEDアセンブリ。   The LED assembly of claim 1, wherein the LED chip is secured to a support substrate that provides at least one electrical connection with the LED chip along a bottom surface of the LED chip. 前記支持基板は、30W/m・Kを上回る熱伝導度を有する透光性材料から形成されている、請求項1記載のLEDアセンブリ。   The LED assembly according to claim 1, wherein the support substrate is formed of a translucent material having a thermal conductivity of greater than 30 W / m · K. 前記LEDチップは、前記支持基板と透光性ヒートシンクとの間に気密に挟まれている、請求項1記載のLEDアセンブリ。   The LED assembly according to claim 1, wherein the LED chip is hermetically sandwiched between the support substrate and a light transmissive heat sink. LEDチップの平面アレイが支持基板上に配置されており、
透光性ヒートシンクが該LEDチップのアレイをカバーする、請求項1記載のLEDアセンブリ。
A planar array of LED chips is disposed on a support substrate;
The LED assembly of claim 1, wherein a light transmissive heat sink covers the array of LED chips.
前記透光性ヒートシンクは前記支持基板に気密封止されている、請求項1記載のLEDアセンブリ。   The LED assembly according to claim 1, wherein the translucent heat sink is hermetically sealed to the support substrate. 前記透光性ヒートシンクはテーパ付きプリズムのような導光部分を含む、請求項1記載のLEDアセンブリ。   The LED assembly of claim 1, wherein the translucent heat sink includes a light guiding portion such as a tapered prism. LEDアセンブリにおいて、
透光性であり熱的に放熱性のカバーと透光性であり熱的に放熱性の支持基板との間に挟まれたLEDチップを有し、
該カバーと支持基板とは、熱散逸構成要素を含む熱伝導性のフレームに支持されており、
該フレームと支持基板とは、熱絶縁層の第1の面に取り付けられており、
該熱絶縁層の第2の面に、該LEDアセンブリに対する電子制御アセンブリが取り付けられており、
熱散逸構成要素は、該電子制御アセンブリに隣接して形成されていることを特徴とする、LEDアセンブリ。
In the LED assembly,
An LED chip sandwiched between a light-transmitting and thermally radiating cover and a light-transmitting and heat-radiating support substrate;
The cover and the support substrate are supported by a thermally conductive frame that includes heat dissipation components;
The frame and the support substrate are attached to the first surface of the heat insulating layer;
An electronic control assembly for the LED assembly is attached to the second side of the thermal insulation layer;
An LED assembly, wherein a heat dissipation component is formed adjacent to the electronic control assembly.
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