JP2009288476A - Method of manufacturing color conversion substrate, method of manufacturing color conversion filter substrate, and method of manufacturing organic electroluminescent device - Google Patents

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成行 松波
Sadahiko Yoshinaga
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method of manufacturing a high-definition color conversion substrate having a predetermined film thickness to be patterned preferably and to be produced efficiently without deteriorating the organic molecules or generating an incomplete transfer. <P>SOLUTION: The method comprises a step (1) of forming a photothermal conversion layer (12) on a supporting substrate (11) transmitting a laser beam of a predetermined wavelength, a step (2) of providing a transfer donor substrate (10) by forming a color conversion layer (13) containing a material having a color conversion function on the supporting substrate (11) with the photothermal conversion layer (12) formed thereon, a step (3) of disposing a transparent supporter (20) on the color conversion layer (13) side of the transfer donor substrate (10) in parallel with the transfer donor substrate (10) and away therefrom, and a step (4) of forming a color conversion layer (13A) pattern by transferring the material having the color conversion function to a predetermined position of the transparent supporter (20) by radiating a laser beam from the supporting substrate (11) side of the transfer donor substrate (10). <P>COPYRIGHT: (C)2010,JPO&INPIT

Description

本発明は、色変換基板の製造方法、色変換フィルタ基板の製造方法及び有機電界発光素子の製造方法に関する。   The present invention relates to a method for manufacturing a color conversion substrate, a method for manufacturing a color conversion filter substrate, and a method for manufacturing an organic electroluminescent element.

近年、軽量で高効率のフラットパネルディスプレイが、例えばコンピュータやテレビジョンの画面表示用として盛んに研究、開発されている。また、軽量で高効率のフラットパネルディスプレイとして、アクティブマトリックス駆動などの液晶ディスプレイが商品化されている。しかしながら、液晶ディスプレイは視野角が狭く、また、自発光でないため周囲が暗い環境下ではバックライトの消費電力が大きいことや、今後実用化が期待されている高精細度の高速ビデオ信号に対して充分な応答性能を有しない等の問題点がある。さらに、液晶ディスプレイは大画面サイズのディスプレイを製造することは困難であることや、そのコストが高い等の問題もある。   In recent years, light and highly efficient flat panel displays have been actively researched and developed, for example, as screen displays for computers and televisions. In addition, liquid crystal displays such as active matrix driving have been commercialized as lightweight and highly efficient flat panel displays. However, the liquid crystal display has a narrow viewing angle, and since it is not self-luminous, the backlight consumes a lot of power in an environment where the surroundings are dark, and the high-definition high-speed video signal expected to be put to practical use in the future. There are problems such as insufficient response performance. Furthermore, the liquid crystal display has a problem that it is difficult to produce a large screen size display and its cost is high.

そこで、これらの諸問題を解決する可能性のあるフラットパネルディスプレイとして、最近、有機発光材料を用いた有機電界発光素子(いわゆる有機EL素子)が注目されている。即ち、発光材料として有機化合物を用いることにより、自発光で、応答速度が高速であり、視野角依存性の無いフラットパネルディスプレイの実現が期待されている。   Thus, recently, an organic electroluminescent element (so-called organic EL element) using an organic light-emitting material has attracted attention as a flat panel display that can solve these problems. That is, by using an organic compound as a light-emitting material, it is expected to realize a flat panel display that is self-luminous, has a high response speed, and has no viewing angle dependency.

有機電界発光素子を用いた有機ELディスプレイをマルチカラー化又はフルカラー化する方法は、発光層をRGBで形成する方法や、カラーフィルタを用いて行う方法がある。さらに近年においては、色変換を用いた色変換方式が新たに提案されている。この色変換方式の原理は、発光源からの光を吸収し、可視光領域の光を発光する材料から光を再放出することによって色を変換する方式であり、このような機能を有する層は色変換層として知られている(例えば、特許文献1及び2)。   As a method for making an organic EL display using an organic electroluminescent element multi-colored or full-colored, there are a method of forming a light emitting layer with RGB and a method of using a color filter. In recent years, a color conversion method using color conversion has been newly proposed. The principle of this color conversion method is a method of converting color by absorbing light from a light source and re-emitting light from a material that emits light in the visible light region. It is known as a color conversion layer (for example, Patent Documents 1 and 2).

この方法では、例えば有機EL素子においては、光源として最もエネルギーの高い青色発光を用い、緑、及び赤については、その青色発光を夫々の色へと変換させることによってRGBのフルカラー化が可能となる。この場合、有機ELは青色のみの構成であれば良いので、製造プロセスを簡略化できると共に、大型パネルの製造にも適している。   In this method, for example, in an organic EL element, blue light emission having the highest energy is used as a light source, and for green and red, by converting the blue light emission into respective colors, RGB can be made full color. . In this case, since the organic EL only needs to have a blue color structure, the manufacturing process can be simplified and it is also suitable for manufacturing a large panel.

色変換層のパターニングの方法としては、幾つかの方法が知られている。例えば蛍光色素を液状のレジスト(光反応性ポリマー)中に分散させ、これをスピンコート法などで成膜した後、フォトリソグラフィ法でパターニングする方法がある(例えば、特許文献2及び3)。また、塩基性のバインダーに蛍光色素又は蛍光顔料を分散させ、これを酸性水溶液でエッチングする方法(例えば、特許文献4)などもある。   Several methods are known for patterning the color conversion layer. For example, there is a method in which a fluorescent dye is dispersed in a liquid resist (photoreactive polymer), formed into a film by a spin coating method, and then patterned by a photolithography method (for example, Patent Documents 2 and 3). Further, there is a method of dispersing a fluorescent dye or fluorescent pigment in a basic binder and etching it with an acidic aqueous solution (for example, Patent Document 4).

しかし、上記のようないわゆるウエット法による成形は、その製造工程において溶媒等を用いるため、溶剤による劣化等の問題が生じていた。特に有機EL素子のような溶剤に弱い素子やパネルの製造には、素子の劣化を招くのみならず、溶剤対策のために保護層を設けるなどの多くの複雑な工程が必要であり、他の方法による成形が望まれていた。   However, the molding by the so-called wet method as described above uses a solvent or the like in the manufacturing process, and thus causes problems such as deterioration due to the solvent. In particular, the manufacture of elements and panels that are vulnerable to solvents such as organic EL elements not only cause deterioration of the elements but also require many complicated processes such as providing a protective layer as a countermeasure against solvents. Molding by a method has been desired.

このため、ドライプロセスとして色変換層を形成する方法として、メタルマスクを用いる蒸着法(例えば、特許文献5)が開示されている。しかしながら、メタルマスクを用いる蒸着法では、メタルマスクの位置あわせ(アライメント)は高精細になればなるほど困難となり、特に基板が大型の場合には、メタルマスクの位置あわせの制御は困難である。   For this reason, an evaporation method using a metal mask (for example, Patent Document 5) is disclosed as a method for forming a color conversion layer as a dry process. However, in the vapor deposition method using a metal mask, the alignment (alignment) of the metal mask becomes more difficult as the definition becomes higher. In particular, when the substrate is large, it is difficult to control the alignment of the metal mask.

そこで大型基板の製造方法として、レーザーを用いた有機層の転写方法が開示されている。レーザーを用いた有機層の転写方法としては、カラー調節層の接触転写法(例えば特許文献6,7,8及び9)や、レーザーを用いた材料、特に有機層を形成する為の材料の蒸着方法(例えば、特許文献10及び11)が開示されている。しかしながら、何れも有機電界発光素子を形成した後に積層転写させるものであり、プロセスの肥大化を招く恐れがある。   Therefore, a method for transferring an organic layer using a laser is disclosed as a method for producing a large substrate. Examples of the method for transferring an organic layer using a laser include a contact transfer method for a color control layer (for example, Patent Documents 6, 7, 8, and 9), and vapor deposition of a material using a laser, particularly a material for forming an organic layer. Methods (for example, Patent Documents 10 and 11) are disclosed. However, in any case, the organic electroluminescence element is formed and transferred by lamination, which may increase the size of the process.

このため、色変換層を有する基板を貼り合わせる色変換層基板の製造方法がプロセスの肥大化を招くことのない方法として提案されている。この色変換層基板の製造方法では、色変換層基板の形成で透明支持体を用い、その上に積層した有機層の吸収波長に相当するレーザー波長を用いて転写する方法がある(例えば、特許文献12)。   For this reason, the manufacturing method of the color conversion layer board | substrate which bonds the board | substrate which has a color conversion layer is proposed as a method which does not cause the enlargement of a process. In this method for producing a color conversion layer substrate, there is a method in which a transparent support is used for forming the color conversion layer substrate and transferred using a laser wavelength corresponding to the absorption wavelength of the organic layer laminated thereon (for example, a patent) Reference 12).

特開平3−152897号公報Japanese Patent Laid-Open No. 3-152897 特開平5−258860号公報JP-A-5-258860 特開平5−198921号公報Japanese Patent Laid-Open No. 5-198921 特開平9−208944号公報Japanese Patent Laid-Open No. 9-208944 特開2002−75643号公報JP 2002-75643 A 特開2005−100939号公報Japanese Patent Laid-Open No. 2005-100939 特開2002−75636号公報JP 2002-75636 A 特開2006−244729号公報JP 2006-244729 A 特表2007−511890号公報Special table 2007-511890 特開2005−5192号公報JP 2005-5192 A 特開2006−309995号公報JP 2006-309995 A 特開2008−16295号公報JP 2008-16295 A

しかし、透明支持体、例えばガラス基板を用いた転写法では、レーザー光がガラス基板を透過するものの、転写させたい有機層において光吸収が優勢に生じてしまう。このため、上記転写法では昇華させるためのエネルギーが不足し、転写基板側の透明支持体上に有機層の転写残りが多く発生してしまうと言う問題があった。また上記転写法では、エネルギー強度の強いレーザー光が直接有機分子に吸収されるために、製造環境によっては有機分子のダメージは非常に大きく、そのレーザーによる分解が発生し、色変換機能が失われてしまうと言う問題があった。   However, in the transfer method using a transparent support, for example, a glass substrate, although laser light passes through the glass substrate, light absorption occurs predominantly in the organic layer to be transferred. For this reason, the above transfer method has a problem that energy for sublimation is insufficient and a large amount of organic layer remains on the transparent support on the transfer substrate side. In the above transfer method, laser light with high energy intensity is directly absorbed by organic molecules, so the damage to organic molecules is very large depending on the production environment, the laser decomposes, and the color conversion function is lost. There was a problem to say.

本発明は、前記のような問題点を解決するために為されたものであって、有機分子を劣化させることなく、かつ転写残りがなく効率的に生産でき、高精細で所定の膜厚を有し、良好なパターニングが可能な色変換層を備えた色変換基板の製造方法を提供することを目的とする。
また本発明は、有機分子を劣化させることなく、かつ転写残りがなく効率的に生産でき、高精細で所定の膜厚を有し、良好なパターニングが可能な色変換層を有する色変換フィルタ基板の製造方法を提供することを目的とする。
さらに本発明は、上記色変換フィルタ基板を用いた有機電界発光素子の製造方法を提供することを目的とする。
The present invention has been made to solve the above-described problems, and can be efficiently produced without deteriorating organic molecules and without residual transfer, and has a predetermined film thickness with high definition. It is an object of the present invention to provide a method of manufacturing a color conversion substrate having a color conversion layer having a good patterning capability.
In addition, the present invention provides a color conversion filter substrate having a color conversion layer that can be efficiently produced without deteriorating organic molecules, having no transfer residue, having a high-definition predetermined film thickness, and capable of good patterning. It aims at providing the manufacturing method of.
A further object of the present invention is to provide a method for producing an organic electroluminescent element using the color conversion filter substrate.

本発明の色変換基板の製造方法は、所定波長のレーザー光を透過する支持基板上に光熱変換層を形成する工程(1)と、該光熱変換層が形成された支持基板上に色変換機能を有する材料を含む色変換層を形成して転写ドナー基板とする工程(2)と、前記転写ドナー基板の色変換層側に、前記転写ドナー基板と平行に、かつ離間させて透明支持体を配置する工程(3)と、前記転写ドナー基板の前記支持基板側からレーザー光を照射し、前記色変換機能を有する材料を前記透明支持体の所定位置に転写させて色変換層のパターンを形成する工程(4)とを備えてなる。   The method for producing a color conversion substrate of the present invention includes a step (1) of forming a photothermal conversion layer on a support substrate that transmits laser light of a predetermined wavelength, and a color conversion function on the support substrate on which the photothermal conversion layer is formed. Forming a color conversion layer containing a material having a transfer donor substrate (2), and a transparent support on the color conversion layer side of the transfer donor substrate in parallel with and spaced from the transfer donor substrate Step (3) of laying and irradiating laser light from the support substrate side of the transfer donor substrate to transfer the material having the color conversion function to a predetermined position of the transparent support to form a pattern of the color conversion layer Step (4).

また本発明の色変換フィルタ基板の製造方法は、所定波長のレーザー光を透過する支持基板上に光熱変換層を形成する工程(1)と、該光熱変換層が形成された支持基板上に色変換機能を有する材料を含む色変換層を形成して転写ドナー基板とする工程(2)と、前記色変換層が形成された転写ドナー基板と、基板上にカラーフィルタ層を形成したカラーフィルタ基板とを、前記カラーフィルタ層と前記色変換層とが対向するように平行に、かつ離間させて配置する工程(3)と、前記転写ドナー基板の前記支持基板側からレーザー光を照射し、前記色変換機能を有する材料を前記カラーフィルタ基板の所定位置に転写させて色変換層のパターンを形成する工程(4)とを備えてなる。   The method for producing a color conversion filter substrate of the present invention includes a step (1) of forming a photothermal conversion layer on a support substrate that transmits laser light of a predetermined wavelength, and a color on the support substrate on which the photothermal conversion layer is formed. Step (2) of forming a color conversion layer containing a material having a conversion function to form a transfer donor substrate, a transfer donor substrate having the color conversion layer formed thereon, and a color filter substrate having a color filter layer formed on the substrate Are arranged in parallel and spaced apart so that the color filter layer and the color conversion layer face each other, and laser light is irradiated from the support substrate side of the transfer donor substrate, And (4) forming a color conversion layer pattern by transferring a material having a color conversion function to a predetermined position of the color filter substrate.

さらに本発明の有機電界発光素子の製造方法は、一対の電極間に有機層が狭持された有機電界発光素子基板に上記の方法で製造された色変換フィルタ基板を貼り合わせることよりなる。   Furthermore, the manufacturing method of the organic electroluminescent element of this invention consists of bonding the color conversion filter board | substrate manufactured by said method to the organic electroluminescent element board | substrate with which the organic layer was pinched | interposed between a pair of electrodes.

本発明の色変換基板の製造方法によれば、色変換機能を劣化させることなく、高精細で均一な膜厚の色変換層を備えた色変換基板を製造できる。
また本発明の色変換フィルタ基板の製造方法によれば、色変換機能を劣化させることなく、高精細で均一な膜厚の色変換層を備えた色変換フィルタ基板を製造できる。
さらに本発明の有機電界発光素子の製造方法によれば、上記色変換フィルタ基板を用いた有機電界発光素子を製造できる。
According to the method for manufacturing a color conversion substrate of the present invention, it is possible to manufacture a color conversion substrate including a color conversion layer having a high-definition and uniform film thickness without deteriorating the color conversion function.
Further, according to the method for manufacturing a color conversion filter substrate of the present invention, a color conversion filter substrate having a color conversion layer having a high definition and a uniform film thickness can be manufactured without deteriorating the color conversion function.
Furthermore, according to the manufacturing method of the organic electroluminescent element of this invention, the organic electroluminescent element using the said color conversion filter substrate can be manufactured.

本発明に係る色変換基板の製造方法、色変換フィルタ基板の製造方法及び有機電界発光素子の製造方法について、図面に基づいて具体的に説明する。   A method for manufacturing a color conversion substrate, a method for manufacturing a color conversion filter substrate, and a method for manufacturing an organic electroluminescent element according to the present invention will be specifically described with reference to the drawings.

〔色変換基板の製造方法:第1の実施の形態〕
本発明の色変換基板の製造方法は、所定波長のレーザー光を透過する支持基板(11)上に光熱変換層(12)を形成する工程(1)と、該光熱変換層(12)が形成された支持基板(11)上に色変換機能を有する材料を含む色変換層(13)を形成して転写ドナー基板(10)とする工程(2)と、前記転写ドナー基板(10)の色変換層(13)側に、前記転写ドナー基板(10)と平行に、かつ離間させて透明支持体(20)を配置する工程(3)と、前記転写ドナー基板(10)の前記支持基板(11)側からレーザー光を照射し、前記色変換機能を有する材料を前記透明支持体(20)の所定位置に転写させて色変換層(13A)のパターンを形成する工程(4)とを備えてなる。
[Color Conversion Substrate Manufacturing Method: First Embodiment]
The method for producing a color conversion substrate of the present invention includes a step (1) of forming a photothermal conversion layer (12) on a support substrate (11) that transmits laser light of a predetermined wavelength, and the photothermal conversion layer (12) is formed. A step (2) of forming a color conversion layer (13) containing a material having a color conversion function on the support substrate (11) thus obtained to form a transfer donor substrate (10); and a color of the transfer donor substrate (10) A step (3) of disposing a transparent support (20) on the conversion layer (13) side in parallel with and away from the transfer donor substrate (10); and the support substrate (10) of the transfer donor substrate (10) 11) irradiating a laser beam from the side and transferring the material having the color conversion function to a predetermined position of the transparent support (20) to form a pattern of the color conversion layer (13A). It becomes.

図1は、本発明の第1の実施の形態である色変換基板の製造方法の概略工程図である。本発明の第1の実施の形態である色変換基板の製造方法は、下記において詳述する工程(1)乃至(4)を備えるものである。以下、各工程について各層の構成と共に説明する。   FIG. 1 is a schematic process diagram of a color conversion substrate manufacturing method according to a first embodiment of the present invention. The manufacturing method of the color conversion board | substrate which is the 1st Embodiment of this invention is equipped with process (1) thru | or (4) explained in full detail below. Hereafter, each process is demonstrated with the structure of each layer.

(工程1)
まず、工程(1)では、図1(1)に示すように、所定波長のレーザー光を透過する支持基板11上に、光熱変換層12を形成する。
(Process 1)
First, in step (1), as shown in FIG. 1 (1), a photothermal conversion layer 12 is formed on a support substrate 11 that transmits laser light having a predetermined wavelength.

《支持基板》
支持基板11は、後述する転写ドナー基板10を用いて行う転写において照射される所定波長のレーザー光hrを透過する材料からなる。例えば、このレーザー光hrとして、固体レーザー光源からの波長800nm程度のレーザー光を用いる場合には、ガラス基板を支持基板11として用いて良い。このとき、支持基板11の構成は、レーザー光hrを充分に透過し、また、当該支持基板11上に積層される層を支持可能な構成であれば良い。支持基板11としては、ガラス基板の他に、石英板、アクリル板等が挙げられる。
《Support substrate》
The support substrate 11 is made of a material that transmits a laser beam hr having a predetermined wavelength that is irradiated in transfer performed using the transfer donor substrate 10 described later. For example, when a laser beam having a wavelength of about 800 nm from a solid laser source is used as the laser beam hr, a glass substrate may be used as the support substrate 11. At this time, the configuration of the support substrate 11 may be any configuration as long as it can sufficiently transmit the laser beam hr and can support the layer stacked on the support substrate 11. Examples of the support substrate 11 include a quartz plate and an acrylic plate in addition to a glass substrate.

《光熱変換層》
光熱変換層12は、上記レーザー光hrを熱に変換する光熱変換効率が高く、かつ融点が高い材料を用いて構成される。例えば、レーザー光hrとして、先に示した波長800nm程度のレーザー光を用いる場合には、クロム(Cr)やモリブデン(Mo)等の低反射率で高融点の金属からなる光熱変換層12が好ましく用いられる。またこの光熱変換層12は、必要充分な光熱変換効率が得られるような膜厚に調整されていることが好ましく、通常50〜1000nmとする。ここで、例えばモリブデン(Mo)膜を光熱変換層12とする場合、膜厚200nm程度の均一な構成であることが好ましい。このような光熱変換層12は、例えばスパッタ成膜法によって形成されるが、本発明はこれに限定されるものではなく、公知の膜形成方法であれば良い。尚、光熱変換層12としては、上述した金属材料に限定されることはなく、光吸収材料として、金属フタロシアニン等の顔料を含有する膜や、フラーレン、カーボンナノチューブ等のカーボンからなる膜であっても良い。また、金属としてはクロムやモリブデンの他に、タングステン、タンタル等が挙げられる。光熱変換層12を設けることにより、工程(4)における色変換層13の転写を、転写残りを生じさせることなく、また色変換機能を損なうことなく、良好に行うことが可能となる。
《Photothermal conversion layer》
The photothermal conversion layer 12 is configured using a material having a high photothermal conversion efficiency for converting the laser beam hr into heat and a high melting point. For example, when the laser beam having the wavelength of about 800 nm shown above is used as the laser beam hr, the photothermal conversion layer 12 made of a metal having a low reflectance and a high melting point such as chromium (Cr) or molybdenum (Mo) is preferable. Used. In addition, the photothermal conversion layer 12 is preferably adjusted to have a film thickness that provides necessary and sufficient photothermal conversion efficiency, and is usually set to 50 to 1000 nm. Here, for example, when a molybdenum (Mo) film is used as the photothermal conversion layer 12, it is preferable to have a uniform structure with a film thickness of about 200 nm. Such a photothermal conversion layer 12 is formed by, for example, a sputtering film forming method, but the present invention is not limited to this, and any known film forming method may be used. The light-to-heat conversion layer 12 is not limited to the above-described metal materials, and the light-absorbing material is a film containing a pigment such as metal phthalocyanine or a film made of carbon such as fullerene or carbon nanotube. Also good. Examples of the metal include tungsten and tantalum in addition to chromium and molybdenum. By providing the photothermal conversion layer 12, the transfer of the color conversion layer 13 in the step (4) can be performed satisfactorily without causing a transfer residue and without impairing the color conversion function.

(工程2)
次に、図1(2)に示すように、工程(1)で作製された、光熱変換層12が設けられた支持基板11上に、さらに色変換機能を有する材料を含む色変換層13を光熱変換層12側に形成して転写ドナー基板10とする。
(Process 2)
Next, as shown in FIG. 1 (2), a color conversion layer 13 further including a material having a color conversion function is formed on the support substrate 11 provided with the photothermal conversion layer 12 manufactured in the step (1). A transfer donor substrate 10 is formed on the photothermal conversion layer 12 side.

《色変換層》
色変換層13は、転写ドナー基板10を用いた熱転写の際に、パターン化されて転写されるものであり、色変換機能を有する材料を含む有機材料層である。この色変換層13は、公知の方法で形成することができ、例えば、光熱変換層12上に色変換機能を有する材料を蒸着する方法が挙げられる。
色変換層13の膜厚は、好ましくは50nm〜5μm、より好ましくは100nm〜2μmである。膜厚が50nm未満であると光を吸収できないため好ましくない。また膜厚が5μmより大きいとレーザー転写が困難となるため好ましくない。
《Color conversion layer》
The color conversion layer 13 is an organic material layer containing a material having a color conversion function, which is transferred by being patterned during thermal transfer using the transfer donor substrate 10. The color conversion layer 13 can be formed by a known method. For example, a method of depositing a material having a color conversion function on the photothermal conversion layer 12 can be mentioned.
The film thickness of the color conversion layer 13 is preferably 50 nm to 5 μm, more preferably 100 nm to 2 μm. A film thickness of less than 50 nm is not preferable because it cannot absorb light. On the other hand, if the film thickness is larger than 5 μm, laser transfer becomes difficult, which is not preferable.

また、色変換層13は、例えば各色の発光性ゲスト材料とホスト材料とで構成されている。このうち発光性ゲスト材料は、蛍光性のものでも燐光性のものでもよい。またホスト材料は、正孔輸送性のホスト材料、電子輸送性のホスト材料、および両電荷輸送性のホスト材料のうちの少なくとも1種であることが好ましい。   The color conversion layer 13 is composed of, for example, a luminescent guest material and a host material for each color. Among these, the luminescent guest material may be fluorescent or phosphorescent. The host material is preferably at least one of a hole transporting host material, an electron transporting host material, and a charge transporting host material.

色変換層13におけるホスト材料の濃度は、全体の70重量%以上、好ましくは、80〜99.99重量%の量で存在することが望ましい。このような濃度範囲で存在することによって、色変換層13の入射光を充分に吸収して、吸収した光エネルギーを発光性のゲスト材料へとエネルギー移動することが可能となる。発光性のゲスト材料は、ホスト材料から移動されるエネルギーを受容し、光を放射させる色素である。   The concentration of the host material in the color conversion layer 13 is desirably 70% by weight or more, preferably 80 to 99.99% by weight. By existing in such a concentration range, it is possible to sufficiently absorb the incident light of the color conversion layer 13 and transfer the absorbed light energy to the light-emitting guest material. A luminescent guest material is a dye that receives energy transferred from a host material and emits light.

色変換層13における発光性のゲスト材料の濃度は、充分な変換光強度が得られることを条件として、目的とする用途に依存して変化し得る。一般的な用途の範囲においては、発光性のゲスト材料の濃度は、全体の0.01〜30重量%が好ましく、より好ましくは0.01〜20重量%、さらに好ましくは0.1〜10重量%である。発光性のゲスト材料の濃度が、全体の0.01重量%未満の場合や30重量%より高い場合であると、充分な変換光強度が得られない。   The concentration of the luminescent guest material in the color conversion layer 13 can vary depending on the intended application, provided that sufficient converted light intensity is obtained. In a general application range, the concentration of the luminescent guest material is preferably 0.01 to 30% by weight, more preferably 0.01 to 20% by weight, and still more preferably 0.1 to 10% by weight. %. When the concentration of the luminescent guest material is less than 0.01% by weight or higher than 30% by weight, sufficient converted light intensity cannot be obtained.

また本発明の色変換層13は、発光性ゲスト材料とホスト材料との混合層の構成に限られるものではなく、発光性ゲスト材料を含む層とホスト材料を含む層との積層構成であっても良い。
ホスト材料は、色変換層13への入射光、好ましくは有機電界発光素子(以下、有機EL素子とも称する)基板の発する青色〜青緑色の光を吸収し、吸収したエネルギーをゲスト材料に移動させる色素である。従って、ホスト材料の吸収スペクトルが有機EL素子基板の発光スペクトルと重なっていることが望ましく、ホスト材料の吸収極大と有機EL素子基板の発光スペクトルの極大とが重なっている(一致している)ことがより望ましい。また、ホスト材料の発光スペクトルがゲスト材料の吸収スペクトルと重なっていることが望ましく、ホスト材料の発光スペクトルの極大とゲスト材料の吸収極大とが重なっている(一致している)ことがより望ましい。従って、ゲスト材料が放射する光は、ホスト材料が吸収する光よりも長波長である。
Further, the color conversion layer 13 of the present invention is not limited to the configuration of the mixed layer of the luminescent guest material and the host material, and is a laminated configuration of a layer including the luminescent guest material and a layer including the host material. Also good.
The host material absorbs light incident on the color conversion layer 13, preferably blue to blue-green light emitted from an organic electroluminescent element (hereinafter also referred to as organic EL element) substrate, and moves the absorbed energy to the guest material. It is a pigment. Therefore, it is desirable that the absorption spectrum of the host material overlaps with the emission spectrum of the organic EL element substrate, and the absorption maximum of the host material overlaps with the maximum of the emission spectrum of the organic EL element substrate. Is more desirable. In addition, it is desirable that the emission spectrum of the host material overlaps with the absorption spectrum of the guest material, and it is more desirable that the maximum of the emission spectrum of the host material and the absorption maximum of the guest material overlap (match). Therefore, the light emitted by the guest material has a longer wavelength than the light absorbed by the host material.

ホスト材料として好適に用いることができる色素は、トリス(8−キノリノラト)アルミニウム、ビス(8−キノリノラト)マグネシウム、ビス(ベンゾ{f}−8−キノリノラト)亜鉛、ビス(2−メチル−8−キノリノラト)アルミニウムオキシド、トリス(8−キノリノラト)インジウム、トリス(5−メチル−8−キノリノラト)アルミニウム、トリス(5−クロロ−8−キノリノラト)ガリウム、5,7−ジクロル−8−キノリノラトアルミニウム、トリス(5,7−ジブロモ−8−ヒドロキシキノリノラト)アルミニウムなどのアルミニウム錯体、ガリウム錯体、亜鉛錯体、インジウム錯体が挙げられる。また、フェニレン核、ナフタレン核、アントラセン核、ピレン核、ナフタセン核、クリセン核もしくはペリレン核から構成される芳香族炭化水素化合物もホスト材料として好適に用いることができ、具体的には9,10−ジフェニルアントラセン、9,10−ジ(1−ナフチル)アントラセン、9,10−ジ(2−ナフチル)アントラセン、1,6−ジフェニルピレン、1,6−ジ(1−ナフチル)ピレン、1,6−ジ(2−ナフチル)、1,8−ジフェニルピレン、1,8−ジ(1−ナフチル)ピレン、1,8−ジ(2−ナフチル)ピレン、ルブレン、6,12−ジフェニルクリセン、6,12−ジ(1−ナフチル)クリセン、6,12−ジ(2−ナフチル)クリセン等がある。さらに、3−(2−ベンゾチアゾリル)−7−ジエチルアミノクマリン(クマリン6)、3−(2−ベンゾイミダゾリル)−7−ジエチルアミノクマリン(クマリン7)、クマリン135などのクマリン系色素もホスト材料として好適に用いることができる。あるいは、ソルベントイエロー43、ソルベントイエロー44のようなナフタルイミド系色素を、ホスト材料として用いても良い。   Dyes that can be suitably used as the host material include tris (8-quinolinolato) aluminum, bis (8-quinolinolato) magnesium, bis (benzo {f} -8-quinolinolato) zinc, bis (2-methyl-8-quinolinolato). ) Aluminum oxide, tris (8-quinolinolato) indium, tris (5-methyl-8-quinolinolato) aluminum, tris (5-chloro-8-quinolinolato) gallium, 5,7-dichloro-8-quinolinolato aluminum, tris Aluminum complexes such as (5,7-dibromo-8-hydroxyquinolinolato) aluminum, gallium complexes, zinc complexes, and indium complexes are exemplified. An aromatic hydrocarbon compound composed of a phenylene nucleus, a naphthalene nucleus, an anthracene nucleus, a pyrene nucleus, a naphthacene nucleus, a chrysene nucleus or a perylene nucleus can also be suitably used as a host material. Diphenylanthracene, 9,10-di (1-naphthyl) anthracene, 9,10-di (2-naphthyl) anthracene, 1,6-diphenylpyrene, 1,6-di (1-naphthyl) pyrene, 1,6- Di (2-naphthyl), 1,8-diphenylpyrene, 1,8-di (1-naphthyl) pyrene, 1,8-di (2-naphthyl) pyrene, rubrene, 6,12-diphenylchrysene, 6,12 -Di (1-naphthyl) chrysene, 6,12-di (2-naphthyl) chrysene and the like. Further, coumarin dyes such as 3- (2-benzothiazolyl) -7-diethylaminocoumarin (coumarin 6), 3- (2-benzimidazolyl) -7-diethylaminocoumarin (coumarin 7), coumarin 135 and the like are also preferably used as the host material. be able to. Alternatively, naphthalimide dyes such as Solvent Yellow 43 and Solvent Yellow 44 may be used as the host material.

ここで、例えばこの転写ドナー基板10が、青色の発光層を形成するための転写ドナー基板10bである場合、色変換層13として青色の発光材料を含む青色変換層13bが設けられている。この青色変換層13bは、例えば電子輸送性のホスト材料であるADN(anthracene dinaphtyl)に、青色発光性のゲスト材料である4,4’−ビス[2−{4−(N,N−ジフェニルアミノ)フェニル}ビニル]ビフェニル(DPAVBi)を2.5重量%で混合した材料によって構成され、300nm程度の膜厚で蒸着成膜されている。   Here, for example, when the transfer donor substrate 10 is a transfer donor substrate 10b for forming a blue light emitting layer, a blue conversion layer 13b containing a blue light emitting material is provided as the color conversion layer 13. This blue conversion layer 13b is formed, for example, on ADN (anthracene dinaphtyl) which is an electron transporting host material and 4,4′-bis [2- {4- (N, N-diphenylamino) which is a blue light emitting guest material. ) Phenyl} vinyl] biphenyl (DPAVBi) mixed at 2.5% by weight, and deposited by evaporation with a film thickness of about 300 nm.

また、この転写ドナー基板10が、緑色の発光層を形成するための転写ドナー基板10gである場合、色変換層13として緑色の発光材料を含む緑色変換層13gが設けられている。この緑色変換層13gは、例えば上記ADNに、緑色発光性のゲスト材料である3−(2−ベンゾチアゾリル)−7−ジエチルアミノクマリン(クマリン6)を5重量%で混合した材料によって構成され、300nm程度の膜厚で蒸着成膜されている。   When the transfer donor substrate 10 is a transfer donor substrate 10g for forming a green light emitting layer, a green conversion layer 13g containing a green light emitting material is provided as the color conversion layer 13. The green conversion layer 13g is made of, for example, a material obtained by mixing 5% by weight of 3- (2-benzothiazolyl) -7-diethylaminocoumarin (coumarin 6), which is a green light emitting guest material, with the above ADN, and has a thickness of about 300 nm. The film is formed by vapor deposition.

同様に、この転写ドナー基板10が、赤色の発光層を形成するための転写ドナー基板10rである場合、色変換層13として赤色の発光材料を含む赤色変換層13rが設けられている。この赤色変換層13rは、例えば上記ADNに、赤色発光性のゲスト材料である2,6−ビス[(4’−メトキシジフェニルアミノ)スチリル]−1,5−ジシアノナフタレン(BSN)を30重量%で混合した材料によって構成され、300nm程度の膜厚で蒸着成膜されている。   Similarly, when the transfer donor substrate 10 is a transfer donor substrate 10 r for forming a red light emitting layer, a red conversion layer 13 r containing a red light emitting material is provided as the color conversion layer 13. The red conversion layer 13r is formed by adding 30% by weight of 2,6-bis [(4′-methoxydiphenylamino) styryl] -1,5-dicyanonaphthalene (BSN), which is a red light emitting guest material, to the ADN, for example. And is formed by vapor deposition with a film thickness of about 300 nm.

また、赤色発光性のゲスト材料としては、BSNのほかには、4−ジシアノメチレン−2−メチル−6−(p−ジメチルアミノスチリル)−4H−ピラン(DCM−1、(I))、DCM−2(II)、およびDCJTB(III)などのシアニン色素;4,4−ジフルオロ−1,3,5,7−テトラフェニル−4−ボラ−3a,4a−ジアザ−s−インダセン(IV)、ルモゲンFレッド、ナイルレッド(V)などを用いても良い。あるいは、ローダミンB、ローダミン6Gなどのキサンテン系色素、またはピリジン1などのピリジン系色素を用いても良い。   In addition to BSN, red-light emitting guest materials include 4-dicyanomethylene-2-methyl-6- (p-dimethylaminostyryl) -4H-pyran (DCM-1, (I)), DCM -2 (II), and cyanine dyes such as DCJTB (III); 4,4-difluoro-1,3,5,7-tetraphenyl-4-bora-3a, 4a-diaza-s-indacene (IV), Lumogen F red, Nile red (V), etc. may be used. Alternatively, xanthene dyes such as rhodamine B and rhodamine 6G, or pyridine dyes such as pyridine 1 may be used.

《拡散防止層》
工程2においては、色変換層13を形成する前に、図2に示すような拡散防止層14を光熱変換層12に積層形成し、しかる後に色変換層13を形成しても良い。拡散防止層14を形成することで、光熱変換層12を構成する材料の拡散を防ぐことができると言う利点がある。
<Diffusion prevention layer>
In step 2, a diffusion preventing layer 14 as shown in FIG. 2 may be laminated on the photothermal conversion layer 12 before the color conversion layer 13 is formed, and then the color conversion layer 13 may be formed. By forming the diffusion preventing layer 14, there is an advantage that the diffusion of the material constituting the photothermal conversion layer 12 can be prevented.

図2は、本発明に係る色変換基板の製造方法の第1の実施の形態における転写ドナー基板の構成の変形例であって、拡散防止層14を備えた転写ドナー基板10の構成を説明するための断面概略図である。
拡散防止層14は、公知の形成方法で形成することができ、例えばプラズマCVD法やスパッタ法によって形成される。膜厚は50nm〜5μmであることが好ましい。
FIG. 2 is a modified example of the configuration of the transfer donor substrate in the first embodiment of the method for manufacturing a color conversion substrate according to the present invention, and describes the configuration of the transfer donor substrate 10 provided with the diffusion prevention layer 14. FIG.
The diffusion prevention layer 14 can be formed by a known formation method, for example, a plasma CVD method or a sputtering method. The film thickness is preferably 50 nm to 5 μm.

拡散防止層14は、光熱変換層12を構成する材料の拡散を防止するための層として設けられている。このような拡散防止層14は、熱伝導性に優れ、光や熱に対して安定な材料で構成することが好ましい。例えばシリコンの窒化物、またはシリコンの酸化物で構成される。具体的には、酸化シリコン膜(SiO)、窒化シリコン膜(SiNx)、酸窒化シリコン膜(SiONx)などが挙げられる。特に、窒化シリコン膜(SiNx)は、緻密な膜構成での成膜が可能であると共に、この拡散防止層14の影響による色変換層13や光熱変換層12の酸化も防止できるため好ましい。また拡散防止層14は、窒化チタン(TiN)や酸窒化チタン(TiON)などの金属の酸化膜または窒化膜で構成されていても良く、さらには有機材料で構成されていても良い。有機材料を用いる場合には、例えば十分に架橋が進んだポリイミドなど、耐熱性の良好な材料が用いられることが好ましい。また拡散防止層14は、上記した材料膜の積層体であっても良い。 The diffusion prevention layer 14 is provided as a layer for preventing diffusion of the material constituting the photothermal conversion layer 12. Such a diffusion preventing layer 14 is preferably made of a material that is excellent in thermal conductivity and stable to light and heat. For example, it is made of silicon nitride or silicon oxide. Specifically, a silicon oxide film (SiO 2 ), a silicon nitride film (SiNx), a silicon oxynitride film (SiONx), and the like can be given. In particular, a silicon nitride film (SiNx) is preferable because it can be formed in a dense film configuration and can also prevent oxidation of the color conversion layer 13 and the photothermal conversion layer 12 due to the influence of the diffusion prevention layer 14. The diffusion preventing layer 14 may be made of a metal oxide film or nitride film such as titanium nitride (TiN) or titanium oxynitride (TiON), and may be made of an organic material. In the case of using an organic material, it is preferable to use a material having good heat resistance such as polyimide having sufficiently advanced crosslinking. The diffusion preventing layer 14 may be a laminate of the material films described above.

(工程3)
さらに、図1(3)に示すように、工程(2)で作製された転写ドナー基板10の色変換層13側に、転写ドナー基板10と平行に、かつ離間させて透明支持体20を配置する。
色変換層13を積層した転写ドナー基板10は、当該色変換層13側において、透明支持体20に対して100nm〜5μm離間して配置されることが好ましい。
(Process 3)
Further, as shown in FIG. 1 (3), a transparent support 20 is arranged in parallel to and spaced from the transfer donor substrate 10 on the color conversion layer 13 side of the transfer donor substrate 10 produced in the step (2). To do.
It is preferable that the transfer donor substrate 10 on which the color conversion layer 13 is laminated is disposed at a distance of 100 nm to 5 μm from the transparent support 20 on the color conversion layer 13 side.

(工程4)
前記工程(3)の後、図1(4)に示すように、転写ドナー基板10の支持基板11側からレーザー光hrを照射し、色変換機能を有する材料を透明支持体20の所定位置に転写させてパターン化された色変換層13Aを形成することで色変換基板を作製する。
ここで、所定の位置とは透明支持体20上に所望のパターン化された色変換層13Aを形成するに際し、このパターン化された色変換層13Aを形成すべき透明支持体20上の位置を指す。
(Process 4)
After the step (3), as shown in FIG. 1 (4), a laser beam hr is irradiated from the support substrate 11 side of the transfer donor substrate 10, and a material having a color conversion function is placed at a predetermined position on the transparent support 20. A color conversion substrate is produced by forming a color conversion layer 13A that is patterned by transfer.
Here, the predetermined position refers to a position on the transparent support 20 where the patterned color conversion layer 13A is to be formed when the desired color conversion layer 13A is formed on the transparent support 20. Point to.

《透明支持体》
透明支持体20は、後述する色変換層13が転写形成されてなるパターン化された色変換層13Aを支持するものである。透明支持体20の構成は、パターン化された色変換層13Aから入射する光を充分に透過し、また、当該透明支持体20上に積層される層を支持可能な構成であれば良い。通常、ガラス板、石英板、アクリル板等からなる板状のものが透明支持体20として用いられ、その厚さは0.1〜10mmである。
《Transparent support》
The transparent support 20 supports a patterned color conversion layer 13A formed by transferring a color conversion layer 13 described later. The configuration of the transparent support 20 may be any configuration that can sufficiently transmit the light incident from the patterned color conversion layer 13 </ b> A and can support the layer laminated on the transparent support 20. Usually, a plate-like member made of a glass plate, a quartz plate, an acrylic plate, or the like is used as the transparent support 20, and the thickness thereof is 0.1 to 10 mm.

本発明のレーザー光hrの波長は、好ましくは800〜1000nmである。また、レーザー光hrの強度は、例えばエネルギー密度は、0.1E-3mJ/μm〜10E-3mJ/μmであり、照射時間は例えば1μs〜10sである。レーザー光hrの強度および照射時間は、良好な転写形成をするものであれば良く、色変換層13に用いられる色変換機能を有する材料、支持基板11の材質等に応じて決定される。 The wavelength of the laser beam hr of the present invention is preferably 800 to 1000 nm. The intensity of the laser beam hr is, for example, energy density is 0.1E −3 mJ / μm 2 to 10E −3 mJ / μm 2 , and the irradiation time is 1 μs to 10 s, for example. The intensity and irradiation time of the laser beam hr are not particularly limited as long as they can form a good transfer, and are determined according to the material having the color conversion function used for the color conversion layer 13, the material of the support substrate 11, and the like.

工程(4)において形成されるパターン化された色変換層13Aの膜厚は、100nm〜10μmであることが好ましい。
本発明は、1回の転写でパターン化された色変換層13Aを形成しても良く、複数回の転写でパターン化された色変換層13Aを形成しても良い。
1回の転写を行うだけでは所望の膜厚のパターン化された色変換層13Aが得られない場合は、前記工程(4)の転写を複数回行いパターン化された色変換層13Aを形成することが好ましい。
The film thickness of the patterned color conversion layer 13A formed in the step (4) is preferably 100 nm to 10 μm.
In the present invention, the color conversion layer 13A patterned by one transfer may be formed, or the color conversion layer 13A patterned by a plurality of transfers may be formed.
When the patterned color conversion layer 13A having a desired film thickness cannot be obtained by performing only one transfer, the patterned color conversion layer 13A is formed by performing the transfer in the step (4) a plurality of times. It is preferable.

工程(4)を繰り返して転写を複数回の行う際には、透明支持体20の位置を変更せずに、転写ドナー基板10を移動させて転写を複数回行い、パターン化された色変換層13Aを形成する。このとき、初回(各色における初回)の転写時においてアライメントを行うことが好ましい。このアライメントは、転写ドナー基板10及び透明支持体20に位置調整のために形成されているアライメントマーク(不図示)を用いて行うことが好ましい。   When the transfer is performed a plurality of times by repeating the step (4), the transfer donor substrate 10 is moved and the transfer is performed a plurality of times without changing the position of the transparent support 20, and a patterned color conversion layer is formed. 13A is formed. At this time, it is preferable to perform alignment at the first transfer (first transfer in each color). This alignment is preferably performed using alignment marks (not shown) formed on the transfer donor substrate 10 and the transparent support 20 for position adjustment.

本発明の色変換基板の製造方法では、異なる種類の色変換機能を有する材料を用いて前記工程(1)乃至(4)(工程(4)が複数回行われる場合も含む)を繰り返し行うことで、色の異なる複数のパターン化された色変換層13Aを転写形成できる。特に、緑色転写ドナー基板10g、及び赤色転写ドナー基板10rの夫々について前記工程(1)乃至(4)を繰り返し行い、1の透明支持体20上に2色のパターン化された色変換層13Aを転写形成することが好ましい。または、これに加えてさらに青色転写ドナー基板10bについて前記工程(1)乃至(4)を行い、1の透明支持体20上に3色のパターン化された色変換層13Aを転写形成することが好ましい。即ち、緑色転写ドナー基板10bを用いることでパターン化された緑色変換層13Agが、及び赤色転写ドナー基板10bを用いることでパターン化された赤色変換層13Arが、透明支持体20上に夫々転写形成される。または、これに加えてさらに青色転写ドナー基板10bを用いることでパターン化された青色変換層13Abが、透明支持体20上に転写形成される。   In the method for producing a color conversion substrate of the present invention, the steps (1) to (4) (including the case where the step (4) is performed a plurality of times) are repeatedly performed using different types of materials having color conversion functions. Thus, a plurality of patterned color conversion layers 13A having different colors can be transferred and formed. In particular, the steps (1) to (4) are repeated for each of the green transfer donor substrate 10g and the red transfer donor substrate 10r to form a two-color patterned color conversion layer 13A on one transparent support 20. It is preferable to perform transfer formation. In addition to this, the steps (1) to (4) are further performed on the blue transfer donor substrate 10b to transfer and form the three-color patterned color conversion layer 13A on one transparent support 20. preferable. That is, the green conversion layer 13Ag patterned by using the green transfer donor substrate 10b and the red conversion layer 13Ar patterned by using the red transfer donor substrate 10b are transferred and formed on the transparent support 20, respectively. Is done. Alternatively, in addition to this, a blue conversion layer 13Ab patterned by using the blue transfer donor substrate 10b is transferred and formed on the transparent support 20.

得られた色変換基板は、そのまま用いても良いし、後述するような保護層を積層したものとして用いても良い。   The obtained color conversion substrate may be used as it is, or may be used as a laminate of protective layers as described later.

〔色変換フィルタ基板の製造方法:第2の実施の形態〕
本発明の色変換フィルタ基板の製造方法は、所定波長のレーザー光を透過する支持基板(11)上に光熱変換層(12)を形成する工程(1)と、該光熱変換層(12)が形成された支持基板(11)上に色変換機能を有する材料を含む色変換層(13)を形成して転写ドナー基板(10)とする工程(2)と、前記色変換層(13)が形成された転写ドナー基板(10)と、基板上にカラーフィルタ層(21)とを形成したカラーフィルタ基板(22)を、前記カラーフィルタ層(21)と前記色変換層(13)とが対向するように平行に、かつ離間させて配置する工程(3)と、前記転写ドナー基板(10)の前記支持基板(11)側からレーザー光を照射し、前記色変換機能を有する材料を前記カラーフィルタ基板(22)の所定位置に転写させて色変換層(13A)のパターンを形成する工程(4)とを備えてなる。
[Manufacturing Method of Color Conversion Filter Substrate: Second Embodiment]
The method for producing a color conversion filter substrate of the present invention includes a step (1) of forming a photothermal conversion layer (12) on a support substrate (11) that transmits laser light of a predetermined wavelength, and the photothermal conversion layer (12) A step (2) of forming a color conversion layer (13) containing a material having a color conversion function on the formed support substrate (11) to form a transfer donor substrate (10), and the color conversion layer (13) The formed transfer donor substrate (10) and the color filter substrate (22) on which the color filter layer (21) is formed are opposed to the color filter layer (21) and the color conversion layer (13). The step (3) of arranging the color conversion function in parallel and spaced apart from each other, and irradiating a laser beam from the side of the support substrate (11) of the transfer donor substrate (10) to form the color conversion material as the color A predetermined position of the filter substrate (22) By transferring comprising a step (4) of forming a pattern of color conversion layer (13A).

図3は、本発明の第2の実施の形態である色変換フィルタ基板25の製造方法の概略工程図である。
また本実施の形態では、上述した第1の実施の形態と重複する説明については省略する。即ち、本実施の形態における工程(1)及び(2)と、第1の実施の形態における工程(1)及び(2)とは同一であるので、本実施の形態において上述した第1の実施の形態と相違する工程(3)及び(4)について、各層の構成と共に以下に説明する。また、図1(1)及び(2)と、図3(1)及び(2)との関係についても、同様に同一であるので、説明を省略する。
FIG. 3 is a schematic process diagram of the method for manufacturing the color conversion filter substrate 25 according to the second embodiment of the present invention.
In the present embodiment, the description overlapping with that of the first embodiment described above is omitted. That is, since the steps (1) and (2) in the present embodiment are the same as the steps (1) and (2) in the first embodiment, the first implementation described above in the present embodiment is performed. Steps (3) and (4) that are different from the above embodiment will be described below together with the structure of each layer. The relationship between FIGS. 1 (1) and (2) and FIGS. 3 (1) and (2) is also the same, and the description thereof is omitted.

(工程3)
図3(3)に示すように、説明を省略した工程(2)の後、この工程(2)で作製された転写ドナー基板10の色変換層13側に、転写ドナー基板10と平行に、かつ離間させて、基板上にカラーフィルタ層21を形成したカラーフィルタ基板22を、前記カラーフィルタ層21と前記色変換層13とが対向するように配置する。
転写ドナー基板10は、カラーフィルタ層21に対して100nm〜5μm離間して配置されることが好ましい。
(Process 3)
As shown in FIG. 3 (3), after the step (2) whose description is omitted, on the color conversion layer 13 side of the transfer donor substrate 10 produced in this step (2), in parallel with the transfer donor substrate 10, The color filter substrate 22 having the color filter layer 21 formed on the substrate is disposed so that the color filter layer 21 and the color conversion layer 13 face each other.
It is preferable that the transfer donor substrate 10 is disposed so as to be separated from the color filter layer 21 by 100 nm to 5 μm.

《カラーフィルタ基板》
本発明のカラーフィルタ基板22は、その上に後述するカラーフィルタ層21が形成されてなる。カラーフィルタ基板22の構成は、有機電界発光素子基板等から出射される光を充分に透過し、また、当該カラーフィルタ基板22上にカラーフィルタ層21を支持可能な構成であれば良い。通常、ガラス板、石英板、アクリル板等からなる板状のものがカラーフィルタ基板22として用いられる。
<Color filter substrate>
The color filter substrate 22 of the present invention has a color filter layer 21 described later formed thereon. The configuration of the color filter substrate 22 may be any configuration as long as it can sufficiently transmit light emitted from an organic electroluminescent element substrate or the like and can support the color filter layer 21 on the color filter substrate 22. Usually, a plate-shaped substrate made of a glass plate, a quartz plate, an acrylic plate or the like is used as the color filter substrate 22.

《カラーフィルタ層》
本発明ではカラーフィルタ基板22上にカラーフィルタ層21が形成されている。カラーフィルタ層21は、色の異なる複数のカラーフィルタ部を有するカラーフィルタ層21が形成されていることが好ましい。特に、カラーフィルタ基板22上に緑色カラーフィルタ部21g、赤色カラーフィルタ部21r、及び青色カラーフィルタ部21bの三色からなるカラーフィルタ層21が形成されていることが好ましい。緑色、赤色、および青色のカラーフィルタ部21g,r,bが形成されたカラーフィルタ層21を有するカラーフィルタ基板22とすることで、フルカラー表示が可能な構成となる。
<Color filter layer>
In the present invention, the color filter layer 21 is formed on the color filter substrate 22. The color filter layer 21 is preferably formed with a color filter layer 21 having a plurality of color filter portions having different colors. In particular, it is preferable that the color filter layer 21 composed of three colors of the green color filter portion 21g, the red color filter portion 21r, and the blue color filter portion 21b is formed on the color filter substrate 22. By using the color filter substrate 22 having the color filter layer 21 in which the color filter portions 21g, r, and b of green, red, and blue are formed, a configuration capable of full color display is obtained.

本発明のカラーフィルタ層21は、層厚が0.1〜5μmであることが好ましい。   The color filter layer 21 of the present invention preferably has a layer thickness of 0.1 to 5 μm.

また本発明のカラーフィルタ層21には、フラットパネルディスプレイ用材料として市販されている任意の材料を用いることができる。さらに本発明のカラーフィルタ層21は、これらの材料に対応した既知の方法によって塗布及びパターン化を行うことによって形成することができる。   Further, for the color filter layer 21 of the present invention, any material commercially available as a flat panel display material can be used. Further, the color filter layer 21 of the present invention can be formed by coating and patterning by a known method corresponding to these materials.

(工程4)
前記工程(3)の後、図3(4)に示すように、転写ドナー基板10の支持基板11側からレーザー光hrを照射し、色変換機能を有する材料をカラーフィルタ基板22の所定位置に転写させてパターン化された色変換層13Aを形成することで色変換フィルタ基板を作製する。
ここで、所定の位置とはカラーフィルタ基板22上に所望のパターン化された色変換層13Aを形成するに際し、パターン化された色変換層13Aを形成すべきカラーフィルタ基板22上の位置を指す。
(Process 4)
After the step (3), as shown in FIG. 3 (4), a laser beam hr is irradiated from the side of the support donor 11 of the transfer donor substrate 10 to place a material having a color conversion function on a predetermined position of the color filter substrate 22. A color conversion filter substrate is produced by forming a color conversion layer 13A that is patterned by transfer.
Here, the predetermined position refers to a position on the color filter substrate 22 where the patterned color conversion layer 13A is to be formed when the desired color conversion layer 13A is formed on the color filter substrate 22. .

ここで、本発明のレーザー光hrの波長は、好ましくは800〜1000nmである。また、レーザー光hrの強度は、例えばエネルギー密度は、0.1E-3mJ/μm〜10E-3mJ/μmであり、照射時間は例えば1μs〜10sである。レーザー光hrの強度および照射時間は、良好な転写形成をするものであれば良く、色変換層13に用いられる色変換機能を有する材料、支持基板11の材質等に応じて決定される。 Here, the wavelength of the laser beam hr of the present invention is preferably 800 to 1000 nm. The intensity of the laser beam hr is, for example, energy density is 0.1E −3 mJ / μm 2 to 10E −3 mJ / μm 2 , and the irradiation time is 1 μs to 10 s, for example. The intensity and irradiation time of the laser beam hr are not particularly limited as long as they can form a good transfer, and are determined according to the material having the color conversion function used for the color conversion layer 13, the material of the support substrate 11, and the like.

工程(4)において形成されるパターン化された色変換層13Aの膜厚は、100nm〜10μmであることが好ましい。
本発明は、1回の転写でパターン化された色変換層13Aを形成しても良く、複数回の転写でパターン化された色変換層13Aを形成しても良い。
1回の転写を行うだけでは所望の膜厚のパターン化された色変換層13Aが得られない場合は、前記工程(4)の転写を複数回行いパターン化された色変換層13Aを形成することが好ましい。
The film thickness of the patterned color conversion layer 13A formed in the step (4) is preferably 100 nm to 10 μm.
In the present invention, the color conversion layer 13A patterned by one transfer may be formed, or the color conversion layer 13A patterned by a plurality of transfers may be formed.
When the patterned color conversion layer 13A having a desired film thickness cannot be obtained by performing only one transfer, the patterned color conversion layer 13A is formed by performing the transfer in the step (4) a plurality of times. It is preferable.

工程(4)を繰り返して転写を複数回の行う際には、カラーフィルタ基板22の所定位置を変更せずに、転写ドナー基板10を移動させて転写を複数回行い、パターン化された色変換層13Aを形成する。このとき、初回(各色における初回)の転写時においてアライメントを行うことが好ましい。このアライメントは、転写ドナー基板10及びカラーフィルタ基板22に位置調整のために形成されているアライメントマーク(不図示)を用いて行うことが好ましい。   When the transfer is performed a plurality of times by repeating step (4), the transfer donor substrate 10 is moved and the transfer is performed a plurality of times without changing the predetermined position of the color filter substrate 22, and a patterned color conversion is performed. Layer 13A is formed. At this time, it is preferable to perform alignment at the first transfer (first transfer in each color). This alignment is preferably performed using alignment marks (not shown) formed on the transfer donor substrate 10 and the color filter substrate 22 for position adjustment.

本発明の色変換フィルタ基板の製造方法では、異なる種類の色変換機能を有する材料を用いて前記工程(1)乃至(4)(工程(4)が複数回行われる場合も含む)を繰り返し行うことで、色の異なる複数のパターン化された色変換層13Aを転写形成できる。特に、緑色転写ドナー基板10g、及び赤色転写ドナー基板10rの夫々について前記工程(1)乃至(4)を繰り返し行い、1のカラーフィルタ基板22上に2色のパターン化された色変換層13Aを転写形成することが好ましい。または、これに加えてさらに青色転写ドナー基板10bついて前記工程(1)乃至(4)を行い、1のカラーフィルタ基板22上に3色のパターン化された色変換層13Aを転写形成することが好ましい。即ち、緑色転写ドナー基板10bを用いることでパターン化された緑色変換層13Agが、及び赤色転写ドナー基板10bを用いることでパターン化された赤色変換層13Arが、カラーフィルタ層21上に夫々転写形成される。または、これに加えてさらに青色転写ドナー基板10bを用いることでパターン化された青色変換層13Abが、カラーフィルタ層21上に転写形成される。尚、各色の何れにおいても、パターン化された色変換層13Aは、当該パターン化された色変換層13Aと同色のカラーフィルタ部(所定のカラーフィルタ部)上に形成される。   In the method for manufacturing a color conversion filter substrate of the present invention, the steps (1) to (4) (including the case where the step (4) is performed a plurality of times) are repeatedly performed using different types of materials having color conversion functions. Thus, a plurality of patterned color conversion layers 13A having different colors can be transferred and formed. In particular, the steps (1) to (4) are repeated for each of the green transfer donor substrate 10g and the red transfer donor substrate 10r to form a two-color patterned color conversion layer 13A on one color filter substrate 22. It is preferable to perform transfer formation. Alternatively, in addition, the steps (1) to (4) are further performed on the blue transfer donor substrate 10b to transfer and form a three-color patterned color conversion layer 13A on one color filter substrate 22. preferable. That is, the green conversion layer 13Ag patterned by using the green transfer donor substrate 10b and the red conversion layer 13Ar patterned by using the red transfer donor substrate 10b are formed on the color filter layer 21, respectively. Is done. Alternatively, in addition to this, a blue conversion layer 13Ab patterned by using the blue transfer donor substrate 10b is transferred and formed on the color filter layer 21. In each color, the patterned color conversion layer 13A is formed on the color filter portion (predetermined color filter portion) of the same color as the patterned color conversion layer 13A.

また本発明では、緑色カラーフィルタ部21gには緑色に変換されるパターン化された緑色変換層13Agを形成し、赤色カラーフィルタ部21rには赤色に変換されるパターン化された赤色変換層13Arを形成し、青色カラーフィルタ部21bには色変換層を形成しない構成が好ましい。青色発光源を用いることで、青色カラーフィルタ部21bを透過して出射された光が青色光となるため、色変換機能は不要となり、青色カラーフィルタ部21b上に色変換層を形成しなくても青色光を得ることができる。即ち、かかる構成とすることで、青色変換層を有しない安価で簡易な構成であっても青色カラーフィルタ部21bから青色光を出射することができる。   In the present invention, the green color filter portion 21g is formed with a patterned green conversion layer 13Ag that is converted into green, and the red color filter portion 21r is formed with a patterned red conversion layer 13Ar that is converted into red. A configuration in which the color conversion layer is not formed in the blue color filter portion 21b is preferable. By using the blue light emitting source, the light emitted through the blue color filter portion 21b becomes blue light, so that the color conversion function becomes unnecessary, and no color conversion layer is formed on the blue color filter portion 21b. Even blue light can be obtained. That is, with such a configuration, it is possible to emit blue light from the blue color filter portion 21b even with an inexpensive and simple configuration that does not have a blue conversion layer.

《その他の構成》
尚、本発明の色変換フィルタ基板の製造方法では、本発明の効果を損なわない範囲で、上記カラーフィルタ層21以外の層を備えた構成の色変換フィルタ基板25としても良い。
例えば、本発明の色変換フィルタ基板25は、色変換層13側全面に、可視域における透明性と、電気絶縁性と、水分、酸素及び低分子成分に対するバリア性とを有するポリマー材料からなる保護層24(図5参照)をさらに積層してプロテクトする構成としても良い。この保護層24は、色変換フィルタ基板25における上面(カラーフィルタ基板22の反対面)を平坦化する作用もある。
保護層24を形成するポリマー材料としては熱硬化型エポキシ樹脂、ウレタン樹脂等が挙げられる。
保護層24は、膜厚1〜100μmであることが好ましい。
<Other configuration>
In addition, in the manufacturing method of the color conversion filter board | substrate of this invention, it is good also as the color conversion filter board | substrate 25 of the structure provided with layers other than the said color filter layer 21 in the range which does not impair the effect of this invention.
For example, the color conversion filter substrate 25 of the present invention is a protection made of a polymer material that has transparency in the visible range, electrical insulation, and barrier properties against moisture, oxygen, and low molecular components over the entire color conversion layer 13 side. The layer 24 (see FIG. 5) may be further stacked for protection. The protective layer 24 also has an effect of flattening the upper surface of the color conversion filter substrate 25 (the surface opposite to the color filter substrate 22).
Examples of the polymer material forming the protective layer 24 include thermosetting epoxy resins and urethane resins.
The protective layer 24 preferably has a thickness of 1 to 100 μm.

〔色変換フィルタ基板の製造方法:第3の実施の形態〕
図4は、本発明の第3の実施の形態である色変換フィルタ基板25の製造方法の概略工程図である。
本実施の形態の色変換フィルタ基板25の製造方法は、第2の実施の形態の色変換フィルタ基板25の製造方法において、カラーフィルタ層21のカラーフィルタ部21r,g,bは、それぞれのカラーフィルタ部21r,g,bがブラックマトリックス23で区切られている。さらに本実施の形態では、このブラックマトリックス23の隔壁を、前記工程(3)における転写ドナー基板10とカラーフィルタ基板22との離間配置のための支持台として用いる。
[Color Conversion Filter Substrate Manufacturing Method: Third Embodiment]
FIG. 4 is a schematic process diagram of the method for manufacturing the color conversion filter substrate 25 according to the third embodiment of the present invention.
The manufacturing method of the color conversion filter substrate 25 of the present embodiment is the same as the manufacturing method of the color conversion filter substrate 25 of the second embodiment, in which the color filter portions 21r, g, b of the color filter layer 21 have their respective colors. The filter parts 21 r, g, b are delimited by the black matrix 23. Further, in the present embodiment, the partition walls of the black matrix 23 are used as a support base for separating the transfer donor substrate 10 and the color filter substrate 22 in the step (3).

図4は、本発明の第3の実施の形態である色変換フィルタ基板25の製造方法の概略工程図である。
また本実施の形態では、上述した第2の実施の形態と重複する説明については省略する。即ち、本実施の形態における工程(1)、(2)及び(4)と、第2の実施の形態における工程(1)、(2)及び(4)とは同一であるので、本実施の形態において上述した第1の実施の形態と相違する工程(3)について以下に説明する。また、図3(1)及び(2)と、図4(1)及び(2)との関係についても、同様に同一であるので、説明を省略する。
FIG. 4 is a schematic process diagram of the method for manufacturing the color conversion filter substrate 25 according to the third embodiment of the present invention.
In the present embodiment, descriptions overlapping with those of the second embodiment described above are omitted. That is, the steps (1), (2) and (4) in the present embodiment are the same as the steps (1), (2) and (4) in the second embodiment. The step (3) different from the first embodiment described above in the form will be described below. The relationship between FIGS. 3 (1) and 3 (2) and FIGS. 4 (1) and 4 (2) is also the same, and the description thereof is omitted.

(工程3)
図4(3)に示すように、説明を省略した工程(2)の後、この工程(2)で作製された転写ドナー基板10の色変換層13側に、転写ドナー基板10と、基板上にカラーフィルタ層21を形成したカラーフィルタ基板22とを、カラーフィルタ層21と色変換層13とが対向するように平行に、かつ離間させて配置する。
(Process 3)
As shown in FIG. 4 (3), after the step (2) whose description is omitted, the transfer donor substrate 10 and the substrate are formed on the side of the color conversion layer 13 of the transfer donor substrate 10 produced in this step (2). The color filter substrate 22 having the color filter layer 21 formed thereon is arranged in parallel and spaced apart so that the color filter layer 21 and the color conversion layer 13 face each other.

このとき、カラーフィルタ層21のカラーフィルタ部21r,21g,21bは、それぞれのカラーフィルタ部21r,21g,21bがブラックマトリックス23で区切られている構成である。かかる構成とすることで、ブラックマトリックス23がカラーフィルタ部21r,21g,21bの隔壁として機能するため、混色の問題等が生じない。さらに、かかる構成とすることでこのブラックマトリックス23は、転写ドナー基板10とカラーフィルタ基板22とを平行に離間配置する際に、転写ドナー基板10とカラーフィルタ基板22とを離間した状態で支持するための支持台としても機能する。従って、転写ドナー基板10とカラーフィルタ基板22とを離間した状態で支持するために新たな部材を設けることなく、安定した状態で後述する工程(4)を行うことができる。   At this time, the color filter portions 21r, 21g, and 21b of the color filter layer 21 are configured such that the respective color filter portions 21r, 21g, and 21b are separated by the black matrix 23. By adopting such a configuration, the black matrix 23 functions as the partition walls of the color filter portions 21r, 21g, and 21b, so that the problem of color mixing does not occur. Further, with this configuration, the black matrix 23 supports the transfer donor substrate 10 and the color filter substrate 22 in a separated state when the transfer donor substrate 10 and the color filter substrate 22 are spaced apart in parallel. It also functions as a support base for. Therefore, the step (4) described below can be performed in a stable state without providing a new member for supporting the transfer donor substrate 10 and the color filter substrate 22 in a separated state.

以上で説明した工程(3)における操作並びに構成以外は、上述した第2の実施の形態における工程(3)と同一であるため、説明を省略する。   Except for the operation and configuration in the step (3) described above, the description is omitted because it is the same as the step (3) in the second embodiment described above.

《ブラックマトリックス》
ブラックマトリックス23の隔壁の高さは、色変換層13とカラーフィルタ層21の合計厚さより大きいことが好ましい。ブラックマトリックス23の隔壁の高さが、色変換層13とカラーフィルタ層21の合計厚さより大きいと、転写ドナー基板10とカラーフィルタ基板22とを離間した状態で支持する支持台としての機能を発揮する。
具体的には、ブラックマトリックス23の高さは、0.2μm〜10μmであることが好ましく、0.4μm〜4μmであることがより好ましい。
また、ブラックマトリックス23の隔壁がテーパー形状であることが好ましい。テーパー形状であることで、基板との密着性が高まるためである。
《Black Matrix》
The height of the partition walls of the black matrix 23 is preferably larger than the total thickness of the color conversion layer 13 and the color filter layer 21. When the height of the partition walls of the black matrix 23 is larger than the total thickness of the color conversion layer 13 and the color filter layer 21, the function as a support for supporting the transfer donor substrate 10 and the color filter substrate 22 in a separated state is exhibited. To do.
Specifically, the height of the black matrix 23 is preferably 0.2 μm to 10 μm, and more preferably 0.4 μm to 4 μm.
Moreover, it is preferable that the partition of the black matrix 23 is a taper shape. This is because the taper shape improves adhesion with the substrate.

さらに、ブラックマトリックス23は、カラーフィルタ基板22上において、長方形状若しくは正方形状の開口部を有するマトリクス状に配列されていることが好ましい。開口部の長辺方向長さは50μm〜500μm、開口部の短辺方向長さは50μm〜300μmであることが好ましい。また、ブラックマトリックス23(隣り合う各色カラーフィルタ部21r,21g,21b)は長辺方向に50μm〜500μmピッチ、短辺方向に50μm〜500μmピッチで配列されていることが好ましい。   Further, the black matrix 23 is preferably arranged on the color filter substrate 22 in a matrix having rectangular or square openings. The length in the long side direction of the opening is preferably 50 μm to 500 μm, and the length in the short side direction of the opening is preferably 50 μm to 300 μm. The black matrix 23 (adjacent color filter portions 21r, 21g, and 21b) is preferably arranged at a pitch of 50 μm to 500 μm in the long side direction and at a pitch of 50 μm to 500 μm in the short side direction.

尚、ブラックマトリックス23は、各画素毎に発光する区域を区画すると共に、発光する区域同士の境界における外光の反射を防止し、画像、映像のコントラストを高める効果を奏する。   The black matrix 23 has an effect of increasing the contrast of an image and a video by partitioning a light emitting area for each pixel and preventing reflection of external light at the boundary between the light emitting areas.

本発明に用いられるブラックマトリックス23は、絶縁性を有するものであっても、絶縁性を有しないものであっても良いが、中でも絶縁性を有していることが好ましい。ブラックマトリックス23が絶縁性を有するものであれば、カラーフィルタ基板22を用いて有機電界発光表示装置とした際に、ブラックマトリックス23と透明電極層とが接触する場合であっても、ブラックマトリックス23と透明電極層とが導通するのを回避することができるからである。   The black matrix 23 used in the present invention may be insulating or non-insulating, but preferably has insulating properties. If the black matrix 23 has an insulating property, even when the black matrix 23 and the transparent electrode layer are in contact with each other when the organic light emitting display device is formed using the color filter substrate 22, the black matrix 23 is used. This is because conduction between the transparent electrode layer and the transparent electrode layer can be avoided.

絶縁性を有するブラックマトリックス23の形成材料としては、例えばカーボンブラック等の黒色着色剤を含有する樹脂組成物等が挙げられる。この樹脂組成物に用いられる樹脂としては、例えばアクリレート系、メタクリレート系、ポリ桂皮酸ビニル系、および環化ゴム系等の反応性ビニル基を有する電離放射線硬化性樹脂が挙げられ、特に電子線硬化性樹脂、紫外線硬化性樹脂を好適に使用することができる。また、例えばポリメチルメタクリレート樹脂、ポリアクリレート樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリビニルアルコール樹脂、ポリビニルピロリドン樹脂、ヒドロキシエチルセルロース樹脂、カルボキシメチルセルロース樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、メラミン樹脂、フェノール樹脂、アルキッド樹脂、エポキシ樹脂、ポリウレタン樹脂、ポリエステル樹脂、マレイン酸樹脂、ポリアミド樹脂等も例示することができる。   Examples of a material for forming the black matrix 23 having an insulating property include a resin composition containing a black colorant such as carbon black. Examples of the resin used in this resin composition include ionizing radiation curable resins having reactive vinyl groups such as acrylate-based, methacrylate-based, polyvinyl cinnamate, and cyclized rubber, and particularly electron beam curing. An curable resin and an ultraviolet curable resin can be preferably used. Also, for example, polymethyl methacrylate resin, polyacrylate resin, polycarbonate resin, polyvinyl alcohol resin, polyvinyl pyrrolidone resin, hydroxyethyl cellulose resin, carboxymethyl cellulose resin, polyvinyl chloride resin, melamine resin, phenol resin, alkyd resin, epoxy resin, polyurethane resin Polyester resin, maleic acid resin, polyamide resin and the like can also be exemplified.

また、絶縁性を有しないブラックマトリックス23の形成材料としては、例えばクロム等の金属、及びこれらの金属酸化物が挙げられる。この際、絶縁性を有しないブラックマトリックス23は、CrOx膜(xは任意の数)及びCr膜の2層積層されたものであっても良く、また、より反射率を低減させたCrOx膜(xは任意の数)、CrNy膜(yは任意の数)及びCr膜の3層積層されたものであっても良い。   Moreover, as a forming material of the black matrix 23 which does not have insulation, metals, such as chromium, and these metal oxides are mentioned, for example. At this time, the black matrix 23 having no insulating property may be formed by laminating two layers of a CrOx film (x is an arbitrary number) and a Cr film, and a CrOx film (with reduced reflectance) ( x may be an arbitrary number), a CrNy film (y is an arbitrary number), and a Cr film may be laminated in three layers.

絶縁性を有するブラックマトリックス23の形成方法としては、例えば、上記の樹脂組成物を基材上に塗布して、フォトリソグラフィ法によりパターニングする方法を用いることができる。その他、印刷法等の公知の方法を用いることもできる。   As a method for forming the insulating black matrix 23, for example, a method of applying the above resin composition on a substrate and patterning it by a photolithography method can be used. In addition, a known method such as a printing method can also be used.

また、絶縁性を有しないブラックマトリック23の形成方法としては、例えば、蒸着法、イオンプレーティング法、スパッタリング法等により薄膜を形成し、フォトリソグラフィ法を利用してパターニングする方法を用いることができる。その他、無電界メッキ法等の公知の方法を用いることもできる。   In addition, as a method for forming the black matrix 23 having no insulating property, for example, a method of forming a thin film by an evaporation method, an ion plating method, a sputtering method, or the like, and patterning using a photolithography method can be used. . In addition, a known method such as an electroless plating method can also be used.

(工程4)
前記工程(3)の後、図4(4)に示すように、転写ドナー基板10の支持基板11側からレーザー光hrを照射し、色変換機能を有する材料をカラーフィルタ基板22の所定位置に転写させてパターン化された色変換層13Aを形成することで色変換フィルタ基板25を作製する。
ここで、所定の位置とはカラーフィルタ基板22上に所望のパターン化された色変換層13Aを形成するに際し、パターン化された色変換層13Aを形成すべきカラーフィルタ基板22上の位置を指す。
(Process 4)
After the step (3), as shown in FIG. 4 (4), a laser beam hr is irradiated from the transfer donor substrate 10 side to the support substrate 11 side, and a material having a color conversion function is placed at a predetermined position on the color filter substrate 22. The color conversion filter substrate 25 is produced by forming the color conversion layer 13A that is transferred and patterned.
Here, the predetermined position refers to a position on the color filter substrate 22 where the patterned color conversion layer 13A is to be formed when the desired color conversion layer 13A is formed on the color filter substrate 22. .

本実施の形態では、ブラックマトリックス23を備える点で上述した第2の実施の形態における工程(4)と相違しているが、これ以外の構成並びに操作は、上述した第3の実施の形態における工程(4)と同一であるため、説明を省略する。   This embodiment is different from the step (4) in the second embodiment described above in that the black matrix 23 is provided, but the other configuration and operation are the same as those in the third embodiment described above. Since it is the same as process (4), description is abbreviate | omitted.

〔有機電界発光素子の製造方法:第4の実施の形態〕
本発明の有機電界発光素子の製造方法は、一対の電極間(103,105)に有機層104が狭持された有機電界発光素子基板101に、本発明の色変換フィルタ基板の製造方法で製造された色変換フィルタ基板25を貼り合わせることよりなる。
[Method for Manufacturing Organic Electroluminescent Element: Fourth Embodiment]
The organic electroluminescent element manufacturing method of the present invention is manufactured by the method for manufacturing a color conversion filter substrate of the present invention on an organic electroluminescent element substrate 101 in which an organic layer 104 is sandwiched between a pair of electrodes (103, 105). The obtained color conversion filter substrate 25 is bonded.

図5は、本発明の第4の実施の形態である有機電界発光素子100の製造方法を示す概略工程図である。図5に示すように、本実施の形態の有機電界発光素子100では、有機電界発光素子基板101に上述した第2の実施の形態または第3の実施の形態で得られた色変換フィルタ基板25を積層して設けてなる。
また図6は、本発明の第4の実施の形態に適用される有機電界発光素子基板101の構成を模式的に示す構成断面図である。図6に示す有機電界発光素子基板101は、基板102上に、陽極103、有機層104、および陰極105をこの順に積層してなる。このうち有機層104は、陽極103側から順に、例えば正孔注入層104a、正孔輸送層104b、発光層104c、および電子輸送層104dを積層してなるものである。
FIG. 5 is a schematic process diagram showing a method for manufacturing the organic electroluminescent element 100 according to the fourth embodiment of the present invention. As shown in FIG. 5, in the organic electroluminescent element 100 of the present embodiment, the color conversion filter substrate 25 obtained in the second embodiment or the third embodiment described above on the organic electroluminescent element substrate 101. Are laminated.
FIG. 6 is a structural cross-sectional view schematically showing the structure of an organic electroluminescent element substrate 101 applied to the fourth embodiment of the present invention. An organic electroluminescent element substrate 101 shown in FIG. 6 is formed by laminating an anode 103, an organic layer 104, and a cathode 105 in this order on a substrate 102. Among these, the organic layer 104 is formed by laminating, for example, a hole injection layer 104a, a hole transport layer 104b, a light emitting layer 104c, and an electron transport layer 104d in this order from the anode 103 side.

本実施の形態の有機電界発光素子100の製造方法は、先ず、図5(1)に示すように、第2または第3の実施の形態で作製した、パターン化された色変換層13Aを積層した色変換フィルタ基板25上に、保護層24をさらに積層して設けてプロテクトする。次いで、得られた積層物(色変換フィルタ基板25に相当する)を、図5(2)に示すように、有機電界発光素子基板101上に、保護層24が有機電界発光素子基板101に接するように貼り合わせて有機電界発光素子100を得る。
尚、本発明の有機電界発光素子は、トップエミッション方式のアクティブ型有機電界発光素子に限定されるものではない。例えば、上述した第2または第3の実施の形態で得られた色変換フィルタ基板25と、ボトム型の有機電界発光素子基板101とを貼り合わせることによってもカラー有機電界発光素子100を製造することができる。
In the manufacturing method of the organic electroluminescent element 100 of the present embodiment, first, as shown in FIG. 5A, the patterned color conversion layer 13A prepared in the second or third embodiment is laminated. A protective layer 24 is further laminated on the color conversion filter substrate 25 to protect it. Next, the obtained laminate (corresponding to the color conversion filter substrate 25) is placed on the organic electroluminescent element substrate 101 and the protective layer 24 is in contact with the organic electroluminescent element substrate 101 as shown in FIG. Thus, the organic electroluminescent element 100 is obtained.
The organic electroluminescent element of the present invention is not limited to the top emission type active organic electroluminescent element. For example, the color organic electroluminescent element 100 can also be manufactured by bonding the color conversion filter substrate 25 obtained in the second or third embodiment described above and the bottom organic electroluminescent element substrate 101. Can do.

次に、本実施の形態の有機電界発光素子基板101を構成する各部の詳細な構成を、基板102側から順に説明する。   Next, the detailed structure of each part which comprises the organic electroluminescent element board | substrate 101 of this Embodiment is demonstrated in order from the board | substrate 102 side.

《有機電界発光素子基板:基板》
基板102は、その一主面側に有機電界発光素子基板101(基板102を除く)が配列形成される支持体であって、公知のものであって良く、例えば、石英、ガラス、金属箔、樹脂製のフィルムやシートなどが用いられる。この中でも石英やガラスが好ましく、樹脂製の場合には、その材質としてポリメチルメタクリレート(PMMA)に代表されるメタクリル樹脂類、ポリエチレンテレフタレート(PET)、ポリエチレンナフタレート(PEN)、ポリブチレンナフタレート(PBN)などのポリエステル類、ポリカーボネート樹脂などが挙げられるが、透水性や透ガス性を抑える積層構造としたものや、表面処理を行ったものであっても良い。
<< Organic electroluminescent element substrate: Substrate >>
The substrate 102 is a support on which the organic electroluminescence element substrate 101 (excluding the substrate 102) is formed and formed on one main surface side, and may be a well-known one, for example, quartz, glass, metal foil, A resin film or sheet is used. Of these, quartz and glass are preferable, and in the case of resin, methacrylic resins represented by polymethyl methacrylate (PMMA), polyethylene terephthalate (PET), polyethylene naphthalate (PEN), polybutylene naphthalate ( Polyesters such as PBN), polycarbonate resins, and the like can be mentioned, but those having a laminated structure that suppresses water permeability and gas permeability and those subjected to surface treatment may be used.

《有機電界発光素子基板:陽極》
陽極103には、効率良く正孔を注入するために電極材料の真空準位からの仕事関数が大きいものが用いられる。例えば、アルミニウム(Al)、クロム(Cr)、モリブテン(Mo)、タングステン(W)、銅(Cu)、銀(Ag)、金(Au)の金属又はその合金、若しくはこれらの金属又は合金の酸化物等、酸化スズ(SnO2)とアンチモン(Sb)との合金、ITO(インジウムチンオキシド)、InZnO(インジウ亜鉛オキシド)、酸化亜鉛(ZnO)とアルミニウム(Al)との合金、さらにはこれらの金属又は合金の酸化物等から選ばれる1種が、または2種以上を混在させた状態のものが用いられる。
<Organic electroluminescent element substrate: anode>
For the anode 103, a material having a large work function from the vacuum level of the electrode material is used in order to inject holes efficiently. For example, aluminum (Al), chromium (Cr), molybdenum (Mo), tungsten (W), copper (Cu), silver (Ag), gold (Au) metal or alloys thereof, or oxidation of these metals or alloys Such as alloys of tin oxide (SnO 2 ) and antimony (Sb), ITO (indium tin oxide), InZnO (indium zinc oxide), alloys of zinc oxide (ZnO) and aluminum (Al), and these One selected from metal or alloy oxides, or a mixture of two or more is used.

また、陽極103は、光反射性に優れた第1層と、この上部に設けられた光透過性を有すると共に仕事関数の大きい第2層との積層構造であっても良い。
第1層は、アルミニウムを主成分とする合金からなる。その副成分は、主成分であるアルミニウムよりも相対的に仕事関数が小さい元素を少なくとも一つ含むものでも良い。このような副成分としては、ランタノイド系列元素が好ましい。ランタノイド系列元素の仕事関数は、大きくないが、これらの元素を含むことで陽極の安定性が向上し、かつ陽極のホール注入性も満足する。また副成分として、ランタノイド系列元素の他に、シリコン(Si)、銅(Cu)などの元素を含んでも良い。
Further, the anode 103 may have a laminated structure of a first layer having excellent light reflectivity and a second layer having a light transmittance and a large work function provided thereon.
The first layer is made of an alloy containing aluminum as a main component. The subcomponent may include at least one element having a work function relatively smaller than that of aluminum as a main component. As such a subcomponent, a lanthanoid series element is preferable. Although the work function of the lanthanoid series elements is not large, the inclusion of these elements improves the stability of the anode and also satisfies the hole injection property of the anode. In addition to lanthanoid series elements, elements such as silicon (Si) and copper (Cu) may be included as subcomponents.

第1層を構成するアルミニウム合金層における副成分の含有量は、例えば、アルミニウムを安定化させるNdやNi、Ti等であれば、合計で約10重量%以下であることが好ましい。これにより、アルミニウム合金層においての反射率を維持しつつ、有機電界発光素子基板101の製造プロセスにおいてアルミニウム合金層を安定的に保ち、さらに加工精度および化学的安定性も得ることができる。また、陽極103の導電性および基板102との密着性も改善することが出来る。   The content of subcomponents in the aluminum alloy layer constituting the first layer is preferably about 10% by weight or less in total if it is Nd, Ni, Ti, or the like that stabilizes aluminum. Thereby, while maintaining the reflectance in the aluminum alloy layer, the aluminum alloy layer can be stably maintained in the manufacturing process of the organic electroluminescent element substrate 101, and further, processing accuracy and chemical stability can be obtained. In addition, the conductivity of the anode 103 and the adhesion to the substrate 102 can be improved.

また第2層は、アルミニウム合金の酸化物、モリブデンの酸化物、ジルコニウムの酸化物、クロムの酸化物、およびタンタルの酸化物の中の少なくとも一つからなる層を例示できる。ここで、例えば、第2層が副成分としてランタノイド系元素を含むアルミニウム合金の酸化物層(自然酸化膜を含む)である場合、ランタノイド系元素の酸化物の透過率が高いため、これを含む第2層の透過率が良好となる。このため、第1層の表面において、高反射率を維持することが可能である。さらに、第2層は、ITO(Indium Tin Oxide)やIZO(Indium Zinc Oxide)などの透明導電層であっても良い。これらの導電層は、陽極13の電子注入特性を改善することができる。   Examples of the second layer include a layer made of at least one of an oxide of aluminum alloy, an oxide of molybdenum, an oxide of zirconium, an oxide of chromium, and an oxide of tantalum. Here, for example, when the second layer is an oxide layer of an aluminum alloy containing a lanthanoid element as a subcomponent (including a natural oxide film), the oxide of the lanthanoid element has a high transmittance, so that this is included. The transmittance of the second layer is improved. For this reason, it is possible to maintain a high reflectance on the surface of the first layer. Further, the second layer may be a transparent conductive layer such as ITO (Indium Tin Oxide) or IZO (Indium Zinc Oxide). These conductive layers can improve the electron injection characteristics of the anode 13.

また陽極103は、基板101と接する側に、陽極103と基板102との間の密着性を向上させるための導電層を設けて良い。このような導電層としては、ITOやIZOなどの透明導電層が挙げられる。   Further, the anode 103 may be provided with a conductive layer for improving adhesion between the anode 103 and the substrate 102 on the side in contact with the substrate 101. Examples of such a conductive layer include transparent conductive layers such as ITO and IZO.

そして、この有機電界発光素子基板101を用いて構成される表示装置の駆動方式がアクティブマトリックス方式である場合には、陽極103は画素毎にパターニングされ、基板102に設けられた駆動用の薄膜トランジスタに接続された状態で設けられている。またこの場合、陽極103の上には、ここでの図示を省略したが絶縁膜が設けられ、この絶縁膜の開口部から各画素の陽極103の表面が露出されるように構成されていることとする。   When the driving method of the display device configured using the organic electroluminescence element substrate 101 is an active matrix method, the anode 103 is patterned for each pixel, and the driving thin film transistor provided on the substrate 102 is formed. It is provided in a connected state. In this case, an insulating film (not shown) is provided on the anode 103, and the surface of the anode 103 of each pixel is exposed from the opening of the insulating film. And

《有機電界発光素子基板:正孔注入層/正孔輸送層》
正孔注入層104aおよび正孔輸送層104bは、それぞれ発光層104cへの正孔注入効率を高めるためのものである。このような正孔注入層104aもしくは正孔輸送層104bの材料としては、例えば、ベンジン、スチリルアミン、トリフェニルアミン、ポルフィリン、トリフェニレン、アザトリフェニレン、テトラシアノキノジメタン、トリアゾール、イミダゾール、オキサジアゾール、ポリアリールアルカン、フェニレンジアミン、アリールアミン、オキザゾール、アントラセン、フルオレノン、ヒドラゾン、スチルベンあるいはこれらの誘導体、または、ポリシラン系化合物、ビニルカルバゾール系化合物、チオフェン系化合物あるいはアニリン系化合物等の複素環式共役系のモノマー、オリゴマーあるいはポリマーを用いることができる。
<< Organic electroluminescent element substrate: hole injection layer / hole transport layer >>
The hole injection layer 104a and the hole transport layer 104b are for increasing the efficiency of hole injection into the light emitting layer 104c. Examples of the material of the hole injection layer 104a or the hole transport layer 104b include benzine, styrylamine, triphenylamine, porphyrin, triphenylene, azatriphenylene, tetracyanoquinodimethane, triazole, imidazole, and oxadiazole. , Polyarylalkanes, phenylenediamines, arylamines, oxazoles, anthracenes, fluorenones, hydrazones, stilbenes or their derivatives, or heterocyclic conjugated systems such as polysilane compounds, vinylcarbazole compounds, thiophene compounds or aniline compounds Monomers, oligomers or polymers of can be used.

また、上記正孔注入層104aもしくは正孔輸送層104bのさらに具体的な材料としては、α−ナフチルフェニルフェニレンジアミン、ポルフィリン、金属テトラフェニルポルフィリン、金属ナフタロシアニン、ヘキサシアノアザトリフェニレン、7,7,8,8−テトラシアノキノジメタン(TCNQ)、7,7,8,8−-テトラシアノ−2,3,5,6-テトラフルオロキノジメタン(F4−TCNQ)、テトラシアノ4、4、4−トリス(3−メチルフェニルフェニルアミノ)トリフェニルアミン、N、N、N’、N’−テトラキス(p−トリル)p−フェニレンジアミン、N、N、N’、N’−テトラフェニル−4、4’−ジアミノビフェニル、N−フェニルカルバゾール、4−ジ−p−トリルアミノスチルベン、ポリ(パラフェニレンビニレン)、ポリ(チオフェンビニレン)、ポリ(2、2’−チエニルピロール)等が挙げられるが、これらに限定されるものではない。   As more specific materials for the hole injection layer 104a or the hole transport layer 104b, α-naphthylphenylphenylenediamine, porphyrin, metal tetraphenylporphyrin, metal naphthalocyanine, hexacyanoazatriphenylene, 7, 7, 8 , 8-Tetracyanoquinodimethane (TCNQ), 7,7,8,8-tetracyano-2,3,5,6-tetrafluoroquinodimethane (F4-TCNQ), tetracyano 4,4,4-tris (3-methylphenylphenylamino) triphenylamine, N, N, N ′, N′-tetrakis (p-tolyl) p-phenylenediamine, N, N, N ′, N′-tetraphenyl-4,4 ′ -Diaminobiphenyl, N-phenylcarbazole, 4-di-p-tolylaminostilbene, poly (paraphenyl) Lembinylene), poly (thiophene vinylene), poly (2,2'-thienylpyrrole) and the like are exemplified, but not limited thereto.

《有機電界発光素子基板:発光層》
発光層104cは、陽極103と陰極105による電圧印加時に、陽極103と陰極105のそれぞれから正孔および電子が注入され、さらにこれらが再結合する領域であり、発光効率が高い材料、例えば、低分子蛍光色素、蛍光性の高分子、金属錯体等の有機発光材料を用いて構成されている。
<< Organic electroluminescent element substrate: luminescent layer >>
The light emitting layer 104c is a region in which holes and electrons are injected from each of the anode 103 and the cathode 105 when a voltage is applied by the anode 103 and the cathode 105, and these are recombined. An organic light emitting material such as a molecular fluorescent dye, a fluorescent polymer, or a metal complex is used.

発光層材料としては、フェニレン核、ナフタレン核、アントラセン核、ピレン核、ナフタセン核、クリセン核もしくはペリレン核から構成される芳香族炭化水素化合物であり、具体的には9,10−ジフェニルアントラセン、9,10−ジ(1−ナフチル)アントラセン、9,10−ジ(2−ナフチル)アントラセン、1,6−ジフェニルピレン、1,6−ジ(1−ナフチル)ピレン、1,6−ジ(2−ナフチル)、1,8−ジフェニルピレン、1,8−ジ(1−ナフチル)ピレン、1,8−ジ(2−ナフチル)ピレン、ルブレン、6,12−ジフェニルクリセン、6,12−ジ(1−ナフチル)クリセン、6,12−ジ(2−ナフチル)クリセン等を好適に用いることができる。   The light emitting layer material is an aromatic hydrocarbon compound composed of a phenylene nucleus, a naphthalene nucleus, an anthracene nucleus, a pyrene nucleus, a naphthacene nucleus, a chrysene nucleus or a perylene nucleus, specifically 9,10-diphenylanthracene, 9 , 10-di (1-naphthyl) anthracene, 9,10-di (2-naphthyl) anthracene, 1,6-diphenylpyrene, 1,6-di (1-naphthyl) pyrene, 1,6-di (2- Naphthyl), 1,8-diphenylpyrene, 1,8-di (1-naphthyl) pyrene, 1,8-di (2-naphthyl) pyrene, rubrene, 6,12-diphenylchrysene, 6,12-di (1 -Naphtyl) chrysene, 6,12-di (2-naphthyl) chrysene and the like can be preferably used.

また、この発光層104cには、発光層104cでの発光スペクトルの制御を目的として、他のゲスト材料を微量添加しても良い。このような他のゲスト材料としては、ナフタレン誘導体、アミン化合物、ピレン誘導体、ナフタセン誘導体、ベリレン誘導体、クマリン誘導体、ピラン系色素等の有機物質が用いられ、なかでもこれらの芳香族第三級アミン化合物が好適に用いられる。   Further, a small amount of other guest material may be added to the light emitting layer 104c for the purpose of controlling the emission spectrum of the light emitting layer 104c. As such other guest materials, organic substances such as naphthalene derivatives, amine compounds, pyrene derivatives, naphthacene derivatives, berylene derivatives, coumarin derivatives, and pyran dyes are used, and among these aromatic tertiary amine compounds. Are preferably used.

尚、本発明のアミン化合物は正孔輸送性材料であるものの、置換基の選択によっては良好な発光色素となりうる。本発明で規定するアミン化合物を用いて発光層104cを構成する場合、該アミン化合物の単体からなる発光層104cを構成しても良い。また本発明で規定するアミン化合物をゲスト材料として用いても良い。この場合、ホスト材料には、フェニレン核、ナフタレン核、アントラセン核、ピレン核、ナフタセン核、クリセン核もしくはペリレン核から構成される芳香族炭化水素化合物を用いることが好ましい。
また本発明で規定するアミン化合物をホスト材料として用いても良い。この場合、ゲスト材料としては、発光効率が高い材料、例えば、低分子蛍光色素、蛍光性の高分子、金属錯体等の有機発光材料を用いて構成されている。
Although the amine compound of the present invention is a hole transporting material, it can be a good luminescent dye depending on the choice of substituent. In the case where the light emitting layer 104c is formed using the amine compound defined in the present invention, the light emitting layer 104c made of the amine compound alone may be formed. Moreover, you may use the amine compound prescribed | regulated by this invention as a guest material. In this case, the host material is preferably an aromatic hydrocarbon compound composed of a phenylene nucleus, a naphthalene nucleus, an anthracene nucleus, a pyrene nucleus, a naphthacene nucleus, a chrysene nucleus or a perylene nucleus.
Moreover, you may use the amine compound prescribed | regulated by this invention as a host material. In this case, the guest material is configured using a material having high emission efficiency, for example, an organic light emitting material such as a low molecular fluorescent dye, a fluorescent polymer, or a metal complex.

本発明で規定するアミン化合物をホスト材料に用いた場合における発光性のゲスト材料としては、例えばアントラセン、ナフタレン、インデン、フェナントレン、ピレン、ナフタセン、トリフェニレン、アントラセン、ペリレン、ピセン、フルオランテン、アセフェナントリレン、ペンタフェン、ペンタセン、コロネン、ブタジエン、クマリン、アクリジン、スチルベン、あるいはこれらの誘導体、トリス(8−キノリノラト)アルミニウム錯体、ビス(ベンゾキノリノラト)ベリリウム錯体、トリ(ジベンゾイルメチル)フェナントロリンユーロピウム錯体ジトルイルビニルビフェニルを用いることができる。   Examples of the luminescent guest material in the case where the amine compound defined in the present invention is used as a host material include anthracene, naphthalene, indene, phenanthrene, pyrene, naphthacene, triphenylene, anthracene, perylene, picene, fluoranthene, acephenanthrylene. , Pentaphen, pentacene, coronene, butadiene, coumarin, acridine, stilbene, or derivatives thereof, tris (8-quinolinolato) aluminum complex, bis (benzoquinolinolato) beryllium complex, tri (dibenzoylmethyl) phenanthroline europium complex ditoluyl Vinyl biphenyl can be used.

《有機電界発光素子基板:電子輸送層》
電子輸送層104dは、陰極105から注入される電子を発光層104cに輸送するためのものである。電子輸送層104dの材料としては、例えば、キノリン、ペリレン、ビススチリル、ピラジン、トリアゾール、オキサゾール、オキサジアゾール、フルオレノン、及びこれらの誘導体が挙げられる。具体的には、トリス(8−ヒドロキシキノリン)アルミニウム(略称Alq3)、アントラセン、ナフタレン、フェナントレン、ピレン、アントラセン、ペリレン、ブタジエン、クマリン、アクリジン、スチルベン、及びこれらの誘導体が挙げられる。
<< Organic electroluminescent element substrate: electron transport layer >>
The electron transport layer 104d is for transporting electrons injected from the cathode 105 to the light emitting layer 104c. Examples of the material of the electron transport layer 104d include quinoline, perylene, bisstyryl, pyrazine, triazole, oxazole, oxadiazole, fluorenone, and derivatives thereof. Specifically, tris (8-hydroxyquinoline) aluminum (abbreviation Alq3), anthracene, naphthalene, phenanthrene, pyrene, anthracene, perylene, butadiene, coumarin, acridine, stilbene, and derivatives thereof can be given.

以上、有機層104を構成する上記の各層104a〜104dは、例えば真空蒸着法や、スピンコート法などの方法によって形成することができる。ただし、特に、発光層104cに対して、発光層104cでの発光スペクトルの制御を目的として、本発明で規定するアミン化合物の他に微量のゲスト材料を添加する場合には、発光層104cの形成において他のゲスト材料の共蒸着を行う。   As described above, each of the layers 104a to 104d constituting the organic layer 104 can be formed by a method such as a vacuum deposition method or a spin coating method. However, in particular, when a small amount of a guest material is added to the light emitting layer 104c in addition to the amine compound specified in the present invention for the purpose of controlling the emission spectrum of the light emitting layer 104c, the formation of the light emitting layer 104c is performed. The other guest materials are co-deposited in

尚、有機層104は、このような層構造に限定されることはなく、少なくとも発光層104cと共に、陽極103と発光層104cとの間に、正孔輸送層104aまたは正孔注入層104bを有する構成であれば良い。また発光層104cが、正孔輸送性の発光層、電子輸送性の発光層、あるいは両電荷輸送性の発光層として有機電界発光素子基板101に設けられている構成であっても良い。   Note that the organic layer 104 is not limited to such a layer structure, and has at least the light emitting layer 104c and the hole transport layer 104a or the hole injection layer 104b between the anode 103 and the light emitting layer 104c. Any configuration is acceptable. Alternatively, the light emitting layer 104c may be provided on the organic electroluminescent element substrate 101 as a hole transporting light emitting layer, an electron transporting light emitting layer, or a charge transporting light emitting layer.

さらに、以上の有機層104を構成する各層、例えば正孔注入層104a、正孔輸送層104b、発光層104c、および電子輸送層104dは、それぞれが複数層からなる積層構造であっても良い。   Furthermore, each layer constituting the organic layer 104, for example, the hole injection layer 104a, the hole transport layer 104b, the light emitting layer 104c, and the electron transport layer 104d may have a laminated structure including a plurality of layers.

《有機電界発光素子基板:陰極》
陰極105は、例えば、有機層104側から順に第1層105a、第2層105bを積層させた2層構造で構成されている。
第1層105aは、仕事関数が小さく、かつ光透過性の良好な材料を用いて構成される。このような材料としては、例えばリチウム(Li)の酸化物である酸化リチウム(LiO)や、セシウム(Cs)の酸化物である酸化セシウム(CsO)、さらにはこれらの酸化物の混合物を用いることができる。また、第1層15aは、このような材料に限定されることはなく、例えば、カルシウム(Ca)、バリウム(Ba)等のアルカリ土類金属、リチウム、セシウム等のアルカリ金属、さらにはインジウム(In)、マグネシウム(Mg)等の仕事関数の小さい金属、さらにはこれらの金属の酸化物等を、単体でまたはこれらの金属および酸化物の混合物や合金として安定性を高めて使用しても良い。
<< Organic electroluminescent element substrate: cathode >>
The cathode 105 has, for example, a two-layer structure in which a first layer 105a and a second layer 105b are stacked in this order from the organic layer 104 side.
The first layer 105a is formed using a material having a small work function and good light transmittance. As such a material, for example, lithium oxide (Li 2 O) which is an oxide of lithium (Li), cesium oxide (Cs 2 O) which is an oxide of cesium (Cs), and further these oxides Mixtures can be used. Further, the first layer 15a is not limited to such a material. For example, alkaline earth metals such as calcium (Ca) and barium (Ba), alkali metals such as lithium and cesium, and indium ( In), magnesium (Mg), or other low work function metals, or oxides of these metals may be used alone or as a mixture or alloy of these metals and oxides with increased stability. .

第2層105bは、例えば、MgAgなどの光透過性を有する層を用いた薄膜により構成されている。この第2層15bは、さらに、アルミキノリン錯体、スチリルアミン誘導体、フタロシアニン誘導体等の有機発光材料を含有した混合層であっても良い。この場合には、さらに第3層としてMgAgのような光透過性を有する層を別途有していてもよい。   The second layer 105b is constituted by a thin film using a light-transmitting layer such as MgAg. The second layer 15b may be a mixed layer containing an organic light emitting material such as an aluminum quinoline complex, a styrylamine derivative, or a phthalocyanine derivative. In this case, a layer having optical transparency such as MgAg may be additionally provided as the third layer.

以上の陰極105を構成する各層は、真空蒸着法、スパッタリング法、更にはプラズマCVD法などの手法によって形成することができる。また、この有機電界発光素子100を用いて構成される表示装置の駆動方式がアクティブマトリックス方式である場合、陰極105は、有機層104とここでの図示を省略した上述の絶縁膜とによって、陽極103と絶縁された状態で基板102上にベタ膜状に形成され、各画素の共通電極として用いられる。   Each layer constituting the cathode 105 can be formed by a technique such as vacuum deposition, sputtering, or plasma CVD. Further, when the driving method of the display device configured using the organic electroluminescent element 100 is an active matrix method, the cathode 105 includes an organic layer 104 and the above-described insulating film, which is not illustrated here, and is an anode. A solid film is formed on the substrate 102 in a state of being insulated from the substrate 103 and used as a common electrode of each pixel.

尚、陰極105は上記のような積層構造に限定されることはなく、作製されるデバイスの構造に応じて最適な組み合わせ、積層構造を取れば良いことは言うまでもない。例えば、上記実施形態の陰極105の構成は、電極各層の機能分離、すなわち有機層104への電子注入を促進させる無機層(第1層105a)と、電極を司る無機層(第2層105b)とを分離した積層構造である。しかしながら、有機層104への電子注入を促進させる無機層が、電極を司る無機層を兼ねても良く、これらの層を単層構造として構成しても良い。また、この単層構造上にITOなどの透明電極を形成した積層構造としても良い。   Needless to say, the cathode 105 is not limited to the laminated structure as described above, and an optimum combination and laminated structure may be adopted according to the structure of the device to be manufactured. For example, the configuration of the cathode 105 of the above embodiment includes an inorganic layer (first layer 105a) that promotes functional separation of each layer of the electrode, that is, electron injection into the organic layer 104, and an inorganic layer (second layer 105b) that controls the electrode. Is a laminated structure in which and are separated. However, the inorganic layer that promotes electron injection into the organic layer 104 may also serve as the inorganic layer that controls the electrode, and these layers may be configured as a single layer structure. Moreover, it is good also as a laminated structure which formed transparent electrodes, such as ITO, on this single layer structure.

そして上記した構成の有機電界発光素子100に印加する電流は、通常、直流であるが、パルス電流や交流を用いても良い。電流値、電圧値は、素子が破壊されない範囲内であれば特に制限はないが、有機電界発光素子の消費電力や寿命を考慮すると、なるべく小さい電気エネルギーで効率良く発光させることが望ましい。   The current applied to the organic electroluminescent element 100 having the above configuration is usually a direct current, but a pulse current or an alternating current may be used. The current value and the voltage value are not particularly limited as long as the element is not destroyed. However, considering the power consumption and life of the organic electroluminescent element, it is desirable to emit light efficiently with as little electrical energy as possible.

また、この有機電界発光素子100が、キャビティ構造となっている場合、有機層104と、透明材料あるいは半透明材料からなる電極層(本実施の形態では陰極105)との合計膜厚は、発光波長によって規定され、多重干渉の計算から導かれた値に設定されることになる。そして、この有機電界発光素子100を用いた表示装置が、TFTが形成された基板上に上面発光型の有機電界発光素子100を設けた、いわゆるTAC(Top Emitting Adoptive Current drive)構造である場合、このキャビティ構造を積極的に用いることにより、外部への光取り出し効率の改善や発光スペクトルの制御を行うことが可能である。   When the organic electroluminescent element 100 has a cavity structure, the total film thickness of the organic layer 104 and the electrode layer (cathode 105 in this embodiment) made of a transparent material or a semi-transparent material is light emission. It is defined by the wavelength and will be set to a value derived from multiple interference calculations. When the display device using the organic electroluminescent element 100 has a so-called TAC (Top Emitting Adoptive Current drive) structure in which the top emission organic electroluminescent element 100 is provided on the substrate on which the TFT is formed, By positively using this cavity structure, it is possible to improve the light extraction efficiency to the outside and control the emission spectrum.

また、本発明の有機電界発光素子は、上面発光型、これを用いたTAC構造への適用に限定されるものではなく、陽極と陰極との間に少なくとも発光層を有する有機層を狭持してなる構成に広く適用可能である。従って、基板側から順に、陰極、有機層、陽極を順次積層した構成のものや、下部電極側からのみ光を取り出すようにした、いわゆる下面発光型の有機電界発光素子にも適用可能である。下面発光型の有機電界発光素子とは、基板側に位置する電極(陰極または陽極としての下部電極)を透明材料で構成し、基板と反対側に位置する電極(陰極または陽極としての上部電極)を反射材料で構成することによって、下部電極側からのみ光を取り出す構成である。   Further, the organic electroluminescent device of the present invention is not limited to the top emission type, and is not limited to the application to the TAC structure using the same, and the organic layer having at least a light emitting layer is sandwiched between the anode and the cathode. The present invention can be widely applied to the configuration. Therefore, the present invention can be applied to a structure in which a cathode, an organic layer, and an anode are sequentially laminated in order from the substrate side, or a so-called bottom emission type organic electroluminescence element in which light is extracted only from the lower electrode side. A bottom emission type organic electroluminescent element is an electrode located on the substrate side (lower electrode as cathode or anode) made of a transparent material, and an electrode located on the opposite side of the substrate (upper electrode as cathode or anode) Is made of a reflective material to extract light only from the lower electrode side.

さらに、本発明の有機電界発光素子とは、一対の電極(陽極103と陰極105)、およびその電極間に有機層104が挟持されることによって形成される素子であれば良い。このため、本発明は一対の電極(陽極103と陰極105)および有機層104のみで構成されたものに限定されることはなく、本発明の効果を損なわない範囲で他の構成要素(例えば、無機化合物層や無機成分)が共存することを排除するものではない。   Furthermore, the organic electroluminescent element of the present invention may be an element formed by a pair of electrodes (anode 103 and cathode 105) and an organic layer 104 sandwiched between the electrodes. For this reason, the present invention is not limited to the one composed only of the pair of electrodes (the anode 103 and the cathode 105) and the organic layer 104, and other components (for example, It does not exclude the presence of inorganic compound layers and inorganic components).

また以上説明した本発明に係る有機電界発光素子は、様々な電子機器に適用可能である。例えば、デジタルカメラ、ノート型パーソナルコンピュータ、携帯電話等の携帯端末装置、ビデオカメラなど、電子機器に入力された映像信号、電子機器内で生成した映像信号を画像及び/または映像として表示するあらゆる分野の電子機器の表示装置等に適用可能である。   Moreover, the organic electroluminescent element which concerns on this invention demonstrated above is applicable to various electronic devices. For example, all fields for displaying video signals input to electronic devices and video signals generated in electronic devices as images and / or videos, such as digital cameras, notebook personal computers, portable terminal devices such as mobile phones, and video cameras. The present invention can be applied to display devices for electronic devices.

以下に実施例を示し、本発明をさらに詳細に説明する。
<実施例1>
次のようにして、透明支持体20上にパターン化された色変換層13Aを形成するための転写ドナー基板10を作製した。
先ず、ガラスの透明支持体20の上に、膜厚200nmのモリブデンからなる光熱変換層12を通常のスパッタリング法により成膜した。次いで、光熱変換層12上に、膜厚100nmの窒化シリコンSiNxからなる酸化保護機能を備える拡散防止層14をCVD法によって成膜した。
そして拡散防止層14上に、膜厚300nmの色変換層13を蒸着成膜した。ここで、色変換層13は東洋インキ製TYR−301Hを95重量%、TYR−303Dを5重量%とした。
The following examples illustrate the present invention in more detail.
<Example 1>
The transfer donor substrate 10 for forming the patterned color conversion layer 13A on the transparent support 20 was produced as follows.
First, a photothermal conversion layer 12 made of molybdenum having a thickness of 200 nm was formed on a glass transparent support 20 by a normal sputtering method. Next, a diffusion prevention layer 14 having an oxidation protection function made of silicon nitride SiNx having a thickness of 100 nm was formed on the photothermal conversion layer 12 by a CVD method.
Then, a color conversion layer 13 having a film thickness of 300 nm was deposited on the diffusion preventing layer 14. Here, the color conversion layer 13 was 95% by weight of TYR-301H manufactured by Toyo Ink and 5% by weight of TYR-303D.

次に、透明支持体(ガラス基板)20と色変換層13とが向き合う状態で、転写装置に転写ドナー基板10を対向配置させ、真空中で密着させた。透明支持体20と転写ドナー基板10とは、転写用の装置のリブによって、平行な状態で約2μmの小さな間隙が維持されていた。この状態で、透明支持体20の画素領域に相対する配置において、転写ドナー基板10の裏側(支持基板11側)から波長800nmのレーザー光線を照射した。転写ドナー基板10上の色変換層13は、照射により昇華してガラスの透明支持体20に転写され、赤色のパターン化された赤色変換層13Arを形成し色変換基板を得た。
レーザー光線のスポットサイズは、300μm×10μmとした。レーザー光線は、該光線の長手寸法に対して直交する方向において走査した。エネルギー密度は、2.6E-3mJ/μm、照射時間を100msとした。
Next, in a state where the transparent support (glass substrate) 20 and the color conversion layer 13 face each other, the transfer donor substrate 10 was placed opposite to the transfer device and was brought into close contact in a vacuum. A small gap of about 2 μm was maintained between the transparent support 20 and the transfer donor substrate 10 in a parallel state by the rib of the transfer apparatus. In this state, a laser beam having a wavelength of 800 nm was irradiated from the back side of the transfer donor substrate 10 (the support substrate 11 side) in an arrangement facing the pixel region of the transparent support 20. The color conversion layer 13 on the transfer donor substrate 10 was sublimated by irradiation and transferred to the glass transparent support 20 to form a red-patterned red conversion layer 13Ar to obtain a color conversion substrate.
The spot size of the laser beam was 300 μm × 10 μm. The laser beam was scanned in a direction perpendicular to the longitudinal dimension of the beam. The energy density was 2.6E −3 mJ / μm 2 and the irradiation time was 100 ms.

パターン化された赤色変換層13Arの膜厚は298nmであった。また、この色変換基板に蛍光分光計で青色発光に相当する450nmの励起光を入射させたところTYR−303Dに由来する赤色の蛍光が観測されたことから色変換が確認された。   The film thickness of the patterned red conversion layer 13Ar was 298 nm. Moreover, when 450 nm excitation light corresponding to blue light emission was made incident on this color conversion substrate with a fluorescence spectrometer, red fluorescence derived from TYR-303D was observed, confirming color conversion.

<実施例2>
実施例1において転写ドナー基板10をスライドさせ、膜厚を300nmの東洋インキ製TYR−301Hを95重量%、TYR−303Dを5重量%からなる混合層を5回転写した。その結果、膜厚1492nmのパターン化された赤色変換層13Arを得た。その他は実施例1と同様の評価を行った。その結果、TYR−303Dに由来する赤色の蛍光が観測されたことから色変換が確認された。
<Example 2>
In Example 1, the transfer donor substrate 10 was slid, and a mixed layer composed of 95% by weight of TYR-301H manufactured by Toyo Ink and 5% by weight of TYR-303D having a film thickness of 300 nm was transferred five times. As a result, a patterned red conversion layer 13Ar having a thickness of 1492 nm was obtained. The other evaluations were the same as in Example 1. As a result, red fluorescence derived from TYR-303D was observed, confirming color conversion.

<実施例3>
460nmに発光ピーク波長を有する窒化ガリウムからなる無機型青色発光ダイオードの前面に実施例1で作製した色変換基板を設置した。無機発光ダイオードを点灯したところ、色変換基板を通じた光はピンク色の光が確認された。分光輝度計を用いて測定したところ、波長460nmである色変換されたTYR−303Dの赤色発光ピークが観測された。
<Example 3>
The color conversion substrate prepared in Example 1 was placed in front of an inorganic blue light emitting diode made of gallium nitride having an emission peak wavelength at 460 nm. When the inorganic light-emitting diode was turned on, pink light was confirmed through the color conversion substrate. As a result of measurement using a spectral luminance meter, a red emission peak of TYR-303D having a wavelength converted at a wavelength of 460 nm was observed.

<実施例4>
先ず、30mm×30mmのガラス板からなる基板102上に、陽極103として、膜厚が190nmのAg合金(反射層)上に12.5nmのITO透明電極を積層した上面発光用の有機電界発光素子基板101用のセルを作製した。
次に、正孔注入層104aとして、下記構造式(101)で示されるm−MTDATAよりなる膜を15nmの膜厚(蒸着速度0.2〜0.4nm/sec)で蒸着成膜した。
<Example 4>
First, an organic electroluminescence device for top emission, in which an ITO transparent electrode having a thickness of 12.5 nm is laminated on an Ag alloy (reflection layer) having a thickness of 190 nm as an anode 103 on a substrate 102 made of a 30 mm × 30 mm glass plate. A cell for the substrate 101 was produced.
Next, as the hole injection layer 104a, a film made of m-MTDATA represented by the following structural formula (101) was deposited at a film thickness of 15 nm (deposition rate: 0.2 to 0.4 nm / sec).

Figure 2009288476
Figure 2009288476

次いで、正孔輸送層104bとして、下記構造式(102)に示されるα−NPDよりなる膜を12nmの膜厚(蒸着速度0.2〜0.4nm/sec)で形成した。ただし、α−NPDは、N、N’−ビス(1−ナフチル)−N、N’−ジフェニル[1、1’-ビフェニル]−4、4’―ジアミンである。   Next, as the hole transport layer 104b, a film made of α-NPD represented by the following structural formula (102) was formed to a thickness of 12 nm (deposition rate: 0.2 to 0.4 nm / sec). However, α-NPD is N, N′-bis (1-naphthyl) -N, N′-diphenyl [1,1′-biphenyl] -4,4′-diamine.

Figure 2009288476
Figure 2009288476

このようにして形成された正孔輸送層104b上に、発光層104cを形成した。ホスト材料としては下記構造式(103)に示される9,10−ジ(2−ナフチル)アントラセン(ADN)を蒸着し、膜厚25nmの膜を形成した。その際、ADNには青色ドーパントであるBD−052(出光興産社製)を相対膜厚比で5%ドーピングして、発光層104cとした。   A light emitting layer 104c was formed on the hole transport layer 104b thus formed. As a host material, 9,10-di (2-naphthyl) anthracene (ADN) represented by the following structural formula (103) was deposited to form a film having a thickness of 25 nm. At that time, ADN was doped with BD-052 (manufactured by Idemitsu Kosan Co., Ltd.) as a blue dopant in a relative film thickness ratio of 5% to form a light emitting layer 104c.

Figure 2009288476
Figure 2009288476

次いで、電子輸送層104dとして、下記構造式(104)に示されるAlq3(8−ヒドロキシキノリンアルミニウム)を20nmの膜厚で蒸着成膜した。   Next, as the electron transporting layer 104d, Alq3 (8-hydroxyquinoline aluminum) represented by the following structural formula (104) was deposited to a thickness of 20 nm.

Figure 2009288476
Figure 2009288476

以上の後、陰極105の第1層105aとして、LiOよりなる膜を約0.3nm(蒸着速度0.01nm/sec)の膜厚で蒸着成膜した。最後に、陰極15の第2層15bとして、ITOからなる膜をスパッタ法により約10nmの膜厚で成膜した。この素子を点灯したところ、BD−52由来の青色発光が観測された。 After the above, as the first layer 105a of the cathode 105, a film made of Li 2 O was vapor-deposited with a film thickness of about 0.3 nm (deposition rate 0.01 nm / sec). Finally, as the second layer 15b of the cathode 15, a film made of ITO was formed to a thickness of about 10 nm by sputtering. When this element was turned on, blue light emission derived from BD-52 was observed.

ここに実施例1で作製された赤色変換基板を張り合わせたところ、赤色変換基板を通じた光はピンク色の光が確認された。分光輝度計を用いて測定したところ、波長460nmの色変換されたTYR−303Dの赤色発光ピークが観測された。   When the red conversion board produced in Example 1 was bonded together here, the light which passed through the red conversion board was confirmed to be pink light. As a result of measurement using a spectral luminance meter, a red emission peak of TYR-303D having a wavelength converted at a wavelength of 460 nm was observed.

本発明の第1の実施の形態である色変換基板の製造方法の概略工程図である。It is a schematic process drawing of the manufacturing method of the color conversion board | substrate which is the 1st Embodiment of this invention. 本発明に係る色変換基板の製造方法の第1の実施の形態における転写ドナー基板の構成の変形例を説明するための断面概略図である。It is a cross-sectional schematic diagram for demonstrating the modification of the structure of the transcription | transfer donor board | substrate in 1st Embodiment of the manufacturing method of the color conversion board | substrate which concerns on this invention. 本発明の第2の実施の形態である色変換フィルタ基板の製造方法の概略工程図である。It is a schematic process drawing of the manufacturing method of the color conversion filter board | substrate which is the 2nd Embodiment of this invention. 本発明の第3の実施の形態である色変換フィルタ基板の製造方法の概略図である。It is the schematic of the manufacturing method of the color conversion filter board | substrate which is the 3rd Embodiment of this invention. 本発明の第4の実施の形態である有機電界発光素子の製造方法を示す概略図である。It is the schematic which shows the manufacturing method of the organic electroluminescent element which is the 4th Embodiment of this invention. 本発明の第4の実施の形態である有機電界発光素子を模式的に示す断面図である。It is sectional drawing which shows typically the organic electroluminescent element which is the 4th Embodiment of this invention.

符号の説明Explanation of symbols

10 転写ドナー基板
11 支持基板
12 光熱変換層
13 色変換層
13A パターン化された色変換層
14 拡散防止層
20 透明支持体
21 カラーフィルタ層
22 カラーフィルタ基板
23 ブラックマトリックス
24 保護層
25 色変換フィルタ基板
100 有機電界発光素子
101 有機電界発光素子基板
102 基板
103 陽極
104 有機層
104a 正孔注入層
104b 正孔輸送層
104c 発光層
104d 電子輸送層
105 陰極
105a 第1層(陰極)
105b 第2層(陰極)
DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 Transfer donor substrate 11 Support substrate 12 Photothermal conversion layer 13 Color conversion layer 13A Patterned color conversion layer 14 Diffusion prevention layer 20 Transparent support 21 Color filter layer 22 Color filter substrate 23 Black matrix 24 Protection layer 25 Color conversion filter substrate DESCRIPTION OF SYMBOLS 100 Organic electroluminescent element 101 Organic electroluminescent element substrate 102 Substrate 103 Anode 104 Organic layer 104a Hole injection layer 104b Hole transport layer 104c Light emitting layer 104d Electron transport layer 105 Cathode 105a First layer (cathode)
105b Second layer (cathode)

Claims (12)

所定波長のレーザー光を透過する支持基板上に光熱変換層を形成する工程(1)と、
該光熱変換層が形成された支持基板上に色変換機能を有する材料を含む色変換層を形成して転写ドナー基板とする工程(2)と、
前記転写ドナー基板の色変換層側に、前記転写ドナー基板と平行に、かつ離間させて透明支持体を配置する工程(3)と、
前記転写ドナー基板の前記支持基板側からレーザー光を照射し、前記色変換機能を有する材料を前記透明支持体の所定位置に転写させて色変換層のパターンを形成する工程(4)とを備えてなる、色変換基板の製造方法。
A step (1) of forming a photothermal conversion layer on a support substrate that transmits laser light of a predetermined wavelength;
A step (2) of forming a color conversion layer containing a material having a color conversion function on the support substrate on which the photothermal conversion layer is formed to form a transfer donor substrate;
A step (3) of arranging a transparent support on the color conversion layer side of the transfer donor substrate in parallel with and spaced from the transfer donor substrate;
(4) forming a color conversion layer pattern by irradiating laser light from the support substrate side of the transfer donor substrate to transfer the material having the color conversion function to a predetermined position of the transparent support. A method for manufacturing a color conversion substrate.
前記工程(4)は、前記透明支持体の前記所定位置を変更せずに、前記転写ドナー基板を移動させて転写を複数回行い、100nm〜10μmの膜厚を有する色変換層のパターンを形成する、請求項1に記載の色変換基板の製造方法。   In the step (4), without changing the predetermined position of the transparent support, the transfer donor substrate is moved to perform transfer a plurality of times to form a pattern of a color conversion layer having a film thickness of 100 nm to 10 μm. The manufacturing method of the color conversion board | substrate of Claim 1. 所定波長のレーザー光を透過する支持基板上に光熱変換層を形成する工程(1)と、
該光熱変換層が形成された支持基板上に色変換機能を有する材料を含む色変換層を形成して転写ドナー基板とする工程(2)と、
前記色変換層が形成された転写ドナー基板と、基板上にカラーフィルタ層を形成したカラーフィルタ基板とを、前記カラーフィルタ層と前記色変換層とが対向するように平行に、かつ離間させて配置する工程(3)と、
前記転写ドナー基板の前記支持基板側からレーザー光を照射し、前記色変換機能を有する材料を前記カラーフィルタ基板の所定位置に転写させて色変換層のパターンを形成する工程(4)とを備えてなる、色変換フィルタ基板の製造方法。
A step (1) of forming a photothermal conversion layer on a support substrate that transmits laser light of a predetermined wavelength;
A step (2) of forming a color conversion layer containing a material having a color conversion function on the support substrate on which the photothermal conversion layer is formed to form a transfer donor substrate;
The transfer donor substrate on which the color conversion layer is formed and the color filter substrate on which a color filter layer is formed are parallel and separated so that the color filter layer and the color conversion layer face each other. Arranging (3),
And (4) forming a color conversion layer pattern by irradiating a laser beam from the support substrate side of the transfer donor substrate to transfer the material having the color conversion function to a predetermined position of the color filter substrate. A method for manufacturing a color conversion filter substrate.
前記レーザー光として、800nm〜1000nmの波長のレーザー光を用いる、請求項3に記載の色変換フィルタ基板の製造方法。   The method for producing a color conversion filter substrate according to claim 3, wherein a laser beam having a wavelength of 800 nm to 1000 nm is used as the laser beam. 前記工程(4)は、前記カラーフィルタ基板の前記所定位置を変更せずに、前記転写ドナー基板を移動させて転写を複数回行い、100nm〜10μmの膜厚を有する色変換層のパターンを形成する、請求項3に記載の色変換フィルタ基板の製造方法。   In the step (4), without changing the predetermined position of the color filter substrate, the transfer donor substrate is moved to perform transfer a plurality of times to form a pattern of a color conversion layer having a thickness of 100 nm to 10 μm. The method for manufacturing a color conversion filter substrate according to claim 3. 前記カラーフィルタ基板に形成されたカラーフィルタ層は、色の異なる複数のカラーフィルタ部を有するものであり、
前記工程(1)〜工程(4)を異なる種類の色変換機能を有する材料を用いて繰り返し行うことにより、前記カラーフィルタ基板の所定の前記カラーフィルタ部上に異なる種類の色変換機能を有する材料を含む色変換層を形成する、請求項3に記載の色変換フィルタ基板の製造方法。
The color filter layer formed on the color filter substrate has a plurality of color filter portions having different colors,
A material having a different type of color conversion function on the predetermined color filter portion of the color filter substrate by repeatedly performing the steps (1) to (4) using a material having a different type of color conversion function. The method for producing a color conversion filter substrate according to claim 3, wherein a color conversion layer containing a color conversion layer is formed.
前記カラーフィルタ基板のカラーフィルタ層が、赤色カラーフィルタ部、緑色カラーフィルタ部、および青色カラーフィルタ部の三色から構成され、赤色カラーフィルタ部には赤色に変換される色変換層を形成し、緑色カラーフィルタ部には緑色に変換される色変換層を形成し、青色カラーフィルタ部には色変換層を形成しない、請求項3に記載の色変換フィルタ基板の製造方法。   The color filter layer of the color filter substrate is composed of three colors of a red color filter portion, a green color filter portion, and a blue color filter portion, and a red color filter portion is formed with a color conversion layer that is converted to red, 4. The method for manufacturing a color conversion filter substrate according to claim 3, wherein a color conversion layer that is converted to green is formed in the green color filter portion, and no color conversion layer is formed in the blue color filter portion. 前記カラーフィルタ層のカラーフィルタ部は、それぞれのカラーフィルタ部がブラックマトリックスで区切られており、
前記工程(3)における転写ドナー基板とカラーフィルタ基板の離間配置のための支持台として前記ブラックマトリックスの隔壁を用いる、請求項3に記載の色変換フィルタ基板の製造方法。
The color filter portion of the color filter layer, each color filter portion is separated by a black matrix,
The method for producing a color conversion filter substrate according to claim 3, wherein the black matrix partition is used as a support for separating the transfer donor substrate and the color filter substrate in the step (3).
前記ブラックマトリックスの隔壁の高さが、前記色変換層と前記カラーフィルタ層の合計厚さより大きい、請求項8に記載の色変換フィルタ基板の製造方法。   The method of manufacturing a color conversion filter substrate according to claim 8, wherein a height of the black matrix partition wall is larger than a total thickness of the color conversion layer and the color filter layer. 前記転写ドナー基板および前記カラーフィルタ基板には、位置調整のためのアライメントマークが形成されている、請求項3に記載の色変換カラーフィルタ基板の製造方法。   The method for manufacturing a color conversion color filter substrate according to claim 3, wherein an alignment mark for position adjustment is formed on the transfer donor substrate and the color filter substrate. 前記ブラックマトリックスの隔壁がテーパー形状である、請求項8に記載の色変換カラーフィルタ基板の製造方法。   The method of manufacturing a color conversion color filter substrate according to claim 8, wherein the black matrix partition has a tapered shape. 一対の電極間に有機層が狭持された有機電界発光素子基板に、前記請求項3〜11のいずれかに記載された方法で製造された色変換フィルタ基板を貼り合わせることよりなる、有機電界発光素子の製造方法。   An organic electric field comprising: bonding an organic electroluminescent element substrate having an organic layer sandwiched between a pair of electrodes to a color conversion filter substrate manufactured by the method according to any one of claims 3 to 11. Manufacturing method of light emitting element.
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