JP2009272396A - 固体レーザー装置 - Google Patents
固体レーザー装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2009272396A JP2009272396A JP2008120278A JP2008120278A JP2009272396A JP 2009272396 A JP2009272396 A JP 2009272396A JP 2008120278 A JP2008120278 A JP 2008120278A JP 2008120278 A JP2008120278 A JP 2008120278A JP 2009272396 A JP2009272396 A JP 2009272396A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- laser
- solid
- gain medium
- state laser
- light
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/23—Arrangements of two or more lasers not provided for in groups H01S3/02 - H01S3/22, e.g. tandem arrangements of separate active media
- H01S3/2308—Amplifier arrangements, e.g. MOPA
- H01S3/2325—Multi-pass amplifiers, e.g. regenerative amplifiers
- H01S3/235—Regenerative amplifiers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/23—Arrangements of two or more lasers not provided for in groups H01S3/02 - H01S3/22, e.g. tandem arrangements of separate active media
- H01S3/2308—Amplifier arrangements, e.g. MOPA
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/005—Optical devices external to the laser cavity, specially adapted for lasers, e.g. for homogenisation of the beam or for manipulating laser pulses, e.g. pulse shaping
- H01S3/0057—Temporal shaping, e.g. pulse compression, frequency chirping
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/02—Constructional details
- H01S3/04—Arrangements for thermal management
- H01S3/0407—Liquid cooling, e.g. by water
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/02—Constructional details
- H01S3/04—Arrangements for thermal management
- H01S3/042—Arrangements for thermal management for solid state lasers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/05—Construction or shape of optical resonators; Accommodation of active medium therein; Shape of active medium
- H01S3/08—Construction or shape of optical resonators or components thereof
- H01S3/08086—Multiple-wavelength emission
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/10—Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating
- H01S3/11—Mode locking; Q-switching; Other giant-pulse techniques, e.g. cavity dumping
- H01S3/1123—Q-switching
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/14—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range characterised by the material used as the active medium
- H01S3/16—Solid materials
- H01S3/1601—Solid materials characterised by an active (lasing) ion
- H01S3/1603—Solid materials characterised by an active (lasing) ion rare earth
- H01S3/1618—Solid materials characterised by an active (lasing) ion rare earth ytterbium
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/14—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range characterised by the material used as the active medium
- H01S3/16—Solid materials
- H01S3/163—Solid materials characterised by a crystal matrix
- H01S3/1645—Solid materials characterised by a crystal matrix halide
- H01S3/1653—YLiF4(YLF, LYF)
Abstract
【解決手段】レーザー利得媒質1と、レーザー発振器からの種光を装置へ取り込み増幅されたレーザー光パルスを装置から出力する光スイッチ3とを有する固体レーザー装置であって、レーザー利得媒質1として、イッテルビウムを添加した4フッ化ルテチウム−リチウム(LuLiF4)結晶を液体窒素温度以下に冷却して用いる。
【選択図】図1
Description
「テラヘルツテクノロジーの将来展望」斗内 政吉、レーザー研究第33巻12号 2005年12月) A. Sugita et. al, Japanese Journal of Applied Physics Vol.46, 226 (2007) K. Yamakawa et. al, Optics Letters Vol.28, 2402 (2003)
図1に、本発明の一実施形態に係る固体レーザー装置の概略図を示す。
この固体レーザー装置10は、レーザー利得媒質1と、レーザー発振器からの種光を装置へ取り込み増幅されたレーザー光パルスを装置から出力する光スイッチ3とを有しており、レーザー再生増幅器として用いられるものである。
本発明で用いることができるレーザー利得媒質1としては、イッテルビウム(Yb)を添加したレーザー利得媒質が挙げられる。Ybを添加したレーザー利得媒質は一般に常温では広帯域の蛍光スペクトルを有しており、低温冷却すると蛍光スペクトル中の一部の波長の蛍光が強くなる性質がある。
レーザーを増幅させる形態としては、高効率高エネルギー出力を可能にする観点から、光スイッチ3により増幅媒質の利得に合わせて装置中でのレーザー媒質中での増幅回数(即ち、励起した状態のレーザー媒質を種光が通る回数)を調節できるようにするのが好ましい。再生増幅器中で種光入射に同期した任意のタイミングで動作できる光スイッチのタイミングを調節することにより、再生増幅器での種光の増幅時間(=(光の増幅器内往来全時間)/(光速度))を任意に調節することができる。増幅時間を長くするほど増幅器内でレーザー利得媒質1を通過(=増幅を受ける)する回数が増えることになる。
また、広帯域の周波数チャープさせたレーザー発振器からの出力光を種光として増幅を行うと、再生増幅中の利得の狭帯域化(Gain-Narrowing)により増幅中にパルス圧縮が行われる。即ち、周波数チャープさせた広帯域スペクトルを持つ種光を狭帯域な利得を持つ(=狭帯域な蛍光スペクトルを有する)レーザー利得媒質で増幅すると種光の広帯域スペクトルのうち利得のある一部分しか増幅されない。これを時間軸で見ると長い時間(〜1.2ns:ナノ秒=109秒)の種光レーザーパルスのうちの短い(数十ps:ピコ秒=1012秒)時間成分だけが10万倍位に増幅されるので、実効的に増幅時にレーザー光のパルス幅が短縮されたことになる。このため、図2に示すように、増幅後に回折格子対等のパルス圧縮器(図5参照)を用いることなく直接高エネルギー短パルスが得られるため高効率なレーザー装置の構築が可能になる。
常温では広帯域の蛍光スペクトルを有するが、低温冷却することにより広帯域中の2つ以上の波長により高い蛍光断面積を持つように特性が変化するレーザー結晶を増幅器のレーザー利得媒質として用いることにより、周波数フィルターを用いることなく2つ以上の波長の異なる短パルスレーザー光の発生が可能になる。
本発明の固体レーザー装置は、以下のように構成することもできる。
3 光スイッチ
10 固体レーザー装置
Claims (5)
- 広帯域蛍光スペクトルを有するレーザー利得媒質を用い、かつ、当該利得媒質を温度制御することにより2つ以上の波長で同時にレーザー発振可能なことを特徴とする固体レーザー装置。
- レーザー利得媒質にイッテルビウムを添加したことを特徴とする請求項1記載の固体レーザー装置。
- レーザー利得媒質に4フッ化ルテチウム−リチウム(LuLiF4)結晶を用い、かつ、イッテルビウムを添加したことを特徴とする請求項1記載の固体レーザー装置。
- レーザー発振器から出力される広帯域レーザー光を増幅するレーザー装置であり、レーザー発振器から出力される広帯域レーザー光のスペクトル成分のうち2つ以上の波長成分を同時に増幅することが可能なことを特徴とする固体レーザー装置。
- 周波数チャープしたレーザー光を増幅するレーザー装置であり、レーザー増幅中の利得狭帯域化を利用することにより波長分散素子を用いることなく増幅中にレーザー光のパルス幅を圧縮することが可能な請求項4記載の固体レーザー装置。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008120278A JP2009272396A (ja) | 2008-05-02 | 2008-05-02 | 固体レーザー装置 |
US12/379,757 US7995629B2 (en) | 2008-05-02 | 2009-02-27 | Solid-state laser apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008120278A JP2009272396A (ja) | 2008-05-02 | 2008-05-02 | 固体レーザー装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009272396A true JP2009272396A (ja) | 2009-11-19 |
Family
ID=41257046
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008120278A Pending JP2009272396A (ja) | 2008-05-02 | 2008-05-02 | 固体レーザー装置 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7995629B2 (ja) |
JP (1) | JP2009272396A (ja) |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR2903818B1 (fr) * | 2006-07-11 | 2008-09-05 | Thales Sa | Procede et dispositif de controle spectral dans les chaines laser a derive de frequence |
FR2963990B1 (fr) * | 2010-08-18 | 2017-07-14 | Amplitude Systemes | Amplificateur optique et laser incorporant un tel amplificateur |
US20130128905A1 (en) * | 2011-11-18 | 2013-05-23 | Stephen Moffatt | Broadband laser source for laser thermal processing and photonically activated processes |
BR112015010812A2 (pt) * | 2012-11-14 | 2017-07-11 | Wavelight Gmbh | sistema de laser, e, método |
JP7204085B2 (ja) * | 2017-08-10 | 2023-01-16 | 株式会社トプコン | テラヘルツ波発生方法、及びテラヘルツ波発生装置 |
CN108321663B (zh) * | 2018-02-11 | 2019-10-01 | 成都清大华科微晶材料有限责任公司 | 一种宽频连续太赫兹辐射源以及对应的激发方法 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5095487A (en) * | 1990-12-14 | 1992-03-10 | The University Of Rochester | System for generating pluralities of optical pulses with predetermined frequencies in a temporally and spatially overlapped relationship |
JPH08111556A (ja) * | 1994-10-12 | 1996-04-30 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | 近接二波長可変レーザ装置 |
JPH1093182A (ja) * | 1996-06-05 | 1998-04-10 | Jin Tianfeng | 周波数変換型固体レーザ装置、周波数2倍型固体レーザ装置および周波数変換型結合型共振キャビティ |
JP2005039250A (ja) * | 2003-06-26 | 2005-02-10 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | レーザ照射装置、レーザ照射方法、及び半導体装置の作製方法 |
JP2007526649A (ja) * | 2004-03-04 | 2007-09-13 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | Ir波長レーザ放射線の上位変換用導波構造 |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5854802A (en) * | 1996-06-05 | 1998-12-29 | Jin; Tianfeng | Single longitudinal mode frequency converted laser |
US6185231B1 (en) * | 1999-02-02 | 2001-02-06 | University Of Central Florida | Yb-doped:YCOB laser |
-
2008
- 2008-05-02 JP JP2008120278A patent/JP2009272396A/ja active Pending
-
2009
- 2009-02-27 US US12/379,757 patent/US7995629B2/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5095487A (en) * | 1990-12-14 | 1992-03-10 | The University Of Rochester | System for generating pluralities of optical pulses with predetermined frequencies in a temporally and spatially overlapped relationship |
JPH08111556A (ja) * | 1994-10-12 | 1996-04-30 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | 近接二波長可変レーザ装置 |
JPH1093182A (ja) * | 1996-06-05 | 1998-04-10 | Jin Tianfeng | 周波数変換型固体レーザ装置、周波数2倍型固体レーザ装置および周波数変換型結合型共振キャビティ |
JP2005039250A (ja) * | 2003-06-26 | 2005-02-10 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | レーザ照射装置、レーザ照射方法、及び半導体装置の作製方法 |
JP2007526649A (ja) * | 2004-03-04 | 2007-09-13 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | Ir波長レーザ放射線の上位変換用導波構造 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20090274181A1 (en) | 2009-11-05 |
US7995629B2 (en) | 2011-08-09 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US20220149579A1 (en) | Ultrashort pulse laser source with chirped pulse amplification and tailored pulse train | |
JP2009272396A (ja) | 固体レーザー装置 | |
JP6971978B2 (ja) | パルスポンピングを有するシングルパスレーザー増幅器 | |
JP4526409B2 (ja) | レーザー光のコントラスト向上法及びレーザー発生装置 | |
EP2827461B1 (en) | Method and laser source for generation of optically synchronized dual-wavelength ultrashort light pulses | |
Manchee et al. | Highly stable, 100 W average power from fiber-based ultrafast laser system at 1030 nm based on single-pass photonic-crystal rod amplifier | |
WO2012165481A1 (ja) | パルス光発生方法 | |
JP2010080642A (ja) | ファイバレーザ装置、レーザ加工装置、並びにレーザ加工方法 | |
JP2006088199A (ja) | レーザ誘起改質加工装置及び方法 | |
JP5093468B2 (ja) | 高強度レーザーのコントラスト制御法 | |
US20220278498A1 (en) | Nonlinear ultrafast fiber amplifiers | |
JP6367569B2 (ja) | レーザ光源装置 | |
Bravy et al. | High-power mid-IR (4–5 μm) femtosecond laser system with a broadband amplifier based on Fe 2+: ZnSe | |
JP2014138047A (ja) | レーザー装置用ビームライン、レーザー装置 | |
Hönninger et al. | Femtosecond fiber laser system for medical applications | |
JP2011028043A (ja) | レーザー光発生方法及びレーザー光発生装置 | |
US20160301186A1 (en) | Quasi-continuous burst-mode laser | |
He et al. | High Peak Power Tunable DUV Source around 275 nm from a Frequency quadrupled Yb-doped fiber MOPA | |
Körner et al. | Diode-pumped, cryogenically cooled, femtosecond burst mode laser | |
Nam et al. | Highly efficient, octave-spanning mid-infrared OPA in ZnGeP2 pumped by a femtosecond Cr: ZnSe laser | |
Paul et al. | Development of an 10− 14 ultra high contrast laser system using high energy XPW filtering scheme | |
Zhang et al. | High average power all-fiber superluminescent pulse amplifier with tunable repetition rates and pulse widths | |
Röser et al. | 90-W average-power, high-energy femtosecond fiber laser system | |
French et al. | Energy-scalable pulsed mid-infrared source using orientation-patterned GaAs | |
Ito et al. | Diode-pumped, chirped-pulse Yb: S-FAP regenerative amplifier for laser-Compton X-ray generation |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20101124 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120605 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20120606 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120806 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20121112 |