JP2009265213A - 液晶表示装置及び電子機器 - Google Patents

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JP2009265213A JP2008112141A JP2008112141A JP2009265213A JP 2009265213 A JP2009265213 A JP 2009265213A JP 2008112141 A JP2008112141 A JP 2008112141A JP 2008112141 A JP2008112141 A JP 2008112141A JP 2009265213 A JP2009265213 A JP 2009265213A
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Toshihiro Otake
俊裕 大竹
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Abstract

【課題】従来の液晶表示装置では、厚みを低減することが困難である。
【解決手段】第1基板51と、第1基板51に対向する第2基板81と、第1基板51及
び第2基板81の間に介在する液晶19と、第1基板51の液晶19側とは反対側に配置
され、第1基板51に向けて光を照射する照明装置と、第1基板51と前記照明装置との
間に設けられた偏光板11aと、前記照明装置からの光を透過させることで透過表示を行
う透過領域Tと、第2基板81を介して液晶19に入射された光を反射させることで反射
表示を行う反射領域Hと、を有する画素と、第1基板51及び偏光板11aの間に配置さ
れ、前記照明装置から反射領域Hに向かう光の少なくとも一部を透過領域Tに導くプリズ
ム部99と、を有することを特徴とする液晶表示装置。
【選択図】図5

Description

本発明は、液晶表示装置及び電子機器に関する。
従来から、半透過反射型の液晶表示装置が知られている(例えば、特許文献1参照)。
特開2008−15229号公報 特開平6−51300号公報
上記特許文献1に記載された液晶表示装置では、1つの画素(サブ画素)に、透過表示
を行う透過表示領域(透過領域)と、反射表示を行う反射表示領域(反射領域)とが設定
されている。透過領域では、照明装置から入射された光を透過領域で変調することによっ
て透過表示が行われる。反射領域では、液晶装置を挟んで照明装置とは反対側から入射さ
れた外光を反射領域で変調しつつ、反射領域に設けられた反射膜(反射層)で反射するこ
とによって反射表示が行われる。
ところで、半透過反射型の液晶表示装置では、照明装置からの光は、透過領域だけでは
なく反射領域にも照射される。照明装置から反射領域に照射された光は、透過表示に寄与
しない。この液晶表示装置では、照明装置からの光のうちで透過表示に寄与しない光が無
駄になりやすい。
ここで、上記特許文献2には、プリズム板を有する液晶表示装置が記載されている。こ
の液晶表示装置では、照明装置から遮光膜に向かう光がプリズム板の切り込み(プリズム
)で屈折され、屈折された光が画素に入射される。このため、光の利用効率の向上が図ら
れる。
そこで、前述した半透過反射型の液晶表示装置にプリズムを適用することが考えられる
。しかしながら、半透過反射型の液晶表示装置において、照明装置と画素との間にプリズ
ムを介在させる場合、次のような課題がある。
プリズム601は、画素603を模式的に示す断面図である図19に示すように、平面
視で反射領域605に重なる領域に配置され得る。プリズム601で屈折した光607は
、透過領域609に及ぶ。このとき、プリズム601の頂点と基板611との間の距離6
13が長くなると、プリズム601の厚みが厚くなっていく。
一般的に、複数の画素を区画する遮光膜の幅寸法は、各画素の反射領域の幅寸法よりも
小さい。このため、半透過反射型の液晶表示装置に適用するプリズムの厚みの増加率は、
上記特許文献2に記載された液晶表示装置のプリズムの厚みの増加率よりも大きくなる。
ここで、上記特許文献2に記載された液晶表示装置では、プリズム板と基板との間に偏
光板や拡散板が介在している。特許文献2に記載された構成を半透過反射型の液晶表示装
置に適用すると、上記の距離613を短くすることが困難となる。
つまり、従来の液晶表示装置では、厚みを低減することが困難であるという課題がある
本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の
形態又は適用例として実現され得る。
[適用例1]第1基板と、前記第1基板に対向する第2基板と、前記第1基板及び前記
第2基板の間に介在する液晶と、前記第1基板の前記液晶側とは反対側に配置され、前記
第1基板に向けて光を照射する照明装置と、前記第1基板と前記照明装置との間に設けら
れた偏光板と、前記照明装置からの光を透過させることで透過表示を行う透過領域と、前
記第2基板を介して前記液晶に入射された光を反射させることで反射表示を行う反射領域
と、を有する画素と、前記第1基板及び前記偏光板の間に配置され、前記照明装置から前
記反射領域に向かう光の少なくとも一部を前記透過領域に導く光学素子と、を有すること
を特徴とする液晶表示装置。
適用例1の液晶表示装置は、第1基板と、第2基板と、液晶と、照明装置と、偏光板と
、画素と、光学素子と、を有している。第2基板は、第1基板に対向している。液晶は、
第1基板及び第2基板間に介在している。照明装置は、第1基板の液晶側とは反対側に配
置されており、第1基板に向けて光を照射する。偏光板は、第1基板と照明装置との間に
設けられている。画素は、透過領域と、反射領域とを有している。透過領域は、照明装置
からの光を透過させることで透過表示を行う。反射領域は、第2基板を介して液晶に入射
された光を反射させることで反射表示を行う。
この液晶表示装置では、第1基板及び偏光板の間に、照明装置から反射領域に向かう光
の少なくとも一部を透過領域に導く光学素子が設けられている。このため、照明装置から
反射領域に向かう光の少なくとも一部を透過表示に利用することができる。これにより、
この液晶表示装置では、光の利用効率を高めやすくすることができる。
また、この液晶表示装置では、光学素子が第1基板及び偏光板の間に設けられているの
で、液晶表示装置の薄型化を図りやすい。
[適用例2]上記の液晶表示装置であって、前記光学素子は、前記照明装置から入射さ
れた光の少なくとも一部を、前記透過領域側に向けて屈折させる傾斜面を有したプリズム
であることを特徴とする液晶表示装置。
適用例2では、光学素子がプリズムである。このプリズムは、照明装置から入射された
光の少なくとも一部を、透過領域側に向けて屈折させる傾斜面を有している。これにより
、照明装置から反射領域に向かう光の少なくとも一部を透過領域に導きやすくすることが
できる。また、プリズムが第1基板及び偏光板の間に設けられているので、プリズムと第
1基板との間の距離を短くしやすい。これにより、プリズムの厚みを低減しやすくするこ
とができ、液晶表示装置の薄型化を図りやすくすることができる。
[適用例3]上記の液晶表示装置であって、前記プリズムは、各前記画素において、平
面視で前記反射領域に重なる領域内に設けられていることを特徴とする液晶表示装置。
適用例3では、プリズムが各画素において平面視で反射領域に重なる領域内に設けられ
ているので、照明装置から透過領域に向かう光がプリズムに入射されにくい。このため、
照明装置から透過領域に向かう光がプリズムによって屈折を受けることを避けやすくする
ことができる。
[適用例4]上記の液晶表示装置であって、前記第1基板及び前記照明装置の間に介在
する樹脂層を有しており、前記プリズムは、前記樹脂層に形成されていることを特徴とす
る液晶表示装置。
適用例4の液晶表示装置は、樹脂層を有している。樹脂層は、第1基板及び照明装置の
間に介在している。そして、プリズムは、樹脂層に形成されている。樹脂層では、例えば
ガラスなどに比較して厚みを薄くしやすいので、液晶表示装置の薄型化を図りやすい。
[適用例5]上記の液晶表示装置であって、前記プリズムは、前記樹脂層の前記照明装
置側に設けられており、且つ前記第1基板側に向かって凸となる方向に設けられているこ
とを特徴とする液晶表示装置。
適用例5では、プリズムが樹脂層の照明装置側に設けられている。また、このプリズム
は、第1基板側に向かって凸となる方向に設けられている。この液晶表示装置では、プリ
ズムが第1基板側に向かって凸となる方向に設けられているので、例えば照明装置側に向
かって凸となる方向に設けられている場合に比較して、多くの光を透過領域に向けて射出
しやすくすることができる。
[適用例6]上記の液晶表示装置を表示部として有することを特徴とする電子機器。
適用例6の電子機器は、表示部としての液晶表示装置が、第1基板と、第2基板と、液
晶と、照明装置と、偏光板と、画素と、光学素子と、を有している。第2基板は、第1基
板に対向している。液晶は、第1基板及び第2基板間に介在している。照明装置は、第1
基板の液晶側とは反対側に配置されており、第1基板に向けて光を照射する。偏光板は、
第1基板と照明装置との間に設けられている。画素は、透過領域と、反射領域とを有して
いる。透過領域は、照明装置からの光を透過させることで透過表示を行う。反射領域は、
第2基板を介して液晶に入射された光を反射させることで反射表示を行う。
この液晶表示装置では、第1基板及び偏光板の間に、照明装置から反射領域に向かう光
の少なくとも一部を透過領域に導く光学素子が設けられている。このため、照明装置から
反射領域に向かう光の少なくとも一部を透過表示に利用することができる。これにより、
この液晶表示装置では、光の利用効率を高めやすくすることができる。また、この液晶表
示装置では、光学素子が第1基板及び偏光板の間に設けられているので、液晶表示装置の
薄型化を図りやすい。
そして、適用例6の電子機器は、光の利用効率を高めやすくすることができる液晶表示
装置を表示部として有しているので、表示部における光の利用効率を高めやすくすること
ができる。また、この電子機器では、薄型化を図りやすい液晶表示装置が表示部に適用さ
れているので、電子機器の薄型化が図られる。
実施形態について、半透過反射型の液晶装置の1つである表示装置を例に、図面を参照
しながら説明する。
第1実施形態における表示装置1は、図1に示すように、表示パネル3と、照明装置5
とを有している。
ここで、表示パネル3には、複数の画素7が設定されている。複数の画素7は、表示領
域8内で、図中のX方向及びY方向に配列しており、X方向を行方向とし、Y方向を列方
向とするマトリクスMを構成している。表示装置1は、照明装置5から表示パネル3に入
射された光を、表示パネル3に設定されている複数の画素7から選択的に表示面9を介し
て表示パネル3の外に射出することで、表示面9に画像を表示することができる。なお、
表示領域8とは、画像が表示され得る領域である。図1では、構成をわかりやすく示すた
め、画素7が誇張され、且つ画素7の個数が減じられている。
表示パネル3は、図1中のA−A線における断面図である図2に示すように、液晶パネ
ル10と、偏光板11a及び11bとを有している。
液晶パネル10は、素子基板13と、対向基板15と、プリズム基板17と、液晶19
と、シール材21とを有している。
素子基板13には、表示面9側すなわち液晶19側に、複数の画素7のそれぞれに対応
して、後述するスイッチング素子などが設けられている。
対向基板15は、素子基板13よりも表示面9側で素子基板13に対向し、且つ素子基
板13との間に隙間を有した状態で設けられている。対向基板15には、表示パネル3に
おける表示面9の裏面に相当する面である底面23側すなわち液晶19側に、後述する位
相差膜などが設けられている。
プリズム基板17は、素子基板13よりも底面23側で素子基板13に対向した状態で
設けられている。プリズム基板17には、後述するプリズム部が設けられている。
液晶19は、素子基板13及び対向基板15の間に介在しており、表示パネル3の周縁
よりも内側で表示領域8を囲むシール材21によって、素子基板13及び対向基板15の
間に封止されている。なお、本実施形態では、液晶19の駆動方式として、FFS(Frin
ge Field Switching)型の駆動方式が採用されている。
偏光板11aは、素子基板13よりも底面23側、すなわち液晶19側とは反対側に設
けられている。偏光板11bは、対向基板15よりも表示面9側、すなわち液晶19側と
は反対側に設けられている。表示装置1では、偏光板11a及び11bは、偏光板11a
における光の透過軸の方向と、偏光板11bにおける光の透過軸の方向とが、互いに直交
する方向に設定されている。偏光板11a及び11bは、それぞれ、透過軸の方向に偏光
軸を有する光を透過させることができる。
なお、偏光板11aと素子基板13との間や、偏光板11bと対向基板15との間に、
光学補償フィルムを設けた構成も採用され得る。光学補償フィルムを設けることで、液晶
19を表示面9の法線方向から見たときや、法線方向から傾斜した方向から見たときなど
の液晶19の位相差を補償することができる。これにより、光漏れを低減することができ
、コントラストの向上が図られる。
光学補償フィルムとしては、屈折率異方性が負のディスコティック液晶分子等をハイブ
リッド配向させた負の一軸性媒体(例えば、富士フィルム製のWVフィルム)などが採用
され得る。また、屈折率異方性が正のネマチック液晶分子等をハイブリッド配向させた正
の一軸性媒体(例えば、日本石油製のNHフィルム)なども採用され得る。さらに、負の
一軸性媒体と正の一軸性媒体とを組み合わせた構成も採用され得る。その他、各方向の屈
折率がnx>ny>nzとなる二軸性媒体や、負のC−Plate等も採用され得る。
照明装置5は、表示パネル3の底面23側に設けられており、導光板31と、光源33
とを有している。導光板31は、図2で見て表示パネル3の下側に設けられており、表示
パネル3の底面23に対向する光射出面35bを有している。
光源33は、例えば、LED(Light Emitting Diode)や冷陰極管などが採用され、図
2で見て導光板31の側面35aの左方に設けられている。
光源33からの光は、導光板31の側面35aに入射される。導光板31に入射された
光は、導光板31の中で反射を繰り返しながら光射出面35bから射出される。光射出面
35bから射出された光は、表示パネル3の底面23から、偏光板11aを介して表示パ
ネル3に入射される。なお、導光板31には、必要に応じて、光射出面35bに拡散板が
設けられ、底面35cに反射板が設けられる。
表示パネル3に設定されている複数の画素7は、それぞれ、表示面9から射出する光の
色が、図3に示すように、赤系(R)、緑系(G)及び青系(B)のうちの1つに設定さ
れている。つまり、マトリクスMを構成する複数の画素7は、Rの光を射出する画素7r
と、Gの光を射出する画素7gと、Bの光を射出する画素7bとを含んでいる。
なお、以下においては、画素7という表記と、画素7r、7g及び7bという表記とが
、適宜、使いわけられる。
ここで、Rの色は、純粋な赤の色相に限定されず、橙等を含む。Gの色は、純粋な緑の
色相に限定されず、青緑や黄緑を含む。Bの色は、純粋な青の色相に限定されず、青紫や
青緑等を含む。他の観点から、Rの色を呈する光は、光の波長のピークが、可視光領域で
570nm以上の範囲にある光であると定義され得る。また、Gの色を呈する光は、光の
波長のピークが500nm〜565nmの範囲にある光であると定義され得る。Bの色を
呈する光は、光の波長のピークが415nm〜495nmの範囲にある光であると定義さ
れ得る。
マトリクスMでは、Y方向に沿って並ぶ複数の画素7が、1つの画素列41を構成して
いる。1つの画素列41内の各画素7は、光の色がR、G及びBのうちの1つに設定され
ている。つまり、マトリクスMは、複数の画素7rがY方向に配列した画素列41rと、
複数の画素7gがY方向に配列した画素列41gと、複数の画素7bがY方向に配列した
画素列41bとを有している。そして、マトリクスMでは、画素列41r、画素列41g
及び画素列41bが、この順でX方向に沿って反復して並んでいる。
なお、以下においては、画素列41という表記と、画素列41r、画素列41g及び画
素列41bという表記とが、適宜、使いわけられる。
各画素7は、図3中のC部の拡大図である図4に示すように、透過領域Tと、反射領域
Hとを有している。なお、図4では、構成をわかりやすく示すため、反射領域Hにハッチ
ングが施されている。
透過領域Tでは、図2に示す照明装置5から底面23を介して液晶19に入射された光
を表示面9側に透過させることによって、透過表示が行われる。
反射領域Hでは、表示面9を介して液晶19に入射された外光を、後述する反射膜で表
示面9側に反射させて、その反射光を表示面9側に射出することによって、反射表示が行
われる。なお、外光とは、表示パネル3の表示面9から入射されるあらゆる光である。外
光には、例えば、屋内外の照明光や、太陽光などが含まれる。
ここで、液晶パネル10の素子基板13、対向基板15及びプリズム基板17のそれぞ
れの構成について、詳細を説明する。
素子基板13は、図4中のD−D線における断面図である図5に示すように、第1基板
51と、素子層52とを有している。
第1基板51は、例えばガラスや石英などの光透過性を有する材料で構成されており、
表示面9側に向けられた対向面54aと、底面23側に向けられた外向面54bとを有し
ている。
素子層52は、第1基板51の対向面54aに設けられている。素子層52には、ゲー
ト絶縁膜57と、絶縁膜59と、配向膜61と、スイッチング素子の1つであるTFT(
Thin Film Transistor)素子63と、反射膜65と、共通電極67と、画素電極69とが
含まれている。
ゲート絶縁膜57は、第1基板51の対向面54aに設けられている。絶縁膜59は、
ゲート絶縁膜57の表示面9側に設けられている。配向膜61は、絶縁膜59の表示面9
側に設けられている。
TFT素子63と、反射膜65と、共通電極67と、画素電極69とは、それぞれ、各
画素7に対応して設けられている。
TFT素子63は、ゲート電極71と、半導体層72と、ソース電極73と、ドレイン
電極74とを有している。ゲート電極71は、第1基板51の対向面54aに設けられて
おり、ゲート絶縁膜57によって表示面9側から覆われている。なお、ゲート電極71の
材料としては、例えば、モリブデン、タングステン、クロムなどの金属や、これらを含む
合金などが採用され得る。また、ゲート絶縁膜57の材料としては、例えば、酸化シリコ
ンや窒化シリコンなどの光透過性を有する材料が採用され得る。
半導体層72は、例えばアモルファスシリコンで構成されており、ゲート絶縁膜57を
挟んでゲート電極71に対向する位置に設けられている。
ソース電極73は、ゲート絶縁膜57の表示面9側に設けられており、一部が半導体層
72に重なっている。ドレイン電極74は、ゲート絶縁膜57の表示面9側に設けられて
おり、一部が半導体層72に重なっている。上記の構成を有するTFT素子63は、半導
体層72がゲート電極71と、ソース電極73及びドレイン電極74との間に位置する所
謂ボトムゲート型である。
上記の構成を有するTFT素子63は、絶縁膜59によって表示面9側から覆われてい
る。なお、絶縁膜59の材料としては、例えば、酸化シリコン、窒化シリコン、アクリル
系の樹脂などの光透過性を有する材料が採用され得る。
反射膜65は、第1基板51の対向面54aに設けられており、平面視で反射領域Hに
重なっている。反射膜65の材料としては、例えばアルミニウムなどの光反射性を有する
材料が採用され得る。
共通電極67は、第1基板51の対向面54a側に設けられており、平面視で透過領域
T及び反射領域Hに重なっている。共通電極67とゲート電極71とは、互いにY方向に
間隔をあけた状態で設けられている。共通電極67の材料としては、例えばITO(Indi
um Tin Oxide)などの光透過性を有する材料が採用され得る。
共通電極67は、ゲート絶縁膜57によって表示面9側から覆われている。
画素電極69は、絶縁膜59の表示面9側に設けられている。画素電極69は、絶縁膜
59に設けられたコンタクトホール75を介して、ドレイン電極74につながっている。
画素電極69の材料としては、例えばITOなどの光透過性を有する材料が採用され得る

配向膜61は、例えばポリイミドなどの光透過性を有する材料で構成されており、絶縁
膜59及び画素電極69を表示面9側から覆っている。なお、配向膜61には、配向処理
が施されている。
対向基板15は、第2基板81と、対向層82とを有している。第2基板81は、例え
ばガラスや石英などの光透過性を有する材料で構成されており、表示面9側に向けられた
外向面83aと、底面23側に向けられた対向面83bとを有している。
対向層82は、第2基板81の対向面83bに設けられている。対向層82には、光吸
収層85と、カラーフィルタ87と、オーバーコート層91と、配向膜92と、配向膜9
3と、位相差板95とが含まれている。
光吸収層85は、第2基板81の対向面83bに設けられており、領域86にわたって
いる。光吸収層85は、平面視で格子状に設けられており、各画素7を区画している。表
示装置1では、各画素7は、光吸収層85によって囲まれた領域であると定義され得る。
光吸収層85の材料としては、例えば、カーボンブラックやクロムなどの光吸収性が高
い材料を含有する樹脂などが採用され得る。
カラーフィルタ87は、各画素7に対応して設けられている。カラーフィルタ87は、
第2基板81の対向面83b側に設けられており、光吸収層85によって囲まれた各領域
、すなわち各画素7の領域を底面23側から覆っている。
ここで、カラーフィルタ87は、入射された光のうち所定の波長域の光を透過させるこ
とができる。カラーフィルタ87は、画素7r、画素7g及び画素7bごとに異なる色に
着色された樹脂などで構成されている。画素7rに対応するカラーフィルタ87は、Rの
光を透過させることができる。画素7gに対応するカラーフィルタ87はGの光を透過さ
せ、画素7bに対応するカラーフィルタ87はBの光を透過させることができる。なお、
以下において、各カラーフィルタ87に対してR、G及びBが識別される場合に、カラー
フィルタ87r、87g及び87bという表記が用いられる。
オーバーコート層91は、光吸収層85及びカラーフィルタ87の底面23側に設けら
れている。オーバーコート層91は、光透過性を有する樹脂などで構成されており、光吸
収層85及びカラーフィルタ87を底面23側から覆っている。
配向膜92は、オーバーコート層91の底面23側に設けられている。配向膜92は、
例えばポリイミドなどの光透過性を有する材料で構成されており、オーバーコート層91
を底面23側から覆っている。配向膜92には、底面23側に配向処理が施されている。
位相差板95は、例えば液晶化合物を含む材料で構成されており、オーバーコート層9
1の底面23側に設けられている。位相差板95は、平面視で反射領域Hに重なる領域に
設けられている。位相差板95は、この位相差板95に入射された光に、1/2波長の位
相差を与える。
位相差板95は、液晶化合物を含む液状の材料を硬化させることによって設けられ得る
。液晶化合物を含む液状の材料を硬化させるときに、液晶化合物の配向状態が配向膜92
によって規制される。
配向膜93は、配向膜92及び位相差板95の底面23側に設けられている。配向膜9
3は、例えばポリイミドなどの光透過性を有する材料で構成されており、配向膜92及び
位相差板95を底面23側から覆っている。配向膜93には、底面23側に配向処理が施
されている。
プリズム基板17は、第1基板51の外向面54bに設けられている。プリズム基板1
7には、平面視で各反射領域Hに重なる領域にプリズム部99が設けられている。各プリ
ズム部99は、Y方向の幅が、平面視で領域101内に設けられている。領域101は、
1つの反射領域Hと、この反射領域HにY方向に隣り合う領域86とを含んでいる。
従って、各画素7において、プリズム部99のY方向における幅は、反射領域H内にお
さまっている。
プリズム部99は、プリズム基板17に、底面23側から表示面9側に向かって凹とな
る凹部を形成した構成を有している。プリズム部99を構成する凹部内には、例えば空気
などの媒質が介在している。これにより、プリズム部99は、底面23側から表示面9側
に向かって凸となるプリズムを構成する。
なお、プリズム基板17の材料としては、例えば、光学ガラスやアクリル系の樹脂など
の光透過性を有し、且つ屈折率が大きい材料が採用され得る。表示装置1では、プリズム
基板17の材料としてアクリル系の樹脂が採用されている。
プリズム部99は、プリズム基板17にスタンパなどによって凹部を形成することによ
って形成され得る。
素子基板13及び対向基板15の間に介在する液晶19は、配向膜61と配向膜93と
の間に介在している。液晶パネル10では、各画素7において、透過領域Tと反射領域H
とで液晶19の厚みが異なる所謂マルチギャップ構造が採用されている。
透過領域Tにおいて、液晶19は、L1なる厚みを有している。これに対し、反射領域
Hでは、液晶19の厚みL2が、L1>L2となるように、位相差板95の厚みが設定さ
れている。なお、液晶パネル10では、L1は、L2の約2倍に設定されている。
ここで、位相差板95は、図5中のE−E線における断面図である図6に示すように、
X方向に並ぶ複数の画素7間にわたって一連している。つまり、位相差板95は、X方向
に並ぶ複数の反射領域Hに、図3に示すマトリクスMの画素行42単位で重なっている。
また、プリズム部99も、X方向に並ぶ複数の画素7間にわたって一連している。従っ
て、プリズム部99も、X方向に並ぶ複数の反射領域Hに、画素行42単位で重なってい
る。
ここで、各画素7におけるTFT素子63、共通電極67及び画素電極69の配置につ
いて説明する。
画素電極69は、平面図である図7に示すように、画素7の領域にわたって設けられて
おり、複数のスリット部111を有している。図7では、構成をわかりやすく示すため、
画素電極69にハッチングが施されている。
複数のスリット部111は、Y方向に所定間隔で並んでいる。各スリット部111は、
Y方向とは交差する方向に沿って延びている。なお、各スリット部111が延びる方向は
、X方向から傾斜している。
共通電極67は、画素電極69を覆う領域に設けられている。X方向に隣り合う画素7
間において、共通電極67同士は、共通線113によって接続されている。
各画素7において、共通電極67及び画素電極69は、それぞれの周縁部が領域86に
重なっている。
なお、図5に示す反射膜65及び位相差板95は、図7に示す境界部115よりも反射
領域H側で、共通電極67に重なっている。従って、反射領域Hは、各画素7と反射膜6
5と位相差板95とが、平面視で重なる領域であると定義され得る。また、透過領域Tは
、各画素7から反射領域Hを除いた領域と、共通電極67とが、平面視で重なる領域であ
ると定義され得る。
TFT素子63は、図7で見て透過領域Tの左側の領域86内に設けられている。画素
電極69は、透過領域T内から領域86内に及んでおり、領域86内に設けられたコンタ
クトホール75を介してドレイン電極74につながっている。X方向に隣り合う画素7間
において、ゲート電極71同士は、ゲート線117によって接続されている。また、Y方
向に隣り合う画素7間において、ソース電極73同士は、データ線119によって接続さ
れている。
なお、図5におけるTFT素子63、共通電極67及び画素電極69の断面は、図7中
のJ−J線における断面に相当している。
共通電極67と画素電極69との間に電圧を印加すると、共通電極67と画素電極69
との間に電界が発生する。液晶パネル10では、TFT素子63がOFF状態からON状
態に変化すると、共通電極67と画素電極69との間に電界が発生する。この電界によっ
て液晶19の配向状態を変化させることができる。
表示装置1では、照明装置5から表示パネル3に光を照射した状態で、液晶19の配向
状態を画素7ごとに変化させることにより、表示が制御される。液晶19の配向状態は、
TFT素子63のOFF状態及びON状態を切り替えることによって変化し得る。
配向膜61及び配向膜93のそれぞれには、配向処理が施されている。配向処理が施さ
れた配向膜61及び配向膜93によって、液晶19の初期的な配向状態が規制される。
図8(a)は、TFT素子63がOFF状態のときの透過領域Tにおける偏光状態を示
す図であり、図8(b)は、TFT素子63がON状態のときの透過領域Tにおける偏光
状態を示す図である。
表示装置1では、液晶19の初期的な配向方向121は、図8(a)に示すように、偏
光板11aの透過軸123aに沿った方向に設定されている。
TFT素子63がON状態に切り替わると、液晶19の配向方向121は、図8(b)
に示すように、平面視で偏光板11aの透過軸123aに対してこの図で見て反時計方向
に45度の傾きを有する方向に変化する。
図9(a)は、TFT素子63がOFF状態のときの反射領域Hにおける偏光状態を示
す図であり、図9(b)は、TFT素子63がON状態のときの反射領域Hにおける偏光
状態を示す図である。
反射領域Hにおける液晶19の配向方向121は、図9(a)及び図9(b)のそれぞ
れに示すように、透過領域Tと同様である。
なお、図8(a)及び図8(b)、並びに図9(a)及び図9(b)において、X'方
向及びY'方向は、X'方向が偏光板11aの透過軸123aに沿った方向を示し、Y'方
向が偏光板11bの透過軸123bに沿った方向を示している。X'方向及びY'方向は、
XY平面内で互いに直交する任意の2方向である。
透過領域Tでは、底面23側から偏光板11aを経て入射された入射光は、図8(a)
及び図8(b)に示すように、偏光板11aの透過軸123aに沿った偏光軸を有する直
線偏光125として液晶19に入射される。
液晶19に入射された直線偏光125は、TFT素子63がOFF状態のときに、図8
(a)に示すように、偏光軸が液晶19の配向方向121に沿っている。このため、液晶
19に入射された直線偏光125は、偏光状態が維持されたまま直線偏光125として偏
光板11bに入射される。
偏光板11bに入射された直線偏光125は、偏光軸が偏光板11bの透過軸123b
に対して直交しているため、偏光板11bによって吸収される。
他方で、TFT素子63がON状態のときに、直線偏光125は、図8(b)に示すよ
うに、偏光軸が液晶19の配向方向121とは交差している。このため、液晶19に入射
された直線偏光125は、液晶19によって1/2波長の位相差が与えられ、直線偏光1
25の偏光軸に直交する偏光軸を有する直線偏光127として偏光板11bに入射される

偏光板11bに入射された直線偏光127は、偏光軸が偏光板11bの透過軸123b
の方向に沿っているため、偏光板11bを透過する。
このように、透過領域Tでは、TFT素子63のON状態及びOFF状態の切り替えに
より、透過表示が制御される。
反射領域Hでは、表示面9側から偏光板11bを経て入射された入射光は、図9(a)
及び図9(b)に示すように、偏光板11bの透過軸123bに沿った偏光軸を有する直
線偏光129として位相差板95に入射される。
ここで、位相差板95の遅相軸131は、平面視でX'方向に対してこれらの図で見て
反時計方向に67.5度の傾きを有する方向に設定されている。
従って、位相差板95に入射された直線偏光129は、1/2波長の位相差が与えられ
、直線偏光133として液晶19に入射される。直線偏光133の偏光軸は、平面視でX
'方向に対して図9(a)及び図9(b)で見て反時計方向に45度の傾きを有する方向
に沿っている。
液晶19に入射された直線偏光133は、TFT素子63がOFF状態のときに、図9
(a)に示すように、偏光軸が液晶19の配向方向121とは交差している。このため、
液晶19に入射された直線偏光133は、1/4波長の位相差が与えられ、この図で見て
左回りの円偏光135として反射膜65に向けて射出される。
円偏光135は、反射膜65で反射され、この図で見て右回りすなわち円偏光135と
は逆回転の円偏光137として液晶19に入射される。
液晶19に入射された円偏光137は、1/4波長の位相差が与えられ、平面視でX'
方向に対してこの図で見て反時計方向に135度の傾きを有する方向に沿った偏光軸を有
する直線偏光139として位相差板95に入射される。
位相差板95に入射された直線偏光139は、1/2波長の位相差が与えられ、平面視
でX'方向に沿った偏光軸を有する直線偏光141として偏光板11bに入射される。
偏光板11bに入射された直線偏光141は、偏光軸が偏光板11bの透過軸123b
に対して直交しているため、偏光板11bによって吸収される。
他方で、TFT素子63がON状態のときに、液晶19に入射された直線偏光133は
、図9(b)に示すように、偏光軸が液晶19の配向方向121に沿っているため、偏光
状態が維持されたまま直線偏光133として反射膜65に向けて射出される。
反射膜65に向けて射出された直線偏光133は、偏光状態が維持されたまま反射膜6
5で反射され、液晶19に入射される。
反射膜65から液晶19に入射された直線偏光133は、偏光状態が維持されたまま位
相差板95に入射される。位相差板95に入射された直線偏光133は、1/2波長の位
相差が与えられ、平面視でY'方向に沿った偏光軸を有する直線偏光143として偏光板
11bに入射される。偏光板11bに入射された直線偏光143は、偏光軸が偏光板11
bの透過軸123bの方向に沿っているため、偏光板11bを透過する。
このように、反射領域Hにおいても、透過領域Tと同様にTFT素子63のON状態及
びOFF状態の切り替えにより、反射表示が制御される。
ここで、前述したように、液晶パネル10は、プリズム基板17を有している。
照明装置5から液晶パネル10に向かう光は、プリズム基板17及び素子基板13を経
て液晶19に入射される。このとき、照明装置5から各領域101に向かう光151は、
液晶パネル10及びプリズム基板17を模式的に示す断面図である図10に示すように、
プリズム部99に入射される。
プリズム部99に入射された光151は、プリズム部99で屈折する。表示装置1では
、各プリズム部99で屈折した屈折光151aは、領域101にY方向に隣り合う各透過
領域Tに向かう。
プリズム部99は、入射された光151を屈折光151aとして透過領域Tに導く。
ここで、プリズム部99の形状の設定について説明する。
プリズム部99は、図10中のK部の拡大図である図11に示すように、頂点153と
、傾斜面155と、底点157とを有している。傾斜面155は、第1基板51の対向面
54aに対して傾斜している。傾斜面155から透過領域Tに向かう屈折光151aは、
仮想線分161と仮想線分163とによって挟まれた範囲内に規定される。
仮想線分161は、頂点153と、反射領域H及び透過領域Tの境界部とを結ぶ線分で
ある。仮想線分163は、底点157と、透過領域T及び領域86の境界部とを結ぶ線分
である。
表示装置1では、反射領域H及び透過領域Tの境界部は、反射膜65の端部65aであ
る。また、透過領域T及び領域86の境界部は、光吸収層85の端部85aである。
ここで、プリズム部99の底点157と反射膜65との間のZ方向における間隔をZ1
と仮定し、頂点153と反射膜65との間のZ方向における間隔をZ2と仮定し、端部6
5aと端部85aとの間のZ方向における間隔をZ3と仮定する。なお、Z方向は、X方
向及びY方向に直交する方向を示す。
また、頂点153と底点157とのY方向における間隔をNと仮定し、端部65aと端
部85aとの間のY方向における間隔をPと仮定する。光151は、傾斜面155に対し
て角度αでプリズム部99に入射される。傾斜面155から透過領域Tに向かう屈折光1
51aは、傾斜面155の法線165に対して角度βでプリズム部99から射出される。
上記の仮定に基づいて、Z2は、下記(1)式によって算出され得る。
Z2=N×tan(α+β)…(1)
ここで、屈折光151aが仮想線分161よりも透過領域T側に向かう条件として、Z
2は、下記(2)式によって規定される。
Z2>N×tan(α+β)…(2)
また、頂点153と底点157とのZ方向における間隔は、下記(3)式によって算出
され得る。
Z1−Z2=N/(tanα)…(3)
(2)式及び(3)式から、屈折光151aが仮想線分161よりも透過領域T側に向
かう条件として、下記(4)式が導出される。
Z1>N×tan(α+β)+N/(tanα)…(4)
また、上記の仮定に基づいて、底点157と端部85aとの間のZ方向における間隔は
、下記(5)式によって算出され得る。
Z1+Z3=P×tan(α+β)…(5)
ここで、屈折光151aが仮想線分163よりも透過領域T側に向かう条件として、下
記(6)式が規定される。
Z1+Z3<P×tan(α+β)…(6)
さらに、光151の屈折の条件として、下記(7)式及び(8)式が規定される。
n1×sin(90°−α)=n2×sinβ…(7)
n2>n1…(8)
(7)式及び(8)式において、n1は、プリズム部99の2つの傾斜面155と偏光
板11a(図5)とによって囲まれる領域内の媒質の屈折率である。n2は、プリズム基
板17の屈折率である。
上記の(4)式、(6)式、(7)式及び(8)式に基づいて、傾斜面155が規定さ
れ得る。これにより、プリズム部99の形状が設定され得る。
なお、図11に示す間隔Z3が、間隔Z1や間隔Z2に比べて無視できる程度に小さい
場合には、間隔Z1を規定する条件として、下記(9)式が導出される。
P×tan(α+β)>Z1>N×tan(α+β)+N/(tanα)…(9)
第1実施形態において、表示装置1が液晶表示装置に対応し、プリズム基板17が樹脂
層に対応し、プリズム部99が光学素子としてのプリズムに対応している。
表示装置1では、照明装置5と液晶パネル10との間にプリズム基板17が設けられて
いる。プリズム基板17には、平面視で領域101(図10)に重なるプリズム部99が
設けられている。このため、照明装置5から領域101に向かう光151の少なくとも一
部を透過領域Tに導くことができる。
これにより、照明装置5から領域101に向かう光151の少なくとも一部を透過表示
に利用することができるので、光の利用効率を高めやすくすることができる。この結果、
各画素7における輝度を高めやすくすることができる。逆に、照明装置5の輝度を低く保
つことによって消費電力を下げても、各画素7における輝度の低下を抑えやすくすること
ができる。
また、表示装置1では、プリズム基板17が偏光板11aと第1基板51との間に介在
している。このため、偏光板11aがプリズム基板17と第1基板51との間に介在して
いる場合に比較して、頂点153と反射膜65との間のZ方向における間隔Z2(図11
)を小さくしやすくすることができる。
間隔Z2が大きくなると、頂点153と底点157との間のZ方向における間隔、すな
わちプリズム部99の厚みも大きくなりやすい。これに対し、表示装置1では、間隔Z2
を小さくしやすいので、プリズム部99の厚みを小さくしやすい。このため、表示装置1
の薄型化を図りやすくすることができる。
また、表示装置1では、各画素7において、プリズム部99の底点157が反射領域H
内におさまっている。このため、照明装置5から透過領域Tに向かう光は、プリズム部9
9に入射されにくい。従って、照明装置5から透過領域Tに向かう光がプリズム部99に
よって屈折を受けることを避けやすくすることができる。
また、表示装置1では、プリズム基板17の材料として樹脂が採用されている。樹脂で
は、例えばガラスなどに比較して厚みを薄くしやすいので、表示装置1の薄型化を一層図
りやすくすることができる。
第2実施形態について説明する。
第2実施形態における表示装置1は、各画素7において各反射領域Hが、図3中のC部
の拡大図である図12に示すように、島状に設定されていることを除いては第1実施形態
における表示装置1と同様の構成を有している。
従って、以下の第2実施形態では、重複した説明を避けるため、第1実施形態と同一の
構成については、同一の符号を付して詳細な説明を省略し、第1実施形態と異なる点のみ
について説明する。
第2実施形態では、各反射領域Hは、平面視で各透過領域Tに囲まれている。各反射領
域Hが島状に設定されているため、反射膜65及び位相差板95並びにプリズム部99も
島状に設けられている。
プリズム部99は、平面図である図13に示すように、斜面171及び斜面173を有
している。
プリズム部99は、図12中のQ−Q線における断面図である図14に示すように、Y
方向における幅が反射領域H内におさまっている。
斜面171は、第1実施形態と同様に、前述した(4)式、(6)式、(7)式及び(
8)式に基づいて規定され得る。
また、プリズム部99は、図12中のS−S線における断面図である図15に示すよう
に、X方向における幅が反射領域H内におさまっている。
斜面173も、前述した(4)式、(6)式、(7)式及び(8)式に基づいて規定さ
れ得る。
斜面171及び斜面173が(4)式、(6)式、(7)式及び(8)式に基づいて規
定され得るので、プリズム部99の形状が第1実施形態と同様に設定され得る。
第2実施形態における表示装置1においても、第1実施形態における表示装置1と同様
の効果が得られる。
なお、第1実施形態及び第2実施形態では、それぞれ、液晶19の駆動方式としてFF
S型の駆動方式が採用されているが、駆動方式はこれに限定されず、IPS(In Plane S
witching)型、VA(Vertical Alignment)型等の種々の方式が採用され得る。
また、第1実施形態及び第2実施形態では、それぞれ、位相差板95が対向基板15側
に設けられている場合を例に説明したが、位相差板95はこれに限定されず、素子基板1
3側に設けられていてもよい。
また、第1実施形態及び第2実施形態では、それぞれ、入射された光に対して1/2波
長の位相差を与える位相差板95を例に説明したが、位相差板95が与える位相差はこれ
に限定されず、1/4波長、1/8波長などの種々の位相差が採用され得る。
また、第1実施形態及び第2実施形態では、それぞれ、表示装置1の構成として、プリ
ズム部99が設けられたプリズム基板17を有する構成が採用されているが、表示装置1
の構成はこれに限定されない。表示装置1の構成としては、第1基板51にプリズム部9
9を設けた構成も採用され得る。この構成によれば、プリズム基板17を省略することが
できるので、表示装置1の薄型化を一層図りやすくすることができる。
また、プリズム部99を構成する凹部内の媒質は、空気に限定されず、n2>n1の条
件を満たすものであれば任意の媒質が採用され得る。
プリズム部99を構成する凹部内の媒質が空気であることは、n2とn1との差を大き
くしやすいため、屈折光151aと法線165との角度βを大きくすることができる。こ
れにより、頂点153と反射膜65との間のZ方向における間隔Z2を小さくしやすくす
ることができる。従って、プリズム部99を構成する凹部内の媒質が空気であることは、
表示装置1の薄型化を図る観点から好ましい。
また、第1実施形態及び第2実施形態では、それぞれ、プリズム部99は、プリズム部
99を構成する凹部内に媒質が介在することによって、底面23側から表示面9側に向か
って凸となるプリズムを構成している。プリズム部99の構成は、これに限定されず、図
16に示すように、表示面9側から底面23側に向かって凸となる構成も採用され得る。
しかしながら、図16に示す構成では、プリズム部99と反射膜65との間のZ方向に
おける間隔Z4が、図10に示す構成よりも大きくなってしまう。間隔Z4を縮めると、
屈折光151aは、図17に示すように、一部が領域101の内側に向かってしまう。
これに対し、図10に示す構成では、多くの屈折光151aを透過領域Tに向けて射出
しやすくすることができる。また、間隔Z4を縮めやすくすることもできる。このため、
図10に示す構成は、図16に示す構成よりも好ましい。
上述した表示装置1は、例えば、図18に示す電子機器500の表示部510に適用さ
れ得る。この電子機器500は、携帯電話機である。この電子機器500は、操作ボタン
511を有している。表示部510は、操作ボタン511で入力した内容や着信情報を始
めとする様々な情報について表示を行うことができる。この電子機器500では、表示部
510に表示装置1が適用されているので、表示部510における光の利用効率を高めや
すくすることができる。
なお、電子機器500としては、携帯電話機に限られず、モバイルコンピュータ、デジ
タルスチルカメラ、デジタルビデオカメラ、カーナビゲーションシステム用の表示機器な
どの車載機器、オーディオ機器等の種々の電子機器が挙げられる。また、表示パネル3や
液晶パネル10は、それぞれ、プロジェクタ等の投写型表示装置にライトバルブとして適
用され得る。
第1実施形態における表示装置の主要構成を示す分解斜視図。 図1中のA−A線における断面図。 第1実施形態における複数の画素の一部を示す平面図。 図3中のC部の拡大図。 図4中のD−D線における断面図。 図5中のE−E線における断面図。 第1実施形態におけるTFT素子、共通電極及び画素電極の配置を説明する平面図。 第1実施形態における表示パネルの透過領域における偏光状態を説明する図。 第1実施形態における表示パネルの反射領域における偏光状態を説明する図。 第1実施形態における液晶パネル及びプリズム基板を模式的に示す断面図。 図10中のK部の拡大図。 第2実施形態における表示装置の図3中のC部の拡大図。 第2実施形態におけるプリズム部を示す平面図。 図12中のQ−Q線における断面図。 図12中のS−S線における断面図。 第1実施形態及び第2実施形態のそれぞれにおけるプリズム部の他の例を示す断面図。 第1実施形態及び第2実施形態のそれぞれにおけるプリズム部の他の例を示す断面図。 本実施形態における表示装置が適用された電子機器の斜視図。 従来技術における画素を模式的に示す断面図。
符号の説明
1…表示装置、3…表示パネル、5…照明装置、7…画素、10…液晶パネル、11a
,11b…偏光板、13…素子基板、15…対向基板、17…プリズム基板、19…液晶
、31…導光板、33…光源、51…第1基板、52…素子層、54a…対向面、54b
…外向面、65…反射膜、65a…端部、81…第2基板、83a…外向面、83b…対
向面、82…対向層、85…光吸収層、85a…端部、99…プリズム部、101…領域
、151…光、151a…屈折光、153…頂点、155…傾斜面、157…底点、16
5…法線、171…斜面、173…斜面、500…電子機器、H…反射領域、T…透過領
域。

Claims (6)

  1. 第1基板と、
    前記第1基板に対向する第2基板と、
    前記第1基板及び前記第2基板の間に介在する液晶と、
    前記第1基板の前記液晶側とは反対側に配置され、前記第1基板に向けて光を照射する
    照明装置と、
    前記第1基板と前記照明装置との間に設けられた偏光板と、
    前記照明装置からの光を透過させることで透過表示を行う透過領域と、前記第2基板を
    介して前記液晶に入射された光を反射させることで反射表示を行う反射領域と、を有する
    画素と、
    前記第1基板及び前記偏光板の間に配置され、前記照明装置から前記反射領域に向かう
    光の少なくとも一部を前記透過領域に導く光学素子と、
    を有することを特徴とする液晶表示装置。
  2. 前記光学素子は、前記照明装置から入射された光の少なくとも一部を、前記透過領域側
    に向けて屈折させる傾斜面を有したプリズムであることを特徴とする請求項1に記載の液
    晶表示装置。
  3. 前記プリズムは、各前記画素において、平面視で前記反射領域に重なる領域内に設けら
    れていることを特徴とする請求項2に記載の液晶表示装置。
  4. 前記第1基板及び前記照明装置の間に介在する樹脂層を有しており、
    前記プリズムは、前記樹脂層に形成されていることを特徴とする請求項2又は3に記載
    の液晶表示装置。
  5. 前記プリズムは、前記樹脂層の前記照明装置側に設けられており、且つ前記第1基板側
    に向かって凸となる方向に設けられていることを特徴とする請求項4に記載の液晶表示装
    置。
  6. 請求項1乃至5のいずれか一項に記載の液晶表示装置を表示部として有することを特徴
    とする電子機器。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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KR20130019846A (ko) * 2011-08-18 2013-02-27 엘지디스플레이 주식회사 광학 필름 및 그를 포함하는 액정표시장치

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KR20130019846A (ko) * 2011-08-18 2013-02-27 엘지디스플레이 주식회사 광학 필름 및 그를 포함하는 액정표시장치
KR102078990B1 (ko) 2011-08-18 2020-02-19 엘지디스플레이 주식회사 광학 필름 및 그를 포함하는 액정표시장치

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