JP2009253220A - 光量検出回路、電気光学装置および電子機器 - Google Patents
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Abstract
【課題】光量検出の感度変化を防止する。
【解決手段】ソース電極dに対して正電圧がゲート電極に印加されることによって導通状態となるTFT11と、ソース電極sおよびドレイン電極dに対して並列接続される容量素子13とを具備し、第1、第2および第3期間において次のように動作する。すなわち、第1期間において、ゲート電極gに正電圧を印加するとともに、スイッチS1を閉じることによって容量素子13の両端を短絡し、正電圧の印加を停止し、スイッチS1を開き、容量素子13の短絡を開放した第2期間において、スイッチS2を閉じることによって容量素子13の両端に基準電圧Vaを印加し、スイッチS2を開いた第3期間において、容量素子13の両端の電圧変化に基づいてTFT11への入射光量を検出する。
【選択図】図1
【解決手段】ソース電極dに対して正電圧がゲート電極に印加されることによって導通状態となるTFT11と、ソース電極sおよびドレイン電極dに対して並列接続される容量素子13とを具備し、第1、第2および第3期間において次のように動作する。すなわち、第1期間において、ゲート電極gに正電圧を印加するとともに、スイッチS1を閉じることによって容量素子13の両端を短絡し、正電圧の印加を停止し、スイッチS1を開き、容量素子13の短絡を開放した第2期間において、スイッチS2を閉じることによって容量素子13の両端に基準電圧Vaを印加し、スイッチS2を開いた第3期間において、容量素子13の両端の電圧変化に基づいてTFT11への入射光量を検出する。
【選択図】図1
Description
本発明は、例えば薄膜トランジスタを用いて光量検出を行う技術に関する。
携帯電話や個人向携帯端末(Personal Digital Assistance)などの電子機器に、液晶素子などをマトリクス状に配列させた電気光学装置が広く用いられている。この電気光学装置は、明るい状態から暗い状態まで様々な環境下で使用されるので、外光の光量を検出するとともに、その検出結果に合わせて表示画像を制御する構成となっている。
このような構成において、光量検出のための回路を電気光学装置と別体に設けると、実装するスペースが余計に必要となったり、電子機器の外装部に外光を検出するための開口部を設ける必要が生じたりするなどの問題が生じる。
そこで、電気光学装置の画素をスイッチングするトランジスタと共通プロセスによって、光量検出のための回路を形成して、電気光学装置それ自体で外光をも検出する技術が提案されている(特許文献1参照)。
特開2006−29832号公報(図1参照)
このような構成において、光量検出のための回路を電気光学装置と別体に設けると、実装するスペースが余計に必要となったり、電子機器の外装部に外光を検出するための開口部を設ける必要が生じたりするなどの問題が生じる。
そこで、電気光学装置の画素をスイッチングするトランジスタと共通プロセスによって、光量検出のための回路を形成して、電気光学装置それ自体で外光をも検出する技術が提案されている(特許文献1参照)。
しかしながら、上記技術では、経年的に使用していると、光量検出の感度が次第に変化する、といった問題が指摘された。
本発明は、上述した背景に鑑みてなされたもので、その目的とするところは、経年的に使用しても、光量検出の感度の変化を防止した光量検出回路、電気光学装置および電子機器を提供することにある。
本発明は、上述した背景に鑑みてなされたもので、その目的とするところは、経年的に使用しても、光量検出の感度の変化を防止した光量検出回路、電気光学装置および電子機器を提供することにある。
上記目的を達成するために、本発明に係る光量検出回路にあっては、トランジスタと該トランジスタのソース電極とドレイン電極に並列接続される容量素子を具備し、前記トランジスタの前記ソース電極と前記ドレイン電極間をオフ状態にするオフ電圧を前記トランジスタのゲート電極へ、前記ソース電極と前記ドレイン電極に対して印加し、前記容量素子の両端に所定電圧を印加し、該所定電圧の印加を停止した期間において、前記容量素子の両端の電圧変化に基づいて前記トランジスタへの入射光量を検出する光量検出回路であって、前記光量を検出する期間外に前記ソース電極と前記ドレイン電極間をオン状態にするオン電圧を前記トランジスタのゲート電極へ、前記ソース電極と前記ドレイン電極に対して電圧を所定期間印加することを特徴とする。本発明によれば、トランジスタがオフ電圧にバイアスされ続けることがないので、感度の変化が防止される。
本発明において、前記トランジスタを複数有し、前記複数のトランジスタのうち、前記光量を検出するトランジスタを少なくとも一つを順番に選択し、該選択外の少なくとも一つのトランジスタのゲート電極に前記正のオン電圧を所定期間印加する構成としても良く、また前記複数のトランジスタのうち、前記光量を検出する期間外毎に順番にいずれかのトランジスタのゲート電極に前記オン電圧を印加せずに、他のトランジスタのゲート電極には前記オン電圧を印加する構成としても良い。これらの構成によれば、いずれも受光量を正確に検出することができるし、また、検出間隔も短くすることができる。
なお、本発明は、光量検出回路に限られず、所定の表示を行電気光学装置にも適用可能であるし、また、このような電気光学装置の表示を照明する光源と、前記光量検出回路により検出された受光量に応じて、前記光源による照明光を制御する照明制御回路と、を有する電子機器にも適用可能である。
なお、本発明は、光量検出回路に限られず、所定の表示を行電気光学装置にも適用可能であるし、また、このような電気光学装置の表示を照明する光源と、前記光量検出回路により検出された受光量に応じて、前記光源による照明光を制御する照明制御回路と、を有する電子機器にも適用可能である。
以下、本発明の実施形態について図面を参照して説明する。
<第1実施形態>
まず、本発明の第1実施形態に係る光量検出回路について説明する。図1は、第1実施形態に係る光量検出回路の構成を示す図である。
この図に示されるように、光量検出回路10は、nチャネル型の薄膜トランジスタ((thin film transistor:以下「TFT」と略称する)11、パルス発生回路12、容量素子13、定電圧源15、スイッチS1、S2を有する。
なお、TFT11としては、視感度特性の良好なアモルファスシリコン形が好ましい。
まず、本発明の第1実施形態に係る光量検出回路について説明する。図1は、第1実施形態に係る光量検出回路の構成を示す図である。
この図に示されるように、光量検出回路10は、nチャネル型の薄膜トランジスタ((thin film transistor:以下「TFT」と略称する)11、パルス発生回路12、容量素子13、定電圧源15、スイッチS1、S2を有する。
なお、TFT11としては、視感度特性の良好なアモルファスシリコン形が好ましい。
TFT11のソース電極sは、本実施形態において電圧ゼロの基準とする電位Gndに接地され、そのドレイン電極dが、容量素子13の一端、スイッチS1の一端、および、スイッチS2の一端に、それぞれ接続されている。TFT11のゲート電極gには、パルス発生回路12によるパルス信号Gpが供給される。
なお、パルス信号Gpは、TFT11をオン状態にするオン電圧(HレベルのVgon)とオフ状態にするオフ電圧(LレベルのVgoff)とのいずれかを取り得る。
なお、パルス信号Gpは、TFT11をオン状態にするオン電圧(HレベルのVgon)とオフ状態にするオフ電圧(LレベルのVgoff)とのいずれかを取り得る。
定電圧源15は、基準電圧Vaを出力するものであり、その正極端子がスイッチS2の他端に接続され、負極端子は電位Gndに接地されている。なお、容量素子13の他端、および、スイッチS1の他端についても、電位Gndに接地されている。
また、本実施形態では、TFT11のドレイン電極(容量素子13の一端)の電圧が信号Vdetとして出力される。なお、スイッチS1、S2の開閉については、図示省略した制御回路が、パルス発生回路12によるパルス信号Gpの出力に合わせて制御する構成となっている。
また、本実施形態では、TFT11のドレイン電極(容量素子13の一端)の電圧が信号Vdetとして出力される。なお、スイッチS1、S2の開閉については、図示省略した制御回路が、パルス発生回路12によるパルス信号Gpの出力に合わせて制御する構成となっている。
次に、この光量検出回路10の動作について説明する。図2は、この動作を説明するための各部の電圧波形を示す図である。
まず、パルス発生回路12は、周期Fに対して1/100程度のデューディ比でHレベルとなるパルス信号Gpを出力する。
まず、パルス発生回路12は、周期Fに対して1/100程度のデューディ比でHレベルとなるパルス信号Gpを出力する。
この構成において、タイミングt1にてパルス信号GpがHレベルとなるとともに、当該タイミングt1からt2までの期間にわたってスイッチS1が閉じる(オンする)。スイッチS1が閉じると、容量素子13の両端が短絡するので、容量素子13の充電電圧がゼロにリセットされる。このため、信号Vdetの電圧は電位Gndのゼロとなる。
続いて、タイミングt2においてスイッチS1が開いた(オフさせた)後に、タイミングt3からt4までの期間にわたってスイッチS2が閉じる。これにより、容量素子13には、定電圧源15による基準電圧Vaが充電される。
そして、スイッチS2が開くタイミングt4以降の期間において、オフ状態にあるTFT11では、そのドレイン電極dからソース電極sに向かって、受光された光量に応じた漏れ電流Iaが流れる。このため、容量素子13は、この漏れ電流Iaに応じて放電するので、信号Vdetは、基準電圧Vaから徐々にGndに向かって低下する。
続いて、タイミングt2においてスイッチS1が開いた(オフさせた)後に、タイミングt3からt4までの期間にわたってスイッチS2が閉じる。これにより、容量素子13には、定電圧源15による基準電圧Vaが充電される。
そして、スイッチS2が開くタイミングt4以降の期間において、オフ状態にあるTFT11では、そのドレイン電極dからソース電極sに向かって、受光された光量に応じた漏れ電流Iaが流れる。このため、容量素子13は、この漏れ電流Iaに応じて放電するので、信号Vdetは、基準電圧Vaから徐々にGndに向かって低下する。
ここで、基準電圧Vaと電位Gndとの間でしきい値Vthを設定するとともに、タイミングt4においてスイッチS2を開いてから、信号Vdetが当該しきい値Vthに達するまでの時間を計測することにより、バックライト制御回路30は、TFT11で受光された光量を求めることができる。
例えば、TFT11で受光された光量が少なければ、漏れ電流Iaの値が小さくなるので、図2において実線で示されるように、信号Vdetの電位低下の度合いも小さくなり、当該しきい値Vthに達するまでの時間Taは長くなる。一方、TFT11で受光された光量が多ければ、漏れ電流Iaの値が大きくなるので、信号Vdetの電位低下の度合いも大きくなり、当該しきい値Vthに達するまでの時間Tbは短くなる。
例えば、TFT11で受光された光量が少なければ、漏れ電流Iaの値が小さくなるので、図2において実線で示されるように、信号Vdetの電位低下の度合いも小さくなり、当該しきい値Vthに達するまでの時間Taは長くなる。一方、TFT11で受光された光量が多ければ、漏れ電流Iaの値が大きくなるので、信号Vdetの電位低下の度合いも大きくなり、当該しきい値Vthに達するまでの時間Tbは短くなる。
このように、TFT11で受光された光量は、信号Vdetがしきい値Vthに達するまでの時間に反映されるので、当該計測時間を、テーブルを参照して受光量に変換する等によって、TFT11への受光量を求めることができる。
なお、ここでは、信号Vdetがしきい値Vthに達するまでの時間を計測しているが、タイミングt4から所定の時間だけ経過した時点におけるVdetの電圧を計測しても良いし、TFT11のドレイン・ソース電極間に流れる電流を直接計測するようにしても良い。
いずれにしても、信号Vdetの電圧変化に基づいてTFT11で受光された光量を求めることができる。
また、スイッチS1とその制御は必ずしも必要ではない。スイッチS1は、容量素子13の両端の電圧を速やかに0Vにする目的で設けられているが、TFT11がオン状態になれば、TFT11を介して、容量素子13の両端の電圧は0Vになるから、このときに流れる電流の影響が無ければ、スイッチS1を省略しても構わない。
なお、ここでは、信号Vdetがしきい値Vthに達するまでの時間を計測しているが、タイミングt4から所定の時間だけ経過した時点におけるVdetの電圧を計測しても良いし、TFT11のドレイン・ソース電極間に流れる電流を直接計測するようにしても良い。
いずれにしても、信号Vdetの電圧変化に基づいてTFT11で受光された光量を求めることができる。
また、スイッチS1とその制御は必ずしも必要ではない。スイッチS1は、容量素子13の両端の電圧を速やかに0Vにする目的で設けられているが、TFT11がオン状態になれば、TFT11を介して、容量素子13の両端の電圧は0Vになるから、このときに流れる電流の影響が無ければ、スイッチS1を省略しても構わない。
ここで、本実施形態に係る光量検出回路10の有利性を説明する前に、比較となる従来構成について説明する。図11は、この従来構成を示す図である。
この図に示されるように、TFT11のゲート電極gは、ソース電極sの電位Gndよりも低位側の負のオフ電圧に常時バイアスされている。この構成において、まず、スイッチSwを閉じて、容量素子13に基準電圧Vaを充電させ、次に、スイッチSwを開くと、容量素子13に充電された電圧Vaは、TFT11の漏れ電流に応じた放電によって徐々に低下する。したがって、容量素子13に充電された電圧を信号Vdetとして監視することによって、例えば、スイッチSwをオフしてから信号Vdetがしきい値Vthに低下するまでの時間を計測することによって、TFT11への受光量を求めることができる。
しかしながら、TFT11に負のオフ電圧をバイアスし続けると、光量と漏れ電流量と関係が経年的に変化する、すなわち、感度が変化(劣化)してしまう、という問題が生じた。
この図に示されるように、TFT11のゲート電極gは、ソース電極sの電位Gndよりも低位側の負のオフ電圧に常時バイアスされている。この構成において、まず、スイッチSwを閉じて、容量素子13に基準電圧Vaを充電させ、次に、スイッチSwを開くと、容量素子13に充電された電圧Vaは、TFT11の漏れ電流に応じた放電によって徐々に低下する。したがって、容量素子13に充電された電圧を信号Vdetとして監視することによって、例えば、スイッチSwをオフしてから信号Vdetがしきい値Vthに低下するまでの時間を計測することによって、TFT11への受光量を求めることができる。
しかしながら、TFT11に負のオフ電圧をバイアスし続けると、光量と漏れ電流量と関係が経年的に変化する、すなわち、感度が変化(劣化)してしまう、という問題が生じた。
これに対して第1実施形態では、TFT11に正のオン電圧を間欠的に印加するので、負のオフ電圧をバイアスし続けることによる感度の変化を防止することが可能となる。
<第1実施形態の課題>
ところで、第1実施形態では、TFT11に正のオン電圧を間欠的に印加することによって、感度の変化を防止することが可能となったものの、受光量を正確に検出するためには時間を要する、あるいは、短い時間間隔で受光量を検出できない、といった点が筆者らの研究で見出された。
ところで、第1実施形態では、TFT11に正のオン電圧を間欠的に印加することによって、感度の変化を防止することが可能となったものの、受光量を正確に検出するためには時間を要する、あるいは、短い時間間隔で受光量を検出できない、といった点が筆者らの研究で見出された。
この点について詳述する。薄膜トランジスタは、ゲート電極/絶縁層/半導体層という層構造で形成されるので、TFT11の等価回路は、図3に示されるように、ゲート電極と半導体層とが絶縁層を介して対向するチャネル領域を容量Ctrとし、半導体層であるドレイン・ソース電極の間を抵抗Rtrとみなすことができる。
ここで、TFT11を構成する半導体層のうち、チャネル領域の中心に相当する地点をVtrとしたとき、当該地点Vtrからドレイン電極dまでの抵抗分と、当該地点Vtrからソース電極sまでの抵抗分は、それぞれ抵抗Rtrの半分ずつのRtr/2と表すことができる。
ここで、TFT11を構成する半導体層のうち、チャネル領域の中心に相当する地点をVtrとしたとき、当該地点Vtrからドレイン電極dまでの抵抗分と、当該地点Vtrからソース電極sまでの抵抗分は、それぞれ抵抗Rtrの半分ずつのRtr/2と表すことができる。
したがって、TFT11の等価回路は、ゲート電極gを入力とし、ソース電極sおよびドレイン電極dを出力とする微分回路として表すことができる。いま、ゲート電極gに印加されるパルス信号Gpが、図4に示されるように、オフ電圧からオン電圧に変化したとき、半導体層の地点Vtrでは、その電圧変化方向と同じ正側に向かう微分電圧波形が発生する。
ここで、TFT11は、ゲート電極gにオン電圧が印加されてオン状態にあるから、ドレイン電極dおよびソース電極sの間の抵抗は、極めて小さい。このため、TFT11の微分回路における時定数が小さいので、地点Vtrは、速やかに電位Gndに収束する。
次に、パルス信号Gpが、オン電圧からオフ電圧に変化したとき、半導体層の地点Vtrでは、その電圧変化方向と同じ負側に向かう微分電圧波形が発生する。TFT11は、ゲート電極gにオフ電圧が印加されてオフ状態にあるから、ドレイン電極dおよびソース電極sの間の抵抗は、極めて大きい。このため、TFT11の微分回路における時定数が大きくなるので、地点Vtrが定常状態の電位Gndに収束するまでの時間は、極めて長くなる。そしてまた、この時間は受光量によって変化してしまう。
ここで、TFT11は、ゲート電極gにオン電圧が印加されてオン状態にあるから、ドレイン電極dおよびソース電極sの間の抵抗は、極めて小さい。このため、TFT11の微分回路における時定数が小さいので、地点Vtrは、速やかに電位Gndに収束する。
次に、パルス信号Gpが、オン電圧からオフ電圧に変化したとき、半導体層の地点Vtrでは、その電圧変化方向と同じ負側に向かう微分電圧波形が発生する。TFT11は、ゲート電極gにオフ電圧が印加されてオフ状態にあるから、ドレイン電極dおよびソース電極sの間の抵抗は、極めて大きい。このため、TFT11の微分回路における時定数が大きくなるので、地点Vtrが定常状態の電位Gndに収束するまでの時間は、極めて長くなる。そしてまた、この時間は受光量によって変化してしまう。
パルス信号Gpがオフ電圧に変化した後において、地点Vtrが電位Gndに収束せずに、電圧Verrだけ負側にシフトした状態では、TFT11の等価回路における容量Ctrに電圧が残留している。容量Ctrに電圧が残留した状態で、スイッチS2を閉開させると、容量素子13における放電減衰特性が、地点Vtrが電位Gndにある場合にスイッチS2を閉開させた場合と比較して異なり、受光量を正確に検出できなくなってしまう。
したがって、受光量を正確に検出するためには、パルス信号Gpをオン電圧からオフ電圧に変化させたときに、容量Ctrに残留する電圧がゼロとみなせる程度にまで十分に減衰してから、スイッチS2を閉開させる必要があるので、受光量を検出するのに時間を要する、または、短い時間間隔で受光量を検出できないのである。
そこで、このような第1実施形態の欠点を解消した第2および第3実施形態について順番に説明する。
したがって、受光量を正確に検出するためには、パルス信号Gpをオン電圧からオフ電圧に変化させたときに、容量Ctrに残留する電圧がゼロとみなせる程度にまで十分に減衰してから、スイッチS2を閉開させる必要があるので、受光量を検出するのに時間を要する、または、短い時間間隔で受光量を検出できないのである。
そこで、このような第1実施形態の欠点を解消した第2および第3実施形態について順番に説明する。
<第2実施形態>
まず、第2実施形態について説明する。図5は、第2実施形態に係る光量検出回路の構成を示す図であり、図6は、その動作図である。
これらの図に示されるように、第2実施形態に係る光量検出回路は、2つのTFT11a、11bを有している。そして、TFT11a、11bのゲート電極に、正のオン電圧のパルス信号Gpa、Gpbが周期F毎に交互に印加されるとともに、スイッチSa、Sbによって、正のオン電圧が印加された方のTFTのドレイン電極が容量素子13の一端から開放される一方、正のオン電圧が印加されなかった方のTFTのドレイン電極dが容量素子13の一端に接続される構成となっている。
この構成では、スイッチS2が閉じたときに容量素子13に充電された電圧Vaは、スイッチS2が開いた後、ゲート電極に正のオン電圧が印加されなかった方のTFTの漏れ電流に応じて放電する。
まず、第2実施形態について説明する。図5は、第2実施形態に係る光量検出回路の構成を示す図であり、図6は、その動作図である。
これらの図に示されるように、第2実施形態に係る光量検出回路は、2つのTFT11a、11bを有している。そして、TFT11a、11bのゲート電極に、正のオン電圧のパルス信号Gpa、Gpbが周期F毎に交互に印加されるとともに、スイッチSa、Sbによって、正のオン電圧が印加された方のTFTのドレイン電極が容量素子13の一端から開放される一方、正のオン電圧が印加されなかった方のTFTのドレイン電極dが容量素子13の一端に接続される構成となっている。
この構成では、スイッチS2が閉じたときに容量素子13に充電された電圧Vaは、スイッチS2が開いた後、ゲート電極に正のオン電圧が印加されなかった方のTFTの漏れ電流に応じて放電する。
したがって、この構成では、ゲート電極に印加されるパルス信号Gpがオン電圧からオフ電圧に変化してから時間が十分に経過したTFTを用いて受光量を検出することができるとともに、この検出動作を、2つのTFT11a、11bで周期F毎に交互に切り替えながら実行するので、受光量を検出するのに時間を要する、または、短い時間間隔で受光量を検出できない、といった欠点を解消することができる。
なお、第2実施形態では、2つのTFTのうち、一方のゲート電極に正電圧のパルスを印加し、他方を受光量の検出に用いたが、TFTを3個以上としても良い。TFTを3個以上とする場合、例えば順番に1つずつ正のオン電圧のパルスを印加するとともに、正電圧のパルスを印加する直前のTFTを受光量の検出に用いる構成とすれば良い。このような構成では、パルスを印加してから最も時間が経過したTFTが受光量の検出に用いられるので、より正確に受光量を検出することが可能となる。
また、正電圧のパルスを2個以上のTFTに同時に印加したり、2個以上のTFTを同時に受光量の検出に用いたりしても良い。
また、正電圧のパルスを2個以上のTFTに同時に印加したり、2個以上のTFTを同時に受光量の検出に用いたりしても良い。
<第3実施形態>
次に、第3実施形態について説明する。図7は、第3実施形態に係る光量検出回路の構成を示す図であり、図8は、その動作図である。
これらの図に示されるように、第2実施形態に係る光量検出回路は、2つのTFT11e、11fが並列接続されるとともに、これらにTFT11e、11fのゲート電極に、正電圧Gpa、Gpbが周期F毎に交互に印加される構成となっている。
TFT11e、11fの並列接続により、オフ時におけるソース・ドレイン間の抵抗が半分になり、微分回路における時定数が小さくなるので、負側の微分電圧が電位Gndに収束するまでの時間が短縮される。
しかも、第2実施形態と比較して、スイッチSa、Sbが不要であるので、構成の簡易化を図った上で、受光量を検出するのに時間を要する、または、短い時間間隔で受光量を検出できない、といった欠点を解消することができる。
次に、第3実施形態について説明する。図7は、第3実施形態に係る光量検出回路の構成を示す図であり、図8は、その動作図である。
これらの図に示されるように、第2実施形態に係る光量検出回路は、2つのTFT11e、11fが並列接続されるとともに、これらにTFT11e、11fのゲート電極に、正電圧Gpa、Gpbが周期F毎に交互に印加される構成となっている。
TFT11e、11fの並列接続により、オフ時におけるソース・ドレイン間の抵抗が半分になり、微分回路における時定数が小さくなるので、負側の微分電圧が電位Gndに収束するまでの時間が短縮される。
しかも、第2実施形態と比較して、スイッチSa、Sbが不要であるので、構成の簡易化を図った上で、受光量を検出するのに時間を要する、または、短い時間間隔で受光量を検出できない、といった欠点を解消することができる。
なお、第3実施形態において、2つのTFT11e、11fを並列接続したが、この並列接続は、1つのTFTのゲート電極を2つに分割した構成と等価である。
また、3以上のN個のTFTを並列接続し、または、ゲート電極をN個に分割して、これらN個のゲート電極のうち、並列接続数(分割数)よりも少ない(N−1)個以下のゲート電極に正電圧のパルスを印加する構成であっても良い。
また、3以上のN個のTFTを並列接続し、または、ゲート電極をN個に分割して、これらN個のゲート電極のうち、並列接続数(分割数)よりも少ない(N−1)個以下のゲート電極に正電圧のパルスを印加する構成であっても良い。
また、上述した第1乃至第3実施形態では、TFT11(11a、11b、11e、11f)をnチャネル型として説明したがpチャネル型としても良い。
<電気光学装置>
次に、上述した実施形態や、その応用・変形例に係る光量検出回路を適用した電気光学装置について説明する。図9は、この電気光学装置の構成を示す図である。
この図に示されるように、電気光学装置1は、光量検出回路10を含む表示パネル100、バックライト制御回路30、白色LED50を含む。
表示パネル100は、特に図示しないが、マトリクス状に配列する複数の画素によって所定の表示を行うものであり、素子基板と対向基板との一対の基板を有し、このうち、素子基板には、画素をスイッチングするためのTFTや画素電極が形成され、対向基板には、画素電極に対向するようなコモン電極が形成されて、互いの電極形成面が対向するように、かつ、液晶を挟持するように、一定の間隙を保って素子基板と対向基板とを貼り合わせた構成の液晶装置である。
ここで、表示パネル100は、バックライトによる透過光と、外光による反射光との双方を変調させる半透過・半反射型であり、画素は図示しない駆動回路によって駆動される構成となっている。
なお、光量検出回路10におけるTFT11は、画素をスイッチングするTFTと共通プロセスで形成しても良い。
次に、上述した実施形態や、その応用・変形例に係る光量検出回路を適用した電気光学装置について説明する。図9は、この電気光学装置の構成を示す図である。
この図に示されるように、電気光学装置1は、光量検出回路10を含む表示パネル100、バックライト制御回路30、白色LED50を含む。
表示パネル100は、特に図示しないが、マトリクス状に配列する複数の画素によって所定の表示を行うものであり、素子基板と対向基板との一対の基板を有し、このうち、素子基板には、画素をスイッチングするためのTFTや画素電極が形成され、対向基板には、画素電極に対向するようなコモン電極が形成されて、互いの電極形成面が対向するように、かつ、液晶を挟持するように、一定の間隙を保って素子基板と対向基板とを貼り合わせた構成の液晶装置である。
ここで、表示パネル100は、バックライトによる透過光と、外光による反射光との双方を変調させる半透過・半反射型であり、画素は図示しない駆動回路によって駆動される構成となっている。
なお、光量検出回路10におけるTFT11は、画素をスイッチングするTFTと共通プロセスで形成しても良い。
バックライト制御回路30(照明制御回路)は、光量検出回路10から出力される信号Vdetのうち、タイミングt4以降における電圧変化に基づいて、TFT11に入射した受光量(すなわち、表示パネル100における周辺環境の明るさ)を求めて、白色LED50に供給する電流を制御する。
なお、このバックライトの制御内容について例示すると、例えば、バックライト制御回路30は、求めた受光量が予め定められた範囲(第1範囲)にあれば、当該受光量に対してバックライトの光量をリニアに制御する。これにより、周辺環境の明るさに応じてバックライトの照明光量、すなわち、画素を透過して視認される光量が増減されるので、透過重視の適切な表示が可能となる。
また、バックライト制御回路30は、求めた受光量が上記第1範囲に対して受光量が多い方に隣接する範囲(第2範囲)にあれば、バックライトによる光量を最大値で一定となるように制御する。これにより、周辺環境がある程度明るいのであれば、透過光と反射光との双方を併せた適切な表示が可能となる。
さらに、バックライト制御回路30は、求めた受光量が上記第2範囲を超えていれば、バックライトをオフさせるように制御する。これにより、周辺環境が過度に明るいときに反射重視の表示となるので、バックライトにより消費される電力を抑えることが可能となる。
なお、このバックライトの制御内容について例示すると、例えば、バックライト制御回路30は、求めた受光量が予め定められた範囲(第1範囲)にあれば、当該受光量に対してバックライトの光量をリニアに制御する。これにより、周辺環境の明るさに応じてバックライトの照明光量、すなわち、画素を透過して視認される光量が増減されるので、透過重視の適切な表示が可能となる。
また、バックライト制御回路30は、求めた受光量が上記第1範囲に対して受光量が多い方に隣接する範囲(第2範囲)にあれば、バックライトによる光量を最大値で一定となるように制御する。これにより、周辺環境がある程度明るいのであれば、透過光と反射光との双方を併せた適切な表示が可能となる。
さらに、バックライト制御回路30は、求めた受光量が上記第2範囲を超えていれば、バックライトをオフさせるように制御する。これにより、周辺環境が過度に明るいときに反射重視の表示となるので、バックライトにより消費される電力を抑えることが可能となる。
なおここでは、光量検出回路10において検出した周辺環境の明るさに応じて、液晶装置のバックライトの照射光量を制御する構成としたが、例えば有機EL素子等の自発光素子を用いた表示装置においても、暗い場所において表示素子の発光光量を減らして、防眩性を向上させたり、消費電力を軽減したりすることが可能となる。
<電子機器>
次に、上述した実施形態に係る光量検出回路10を有する電気光学装置1を適用した電子機器について説明する。図10は、この電気光学装置を用いた携帯電話1200の構成を示す図である。
この図に示されるように、携帯電話1200は、複数の操作ボタン1202のほか、受話口1204、送話口1206とともに、上述した電気光学装置1を備えるものである。なお、電気光学装置のうち、表示パネル100に相当する部分以外の構成要素については外観としては現れない。
次に、上述した実施形態に係る光量検出回路10を有する電気光学装置1を適用した電子機器について説明する。図10は、この電気光学装置を用いた携帯電話1200の構成を示す図である。
この図に示されるように、携帯電話1200は、複数の操作ボタン1202のほか、受話口1204、送話口1206とともに、上述した電気光学装置1を備えるものである。なお、電気光学装置のうち、表示パネル100に相当する部分以外の構成要素については外観としては現れない。
なお、電気光学装置1が適用される電子機器としては、図10に示される携帯電話の他にも、デジタルスチルカメラや、フォトストレージ、ノートパソコン、液晶テレビ、ビューファインダ型(または、モニタ直視型)のビデオレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、POS端末、タッチパネルを備えた機器等などが挙げられる。そして、これらの各種電子機器の表示装置として、上述した電気光学装置1が適用可能であることは言うまでもない。
1…電気光学装置、10…光量検出回路、11、11a、11b、11e、11f…TFT、12…パルス発生回路、13…容量素子、15…定電圧源、50…LED、100…表示パネル、1200…携帯電話
Claims (5)
- トランジスタと該トランジスタのソース電極とドレイン電極に並列接続される容量素子を具備し、
前記トランジスタの前記ソース電極と前記ドレイン電極間をオフ状態にするオフ電圧を前記トランジスタのゲート電極へ、前記ソース電極と前記ドレイン電極に対して印加し、前記容量素子の両端に所定電圧を印加し、
該所定電圧の印加を停止した期間において、前記容量素子の両端の電圧変化に基づいて前記トランジスタへの入射光量を検出する光量検出回路であって、
前記光量を検出する期間外に前記ソース電極と前記ドレイン電極間をオン状態にするオン電圧を前記トランジスタのゲート電極へ、前記ソース電極と前記ドレイン電極に対して電圧を所定期間印加する
ことを特徴とする光量検出回路。 - 前記トランジスタを複数有し、
前記複数のトランジスタのうち、前記光量を検出するトランジスタの少なくとも一つを順番に選択し、該選択外の少なくとも一つのトランジスタのゲート電極に前記正のオン電圧を所定期間印加する
ことを特徴とする請求項1記載の光量検出回路。 - 前記トランジスタを複数有し、
前記複数のトランジスタのうち、前記光量を検出する期間外毎に順番にいずれかのトランジスタのゲート電極に前記オン電圧を印加せずに、他のトランジスタのゲート電極には前記オン電圧を印加する
ことを特徴とする請求項1に記載の光量検出回路。 - 請求項1乃至3のいずれかに記載の光量検出回路を有し、所定の表示を行う
ことを特徴とする電気光学装置。 - 請求項4に記載の電気光学装置と、
前記電気光学装置の表示を照明する光源と、
前記光量検出回路により検出された受光量に応じて、前記光源による照明光を制御する照明制御回路と、
を有することを特徴とする電子機器。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008102731A JP2009253220A (ja) | 2008-04-10 | 2008-04-10 | 光量検出回路、電気光学装置および電子機器 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008102731A JP2009253220A (ja) | 2008-04-10 | 2008-04-10 | 光量検出回路、電気光学装置および電子機器 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009253220A true JP2009253220A (ja) | 2009-10-29 |
Family
ID=41313588
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008102731A Pending JP2009253220A (ja) | 2008-04-10 | 2008-04-10 | 光量検出回路、電気光学装置および電子機器 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2009253220A (ja) |
-
2008
- 2008-04-10 JP JP2008102731A patent/JP2009253220A/ja active Pending
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