JP2009246108A - 太陽電池モジュール - Google Patents

太陽電池モジュール Download PDF

Info

Publication number
JP2009246108A
JP2009246108A JP2008090261A JP2008090261A JP2009246108A JP 2009246108 A JP2009246108 A JP 2009246108A JP 2008090261 A JP2008090261 A JP 2008090261A JP 2008090261 A JP2008090261 A JP 2008090261A JP 2009246108 A JP2009246108 A JP 2009246108A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
refractive index
index layer
low refractive
solar cell
light
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2008090261A
Other languages
English (en)
Other versions
JP5094509B2 (ja
Inventor
Mikiaki Taguchi
幹朗 田口
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sanyo Electric Co Ltd
Original Assignee
Sanyo Electric Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sanyo Electric Co Ltd filed Critical Sanyo Electric Co Ltd
Priority to JP2008090261A priority Critical patent/JP5094509B2/ja
Priority to US12/372,126 priority patent/US20090242013A1/en
Publication of JP2009246108A publication Critical patent/JP2009246108A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5094509B2 publication Critical patent/JP5094509B2/ja
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02Details
    • H01L31/0224Electrodes
    • H01L31/022408Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
    • H01L31/022425Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/042PV modules or arrays of single PV cells
    • H01L31/048Encapsulation of modules
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/054Optical elements directly associated or integrated with the PV cell, e.g. light-reflecting means or light-concentrating means
    • H01L31/0543Optical elements directly associated or integrated with the PV cell, e.g. light-reflecting means or light-concentrating means comprising light concentrating means of the refractive type, e.g. lenses
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/054Optical elements directly associated or integrated with the PV cell, e.g. light-reflecting means or light-concentrating means
    • H01L31/0547Optical elements directly associated or integrated with the PV cell, e.g. light-reflecting means or light-concentrating means comprising light concentrating means of the reflecting type, e.g. parabolic mirrors, concentrators using total internal reflection
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02EREDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/52PV systems with concentrators

Abstract

【課題】細線電極上に形成した気泡では、細線電極上に入射した光を十分に光電変換部へ導くことができず、太陽電池モジュールの出力を向上させることが困難であった。
【解決手段】太陽電池と、太陽電池の光入射側に設けられた封止材と、を備え、太陽電池は、光電変換部と、光電変換部の受光面上に一方向に延在するように形成された細線電極と、を含むと共に、細線電極の受光面と封止材との間には、封止材の屈折率よりも小さい屈折率を有する低屈折率層が細線電極の受光面を覆うように設けられ、低屈折率層は、一方向と直交する他方向における断面において、中央部が突出し、且つ、光電変換部の受光面に向かって傾斜する傾斜面を有することで、光を効率よく光電変換部の受光面へ導くことができるため、発電に寄与することができなかった光を有効に利用できるので、出力の向上した太陽電池モジュールを提供することができる。
【選択図】図4

Description

本発明は、封止材により封止された複数の太陽電池を有する太陽電池モジュールに関する。
太陽電池モジュール1は、図10の概念的な断面図に示すように、配線材2によって互いに電気的に接続された複数の太陽電池3、3…を、受光面保護部材103と裏面保護部材104との間に封止材105によって封止することにより構成されている。
太陽電池3は、図11の受光面側から見た平面図に示すように、光電変換機能を有する光電変換部5と光電変換部5の受光面に設けられた集電電極4とを有している。集電電極4は、光電変換部5の受光面の略全域にわたって互いに平行に設けられた複数のライン状の細線電極4Aと、この細線電極4Aの長手方向と直交する方向に延在するように設けられた接続電極4Bとを有している。そして、配線材2は接続電極4B上に接着材により接着され、隣り合う複数の太陽電池3、3・・・が電気的に接続されている。
太陽電池モジュール1は、光電変換部5に光を入射させることにより発電する。この際、太陽電池3の光電変換部5に入射する光の一部は、光電変換部5の受光面側に設けられた集電電極4により遮光されるため、発電に寄与しない。そこで、光電変換部5に入射する光を増加させるために、細線電極4A上の封止材105内に気泡を形成し、集電電極4に入射する光を屈折させ、光電変換部5へ光を導く構造が知られている(例えば特許文献1参照)。
特開2006−40937号公報
従来の太陽電池モジュール1では、細線電極4Aに発泡剤を添加し、太陽電池モジュール1を作成する際に加えられる熱により、発泡剤を気化させ、気泡を封止材105内に形成している。
しかしながら、この方法では気泡を細線電極4A上に均一に形成することが困難であるという課題があった。このため、細線電極4A上に入射した光を十分に光電変換部5へ導くことができず、太陽電池モジュール1の出力を向上させることが困難であった。
そこで、本発明は、上記の問題を鑑みてなされたものであり、出力が向上した太陽電池モジュールを提供することを目的とする。
本発明の一の特徴に係る太陽電池モジュールは、太陽電池と、太陽電池の光入射側に設けられた封止材と、を備え、太陽電池は、光電変換部と、光電変換部の受光面上に一方向に延在するように形成された細線電極と、を含むと共に、細線電極の受光面と封止材との間には、封止材の屈折率よりも小さい屈折率を有する低屈折率層が細線電極の受光面を覆うように設けられ、低屈折率層は、一方向と直交する他方向における断面において、中央部が突出し、且つ、光電変換部の受光面に向かって断面が幅広となるように傾斜する傾斜面を有すること要旨とする。
本発明の一の特徴において、低屈折率層は、細線電極の下部表面を露出するように上部上に設けられた第1低屈折率層と、細線電極の下部表面上及び第1屈折率層上に跨って設けられた第2低屈折率層とを有してもよい。
本発明の一の特徴において、細線電極と前記封止材との間に、一方向と直交する方向に延在するように配された配線材を有し、低屈折率層は、配線材から露出する細線電極の表面を覆うように設けられてもよい。
本発明の一の特徴に係る太陽電池モジュールは、配列方向に沿って配列された複数の太陽電池と、配列方向に延在し、隣接して配置された太陽電池を電気的に接続する配線材と、配線材により配線された複数の太陽電池の光入射側に設けられた封止材と、を備え、太陽電池は、光電変換部を含むと共に、配線材の受光面と封止材との間には、封止材の屈折率よりも小さい屈折率を有する低屈折率層が配線材の受光面を覆うように設けられ、低屈折率層は、配列方向と直交する方向における断面において、中央部が突出し、且つ、光電変換部の受光面に向かって断面が幅広となるように傾斜する傾斜面を有することを要旨とする。
本発明の一の特徴において、低屈折率層は、配線材の受光面の中央部に設けられた第1低屈折率層と、配線材の受光面の周辺部と第1低屈折率層とを覆う第2低屈折率層とからなってもよい。
本発明の一の特徴において、第1低屈折率層の屈折率は、第2低屈折率層の屈折率よりも小さくてもよい。
本発明の一の特徴において、低屈折率層は有機材料及び無機材料を含む材料からなってもよい。
本発明によれば、出力の向上した太陽電池モジュールを提供することができる。
次に、図面を用いて、本発明の実施の形態を説明する。以下の図面の記載において、同一又は類似の部分には、同一又は類似の符号を付している。ただし、図面は模式的なものであり、各寸法の比率等は現実のものとは異なることに留意すべきである。従って、具体的な寸法等は以下の説明を参酌して判断すべきものである。又、図面相互間においても互いの寸法の関係や比率が異なる部分が含まれていることは勿論である。
《第1実施形態》
まず、図1から図5を用いて本発明の第1実施形態に係る太陽電池モジュール1について説明する。
(太陽電池モジュールの構成)
図1は、本実施形態に係る太陽電池モジュール1の構成を示す概念的な断面図である。太陽電池モジュール1は、配列方向Yに沿って配列された複数の太陽電池3、3…と、受光面保護部材103と、封止材105と、裏面保護部材104とを有する。そして、隣り合う太陽電池3、3は、配列方向Yに沿って延在する配線材2により電気的に接続されている。
配線材2は銅箔等の金属材料からなり、表面は金属材料が露出しても良いし、錫メッキ等の導電性の材料で覆われていてもよい。配線材2は接着材によって光電変換部5の受光面上に形成された接続電極4B上に接着されている。接着材としては、半田等の溶融性金属材料や導電性樹脂接着材等の導電性接着材を用いることができる。また、配線材2と接続電極4Bとを直接接触させることにより直接電気的な接続を行い、機械的な接続を接着材により行っても良い。この場合、接着材は導電性のもの以外に絶縁性のものを用いることができる。
太陽電池3の光入射側には、透光性を有する受光面保護部材103が、透光性を有する封止材105よって接着されている。このように受光面保護部材103と封止材105とを配することにより太陽電池3及び配線材2の光入射側には封止材105が配される。受光面保護部材103は、例えば、ガラス、透光性プラスチック等の透光性を有する材料を用いて構成されている。
また、太陽電池3の裏面側には、裏面保護部材104が封止材105によって接着されている。裏面保護部材104は、例えば、PET等の樹脂フィルム或いはAl箔を樹脂フィルムでサンドイッチした構造の積層フィルム等からなる。
封止材105は例えば、EVA、PVB等の透光性を有する樹脂であり、太陽電池セル3を封止する機能も有している。
さらに、裏面保護部材104の例えば裏面には図示しない電力取り出し用の端子箱が配されている。さらに太陽電池モジュールの外周部には、必要に応じて枠体が取り付けられている。
このような太陽電池モジュール1を製造するにあたっては、まず、受光面保護部材103、封止材105、複数の太陽電池3、封止材105、裏面保護部材104を順次積層して積層体を作成する。次に、積層体の上下から圧力を加えながら加熱し、太陽電池モジュール1を作成する。
(太陽電池の構成)
図2(a)は本実施形態に係る太陽電池3を受光面側からみた平面図である。太陽電池3は、図2(a)に示すように、光電変換部5と、この光電変換部5の受光面S上に形成された集電電極4とを有している。光電変換部5は、pn接合やpin接合等の半導体接合を有する半導体材料から構成される。半導体材料としては、単結晶半導体シリコン、多結晶シリコンといった結晶系シリコン半導体や、GaAs等の化合物半導体、非晶質シリコン系薄膜半導体や化合物系薄膜半導体等、その他周知の半導体材料からなる半導体材料を用いることができる。また、上記半導体材料との間で半導体接合を形成する材料としては、結晶系半導体、非晶質系半導体、化合物半導体或いはその他周知の半導体材料を用いることができる。
光電変換部5の受光面S上に形成された集電電極4は、図2(a)の平面図に示すように、光入射によって光電変換部5で生成された電子・正孔のキャリアを集める複数本の細線状の細線電極4A、4A…と、配線材2が接続される接続電極4B、4Bを有する。接続電極4B、4Bは、細線電極4A、4A…により集められたキャリアを集電するバスバー電極としても機能する。接続電極4B、4Bは配列方向Yに沿って延在するよう形成されている。そして、細線電極4Aは太陽電池3の配列方向Yと直交する方向Xに沿って延在し、互いに略平行で略均等な間隔で配列されている。なお、太陽電池3の裏面に設けられる電極は、受光面の集電電極4と同じ構造を有しても良いし、他の形状であっても良い。
集電電極4は、例えば、エポキシ樹脂をバインダー、導電性粒子をフィラーとした熱硬化型の導電性ペーストより形成される。また、単結晶シリコン太陽電池、多結晶シリコン太陽電池などの場合には、これに限らず、銀、アルミニウムなどの金属粉末とガラスフリットと、有機質ビヒクルなどから構成される、焼成型ペーストを用いてもよい。また、銀、アルミニウムなどの一般的な金属材料を用いて形成しても良い。また、熱硬化型の導電性ペーストや焼成型ペーストはスクリーン印刷等の方法により形成される。
図2(b)は図2(a)に示す配列方向YにおけるA−A間の要部拡大断面図である。図2(b)に示すように、細線電極4Aは、通常スクリーン印刷法により、方向Xと直交する配列方向Yにおける断面において、中央部が突出し、且つ、光電変換部5の受光面Sに向かって断面が幅広となるように傾斜する傾斜面4Sを有するように形成される。また、細線電極4Aは、幅aが約50μm〜150μm、厚みbが約5μm〜50μmの寸法に形成される。尚、細線電極4Aの寸法、本数は、光電変換部5の寸法、物性等を考慮して適宜設定される。
(低屈折率層の形成)
図3(a)は細線電極4Aと低屈折率層8の配置関係を説明するための平面図であり、図3(b)は図3(a)に示す領域αに示す範囲の要部拡大であり、図3(c)は図3(a)に示す配列方向YにおけるB−B間の要部拡大断面図である。同図に示すように、本実施形態にあっては、低屈折率層8が方向Xに沿って延在する細線電極4Aの受光面である傾斜面4S上に設けられる。このとき、接続電極4B上には前述の配線材2が配列方向Yに沿って延在するように接続されるので、図3(a)及び図3(b)に示すように、接続電極4B上及び接続電極4B近傍の細線電極4A上には、低屈折率層8が設けられていない。従って、低屈折率層8は、配線材2から露出する細線電極4A表面上に形成される。
図3(c)に示すように、低屈折率層8は傾斜面4Sを有する細線電極4Aの受光面を覆うように設けられる。従って、低屈折率層8は、配列方向Yに沿う断面において、細線電極4Aと同様に受光面保護部材103側に向かって中央部が突出し、且つ、光電変換部5の受光面Sに向かって断面が幅広となるように傾斜する傾斜面8Sを有する。
低屈折率層8は、封止材105の屈折率よりも小さい屈折率を有する。例えば封止材105として最も良く用いられるEVAの屈折率は1.45〜1.50程度である。従って、封止材105としてEVAを用いた場合、低屈折率層8は1.45より小さい屈折率を有する。このような低屈折率層8は、例えばシリカナノ粒子を調合したシリコーン樹脂材料や、フッ素系高分子材料を使用して作成することができる。この方法で作成した低屈折率層8は、1.32程度の屈折率を有する。
具体的に、シリカナノ粒子を用いた樹脂材料については、アルコキシシランを加水分解重縮合して得られるシリカゾルとアルコキシシラン、または、その部分加水分解分解物とを反応させ、シリカナノ粒子を含めることで作製することができる。また、アルコキシシランを同様に部分加水分解させたところにシリカナノ粒子を調合したり、シリコーン材料にシリカナノ粒子を混合したりすることによっても作製できる。このように、有機材料と無機材料とを混合したハイブリッド材料を用いることで、容易に低屈折率の層を作成することができる。
また、低屈折率層8作成の際に、シランカップリング材などを加えても良い。このようにすることで、低屈折率層8と細線電極4A或いは封止材105との密着性を向上させることができるので、長期安定性を向上させる事ができる。
また、フッ素系高分子材料については例えば非結晶フッ素樹脂などの低屈折率材料(屈折率n=1.34)などが利用できる。
これらの材料は取り扱いが容易であり、スクリーン印刷等の方法により容易に低屈折率層8を塗布・形成することができる。また、塗布量を制御することで厚みの制御を行うことができる。したがって、塗布する低屈折率材料の屈折率に応じ、低屈折率層8の寸法・形状の最適化が容易である。
(作用・効果)
以下に、本実施形態に係る太陽電池モジュールの作用・効果について説明する。
図4は、本実施形態太陽電池モジュールにおける入射光の光路を説明するための模式図である。また図5は図4のXで囲む領域の要部拡大図であり、図6は図4のYで囲む領域の要部拡大図である。尚、比較のために、図5及び図6では本実施形態モジュールにおける光の光路を実線で、低屈折率層8を備えない比較モジュールにおける光の光路を破線で示している。
図4に示すように、受光面保護部材103を透過して細線電極4Aに入射する光のうち、細線電極4Aの頂部付近に入射する光L1は、本実施形態モジュール及び比較モジュールのいずれにおいてもそのまま受光面保護部材側103側に反射され、光電変換部5に入射することは殆どない。

図4に示すXで囲む領域は、低屈折率層8の傾斜面8Sのうち頂部付近の領域である。この領域において傾斜面8Sに入射した光L2は、細線電極4Aによって受光面保護部材103側に反射され、そして、空気と受光面保護部材103との屈折率の差によりその一部が再度光電変換部5側に反射されて光電変換部5に入射し、発電に寄与する。
また、図4に示すYで囲む領域は、低屈折率層8の傾斜面8Sのうち光電変換部5の受光面S付近の領域である。この領域に入射した光は、細線電極4Aにより反射される光R3と、低屈折率層8Sにより全反射される光Raがある。低屈折率層8と封止材105との屈折率の関係から低屈折率層8に全反射条件を満たす臨界角より小さい角度で入射した光L3の一部は細線電極4Aに到達し、傾斜面4Sにより反射され、光電変換部5に入射する。また、低屈折率層8に臨界角より大きい角度で入射した光Laは、低屈折率層8Sの傾斜面8Sにより全反射され、光電変換部5に入射する。
以下に図4に示すX及びYで囲まれた領域に入射した光について詳細に説明する。
図5に示すように、破線で示す比較モジュールの場合、領域Xに入射した光L2は直進して細線電極4Aの傾斜面4Sに入射し、傾斜面4Sによって反射される。反射光R21は、封止材105と受光面保護部材103の屈折率が略等しいために封止材105及び受光面保護部材103内をそのまま直進し、受光面保護部材103と空気との界面に入射角θ1で入射する。そして、この界面に入射した光のうち入射角θ1が全反射条件を満たす臨界角より大きい光は界面で光電変換部5側に全反射され、入射角θ1が臨界角より小さい光は界面で屈折して大部分が空気中に放射されるなどして、発電に寄与することがない。ここで、受光面保護部材103がガラスである場合、ガラスの屈折率は約1.5なので空気の屈折率を約1.0とすると臨界角は約48.2°となる。
一方、実線で示す本実施形態モジュールの場合、領域Xに入射した光L2は、封止層105と低屈折率層8の屈折率差により、封止層105と低屈折率層8との界面で屈折する。このとき低屈折率層8が封止層105の屈折率よりも小さい屈折率を有するので、屈折角は入射角よりも大きくなる。このため屈折した光は、破線で示す比較モジュールに比べ、光電変換部5側で細線電極4Aの傾斜面4Sに到達する。このため細線電極4Aへの入射角は、破線で示す比較モジュールの入射角に比べ大きくなる。そして、傾斜面4Sによって反射される。このときの反射角も、本実施形態モジュールの方が大きくなる。反射光R22は、低屈折率層8と封止材105との界面で再度屈折し、そして封止材105及び受光面保護部材103内をそのまま直進し、受光面保護部材103と空気との界面に入射角θ2で入射する。そして、界面に入射した光のうち入射角θ2が前述の臨界角より大きい光は界面で光電変換部5側に全反射され、入射角θ2が臨界角より小さい光は界面で屈折して大部分が空気中に放射されるなどして、発電に寄与することがない。
このとき、本実施形態モジュールと比較モジュールとを対比すると、本実施形態モジュールでは比較モジュールに比べ光電変換部5側で細線電極4Aの傾斜面4Sに到達すると共に、そのときの入射角が比較モジュールの入射角よりも大きく、また傾斜面4Sでの反射角も本実施形態モジュールの方が大きい。このため、本実施形態モジュールにおいて反射光R22が受光面保護部材103と空気との界面に入射するときの入射角θ2が、比較モジュールにおける入射角θ1よりも大きくなる。従って、本実施形態によれば細線電極4Aの傾斜面4Sで反射され、受光面保護部材103と空気との界面に到達する光のうち、界面への入射角が全反射条件を満たす光の割合が、比較モジュールよりも増加する。このため本実施形態によれば、受光面保護部材103と空気との界面で全反射され、再度光電変換部5に入射する光を比較モジュールに比べ大きくすることができるので、光の有効利用を図ることができる。
次に、領域Yに入射した光の光路について説明する。図6に示すように、破線で示す比較モジュールの場合、入射光L3は直進して細線電極4Aの傾斜面4Sに入射し、反射光R31が光電変換部5に入射する。
一方、実線で示す本実施形態モジュールの場合、領域Yに入射した光L3は、封止層105と低屈折率層8の屈折率差により屈折する。このとき低屈折率層8が封止層105の屈折率よりも小さい屈折率を有するので、屈折角は入射角よりも大きくなる。このため屈折した光は、破線で示す比較モジュールに比べ、光電変換部5側で細線電極4Aの傾斜面4Sに到達する。このため細線電極4Aへの入射角は、破線で示す比較モジュールの入射角に比べ大きくなる。そして、傾斜面4Sによって反射される。このときの反射角も比較モジュールにおける反射角よりも大きい。そして、反射光R32が光電変換部5に入射する。
本実施形態モジュールと比較モジュールとを対比すると、本実施形態モジュールでは比較モジュールに比べ光電変換部5側で細線電極4Aの傾斜面4Sに到達すると共に、そのときの入射角が比較モジュールの入射角よりも大きく、また傾斜面4Sでの反射角も本実施形態モジュールの方が大きい。従って、本実施形態によれば反射光が光電変換部5の受光面Sに到達するまでの距離を、比較モジュールよりも短くすることができる。従って、本実施形態によれば、反射光が受光面Sに到達するまでに低屈折率層8或いは封止層105により吸収される光量を従来に比べ低減することができるので、光の有効利用を図ることができる。
以上のように、本実施形態によれば、従来発電に寄与することができなかった光を有効に利用できるので、出力の向上した太陽電池モジュールを提供することができる。
また、本実施形態では低屈折率層8を用いるため、太陽電池3と封止層105との界面に気泡が入り込むことがなく、気泡を用いた従来の太陽電池モジュールに比して信頼性に優れている。さらに、低屈折率層8にシランカップリング材などの封止層105との密着性を高める材料を添加することにより、低屈折率層8と封止層105との密着性を高めることができ、信頼性をより高めることができる。
《第2実施形態》
本発明の第2実施形態について、図7及び図8を参照しながら説明する。なお、以下の説明において、上記第1実施形態と同一又は類似の部分についての説明は省略する。
(低屈折率層の構成)
図7は、本実施形態に係る低屈折率層8の効果を説明するための概略的な断面図である。また、図8は図7のXで囲む領域に入射した光の要部拡大図である。比較のために、低屈折率層8を備えない比較モジュールにおける光の光路を図中に破線で示している。尚、比較モジュールにおける光の光路は前述の第1実施形態と同様であるので、ここでは説明を省略する。
本実施形態が第1実施形態と異なる点は、低屈折率層8が第1低屈折率層8aと第2低屈折率層8bの2層を有する点にある。図7に示すように、第1低屈折率層8aは、細線電極4Aの下部表面を露出するように、細線電極4Aの上部に形成されている。また、第2低屈折率層8bは、細線電極4Aの下部表面上及び第1低屈折率層8aの表面上に跨るよう形成されている。また、第2低屈折率層8bは封止材105の屈折率よりも小さい屈折率を有しており、第1低屈折率層8aは第2低屈折率層8bの屈折率よりも小さい屈折率を有している。本実施形態にあってはこのように低屈折率層8を構成することにより、低屈折率層8の傾斜面8Sの傾きを、第1実施形態における傾斜面8Sの傾きよりも大きくしている。
図7に示すように、第1実施形態と同様にXで囲む領域に入射する光のうち、細線電極4Aの頂部付近に入射する光L1は、そのまま受光面保護部材側103側に反射され、光電変換部5に入射することは殆どない。
図8に示すように、Xで囲む領域において、傾斜面8Sに入射する入射光L2は、封止層105と第2低屈折率層8bの屈折率差により、封止層105及び第2低屈折率層8bの界面で屈折する。このとき第2低屈折率層8bが封止層105の屈折率よりも小さい屈折率を有するので、屈折角は入射角よりも大きくなる。次いで入射光L2は、第2低屈折率層8bと第1低屈折率層8aの屈折率差により、第2低屈折率層8b及び第1低屈折率層8aの界面で屈折する。このとき第1低屈折率層8aが第2低屈折率層8bの屈折率よりも小さい屈折率を有するので、入射角よりも屈折角が大きくなり、破線で示す比較モジュールに比べ、光電変換部5側で細線電極4Aの傾斜面4Sに到達する。
以上の結果、本実施形態によれば、入射光L2が細線電極4Aの傾斜面4Sに到達する位置を、第1実施形態よりも光電変換部5側に近づけることができ、またそのときの入射角を大きくすることができる。このため、本実施形態によれば細線電極4Aの傾斜面4Sで反射される反射光R22の反射角を第1実施形態よりも大きくすることができるので、反射光R22が空気と受光面保護部材103との界面に入射する入射角θ2を第1実施形態よりも大きくすることができる。従って、本実施形態によれば細線電極4Aの傾斜面4Sで反射され、受光面保護部材103と空気との界面に到達する光のうち、界面への入射角が全反射条件を満たす光の割合をさらに大きくすることができるので、光の有効利用をより一層図ることができる。
また、第1実施形態と同様に図7に示すYで囲む領域に入射する光のうち、第2低屈折率層8bと封止材105との屈折率の関係から全反射条件を満たす臨界角より小さい角度で入射した光は入射光L3で示すように細線電極4Aの傾斜面4Sにより反射され、光電変換部5に入射する。また、臨界角より大きい角度で入射した光は入射光Laで示すように第2低屈折率層8bの傾斜面8Sにより全反射され、光電変換部5に入射する。このとき、第1低屈折率層8aの形成により低屈折率層8の傾斜面8Sの傾斜をさらに急峻にできるため、反射光が光電変換部5の受光面Sに到達するまでの距離を第1実施形態よりもさらに短くすることができる。よって、反射光が受光面Sに到達するまでに第2低屈折率層8b或いは封止層105により吸収される光量を第1実施形態よりもさらに低減することができる。
以上のように、本実施形態によれば、従来発電に寄与することができなかった光をより一層有効に利用できるので、出力の向上した太陽電池モジュールを提供することができる。
また、本実施形態では低屈折率層8を用いるため、太陽電池3と封止層105との界面に気泡が入り込むことがなく、気泡を用いた従来の太陽電池モジュールに比して信頼性に優れている。
《第3実施形態》
本発明の第3実施形態について、図9を参照しながら説明する。なお、以下の説明において、上記第1実施形態と同一又は類似の部分についての説明は省略する。
(太陽電池モジュールの形成)
図9(a)は、本実施形態に係る太陽電池モジュールの受光面側の平面図であり、同図(b)は同図(a)に示すC−C間の要部拡大断面図である。
本実施形態が第1及び第2実施形態と異なる点は、低屈折率層8を配線材2上に設けた点にある。
図9(a)に示すように、配線材2は太陽電池3の配列方向Yに沿って配されている。そして、図9(b)に示すように、接続電極4B上に配線材2が接続されている。
また、図9(b)に示すように、配線材2は銅等の金属材料からなる芯材2bと、この芯材2bの表面を覆う錫や半田等の導電層2aとを有している。導電層2aは、例えばディップ法によって形成することができる。このような配線材2の導電層2aは、封止材105側から芯材2b側に向かって幅広となる傾斜面を有する。従って、導電層2aの受光面を覆うように形成した低屈折率層8は、配列方向Yと直交する方向Xに沿う断面おいて、中央部が突出し、且つ、光電変換部5の受光面Sに向かって断面が幅広となるように傾斜する傾斜面8Sを有している。
低屈折率層8はディスペンサー等により配線材2上に塗布することができる。この時、配線材の中央部と配線材の全域とを2回に分けて低屈折率層8を塗布することで、配列方向Yと直交する方向Xに沿う断面おいて、中央部が突出し、且つ、光電変換部5の受光面Sに向かって断面が幅広となるように傾斜する傾斜面8Sを形成することができる。なお、配線材2上への低屈折率層8の形成は、接続電極4Bと配線材2とを接続後に行っても良いし、接続前に行っても良い。
本実施形態においても、配線材2における導電層2aの受光面で反射された反射光のうち、受光面保護部材103側に反射され、受光面保護部材103と空気との界面で全反射され、再度光電変換部5に入射する光の割合を大きくすることができるので、光の有効利用を図ることができる。
また、導電層2aの受光面で反射された反射光のうち、光電変換部5側に反射された反射光が受光面Sに到達するまでの距離を短くすることができるので、低屈折率層8或いは封止層105により吸収される光量を比べ低減することができ、光の有効利用を図ることができる。
以上の結果、本実施形態によっても光電変換部に入射する光量を増やすことができるので、出力の向上した太陽電池モジュールを提供することができる。
さらに、本実施形態では低屈折率層8を用いるので、気泡を用いた従来の太陽電池モジュールに比して信頼性に優れている。
(変形例)
以上説明したように、本実施形態によれば出力特性が向上し、信頼性の優れた太陽電池モジュールを提供することができる。
尚、本発明に係る太陽電池モジュールは、第1〜第3実施形態で説明した構成に限定されるものではない。例えば、第3実施形態の配線材2上に低屈折率層8を備える構成において、低屈折率層8を第2実施形態と同様に第1低屈折率層8aと第2低屈折率層8bとの2層構造としても良い。
また、配線材2上及び細線電極4A上の両方に低屈折率層8を設けても良い。
また、これに限らず、本発明の趣旨を損なわない範囲で種々の変形が可能である。
《実施例》
以下、本発明に係る太陽電池モジュールについて、実施例を挙げて具体的に説明する。
本発明の実施例として、第1〜3実施形態に係わる太陽電池モジュールを以下のように作製した。以下の作製方法では、工程を工程1〜4に分けて説明する。
<工程1>光電変換部形成
まず、約1Ω・cmの抵抗率と約200μmの厚みとを有する約125mm角のn型単結晶シリコン基板を準備した。次に、CVD法を用いて、n型単結晶シリコン基板の上面上に、約5nmの厚みを有するi型非晶質シリコン層と、約5nmの厚みを有するp型非晶質シリコン層とをこの順序で形成した。
次に、n型単結晶シリコン基板の裏面上に、CVD法を用いて約5nmの厚みを有するi型非晶質シリコン層と、約5nmの厚みを有するn型非晶質シリコン層とをこの順序で形成した。
次に、スパッタ法を用いて、p型非晶質シリコン層及びn型非晶質シリコン層の各々の上に、約100nmの厚みを有するITO膜をそれぞれ形成した。
以上の工程により、実施例に係る太陽電池の光電変換部を作製した。
<工程2>集電電極形成
次に、光電変換部の受光面側及び裏面側に配されたITO膜の表面に、夫々印刷法により、エポキシ系熱硬化型の銀ペーストを用いて、以下の形状を有する集電電極を形成した。
第1〜3実施形態の夫々に係わる実施例1〜3のサンプルについて、幅が約100μm、厚みが約30μmの細線電極をピッチが約2mmで夫々形成した。
また、第1〜3実施形態の夫々に係わる実施例1〜3のサンプルについて、長さが約122mm、幅が約1.0mm、厚みが約30μmのバスバー電極を接続電極4Bとして、細線電極4Aと直交する方向に2本形成した。
<工程4>低屈折率層形成
実施例1及び2のサンプルについて、細線電極4A上に低屈折率層を形成した。
実施例1のサンプルについて、低屈折率層8は、屈折率が約1.34となるようにシリカナノ粒子をシリコーン樹脂に混入させたペースト状ものを細線電極4A上にスクリーン印刷法により塗布し、その後、加熱乾燥させることにより形成した。このとき、低屈折率層8は、接続電極上及び接続電極近傍を除く細線電極4A上に幅が約150μm、厚みが約20μmで形成した。
実施例2のサンプルについて、第1低屈折率層8aとしては、シリコーン樹脂に混入させるシリカナノ粒子の量を第2低屈折率層8bよりも多くすることで、第2低屈折率層8bよりも低屈折率になるよう形成した。実施例2では、第1低屈折率層8aの屈折率は1.29のものを使用した。そして、第1低屈折率層8aは、細線電極4Aの下部表面を露出するように接続電極上及び接続電極近傍を除く細線電極4A上に幅が約50μm、厚みが約10μmで形成した。また、シリカナノ粒子入りシリコーン樹脂ペーストの粘度は、厚みを大きく塗布できるよう高めに設定した。次に、第2低屈折率層8bは、実施例1の低屈折率層8と同様のペーストを用いて、細線電極4Aの下部表面及び第1低屈折率層8a上に跨って形成した。このとき、第2低屈折率層8bは、接続電極上及び接続電極近傍を除く細線電極4A上に幅が約150μm、厚みが約20μmで形成した。
実施例3のサンプルについて、低屈折率層8は配線材接続後に形成するため後述する。
<工程4>配線材の接続
配線材2の材質としては銅を使用し、その表面に半田がコートされたものを使用した。配線材の幅は約1.5mmである。
接続電極上に、ディスペンサー等により熱硬化型エポキシ系樹脂を含む樹脂型の接着材を塗布した。なお、接着材は、樹脂中に体積率約5%のニッケル粒子を含有させることにより、導電性を付与している。
そして、実施例1〜3の太陽電池の接続電極上に配された配線材を順次上下から加熱部で挟み、所定の圧力をかけながら加熱し、その後、接着材を硬化させること接着材により配線材2を接着した。
実施例3のサンプルについては、光電変換部の受光面の接続電極上に配された配線材2上に幅が約1.5mm、厚みが50μmとなるよう低屈折率層8を形成した。低屈折率層8は、屈折率が約1.34となるようにシリカナノ粒子をシリコーン樹脂に混入させたペースト状ものを、配線材2上にディスペンサーにより塗布し、その後、加熱乾燥させることにより形成した。
<工程5>モジュール化
ガラス基板からなる表面保護部材の上に、EVAからなる封止材シートを載せた後、配線材2によって接続された複数の太陽電池を配置した。そして、その上に、更にEVAからなる封止材シートを載せた後、PET/アルミニウム箔/PETの3層構造を有する裏面保護部材を配置した。そして、周知のラミネート法を用いて一体化した後に、実施例に係る太陽電池モジュールを作製した。
このような工程を経ることにより、夫々、第1実施形態に係わる実施例1のサンプル、第2実施形態に係わる実施例2のサンプル、第3実施形態に係わる実施例3のサンプルを形成した。
(比較例)
低屈折率層8を形成しない以外は第1実施形態に係るサンプルと同一のサンプルを使用した。
(結果)
実施例1〜3及び比較例に係る太陽電池モジュールについて、モジュール出力電流の測定を行った。条件としては、JIS C 8918で規定する、AM−1.5、放射強度1kW/m、モジュール温度25℃の標準条件を使用した。表1に、比較例及び実施例1〜3の太陽電池モジュールの規格化モジュール電流を示す。規格化モジュール電流とは、比較例における太陽電池モジュールのモジュール電流を1として、規格化した値である。
Figure 2009246108
表1から比較例に対し、実施例1〜3においては規格化モジュール電流の値が向上したことが分かる。実施例1、2においては、細線電極上に低屈折率層を形成することで、光を効率よく光電変換部の受光面へ導くことができるため、規格化モジュール電流の値が向上した。実施例2では、第1低屈折率層上に第2低屈折率層を形成するため低屈折率層の傾斜を急峻にすることができる。よって、実施例2は実施例1と比較し場合、さらに光を効率よく光電変換部の受光面へ導くことができるため規格化モジュール電流の値が向上した。実施例3においては、配線材2上に形成することで、光を効率よく光電変換部5の受光面へ導くことができるため、規格化モジュール電流の値が向上した。従って、実施例1〜3は比較例に対し、規格化モジュール電流の値が向上したため、太陽電池モジュールの出力を向上させることができた。
(その他の実施形態)
このように、本発明はここでは記載していない様々な実施形態等を含むことは勿論である。従って、本発明の技術的範囲は上記の説明から妥当な特許請求の範囲に係る発明特定事項によってのみ定められるものである。
例えば、第1〜3実施形態において細線電極上又は配線材上のどちらかに低屈折率層の形成を行ったが、細線電極上と配線材上の両方に低屈折率層の形成を行ってもよい。この様な場合、さらに光を効率よく光電変換部の受光面へ導くことができるため、さらに太陽電池モジュールの特性を向上することができる。
第1実施形態に係る太陽電池モジュールの概念図である。 第1実施形態に係る太陽電池の平面図である。 第1実施形態に係る太陽電池と低屈折率層の配置を示す図である。 第1実施形態に係る太陽電池モジュールにおける入射光の光路を示す模式図である。 第1実施形態に係る太陽電池モジュールにおける入射光の光路を示す模式図である。 第1実施形態に係る太陽電池モジュールにおける入射光の光路を示す模式図である。 第2実施形態に係る太陽電池モジュールにおける入射光の光路を示す模式図である。 第2実施形態に係る太陽電池モジュールにおける入射光の光路を示す模式図である。 第3実施形態に係る太陽電池モジュールにおける配線材と低屈折率層の配置を示す図である。 従来に係る太陽電池モジュールの概念図である。 従来に係る太陽電池の平面図である。
符号の説明
1 太陽電池モジュール
103 受光面保護部材
104 裏面保護部材
105 封止層
2 配線材
2a 芯材
2b 導電層
3 太陽電池
4 集電電極
4A 細線電極
4B 接続電極
5 光電変換部
7 接着材
8 低屈折率層
8a 第1低屈折率層
8b 第2低屈折率層
8S 傾斜面
S 光電変換部の受光面

Claims (7)

  1. 太陽電池と、前記太陽電池の光入射側に設けられた封止材と、を備え、
    前記太陽電池は、光電変換部と、前記光電変換部の受光面上に一方向に延在するように形成された細線電極と、を含むと共に、
    前記細線電極の受光面と前記封止材との間には、前記封止材の屈折率よりも小さい屈折率を有する低屈折率層が前記細線電極の受光面を覆うように設けられ、
    前記低屈折率層は、前記一方向と直交する他方向における断面において、中央部が突出し、且つ、前記光電変換部の受光面に向かって前記断面が幅広となるように傾斜する傾斜面を有することを特徴とする太陽電池モジュール。
  2. 前記低屈折率層は、前記細線電極の下部表面を露出するように上部上に設けられた第1低屈折率層と、
    前記細線電極の前記下部表面上及び前記第1低屈折率層上に跨って設けられた第2低屈折率層とを有することを特徴とする請求項1に記載の太陽電池モジュール。
  3. 前記細線電極と前記封止材との間に、前記一方向と直交する方向に延在するように配された配線材を有し、
    前記低屈折率層は、前記配線材から露出する前記細線電極の表面を覆うように設けられていることを特徴とする請求項1または2記載の太陽電池モジュール。
  4. 配列方向に沿って配列された複数の太陽電池と、
    前記配列方向に延在し、隣接して配置された前記太陽電池を電気的に接続する配線材と、
    前記配線材により配線された前記複数の太陽電池の光入射側に設けられた封止材と、を備え、
    前記太陽電池は、光電変換部を含むと共に、
    前記配線材の受光面と前記封止材との間には、前記封止材の屈折率よりも小さい屈折率を有する低屈折率層が前記配線材の受光面を覆うように設けられ、
    前記低屈折率層は、前記配列方向と直交する方向における断面において、中央部が突出し、且つ、前記光電変換部の受光面に向かって前記断面が幅広となるように傾斜する傾斜面を有することを特徴とする太陽電池モジュール。
  5. 前記低屈折率層は、
    前記配線材の受光面の前記中央部に設けられた第1低屈折率層と、
    前記配線材の受光面の周辺部と前記第1低屈折率層とを覆う第2低屈折率層とからなる請求項4に記載の太陽電池モジュール。
  6. 前記第1低屈折率層の屈折率は、前記第2低屈折率層の屈折率よりも小さいことを特徴とする請求項2または5に記載の太陽電池モジュール。
  7. 前記低屈折率層は有機材料及び無機材料を含む材料からなる請求項1〜6いずれか記載の太陽電池モジュール。
JP2008090261A 2008-03-31 2008-03-31 太陽電池モジュール Expired - Fee Related JP5094509B2 (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2008090261A JP5094509B2 (ja) 2008-03-31 2008-03-31 太陽電池モジュール
US12/372,126 US20090242013A1 (en) 2008-03-31 2009-02-17 Solar cell module

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2008090261A JP5094509B2 (ja) 2008-03-31 2008-03-31 太陽電池モジュール

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2009246108A true JP2009246108A (ja) 2009-10-22
JP5094509B2 JP5094509B2 (ja) 2012-12-12

Family

ID=41115291

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2008090261A Expired - Fee Related JP5094509B2 (ja) 2008-03-31 2008-03-31 太陽電池モジュール

Country Status (2)

Country Link
US (1) US20090242013A1 (ja)
JP (1) JP5094509B2 (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2011148840A1 (ja) * 2010-05-28 2011-12-01 三洋電機株式会社 太陽電池モジュール及びその製造方法
JP2012033564A (ja) * 2010-07-28 2012-02-16 Mitsubishi Electric Corp 太陽電池セルおよび太陽電池セルの製造方法

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5362379B2 (ja) * 2009-02-06 2013-12-11 三洋電機株式会社 太陽電池のi−v特性の測定方法
KR101579320B1 (ko) * 2010-05-12 2015-12-21 엘지전자 주식회사 태양 전지
US20130118548A1 (en) * 2011-11-11 2013-05-16 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Apparatus and methods for enhancing photovoltaic efficiency
CN102420268B (zh) * 2011-12-13 2013-04-10 李新民 一种复合仿生太阳能电池板
EP2725628B1 (en) * 2012-10-23 2020-04-08 LG Electronics, Inc. Solar cell module
DE102013111981A1 (de) * 2013-10-30 2015-04-30 Hanergy Holding Group Ltd. Verfahren zur Herstellung eines Dünnschicht-Solarzellenmoduls und Dünnschicht-Solarzellenmodul
US20160126361A1 (en) * 2014-10-31 2016-05-05 Byd Company Limited Solar cell module and manufacturing method thereof
US11195966B2 (en) * 2015-09-11 2021-12-07 Sunpower Corporation Bifacial solar cells with reflective back contacts
AU2018223261B2 (en) 2017-02-22 2023-03-16 Oy Ics Intelligent Control Systems Ltd Optical shield for photovoltaic cell

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5610977A (en) * 1979-07-09 1981-02-03 Agency Of Ind Science & Technol Manufacture of photoelectric converter
JPS63234566A (ja) * 1987-03-23 1988-09-29 Mitsubishi Electric Corp 太陽電池
JPH0637340A (ja) * 1992-07-15 1994-02-10 Canon Inc 光起電力素子

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2861909A (en) * 1955-04-25 1958-11-25 Rca Corp Semiconductor devices
US4348546A (en) * 1980-08-25 1982-09-07 Spire Corporation Front surface metallization and encapsulation of solar cells
US5076857A (en) * 1990-08-27 1991-12-31 Spire Corporation Photovoltaic cell and process
US5428249A (en) * 1992-07-15 1995-06-27 Canon Kabushiki Kaisha Photovoltaic device with improved collector electrode
ES2197971T3 (es) * 1996-01-10 2004-01-16 Canon Kabushiki Kaisha Modulo de celula solar con cubierta superficial especifica con buenas caracteristicas de resistencia a humedad y transparencia.
JPH11317475A (ja) * 1998-02-27 1999-11-16 Canon Inc 半導体用封止材樹脂および半導体素子
DE10239845C1 (de) * 2002-08-29 2003-12-24 Day4 Energy Inc Elektrode für fotovoltaische Zellen, fotovoltaische Zelle und fotovoltaischer Modul

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5610977A (en) * 1979-07-09 1981-02-03 Agency Of Ind Science & Technol Manufacture of photoelectric converter
JPS63234566A (ja) * 1987-03-23 1988-09-29 Mitsubishi Electric Corp 太陽電池
JPH0637340A (ja) * 1992-07-15 1994-02-10 Canon Inc 光起電力素子

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2011148840A1 (ja) * 2010-05-28 2011-12-01 三洋電機株式会社 太陽電池モジュール及びその製造方法
JP2011249663A (ja) * 2010-05-28 2011-12-08 Sanyo Electric Co Ltd 太陽電池モジュール及びその製造方法
JP2012033564A (ja) * 2010-07-28 2012-02-16 Mitsubishi Electric Corp 太陽電池セルおよび太陽電池セルの製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
JP5094509B2 (ja) 2012-12-12
US20090242013A1 (en) 2009-10-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5094509B2 (ja) 太陽電池モジュール
EP2575184B1 (en) Solar cell module
JP5279334B2 (ja) 太陽電池モジュール
JP2008205137A (ja) 太陽電池及び太陽電池モジュール
TW200910614A (en) Solar cell and solar cell module
CN103178137B (zh) 太阳能电池组
KR102244597B1 (ko) 태양 전지 모듈
JP2011044750A (ja) 太陽電池モジュール
KR20120138021A (ko) 태양전지 모듈
JP2014165504A (ja) 太陽電池モジュール
JP2010016246A (ja) 太陽電池モジュール及びその製造方法
US20170194525A1 (en) High power solar cell module
WO2016143284A1 (ja) 太陽電池モジュール
JP2018046112A (ja) 太陽電池モジュール
JP2009218315A (ja) 太陽電池モジュール
JP6207255B2 (ja) 太陽電池モジュール及び太陽電池モジュールの製造方法
KR101714780B1 (ko) 태양전지 모듈
JP5381809B2 (ja) 太陽電池モジュール
JP2011187567A (ja) 太陽電池モジュール
JP3198443U (ja) 太陽電池モジュール
KR20120044541A (ko) 도전성 접착 필름, 상기 필름을 구비한 태양전지 패널 및 상기 패널의 제조 방법
JP2010272897A (ja) 太陽電池モジュール
KR101747344B1 (ko) 태양전지 모듈
WO2013114555A1 (ja) 太陽電池モジュール及び太陽電池モジュールの製造方法
JP2018056490A (ja) 太陽電池モジュールおよび太陽電池セル

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20110225

RD02 Notification of acceptance of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422

Effective date: 20111117

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20111128

RD04 Notification of resignation of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424

Effective date: 20111130

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20111213

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20120201

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20120403

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20120531

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20120821

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20120918

R151 Written notification of patent or utility model registration

Ref document number: 5094509

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150928

Year of fee payment: 3

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees