JP2009237444A - Method for manufacturing liquid crystal display element, nd the liquid crystal display elemnt - Google Patents

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To manufacture a liquid crystal display element provided with proper display performance. <P>SOLUTION: A first transparent conductive film is formed on a first transparent substrate, and a second transparent conductive film is formed on a second transparent substrate (step a). At least either the first transparent conductive film or the second transparent conductive film is irradiated with a laser beam, to form a portion provided with gradation, in a section or the thickness direction (step b). Alignment films are formed on the first and second transparent substrates so as to cover the first and second transparent electrodes, and alignment processing is applied to the alignment films (step c). A liquid crystal layer is formed in between the alignment films of the first and second transparent substrates (step d). <P>COPYRIGHT: (C)2010,JPO&amp;INPIT

Description

本発明は、液晶表示素子の製造方法、及び液晶表示素子に関する。   The present invention relates to a method for manufacturing a liquid crystal display element and a liquid crystal display element.

図9は、従来の液晶表示素子の製造方法の概略を示すフローチャートである。   FIG. 9 is a flowchart showing an outline of a conventional method for manufacturing a liquid crystal display element.

液晶表示素子の製造工程においては、まず蒸着工程S201において、ガラス基板上にITO膜を蒸着する。   In the manufacturing process of the liquid crystal display element, first, in an evaporation process S201, an ITO film is evaporated on the glass substrate.

次に、レジスト塗布工程S202において、ITO膜上にフォトレジストを所望のパターンに塗布する。   Next, in a resist coating step S202, a photoresist is applied in a desired pattern on the ITO film.

続いて工程S203において、露光機でフォトレジストの塗布された基板を露光する。露光後に、現像、エッチング、及びフォトレジストの剥離を行うことで、ITO膜が所望の形状にパターニングされる。   Subsequently, in step S203, the substrate coated with the photoresist is exposed with an exposure machine. After the exposure, the ITO film is patterned into a desired shape by developing, etching, and removing the photoresist.

工程S204においては、配向膜塗布及びラビング処理が行われる。ガラス基板のITO膜表面に、フレキソ印刷機、インクジェット塗布装置等を用いて配向膜を塗布する。配向膜塗布の前に絶縁膜を塗布する場合もある。塗布された配向膜にはラビング処理が施される。   In step S204, alignment film application and rubbing are performed. An alignment film is applied to the ITO film surface of the glass substrate using a flexographic printing machine, an inkjet coating apparatus, or the like. In some cases, an insulating film is applied before the alignment film is applied. The applied alignment film is rubbed.

工程S205においては、ラビングによる配向処理まで終了した2枚の基板を重ね合わせ、液晶材料を注入する。液晶注入後、注入口を封止し、両基板に偏光板を貼って液晶表示素子を完成する(たとえば、特許文献1参照)。   In step S205, the two substrates that have been subjected to the alignment process by rubbing are overlapped and a liquid crystal material is injected. After the liquid crystal is injected, the injection port is sealed, and a polarizing plate is pasted on both substrates to complete a liquid crystal display element (see, for example, Patent Document 1).

上述の液晶表示素子の製造方法においては、ITO膜を所望の形状にパターニングするための工程S202及びS203(レジスト塗布、露光、現像、エッチング、剥離を行う工程)により液晶表示素子の製造工程全体が複雑化する。また工程S202及びS203においては、レジスト材料、エッチング液、剥離液、洗浄液等の薬品が大量に必要となる。このため周辺環境への影響を低減する薬品処理設備が要求され、コストアップの大きな要因となる。   In the above-described method for manufacturing a liquid crystal display element, the entire manufacturing process of the liquid crystal display element is performed by steps S202 and S203 (steps for performing resist coating, exposure, development, etching, and peeling) for patterning the ITO film into a desired shape. To be complicated. In Steps S202 and S203, a large amount of chemicals such as a resist material, an etching solution, a stripping solution, and a cleaning solution are required. For this reason, chemical treatment equipment that reduces the influence on the surrounding environment is required, which is a major factor in increasing costs.

また、フォトレジストの塗布された部分のITO膜は残存し、塗布されていない部分のITO膜は完全に除去されるため、両者の境界において高コントラストの表示はできても、かすれたような表示を実現することは困難である。   In addition, since the ITO film in the portion where the photoresist is applied remains, and the ITO film in the portion where the photoresist is not applied is completely removed, a high contrast display can be displayed at the boundary between the two, but the display is blurred It is difficult to realize.

特開2005−300744号公報Japanese Patent Laying-Open No. 2005-300744

本発明の目的は、良好な表示性能を備える液晶表示素子の製造方法を提供することである。   The objective of this invention is providing the manufacturing method of a liquid crystal display element provided with favorable display performance.

また、簡易な液晶表示素子の製造方法を提供することである。   Moreover, it is providing the manufacturing method of a simple liquid crystal display element.

更に、低コストで実現可能な液晶表示素子の製造方法を提供することである。   Furthermore, it is providing the manufacturing method of the liquid crystal display element which can be implement | achieved at low cost.

また、良好な表示性能を備える液晶表示素子を提供することである。   Moreover, it is providing a liquid crystal display element provided with favorable display performance.

本発明の一観点によれば、(a)第1の透明基板上に第1の透明導電膜を、第2の透明基板上に第2の透明導電膜を形成する工程と、(b)前記第1の透明導電膜、前記第2の透明導電膜の少なくとも一方に、レーザビームを照射して、面積的または厚さ方向に階調を備える部分を形成する工程と、(c)前記第1及び第2の透明基板上に、前記第1及び第2の透明導電膜を覆うように配向膜を形成し、該配向膜に配向処理を施す工程と、(d)前記第1及び第2の透明基板の配向膜間に液晶層を形成する工程とを有する液晶表示素子の製造方法が提供される。   According to one aspect of the present invention, (a) forming a first transparent conductive film on a first transparent substrate and forming a second transparent conductive film on a second transparent substrate; Irradiating at least one of the first transparent conductive film and the second transparent conductive film with a laser beam to form a portion having gradation in the area or thickness direction; and (c) the first transparent conductive film. Forming an alignment film on the second transparent substrate so as to cover the first and second transparent conductive films, and performing an alignment treatment on the alignment film; and (d) the first and second processes. There is provided a method for manufacturing a liquid crystal display element, comprising a step of forming a liquid crystal layer between alignment films of a transparent substrate.

また、本発明の他の観点によれば、第1の電極が形成された第1の透明基板と、第2の電極が形成された第2の透明基板であって、前記第1の電極と前記第2の電極とが対向するように配置された第2の透明基板と、前記第1の透明基板上に、前記第1の電極を覆うように形成された第1の配向膜と、前記第2の透明基板上に、前記第2の電極を覆うように形成された第2の配向膜と、前記第1の透明基板の前記第1の配向膜と、前記第2の透明基板の前記第2の配向膜との間に挟持された液晶層とを有し、前記第1の透明導電膜、前記第2の透明導電膜の少なくとも一方が、面積的または厚さ方向に階調を備える部分を含む液晶表示素子が提供される。   According to another aspect of the present invention, a first transparent substrate on which a first electrode is formed, and a second transparent substrate on which a second electrode is formed, the first electrode, A second transparent substrate disposed so as to face the second electrode; a first alignment film formed on the first transparent substrate so as to cover the first electrode; A second alignment film formed on the second transparent substrate so as to cover the second electrode, the first alignment film of the first transparent substrate, and the second transparent substrate A liquid crystal layer sandwiched between the second alignment film and at least one of the first transparent conductive film and the second transparent conductive film has a gradation in the area or thickness direction. A liquid crystal display element including the portion is provided.

本発明によれば、良好な表示性能を備える液晶表示素子の製造方法を提供することができる。   ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, the manufacturing method of a liquid crystal display element provided with favorable display performance can be provided.

また、簡易な液晶表示素子の製造方法を提供することができる。   In addition, a simple method for manufacturing a liquid crystal display element can be provided.

更に、低コストで実現可能な液晶表示素子の製造方法を提供することができる。   Furthermore, it is possible to provide a method for manufacturing a liquid crystal display element that can be realized at low cost.

また、良好な表示性能を備える液晶表示素子を提供することができる。   In addition, a liquid crystal display element having favorable display performance can be provided.

図1は、実施例による液晶表示素子の製造方法の概略を示すフローチャートである。本図を参照して、第1の実施例による液晶表示素子の製造方法について説明する。   FIG. 1 is a flowchart showing an outline of a method for manufacturing a liquid crystal display device according to an embodiment. With reference to this figure, the manufacturing method of the liquid crystal display element by 1st Example is demonstrated.

蒸着工程S101において、たとえば厚さ0.7mmの透明なガラス板上に厚さ1000Åの絶縁膜を形成し、その上に厚さ2000Åの透明導電膜、たとえばITO膜を蒸着する。ガラス板にはたとえば青板ガラスを用いる。ITO膜は製造された液晶表示素子において電極を構成する。液晶表示素子の上側基板と下側基板とに供するため、ITO膜の蒸着されたガラス基板は2枚準備される。   In the vapor deposition step S101, an insulating film having a thickness of 1000 mm is formed on a transparent glass plate having a thickness of 0.7 mm, for example, and a transparent conductive film having a thickness of 2000 mm, for example, an ITO film is deposited thereon. For example, blue plate glass is used as the glass plate. The ITO film constitutes an electrode in the manufactured liquid crystal display element. Two glass substrates on which an ITO film is deposited are prepared for use in an upper substrate and a lower substrate of the liquid crystal display element.

次に、レーザアブレーション工程S102において、レーザビームをITO膜に照射し、ITO膜のパターニング(レーザエッチング)を行う。レーザ発振器として、たとえばYVOレーザ発振器を用いることができる。YVOレーザ発振器から出射される波長1064nmのパルスレーザビームを、レーザ出力10〜100W、たとえば35W、繰り返し周波数10〜100kHz、たとえば50kHzでITO膜に入射させる。   Next, in the laser ablation step S102, the ITO film is irradiated with a laser beam, and the ITO film is patterned (laser etching). For example, a YVO laser oscillator can be used as the laser oscillator. A pulse laser beam having a wavelength of 1064 nm emitted from the YVO laser oscillator is incident on the ITO film at a laser output of 10 to 100 W, for example, 35 W, and a repetition frequency of 10 to 100 kHz, for example, 50 kHz.

レーザビーム照射は、製造後の液晶表示素子で表示したい画像を高解像度のCCDカメラで読み取り、読み取った画像データを2値変換して作成したCADデータに基づいて行う。レーザビームはガルバノミラーでスキャン(走査)しながらITO膜に入射させる。レーザビームの入射した位置のITO膜は、アブレーション作用及び熱による蒸発作用により除去される。   Laser beam irradiation is performed based on CAD data created by reading an image desired to be displayed on a manufactured liquid crystal display element with a high-resolution CCD camera and binary-converting the read image data. The laser beam is incident on the ITO film while scanning with a galvanometer mirror. The ITO film at the position where the laser beam is incident is removed by an ablation action and an evaporation action by heat.

レーザアブレーション工程S102においては、ITO膜上でスポット状レーザビームを平行線状にスキャンし、レーザ照射されたITO膜をアブレーションして除去する工程を含む。   The laser ablation step S102 includes a step of scanning a spot-like laser beam in parallel lines on the ITO film and ablating and removing the ITO film irradiated with the laser.

図2は、平行線状にアブレーション処理を施されたITO膜を示す顕微鏡写真である。黒く写っている部分が、ITO膜が残存している領域である。ストライプ状領域(写真左上から右下方向に太く伸びる黒い部分)の外部をスポット状レーザビームで平行線状にスキャンし、ストライプ状領域を残す予定であった。実際に得られたITOパターンは、ストライプ状領域の外側に、細い平行線状領域を伴うものであった。残った平行線状領域のピッチは、レーザビームスキャンのピッチに対応している。平行線状領域の形成は、残存ストライプ状領域の近傍では放熱効率が高いため、アブレーションの閾値が上昇していることに起因すると考えられる。レーザパワーを増加させるか、繰り返し周波数を減少させれば、残存する平行線状パターンを消滅させることも可能と考えられる。ところが図2に示すようなITOパターンは、平行線状パターンの部分でかすれた表示を行えることがわかった。なお、線状エッチングパターンは、レーザビームのスキャン方向を変えることで、任意の方向に形成することができる。   FIG. 2 is a photomicrograph showing an ITO film that has been ablated in parallel lines. The black portion is the region where the ITO film remains. The outside of the stripe region (the black portion extending thickly from the upper left to the lower right in the photograph) was scanned in parallel lines with a spot laser beam, and the stripe region was to be left. The actually obtained ITO pattern was accompanied by a thin parallel line area outside the stripe area. The pitch of the remaining parallel linear regions corresponds to the pitch of the laser beam scan. It is considered that the formation of the parallel linear regions is caused by an increase in the ablation threshold because heat dissipation efficiency is high in the vicinity of the remaining stripe regions. If the laser power is increased or the repetition frequency is decreased, it is considered possible to eliminate the remaining parallel linear pattern. However, it has been found that the ITO pattern as shown in FIG. 2 can perform a faint display at the portion of the parallel line pattern. Note that the linear etching pattern can be formed in an arbitrary direction by changing the scanning direction of the laser beam.

図3は、線状エッチング処理を施された部分のガラス基板上の膜厚を示すグラフである。グラフの横軸は、ガラス基板面内方向における1次元的な位置を単位「μm」で表す。グラフの縦軸は、ガラス基板上に形成されている膜の厚さを単位「Å」で表す。   FIG. 3 is a graph showing the film thickness on the glass substrate in the portion subjected to the linear etching process. The horizontal axis of the graph represents a one-dimensional position in the in-plane direction of the glass substrate in the unit “μm”. The vertical axis of the graph represents the thickness of the film formed on the glass substrate in the unit “Å”.

グラフ縦軸のおよそ1000Å以上の部分にITO膜が形成されている。線状パターンの形成領域には、レーザビームの照射により、ITO膜がエッチングされない部分(厚く残存する部分)とITO膜が完全に除去された部分(パターニングされた部分)とが交互に現れる。   An ITO film is formed in a portion of about 1000 cm or more on the vertical axis of the graph. In the region where the linear pattern is formed, portions where the ITO film is not etched (thick portions that remain) and portions where the ITO film is completely removed (patterned portions) appear alternately by laser beam irradiation.

また、レーザアブレーション工程S102においては、YVOレーザ発振器のオンとオフとをごく短い時間で切り替えて、ITO膜をたとえばドット状に除去するレーザエッチングも可能である。ドットの分布密度を変化させれば、かすれ表示を実現することが可能であろう。   In the laser ablation step S102, laser etching for removing the ITO film, for example, in a dot shape by switching the YVO laser oscillator on and off in a very short time is also possible. If the distribution density of dots is changed, it will be possible to realize a blurred display.

図4は、ドット状にレーザエッチング処理を施されたITO膜を示す顕微鏡写真である。本図に示すように、たとえばITO膜に連続的にドット状のエッチングを行うことで、かすれ表示パターンを伴う電極を形成することも可能である。   FIG. 4 is a photomicrograph showing an ITO film that has been laser-etched in a dot shape. As shown in this figure, for example, by performing dot-like etching on the ITO film continuously, it is possible to form an electrode with a blurred display pattern.

なお、線状またはドット状に行うレーザエッチングは、蒸着工程S101で準備した2枚の基板のうち、少なくとも一方の基板について行えばよい。   Note that the laser etching performed in a linear or dot shape may be performed on at least one of the two substrates prepared in the vapor deposition step S101.

再び図1を参照する。   Refer to FIG. 1 again.

工程S103においては、配向膜塗布及びラビング処理が行われる。前工程においてパターニングされたITO膜付ガラス基板を洗浄した後、両ガラス基板のITO膜表面に、たとえばフレキソ印刷機を用いて配向膜を500Å〜800Åの厚さに塗布形成する。配向膜の材料としては、たとえば日産化学社製のSE−410が使用される。配向膜の塗布に当たっては、たとえばフレキソ印刷方式を用いる。   In step S103, alignment film coating and rubbing are performed. After washing the glass substrate with the ITO film patterned in the previous step, an alignment film is applied and formed to a thickness of 500 to 800 mm on the ITO film surfaces of both glass substrates using, for example, a flexographic printing machine. As a material for the alignment film, for example, SE-410 manufactured by Nissan Chemical Co., Ltd. is used. In applying the alignment film, for example, a flexographic printing method is used.

続いて、形成された配向膜に、たとえばラビングにより配向処理を施す。配向処理は、たとえば製造された液晶表示素子の上下基板間で液晶分子の配向方向が90°異なるように行われる。   Subsequently, alignment treatment is performed on the formed alignment film, for example, by rubbing. The alignment treatment is performed, for example, so that the alignment direction of the liquid crystal molecules differs by 90 ° between the upper and lower substrates of the manufactured liquid crystal display element.

一方の基板にギャップコントロール剤、たとえば積水化学社製のミクロパール5ミクロンを散布し、他方の基板に、たとえば直径5μmのプラスチックファイバーを3重量%添加したメインシール剤、たとえば三井化学社製ES−7500をディスペンサ方式を用いて印刷する。   A main sealant, such as ES-manufactured by Mitsui Chemicals Co., Ltd., in which a gap control agent such as Sekisui Chemical Co., Ltd. micromicron 5 microns is sprayed on one substrate and plastic fiber having a diameter of 5 μm, for example, is added to the other substrate. 7500 is printed using a dispenser method.

工程S104においては、配向処理の施された2枚の基板を重ね合わせ、プレスした状態で焼成した後、基板を所定のサイズに分断し液晶を真空注入する。液晶材料として、たとえば大日本インキ化学工業製の、正の光学異方性を有するネマティック液晶材料(ミクスチャー Δn=0.15)を使用することが可能である。   In step S104, the two substrates subjected to the alignment treatment are superposed and baked in a pressed state, and then the substrate is divided into a predetermined size and liquid crystal is injected in a vacuum. As the liquid crystal material, for example, a nematic liquid crystal material having a positive optical anisotropy (mixture Δn = 0.15) manufactured by Dainippon Ink and Chemicals, Inc. can be used.

液晶注入後、注入口を封止して液晶セルを作製する。液晶セル洗浄後、両基板に偏光板をクロスニコル配置となるように貼って液晶表示素子を完成する。   After the liquid crystal injection, the injection port is sealed to produce a liquid crystal cell. After washing the liquid crystal cell, a polarizing plate is stuck on both substrates so as to have a crossed Nicol arrangement, thereby completing a liquid crystal display element.

図5(A)〜(D)を参照して、第1の実施例による製造方法で製造された液晶表示素子について説明する。   With reference to FIGS. 5A to 5D, a liquid crystal display device manufactured by the manufacturing method according to the first embodiment will be described.

図5(A)は、第1の実施例による製造方法で製造された液晶表示素子の概略的な断面図を示す。ガラス基板12、18が略平行に対向配置される。ガラス基板12上にはITOで共通電極13が形成され、ガラス基板18上にはITOでセグメント電極17が形成される。配向膜14が、共通電極13を覆うようにガラス基板12上に形成され、配向膜16が、セグメント電極17を覆うようにガラス基板18上に形成される。配向膜14、16にはラビング処理が施されている。ガラス基板12、共通電極13、及び配向膜14を含んで構成される上側基板と、ガラス基板18、セグメント電極17、及び配向膜16を含んで構成される下側基板との間に液晶層15が挟持されている。ガラス基板12、18の液晶層15が形成されている面とは反対側の面には、それぞれ偏光板11、19がクロスニコル配置される。   FIG. 5A is a schematic cross-sectional view of a liquid crystal display device manufactured by the manufacturing method according to the first embodiment. The glass substrates 12 and 18 are disposed to face each other substantially in parallel. A common electrode 13 is formed of ITO on the glass substrate 12, and a segment electrode 17 is formed of ITO on the glass substrate 18. An alignment film 14 is formed on the glass substrate 12 so as to cover the common electrode 13, and an alignment film 16 is formed on the glass substrate 18 so as to cover the segment electrode 17. The alignment films 14 and 16 are rubbed. The liquid crystal layer 15 is disposed between the upper substrate including the glass substrate 12, the common electrode 13, and the alignment film 14 and the lower substrate including the glass substrate 18, the segment electrode 17, and the alignment film 16. Is pinched. Polarizing plates 11 and 19 are arranged in crossed Nicols on the surface of the glass substrates 12 and 18 opposite to the surface on which the liquid crystal layer 15 is formed.

図5(B)に、線状パターンが形成されたセグメント電極17の断面の一例を示す。本図の断面には、厚さ方向にセグメント電極(ITO膜)17が完全除去された複数の凹部が示されている。複数の凹部のそれぞれは図面垂直方向に徐々に幅を狭めながら延在し、1つの線状パターン領域を構成する。   FIG. 5B shows an example of a cross section of the segment electrode 17 on which a linear pattern is formed. The cross section of this figure shows a plurality of recesses from which the segment electrode (ITO film) 17 has been completely removed in the thickness direction. Each of the plurality of recesses extends while gradually reducing the width in the vertical direction of the drawing, and constitutes one linear pattern region.

なお、セグメント電極17は、ドット状に構成された電極完全除去領域も備える。また、共通電極13が、線状またはドット状に構成された電極完全除去領域を有する場合もある。   The segment electrode 17 also includes an electrode complete removal region configured in a dot shape. Moreover, the common electrode 13 may have an electrode complete removal region configured in a linear or dot shape.

図5(C)に、第1の実施例による製造方法で製造された液晶表示素子で実現される表示の一例を顕微鏡写真で示した。写真左側に、電極に線状パターンが形成された領域によって実現される、筆で書いたようなかすれ表示が確認される。   FIG. 5C shows an example of a display realized by the liquid crystal display device manufactured by the manufacturing method according to the first embodiment as a micrograph. On the left side of the photograph, a faint display as if written with a brush, which is realized by an area where a linear pattern is formed on the electrode, is confirmed.

図5(D)は、電極の線状パターン領域を示す概略的な平面図である。電極17には面積的に階調が形成されている。すなわち電極17は、電極非形成領域に向かって幅狭に形成される線状部分を備えている。かすれ表示は、液晶表示素子に電圧を印加したときの、先細り線状部分の根元部と先端部における電圧差に起因して生じると考えられる。   FIG. 5D is a schematic plan view showing a linear pattern region of the electrode. The electrode 17 has a gradation in terms of area. That is, the electrode 17 includes a linear portion that is formed narrower toward the electrode non-forming region. It is considered that the fading display is caused by a voltage difference between the root portion and the tip portion of the tapered linear portion when a voltage is applied to the liquid crystal display element.

従来、図5(C)に示すようなかすれ表示をドットマトリックス駆動で行うには、高解像度のTFT−LCDと高価な駆動回路が必要とされた。第1の実施例による液晶表示素子の製造方法によれば、安価に表示性能の良好な液晶表示素子を製造することができる。   Conventionally, a high-resolution TFT-LCD and an expensive driving circuit have been required to perform a faint display as shown in FIG. 5C by dot matrix driving. According to the method for manufacturing a liquid crystal display element according to the first embodiment, a liquid crystal display element having good display performance can be manufactured at low cost.

なお、図5(C)に示す写真下側において左右方向に伸びているのは、ドット状にエッチングを行うことで実現された線状表示である。   In addition, what extends in the left-right direction on the lower side of the photograph shown in FIG. 5C is a linear display realized by etching in a dot shape.

次に、第2の実施例による液晶表示素子の製造方法について説明する。   Next, a method for manufacturing a liquid crystal display element according to the second embodiment will be described.

蒸着工程S101において、たとえば厚さ0.7mmのガラス板上に厚さ1000Åの絶縁膜を形成し、その上に厚さ2000ÅのITO膜を蒸着する。ガラス板にはたとえば青板ガラスを用いる。蒸着工程S101で、ITO膜の蒸着されたガラス基板は2枚準備される。   In the vapor deposition step S101, for example, an insulating film having a thickness of 1000 mm is formed on a glass plate having a thickness of 0.7 mm, and an ITO film having a thickness of 2000 mm is deposited thereon. For example, blue plate glass is used as the glass plate. In the vapor deposition step S101, two glass substrates on which the ITO film is deposited are prepared.

レーザアブレーション工程S102において、レーザビームをITO膜に照射し、ITO膜のパターニング(レーザエッチング)を行う。レーザ発振器として、たとえばYVOレーザ発振器を用いる。YVOレーザ発振器から出射される波長1064nmのパルスレーザビームを、レーザ出力10〜100W、繰り返し周波数10〜100kHzでITO膜に入射させる。   In the laser ablation step S102, the ITO film is irradiated with a laser beam, and the ITO film is patterned (laser etching). For example, a YVO laser oscillator is used as the laser oscillator. A pulse laser beam having a wavelength of 1064 nm emitted from the YVO laser oscillator is incident on the ITO film with a laser output of 10 to 100 W and a repetition frequency of 10 to 100 kHz.

レーザビーム照射は、製造後の液晶表示素子で表示したい画像を高解像度のCCDカメラで読み取り、階調状態に変換して作成したCADデータに基づいて行う。階調状態は何段階にも分類することが可能であるが、本実施例においては、完全な白、少し暗い白、やや明るい黒、完全な黒の4段階にデータを分け、各階調に応じてレーザビームの照射条件を変えてスキャンしながら、ITO膜にレーザビームの照射を行った。   Laser beam irradiation is performed based on CAD data created by reading an image desired to be displayed on a manufactured liquid crystal display element with a high-resolution CCD camera and converting it to a gradation state. The gradation state can be classified into any number of stages, but in this embodiment, the data is divided into four stages of complete white, slightly dark white, slightly bright black, and complete black, and according to each gradation. The ITO film was irradiated with a laser beam while scanning under different laser beam irradiation conditions.

完全な白の部分には、レーザ出力30W、繰り返し周波数40kHzで30回のレーザ照射を行った。   The complete white part was irradiated 30 times with a laser output of 30 W and a repetition frequency of 40 kHz.

少し暗い白の部分には、レーザ出力27W、繰り返し周波数30kHzで30回のレーザ照射を行った。   A slightly dark white part was irradiated 30 times with a laser output of 27 W and a repetition frequency of 30 kHz.

やや明るい黒の部分には、レーザ出力15W、繰り返し周波数20kHzで30回のレーザ照射を行った。   The slightly bright black part was irradiated 30 times with a laser output of 15 W and a repetition frequency of 20 kHz.

完全な黒の部分にはレーザビームを照射しなかった。   The complete black part was not irradiated with the laser beam.

図6(A)は、レーザビームの照射による、ITO膜の除去深さを示すグラフである。グラフの横軸は、ガラス基板面内方向における1次元的な位置を単位「μm」で表す。グラフの縦軸は、ITO膜の除去深さを単位「Å」で表す。   FIG. 6A is a graph showing the removal depth of the ITO film by laser beam irradiation. The horizontal axis of the graph represents a one-dimensional position in the in-plane direction of the glass substrate in the unit “μm”. The vertical axis of the graph represents the removal depth of the ITO film in the unit “Å”.

本図に示す範囲においては、約610μm以下の位置、及び約1630μm以上の位置(完全な黒の部分)にはレーザビームを照射されずITO膜は除去されない。   In the range shown in this figure, the laser film is not irradiated to the position of about 610 μm or less and the position (complete black portion) of about 1630 μm or more, and the ITO film is not removed.

約610μm〜約1300μmの位置(やや明るい黒の部分)においては、除去深さ約500Å〜約1500Åに渡ってITO膜が除去されている。   At the position of about 610 μm to about 1300 μm (slightly bright black portion), the ITO film is removed over a removal depth of about 500 mm to about 1500 mm.

約1300μm〜約1560μmの位置(少し暗い白の部分)においては、深さ約1500ÅまでITO膜が除去されている。   At a position of about 1300 μm to about 1560 μm (a slightly dark white portion), the ITO film is removed to a depth of about 1500 mm.

約1560μm〜約1600μmの位置(完全な白の部分)においては、ITO膜が完全に除去されている。   At the position of about 1560 μm to about 1600 μm (complete white portion), the ITO film is completely removed.

本図に示すグラフから、レーザビームの入射した位置のITO膜が、レーザビームの照射条件に応じた深さに除去されること、及び、同じ照射条件で照射された領域においては、ほぼ同一の表面状態が得られることが認められる。このように照射するレーザビームのエネルギや光強度を変えてレーザエッチングを行うことにより、ITO膜に相互に深さの異なる領域を複数形成する。   From the graph shown in this figure, the ITO film at the position where the laser beam is incident is removed to a depth corresponding to the irradiation condition of the laser beam, and in the region irradiated under the same irradiation condition, it is almost the same. It can be seen that a surface condition is obtained. By performing laser etching while changing the energy and light intensity of the laser beam thus irradiated, a plurality of regions having different depths are formed in the ITO film.

なお、約610μm〜約1300μmの位置(やや明るい黒の部分)においては、除去深さに幅があり、ITO膜表面に高低差約1000Åの激しい凹凸が生じている。これはたとえば、結晶性の違いなどによって、レーザエッチングのされやすさがITO膜上の位置によって異なるためであると考えられる。   Note that, at a position of about 610 μm to about 1300 μm (slightly bright black portion), the removal depth has a width, and intense unevenness with an elevation difference of about 1000 mm occurs on the surface of the ITO film. This is considered to be because, for example, the ease of laser etching varies depending on the position on the ITO film due to the difference in crystallinity.

以降の工程、すなわち工程S103における配向膜塗布及びラビング処理、工程S104における重ね合わせ、液晶注入、封止、及び偏光板貼付については第1の実施例と同じ作業が行われる。こうして第2の実施例による製造方法で液晶表示素子が製造される。   Subsequent steps, that is, alignment film application and rubbing treatment in step S103, superposition, liquid crystal injection, sealing, and polarizing plate sticking in step S104 are the same as those in the first embodiment. Thus, a liquid crystal display element is manufactured by the manufacturing method according to the second embodiment.

第2の実施例による製造方法で製造された液晶表示素子の概略的な構造は、図5(A)に示す液晶表示素子と同様である。ただし、共通電極13、セグメント電極17の少なくとも一方が、図6(B)に示すような厚さ方向に部分的に除去されている領域を、単数または複数備えている。   The schematic structure of the liquid crystal display element manufactured by the manufacturing method according to the second embodiment is the same as that of the liquid crystal display element shown in FIG. However, at least one of the common electrode 13 and the segment electrode 17 includes one or a plurality of regions that are partially removed in the thickness direction as illustrated in FIG.

図7は、第2の実施例による製造方法で製造された液晶表示素子の表示例を示す顕微鏡写真である。   FIG. 7 is a photomicrograph showing a display example of the liquid crystal display device manufactured by the manufacturing method according to the second embodiment.

照射するレーザビームのエネルギや光強度を変化させ、ITO膜の除去深さを、ゼロから完全除去まで深くすることによって、順に、完全な黒、やや明るい黒、少し暗い白、完全な白の表示を実現できることが確認された。また、本写真から筆で書いたようなかすれ表示が実現されることも認められる。   By changing the energy and light intensity of the irradiating laser beam and increasing the removal depth of the ITO film from zero to complete removal, display of complete black, slightly bright black, slightly dark white, and complete white in order. It was confirmed that can be realized. In addition, it is also recognized that a faint display like written with a brush is realized from this photograph.

第2の実施例による液晶表示素子においては、電極上の位置により電極の厚さが異なり、当該厚さに応じて電極の抵抗が相違し、光透過率に差が生じる。このため、階調表示、濃淡に差のある表示、筆で書いたようなかすれ表示を実現することができる。   In the liquid crystal display element according to the second embodiment, the thickness of the electrode varies depending on the position on the electrode, the resistance of the electrode varies depending on the thickness, and the light transmittance varies. Therefore, it is possible to realize gradation display, display with a difference in shading, and faint display as if written with a brush.

なお、実施例により観測される透過光強度の変化は、電極膜厚変化に基づく電圧勾配によるものと予測したが、透過光強度変化の実測値はその範囲を超えているため、膜厚の変動の他に、レーザ照射により薄膜化した電極が、その熱作用により結晶状態の変化を生じて抵抗率が上昇し、電圧勾配の増大に影響を及ぼしているものと考えられる。   Note that the change in transmitted light intensity observed in the examples was predicted to be due to the voltage gradient based on the change in electrode film thickness, but the measured value of the change in transmitted light intensity exceeded that range, so the film thickness variation In addition, it is considered that the electrode thinned by laser irradiation causes a change in the crystal state due to its thermal action, the resistivity increases, and the increase in voltage gradient is affected.

更に、本写真に示されているように、対向基板上の電極パターンとの組み合わせにより、アイランド状に分かれた表示を実現することができる。   Furthermore, as shown in this photograph, a display divided into island shapes can be realized by a combination with the electrode pattern on the counter substrate.

図8に、電極に相互に厚さの異なる部分を形成することにより、実現可能な表示の一例を示す。   FIG. 8 shows an example of a display that can be realized by forming portions with different thicknesses on the electrodes.

本図に示す図形は、表示濃度に差のある4つの領域20a〜20dから構成されている。領域20aの表示は、セグメント電極が厚さ方向に除去されない部分によって実現される。領域20bの表示は、セグメント電極がドット状に厚さ方向に半分除去された部分によって実現される。また、領域20cの表示は、セグメント電極がドット状に厚さ方向に80〜95%除去された部分によって実現される。更に、領域20dの表示は、セグメント電極が厚さ方向に完全に除去された部分によって実現される。   The figure shown in this figure is composed of four areas 20a to 20d having different display densities. The display of the region 20a is realized by a portion where the segment electrode is not removed in the thickness direction. The display of the region 20b is realized by a portion in which the segment electrode is half-removed in the thickness direction in a dot shape. The display of the region 20c is realized by a portion where the segment electrode is removed in the thickness direction by 80 to 95% in a dot shape. Further, the display of the region 20d is realized by a portion where the segment electrode is completely removed in the thickness direction.

このように電極の部分除去により、階調的な多様な表示が可能となる。   In this way, by removing the part of the electrodes, various gradational displays are possible.

第2の実施例による液晶表示素子は、4階調の表示を実現する液晶表示素子である。ITO膜に入射させるレーザビームの照射条件、たとえば波長、レーザ出力、繰り返し周波数などの条件を変えることにより、一層の多階調表示を実現することが可能である。   The liquid crystal display element according to the second embodiment is a liquid crystal display element that realizes display of four gradations. By changing the irradiation conditions of the laser beam incident on the ITO film, for example, conditions such as wavelength, laser output, repetition frequency, etc., it is possible to realize further multi-gradation display.

また、第2の実施例による液晶表示素子の製造方法においては、レーザビームの照射条件を、実現する階調ごとに一定にしてレーザビームのスキャンを行った。1回のスキャンでも、場所によりレーザビームの照射条件を随時変えることにより多階調表示が可能である。   In the method of manufacturing the liquid crystal display element according to the second embodiment, the laser beam was scanned with the laser beam irradiation condition constant for each gradation to be realized. Even in a single scan, multi-gradation display is possible by changing the laser beam irradiation conditions as needed depending on the location.

第1及び第2の実施例による液晶表示素子の製造方法はフォトリソ工程を含まない。このため、簡易に、また低コストで液晶表示素子を作製することができる。   The manufacturing method of the liquid crystal display element according to the first and second embodiments does not include a photolithography process. For this reason, a liquid crystal display element can be produced easily and at low cost.

以上、実施例に沿って本発明を説明したが、本発明はこれらに限定されるものではない。   As mentioned above, although this invention was demonstrated along the Example, this invention is not limited to these.

たとえば、実施例においては、YVOレーザ発振器から出射される波長1064nmのパルスレーザビームを用いてエッチングを行ったが、YVOレーザ発振器に代えてYAGレーザ発振器を利用することもできる。また、YVOレーザやYAGレーザの基本波に限らず2倍高調波、3倍高調波等を用いることが可能である。たとえば、532nmや355nmなどの波長のレーザビームを使用することができる。   For example, in the embodiment, etching is performed using a pulsed laser beam having a wavelength of 1064 nm emitted from a YVO laser oscillator. However, a YAG laser oscillator can be used instead of the YVO laser oscillator. Moreover, it is possible to use not only the fundamental wave of the YVO laser or YAG laser but also the second harmonic, the third harmonic, and the like. For example, a laser beam having a wavelength of 532 nm or 355 nm can be used.

また、実施例においては、ガルバノスキャナでレーザビームをスキャンしたが、レーザビームのスキャンにはDMDを用いてもよい。更に、基板を載置したステージを駆動して、レーザビームの入射位置を変化させることもできる。   In the embodiment, the laser beam is scanned by the galvano scanner, but DMD may be used for scanning the laser beam. Further, the stage on which the substrate is placed can be driven to change the incident position of the laser beam.

更に、実施例においては、液晶表示素子のセル厚を5μmとしたが、セル厚はこれに限られない。たとえば2μm〜12μmとすることが可能である。   Furthermore, in the embodiment, the cell thickness of the liquid crystal display element is 5 μm, but the cell thickness is not limited to this. For example, it can be 2 μm to 12 μm.

また、正の光学異方性を有する液晶材料を用いたが、光学異方性が負の液晶材料を利用してもよい。   Further, although a liquid crystal material having positive optical anisotropy is used, a liquid crystal material having negative optical anisotropy may be used.

更に、配向膜は高プレティルト配向膜材料を使用して形成することもできる。垂直配向膜とすることも可能である。   Furthermore, the alignment film can also be formed using a high pretilt alignment film material. It is also possible to use a vertical alignment film.

また、実施例による液晶表示素子はTN−LCDであるが、STN−LCDやPN−LCとしてもよい。また表示モードをVAモードとすることもできる。   Moreover, although the liquid crystal display element by an Example is TN-LCD, it is good also as STN-LCD and PN-LC. The display mode can also be set to the VA mode.

更に、電極パターンを分け、徐々に表示する方法を採用してもよい。たとえば文字を表示する場合、書き順にあわせて表示を変化させることができる。   Furthermore, a method of separating and gradually displaying electrode patterns may be employed. For example, when displaying characters, the display can be changed according to the order of writing.

また、芸術作品、写真、直筆の表札などの画像データを取り込んで表示させることもできる。   In addition, image data such as artworks, photographs, and handwritten nameplates can be captured and displayed.

その他、種々の変更、改良、組み合わせ等が可能なことは当業者には自明であろう。   It will be apparent to those skilled in the art that other various modifications, improvements, combinations, and the like are possible.

車載用ディスプレイ等、液晶ディスプレイ装置全般に利用することができる。   It can be used for all liquid crystal display devices such as in-vehicle displays.

実施例による液晶表示素子の製造方法の概略を示すフローチャートである。It is a flowchart which shows the outline of the manufacturing method of the liquid crystal display element by an Example. 平行線状にアブレーション処理を施されたITO膜を示す顕微鏡写真である。It is a microscope picture which shows the ITO film | membrane which was ablated in the parallel line shape. 線状エッチング処理を施された部分のガラス基板上の膜厚を示すグラフである。It is a graph which shows the film thickness on the glass substrate of the part to which the linear etching process was performed. ドット状にレーザエッチング処理を施されたITO膜を示す顕微鏡写真である。It is a microscope picture which shows the ITO film | membrane which was laser-etched in the dot shape. (A)〜(D)は、第1の実施例による製造方法で製造された液晶表示素子について説明するための図である。(A)-(D) are the figures for demonstrating the liquid crystal display element manufactured with the manufacturing method by a 1st Example. (A)は、レーザビームの照射による、ITO膜の除去深さを示すグラフであり、(B)は、ガラス基板及び電極を示す断面図である。(A) is a graph which shows the removal depth of the ITO film | membrane by irradiation of a laser beam, (B) is sectional drawing which shows a glass substrate and an electrode. 第2の実施例による製造方法で製造された液晶表示素子の表示例を示す顕微鏡写真である。It is a microscope picture which shows the example of a display of the liquid crystal display element manufactured with the manufacturing method by a 2nd Example. 電極に相互に厚さの異なる部分を形成することにより、実現可能な表示の一例を示す図である。It is a figure which shows an example of the display which can be implement | achieved by forming the part from which thickness differs mutually in an electrode. 従来の液晶表示素子の製造方法の概略を示すフローチャートである。It is a flowchart which shows the outline of the manufacturing method of the conventional liquid crystal display element.

符号の説明Explanation of symbols

11 偏光板
12 ガラス基板
13 共通電極
14 配向膜
15 液晶層
16 配向膜
17 セグメント電極
18 ガラス基板
19 偏光板
DESCRIPTION OF SYMBOLS 11 Polarizing plate 12 Glass substrate 13 Common electrode 14 Alignment film 15 Liquid crystal layer 16 Alignment film 17 Segment electrode 18 Glass substrate 19 Polarizing plate

Claims (5)

(a)第1の透明基板上に第1の透明導電膜を、第2の透明基板上に第2の透明導電膜を形成する工程と、
(b)前記第1の透明導電膜、前記第2の透明導電膜の少なくとも一方に、レーザビームを照射して、面積的または厚さ方向に階調を備える部分を形成する工程と、
(c)前記第1及び第2の透明基板上に、前記第1及び第2の透明導電膜を覆うように配向膜を形成し、該配向膜に配向処理を施す工程と、
(d)前記第1及び第2の透明基板の配向膜間に液晶層を形成する工程と
を有する液晶表示素子の製造方法。
(A) forming a first transparent conductive film on a first transparent substrate and forming a second transparent conductive film on a second transparent substrate;
(B) irradiating at least one of the first transparent conductive film and the second transparent conductive film with a laser beam to form a portion having gradation in the area or thickness direction;
(C) forming an alignment film on the first and second transparent substrates so as to cover the first and second transparent conductive films, and performing an alignment treatment on the alignment film;
(D) forming a liquid crystal layer between the alignment films of the first and second transparent substrates.
前記工程(b)において、先端部に向かって幅狭となる面積的階調を備える線状部分を形成する請求項1に記載の液晶表示素子の製造方法。   The method of manufacturing a liquid crystal display element according to claim 1, wherein in the step (b), a linear portion having an area gradation that becomes narrower toward the tip end portion is formed. 前記工程(b)において、レーザビームの照射条件を変化させることにより、厚さ方向に階調を形成する請求項1に記載の液晶表示素子の製造方法。   The method for manufacturing a liquid crystal display element according to claim 1, wherein in the step (b), the gradation is formed in the thickness direction by changing a laser beam irradiation condition. 第1の電極が形成された第1の透明基板と、
第2の電極が形成された第2の透明基板であって、前記第1の電極と前記第2の電極とが対向するように配置された第2の透明基板と、
前記第1の透明基板上に、前記第1の電極を覆うように形成された第1の配向膜と、
前記第2の透明基板上に、前記第2の電極を覆うように形成された第2の配向膜と、
前記第1の透明基板の前記第1の配向膜と、前記第2の透明基板の前記第2の配向膜との間に挟持された液晶層と
を有し、
前記第1の透明導電膜、前記第2の透明導電膜の少なくとも一方が、面積的または厚さ方向に階調を備える部分を含む液晶表示素子。
A first transparent substrate on which a first electrode is formed;
A second transparent substrate on which a second electrode is formed, wherein the first transparent electrode is disposed so that the first electrode and the second electrode face each other;
A first alignment film formed on the first transparent substrate so as to cover the first electrode;
A second alignment film formed on the second transparent substrate so as to cover the second electrode;
A liquid crystal layer sandwiched between the first alignment film of the first transparent substrate and the second alignment film of the second transparent substrate;
A liquid crystal display element including a portion in which at least one of the first transparent conductive film and the second transparent conductive film has a gradation in an area or thickness direction.
前記第1の透明導電膜、前記第2の透明導電膜の少なくとも一方が、先端部に向かって幅狭となる面積的階調を備える線状部分を含む請求項4に記載の液晶表示素子。   5. The liquid crystal display element according to claim 4, wherein at least one of the first transparent conductive film and the second transparent conductive film includes a linear portion having an area gradation that becomes narrower toward a tip portion.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9207494B2 (en) 2013-03-22 2015-12-08 Samsung Display Co., Ltd. Display device and method of manufacturing the same
WO2019059720A3 (en) * 2017-09-25 2019-05-09 주식회사 엘지화학 Method for producing liquid crystal orientation film

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS581128A (en) * 1981-06-26 1983-01-06 Takeshi Ikeda Transparent patterned electrode
JPH02266329A (en) * 1989-04-07 1990-10-31 Seiko Epson Corp Production of liquid crystal display body
JPH0534706A (en) * 1991-07-31 1993-02-12 Sanyo Electric Co Ltd Liquid crystal display device
JPH09185073A (en) * 1995-12-29 1997-07-15 Canon Inc Liquid crystal element and its production
JP2003156731A (en) * 2001-09-07 2003-05-30 Fujitsu Display Technologies Corp Liquid crystal display device and method for manufacturing the same

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS581128A (en) * 1981-06-26 1983-01-06 Takeshi Ikeda Transparent patterned electrode
JPH02266329A (en) * 1989-04-07 1990-10-31 Seiko Epson Corp Production of liquid crystal display body
JPH0534706A (en) * 1991-07-31 1993-02-12 Sanyo Electric Co Ltd Liquid crystal display device
JPH09185073A (en) * 1995-12-29 1997-07-15 Canon Inc Liquid crystal element and its production
JP2003156731A (en) * 2001-09-07 2003-05-30 Fujitsu Display Technologies Corp Liquid crystal display device and method for manufacturing the same

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9207494B2 (en) 2013-03-22 2015-12-08 Samsung Display Co., Ltd. Display device and method of manufacturing the same
WO2019059720A3 (en) * 2017-09-25 2019-05-09 주식회사 엘지화학 Method for producing liquid crystal orientation film
CN111107995A (en) * 2017-09-25 2020-05-05 株式会社Lg化学 Method for manufacturing liquid crystal alignment film
CN111107995B (en) * 2017-09-25 2022-03-18 株式会社Lg化学 Method for manufacturing liquid crystal alignment film
US11428992B2 (en) 2017-09-25 2022-08-30 Lg Chem, Ltd. Method for manufacturing liquid crystal aligning film

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