JP2009236675A - 電磁特性測定装置及び電磁特性測定方法 - Google Patents

Abstract

【課題】姿勢の自己保持が困難な試料の電磁特性を測定することが可能な電磁特性測定装置及び電磁特性測定方法を提供する。
【解決手段】試料２１０の測定では、導波管１１０の軸方向に試料を挟み込む２つの支持部材を用いる。２つの支持部材３１０，３２０によって試料２１０を挟み込むと、試料２１０の外周面２１１は、導波管１１０の内壁と正しく接し、且つ、平面２１３，２１４は導波管１１０の軸方向に対して正しく垂直に保持される。これにより、図示しない治具を用いて、支持部材３１０，３２０に挟み込まれた試料２１０を導波管１１０の所望の位置に移動させれば、試料２１０はその位置に留まり、測定器１２０を用いてＳパラメータを正しく測定することが可能となる。
【選択図】図１

Description

本発明は電磁特性測定装置及び電磁特性測定方法に関し、特に、シート状の試料のように、姿勢の自己保持が困難な試料の電磁特性を測定する装置及び方法に関する。

近年、各種電子機器には高速動作や低消費電力化が強く求められており、これを実現すべく、動作周波数の向上や動作電圧の低減などが進められている。しかしながら、動作周波数の向上や動作電圧の低減が進むと、ノイズによる誤動作が発生しやすくなるばかりでなく、自らがノイズの発生源となって他の電子機器を誤動作させてしまうおそれが生じる。このため近年においては、ノイズ耐性を高めるとともに、自らがノイズの発生源とならないよう、いわゆるＥＭＣ（Electromagnetic Compatibility）特性が非常に重要視されている。

ＥＭＣ特性を向上させるためには、フィルタなどを用いることによって電子回路自体のＥＭＣ特性を高めることが最も重要であるが、これに加え、電波吸収材やノイズ抑制シートなどを用いることによってノイズを遮蔽することも重要である。電波吸収材やノイズ抑制シートを用いる場合、その材料となる機能性材料の電磁特性（透磁率や誘電率）をある程度正確に把握することが必要である。

機能性材料の電磁特性を測定する方法としては、いわゆるＳパラメータ法が知られている。Ｓパラメータ法とは、試料のＳパラメータを測定し、測定されたＳパラメータから透磁率や誘電率を算出する方法である。Ｓパラメータ法による測定には導波管が用いられ、試料を導波管の所定の位置に正しくセットした状態で測定が行われる（特許文献１〜４参照）。
特開平５−１５７７８４号公報 特開２００５−６２１５２号公報 特開２００６−２２０６４６号公報 特開２００７−１２７６０６号公報

しかしながら、測定対象となる試料がバルク状ではなく、薄いシート状であったり、圧延形成のため最初から反った状態であったりすると、姿勢の自己保持ができないため、導波管の内部に正しく配置することができない。このため、この種の試料に対しては正しく測定を行うことができないという問題があった。

したがって、本発明は、姿勢の自己保持が困難な試料の電磁特性を測定することが可能な電磁特性測定装置及び電磁特性測定方法を提供することを目的とする。

本発明による電磁特性測定装置は、試料が挿入される導波管と、導波管内において試料を支持する支持手段と、導波管に挿入された試料及び支持手段の合成Ｓパラメータを測定する測定器と、合成Ｓパラメータ及び支持手段の電磁特性に基づいて、試料の電磁特性を計算する計算機とを備え、試料は、導波管の内壁と接する外周面と、外周面に対して垂直な第１及び第２の平面とを有し、支持部材は、導波管の内壁を摺動する外周部と、試料の第１及び第２の平面の少なくとも一方と接する支持部とを含むことを特徴とする。

また、本発明による電磁特性測定方法は、導波管に挿入された試料及び支持手段の合成Ｓパラメータを測定するステップと、合成Ｓパラメータ及び支持手段の電磁特性に基づいて試料の電磁特性を計算するステップとを備えることを特徴とする。

本発明によれば、導波管内の試料が支持手段によって支持されることから、姿勢の自己保持が困難な試料であっても、電磁特性を正しく測定することが可能になる。特に、導波管の内部における支持部材のガタつきなどが防止されるとともに、導波管内において試料を確実に支持することが可能となる。この場合、得られるＳパラメータは、試料及び支持手段の合成Ｓパラメータとなるが、支持手段の電磁特性をあらかじめ測定しておくことにより、合成Ｓパラメータと支持手段の電磁特性に基づいて、試料の電磁特性を算出することが可能となる。

支持手段の電磁特性は、導波管に前記試料を挿入することなく支持手段を挿入するステップと、導波管に挿入された支持手段のＳパラメータを測定するステップと、Ｓパラメータに基づいて支持手段の電磁特性を計算するステップとによって得ることが可能である。

尚、本発明において「導波管」とは、円形導波管、方形導波管、同軸型導波管（同軸管）などを含む概念であり、特定の形状に限定されるものではない。また、本発明における導波管は、両端が開放された筒状体であることは必須でなく、一端が閉じられた筒状体であっても構わない。

本発明において、支持手段には、外周部に囲まれた領域の少なくとも一部に空洞が設けられていることが好ましい。これによれば、摺動に必要な外周部の面積を確保しつつ、支持部材の体積を低減させることができる。このため、支持部材が合成Ｓパラメータに与える影響が減少し、より精度の高い測定を行うことが可能となる。

本発明において、支持手段は、導波管の軸方向に試料を挟み込む第１及び第２の支持部材を含み、第１及び第２の支持部材は、試料の第１及び第２の平面とそれぞれ接することが好ましい。これによれば、両側から挟み込むように試料が支持されることから、導波管の内部における試料の姿勢をより確実に保持することが可能となる。

本発明において、支持手段の比誘電率及び比透磁率は、試料の比誘電率及び比透磁率よりも低いことが好ましい。これによれば、支持部材が合成Ｓパラメータに与える影響が小さくなることから、より精度の高い測定を行うことが可能となる。

本発明による電磁特性測定装置は、支持手段を導波管の所定の位置に保持するストッパーをさらに備えることが好ましい。これによれば、ストッパーによって支持手段が導波管の所定の位置に保持されることから、試料や支持手段のズレを防止することが可能となり、より正確な測定を行うことが可能となる。

本発明において、支持手段は導波管の内壁を摺動し、摩擦によって導波管の所望の位置に固定可能な弾性体によって構成されていることもまた好ましい。これによれば、ストッパーを用いることなく、支持手段が導波管の所定の位置に保持されることから、試料や支持手段のズレが防止され、より正確な測定を行うことが可能となる。

このように、本発明によれば、薄いシート状の試料など、姿勢の自己保持が困難な試料であっても、電磁特性を正しく測定することが可能なる。

以下、添付図面を参照しながら、本発明の好ましい実施の形態について詳細に説明する。

図１は、本発明の好ましい実施形態による電磁特性測定装置を示す全体図である。

図１に示すように、本実施形態による電磁特性測定装置１００は、測定対象となる試料が挿入される導波管１１０と、導波管１１０に挿入された試料のＳパラメータを測定するネットワークアナライザ等の測定器１２０と、測定されたＳパラメータに基づいて試料の電磁特性を計算するパーソナルコンピュータ等の計算機１３０によって構成されている。導波管１１０の一端はケーブル１４０ａを介して測定器１２０の信号入出力端子１２０ａに接続されており、他端はケーブル１４０ｂを介して測定器１２０の信号入出力端子１２０ｂに接続されている。

測定器１２０を用いたＳパラメータの測定では、２端子対回路網の一方の端子対を構成する信号入出力端子１２０ａから正弦高周波信号を入力したとき、当該信号入出力端子１２０ａ側で観測される反射電力、およびもう片方の端子対を構成する信号入出力端子１２０ｂ側で観測される通過電力の周波数特性を測定する。通過・反射電力特性はＳパラメータとして測定され、測定結果はスミスチャートや周波数グラフとして出力される。

図２は、導波管１１０の主要部の構造を示す図であり、（ａ）は切り欠き斜視図、（ｂ）は軸方向に切断した場合の略断面図、（ｃ）は（ｂ）のＡ−Ａ線に沿った断面図である。

図２に示すように、本実施形態にて使用する導波管１１０は同軸型導波管（同軸管）であり、筒状の外部導体１１１と、外部導体１１１と同軸に配置された内部導体１１２によって構成されている。外部導体１１１にはグランド電位などの基準電位が与えられ、内部導体１１２には高周波信号が与えられる。外部導体１１１と内部導体１１２との間に形成される断面がドーナツ状の空間１１３には、試料が挿入される。したがって、試料は空間１１３の形状に合わせてドーナツ状に加工される。

図３は、導波管１１０の内部に種々の試料を挿入した状態を示す略断面図であり、（ａ）はバルク状の試料を挿入した状態、（ｂ）は薄いシート状の試料を挿入した状態、（ｃ）は圧延形成されたシート状の試料を挿入した状態を示している。図３（ａ）〜（ｃ）に示す試料２１０は、いずれも導波管１１０の内壁（外部導体１１１）と接する外周面２１１と、導波管１１０の内部導体１１２と接する内周面２１２と、外周面２１１及び内周面２１２に対して垂直な平面２１３，２１４とを有している。

図３（ａ）に示すように、試料２１０がバルク状である場合、それ自体で姿勢を保持可能であることから、導波管１１０の内部に挿入すると、外周面２１１が外部導体１１１と正しく接し、且つ、内周面２１２が内部導体１１２と正しく接することになる。この場合、試料２１０の平面２１３，２１４は、導波管１１０の軸方向に対して正しく垂直となる。このため、図示しない治具を用いて試料２１０を導波管１１０の所望の位置に移動させれば、試料２１０はその位置に留まり、測定器１２０を用いてＳパラメータを正しく測定することが可能となる。

これに対し、図３（ｂ）に示すように、試料２１０が薄いシート状である場合、姿勢を自己保持することができないため、導波管１１０の内部に挿入すると、導波管１１０の内部で折れ曲がってしまう。このため、外周面２１１の一部が外部導体１１１から分離するとともに、平面２１３，２１４の向きが定まらなくなる。

同様に、図３（ｃ）に示すように、試料２１０が圧延形成されたシート状である場合、始めから平面２１３，２１４が反った状態となっているため、当然ながら、導波管１１０の内部で折れ曲がってしまう。このため、図３（ｂ）に示した例と同様、外周面２１１の一部が外部導体１１１から分離するとともに、平面２１３，２１４の向きが定まらなくなる。

このような問題を解決すべく、本実施形態においては、導波管１１０の軸方向に試料を挟み込む２つの支持部材を用いる。

図４は、２つの支持部材３１０，３２０によって試料を挟み込んだ状態を示す略断面図である。

図４に示すように、支持部材３１０は、導波管１１０の内壁である外部導体１１１を摺動する外周部３１１と、試料２１０の平面２１３と接する支持部３１２とを有している。同様に、支持部材３２０は、導波管１１０の内壁である外部導体１１１を摺動する外周部３２１と、試料２１０の平面２１４と接する支持部３２２とを有している。

かかる構成により、２つの支持部材３１０，３２０によって試料２１０を挟み込むと、試料２１０の外周面２１１及び内周面２１２は、導波管１１０の内壁と正しく接し、且つ、平面２１３，２１４は導波管１１０の軸方向に対して正しく垂直に保持される。これにより、図示しない治具を用いて、支持部材３１０，３２０に挟み込まれた試料２１０を導波管１１０の所望の位置に移動させれば、試料２１０はその位置に留まり、測定器１２０を用いてＳパラメータを正しく測定することが可能となる。

試料２１０の電磁特性の算出を容易にするためには、支持部材３１０，３２０の材料は同一であることが好ましい。支持部材３１０，３２０の材料については特に限定されないが、比誘電率及び比透磁率が試料２１０の比誘電率及び比透磁率よりも低い材料を選択することが好ましい。試料２１０の比誘電率及び比透磁率は、測定の対象であるため未知であるが、おおよその値は十分予想可能である。したがって、比誘電率及び比透磁率が試料２１０の予想される比誘電率及び比透磁率よりも低い材料を選択すればよい。

具体的な材料としては、シリコンゴム、発泡スチロール、ポリテトラフロロエチレン、アルミナなどを挙げることができる。これらの材料はいずれも比誘電率及び誘電損失が低く、且つ、非磁性であるからである。なかでも、発泡スチロールは容積の大部分が空気であることから、空気に近い値を得ることができる。また、摩擦係数も比較的大きいことから、導波管１１０内の所望の位置に正しく停止させることも容易である。

また、シリコンゴムなどの弾性体を選択した場合には、その弾性力により、導波管１１０内の所望の位置に確実に停止させることが可能である。

一方、ポリテトラフロロエチレン、アルミナなどの材料を選択した場合は、導波管１１０内の所望の位置に正しく停止させるためのストッパーを用いることが好適である。

図５は、ストッパーを備える導波管の構造の一例を示す図であり、（ａ）は上面図、（ｂ）は軸方向における断面図、（ｃ）は径方向における断面図を示している。

図５に示すように、導波管１１０の外部導体１１１には２つのスリット１１１ａ，１１１ｂが設けられている。スリット１１１ａ，１１１ｂは、それぞれ支持部材３１０，３２０の端部を露出させる位置に形成されている。支持部材３１０，３２０の露出した端部には、それぞれストッパー４１０，４２０が押し当てられ、支持部材３１０，３２０は、試料２１０を挟み込む方向に押しつけられる。これにより、支持部材３１０，３２０は導波管１１０の所望の位置に正しく保持され、ポリテトラフロロエチレン、アルミナなどの材料を選択した場合であっても、その位置がずれることがなくなる。

尚、導波管１１０の外部導体１１１にスリット１１１ａ，１１１ｂを設けると、この部分において電流経路が妨げられることから、測定誤差の原因となる。このような影響を軽減するためには、例えば、図６に示すように、スリット１１１ａ，１１１ｂによって分断された電流経路を回復させる導電部材５００をスリット内又はスリット上に配置することが好ましい。このような導電部材５００を用いて電流経路を回復させれば、測定誤差を低減することが可能となる。

さらに、ストッパー４１０，４２０の材料として銀、銅、アルミニウム、真鍮などの導電率の高い金属を用いた場合には、それ自身がスリット１１１ａ，１１１ｂによって妨げられた電流経路を回復させることができる。よって、ストッパー４１０，４２０単体、或いはストッパー４１０，４２０と導電部材５００とを組み合わせて、測定誤差のさらなる低減を図ることができる。

また、図７に示すように、一方の支持部材３１０を導波管１１０の内部にあらかじめ固定しておけば、ストッパーを用いた固定は支持部材３２０だけとなる。この場合には、ストッパーを挿入するためのスリット１１１ｂが１個だけで済むことから、測定誤差を低減することが可能となる。この場合も、図６に示した導電部材５００を用いて電流経路を回復させれば、測定誤差をよりいっそう低減することが可能となる。

図８は、支持部材３１０，３２０の形状の変形例を示す略断面図である。

図８に示すように、支持部材３３０，３４０の立体形状は略カップ形状（断面は略コの字状）を有している。そして、カップの開口が外側を向き、カップの底面が試料２１０の平面と密着するように挿入されている。支持部材３３０は、導波管１１０の内壁である外部導体１１１を摺動する外周部３３１と、試料２１０の平面２１３と接する支持部３３２とを有しており、外周部３３１に囲まれた領域の一部に空洞３３３が設けられている。また、支持部材３４０は、導波管１１０の内壁である外部導体１１１を摺動する外周部３４１と、試料２１０の平面２１４と接する支持部３４２とを有しており、外周部３４１に囲まれた領域の一部に空洞３４３が設けられている。したがって、図４に示した支持部材３１０，３２０と同様の機能を有するだけでなく、開口による空洞部分があることにより支持部材の誘電率や透磁率を空気の誘電率や透磁率に近づけることができ、このため、支持部材が合成Ｓパラメータの測定に与える影響を少なくすることができ、より精度の高い測定を行うことが可能となる。

次に、本実施形態による電磁特性測定装置１００を用いた電磁特性測定方法について説明する。

図９は、電磁特性測定方法を説明するためのフローチャートである。

まず、試料２１０の電磁特性を測定する前に、支持部材３１０，３２０の電磁特性μ_２，ε_２を測定する（ステップＳ１１〜Ｓ１３）。但し、本発明において支持部材３１０，３２０の電磁特性を測定することは必須でなく、これらの値が既知であれば省略することが可能である。但し、より正確な測定を行うためには、支持部材３１０，３２０の電磁特性が既知であっても、下記の手順に沿ってこれらの電磁特性を測定することが望ましい。

支持部材３１０，３２０の電磁特性μ_２，ε_２を測定するためには、まず、導波管１１０に試料２１０を挿入することなく、支持部材３１０，３２０のみを挿入する（ステップＳ１１）。図１０は導波管１１０内に支持部材３１０，３２０のみが挿入された状態を示しており、この状態で図１に示した測定器１２０を用いてＳパラメータを測定する（ステップＳ１２）。このとき、支持部材３１０，３２０は一体の部材として見なせるよう互いに密着状態で挿入されることが必要である。測定器１２０によって得られるＳパラメータは、反射率（＝反射波／入射波）を表すＳパラメータＳ_１１と、透過率（＝透過波／入射波）を表すＳパラメータＳ_２１である。

ここで、ＳパラメータＳ_１１は式（１）で表され、ＳパラメータＳ_２１は式（２）で表される。

式（１），（２）において、Ｌ_２は支持部材３１０，３２０全体の軸方向の長さである。また、Ｒ_１２，Ｒ_２１，Ｔ_１２，Ｔ_２１，γ_２は、それぞれ式（３）〜（７）で表される。なお、μ_０は空気の比透磁率、ε_０は空気の比誘電率、ｃは光速、ｆは周波数である。

よって、支持部材３１０，３２０の電磁特性μ_２，ε_２を求める場合には、式（１），（２）にＲ_１２，Ｒ_２１，Ｔ_１２，Ｔ_２１，γ_２を代入すると共に、測定器１２０を用いて測定したＳパラメータＳ_１１，Ｓ_２１を式（１），（２）に代入することによって求めることができる（ステップＳ１３）。

次に、試料２１０の電磁特性μ_１，ε_１を測定する（ステップＳ１４〜Ｓ１７）。試料２１０の電磁特性μ_１，ε_１を測定するためには、まず、支持部材３１０，３２０によって支持された試料２１０を用意し、導波管１１０に試料２１０及び支持部材３１０，３２０を挿入し（ステップＳ１４）、導波管１１０内の試料２１０の位置を支持部材３１０，３２０と共に調整する（ステップＳ１５）。図１１は導波管１１０内に試料２１０が支持部材３１０，３２０と共に挿入された状態を示しており、この状態にて図１に示した測定器１２０を用いて合成Ｓパラメータを測定する（ステップＳ１６）。測定器１２０によって得られる合成Ｓパラメータは、反射率（＝反射波／入射波）を表すＳパラメータＳ_１１と、透過率（＝透過波／入射波）を表すＳパラメータＳ_２１である。

ここで、ＳパラメータＳ_１１は式（８）で表され、ＳパラメータＳ_２１は式（９）で表される。

式（８），（９）において、Ｌ_１は試料２１０の軸方向の長さである。また、Ｒ_１２，Ｒ_２１，Ｔ_１２，Ｔ_２１，γ_１は、それぞれ式（１０）〜（１４）で表される。

よって、試料２１０の電磁特性μ₁，ε₁を求める場合には、式（１０）〜（１４）に支持部材３１０，３２０の磁性特性μ_２，ε_２を代入し、次いで式（８），（９）にＲ_１２，Ｒ_２１，Ｔ_１２，Ｔ_２１，γ_１を代入し、さらに測定器１２０を用いて測定した合成ＳパラメータＳ_１１，Ｓ_２１を代入することによって求めることができる（ステップＳ１７）。

以上説明したように、本実施形態によれば、導波管１１０内の試料２１０が支持部材３１０，３２０によって支持されることから、姿勢の自己保持が困難な形状を有する試料であっても、電磁特性を正しく測定することが可能なる。この場合、得られるＳパラメータは、試料及び支持部材３１０，３２０の合成Ｓパラメータとなるが、支持部材３１０，３２０の電磁特性をあらかじめ測定しておくことにより、合成Ｓパラメータと支持部材３１０，３２０の電磁特性に基づいて、試料の電磁特性を算出することが可能となる。

なお、Ｓパラメータから支持体や試料の電磁特性を求める際、前述の数式を用いる以外にも、電磁界シミュレータを用いることもできる。

以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明は、上記の実施形態に限定されることなく、本発明の主旨を逸脱しない範囲で種々の変更が可能であり、それらも本発明の範囲内に包含されるものであることはいうまでもない。

例えば、上記実施形態においては、導波管として同軸管を用いているが、方形導波管や円形導波管を用いることも可能である。円形導波管、方形導波管、同軸型導波管（同軸管）等を用いても良く、特定の形状に限定されるものではない。また、本発明における導波管は、両端が開放された筒状体であることは必須でなく、一端が閉じられた筒状体であっても構わない。

また、上記実施形態においては、測定器１２０の一方の入出力端子１２０ａより正弦高調波を入力しているが、他方の入出力端子１２０ｂより正弦高調波を入力してもよい。

また、上記実施形態においては、試料２１０のない状態で支持部材３１０，３２０のみを挿入して電磁特性を測定し、その後、試料２１０を支持部材３１０，３２０で挟み込んだ状態で挿入して電磁特性を測定しているが、本発明において測定順序は特に限定されない。したがって、試料２１０を支持部材３１０，３２０で挟み込んだ状態で挿入して電磁特性を測定した後、試料２１０のない状態で支持部材３１０，３２０のみを挿入して電磁特性を測定してもよい。

本発明の好ましい実施形態による電磁特性測定装置を示す全体図である。 導波管１１０の主要部の構造を示す図であり、（ａ）は切り欠き斜視図、（ｂ）は軸方向に切断した場合の略断面図、（ｃ）は（ｂ）のＡ−Ａ線に沿った断面図である。 導波管１１０の内部に種々の試料を挿入した状態を示す略断面図であり、（ａ）はバルク状の試料を挿入した状態、（ｂ）は薄いシート状の試料を挿入した状態、（ｃ）は圧延形成されたシート状の試料を挿入した状態を示している。 ２つの支持部材３１０，３２０によって試料を挟み込んだ状態を示す略断面図である。 ストッパーを備える導波管の構造の一例を示す図であり、（ａ）は上面図、（ｂ）は軸方向における断面図、（ｃ）は径方向における断面図を示している。 ストッパーを備える導波管の構造の他の例を示す図であり、（ａ）は上面図、（ｂ）は軸方向における断面図、（ｃ）は径方向における断面図を示している。 ストッパーを備える導波管の構造のさらに他の例を示す図であり、（ａ）は上面図、（ｂ）は軸方向における断面図、（ｃ）は径方向における断面図を示している。 支持部材３１０，３２０の形状の変形例を示す略断面図である。 電磁特性測定方法を説明するためのフローチャートである。 導波管１１０内に支持部材３１０，３２０のみが挿入された状態を示す断面図である。 導波管１１０内に試料２１０が支持部材３１０，３２０と共に挿入された状態を示す断面図である。

符号の説明

１００ 電磁特性測定装置
１１０ 導波管
１１１ａ，１１１ｂ スリット
１１１ 外部導体
１１２ 内部導体
１１３ 導波管の内部空間
１２０ 測定器（ネットワークアナライザ）
１２０ａ 測定器の信号入出力端子
１２０ｂ 測定器の信号入出力端子
１３０ 計算機（パーソナルコンピュータ）
１４０ａ，１４０ｂ ケーブル
２１０ 試料
２１１ 試料の外周面
２１２ 試料の内周面
２１３，２１４ 試料の平面
３１０ 支持部材
３１１ 支持部材の外周部
３１２ 支持部材の支持部
３２０ 支持部材
３２１ 支持部材の外周部
３２２ 支持部材の支持部
３３０ 支持部材
３３１ 支持部材の外周部
３３２ 支持部材の支持部
３３３ 空洞
３４０ 支持部材
３４１ 支持部材の外周部
３４２ 支持部材の支持部
３４３ 空洞
４１０，４２０ ストッパー
５００ 導電部材

Claims (8)

1. 試料が挿入される導波管と、
   前記導波管内において前記試料を支持する支持手段と、
   前記導波管に挿入された前記試料及び前記支持手段の合成Ｓパラメータを測定する測定器と、
   前記合成Ｓパラメータ及び前記支持手段の電磁特性に基づいて、前記試料の電磁特性を計算する計算機とを備え、
   前記試料は、前記導波管の内壁と接する外周面と、前記外周面に対して垂直な第１及び第２の平面とを有し、
   前記支持部材は、前記導波管の内壁を摺動する外周部と、前記試料の前記第１及び第２の平面の少なくとも一方と接する支持部とを含むことを特徴とする電磁特性測定装置。
2. 前記支持手段には、前記外周部に囲まれた領域の少なくとも一部に空洞が設けられていることを特徴とする請求項１に記載の電磁特性測定装置。
3. 前記支持手段は、前記導波管の軸方向に前記試料を挟み込む第１及び第２の支持部材を含み、
   前記第１及び第２の支持部材は、前記試料の前記第１及び第２の平面とそれぞれ接することを特徴とする請求項１又は２に記載の電磁特性測定装置。
4. 前記支持手段の比誘電率及び比透磁率は、前記試料の比誘電率及び比透磁率よりも低いことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載の電磁特性測定装置。
5. 前記支持手段を前記導波管の所定の位置に保持するストッパーをさらに備えることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項に記載の電磁特性測定装置。
6. 前記支持手段は、前記導波管の内壁を摺動し、摩擦によって前記導波管の所望の位置に固定可能な弾性体によって構成されていることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか一項に記載の電磁特性測定装置。
7. 導波管に試料及び支持手段を挿入するステップと、
   前記導波管に挿入された前記試料及び前記支持手段の合成Ｓパラメータを測定するステップと、
   前記合成Ｓパラメータ及び前記支持手段の電磁特性に基づいて前記試料の電磁特性を計算するステップとを備えることを特徴とする電磁特性測定方法。
8. 前記導波管に前記試料を挿入することなく前記支持手段を挿入するステップと、
   前記導波管に挿入された前記支持手段のＳパラメータを測定するステップと、
   前記Ｓパラメータに基づいて前記支持手段の電磁特性を計算するステップとをさらに備えることを特徴とする請求項７に記載の電磁特性測定方法。

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