JP2009231830A - 半導体レーザの製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】所望の仕様を満足するＤＦＢレーザを容易に選別できる半導体レーザの製造方法を提供する。
【解決手段】この半導体レーザ１０の製造方法では、第１の温度における半導体レーザ１０の光出力Ｉｍ_２５と、第１の温度とは異なる第２の温度へと温度変化させた際の光出力の変化率ΔＩｍとを測定し、この光出力Ｉｍ_２５と変化率ΔＩｍとに基づいて半導体レーザ１０の端面位相を検出する。そして、このように検出された端面位相を用いて、半導体レーザ１０を良品と不良品とに選別する。
【選択図】図２

Description

本発明は、半導体レーザの製造方法に関するものであり、特に、分布帰還型半導体レーザ（以下「ＤＦＢレーザ」と記す）の端面位相を検出して半導体レーザを選別する半導体レーザの製造方法に関するものである。

ＤＦＢレーザをチップ化する際、へき開精度に比べて回折格子の格子間隔が極めて小さいため、端面における回折格子の位相（以下「端面位相」と記す）の制御は困難であり、個体ごとのＤＦＢレーザの端面位相にばらつきが生じてしまっている。このような現状では、端面位相の違いにより、内部光子密度分布が変化する結果、ＩＬ特性等の出力特性がＤＦＢレーザの個体ごとにばらつくという問題がある。

このような事情に対し、従来、へき開されたＤＦＢレーザを実際に実装してモジュール化した後に所望の出力特性を有するか否か検査して、製品としての良否を選別することが行われている。例えば特許文献１に記載の光通信用光源の選別方法では、ＤＦＢレーザをシミュレーション装置にセットし、所望のチャープ特性を有するか否かを実装前に検査している。一方、特許文献２に記載の半導体レーザの製造方法では、ＤＦＢレーザ両端からの光出力を基に低反射コートや高反射コートのいずれかを定めて施して出力のばらつきを防止している。また、特許文献３に記載の半導体レーザの製造方法では、ウエハからへき開後、ＤＦＢレーザの高反射コート側端面をエッチングして所望の端面位相を得るように後加工している。

特開２００１−３０８７８８号公報 特開平８−０７８７６７号公報 特開平８−２５５９４８号公報

しかしながら、ＤＦＢレーザをモジュール化してから検査選別していたのでは検査処理のリードタイムが長くなり、しかも、不良品が出た場合、モジュールごと廃棄するか又は別のＤＦＢレーザを実装し直して再検査する必要があった。また、特許文献１に開示された選別方法のように、シミュレーションを行なってＤＦＢレーザを検査選別する場合、複雑なシミュレーション計算を行なうため処理時間が長くかかってしまい、しかも、特殊なシミュレーション装置を用いているため高額な装置が必要となっていた。

一方、上述した特許文献２や特許文献３に開示された半導体レーザの製造方法のようにＤＦＢレーザをへき開後に後加工していたのでは、上述した選別方法に比べて、加工時間が余計にかかり生産性が著しく低下してしまうおそれがあった。しかも、個々のＤＦＢレーザをへき開後に精度よく加工すること自体が困難であり、且つ、このような加工によりＤＦＢレーザそのものを破損等してしまうこともあるので、実用的ではなかった。

そこで、本発明の課題は、所望の仕様を満足するＤＦＢレーザを容易に選別できる半導体レーザの製造方法を提供することを目的とする。

上記課題を解決するため、本発明者は鋭意研究を重ねる過程で、端面位相に対する半導体レーザの光出力Ｉｍが、図５に示される三角関数Ｔで表されることに着目した。この三角関数Ｔで表される相関関係を考察すると、端面位相が０又はπの半導体レーザでは、光出力Ｉｍは中程度であり、端面位相の変動に対する光出力Ｉｍの変化率ΔＩｍは最大となる傾向にあることがわかった。同様に、端面位相が０．５πの半導体レーザでは、光出力Ｉｍは最大であり、端面位相の変動に対する光出力Ｉｍの変化率ΔＩｍは最小となる傾向にあり、また、端面位相が１．５πの半導体レーザでは、光出力Ｉｍは最小であり、端面位相の変動に対する光出力Ｉｍの変化率ΔＩｍは最小となる傾向にあることを見出した。そこで、本発明者は、光出力Ｉｍと変化率ΔＩｍとを簡単な処理で検出することができれば、上述した端面位相と光出力Ｉｍとの相関関係から、半導体レーザの個体ごとの端面位相を検出でき、所望の仕様を満足するＤＦＢレーザを容易に選別できるとの知見を得て、本発明を完成するに至った。

上記課題を解決するため、本発明に係る半導体レーザの製造方法は、分布帰還型の回折格子を有する半導体レーザにおいて、第１の温度における半導体レーザの光出力Ｉｍと、第１の温度とは異なる第２の温度へと温度変化させた際の光出力Ｉｍとの光出力の変化率ΔＩｍとを測定する測定工程と、光出力Ｉｍと変化率ΔＩｍとに基づいて半導体レーザの端面位相を検出する検出工程と、検出工程で検出された端面位相を用いて半導体レーザを選別する選別工程とを備えたことを特徴としている。

この半導体レーザの製造方法では、半導体レーザを第１の温度から第２の温度へと温度変化させ、端面位相をわずかに変動させることにより、変化率ΔＩｍを求めている。そして、求めた光出力Ｉｍと変化率ΔＩｍとを、端面位相との相関関係にあてはめることで端面位相を一義的に決定できる。端面位相を決定すると、半導体レーザの光出力Ｉｍ及び変動性の傾向を把握できるので、これに基づいて、所望の仕様を満足する半導体レーザを選別することが可能となる。また、端面を変動させるにあたって、温度変化させるだけでよいので、変化率ΔＩｍを求めるのに、複雑な処理を必要としない。

また、測定工程を複数の半導体レーザにて繰り返し行うことにより、各半導体レーザにおける光出力Ｉｍと変化率ΔＩｍとをプロットして端面位相のリファレンスを算出するリファレンス算出工程を備え、このリファレンスと、測定工程で測定された光出力Ｉｍと変化率ΔＩｍとを比較して、半導体レーザの端面位相を検出することが好ましい。この場合、例えば製造ロットごとに作成したリファレンスにより、光出力Ｉｍと変化率ΔＩｍとに基づいて、より簡単に半導体レーザの端面位相を検出できる。なお、上記リファレンス算出工程は、所定の製造ロットにおける製造工程で行なわれたものである必要は必ずしもなく、別の製造工程におけるリファレンス算出工程によるリファレンスを用いて、端面位相を検出する場合も上記の製造方法に含まれる。

また、上記課題を解決するため、本発明に係る半導体レーザの製造方法では、光出力Ｉｍは、半導体レーザの高反射コート側の光出力であることが好ましい。このようにすると、低反射コート側に比べて端面位相の影響を大きく受け、かつ光出力が安定している高反射コート側の光出力を用いることにより、より精度よく端面位相を決定できる。

また、上記課題を解決するため、本発明に係る半導体レーザの製造方法では、測定工程において、半導体レーザの低反射コート側から出力される光出力Ｉｐを更に測定し、検出工程において、光出力Ｉｍ及び光出力Ｉｐの出力比と変化率ΔＩｍとに基づいて半導体レーザの端面位相を検出することが好ましい。このようにすると、高反射コート側の光出力Ｉｍだけでなく、端面位相の影響を少なからず受ける低反射コート側の光出力Ｉｐも用いることとなり、半導体レーザの端面位相を一層精度よく決定できる。

また、上記課題を解決するため、本発明に係る半導体レーザの製造方法では、測定工程における半導体レーザの駆動電流として、閾値電流よりも所定の値だけ大きい電流を用いるものとしてもよい。このようにすると、半導体レーザの光出力が安定するので、より精度よく端面位相を決定できる。

また、上記課題を解決するため、本発明に係る半導体レーザの製造方法では、測定工程における半導体レーザの駆動電流は、低反射コート側から出力される光出力が一定となるように制御されていてもよい。この場合、測定工程における温度変化によって半導体レーザの光出力が劣化したとしても、低反射コート側から出力される光出力が一定となるように、光出力の劣化分が駆動電流の増加で補われるように制御される。従って、半導体レーザの光出力が安定するので、より精度よく端面位相を決定できる。

また、上記課題を解決するため、本発明に係る半導体レーザの製造方法では、測定工程における半導体レーザの駆動電流は、低反射コート側から出力される光出力と高反射コート側から出力される光出力との和が一定となるように制御されていてもよい。この場合、測定工程における温度変化によって半導体レーザの光出力が劣化したとしても、低反射コート側から出力される光出力と高反射コート側から出力される光出力との和が一定となるように、光出力の劣化分が駆動電流の増加で補われるように制御される。従って、半導体レーザの光出力が安定するので、より精度よく端面位相を決定できる。

また、上記課題を解決するため、本発明に係る半導体レーザの製造方法では、選別工程において、特定の端面位相、例えば端面位相が０〜π及び１．５π〜２πの間の値であると検出された半導体レーザを良品として選別するようにしてもよい。端面位相がπ〜１．５πの間にある半導体レーザは、モードホップ等の不具合を生じやすい傾向にある。従って、端面位相が上記範囲の半導体レーザを選別することで、不具合の生じやすい半導体レーザを排除できる。また、特定の端面位相のみを選別することで、特性がそろった半導体レーザを分類することができ、これにより半導体レーザ特有のばらつきを抑えた製品を製造することが可能となる。

本発明に係る半導体レーザの製造方法によれば、所望の仕様を満足するＤＦＢレーザを容易に選別できる。

ＤＦＢレーザの一例を示す断面図である。 本発明の第１実施形態に係るＤＦＢレーザの製造工程を示したフローチャートを示す図である。 本発明の第１実施形態に係るＤＦＢレーザの製造方法に用いる光出力測定システムを示す図である。 本発明の第１実施形態において端面位相を検出するためのリファレンスを示す図である。 ＤＦＢレーザにおける端面位相と光出力との相関関係を示す図である。 本発明の第２実施形態及び第３実施形態に係るＤＦＢレーザの製造方法に用いる光出力測定システムを示す図である。 （ａ）は本発明の第２実施形態において端面位相を検出するためのリファレンスを示す図であり、（ｂ）は本発明の第３実施形態において端面位相を検出するためのリファレンスを示す図である。 本発明の第４実施形態に係る光集積型半導体レーザの製造方法に用いる光出力測定システムを示す図である。 本発明の第５実施形態に係るＤＦＢレーザの製造工程を示したフローチャートを示す図である。 本発明の第５実施形態において端面位相を検出するためのリファレンスを示す図である。

以下、添付図面を参照しながら、本発明に係るＤＦＢレーザの製造方法の好適な実施形態について説明する。なお、図面の説明において、同一の要素には同一の符号を付し、重複する説明は省略する。

［第１実施形態］
図１は、本発明に係る半導体レーザの製造方法の一実施形態を適用して作成されたＤＦＢレーザの構成を示す断面図である。図１に示す半導体レーザ１０は、例えば発振波長が１．５５μｍのＤＦＢレーザであり、安定した単一モードでの発振が要求される長距離光通信システムの光源として使用されるものである。

図１に示すように、半導体レーザ１０は、半導体基板１１と、半導体基板１１の一面側に形成されたクラッド層１２と、クラッド層１２に積層された活性層１３と、活性層１３に積層された回折格子形成層１４と、回折格子形成層１４に積層されたクラッド層１５と、クラッド層１５の表面及び半導体基板１１の他面側にそれぞれ形成された電極層１６，１７と、半導体レーザ１０の一方の端面に形成された高反射コート（以下「ＨＲコート」と記す）１８と、他方の端面に形成された低反射コート（以下「ＡＲコート」と記す）１９とを備えている。

半導体基板１１は、例えばＳｎがドープされたｎ型ＩｎＰ基板である。半導体基板１１の厚みは、約１００μｍとなっている。活性層１３は、例えば、ＩｎＧａＡｓＰ層である。活性層１３は、例えば、多重量子井戸（ＭＱＷ）構造を有している。活性層１３には、クラッド層１２及びクラッド層１５からキャリアが注入され、このキャリアが再結合することによって光が発生する。

クラッド層１２は、例えばＳｉがドープされたｎ型ＩｎＰ層である。また、クラッド層１５は、例えばＺｎがドープされたｐ型ＩｎＰ層である。クラッド層１２，１５の屈折率は、活性層１３よりも小さくなっており、これにより、クラッド層１２，１５は、活性層１３で発生した光を閉じ込める層として機能する。

回折格子形成層１４は、例えばＺｎがドープされたＩｎＧａＡｓＰ層である。回折格子形成層１４には、図１に示すように、長手方向に沿った周期的な凹凸パターン１４ａからなる回折格子Ｇが形成されている。凹凸パターン１４ａにおける各凹部の深さは例えば３０ｎｍとなっており、その間隔は例えば２４０ｎｍとなっている。

このような回折格子形成層１４は、長手方向に沿って活性層１３の内部を進行する光の一部を、進行方向とは反対の方向に反射させる。これにより、活性層１３の内部では、回折格子Ｇにおける凹凸パターン１４ａの周期で決まる波長の光がＨＲコート１８に帰還され、ＡＲコート１９からレーザ光Ｌ１として出射されるようになっている。

電極層１６，１７は、例えばＡｕめっき層であり、厚みは１０μｍ程度となっている。ＨＲコート１８は、半導体レーザ１０における光軸方向の一端面において、所定の反射波長帯域を有していて、その反射波長帯域において内部光を８０％以上反射させる機能を有している。また、ＡＲコート１９は、半導体レーザ１０における光軸方向の他端面において、外部からの反射光の影響を低減させる機能を有している。

なお、レーザ光Ｌ１の出射にあわせて、ＨＲコート１８からはモニタ光Ｌ２が出射されるようになっている。このモニタ光Ｌ２は、レーザ光Ｌ１の光出力に比べて小さい光出力ではあるが、安定性が優れているため、半導体レーザ１０の光出力モニタなどに用いられる。

次に、このような構成を有する半導体レーザ１０の製造方法について、図２に基づいて説明する。図２は、半導体レーザ１０の製造工程を示したフローチャートである。

［積層工程］
まず、ＳｎがドープされたＩｎＰからなる半導体基板１１を用意する。次に、例えばＭＯＣＶＤ法（有機金属気相成長法）により、半導体基板１１の一面側に、クラッド層１２、活性層１３、回折格子形成層１４、及びクラッド層１５を順次積層して、積層体を形成する（ステップＳ１）。回折格子形成層１４に回折格子Ｇを形成するには、クラッド層１５を回折格子形成層１４に積層する前に、凹凸パターン１４ａに対応する凹凸パターンからなるレジスト層を回折格子形成層１４上に形成して、凹凸パターンからなるレジスト層をマスクとしたドライエッチングを回折格子形成層１４に施す。回折格子形成層１４に施されたドライエッチングにより、２４０ｎｍ程度の間隔からなる回折格子Ｇが、回折格子形成層１４に形成される。なお、回折格子は均一周期の凹凸パターンからなり、λ／４シフト構造等は特に設けていない。

［チップ化工程］
続いて、積層工程で積層された積層体をへき開してチップ化する（ステップＳ２）。そして、へき開された各チップの両端面にＨＲコート１８とＡＲコート１９とをそれぞれ形成すると共に、表裏両面に電極層１６，１７をそれぞれ形成する。これにより、複数の半導体レーザ１０へ加工される。

ところで、上述したチップ化工程におけるへき開精度は数十ミクロン程度となっている。一方、回折格子Ｇの間隔は２４０ｎｍ程度である。つまり、回折格子Ｇの間隔は、へき開精度に比べて２桁程度小さいものとなっている。このため、半導体レーザ１０の端面における回折格子Ｇの位相（端面位相）の制御は困難であり、個体ごとの半導体レーザ１０の端面位相にばらつきが生じてしまっている。このような現状では、端面位相の違いにより、内部光子密度分布が変化する結果、ＩＬ特性等の出力特性が半導体レーザ１０の個体ごとにばらつくという問題がある。

これに対し、本実施形態に係る半導体レーザ１０の製造方法では、以下に示す測定工程及び検出工程を経て端面位相を決定し、チップ化された半導体レーザ１０の個体ごとの出力特性に応じた選別を行っている。

［測定工程］
測定工程では、まず、半導体レーザ１０を、光出力測定システム２０に設置する（ステップＳ３）。図３は、本実施形態に係る半導体レーザの製造方法に用いる光出力測定システムを示す図である。図３に示すように、光出力測定システム２０は、半導体レーザ１０の電極層１６に接続可能な電流源２１と、半導体レーザ１０のモニタ光Ｌ２の受光位置に配置された受光素子２２と、受光素子２２の一端に接続された電流計２３と、受光素子２２の他端に接続された電圧源２４と、恒温槽２５と、電流源２１、電流計２３及び恒温槽２５に制御信号線を介して接続された制御装置３０とを備え、制御装置３０で電流源２１、電流計２３及び恒温槽２５を制御することにより、光出力Ｉｍに相当するモニタ光Ｌ２を測定するシステムである。

電流源２１は、半導体レーザ１０に駆動電流Ｉ_ＬＤを供給するための電流源であり、制御装置３０からの制御信号に基づいて駆動電流Ｉ_ＬＤを変化させることができる。受光素子２２は、半導体レーザ１０からのモニタ光Ｌ２を受光して、その光を電流に変換する光電変換素子である。電流計２３は、電流測定器であり、受光素子２２で光電変換された電流値を測定する。測定された電流値は、光出力Ｉｍとして制御装置３０に送られる。電圧源２４は、受光素子２２に逆電圧を印加するものである。

恒温槽２５は、内部温度を一定に保つことができる容器であって、容器の内部に加熱部又は冷却部（不図示）を備えている。恒温槽２５の内部には、半導体レーザ１０などを配置できる空間が形成されており、制御装置３０で設定した温度に基づいて、加熱部によって容器内温度を上昇させたり、冷却部によって容器内温度を下降させたりすることができる。制御装置３０は、光出力Ｉｍとしての電流値などを保存するメモリと、メモリに保存された電流値などの数値を演算する演算部とを有している。

上記構成の光出力測定システム２０に半導体レーザ１０を設置することにより、半導体レーザ１０が恒温槽２５内に配置されると共に、半導体レーザ１０の一方の電極層１６に配線２１ａを介して電流源２１が接続され、他方の電極層１７に配線２１ｂを介してアースが接続され、半導体レーザ１０に駆動電流Ｉ_ＬＤが流れるようになっている。

ステップＳ３の光出力測定システム２０への設置に続いて、第１の温度である２５℃（室温）における、半導体レーザ１０の光出力Ｉｍ_２５を測定する（ステップＳ４）。光出力Ｉｍ_２５の測定にあたり、まず、測定用の駆動電流Ｉ_ＬＤを決定する。本実施形態では、駆動電流Ｉ_ＬＤとして、レーザ発振が開始される閾値電流Ｉ_ｔｈより所定の値Ｉ_Ａだけ大きい電流を用いている。なお、閾値電流Ｉ_ｔｈを算出するには、恒温槽２５によって２５℃に温度調整された半導体レーザ１０に電流源２１から駆動電流Ｉ_ＬＤを増加させながら供給すると共に、出力される光出力を受光素子２２で受光して電流計２３でその電流値を測定する。そして、この光出力を駆動電流Ｉ_ＬＤで微分して閾値電流Ｉ_ｔｈを算出する。

測定用の駆動電流Ｉ_ＬＤが決定したら、半導体レーザ１０の温度が２５℃になるよう制御装置３０によって恒温槽２５を制御しつつ、駆動電流Ｉ_ＬＤで半導体レーザ１０を駆動する。そして、モニタ光Ｌ２を受光素子２２で受光し、モニタ光Ｌ２の光出力Ｉｍ_２５を電流計２３で測定する。測定された光出力Ｉｍ_２５は、制御装置３０に送られて、制御装置３０のメモリに保存される。

第１の温度における光出力Ｉｍ_２５の測定が終了したら、第２の温度である８０℃における半導体レーザ１０の光出力Ｉｍ_８０を測定する（ステップＳ５）。まず、ステップＳ４と同様に、測定用の駆動電流Ｉ_ＬＤを決定する。次に、半導体レーザ１０の温度が８０℃になるよう制御装置３０によって恒温槽２５を制御しつつ、駆動電流Ｉ_ＬＤで半導体レーザ１０を駆動する。そして、モニタ光Ｌ２を受光素子２２で受光し、モニタ光Ｌ２の光出力Ｉｍ_８０を電流計２３で測定する。測定された光出力Ｉｍ_８０は、制御装置３０に送られて、制御装置３０のメモリに保存される。なお、半導体レーザ１０を昇温したことにより、半導体レーザ１０の端面位相は、室温時に比べて、増加方向に変動している。

次に、第１の温度における光出力Ｉｍ_２５と第２の温度における光出力Ｉｍ_８０との変化率であるΔＩｍを測定する（ステップＳ６）。この変化率ΔＩｍは、光出力Ｉｍ_２５とＩｍ_８０との間の変化比であり、制御装置３０のメモリに保存されている光出力Ｉｍ_２５と光出力Ｉｍ_８０とを読み出して、次の式（１）に基づいて制御装置３０の演算部で算出されることにより、測定される。
変化率ΔＩｍ＝光出力Ｉｍ_２５／光出力Ｉｍ_８０・・・（１）

ステップＳ４又はステップＳ５で駆動電流Ｉ_ＬＤを決定する際に、算出した閾値電流Ｉ_ｔｈが異常値を示したり、又は半導体レーザ１０の発振が適切に行なわれなかったりしたような場合、そのような半導体レーザ１０は不良品として、この時点でスクリーニング除去する（ステップＳ７）。

ステップＳ４〜ステップＳ７までの工程が終了したら、光出力Ｉｍ_２５をＹ軸に、変化率ΔＩｍをＸ軸としたＸＹ座標系を設け、光出力Ｉｍ_２５と変化率ΔＩｍとの値をその座標上にプロットする（ステップＳ８）。その後、ステップＳ１でへき開加工された複数の半導体レーザ１０で同様の測定及び座標プロットを行い、所定数の半導体レーザ１０における光出力Ｉｍ_２５と変化率ΔＩｍとの測定が終了するまで、ステップＳ４〜ステップＳ８を繰り返し行なう（ステップＳ９）。一方、所定数の半導体レーザ１０における光出力Ｉｍ_２５と変化率ΔＩｍとの測定及びプロットが終了すると、図４に示すような略円還形状のプロット群Ｐ１が完成し、測定工程は終了する。

［検出工程］
次に、このプロット群Ｐ１に基づき、リファレンスＲを算出する（ステップＳ１０）。リファレンスＲとは、端面位相と光出力Ｉｍとの相関関係に基づいて、半導体レーザ１０の端面位相を検出するための比較表であって、光出力Ｉｍ_２５と変化率ΔＩｍとによるプロットが属する領域に応じて、半導体レーザ１０の端面位相を決定するものである。リファレンスＲを算出するには、プロット群Ｐ１の中心点Ｏの決定を行い、その後、この中心点Ｏを通り、Ｘ軸及びＹ軸に対してそれぞれ平行な基準軸線Ｘ１及びＹ１を設ける。中心点Ｏの決定にあたっては、例えばプロット群Ｐ１におけるＸ軸の最大値と最小値の平均値を中心点ＯのＸ座標とし、Ｙ軸の最大値と最小値の平均値を中心点ＯのＹ座標としている。

ここで、上記した端面位相と光出力Ｉｍとの相関関係は、図５に示されるように、Ｘ軸に端面位相（０〜２π）を、Ｙ軸に光出力Ｉｍ（最小値〜最大値）をとったＸＹ座標上に形成された三角関数Ｔによって表される。

図５の三角関数Ｔによる相関関係に示されるように、端面位相が０の半導体レーザ１０では、光出力Ｉｍは中程度であり、端面位相の変動に対する光出力Ｉｍの変化率ΔＩｍは増加方向に最大となる傾向にある。同様に、端面位相が０．５πの半導体レーザでは、光出力Ｉｍは最大であり、端面位相の変動に対する光出力Ｉｍの変化率ΔＩｍは最小となる傾向にある。また、端面位相がπの半導体レーザでは、光出力Ｉｍは中程度であり、端面位相の変動に対する光出力Ｉｍの変化率ΔＩｍは減少方向に最大となる傾向にある。更に、端面位相が１．５πの半導体レーザでは、光出力Ｉｍは最小であり、端面位相の変動に対する光出力Ｉｍの変化率ΔＩｍは最小となる傾向にある。

このことから、図４に示すリファレンスＲの各領域のうち第一象限は、光出力Ｉｍが中程度〜最大であり且つ変化率ΔＩｍは最小〜増加方向に最大となっており、端面位相が０〜０．５π（領域Ｒ１）の半導体レーザ１０に対応することがわかる。同様に、図４に示す第二象限は、光出力Ｉｍが中程度〜最大であり且つ変化率ΔＩｍは減少方向に最大〜最小となっており、端面位相が０．５π〜π（領域Ｒ２）の半導体レーザ１０に対応し、また、図４に示す第三象限は、光出力Ｉｍが最小〜中程度であり且つ変化率ΔＩｍは減少方向に最大〜最小となっており、端面位相がπ〜１．５π（領域Ｒ３）の半導体レーザ１０に対応し、更に、図４に示す第四象限は、光出力Ｉｍが最小〜中程度であり且つ変化率ΔＩｍは最小〜増加方向に最大となっており、端面位相が１．５π〜２π（領域Ｒ４）の半導体レーザ１０に対応することがわかる。

続いて、算出されたリファレンスＲを用いて、半導体レーザ１０の端面位相を検出する（ステップＳ１１）。端面位相の検出は、ステップＳ４〜ステップＳ６で測定されて制御装置３０のメモリに保存されていた光出力Ｉｍ_２５と変化率ΔＩｍとのプロット値を、ステップＳ１０で算出されたリファレンスＲと比較し、各プロット値がどの端面位相であるかを判断することによって行なわれる。例えば、図４に示すように、Ｐでプロットされた光出力Ｉｍ_２５と変化率ΔＩｍとを有する半導体レーザ１０の端面位相は、リファレンスＲと比較判断して、０．５πであると検出される。

［選別工程］
最後に、ステップＳ１１で検出された端面位相に基づき、半導体レーザ１０を良品又は不良品へ選別する（ステップＳ１２）。この選別は、半導体レーザ１０の出力特性を決定する端面位相に基づいて行われる。

例えば、端面位相がπ〜１．５π（領域Ｒ３）の半導体レーザ１０では、発振周波数が不安定になる傾向があり、モードホップ（発振周波数の遷移）などの好ましくない現象を生じやすい。そこで、本実施形態では、端面位相が０〜π（領域Ｒ１及び領域Ｒ２）及び１．５π〜２π（領域Ｒ４）の半導体レーザ１０を良品とし、端面位相がπ〜１．５π（領域Ｒ３）の半導体レーザ１０を不良品として選別するようにしている。なお、良品として選別された半導体レーザ１０のうち、端面位相が領域Ｒ１の半導体レーザ１０は、同じく良品として選別される領域Ｒ２や領域Ｒ４の半導体レーザ１０に比べて、発振周波数や前後電力比（レーザ光Ｌ１とモニタ光Ｌ２との比）が非常に安定している傾向にある。このため、領域Ｒ１の半導体レーザ１０を、厳格な仕様が要求される長距離光通信システムの光源として、更に選別することが好ましい。

以上、説明したとおり、本実施形態に係る半導体レーザ１０の製造方法では、まず、室温（２５度）での半導体レーザ１０の光出力Ｉｍ_２５と、室温から８０度に温度変化させた際の光出力の変化率ΔＩｍとを測定し、次に、この光出力Ｉｍ_２５と変化率ΔＩｍとに基づいて端面位相を検出し、そして、検出された端面位相を用いて半導体レーザ１０の良否を選別している。このため、光出力Ｉｍ_２５と光出力Ｉｍ_８０とを示す２つの電流を測定するという簡単な処理で得られた光出力Ｉｍ_２５とその変化率ΔＩｍとに基づいて、端面位相を検出することができる。その結果、所望の仕様を満足するＤＦＢレーザを容易に選別できる。

また、本実施形態に係る半導体レーザ１０の製造方法では、室温（２５度）での半導体レーザ１０の光出力Ｉｍ_２５と、室温から８０度に温度変化させた際の光出力の変化率ΔＩｍとを測定し、次に、この光出力Ｉｍ_２５と変化率ΔＩｍとに基づいて端面位相を検出しているが、光出力の変化率ΔＩｍとして、室温より低温で測定した光出力と室温より高温で測定した光出力とから変化率ΔＩｍを求め、光出力Ｉｍ_２５と、この変化率ΔＩｍとに基づいて端面位相を検出してもよい。

更に、半導体レーザの駆動電流と出力電力との関係は、低電流域では線形性がよい。このため、光出力Ｉｍと変化率ΔＩｍとに代えて、室温での発光効率ＳＥと、室温から８０度に温度変化させた際の発光効率比ΔＳＥを求め、この室温での発光効率ＳＥと発光効率比ΔＳＥとから、端面位相を検出するようにしてもよい。

また、本実施形態に係る半導体レーザ１０の製造方法では、複数の半導体レーザ１０の光出力Ｉｍ_２５と変化率ΔＩｍとの測定を行い、これらをプロットしてリファレンスＲを算出している。そして、このリファレンスＲと、個々の半導体レーザ１０の光出力Ｉｍ_２５と変化率ΔＩｍとを比較して、端面位相を検出できるようになっている。このため、例えば製造ロットごとに作成したリファレンスＲにより、光出力Ｉｍと変化率ΔＩｍとに基づいて、より簡単に半導体レーザ１０の端面位相を検出できる。しかも、実測されたリファレンスＲに基づいて、個々の半導体レーザ１０の端面位相を検出しているため、端面位相を正確に検出することができる。

また、本実施形態に係る半導体レーザ１０の製造方法では、測定時の半導体レーザ１０の駆動電流として、閾値電流Ｉ_ｔｈを基準として、その基準値より所定の値Ａだけ大きい電流を用いている。このため、半導体レーザ１０の光出力が安定するので、より精度よく端面位相を決定できる。しかも、閾値電流Ｉ_ｔｈに一定の電流値Ａを上乗せしただけであり、駆動電流Ｉ_ＬＤを容易に制御することができる。更に、レーザ光Ｌ１を測定する必要はないため、受光素子２２、電流計２３、電圧源２４以外の測定装置が不要となり、簡単な測定システムを構成することができる。

［第２実施形態］
次に、本発明の第２実施形態について説明する。本実施形態では、第１実施形態において測定用の駆動電流Ｉ_ＬＤの算出の際に使用されたモニタ光Ｌ２の光出力に代えて、レーザ光Ｌ１の光出力を用いて、測定用の駆動電流Ｉ_ＬＤを制御している。また、本実施形態で使用される光出力測定システム４０は、第１実施形態で使用された受光素子２２、電流計２３、電圧源２４に加え、劣化補償用に使用される受光素子４２、電流計４３、電圧源４４を更に備えている。

まず、光出力測定システム４０について説明する。図６は、本実施形態に係る半導体レーザの製造方法に用いられる別の光出力測定システムである。図６に示すように、光出力測定システム４０は、半導体レーザ１０の電極層１６に接続可能な電流源２１と、半導体レーザ１０のモニタ光Ｌ２の受光位置に配置された受光素子２２と、受光素子２２の一端に接続された電流計２３と、受光素子２２の他端に接続された電圧源２４と、恒温槽２５と、半導体レーザ１０のレーザ光Ｌ１の受光位置に配置された受光素子４２と、受光素子４２の一端に接続された電流計４３と、受光素子４２の他端に接続された電圧源４４と、電流源２１、電流計２３，４３、恒温槽２５に制御信号線を介して接続された制御装置３０とを備えている。

光出力測定システム４０は、制御装置３０で電流源２１、電流計２３，４３及び恒温槽２５を制御することにより、レーザ光Ｌ１と光出力Ｉｍに相当するモニタ光Ｌ２とを測定するシステムである。受光素子４２は、半導体レーザ１０からのレーザ光Ｌ１を受光して、その光を電流に変換する光電変換素子である。電流計４３は、電流測定器であり、受光素子４２で光電変換された電流値を測定する。測定された電流値は、レーザ光Ｌ１の光出力として制御装置３０に送られる。電圧源４４は、受光素子４２に逆電圧を印加するものである。

次に、図２におけるステップＳ４及びステップＳ５の測定工程における駆動電流の算出方法について説明する。本実施形態では、駆動電流Ｉ_ＬＤとして、レーザ光Ｌ１の光出力が一定となるような電流に制御されている。この駆動電流Ｉ_ＬＤを算出するにあたり、例えば、ステップＳ３では、恒温槽２５によって２５℃に温度調整された半導体レーザ１０に電流源２１から駆動電流Ｉ_ＬＤを増加させながら供給すると共に、出力されるモニタ光Ｌ２を受光素子２２で受光して電流計２３でその値を測定する。そして、この光出力を駆動電流Ｉ_ＬＤで微分して、まず、閾値電流Ｉ_ｔｈを算出する。

次に、駆動電流Ｉ_ＬＤを、閾値電流Ｉ_ｔｈから徐々に上昇させていき、その際のレーザ光Ｌ１を受光素子４２で受光して電流計４３でその値を測定する。そして、レーザ光Ｌ１が一定となる所定の電流値が算出されたら、その値を駆動電流Ｉ_ＬＤとして制御する。一方、ステップＳ４における光出力Ｉｍ_２５の測定では、第１実施形態と同様にモニタ光Ｌ２を使用し、モニタ光Ｌ２による光出力Ｉｍ_２５の測定を受光素子２２や電流計２３などで行なう。本実施形態では、ステップＳ５においても、同様に駆動電流Ｉ_ＬＤを算出制御して、光出力Ｉｍ_８０を測定する。なお、その他のステップは、第１実施形態と同様であるため、説明は省略する。

このように、本実施形態に係る半導体レーザ１０の製造方法では、光出力Ｉｍ_２５等を測定する際の駆動電流Ｉ_ＬＤが、ＡＲコート１９側から出力されるレーザ光Ｌ１が一定となるように制御されている。このため、測定工程における温度変化によって半導体レーザ１０のモニタ光Ｌ２が劣化したとしても、ＡＲコート１９側から出力されるレーザ光Ｌ１が一定となるように、光出力の劣化分が駆動電流Ｉ_ＬＤの増加で補われるように制御を行うことができるため、半導体レーザ１０の光出力が安定するので、測定工程における測定誤差を軽減できる。その結果、図７（ａ）に示すように、第１実施形態に比べて、プロット群Ｐ２が円環形状に近くなり、選別工程における半導体レーザの選別精度を向上させることができる。

［第３実施形態］
次に、本発明の第３実施形態について説明する。第２実施形態では、レーザ光Ｌ１の光強度が一定となるよう測定用の駆動電流Ｉ_ＬＤを制御していたが、本実施形態では、レーザ光Ｌ１の光強度とモニタ光Ｌ２の光強度との和が一定となるよう測定用の駆動電流Ｉ_ＬＤを制御している。なお、本実施形態では、第２実施形態で使用された光出力測定システム４０を使用する。

ステップＳ４及びステップＳ５の測定工程における駆動電流Ｉ_ＬＤを算出するにあたり、例えば、ステップＳ４では、恒温槽２５によって２５℃に温度調整された半導体レーザ１０に電流源２１から駆動電流Ｉ_ＬＤを増加させながら供給すると共に、出力されるモニタ光Ｌ２の光出力を受光素子２２で受光して電流計２３でその値を測定し、この光出力を駆動電流Ｉ_ＬＤで微分して、まず、閾値電流Ｉ_ｔｈを算出する。

次に、駆動電流Ｉ_ＬＤを、閾値電流Ｉ_ｔｈから徐々に上昇させていき、その際のレーザ光Ｌ１を受光素子４２で受光して電流計４３でその値を測定すると共に、モニタ光Ｌ２を受光素子２２で受光して電流計２３でその値を測定する。そして、レーザ光Ｌ１の光出力とモニタ光Ｌ２の光出力との和が一定となる所定の電流値が算出されたら、その値を駆動電流Ｉ_ＬＤとして制御する。この駆動電流Ｉ_ＬＤを制御しつつ、ステップＳ４におけるモニタ光Ｌ２の光出力Ｉｍ_２５を受光素子２２で受光して電流計２３でその電流値を測定する。本実施形態では、ステップＳ５においても同様に駆動電流Ｉ_ＬＤを算出制御して、光出力Ｉｍ_８０を測定する。なお、その他のステップは、第１実施形態と同様であるため、説明は省略する。

このように、本実施形態に係る半導体レーザ１０の製造方法では、光出力Ｉｍ_２５等を測定する際の駆動電流Ｉ_ＬＤが、ＡＲコート１９側から出力されるレーザ光Ｌ１とＨＲコート１８側から出力されるモニタ光Ｌ２との和が一定となるように制御されている。このため、測定工程における温度変化によって半導体レーザ１０の光出力が劣化したとしても、ＡＲコート１９側から出力されるレーザ光Ｌ１とＨＲコート１８側から出力されるモニタ光Ｌ２との和が一定となるように、光出力の劣化分が駆動電流Ｉ_ＬＤの増加で補われるように制御を行うことができるため、内部光電力を一定とさせて、測定工程における測定誤差を更に軽減できる。その結果、図７（ｂ）に示すように、第１実施形態及び第２実施形態に比べて、プロット群Ｐ３が円環形状に更に近くなり、選別工程における半導体レーザの選別精度を更に向上させることができる。

［第４実施形態］
次に、本発明の第４実施形態について説明する。本実施形態では、第３実施形態で説明したＤＦＢレーザ１０単体の製造方法を、ＤＦＢレーザ１０に相当するＤＦＢレーザ部５０ａと、ＤＦＢレーザ部５０ａからの光出力を変調する電界吸収型光変調部（以下「ＥＡ変調部」と記す）５０ｂとから構成される光集積型半導体レーザ５０の製造方法に適用した場合について説明する。なお、本実施形態では、第３実施形態で使用された光出力測定システム４０を使用する。

光集積型半導体レーザ５０の構成について説明する。光集積型半導体レーザ５０は、図８に示すように、ＤＦＢレーザ部５０ａとＥＡ変調部５０ｂとを同一基板１１ａ上に集積して一体形成されたものである。光集積型半導体レーザ５０では、ＤＦＢレーザ部５０ａの回折格子Ｇａにおける凹凸パターンの周期１４ａで決まる波長の光がＨＲコート１８ａに帰還され、その後、ＥＡ変調部５０ｂに伝達される。伝達された光はＥＡ変調部５０ｂで光変調され、ＡＲコート１９ａから光変調された光出力Ｌ１ａが出射される。ＥＡ変調部５０ｂにおける光変調では、電圧源５２によってＥＡ変調部５０ｂに一定のバイアス電圧を加えた場合（又はバイアス電圧を加えない場合）、ＨＲコート１８ａにおける端面位相と無関係に一定の光減衰が生じる。

この光集積型半導体レーザ５０の製造方法では、第３実施形態におけるＤＦＢレーザ１０の製造方法と同様に、まず、室温（２５度）での光集積型半導体レーザ５０の光出力Ｉｍ_２５と、室温から８０度に温度変化させた際の光出力の変化率ΔＩｍとを測定し、次に、この光出力Ｉｍ_２５と変化率ΔＩｍとに基づいてＤＦＢレーザ部５０ａの端面位相を検出し、そして、検出された端面位相を用いて光集積型半導体レーザ５０の良否を選別している。この際、一定のバイアス電圧をＥＡ変調部５０ｂに加えるといった所定の条件下では、ＥＡ変調部５０ｂにおける光減衰が一定となるため、ＤＦＢレーザ１０単体の場合と同様にＨＲコート１８ａ側の端面位相に応じてＡＲコート１９ａ側から出射されるレーザ光Ｌ１ａの光出力Ｉｍが変動する。このため、光出力Ｉｍ_２５と光出力Ｉｍ_８０とを示す２つの電流を測定するという簡単な処理で得られた光出力Ｉｍ_２５とその変化率ΔＩｍとに基づいて、光集積型半導体レーザ５０における端面位相を検出することができる。その結果、所望の仕様を満足する光集積型半導体レーザ５０を容易に選別できる。

［第５実施形態］
次に、本発明の第５実施形態について説明する。本実施形態では、半導体レーザ１０の光出力を測定する際、第１の測定温度である２５度において、半導体レーザ１０のモニタ光Ｌ２の光出力Ｉｍだけでなく、レーザ光Ｌ１の光出力Ｉｐも測定し、測定された両光出力Ｉｍ，Ｉｐをリファレンスの算出に用いる。なお、本実施形態では、第２実施形態で使用された光出力測定システム４０を使用する。

本実施形態に係る半導体レーザの製造方法では、図９に示すように、第１実施形態と同様の積層工程やチップ化工程（ステップＳ１，Ｓ２）を行って、光出力測定システム４０に半導体レーザ１０が設置されると（ステップＳ３）、まず、恒温槽２５によって２５℃に温度調整された半導体レーザ１０を測定用の駆動電流Ｉ_ＬＤで発光させる。次に、発光した半導体レーザ１０のモニタ光Ｌ２の光出力Ｉｍ_２５を受光素子２２で受光して電流計２３でその電流値を測定する（ステップＳ１４）。また、発光した半導体レーザ１０のレーザ光Ｌ１の光出力Ｉｐ_２５を受光素子４２で受光して電流計４３でその電流値を測定する（ステップＳ１４）。測定された光出力Ｉｍ_２５，Ｉｐ_２５は、制御装置３０に送られて、保存される。

ステップＳ１４で両光出力Ｉｍ_２５，Ｉｐ_２５の測定が行われると、測定された両光出力Ｉｍ_２５，Ｉｐ_２５から、第１の温度である２５度における光出力Ｉｍ_２５，Ｉｐ_２５の前後比ＦＢＲ（Front Back Ratio、出力比）を算出する（ステップＳ１５）。前後比ＦＢＲは、光出力Ｉｍ_２５に対する光出力Ｉｐ_２５の比であり、制御装置３０に保存されている光出力Ｉｍ_２５と光出力Ｉｐ_２５とを読み出して、次の式（２）に基づいて制御装置３０の制御部で算出される。
前後比ＦＢＲ_２５＝光出力Ｉｍ_２５／光出力Ｉｐ_２５・・・（２）
算出された前後比ＦＢＲ_２５は、制御装置３０に送られて、保存される。その後、光出力Ｉｍ_８０の測定や光出力の変化量ΔＩｍの測定等（ステップＳ５〜Ｓ７）を行う。

ステップＳ５〜Ｓ７が終了すると、続いて、光出力Ｉｍ_２５，Ｉｐ_２５の前後比ＦＢＲである（光出力Ｉｍ_２５／光出力Ｉｐ_２５）をＹ軸に、変化率ΔＩｍをＸ軸としたＸＹ座標系を設け、前後比ＦＢＲ_２５と変化率ΔＩｍとの値を座標上にプロットする（ステップＳ１６）。その後、ステップＳ１でへき開された複数の半導体レーザ１０で同様の測定、算出及びプロットを行い、所定数の半導体レーザ１０におけるプロット等が終了するまで、Ｓ１４，Ｓ１５，Ｓ５〜Ｓ７，Ｓ１６を繰り返し行う（ステップＳ１７）。

ステップＳ１７が終了すると、ステップＳ１８に進んでリファレンスＲの算出を行う。リファレンスＲを算出する際、各前後比ＦＢＲ_２５の非対称性が大きいことを考慮し、前処理として、ステップＳ１６でプロットされたプロット群に対して関数変換処理を施す。変換の基準としては、中心点Ｏ及び最小値を示す点間の距離と中心点Ｏ及び最大値を示す点間の距離とが変換後に略同じになるような数値を選択する。本実施形態では、例えば次の式（３）のような指数関数処理によるデータ処理を用いている。この処理は、制御装置３０により行われる。
前後比ＦＢＲ_２５＝（光出力Ｉｍ_２５／光出力Ｉｐ_２５）^０．５・・・（３）

式（３）で示されるデータ処理（前処理）以外の処理は、第１実施形態と同様の処理が行われる。そして、図１０に示すような略円環形状のプロット群Ｐ４が完成し、リファレンスＲが算出される（ステップＳ１８）。その後、算出されたリファレンスＲを用いて、半導体レーザ１０の端面位相の検出及び選別を行い（ステップＳ１１，Ｓ１２）、処理を終了する。

このように、本実施形態に係る半導体レーザ１０の製造方法では、光出力の測定工程において、半導体レーザ１０の低反射コート１９側から出力される光出力Ｉｐ_２５を更に測定し、端面位相の検出工程において、光出力Ｉｍ_２５及び光出力Ｉｐ_２５の前後比ＦＲＢ_２５と変化率ΔＩｍとに基づいて半導体レーザ１０の端面位相を検出するようにしている。このようにすると、高反射コート１８側の光出力Ｉｍ_２５、Ｉｍ_８０だけでなく、端面位相の影響を少なからず受ける低反射コート１９側の光出力Ｉｐ_２５も用いて端面位相の検出を行うこととなり、半導体レーザ１０の端面位相を一層精度よく決定できる。その結果、選別工程における半導体レーザ１０の選別精度を更に向上させることが可能となる。

以上、本発明の好適な実施形態について説明したが、本発明は上記実施形態に限定されるものではない。例えば、上記実施形態では、端面位相の検出工程において、リファレンスＲと、光出力Ｉｍ_２５及び変化率ΔＩｍとを比較して、半導体レーザ１０の端面位相を検出しているが、図５の三角関数Ｔに示されるような関数を用いて、光出力Ｉｍ_２５と変化率ΔＩｍとに基づいて、端面位相を検出するようにしてもよい。このような場合であっても、２つの値を比較するという簡単な処理により端面位相を算出することができる。

また、上記実施形態では、半導体レーザ１０を製造する際に、所定数の半導体レーザ１０の光出力Ｉｍ_２５又はＩｍ_８０と変化率ΔＩｍとを測定してリファレンスＲを算出している。しかし、このリファレンスＲを製造に先立って算出しておき、半導体レーザ１０の製造時には、予め作成したリファレンスを使用して半導体レーザ１０の端面位相を検出するようにしてもよい。このようにすれば、個々の半導体レーザ１０の光出力Ｉｍ_２５と変化率ΔＩｍを測定した後、すぐに端面位相を検出することができるので、生産効率を向上させることができる。

また、上記実施形態では、リファレンスＲの中心点を決定する際、最大値と最小値の平均値をとって中心点Ｏとしているが、測定された複数の半導体レーザ１０の全データの平均値をとって中心点Ｏとしてもよいし、或いは、測定された複数の半導体レーザ１０の内、最大側１％と最小側１％に相当するものの測定値を除外してから、その中での最大値と最小値の平均値をとって中心点Ｏとしてもよい。このようにすると、極端な値を示す異常品を除外して中心点Ｏを算出することができ、統計的に精度のよい中心点Ｏを得ることができる。

更に、半導体レーザ１０は、特定位相では、モードホップ等が生じ、図４や図７に示すように、特定位相のデータは欠落することとなる。このため最小２乗法などで中心点Ｏを算出することで、更に精度よいリファレンスを算出することができる。また、光出力分布は対称性を持たない場合があり、中心値及び最小値、最大値から対称性を補正することで、更に精度よく算出することができる。第５実施形態では、非対称性が大きいため、プロット群に対する関数変換処理として、指数関数（０．５乗）を用いたが、対称性を補正することができるのであれば、例えば、他の指数関数（０．２５乗）や対数関数を用いてもよい。

また、上記実施形態では、光出力を測定する際の第２の温度を８０℃としているが、光出力の変化率を測定できる範囲であれば、第２の温度は他の温度、例えば、−４０℃のような低温としてもよい。なお、第２の温度として低温へ変化させる場合、端面位相が減少する方向へ変動するので、高温へ変化させる場合と正負を逆にする必要がある。更に、高温と低温のそれぞれで光出力を測定した上で半導体レーザ１０の製品として良否を選別するようにしてもよい、このようにすれば、高低の温度変化に強く対候性が良好な半導体レーザ１０を選別することができる。

１０…半導体レーザ、１８，１８ａ…高反射コート（ＨＲコート）、１９，１９ａ…低反射コート（ＡＲコート）、２０，４０…光出力測定システム、２１…電流源、２２，４２…受光素子、２３，４３…電流計、２５…恒温槽、３０…制御装置、５０…光集積型半導体レーザ、５０ａ…ＤＦＢレーザ部、５０ｂ…ＥＡ変調部、Ｌ１，Ｌ１ａ…レーザ光、Ｌ２，Ｌ２ａ…モニタ光、Ｒ…リファレンス。

Claims (8)

1. 分布帰還型の回折格子を有する半導体レーザにおいて、
   第１の温度における前記半導体レーザの光出力Ｉｍと、前記第１の温度とは異なる第２の温度へと温度変化させた際の前記光出力Ｉｍとの光出力の変化率ΔＩｍとを測定する測定工程と、
   前記光出力Ｉｍと前記変化率ΔＩｍとに基づいて前記半導体レーザの端面位相を検出する検出工程と、
   前記検出工程で検出された前記端面位相を用いて前記半導体レーザを選別する選別工程と、
   を備えたことを特徴とする半導体レーザの製造方法。
2. 前記測定工程を複数の半導体レーザにて繰り返し行うことにより、各半導体レーザにおける光出力Ｉｍと変化率ΔＩｍとをプロットして前記端面位相のリファレンスを算出するリファレンス算出工程を備え、
   前記リファレンスと、前記測定工程で測定された前記光出力Ｉｍと前記変化率ΔＩｍとを比較して、前記半導体レーザの端面位相を検出することを特徴とする請求項１に記載の半導体レーザの製造方法。
3. 前記光出力Ｉｍは、前記半導体レーザの高反射コート側の光出力であることを特徴とする請求項１又は２に記載の半導体レーザの製造方法。
4. 前記測定工程において、前記半導体レーザの低反射コート側から出力される光出力Ｉｐを更に測定し、
   前記検出工程において、前記光出力Ｉｍ及び前記光出力Ｉｐの出力比と前記変化率ΔＩｍとに基づいて前記半導体レーザの端面位相を検出することを特徴とする請求項３に記載の半導体レーザの製造方法。
5. 前記測定工程における前記半導体レーザの駆動電流として、閾値電流よりも所定の値だけ大きい電流を用いることを特徴とする請求項１〜４のいずれか一項に記載の半導体レーザの製造方法。
6. 前記測定工程における前記半導体レーザの駆動電流は、低反射コート側から出力される光出力が一定となるように制御されていることを特徴とする請求項１〜４のいずれか一項に記載の半導体レーザの製造方法。
7. 前記測定工程における前記半導体レーザの駆動電流は、低反射コート側から出力される光出力と、高反射コート側から出力される光出力との和が一定となるように制御されていることを特徴とする請求項１〜４のいずれか一項に記載の半導体レーザの製造方法。
8. 前記選別工程において、前記端面位相が０〜π及び１．５π〜２πの間の値であると検出された前記半導体レーザを良品として選別することを特徴とする請求項１〜７のいずれか一項に記載の半導体レーザの製造方法。

Images